【図1】半導体装置１００の構成例を示す図である。

【図2】（ａ）から（ｄ）は、ＦＳ層５０における第１から第４の不純物領域を順に形成する工程を示す図である。

【図3】プロトンが注入された半導体基板９０を熱処理した後の第１から第４の不純物領域におけるキャリア濃度分布を示す図である。

【図4】ＦＳ層５０の有無に応じた漏れ電流の比較結果を示す図である。

【図5a】半導体基板９０の表面側にＭＯＳゲート構造３０を形成する段階を示す図である。

【図5b】半導体基板９０の裏面側を研磨する段階を示す図である。

【図5c】半導体基板９０の裏面側からプロトンを注入する段階を示す図である。

【図5d】半導体基板９０を熱処理する段階を示す図である。

【図5e】半導体基板９０の欠陥が回復した様子を模式的に示す図である。

【図5f】半導体基板９０の裏面側にコレクタ層６０およびコレクタ電極７０を形成する段階を示す図である。

【図6a】半導体基板９０の裏面側からプロトンを注入する段階を示す図である。

【図6b】半導体基板９０を熱処理する段階を示す図である。

【図6c】半導体基板９０の欠陥が回復させた後に、半導体基板９０の裏面側にコレクタ層６０およびコレクタ電極７０を形成する段階を示す図である。

【図7】半導体基板９０の水素の分布を示す図である。