(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記第1の導体の前記側面部と前記第2の導体とが、前記第1の側面および前記第2の側面のうち、異なる側面にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の積層型電子部品。
前記第1の側面および前記第2の側面のうちいずれか一方に、前記第1の導体の前記側面部および前記第2の導体が設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の積層型電子部品。
前記第2の導体が、前記第1の側面または前記第2の側面の前記積層方向全体にわたって設けられていることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の積層型電子部品。
【発明を実施するための形態】
【0011】
積層型電子部品およびその実装構造体について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、各図面においては、同じ部材、部分に関しては共通の符号を用い、重複する説明は省略する。図面によっては、一部の符号を省略したものもある。また、各図面には、説明を容易にするためにxyzの座標軸を付した。
【0012】
<第1の実施形態>
第1の実施形態である積層型電子部品1は、
図1(a)〜(c)に示すように直方体状の積層体2と、その外表面に設けられた一対の第1の導体3および一対の第2の導体4とを備えている。
図1(b)は、
図1(a)のA1−A1線断面図であり、積層体2は、
図1(b)に示すように、誘電体層5と内部電極層6とが座標軸のz軸方向に交互に積層されたものである。なお、誘電体層5と内部電極層6との積層方向を、単に積層方向という場合もある。
【0013】
本実施形態の積層型電子部品1において、積層体2の積層方向には対向する一対の長方形状の主面である第1の主面7Aおよび第2の主面7Bが位置している。第1の主面7Aおよび第2の主面7Bは、いずれも一対の長辺8と一対の短辺9により構成されている。積層体2は、第1、第2の主面7A、7Bの長辺8に隣接する一対の対向する第1の側面10と、短辺9に隣接する一対の対向する第2の側面11と、を有している。
【0014】
第1の導体3は、第1の側面10に設けられた側面部3aと、側面部3aから第1の主面7Aにのびた延出部3bと、を有している。側面部3aは、第1の側面10の積層方向における中央部よりも第1の主面7Aに近い側に設けられている。第2の導体4は、第2の側面11に設けられ、第1の導体3から離間している。すなわち、積層体2の外表面において、第1の導体3と第2の導体4とは互いに離間し、つながっていない。
【0015】
本実施形態では、
図2(a)、(b)に示すように、少なくとも2種類の内部電極層6が存在する。すなわち、一方は、引出部6bのみを備えるもの(
図2(a))であり、他方は、引出部6aおよび引出部6bを備えるもの(
図2(b))である。
【0016】
引出部6bのみを備える内部電極層6は、
図2(a)に示すように、さらに実線で示す引出部6bを備えるものと、破線で示す引出部6bを備えるものにより構成され、これらが
図1(c)に示すように交互に積層されている。実線で示す引出部6bは、
図2(a)において左側に位置する第2の側面11に露出し、破線で示す引出部6bは、
図2(a)において右側に位置する第2の側面11に露出している。
【0017】
引出部6aおよび引出部6bを備える内部電極層6は、
図2(b)に示すように、さらに実線で示す引出部6a、6bを備えるものと、破線で示す引出部6a、6bを備えるものにより構成される。
図2(b)において、実線で示す引出部6aは下側に位置する第1の側面10に露出し、実線で示す引出部6bは左側に位置する第2の側面11に露出している。破線で示す引出部6aは上側に位置する第1の側面10に露出し、破線で示す引出部6bは右側に位置する第2の側面11に露出している。
【0018】
図2(a)、(b)において、実線で示す引出部6bを備える内部電極層6は、左側の第2の導体4により互いに電気的に接続され、さらに実線で示す引出部6aにより下側の第1の導体3の側面部3aに電気的に接続されている。破線で示す引出部6bを備える内部電極層6は、右側の第2の導体4により互いに電気的に接続され、さらに破線で示す引出部6aにより上側の第1の導体3の側面部3aに電気的に接続されている。
【0019】
