特許 6238245 高分子の異物検査方法、および電力ケーブルの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6238245

(24)【登録日】2017年11月10日

(45)【発行日】2017年11月29日

(54)【発明の名称】高分子の異物検査方法、および電力ケーブルの製造方法

(51)【国際特許分類】

   G01N 21/3586 20140101AFI20171120BHJP

【ＦＩ】

   G01N21/3586

【請求項の数】4

【全頁数】18

(21)【出願番号】特願2015-41786(P2015-41786)

(22)【出願日】2015年3月3日

(65)【公開番号】特開2016-161462(P2016-161462A)

(43)【公開日】2016年9月5日

【審査請求日】2016年4月25日

(73)【特許権者】

【識別番号】899000068

【氏名又は名称】学校法人早稲田大学

(74)【代理人】

【識別番号】100145872

【弁理士】

【氏名又は名称】福岡 昌浩

(74)【代理人】

【識別番号】100187643

【弁理士】

【氏名又は名称】白鳥 昌宏

(73)【特許権者】

【識別番号】000002130

【氏名又は名称】住友電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100145872

【弁理士】

【氏名又は名称】福岡 昌浩

(74)【代理人】

【識別番号】100187643

【弁理士】

【氏名又は名称】白鳥 昌宏

(74)【代理人】

【識別番号】100195006

【弁理士】

【氏名又は名称】加藤 勇蔵

(72)【発明者】

【氏名】大木 義路

(72)【発明者】

【氏名】小松 麻理奈

(72)【発明者】

【氏名】井筒 智之

(72)【発明者】

【氏名】小▲高▼ 大祐

(72)【発明者】

【氏名】齊藤 隆志

(72)【発明者】

【氏名】山崎 孝則

【審査官】 横尾 雅一

(56)【参考文献】

【文献】 特開昭６２−２７７５４０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−１６４５９４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−０７４８０７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開昭５９−０４０１４６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 中国特許出願公開第１０２３５３６４６（ＣＮ，Ａ）

【文献】 小松麻里奈、外４名，テラヘルツ分光による難燃性エチレンプロピレンジエン共重合体のガンマ線誘起酸化の解析，電気学会研究会資料 光応用・視覚 計測 合同研究会，２０１５年 ２月１２日，ＬＡＶ−１５（１−１２），第３５頁−第４０頁

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０１Ｎ ２１／００−２１／６１

Ｇ０１Ｎ ２１／８４−２１／９５８

Ｇ０１Ｍ １１／００

ＪＳＴＰｌｕｓ／ＪＭＥＤＰｌｕｓ／ＪＳＴ７５８０（ＪＤｒｅａｍＩＩＩ）

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

所定の高分子を含む標準試料に対してテラヘルツ波を照射したときのテラヘルツ波の吸収スペクトルを用意する工程と、
前記標準試料と同じ前記高分子を含む検査対象に対して、テラヘルツ波を照射して、テラヘルツ波の吸収スペクトルを測定する工程と、
０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲で、前記標準試料の吸収スペクトルと前記検査対象の吸収スペクトルとを比較し、前記検査対象の吸収スペクトルが前記標準試料の吸収スペクトルと異なっていたときに、前記検査対象内に異物があると判断する異物判断工程と、
を有し、
前記異物判断工程では、
０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収強度が前記標準試料の吸収強度よりも増大し、且つ、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収スペクトルのピーク個数が前記標準試料の吸収スペクトルのピーク個数と等しく、且つ、前記検査対象の吸収スペクトルのピークが前記標準試料の吸収スペクトルのピークと同じ周波数に位置するときに、前記検査対象内の前記異物がアンバーであると判断し、
前記異物判断工程では、さらに、
０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収強度が前記標準試料の吸収強度よりも増大し、且つ、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収スペクトルのピーク個数が前記標準試料の吸収スペクトルのピーク個数と等しく、且つ、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収スペクトルの極大ピークが２．６ＴＨｚ以上２．９ＴＨｚ以下の範囲に位置するときに、前記検査対象内の前記異物が、前記高分子の反応の進行具合が前記アンバーでの前記高分子の反応の進行具合よりも大きい強アンバーであると判断する高分子の異物検査方法。

【請求項2】

前記異物判断工程では、さらに、
０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収強度が前記標準試料の吸収強度よりも増大し、且つ、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収スペクトルのピーク個数が前記標準試料の吸収スペクトルのピーク個数よりも増加しているときに、前記検査対象内の前記異物が無機物を含むと判断する請求項１に記載の高分子の異物検査方法。

【請求項3】

前記異物判断工程では、さらに、
０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収強度が前記標準試料の吸収強度よりも増大し、且つ、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収スペクトルのピーク個数が前記標準試料の吸収スペクトルのピーク個数よりも増加し、且つ、前記検査対象の吸収スペクトルでの前記高分子の結晶部由来のピークが前記標準試料での吸収スペクトルでの前記前記高分子の結晶部由来のピークよりもブロードになっているときに、前記検査対象内の前記異物が前記無機物を含むと判断する請求項２に記載の高分子の異物検査方法。

【請求項4】

ケーブル導体と、前記ケーブル導体の外周を覆うように設けられ、所定の高分子を含む被覆層と、を有する電力ケーブルの製造方法であって、
前記被覆層の正常部に対してテラヘルツ波を照射したときのテラヘルツ波の吸収スペクトルを用意する工程と、
前記正常部と同じ前記高分子を含む前記被覆層の検査対象に対して、テラヘルツ波を照射して、テラヘルツ波の吸収スペクトルを測定する工程と、
０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲で、前記正常部の吸収スペクトルと前記検査対象の吸収スペクトルとを比較し、前記検査対象の吸収スペクトルが前記正常部の吸収スペクトルと異なっていたときに、前記検査対象内に異物があると判断する異物判断工程と、
を有し、
前記異物判断工程では、
０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収強度が前記正常部の吸収強度よりも増大し、且つ、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収スペクトルのピーク個数が前記正常部の吸収スペクトルのピーク個数と等しく、且つ、前記検査対象の吸収スペクトルのピークが前記正常部の吸収スペクトルのピークと同じ周波数に位置するときに、前記検査対象内の前記異物がアンバーであると判断し、
前記異物判断工程では、さらに、
０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収強度が前記正常部の吸収強度よりも増大し、且つ、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収スペクトルのピーク個数が前記正常部の吸収スペクトルのピーク個数と等しく、且つ、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収スペクトルの極大ピークが２．６ＴＨｚ以上２．９ＴＨｚ以下の範囲に位置するときに、前記検査対象内の前記異物が、前記高分子の反応の進行具合が前記アンバーでの前記高分子の反応の進行具合よりも大きい強アンバーであると判断する電力ケーブルの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、高分子の異物検査方法、および電力ケーブルの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

