特許 6241439 積層セラミックコンデンサの方向識別方法、積層セラミックコンデンサの方向識別装置及び積層セラミックコンデンサの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6241439

(24)【登録日】2017年11月17日

(45)【発行日】2017年12月6日

(54)【発明の名称】積層セラミックコンデンサの方向識別方法、積層セラミックコンデンサの方向識別装置及び積層セラミックコンデンサの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01G 13/00 20130101AFI20171127BHJP

【ＦＩ】

   H01G13/00 361Z

   H01G13/00 331F

【請求項の数】9

【全頁数】18

(21)【出願番号】特願2015-61651(P2015-61651)

(22)【出願日】2015年3月24日

(65)【公開番号】特開2016-27612(P2016-27612A)

(43)【公開日】2016年2月18日

【審査請求日】2016年10月7日

(31)【優先権主張番号】特願2014-130592(P2014-130592)

(32)【優先日】2014年6月25日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100134566

【弁理士】

【氏名又は名称】中山 和俊

(72)【発明者】

【氏名】林 章浩

(72)【発明者】

【氏名】▲高▼橋 美奈子

(72)【発明者】

【氏名】笹岡 嘉一

【審査官】 小池 秀介

(56)【参考文献】

【文献】 特開平０７−１１５０３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０７−１１５０３４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０３−０３９９８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−０２５５９９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０００−１５０２０９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０１Ｒ３３／００−３３／２０

３３／２４

３３／２６

Ｈ０１Ｇ４／００−４／０１５

４／０２−４／２２４

４／２３２

４／２５５−４／４０

１３／００−１７／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する方法であって、
磁気発生装置から発生する磁束密度を磁束密度計測器により計測しながら、前記積層セラミックコンデンサを、前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過させ、少なくとも前記積層セラミックコンデンサの通過時における磁束密度を計測する工程と、
前記積層セラミックコンデンサが前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過する間に計測された磁束密度の積分値を算出し、前記積分値に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する工程と、
を備える、積層セラミックコンデンサの方向識別方法。

【請求項2】

一の方向に沿って間隔をおいて設けられた複数の収容室のそれぞれに前記積層セラミックコンデンサが収容されたテーピング積層セラミックコンデンサ連を、前記一の方向に沿って前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過させ、前記複数の積層セラミックコンデンサに対して前記計測工程を行う、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。

【請求項3】

一の方向に沿って間隔をおいて設けられた複数の収容室のそれぞれに前記積層セラミックコンデンサが収容されたテーピング積層セラミックコンデンサ連から、吸着ノズルにより取り出された前記積層セラミックコンデンサを、前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過させ、前記積層セラミックコンデンサに対して前記計測工程を行う、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。

【請求項4】

円形のローターの外周に沿って間隔をおいて設けられた複数の収容部のそれぞれに収容されて搬送される前記積層セラミックコンデンサを、前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過させ、前記複数の積層セラミックコンデンサに対して前記計測工程を行う、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。

【請求項5】

リニア搬送経路を通る複数の収容部のそれぞれに収容された前記積層セラミックコンデンサを、前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過させ、前記複数の積層セラミックコンデンサに対して前記計測工程を行う、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。

【請求項6】

前記積層セラミックコンデンサを、前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過させる際に、前記積層セラミックコンデンサを回転させない、請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。

【請求項7】

前記積層方向の識別結果に基づき前記積層セラミックコンデンサを回転させる工程をさらに備える、請求項４又は５に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。

【請求項8】

一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する装置であって、
磁気発生装置と、
前記磁気発生装置から発生した磁束の密度を計測する磁束密度計測器と、
前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を、前記積層セラミックコンデンサを通過させる搬送装置と、
識別部と、
を備え、
前記磁束密度計測器は、少なくとも前記積層セラミックコンデンサの通過時における磁束密度を計測し、
前記識別部は、前記積層セラミックコンデンサが前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過する間に計測された磁束密度の積分値を算出し、前記積分値に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する、積層セラミックコンデンサの方向識別装置。