このように、引出部6aは、一対の第1の側面10のいずれか一方に交互に露出するように配置され、第1の導体3の側面部3aと電気的に接続されている。引出部6bは、一対の第2の側面11のいずれか一方に交互に露出するように配置され、第2の導体4と電気的に接続されている。引出部6aおよび6bを備える内部電極層6は、第1の導体3同士、第2の導体4同士が導通しないように配置されている。なお、
図1(b)には、一対の第1の導体3にそれぞれ1層の内部電極層6の引出部6aが接続される例を示したが、複数層の内部電極層6の引出部6aが一対の第1の導体3にそれぞれ接続してもよい。
【0020】
引出部6aおよび6bを備える内部電極層6(
図2(b))は、第1の側面10における積層方向の中央部よりも第1の主面7A側に位置しており、引出部6bのみを備える内部電極層6(
図2(a))は、それ以外の内部電極層6を構成している。
【0021】
図2(c)は本実施形態の積層型電子部品1を第1の主面7A側からみた平面図であり、各部の寸法を示している。
図2(c)に示すように、第1の導体3は、長辺8の中央部8cを含み、積層体2の頂点Vを含まない部位に位置している。なお、長辺8の中央部8cとは、長辺8の長さを二等分する二等分点である。
【0022】
引出部6aの第1の側面10における露出部は、第1の導体3と直接接続するため、振動の対称性を保ち実装の際に基板を振動させる要素を低減できるという点から、長辺8の中央部8cが含まれていることが好ましい。
【0023】
なお、
図1(b)に示した誘電体層5および内部電極層6の構造は模式的なものであり、実際には数層〜数百層の誘電体層5と内部電極層6とが積層されたものが多く用いられる。これは、後述する他の形態についても同様である。
【0024】
図2(c)を用いて各部の寸法を説明する。
図2(c)において、長辺8の長さをL1、短辺9の長さをL2とする。W1は、長辺8の長さ方向(x軸方向)における第1の導体3の長さ、P1は、長辺8に垂直な方向(y軸方向)における延出部3bの長さである。W1は、基板に実装した時の基板の振動低減という点から、L1との比(W1/L1)にして0.35以下、さらに実装信頼性という点から0.2以上とすることが好ましい。
【0025】
本実施形態の積層型電子部品の実装構造体について説明する。
図3は、積層型電子部品1を基板12に実装した状態を示す断面図である。本実施形態の実装構造体においては、
図3に示すように、積層型電子部品1の第1の導体3の延出部3bと、基板12上のランドパターン13とが、半田等の導電性材料を介して接合されている。ここで、積層型電子部品1と基板12とは、第1の主面7Aと基板12の実装面とが所定間隔をおいて対向するように接合されている。第1の導体3と、ランドパターン13との間には、ランドパターン13上に塗布した半田等の導電層14が形成されている。このように基板12に導電性材料を塗布して積層型電子部品1を実装する場合、使用する導電性材料は、第1の導体3との濡れ性のよいものであれば特に制限はない。
【0026】
図3において、H0は積層体2の積層方向(z軸方向)における積層型電子部品1の高さ、H1は、第1の側面10上における、第1の導体3の側面部3aの積層方向(z軸方向)の長さ、Cは、基板12の実装面と、積層型電子部品1との間隔である。
【0027】
一方、従来の積層型電子部品は、
図8(a)に示すように直方体状の積層体102と、その両端部の外表面にそれぞれ設けられた外部電極103と、を備えている。
図8(b)は、
図8(a)のz軸方向から見た平面図であり、
図8(c)は、従来の実装構造体を示す断面図である。
【0028】
積層体102は、
図8(c)に示すように誘電体層105と内部電極層106とが交互に積層されたものである。内部電極層106は、積層体102の両端面のいずれか一方において外部電極103と電気的に接続している。
【0029】
例えば積層型電子部品の一つである積層セラミックコンデンサは、誘電体層105としてチタン酸バリウムなどの強誘電性を有する材料を用い、内部電極層106としてNiなどの金属材料を用いている。また、外部電極103は、通常、下地電極としてCuペーストを焼き付け、その表面にNiおよびSnめっきを施したものを用いている。
【0030】
従来の積層型電子部品においては、
図8(c)に示すように外部電極103と、基板12上のランドパターン13とが、半田114を介して電気的に接続された状態で固定される。半田114は、外部電極103とランドパターン13の間の隙間を埋めるとともに、積層体102の端面と、側面および上下面の一部を被覆する外部電極103をさらに被覆している。
【0031】
このような状態で実装された積層セラミックコンデンサに、直流電圧(DCバイアス)とともに交流電圧が印加されると、直流電圧による電歪効果のため誘電体層105に圧電的な性質が生じ、交流電圧により圧電振動が発生する。さらに、積層セラミックコンデンサの圧電振動が半田114を介して基板12に伝わって基板12が振動する。基板12が可聴域の共振周波数で共振した際に「音鳴り」と呼ばれる振動音が発生する。