エレクトロニクス分野、食料品分野、または医療分野などの製造工程において、様々な方法により異物検査が行われている。例えば、電力ケーブルとしての固体絶縁ケーブルの製造工程においても異物検査が行われている。

【0003】

電力ケーブルとしての固体絶縁ケーブルでは、ケーブル絶縁体として、例えば（架橋）ポリエチレンなどの高分子が用いられている。ケーブル絶縁体は、加熱され溶融した状態で、ケーブル導体の外周を覆うように押出被覆される。この際、ケーブル絶縁体に異物が混入すると、絶縁性能を損ね、商品価値を下げてしまうため、ケーブル絶縁体の異物検査を行うことが重要となる。ケーブル絶縁体のベース樹脂は加熱され溶融した状態では（可視域で）透明であるため、従来では、可視光による異物検査が行われていた。しかしながら、ベース樹脂に添加物が加えられた高分子の場合では、溶融時においても高分子は透明とならず、可視光による異物検査はできなかった。そこで、従来では、可視光による異物検査ができない場合には、Ｘ線による異物検査が行われてきた（例えば、特許文献１）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開平４−２６２４２７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

ところで、ケーブル絶縁体には、「アンバー」と呼ばれる高分子の異物（高分子の熱老化、酸化劣化、または早期架橋）も生じうる。アンバーとは、ケーブル絶縁体を構成する高分子が部分的に過熱されたときに発生する、茶または茶褐色の半透明の異物である。アンバーは、主として、高分子が押出機の内部で滞留することで熱老化したり、加熱により酸化劣化したり、または高分子が押出機の内部で滞留することで架橋剤と反応して部分的に早期架橋したりすることにより生じうる。このようなアンバーも、ケーブル絶縁体の絶縁性能を損ねるため、異物検査によって検出することが望まれる。

【0006】

しかしながら、上記した従来のＸ線を用いた異物検査では、正常な高分子とアンバーとを区別することができず、アンバーを検出することはできなかった。

【0007】

本発明の目的は、アンバーを検出することができる高分子の異物検査方法、および電力ケーブルの製造方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の一態様によれば、
所定の高分子を含む標準試料に対してテラヘルツ波を照射したときのテラヘルツ波の吸収スペクトルを用意する工程と、
前記標準試料と同じ前記高分子を含む検査対象に対して、テラヘルツ波を照射して、テラヘルツ波の吸収スペクトルを測定する工程と、
前記標準試料の吸収スペクトルと前記検査対象の吸収スペクトルとを比較し、前記検査対象の吸収スペクトルが前記標準試料の吸収スペクトルと異なっていたときに、前記検査対象内に異物があると判断する異物判断工程と、
を有する高分子の異物検査方法が提供される。

【0009】

本発明の他の態様によれば、
ケーブル導体と、前記ケーブル導体の外周を覆うように設けられ、所定の高分子を含む被覆層と、を有する電力ケーブルの製造方法であって、
前記被覆層の正常部に対してテラヘルツ波を照射したときのテラヘルツ波の吸収スペクトルを用意する工程と、
前記正常部と同じ前記高分子を含む前記被覆層の検査対象に対して、テラヘルツ波を照射して、テラヘルツ波の吸収スペクトルを測定する工程と、
前記正常部の吸収スペクトルと前記検査対象の吸収スペクトルとを比較し、前記検査対象の吸収スペクトルが前記正常部の吸収スペクトルと異なっていたときに、前記検査対象内に異物があると判断する異物判断工程と、
を有する電力ケーブルの製造方法が提供される。

【発明の効果】

【0010】

本発明によれば、アンバーを検出することができる高分子の異物検査方法、および電力ケーブルの製造方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の第１実施形態に係る高分子の異物検査装置を示す概略構成図である。

【図2】本発明の第１実施形態に係る高分子の異物検査方法におけるフローを示す図である。

【図3】標準試料、試料１および２におけるテラヘルツ波の吸収スペクトルである。

【図4】標準試料、および試料３におけるテラヘルツ波の吸収スペクトルである。

【発明を実施するための形態】

【0012】

＜本発明の第１実施形態＞
（１）高分子の異物検査装置
まず、図１を用い、本発明の第１実施形態に係る異物検査装置１０について説明する。図１は、本実施形態に係る高分子の異物検査装置を示す概略構成図である。

【0013】

（検査対象）
本実施形態の異物検査が行われる検査対象（被検査試料）１００は、例えば、電力ケーブルのケーブル絶縁体を含んでいる。電力ケーブルは、例えば、固体絶縁ケーブルとして構成されている。具体的には、電力ケーブルは、中心に設けられたケーブル導体と、ケーブル導体の外周を覆うように設けられる被覆層（ケーブルシース）と、を備えている。被覆層は、例えば、内部半導電層、ケーブル絶縁体、および外部半導電層を有している。例えば、検査対象１００は、完成品の電力ケーブルからケーブル導体を除いた被覆層（内部半導電層および外部半導電層を含む）からなる円筒状の試料、または、完成品の電力ケーブルのうちのケーブル絶縁体の一部を（短手方向または軸方向に数ｍｍの厚さで）切り出した板状の試料として構成されている。なお、図１は、検査対象１００が板状の試料である場合を示している。

【0014】

検査対象１００を構成するケーブル絶縁体は、所定の高分子を含んでいる。ケーブル絶縁体を構成する高分子としては、例えば、ポリエチレン、架橋ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−エチルアクリレート共重合体、エチレン−メタクリレート共重合体等のエチレン共重合体、エチレンプロピレンゴム、シリコーンゴム、天然ゴム、クロロプレンゴム等のゴムが挙げられる。