【請求項9】

一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサを作製する工程と、
包装体の一の方向に沿って間隔をおいて設けられた複数の収容室に前記積層セラミックコンデンサを収容する工程と、
前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する方向識別工程と、
を備え、
前記方向識別工程は、
磁気発生装置から発生する磁束密度を磁束密度計測器により計測しながら、前記積層セラミックコンデンサを、前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過させ、少なくとも前記積層セラミックコンデンサの通過時における磁束密度を計測する工程と、
前記積層セラミックコンデンサが前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過する間に計測された磁束密度の積分値を算出し、前記積分値に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する工程と、
を有する、テーピング積層セラミックコンデンサ連の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層セラミックコンデンサの方向識別方法、積層セラミックコンデンサの方向識別装置及び積層セラミックコンデンサの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

積層セラミックコンデンサは、一の方向に沿って積層された複数の内部電極を有する。このため、積層セラミックコンデンサにおいては、内部電極の積層方向を識別したいという要望がある。しかしながら、例えば、積層セラミックコンデンサが正四角柱状であるような場合には、外観により積層セラミックコンデンサにおける内部電極の積層方向を識別することは困難である。

【0003】

例えば特許文献１には、積層セラミックコンデンサにおける内部電極の積層方向を外観によらずに識別し得る方法が記載されている。具体的には、特許文献１には、内部電極層が引き出されていない一面に一定の磁場を加えて、積層セラミックコンデンサの磁束密度を計測し、磁化の強さによって内部電極層の方向を識別する方法が開示されている。この方法は、内部電極が磁束とほぼ平行（コンデンサとしては底面に対して内部電極が垂直方向）になる向きにコンデンサが配置された状態と、ほぼ垂直（コンデンサとしては底面に対して内部電極が水平方向）となる向きにコンデンサが配置された状態とで、計測される磁束密度が異なることを利用した方法である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開平７−１１５０３３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、内部電極の積層方向と磁束の方向とが平行である場合と、内部電極の積層方向と磁束の方向とが垂直である場合とで、計測される磁束密度の差は非常に小さい。また、計測される磁束密度は、磁石とセンサープローブ、コンデンサとの位置関係に大きく左右される。特に、小型の積層セラミックコンデンサでは計測される磁束密度に対する磁石とセンサープローブ、コンデンサとの位置関係が与える影響は甚大である。

【0006】

このように、方向が異なる場合に計測される磁束密度の差が小さく、かつ、計測時のコンデンサの位置により計測される磁束密度が大きく異なるため、特許文献１に記載の方法では、積層セラミックコンデンサの方向を正確に識別することは困難である。

【0007】

この問題についてより具体的に説明する。例えば、長さ寸法が１ｍｍで、幅寸法が０．５ｍｍで、高さ寸法が０．５ｍｍであり、静電容量が４．７μＦである積層セラミックコンデンサについて、ある測定条件で磁束密度を計測した場合を想定する。この積層セラミックコンデンサの、内部電極の積層方向が磁束の方向と平行な場合の最大磁束密度は、約５３．６ｍＴである。一方、この積層セラミックコンデンサの、内部電極の積層方向が磁束の方向と垂直な場合の最大磁束密度は、約５２．３ｍＴである。従って、この積層セラミックコンデンサでは、内部電極の積層方向と磁束の方向とが平行である場合と垂直である場合とで、磁束密度の最大値は１．３ｍＴのみ異なる。従って、内部電極の積層方向と磁束の方向とが平行である場合と垂直である場合との間の磁束密度の最大値の差は、内部電極の積層方向と磁束の方向とが平行である場合の磁束密度の最大値に対して僅か２．４％である。