【0032】
一例として、従来の積層型電子部品である積層セラミックコンデンサを基板12に実装した、従来の実装構造体の場合の音鳴りを測定した。測定には、積層セラミックコンデンサとして1005型の積層セラミックコンデンサ(容量10μF、定格電圧4V、以下、評価部品ともいう)、基板12としては100×40mm、厚さ0.8mmのFR材からなるものを用いた。積層セラミックコンデンサは、Sn−Ag−Cu(SAC)系の半田を用いて基板12の中央に実装した。評価部品を基板12に実装した後、実装状態をマイクロスコープにて観察し、半田114のフィレット高さが460μm、基板12と評価部品との間隔Cが45μmであることを確認した。
【0033】
測定は、
図9に示すような音圧レベルの測定装置を用いて行った。評価部品を基板12に実装した実装基板21(以下、単に実装基板ともいう)を無響箱22(内寸600×700mm、高さ600mm)内に設置し、基板12の中央から基板12に垂直な方向に3mm離間した位置に設置した集音マイク23により音鳴りを集音した。集音された音の音圧レベルは、アンプ24およびFETアナライザ25(小野測器製 DS2100)で測定した。積層セラミックコンデンサに対して4Vの直流電圧(DCバイアス)および20Hz〜20kHz、1Vp−pの交流電圧を印加した際の音鳴り測定結果を
図10(a)に示す。
【0034】
なお、
図10(a)においては、音圧レベルをA特性音圧レベル(dBA)で示しており、0dBAは人間が音として聞こえる最低の音圧レベルに相当する。これは、人間の聴覚に近くなるように周波数毎に重み付けされた音圧レベルであり、サウンドレベルメータ(騒音計)の規格(JISC1509−1:2005)に記載されている。
【0035】
次に、積層セラミックコンデンサ単体の圧電振動についてシミュレーションを行った。まず、評価部品に、4Vの直流電圧(DCバイアス)を印加した状態でインピーダンスを測定した。測定結果を
図11に示す。
【0036】
評価部品に基くモデル(誘電体材料:チタン酸バリウム系材料、内部電極:Ni、外部電極:Cu、積層体寸法:1100×620×620μm、外部電極厚み20μm)を用いてインピーダンスのシミュレーションを行った。2GHz以上の周波数領域に存在する圧電共振ピークについて、測定した実測値に合致するように、評価部品の材料パラメータのフィッティングを行った。
図12はインピーダンスのシミュレーションに使用した有限要素法のモデルを模式的に示したものである。これは、対称性を考慮した1/8モデルであり、
図12の前面に現れている2つの断面、および下側の断面は対称面である。
【0037】
フィッティングにより得られた誘電体層105のパラメータ(弾性スティフネスc
ijおよび圧電定数e
ij)を表1に示す。表1より、評価部品の誘電体層105の材料特性には異方性(c
11>c
33、c
22>c
33)があることがわかる。これは、内部電極層106による圧縮応力に起因するものと考えられる。
【0039】
得られた誘電体層105のパラメータと、測定に用いた実装基板21(フィレット高さ460μm、基板と評価部品との間隔45μm)に基いて、実装構造体のモデルを作成し、シミュレーションを行った。
図10(b)は、シミュレーションによって得られた実装基板21の振動振幅を、A特性音圧レベルに換算した結果を示すグラフである。音鳴りの周波数特性は、評価部品の振動特性と実装基板21の共振モードに依存する。そのため、
図10(b)に示すシミュレーションの結果は、
図10(a)に示す実測値と、特に音圧の高い10kHz以下の低周波数領域において、音圧レベル、周波数特性のいずれもよく一致していた。したがって、このパラメータを用いてシミュレーションを行うことで、実装構造体や評価部品自体の構造を変化させたときの音鳴りに対する影響が確認できる。
【0040】
また、得られたパラメータを用いて、評価部品の可聴周波数領域(20Hz〜20kHz)における振動モードを計算した。計算には、上述の1/8モデルを用いた。10kHzにおける計算結果を
図13に示す。なお、
図13(a)は、1/8モデルの内部側(対称面側)からみたものであり、
図13(b)は、
図13(a)の反対側、すなわち1/8モデルの外部側(表面側)からみたものである。ここで、破線は交流電圧を印加していない状態の評価部品の形状を示し、実線は交流電圧により最大に変位した状態の評価部品の形状を示している。この結果から、可聴周波数領域において評価部品は、積層面方向には拡がり振動を、厚み方向(積層方向)には伸縮振動をしていることがわかる。この結果から、評価部品全体を模式的に表した