【0015】

（異物検査装置）
図１に示されているように、本実施形態に係る異物検査装置１０は、例えば、テラヘルツ時間領域分光装置として構成されており、主に、レーザ５００、テラヘルツ波発生部３２０、および検出部（受光部）３４０を有している。

【0016】

レーザ５００は、例えば、発振波長１５５０ｎｍのフェムト秒パルスレーザとして構成されている。レーザ５００からのポンプ光は、ビームスプリッタ２８０およびミラー（平板ミラー）２９０を介して、テラヘルツ波発生部３２０に照射される。テラヘルツ波発生部３２０は、例えば、テラヘルツ波の発生源としての光伝導アンテナ（光伝導スイッチ）を有している。テラヘルツ波発生部３２０の光伝導アンテナの中央に設けられた微小ギャップに対して、直流電圧をかけた状態で、レーザ５００からのポンプ光が照射されることにより、テラヘルツ波が発生する。テラヘルツ波発生部３２０から発生するテラヘルツ波の周波数帯域は、例えば、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下である。

【0017】

テラヘルツ波発生部３２０から発生したテラヘルツ波は、曲面ミラー２２０を介して、検査対象１００に照射される。なお、検査対象１００に入射するテラヘルツ波を入射波（入射光）Ｌ１とする。テラヘルツ波は、光の直進性を有しつつ、高分子への透過性を有しているため、検査対象１００を挟んで入射波Ｌ１と反対側からはテラヘルツ波が透過する。なお、検査対象１００から透過するテラヘルツ波を透過波（透過光）Ｌ２とする。

【0018】

検査対象１００から透過した透過波Ｌ２は、曲面ミラー２４０を介して、テラヘルツ波を検出する検出部３４０に照射される。一方で、検出部３４０には、ビームスプリッタ２８０、ミラー２９０および時間遅延装置２６０を介して、レーザ５００からのプローブ光が照射される。レーザ５００からのプローブ光は、時間遅延装置２６０により、テラヘルツ波発生部３２０に入射したポンプ光よりも所定時間遅延させた状態で、検出部３４０に照射される。検出部３４０は、例えば、テラヘルツ波発生部３２０と同様に、受光素子としての光伝導アンテナ（光伝導スイッチ）を有している。検出部３４０の光伝導アンテナの中央に設けられた微小ギャップに対して、検査対象１００から透過した透過波Ｌ２が照射されるとともに、レーザ５００からのプローブ光が照射されることにより、透過波Ｌ２の振動電場に比例した電流が出力される。なお、検出部３４０は、さらにアンプを有しており、透過波Ｌ２の振動電場に比例した電流を増幅して、後述する制御部４００に送信するようになっている。

【0019】

（制御部）
図１に示されているように、異物検査装置１０には、制御部（コンピュータ部）４００が設けられている。制御部４００は、上記したテラヘルツ波発生部３２０、検出部３４０、レーザ５００に対して、有線または無線により通信可能に接続されている。制御部４００は、検査対象１００の異物検査に必要な動作制御を行うためのものであり、具体的には、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ ｄｉｓｋ ｄｒｉｖｅ）として構成された記憶手段４２０、各種インタフェース等の組み合わせからなるものである。

【0020】

記憶手段４２０は、異物検査に係る各種データやプログラムを記憶するよう構成されている。例えば、記憶手段４２０は、所定の高分子を含む標準試料に対してテラヘルツ波を照射したときのテラヘルツ波の吸収スペクトルや、検査対象１００に対してテラヘルツ波を照射したときのテラヘルツ波の吸収スペクトル等を記憶するよう構成されている。

【0021】

また、制御部４００は、ＣＰＵがＲＯＭまたは記憶手段４２０に格納された所定プログラムを実行することにより、各種手段として機能するように構成されている。
測定制御手段４４０は、検査対象１００に対して、テラヘルツ波を照射して、テラヘルツ波の吸収スペクトルを測定するように、テラヘルツ波発生部３２０、検出部３４０、およびレーザ５００を制御するよう構成されている。
異物判断手段４６０は、標準試料の吸収スペクトルと検査対象１００の吸収スペクトルとを比較し、検査対象１００の吸収スペクトルが標準試料の吸収スペクトルと異なっていたときに、検査対象１００内に異物があると判断するよう構成されている。
上記した各手段による異物検査方法については、詳細を後述する。

【0022】

これらの各機能を実現するための所定プログラムは、制御部４００にインストールして用いられるが、そのインストールに先立ち、制御部４００で読み取り可能な記憶媒体に格納されて提供されるものであってもよいし、あるいは制御部４００と接続する通信回線を通じて当該制御部４００へ提供されるものであってもよい。また、所定プログラムがインストールされる制御部４００は、異物検査装置１０の各部に対して動作制御指示を与え得るものであれば、必ずしも当該異物検査装置１０に搭載されていなくてもよく、当該異物検査装置１０に通信回線を介して接続されたものであってもよい。

【0023】

（２）高分子の異物検査方法
次に、図２を用い、本実施形態に係る高分子の異物検査方法について説明する。図２は、本実施形態に係る高分子の異物検査方法におけるフローを示す図である。

【0024】

本実施形態の高分子の異物検査工程（後述Ｓ１１０〜Ｓ１８０）は、例えば、電力ケーブルの製造工程のうちの一工程として行われる。例えば、完成品の電力ケーブルからケーブル導体を除いた被覆層（内部半導電層および外部半導電層を含む）からなる円筒状の試料、または、完成品の電力ケーブルのうちのケーブル絶縁体の一部を（短手方向または軸方向に数ｍｍの厚さで）切り出した板状の試料を、検査対象１００とする。なお、以下において、ステップを「Ｓ」と略す。

【0025】

（Ｓ１１０：標準試料用意工程）
まず、検査対象１００の異物検査を行う前に、異物が混入していないことが分かっている所定の高分子を含む標準試料に対してテラヘルツ波を照射したときのテラヘルツ波の吸収スペクトルを用意する（Ｓ１１０）。例えば、電力ケーブルの被覆層の正常部を標準試料とする。なお、後述する検査対象測定工程Ｓ１２０と同じ工程によって標準試料を測定してもよいし、電子データとして標準試料の吸収スペクトルを用意しておいてもよい。

