(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記電極間距離をL1、前記超電導線材のたわみ量をΔDとしたとき、ΔD/L1で表される撓み率が0.5%以上であることを特徴とする請求項1に記載の超電導電流リード。
【背景技術】
【0002】
近年、超電導ケーブルや超電導マグネット等、超電導を利用した超電導応用機器の分野では、実用化に向けてさかんに研究、開発が行われている。一般に、超電導応用機器は低温部(低温容器)に設置され、常温部に設置された外部機器(例えば電源)と、電流リードを介して接続される。
超電導応用機器の運転は、極低温環境下で行われるため、低温部の断熱性が極めて重要となる。低温部の断熱性が悪く、低温部への熱侵入が大きいと、超電導応用機器の冷却効率が低下して超電導状態を維持するための冷却コストが増大することとなり、場合によっては超電導応用機器を運転できなくなってしまうためである。この低温部への熱侵入の経路としては、低温容器を伝熱する経路、電流リードを伝熱する経路が考えられる。
【0003】
低温容器を介した熱侵入を防止するための手法としては、液体窒素等の冷媒及び超電導応用機器を収容する冷媒槽と、冷媒槽の外側に設けられる真空槽とを有する二重構造の低温容器が知られている。この低温容器によれば、真空断熱により低温部への熱侵入が低減される。
【0004】
電流リードを介した熱侵入を防止するための手法としては、酸化物超電導体を用いた超電導電流リードが提案されている。酸化物超電導体は、液体窒素温度以下では電気抵抗がゼロ、かつ熱伝導率が小さい(銅の数10分の1)。そのため、超電導電流リードにおいては、通電時にジュール熱の発生はなく、低温部への伝熱量も極めて小さくなる。したがって、超電導電流リードによれば、低温部への熱侵入が低減される。
【0005】
一般に、超電導電流リードは、テープ状の超電導線材、超電導線材の一端部(高温側)に配置される第1の金属電極、及び超電導線材の他端部(低温側)に配置される第2の金属電極を備える。超電導線材と第1の金属電極及び第2の金属電極は、例えば半田付けにより接合される。
超電導線材、第1の金属電極、及び第2の金属電極とからなるリード本体は、補強部材内に位置決めした状態で収容され、支持される(例えば特許文献1)。補強部材は、低熱伝導性の材料(例えば繊維強化プラスチック(GFRP:Glass Fiber Reinforced Plastics)、ステンレス合金、ニッケル基合金、チタン合金等)で構成される。このように、リード本体が補強部材内に収容される場合、超電導線材は直線状に保持されるのが一般的である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施の形態に係る超電導電流リード10を用いた超電導磁石装置1を示す図である。
図2は、超電導リード10の外観図である。
図3は、超電導線材11の一般的な構成を示す図である。
図4は、超電導電流リードをZ方向先端側から見た平面図である。
図5は、
図6におけるVI−VI矢視断面図である。
図6は、超電導電流リードをY方向基端側から見た正面図である。
図7は、
図4におけるIV−IV矢視断面図である。
【0014】
図1に示すように、超電導磁石装置1は、超電導電流リード10、常電導電流リード15、超電導コイル20、電源30、及び低温容器40等を備える。
低温容器40は、内側の容器41と外側の真空槽42とからなる二重構造を有する。容器41は冷凍機(図示略)に接続され、例えば液体ヘリウムによって内部を極低温(例えば77K)に保持される。真空槽42は真空ポンプ(図示略)に接続され、内部を真空状態に保持される。
【0015】
超電導コイル20は、超電導線材を巻線したコイルである。超電導コイル20は、低温部となる容器41内に配置される。超電導コイル20は、超電導電流リード10と接続するためのコイル電極21を有する。
電源30は、常温部となる低温容器40外に配置される。電源30は、常電導電流リード15及び超電導電流リード10を介して、超電導コイル20に電流を供給する。常電導電流リード15は、例えば銅線である。
【0016】
超電導電流リード10は、超電導線材11、第1の電極12、第2の電極13、及び補強部材14を有する。超電導電流リード10は、容器41内に配置される。超電導線材11の高温側となる一端部は第1の電極12に接続され、低温側となる他端部は第2の電極13に接続される。