図14に示すように、評価部品の積層方向に位置する2つの主面において、各辺の中央部に振動振幅が小さい領域、すなわち振動の節ともいえる領域(以下、節状部という)15が存在することがわかる。このような節状部15は評価部品同様、本実施形態の積層型電子部品1にも存在する。したがって、積層型電子部品1を第1の導体3および半田等の導電層14を介して基板12に固定する際、その節状部15において固定することで、基板12への積層型電子部品1の圧電振動の伝播が抑制され、音鳴りを低減できると考えられる。
【0041】
本実施形態においては、積層型電子部品1に存在するこのような節状部15上に第1の導体3を設けることにより、積層体の節状部15を第1の導体3を介して基板12に固定することが可能となる。
【0042】
引出部6aが積層方向の一部、すなわち第1の主面7Aの近傍にのみ存在するものにおいても、振動の節状部15が存在することを確認するとともに、本実施形態による音鳴りの低減に対する効果を確認するため、本実施形態の以下のようなモデルを用いて、音鳴りのシミュレーションを行った。積層体2は、外寸は評価部品と同様とし、引出部6aを有する内部電極層6が、第1の主面7Aから積層方向に90μmまでの範囲に配置されている。引出部6aは、
図2(b)に示すように、第1の側面10において長辺8の中央部8c近傍に260μmの幅で露出し、第1の導体3と電気的に接続している。
図2(c)および
図3に示すように、第1の導体3は、W1を280μm、H1を100μm、P1を80μmとした。また、本実施形態の実装構造体におけるCは70μmとした。積層型電子部品1に関わる他の条件は、前述の評価部品における音鳴りのシミュレーションと同様とした。
【0043】
図4に、10kHzにおける本実施形態の積層型電子部品1の振動モードを示す。なお、この振動モードの計算には、本実施形態の積層型電子部品1の対称性を考慮して、1/2モデルを用いた。
図4は、1/2モデルの対称面側からみたものである。ここで、破線は交流電圧を印加していない状態の積層型電子部品1の形状を示し、実線は交流電圧により最大に変位した状態の積層型電子部品1の形状を示している。主面7を構成する長辺8および短辺9の中央部に振動の節状部15が存在することが確認できる。なお、本実施形態の振動モードのシミュレーションでは、第1の導体3のP1を0μmとしたモデルを用いた。
【0044】
本実施形態における音圧のシミュレーションにより得られた結果を5Hz〜20kHzの周波数領域にわたって平均すると、音圧レベルの平均値は、従来の実装構造体に対して19dBA低減された結果となった。
【0045】
なお、本実施形態において、上述したシミュレーションでは、W1(280μm)をL1(1100μm)に対する比(W1/L1)にして0.25としたが、これを0.35としても音圧レベルは従来よりも10dBA程度低減することができる。また、W1/L1は、実装性という点から0.2以上であることが好ましい。
【0046】
なお、本実施形態の実装構造体においては、積層型電子部品1は基板12の実装面に直接接触していない。特に、積層型電子部品1と基板12の実装面との間隔であるCのH0に対する比(C/H0)は、0.05以上、特に0.1以上であることが好ましい。
【0047】
さらに、前述の評価部品および本実施形態の振動モード解析の結果によれば、積層体2を構成する各表面の中央近傍では振動振幅が大きいことから、H0に対するH1の比(H1/H0)は、0.4以下であることが好ましい。また、主面7においても中央近傍では振動振幅が大きいことから、長辺8に垂直な方向の第1の導体3の長さP1はL2に対する比率(P1/L2)にして0.25以下であることが好ましい。
【0048】
上述のように、本実施形態においては、積層型電子部品1は第1の導体3により基板12に固定される。したがって、第1の導体3を積層型電子部品1の節状部15、すなわち、第1の主面7Aの長辺8の中央部8cを含み積層体2の頂点Vを含まない部位に設けることで、音鳴りを抑制できる。一方、第2の導体4は、内部電極層6同士の電気的接続を担うものであり、基板12との固定に寄与しない。したがって、第2の導体4は、基板12と接触せず、積層体2の外表面において第1の導体3と離間した位置に設けられていればよく、第1、第2の側面10、11の中央や積層体2の頂点Vを含むように設けられてもよい。
【0049】
第2の導体4は、たとえば
図1に示すように、第2の側面11(第1の導体3の側面部3aが設けられていない側面)のほぼ全面にわたって設けられていてもよいし、第2の側面11の短辺方向(y軸方向)の一部のみに、積層方向(z軸方向)の全体にわたって(第1の主面7Aの短辺9から第2の主面7Bの短辺9にわたって)設けられていてもよい。第2の主面7Bの短辺9を含み、第1の主面7Aの短辺9を含まないように設けられていてもよい。