【0026】

（Ｓ１２０：検査対象測定工程）
次に、標準試料と同じ高分子を含む検査対象１００を異物検査装置１０内に配置する。そして、測定制御手段４４０は、例えば以下のような時間領域分光法により、検査対象１００に対して、テラヘルツ波を照射して、テラヘルツ波の吸収スペクトルを測定する。

【0027】

図１に示されているように、レーザ５００からテラヘルツ波発生部３２０に対してポンプ光を照射することにより、テラヘルツ波発生部３２０からテラヘルツ波を発生させる。テラヘルツ波発生部３２０から検査対象１００に対してテラヘルツ波の入射波Ｌ１を入射させ、検査対象１００からテラヘルツ波の透過波Ｌ２を透過させる。一方で、レーザ５００から検出部３４０に対してポンプ光よりも所定時間遅延させたプローブ光を照射することにより、検出部３４０から透過波Ｌ２の振動電場に比例した電流を出力する。このとき、時間遅延装置２６０によりポンプ光に対するプローブ光の遅延時間を変化させることにより、透過波Ｌ２の振動電場の時間波形を計測する。そして、計測された透過波Ｌ２の時間波形をフーリエ変換することにより、透過波Ｌ２の周波数ごとの振幅および位相の情報を得る。そして、透過波Ｌ２と予め検査対象１００の無い状態で計測した透過波との比をとることにより、検査対象１００の透過スペクトルＴ（ｆ）（ｆ：周波数）を求め、以下の式（１）により検査対象１００の吸収スペクトルα（ｆ）を得る（以上、Ｓ１２０）。
α（ｆ）＝ｌｏｇ（１／Ｔ（ｆ）） ・・・（１）

【0028】

（Ｓ２００：異物判断工程）
次に、異物判断手段４６０は、標準試料の吸収スペクトルと検査対象１００の吸収スペクトルとを比較し、検査対象１００の吸収スペクトルが標準試料の吸収スペクトルと異なっていたときに、検査対象１００内に異物があると判断する（Ｓ２００）。異物判断工程Ｓ２００については、詳細を後述する。

【0029】

（Ｓ１８０：検査終了判定工程）
その後、制御部４００は、異物判断工程Ｓ２００を終了するか否かを判定する（Ｓ１８０）。異物判断工程Ｓ２００を終了せず継続させるとき（Ｓ１８０でＮｏ）、別の検査対象１００、または検査対象１００内の別の検査位置において、再び検査対象測定工程Ｓ１２０から異物判断工程Ｓ２００までの工程を繰り返す。一方で、異物判断工程Ｓ２００を終了するとき（Ｓ１８０でＹｅｓ）、一連の異物検査工程を終了する。

【0030】

（３）異物判断工程
次に、図２〜４を用い、本実施形態の異物判断工程Ｓ２００について説明する。図３は、標準試料、試料１および２におけるテラヘルツ波の吸収スペクトルである。図４は、標準試料、および試料３におけるテラヘルツ波の吸収スペクトルである。

【0031】

本実施形態の異物判断工程Ｓ２００では、例えば、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲で、標準試料の吸収スペクトルと検査対象の吸収スペクトルとを比較し、標準試料の吸収スペクトルと検査対象の吸収スペクトルとの違いに基づいて、検査対象１００に含まれる異物の種類を判別する。以下、具体例（試料１〜３の結果）を用いて、図２のフローに基づいて詳細を説明する。

【0032】

（ｉ）試料１
図３を用い、検査対象１００が試料１である場合について説明する。なお、標準試料はポリエチレンからなり、試料１も標準試料と同様にポリエチレンからなっている。図３に示されているように、試料１に対する検査対象測定工程Ｓ１２０により、試料１の吸収スペクトルが測定されている。

【0033】

（Ｓ２１０：条件１判定）
ここで、標準試料の吸収スペクトルと試料１の吸収スペクトルとを比較し、検査対象１００の吸収スペクトルが以下の条件１を満たすか否かを判断する（Ｓ２１０）。
［条件１］
（ａ）０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での検査対象１００の吸収強度が標準試料の吸収強度よりも増大している。
（ｂ）０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での検査対象１００の吸収スペクトルのピーク個数が標準試料の吸収スペクトルのピーク個数と等しい（または標準試料の吸収スペクトルのピーク個数以下である）。
（ｃ）検査対象１００の吸収スペクトルのピークが標準試料の吸収スペクトルのピークと同じ周波数に位置している。

【0034】

条件１は、例えば、検査対象１００に含まれる異物がアンバー（高分子の熱老化、酸化劣化、または早期架橋）であり、且つ、高分子の（熱老化等の）反応の進行具合が標準試料での高分子の反応の進行具合よりも大きく、後述するアンバーＢでの高分子の反応の進行具合よりも小さい場合（アンバーＡとする）を判断する条件である。アンバーＡでは、高分子の熱老化等の反応が標準試料よりも進行した結果、高分子の結晶性が低下するため、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での検査対象１００の吸収強度が標準試料の吸収強度よりも増大すると考えられる。また、アンバーＡでは、高分子の組成自体は標準試料と変わらず、高分子の結晶部が残存しているため、検査対象１００の吸収スペクトルのピークが標準試料の吸収スペクトルのピークと同じ周波数に位置すると考えられる。

【0035】

（Ｓ２４０：アンバーＡ判断）
図３において、標準試料の吸収スペクトルと試料１の吸収スペクトルとを比較すると、標準試料の吸収スペクトルでは、周波数が高くなるに従って吸収強度（吸光度）が緩やかに増加しており、また、２．１ＴＨｚ以上２．２ＴＨｚ以下において、ポリエチレンの結晶部由来のピークＰ₀が現れている。これに対して、試料１の吸収スペクトルでは、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での吸収強度が標準試料の吸収強度よりも増大し、且つ、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での吸収スペクトルのピーク個数が標準試料の吸収スペクトルのピーク個数と等しく、且つ、ポリエチレンの結晶部由来のピークＰ₁が標準試料のポリエチレンの結晶部由来のピークＰ₀と同じ周波数に位置している。したがって、試料１の吸収スペクトルは条件１を満たしている（Ｓ２１０でＹｅｓ）。このとき、異物判断手段４６０は、試料１内に異物があり、その異物がアンバーＡであると判断する（Ｓ２４０）。