本実施の形態では、超電導線材11を1本用いた超電導電流リード10について説明するが、本発明は、後述する実施例2のように、超電導線材11を複数本有する超電導電流リードに適用することもできる。
【0017】
超電導線材11は、
図3に示すように、超電導層113を有するテープ状の線材である。超電導線材11は、例えばテープ状の金属基板111上に、中間層112、超電導層113、安定化層114が順に形成された積層構造を有する。
【0018】
金属基板111は、Ni合金(例えばハステロイ(登録商標))、W−Mo系、Fe−Cr系(例えばオーステナイト系ステンレス)、又はFe−Ni系の材料に代表される低磁性の無配向金属基板である。
【0019】
中間層112は、例えば金属基板111からの元素の拡散が超電導層113に及ぶのを防止するための第1の中間層(拡散防止層)と、超電導層113の結晶を一定の方向に配向させるための第2の中間層(配向層)など、複数の中間層を有する。第1の中間層は、例えばガリウムドープ酸化亜鉛層(GZO)又はイットリウム安定化ジルコニア層(YSZ)で構成される。第1の中間層の成膜には、例えばイオンビームアシスト蒸着法(IBAD:Ion Beam Assisted Deposition)を適用できる。第2の中間層は、例えば酸化セリウム層(CeO
2)で構成される。第2の中間層の成膜には、例えばRFスパッタ法を適用できる。
【0020】
超電導層113は、例えばRE系超電導体(RE:Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbから選択される1又は2種以上の希土類元素)等の酸化物超電導体で構成される。RE系超電導体としては、YBa
2Cu
3O
7で表されるイットリウム系超電導体が代表的である。超電導層113の成膜には、有機金属体積法(MOD:Metal-organic deposition)、パルスレーザー蒸着法(PLD:Pulsed Laser Deposition)、スパッタ法、又は有機金属気相成長法(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)を適用できる。
【0021】
超電導層113には、Y、Zr、Sn、Ti、Ceのうち少なくとも1つを含む50μm以下の酸化物粒子が磁束ピンニング点として分散していることが好ましい。この場合、超電導層113の成膜法としては、三フッ化酢酸塩(TFA)を用いたTFA−MOD法が好適である。例えば、TFAを含むBa溶液中に、Baと親和性の高いZr含有ナフテン酸塩等を混合することにより、RE系超電導体からなる超電導層113に、Zrを含む酸化物粒子(BaZrO
3)を磁束ピンニング点として分散させることができる。なお、超電導層113中に磁束ピンニング点を分散する手法は、公知の技術を適用することができる(例えば特開2012−059468号公報)。
超電導層113中に磁束ピンニング点を分散させることにより、超電導線材11が湾曲した状態で用いられても、磁場の影響を受けにくく、安定した超電導特性が発揮される。
【0022】
安定化層114は、超電導層113を保護するとともに、超電導状態が部分的に破れて抵抗が発生(常電導転移)した場合に電流を迂回させるための層である。安定化層114は、電気抵抗率が低く、熱伝導率の高い材料で構成されるのが好ましく、例えばAg又はCuで構成される。安定化層114の成膜には、例えばスパッタ法を適用できる。
【0023】
超電導線材11の熱収縮率は、主として金属基板111に依存する。室温から77Kに冷却した際のハステロイの熱収縮率は、0.204%である。また、超電導線材11の熱伝導率は、主として金属基板111及び安定化層114に依存する。77Kにおけるハステロイの熱伝導率は5.164W/(m・K)であり、Agの熱伝導率は237.3W/(m・K)である。
【0024】
第1の電極12(高温側電極)及び第2の電極13(低温側電極)は、銅又は銅合金等の金属材料で構成される。第1の電極12は、容器41の底面近傍に配置され、導体引出部(図示略)を介して常電導電流リード15に接続される。第1の電極12の近傍の温度は、例えば77Kである。第2の電極13は、超電導コイル20の近傍に配置され、超電導コイル20のコイル電極21に接続される。第2の電極13の近傍の温度は、例えば4.2Kである。
【0025】
第1の電極12及び第2の電極13は、それぞれ長さ方向(X方向)における一方の端面に、超電導線材11を固定するための固定溝12a、13aを有する。固定溝12a、13aの幅方向(Y方向)両端は、開放されていてもよいし、閉塞されていてもよい。固定溝12a、13aの高さ(Z方向)は、超電導線材11の厚みよりも若干大きく設定される。固定溝12a、13aの深さ(X方向)は、超電導線材11と強固に接合し、接続抵抗が充分小さく、かつ支持できる程度であればよい。