【0008】

また、積層セラミックコンデンサの計測位置が積層セラミックコンデンサの中心位置から０．３ｍｍずれたときの、内部電極の積層方向と磁束の方向とが平行である積層セラミックコンデンサの磁束密度は、約５２．３ｍＴとなり、内部電極の積層方向と磁束の方向とが垂直である場合の積層セラミックコンデンサの磁束密度の最大値（測定位置が積層セラミックコンデンサの中心位置である場合）とほぼ等しくなる。このことから、積層セラミックコンデンサの計測位置が０．３ｍｍ以上変化し得る場合には、積層セラミックコンデンサの方向識別が困難である。この問題は、積層セラミックコンデンサが小型化するほど、例えば長さ寸法が１ｍｍで、幅寸法が０．５ｍｍで、高さ寸法が０．５ｍｍというサイズ以下であるほど、計測位置を中心位置に定めることが難しくなるため、顕著になる。

【0009】

本発明の主な目的は、積層セラミックコンデンサの方向を正確に識別できる方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別方法は、一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向を識別する方法である。本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別方法では、磁気発生装置から発生する磁束密度を磁束密度計測器により計測しながら、積層セラミックコンデンサを、磁気発生装置と磁束密度計測器との間を通過させ、少なくとも積層セラミックコンデンサの通過時における磁束密度を計測する。積層セラミックコンデンサが磁気発生装置と磁束密度計測器との間を通過する間に計測された磁束密度の積分値を算出し、積分値に基づいて積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向を識別する。

【0011】

本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別方法では、一の方向に沿って間隔をおいて設けられた複数の収容室のそれぞれに積層セラミックコンデンサが収容されたテーピング積層セラミックコンデンサ連を、一の方向に沿って磁気発生装置と磁束密度計測器との間を通過させ、複数の積層セラミックコンデンサに対して計測工程を行ってもよい。

【0012】

本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別方法では、一の方向に沿って間隔をおいて設けられた複数の収容室のそれぞれに積層セラミックコンデンサが収容されたテーピング積層セラミックコンデンサ連から、吸着ノズルにより取り出された積層セラミックコンデンサを、磁気発生装置と磁束密度計測器との間を通過させ、積層セラミックコンデンサに対して計測工程を行ってもよい。

【0013】

本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別方法では、円形のローターの外周に沿って間隔をおいて設けられた複数の収容部のそれぞれに収容されて搬送される積層セラミックコンデンサを、磁気発生装置と磁束密度計測器との間を通過させ、複数の積層セラミックコンデンサに対して計測工程を行ってもよい。

【0014】

本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別方法では、リニア搬送経路を通る複数の収容部のそれぞれに収容された積層セラミックコンデンサを、磁気発生装置と磁束密度計測器との間を通過させ、複数の積層セラミックコンデンサに対して計測工程を行ってもよい。

【0015】

本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別方法では、積層セラミックコンデンサを、磁気発生装置と磁束密度計測器との間を通過させる際に、積層セラミックコンデンサを回転させなくてもよい。

【0016】

本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別方法では、積層方向の識別結果に基づき積層セラミックコンデンサを回転させる工程を行ってもよい。

【0017】

本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別装置では、一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向を識別する装置である。本発明に係る積層セラミックコンデンサの方向識別装置は、磁気発生装置と、磁束密度計測器と、搬送装置と、識別部とを備える。磁束密度計測器は、磁気発生装置から発生した磁束の密度を計測する。搬送装置は、磁気発生装置と磁束密度計測器との間を、積層セラミックコンデンサを通過させる。磁束密度計測器は、少なくとも積層セラミックコンデンサの通過時における磁束密度を計測する。識別部は、積層セラミックコンデンサが磁気発生装置と磁束密度計測器との間を通過する間に計測された磁束密度の積分値を算出し、積分値に基づいて積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向を識別する。