【0036】

（ｉｉ）試料２
次に、図３を用い、検査対象１００が試料２である場合について説明する。なお、試料２も標準試料と同様にポリエチレンからなっている。図３に示されているように、試料２に対する検査対象測定工程Ｓ１２０により、試料２の吸収スペクトルが測定されている。

【0037】

図３に示されているように、試料２の吸収スペクトルでは、標準試料のポリエチレンの結晶部由来のピークＰ₀と同じ周波数にピークが現れていない。したがって、試料２の吸収スペクトルは条件１の（ｃ）を満たしていない（Ｓ２１０でＮｏ）。

【0038】

（Ｓ２２０：条件２判定）
試料２の吸収スペクトルが条件１を満たしていないとき（Ｓ２１０でＮｏ）、標準試料の吸収スペクトルと試料２の吸収スペクトルとを比較し、検査対象１００の吸収スペクトルが以下の条件２を満たすか否かを判断する（Ｓ２２０）。
［条件２］
（ａ）０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での検査対象１００の吸収強度が標準試料の吸収強度よりも増大している。
（ｂ）０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での検査対象１００の吸収スペクトルのピーク個数が標準試料の吸収スペクトルのピーク個数と等しい（または標準試料の吸収スペクトルのピーク個数以下である）。
（ｃ）０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での検査対象１００の吸収スペクトルの極大ピーク（極大点）が２．６ＴＨｚ以上２．９ＴＨｚ以下の範囲に位置している。

【0039】

条件２は、例えば、検査対象１００に含まれる異物がアンバーであり、且つ、高分子の（熱老化等の）反応の進行具合が上述したアンバーＡでの高分子の反応の進行具合よりも大きい場合（大アンバーまたはアンバーＢとする）を判断する条件である。アンバーＢにおいても、高分子の熱老化等の反応が標準試料よりも進行した結果、高分子の結晶性が低下するため、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での検査対象１００の吸収強度が標準試料の吸収強度よりも増大すると考えられる。また、アンバーＢでは、高分子の熱老化等の反応により、酸化が大きく進行する。このため、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での検査対象１００の吸収スペクトルが緩やかな上に凸のスペクトルとなり、極大ピークが２．６ＴＨｚ以上２．９ＴＨｚ以下の範囲に位置すると考えられる。

【0040】

（Ｓ２５０：アンバーＢ判断）
図３において、標準試料の吸収スペクトルと試料２の吸収スペクトルとを比較すると、試料２の吸収スペクトルでは、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での吸収強度が標準試料の吸収強度よりも増大し、且つ、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での吸収スペクトルのピーク個数が標準試料の吸収スペクトルのピーク個数と等しく、且つ、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での試料２の吸収スペクトルの極大ピークＰ₂が２．６ＴＨｚ以上２．９ＴＨｚ以下の範囲に位置している。したがって、試料２の吸収スペクトルは条件２を満たしている（Ｓ２２０でＹｅｓ）。このとき、異物判断手段４６０は、試料２内に異物があり、その異物がアンバーＢであると判断する（Ｓ２４０）。

【0041】

（ｉｉｉ）試料３
次に、図４を用い、検査対象１００が試料３である場合について説明する。なお、試料３も標準試料と同様に主にポリエチレンからなっている。図４に示されているように、試料３に対する検査対象測定工程Ｓ１２０により、試料３の吸収スペクトルが測定されている。

【0042】

図４に示されているように、試料３の吸収スペクトルでは、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での吸収スペクトルのピーク個数が標準試料の吸収スペクトルのピーク個数と異なっている。したがって、試料３の吸収スペクトルは条件１の（ｂ）を満たしていない（Ｓ２１０でＮｏ）。また、試料３の吸収スペクトルでは、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での吸収スペクトルの極大ピークＰ₃₄が３．３ＴＨｚ以上３．７ＴＨｚ以下の範囲に位置し、２．６ＴＨｚ以上２．９ＴＨｚ以下の範囲に位置していない。したがって、試料３の吸収スペクトルは条件２の（ｃ）を満たしていない（Ｓ２２０でＮｏ）。

【0043】

（Ｓ２３０：条件３判定）
試料３の吸収スペクトルが条件１を満たさず（Ｓ２１０でＮｏ）、条件２を満たしていないとき（Ｓ２２０でＮｏ）、標準試料の吸収スペクトルと試料３の吸収スペクトルとを比較し、検査対象１００の吸収スペクトルが以下の条件３を満たすか否かを判断する（Ｓ２２０）。
［条件３］
（ａ）０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での検査対象１００の吸収強度が標準試料の吸収強度よりも増大している。
（ｂ）０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での検査対象１００の吸収スペクトルのピーク個数が標準試料の吸収スペクトルのピーク個数よりも増加している。
（ｃ）検査対象１００の吸収スペクトルでの高分子の結晶部由来のピークが標準試料での吸収スペクトルでの高分子の結晶部由来のピークよりもブロードになっている（周波数方向に広がっている）。
なお、条件３において、少なくとも（ａ）および（ｂ）を満たすかを判断し、判断の信頼性を向上させるためにさらに（ｃ）を満たすかを判断する。

【0044】

条件３は、例えば、検査対象１００内に含まれる異物が無機物を含む場合を判断する条件である。無機物としては、例えば、鉄、銅、ステンレス、クロム、ニッケル等の金属や、シリカ、クレー、タルク、マグネシア、アルミナ等の無機化合物が挙げられる。無機物では、テラヘルツ波が透過しない、またはテラヘルツ波の吸収強度が大きいため、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での検査対象１００の吸収強度が標準試料の吸収強度よりも増大すると考えられる。また、無機物では、テラヘルツ波が散乱されるため、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での検査対象１００の吸収スペクトルのピーク個数が標準試料の吸収スペクトルのピーク個数よりも増加すると考えられる。また、無機物では、テラヘルツ波が散乱されるため、検査対象１００の吸収スペクトルでの高分子の結晶部由来のピークが標準試料での吸収スペクトルでの高分子の結晶部由来のピークよりもブロードになると考えられる。