【0026】
第1の電極12の固定溝12aには、超電導線材11の一方の端部が固定溝12aの底部に突き当たるまで挿入される。第2の電極13の固定溝13aには、超電導線材11の他方の端部が固定溝13aの底部に突き当たるまで挿入される。超電導線材11と固定溝12a、13aの隙間には溶融半田が充填される。すなわち、超電導線材11と第1の電極12及び第2の電極13は、半田付けにより接合され、電気的に接続される。
【0027】
このように、超電導電流リード11においては、固定溝12a、13aに超電導線材11が挿入されて接合されるので、リード本体の組立工程が極めて容易であり、また超電導電流リード11の小型化を図る上でも有用である。
【0028】
補強部材14は、超電導線材11よりも熱伝導率が低い。これにより、外部からの熱侵入量を低減することができる。
熱侵入量を低減する観点からは、GFRPが好適である。77KにおけるGFRPの熱伝導率は0.39W/(m・K)であり、超電導線材11の熱伝導率よりも著しく小さい。また、77KにおけるGFRPの熱収縮率は0.213%であり、超電導線材11の熱収縮率よりも大きい。
一方、超電導線材11が破損したときに超電導磁石装置1を保護する観点からは、バイパスとして機能するステンレス合金、ニッケル基合金、チタン合金等が好適である。77Kにおけるステンレス合金(SUS304、SUS316)の熱伝導率は7.9W/(m・K)であり、超電導線材11の熱伝導率よりも小さい。また、77Kにおけるステンレス合金(SUS304)の熱収縮率は0.281であり、熱伝導線材11の熱収縮率よりも大きい。
【0029】
補強部材14は、超電導線材11の両端部に第1の電極12と第2の電極13が接合されたリード本体を、所定の電極間距離(第1の電極12と第2の電極13の離間距離)となるように位置決めした状態で収容する。補強部材14は、中空の直方体部材であり、天面が開口した収容部142及び開口を閉塞する蓋部141を有する。収容部142にリード本体が収容された後、収容部142の開口を閉塞するように蓋部141が接着される。なお、収容部142及び蓋部141には、部分的に開口が形成されていてもよい。
【0030】
収容部142にはリード本体が収容され、所定の電極間距離となるように位置決めされる。具体的には、リード本体の位置決めを行うための位置決め部(図示略)を補強部材14に設けておき、これを利用して第1の電極12及び第2の電極13を所定の位置に固定する。
【0031】
本実施の形態では、リード本体が補強部材14に収容されたときに、超電導線材11が第1の電極12と第2の電極13との電極間において撓みを有する。超電導線材11に形成される撓みを
図8に示す。
【0032】
図8Aに示すように、超電導線材11の露出長Lscは、超電導線材11の全長から固定溝12a、13aの深さ(X方向の長さ)を除いた長さである。このリード本体を補強部材14に収容したときの電極間距離Leが超電導線材11の露出長Lscよりも短ければ、
図8Bに示すように、超電導線材11に撓み量ΔDの撓みが形成される。
【0033】
例えば、固定溝12a、13aのそれぞれの深さを25mm、超電導線材11の全長を151mmとした場合、超電導線材11の露出長Lscは101mmとなる。このリード本体を補強部材14に収容したときの電極間距離Leが100mmの場合、1mm分の撓みが形成されることになる。
【0034】
ここで、撓み率ΔD/Leは、0.5%以上であることが好ましい。撓み率ΔD/Leを0.5%以上とすることにより、冷却時に超電導線材11に生じる熱収縮は撓みによって確実に吸収されるので、超電導線材11と第1の電極12及び第2の電極13との接合部に過大な負荷がかかるのを確実に防止することができる。
【0035】
なお、超電導線材11に生じる熱収縮を吸収する観点からは、撓み率ΔD/Leの上限は特に制限されない。しかし、撓みが大きすぎると補強部材14に収容するのが困難となったり、超電導特性が低下したりする虞がある。かかる観点から、撓み率ΔD/Leは10%以下であることが好ましい。
【0036】
