特許6238322窒化物半導体基板の製造方法

発明の名称　窒化物半導体基板の製造方法

出願人　国立大学法人三重大学　（識別番号 304026696）

　　　　特許公開件数ランキング 2302 位（17件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 1795 位（19件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6238322

公報発行日　2017年11月29

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6238322

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