【0045】

（Ｓ２６０：無機物判断）
図４において、標準試料の吸収スペクトルと試料３の吸収スペクトルとを比較すると、試料３の吸収スペクトルでは、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での吸収強度が標準試料の吸収強度よりも増大し、且つ、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲で、４つ以上のピーク（Ｐ₃₁〜Ｐ₃₄）が現れており、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での試料３の吸収スペクトルのピーク個数が標準試料の吸収スペクトルのピーク個数よりも増加している。したがって、試料３の吸収スペクトルは条件３を満たしている（Ｓ２３０でＹｅｓ）。このとき、異物判断手段４６０は、試料３内に異物があり、その異物が無機物を含むと判断する（Ｓ２６０）。

【0046】

さらに、試料３の吸収スペクトルでのポリエチレンの結晶部由来のピークＰ₃₂が、標準試料での吸収スペクトルでのポリエチレンの結晶部由来のピークＰ₀よりもブロードになっている。したがって、試料３の吸収スペクトルは、条件３の（ｃ）をさらに満たしている。これにより、試料３内に含まれる異物が無機物を含むとの判断の信頼性を向上させることができる。

【0047】

（ｉｖ）その他
検査対象１００の吸収スペクトルが条件１〜３を満たしていないとき（Ｓ２１０でＮｏ，Ｓ２２０でＮｏ，Ｓ２３０でＮｏ）、異物判断手段４６０は、試料３内に少なくともアンバーＡ、アンバーＢ、または無機物を含む異物は無いと判断する（Ｓ２７０）。

【0048】

（４）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。

【0049】

（ａ）本実施形態によれば、検査対象１００のテラヘルツ波の吸収スペクトルを測定する。検査対象１００内に無機物を含む異物がある場合だけでなく、検査対象１００内に異物としてアンバーがある場合であっても、検査対象１００のテラヘルツ波の吸収スペクトルは、標準試料のテラヘルツ波の吸収スペクトルから変化しうる。したがって、標準試料のテラヘルツ波の吸収スペクトルと検査対象１００のテラヘルツ波の吸収スペクトルとを比較し、両者の違いを検出することにより、検査対象１００内において、無機物を含む異物だけでなくアンバーも非破壊で検出することが可能となる。

【0050】

なお、参考までに、従来の可視光を用いた異物検査では、高分子が可視域で透明である場合に限られていた。また、従来のＸ線を用いた異物検査では、正常な高分子とアンバーとを区別することができず、アンバーを検出することが出来なかった。これに対して、本実施形態によれば、テラヘルツ波を用いた異物検査により、検査対象１００が可視域で透明でない場合であっても、正常な高分子とアンバーとを区別し、検査対象１００内の異物としてアンバーを検出することができる。

【0051】

（ｂ）本実施形態によれば、異物判断工程Ｓ２００では、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲で、標準試料の吸収スペクトルと検査対象１００の吸収スペクトルとを比較する。０．５ＴＨｚ未満、または４．０ＴＨｚ超の範囲での吸収スペクトルでは異物の影響を判断することは困難である。これに対して、検査対象１００中に異物が存在する場合、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での吸収スペクトルにおいて特に顕著に変化が生じうる。したがって、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での吸収スペクトルを比較することにより、安定的に検査対象１００中の異物を検出することができる。

【0052】

（ｃ）本実施形態によれば、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲で、標準試料の吸収スペクトルと検査対象の吸収スペクトルとを比較し、標準試料の吸収スペクトルと検査対象の吸収スペクトルとの違いに基づいて、検査対象１００に含まれる異物の種類を判別する。例えば、上記した条件１〜３のそれぞれを満たすか否かを判断することにより、異物がアンバーＡであるか、異物がアンバーＢであるか、或いは、異物が無機物を含んでいるかを判断することができる。

【0053】

（ｄ）本実施形態によれば、検査対象１００の吸収スペクトルが条件１を満たす場合に、検査対象１００内の異物がアンバーＡであると判断し、検査対象１００の吸収スペクトルが条件２を満たす場合に、検査対象１００内の異物がアンバーＢであり、異物としてのアンバーＢでの高分子の反応の進行具合がアンバーＡでの高分子の反応の進行具合よりも大きいと判断する。このように、検査対象１００内の異物としてアンバーの有無を検出するだけでなく、アンバーにおける高分子の反応の進行具合も把握することができる。これにより、異物としてのアンバーにおける高分子の反応の進行具合に応じて、ケーブル絶縁体の絶縁性能への影響を予測することが可能となる。

【0054】

＜本発明の第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態では、異物検査工程を、ケーブル絶縁体を押出形成する際に行う点が第１実施形態と異なる。以下、第１実施形態と異なる要素についてのみ説明し、第１実施形態で説明した要素と実質的に同一の要素には、同一の符号を付してその説明を省略する。

【0055】

（異物検査装置）
本実施形態の異物検査装置１０は、例えば、ケーブル絶縁体を形成するための製造装置の一部に取り付けられている。具体的には、押出機と押出機の先端に設けられたクロスヘッドとの間のネック部分において、高分子（樹脂）の流路を挟んだ両側に、サファイアガラスが設けられている。サファイアガラスの一方にテラヘルツ波発生部３２０および曲面ミラー２２０が配置され、サファイアガラスの他方に検出部３４０および曲面ミラー２４０が配置されている。つまり、本実施形態における検査対象１００は、ケーブル絶縁体をケーブル導体の外周に押出形成する際に、溶融した状態で上記ネック部分に流れている高分子として構成されている。

【0056】

（異物検査方法）
標準試料用意工程Ｓ１１０では、例えば、ケーブル絶縁体を押出形成する際における初期の溶融状態の高分子を標準試料として、標準試料の吸収スペクトルを測定する。

【0057】

次に、検査対象測定工程Ｓ１２０では、ケーブル絶縁体を押出形成する際の溶融した高分子を検査対象１００として、検査対象１００の吸収スペクトルを測定する。ケーブル絶縁体が連続的に押し出された状態で、検査対象１００の吸収スペクトルを所定の測定周期で連続的に測定する。

【0058】

異物判断工程Ｓ２００では、所定の測定周期で検査対象１００の吸収スペクトルが測定される毎に、検査対象１００の吸収スペクトルと標準試料の吸収スペクトルとを比較して、検査対象１００内に異物があるかを連続的に判断する。

【0059】

（効果）
本実施形態によれば、検査対象１００としての高分子の状態によらず、検査対象１００のテラヘルツ波の吸収スペクトルを測定することができる。例えば、電力ケーブルの製造工程において、ケーブル絶縁体を押出形成する際の溶融した高分子を検査対象１００として、テラヘルツ波の吸収スペクトルを測定することができる。