このように、実施の形態に係る超電導電流リード10は、金属基板111上に中間層112、超電導層113、安定化層114が順に積層されたテープ状の超電導線材11と、超電導線材11の両端部に接合される金属電極(第1の電極12、第2の電極13)と、超電導線材11と金属電極(12、13)とを含むリード本体を、所定の電極間距離Leとなるように位置決めした状態で収容する補強部材14と、を備える。そして、超電導線材11は、金属電極(12、13)間において撓みを有する。
【0037】
超電導電流リード10において、補強部材14がGFRPやステンレス合金等で構成される場合、超電導線材11の熱収縮率は補強部材14の熱収縮率よりも小さい。この場合、熱伝導率の高い超電導線材11の方が冷却の進行が速く、冷却初期の収縮量は補強部材14よりも超電導線材11の方が大きくなるため、超電導線材11に撓みが形成されていなければ、超電導線材11と第1の電極12及び第2の電極13との接合部に過大な負荷が生じる。
超電導電流リード10によれば、超電導線材11に形成された撓みによって、冷却時に超電導線材11に生じる熱収縮が吸収されるので、超電導線材11と第1の電極12及び第2の電極13との接合部に過大な負荷が生じることはなく、高い信頼性が確保される。
【0038】
また、超電導線材11の熱収縮率が補強部材14の熱収縮率よりも大きい場合は、冷却初期だけでなく、運転中の極低温環境下においても、熱収縮量の差によって超電導線材11と第1の電極12及び第2の電極13との接合部に過大な負荷が生じる。この場合も、超電導線材11に撓みを形成することにより、超電導線材11に生じる熱収縮を吸収し、超電導線材11と第1の電極12及び第2の電極13との接合部に過大な負荷が生じるのを防止することができる。
【0039】
[実施例1]
実施例1では、YBCOからなる超電導層を有する1本の超電導線材を用意し、この両端部に、表面に錫めっき処理が施された無酸素銅製の金属電極を接合し、さらにGFRP製の補強部材に収容して、超電導電流リードを作製した。電極間距離Leは100mmとし、電極間における超電導線材の撓み率は、超電導線材の全長を変化させることにより、1%、2%、5%、20%となるようにした。
【0040】
[参照例1]
参照例1では、実施例1と同様の構成を有する超電導電流リードを、撓み率が0.3%となるように作製した。
【0041】
実施例1及び参照例1に係る超電導電流リードについて、極低温環境下における臨界電流特性を評価した。具体的には、超電導電流リードの金属電極に熱伝導板を取り付け、伝導冷却により超電導電流リード全体が73〜78Kとなるように冷却し、臨界電流値Ic(設計値200A)を測定した。なお、外部磁場は0T(自己磁場中)とした。評価結果を表1に示す。
【0043】
[実施例2]
実施例2では、YBCOからなる超電導層を有する超電導線材を2本用意し、これらの金属基板面同士を貼着して複合型の超電導線材を作製した。そして、この複合型の超電導線材を幅方向に2本並設した両端部に、表面に錫めっき処理が施された無酸素銅製の金属電極を接合し、さらにGFRP製の補強部材に収容して、超電導電流リードを作製した。つまり、実施例2では4本の超電導線材を用いた超電導電流リードを作製した。電極間距離Leは100mmとし、電極間における超電導線材の撓み率は、超電導線材の全長を変化させることにより、1.2%、2%、6%、18%となるようにした。
【0044】
[参照例2]
参照例2では、実施例2と同様の構成を有する超電導電流リードを、撓み率が0.4%となるように作製した。
【0045】
実施例2及び参照例2に係る超電導電流リードについて、極低温環境下における臨界電流特性を評価した。具体的には、超電導電流リードの金属電極に熱伝導板を取り付け、伝導冷却により超電導電流リード全体が73〜78Kとなるように冷却し、臨界電流値Ic(設計値800A)を測定した。なお、外部磁場は0T(自己磁場中)とした。評価結果を表2に示す。
【0047】
表1、2に示すように、撓み率ΔD/Leが0.5%以上である実施例1及び実施例2では、設計値とほぼ同等の臨界電流特性が得られた。これより、超電導線材に撓みを形成するという本発明の有効性が確認された。なお、実施例1−4、実施例2−4では、設計値通りの臨界電流特性が得られたが、超電導線材が大きく撓み、補強部材への収容が困難であった。このように、実施例1−4、実施例2−4は実用的ではないため、表1、表2では参考例として示した。
【0048】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。
【0049】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。