【0018】

テーピング積層セラミックコンデンサ連の製造方法では、一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサを作製する。包装体の一の方向に沿って間隔をおいて設けられた複数の収容室に積層セラミックコンデンサを収容する。積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向を識別する方向識別工程を行う。方向識別工程では、磁気発生装置から発生する磁束密度を磁束密度計測器により計測しながら、積層セラミックコンデンサを、磁気発生装置と磁束密度計測器との間を通過させ、少なくとも積層セラミックコンデンサの通過時における磁束密度を計測する。積層セラミックコンデンサが磁気発生装置と磁束密度計測器との間を通過する間に計測された磁束密度の積分値を算出し、積分値に基づいて積層セラミックコンデンサにおける複数の内部電極の積層方向を識別する。

【発明の効果】

【0019】

本発明によれば、積層セラミックコンデンサの方向を正確に識別できる方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0020】

【図1】本発明の一実施形態における積層セラミックコンデンサの方向識別装置の模式的側面図である。

【図2】本発明の一実施形態におけるテーピング積層セラミックコンデンサ連の略図的断面図である。

【図3】本発明の一実施形態におけるテーピング積層セラミックコンデンサ連の略図的平面図である。

【図4】本発明の一実施形態における積層セラミックコンデンサの略図的斜視図である。

【図5】図４の線Ｖ−Ｖにおける略図的断面図である。

【図6】磁気発生装置と磁束密度計測器との間に積層セラミックコンデンサがない場合の磁力線の模式図である。

【図7】磁気発生装置と磁束密度計測器との間に、内部電極が磁束の方向に対して垂直（コンデンサとしては底面に対して内部電極が水平方向）となるように積層セラミックコンデンサが位置している場合の磁力線の模式図である。

【図8】磁気発生装置と磁束密度計測器との間に、内部電極が磁束の方向に対して水平（コンデンサとしては底面に対して内部電極が垂直方向）となるように積層セラミックコンデンサが位置している場合の磁力線の模式図である。

【図9】水平品及び垂直品の磁束密度を表す模式的なグラフである。

【図10】水平品及び垂直品の磁束密度の積分値を表す模式的なグラフである。

【図11】第２の実施形態における積層セラミックコンデンサの方向識別装置の要部を表す模式的側面図である。

【図12】第３の実施形態における積層セラミックコンデンサの方向識別装置の要部を表す模式的側面図である。

【図13】第４の実施形態における積層セラミックコンデンサの方向識別装置を表す模式的側面図である。

【図14】第５の実施形態における積層セラミックコンデンサの方向識別装置を表す模式的側面図である。

【図15】実験例における磁束密度の最大値のヒストグラムである。

【図16】実験例における磁束密度の積分値のヒストグラムである。

【図17】第６の実施形態における積層セラミックコンデンサの方向識別装置の模式的平面図である。

【図18】図１７の方向識別装置の要部断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0021】

以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。

【0022】

また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。

【0023】

本実施形態では、図４及び図５に示される積層セラミックコンデンサ１の方向識別方法について説明する。まずは、識別対象となる積層セラミックコンデンサ１の構成について説明する。

【0024】

（積層セラミックコンデンサ１の構成）
図４及び図５に示されるように、積層セラミックコンデンサ１は、セラミック素体１０を備えている。セラミック素体１０は、略直方体状である。具体的には、セラミック素体１０は、正四角柱状である。セラミック素体１０は、第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂと、第１及び第２の側面１０ｃ，１０ｄと、第１及び第２の端面１０ｅ，１０ｆ（図５を参照）とを有する。第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂは、それぞれ、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びている。第１の主面１０ａと第２の主面１０ｂとは、互いに平行である。第１及び第２の側面１０ｃ，１０ｄは、それぞれ、長さ方向Ｌ及び厚み方向Ｔに沿って延びている。第１の側面１０ｃと第２の側面１０ｄとは、互いに平行である。第１及び第２の端面１０ｅ，１０ｆは、それぞれ、幅方向Ｗ及び厚み方向Ｔに沿って延びている。第１の端面１０ｅと第２の端面１０ｆとは互いに平行である。