【0060】

また、本実施形態によれば、ケーブル絶縁体を押出形成する際において、検査対象１００内の異物を連続的に検査することができる。したがって、電力ケーブルの製造工程中に異物を検出することで、異物が混入した電力ケーブルが流出することを未然に防ぐことができる。

【0061】

＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

【0062】

上述の実施形態では、ケーブル絶縁体を検査対象１００とする場合について説明したが、内部半導電層、外部半導電層、または防食層等を検査対象としてもよい。さらに言えば、電力ケーブル以外の試料を検査対象としてもよい。

【0063】

上述の実施形態では、テラヘルツ波発生部３２０が光伝導アンテナを有している場合について説明したが、テラヘルツ波発生部は、チェレンコフ型など他の発生原理による装置で構成されていてもよい。この場合、テラヘルツ波発生部は、光導波路を有する非線形結晶と、光導波路に接して設けられたプリズムと、を有している。テラヘルツ波発生部は、２つの波長成分を有するレーザ光を光導波路に導入することにより、２つの波長成分の波長差に相当するテラヘルツ波をプリズムから出射するよう構成されている。この場合、発生させるテラヘルツ波の周波数帯域は、例えば、０．５ＴＨｚ以上７ＴＨｚ以下である。

【0064】

上述の実施形態では、レーザ５００が一つだけ設けられている場合について説明したが、ポンプ光を出射するレーザとプローブ光を出射するレーザとが別に設けられていても良い。

【0065】

上述の実施形態では、異物判断工程Ｓ２００において、条件１〜３の順で判定していく場合について説明したが、条件１〜３の判定順はこれに限られず、例えば条件３〜１の順で判定してもよい。

【0066】

上述の実施形態では、条件３判定Ｓ２３０において、検査対象１００の吸収スペクトルが条件３（ａ）〜（ｃ）の全てを満たすか否かを判断する場合について説明したが、条件３判定において、検査対象の吸収スペクトルが少なくとも条件３（ａ）および（ｂ）を満たすか否かを判断すれば、検査対象内に無機物を含む異物があるか否かを判断することができる。

【実施例】

【0067】

次に、本発明に係る実施例について説明する。

【0068】

（１）標準試料および検査対象
厚さ２ｍｍでポリエチレンからなる標準試料を準備した。また、標準試料と同じ厚さでポリエチレンからなる検査対象の試料１〜３を準備した。

【0069】

（２）異物検査
上述の実施形態で示した異物検査装置を用い、標準試料および試料１〜３のテラヘルツ波の吸収スペクトルを測定した。そして、上述の実施形態で示した異物検査方法により、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲で、標準試料の吸収スペクトルと試料１〜３の吸収スペクトルとを比較し、試料１〜３内に異物があるか否かを判断した。なお、０．５ＴＨｚ未満、または４．０ＴＨｚ超の範囲での各吸収スペクトルを参照しても各吸収スペクトルの違いを判断することは困難であった。

【0070】

（３）結果
図３および４に示されているように、標準試料および試料１〜３の吸収スペクトルを得た。

【0071】

試料１の吸収スペクトルは、上述の実施形態で示したように、条件１を満たしていたため、試料１には異物としてアンバーＡがあると判断した。実際に試料１の内部を拡大鏡で観察したところ、確かに試料１内にアンバーＡが存在することを確認した。

【0072】

試料２の吸収スペクトルは、上述の実施形態で示したように、条件２を満たしていたため、試料２には異物としてアンバーＢがあると判断した。実際に試料２の内部を拡大鏡で観察したところ、確かに試料２内にアンバーＢが存在することを確認した。

【0073】

試料３の吸収スペクトルは、上述の実施形態で示したように、条件３を満たしていたため、試料３には無機物を含む異物があると判断した。実際に試料３の内部を拡大鏡で観察したところ、確かに試料３内に金属粉の異物が存在することを確認した。

【0074】

以上のように、標準試料のテラヘルツ波の吸収スペクトルと検査対象のテラヘルツ波の吸収スペクトルとを比較し、両者の違いを検出することにより、検査対象内において、無機物を含む異物だけでなくアンバーも検出することができることを確認した。また、上記した条件１〜３のそれぞれを満たすか否かを判断することにより、異物がアンバーＡであるか、異物がアンバーＢであるか、或いは、異物が無機物を含んでいるかを判断することができることを確認した。

【0075】

＜本発明の好ましい態様＞
以下、本発明の好ましい態様について付記する。

【0076】

（付記１）
本発明の一態様によれば、
所定の高分子を含む標準試料に対してテラヘルツ波を照射したときのテラヘルツ波の吸収スペクトルを用意する工程と、
前記標準試料と同じ前記高分子を含む検査対象に対して、テラヘルツ波を照射して、テラヘルツ波の吸収スペクトルを測定する工程と、
前記標準試料の吸収スペクトルと前記検査対象の吸収スペクトルとを比較し、前記検査対象の吸収スペクトルが前記標準試料の吸収スペクトルと異なっていたときに、前記検査対象内に異物があると判断する異物判断工程と、
を有する高分子の異物検査方法が提供される。

【0077】

（付記２）
好ましくは、付記１に記載の高分子の異物検査方法であって、
前記異物判断工程では、
０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲で、前記標準試料の吸収スペクトルと前記検査対象の吸収スペクトルとを比較する。

【0078】

（付記３）
好ましくは、付記２に記載の高分子の異物検査方法であって、
前記異物判断工程では、
０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収強度が前記標準試料の吸収強度よりも増大し、且つ、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収スペクトルのピーク個数が前記標準試料の吸収スペクトルのピーク個数と等しく、且つ、前記検査対象の吸収スペクトルのピークが前記標準試料の吸収スペクトルのピークと同じ周波数に位置するときに、前記検査対象内の前記異物がアンバーであると判断する。

【0079】

（付記４）
好ましくは、付記２又は３に記載の高分子の異物検査方法であって、
前記異物判断工程では、
０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収強度が前記標準試料の吸収強度よりも増大し、且つ、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収スペクトルのピーク個数が前記標準試料の吸収スペクトルのピーク個数と等しく、且つ、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収スペクトルの極大ピークが２．６ＴＨｚ以上２．９ＴＨｚ以下の範囲に位置するときに、前記検査対象内の前記異物がアンバーであると判断する。