【0050】
なお、本実施形態において、第1の導体3は、第1の主面7A側だけでなく、
図5に示すように第2の主面7B側の同様な部位に設けられていてもよい。第2の主面7B側に設ける第1の導体3の配置は、第1の主面7A側と上下対称とすることが好ましい。これにより、第1、第2の主面7A側、7B側に設けられた第1の導体3をどちらも基板接続用の電極として用いることができ、実装が容易となる。
【0051】
<第2の実施形態>
第2の実施形態においては、
図6に示すように、第1の導体3が短辺9の中央部9cを含むように設けられ、第2の側面11にのびる側面部3aを有している。第2の導体4は、第1の側面10に設けられている。第1の実施形態では、第2の導体4は、第1の導体3が設けられていない第2の側面11のほぼ全面に設けられた例を示したが、本実施形態のように、第1の導体3が設けられていない第1の側面10の一部のみに設けてもよい。また、第2の導体4は、積層体2の外表面において第1の導体3と離間していればよく、その一部が第1、第2の主面7A、7Bや、第1の導体3の側面部3aが設けられた側面に回り込んでいてもよい。
【0052】
<第3の実施形態>
第3の実施形態においては、
図7に示すように、第1の導体3が長辺8の中央部8cを含むように設けられ、第1の側面10にのびる側面部3aを有している。本実施形態では、2対の第2の導体4が、第1の導体3と同様に第1の側面10に設けられている。本実施形態において、
図7(c)の右に示す引出部6aおよび6bを備える内部電極層6は、積層方向の中央部よりも第1の主面7A側に位置している。
【0053】
このように、第2の導体4は、第1の側面10において第1の導体3と離間していればよく、第1の導体3の側面部3aと同じ側面上に設けてもよいし、第1の側面10と第2の側面11の境界である辺に設けてもよい。また、第2の導体4は、一対だけでなく二対以上設けてもよい。
【0054】
また、さらに引出部6aのみを備える内部電極層6を有していてもよい。すなわち、引出部6aのみを備える内部電極層6を、積層体2の最も第1の主面7A側に配置し、引出部6aおよび6bを備える内部電極層6、および引出部6bのみを備える内部電極層6を順次配置して、第2の導体4が長辺8または短辺9から離間して設けられていてもよい。
【0055】
上述した各実施形態において、内部電極層6の形状や配置は、第1の導体3および第2の導体4の配置に合わせて適宜変更すればよい。
【0056】
なお、上述の各実施形態における第1の導体3および第2の導体4について、その形状を主として矩形状のものとし、その形状に基いて寸法や比率の好ましい範囲について述べてきたが、これは、第1の導体3や第2の導体4の形状を矩形状に限定するものではなく、他の様々な形状や不定形であっても構わない。また、上述のシミュレーションにより確認された、積層型電子部品1の振動モードや節状部15に関する説明に基き、本発明の主旨から逸脱しない範囲において、種々の変更、変形が可能である。
【0057】
本発明は、たとえばチタン酸バリウム系などの強誘電体材料を誘電体層5に用い、Ni、Cu、Ag、Ag−Pdなどの金属材料を内部電極層6に用いた積層セラミックコンデンサを積層型電子部品1とした場合に、特に好適に用いられる。他の積層型電子部品1においても、積層型電子部品1自体の圧電振動による、積層型電子部品1が実装されている基板12等の励振を抑制する必要がある場合などに適用できる。本発明は、特に、1005型以上の型式(外形寸法の大きさが1005型以上)の積層型電子部品1において顕著な効果を発揮できる。
【0058】
本発明は、既存の種々の積層型電子部品1に適用可能である。また、基板12に実装するために特別なジグを必要としないという利点もある。
【0059】
なお、本実施形態では積層型電子部品1の一例として、一般的な形状の積層セラミックコンデンサを用いて説明したが、それ以外に薄型のものや、種々の構造を有する積層型電子部品1に適用可能である。
【0060】
さらに、第1の導体3および第2の導体4として、例えば多くの積層セラミックコンデンサの外部電極として用いられている、Cuからなる下地電極にNiおよびSnめっきを施したものを採用してもよいが、下地電極を用いずめっき電極のみで構成された第1の導体3および第2の導体4も好適に使用できる。Cuからなる下地電極は比較的柔らかいため、積層体2の圧電振動をある程度吸収して減衰させるが、めっき電極のみの場合、積層体2の圧電振動が第1の導体3で減衰されず、音鳴りが顕著になるため、本発明を適用することでより大きな音鳴り抑制効果が得られる。