【0080】

（付記５）
好ましくは、付記２〜４のいずれかに記載の高分子の異物検査方法であって、
前記異物判断工程では、
０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収強度が前記標準試料の吸収強度よりも増大し、且つ、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収スペクトルのピーク個数が前記標準試料の吸収スペクトルのピーク個数と等しく、且つ、前記検査対象の吸収スペクトルのピークが前記標準試料の吸収スペクトルのピークと同じ周波数に位置するときに、前記検査対象内の前記異物がアンバーであると判断し、
０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収強度が前記標準試料の吸収強度よりも増大し、且つ、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収スペクトルのピーク個数が前記標準試料の吸収スペクトルのピーク個数と等しく、且つ、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収スペクトルの極大ピークが２．６ＴＨｚ以上２．９ＴＨｚ以下の範囲に位置するときに、前記検査対象内の前記異物が、前記高分子の反応の進行具合が前記アンバーでの前記高分子の反応の進行具合よりも大きい大アンバーであると判断する。

【0081】

（付記６）
好ましくは、付記２〜５のいずれかに記載の高分子の異物検査方法であって、
前記異物判断工程では、
０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収強度が前記標準試料の吸収強度よりも増大し、且つ、０．５ＴＨｚ以上４．０ＴＨｚ以下の範囲での前記検査対象の吸収スペクトルのピーク個数が前記標準試料の吸収スペクトルのピーク個数よりも増加しているときに、前記検査対象内の前記異物が無機物を含むと判断する。

【0082】

（付記７）
好ましくは、付記６に記載の高分子の異物検査方法であって、
前記異物判断工程では、
さらに、前記検査対象の吸収スペクトルでの前記高分子の結晶部由来のピークが前記標準試料での吸収スペクトルでの前記前記高分子の結晶部由来のピークよりもブロードになっているときに、前記検査対象内の前記異物が前記無機物を含むと判断する。

【0083】

（付記８）
本発明の他の態様によれば、
ケーブル導体と、前記ケーブル導体の外周を覆うように設けられ、所定の高分子を含む被覆層と、を有する電力ケーブルの製造方法であって、
前記被覆層の正常部に対してテラヘルツ波を照射したときのテラヘルツ波の吸収スペクトルを用意する工程と、
前記正常部と同じ前記高分子を含む前記被覆層の検査対象に対して、テラヘルツ波を照射して、テラヘルツ波の吸収スペクトルを測定する工程と、
前記正常部の吸収スペクトルと前記検査対象の吸収スペクトルとを比較し、前記検査対象の吸収スペクトルが前記正常部の吸収スペクトルと異なっていたときに、前記検査対象内に異物があると判断する異物判断工程と、
を有する電力ケーブルの製造方法が提供される。

【0084】

（付記９）
好ましくは、付記８に記載の電力ケーブルの製造方法であって、
前記検査対象の前記吸収スペクトルを測定する工程では、
前記電力ケーブルから前記ケーブル導体を除いた前記被覆層からなる試料、または前記電力ケーブルのうちの前記ケーブル絶縁体の一部を切り出した試料を前記検査対象とする。

【0085】

（付記１０）
好ましくは、付記８に記載の電力ケーブルの製造方法であって、
前記検査対象の前記吸収スペクトルを測定する工程では、
前記被覆層を前記ケーブル導体の外周に押出形成する際の溶融した前記高分子を前記検査対象とする。

【0086】

（付記１１）
本発明の更に他の態様によれば、
所定の高分子を含む標準試料に対してテラヘルツ波を照射したときのテラヘルツ波の吸収スペクトルを記憶する記憶手段と、
前記標準試料と同じ前記高分子を含む検査対象に対して、テラヘルツ波を照射して、テラヘルツ波の吸収スペクトルを測定する測定制御手段と、
前記標準試料の吸収スペクトルと前記検査対象の吸収スペクトルとを比較し、前記検査対象の吸収スペクトルが前記標準試料の吸収スペクトルと異なっていたときに、前記検査対象内に異物があると判断する異物判断手段と、
を有する高分子の異物検査装置が提供される。

【0087】

（付記１２）
本発明の更に他の態様によれば、
ケーブル導体と、前記ケーブル導体の外周を覆うように設けられ、所定の高分子を含む被覆層と、を有する電力ケーブルの異物検査装置であって、
前記被覆層の正常部に対してテラヘルツ波を照射したときのテラヘルツ波の吸収スペクトルを記憶する記憶手段と、
前記正常部と同じ前記高分子を含む前記被覆層の検査対象部に対して、テラヘルツ波を照射して、テラヘルツ波の吸収スペクトルを測定する測定制御手段と、
前記正常部の吸収スペクトルと前記検査対象部の吸収スペクトルとを比較し、前記検査対象部の吸収スペクトルが前記正常部の吸収スペクトルと異なっていたときに、前記検査対象内に異物があると判断する異物判断手段と、
を有する電力ケーブルの異物検査装置が提供される。

【0088】

（付記１３）
本発明の更に他の態様によれば、
コンピュータを、
所定の高分子を含む標準試料に対してテラヘルツ波を照射したときのテラヘルツ波の吸収スペクトルを記憶する記憶手段と、
前記標準試料と同じ前記高分子を含む検査対象に対して、テラヘルツ波を照射して、テラヘルツ波の吸収スペクトルを測定する測定制御手段と、
前記標準試料の吸収スペクトルと前記検査対象の吸収スペクトルとを比較し、前記検査対象の吸収スペクトルが前記標準試料の吸収スペクトルと異なっていたときに、前記検査対象内に異物があると判断する異物判断手段
として機能させる高分子の異物検査プログラムが提供される。

【符号の説明】

【0089】

１０ 異物検査装置
１００ 検査対象（被検査試料）
２２０ 曲面ミラー
２４０ 曲面ミラー
２６０ 時間遅延装置
２８０ ビームスプリッタ
２９０ ミラー（平板ミラー）
３２０ テラヘルツ波発生部
３４０ 検出部（受光部）
４００ 制御部（コンピュータ部）
４２０ 記憶手段
４４０ 測定制御手段
４６０ 異物判断手段
５００ レーザ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】