【0025】

セラミック素体１０の長さ方向Ｌに沿った寸法は、０．４ｍｍ〜２．０ｍｍであることが好ましく、０．６ｍｍ〜１．０ｍｍであることがより好ましい。セラミック素体１０の幅方向Ｗに沿った寸法は、０．２ｍｍ〜１．２ｍｍであることが好ましく、０．３ｍｍ〜０．５ｍｍであることがより好ましい。セラミック素体１０の厚み方向Ｔに沿った寸法は、０．２ｍｍ〜１．２ｍｍであることが好ましく、０．３ｍｍ〜０．５ｍｍであることがより好ましい。長さ方向Ｌに沿った寸法が１．０ｍｍ以下で、幅方向Ｗおよび厚み方向Ｔに沿った寸法が０．５ｍｍ以下である方が好ましいのは、このようなサイズ以下の小型品の場合に特に磁束密度の測定位置が積層セラミックコンデンサの中心位置から変化しやすいからである。また、長さ方向Ｌに沿った寸法が０．６ｍｍ以上で、幅方向Ｗおよび厚み方向Ｔに沿った寸法が０．３ｍｍ以上である方が好ましいのは、内部電極の密度が高いものの方が磁束密度による方向識別が行いやすいからである。同様の理由で、静電容量が１μＦ以上の積層セラミックコンデンサが本発明に適している。

【0026】

セラミック素体１０は、例えば、誘電体セラミックを主成分とする材料により構成することができる。誘電体セラミックの具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、ＣａＺｒＯ_３などが挙げられる。セラミック素体１０には、例えば、Ｍｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分を適宜添加してもよい。

【0027】

なお、「略直方体」には、角部や稜線部が面取りされた直方体や、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。

【0028】

図５に示されるように、セラミック素体１０の内部には、複数の内部電極１１，１２が設けられている。複数の内部電極１１，１２は、厚み方向Ｔに沿って積層されている。各内部電極１１，１２は、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに平行に設けられている。セラミック素体１０の内部において、内部電極１１と内部電極１２とは、厚み方向Ｔに沿って交互に設けられている。厚み方向Ｔにおいて隣り合う内部電極１１，１２間には、セラミック部１５が配されている。すなわち、厚み方向Ｔにおいて隣り合う内部電極１１，１２は、セラミック部１５を介して対向している。

【0029】

内部電極１１は、第１の端面１０ｅに引き出されている。第１の端面１０ｅの上には、外部電極１３が設けられている。外部電極１３は、内部電極１１と電気的に接続されている。

【0030】

内部電極１２は、第２の端面１０ｆに引き出されている。第２の端面１０ｆの上には、外部電極１４が設けられている。外部電極１４は、内部電極１２と電気的に接続されている。

【0031】

内部電極１１，１２は、Ｎｉなどの磁性材料により構成することができる。

【0032】

外部電極１３，１４は、例えば、Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ合金などの適宜の導電材料により構成することができる。

【0033】

図２及び図３に示されるように、積層セラミックコンデンサ１は、テーピング積層セラミックコンデンサ連２を構成している。テーピング積層セラミックコンデンサ連２は、テーピング２０を有する。テーピング２０は、長手方向に沿って間隔をおいて設けられた直方体状の複数の収容室２１を有する。複数の収容室２１のそれぞれに積層セラミックコンデンサ１が収容されている。平面視において、収容室２１は、積層セラミックコンデンサ１よりも大きい。従って、収容室２１内において、積層セラミックコンデンサ１は、面方向に変位可能である。収容室２１内における積層セラミックコンデンサ１の位置が収容室２１ごとに変化すれば、磁束密度計測における積層セラミックコンデンサの中心位置からの変化量も収容室２１ごとに変化することになる。

【0034】

なお、積層セラミックコンデンサ１は、図４に示されるような２端子型の積層セラミックコンデンサの他に、側面電極を備える３端子ないし多端子型の積層セラミックコンデンサであってもよい。

【0035】

（積層セラミックコンデンサ方向識別装置３の構成）
積層セラミックコンデンサ方向識別装置３（以下、単に「識別装置３」とする。）は、積層セラミックコンデンサ１における複数の内部電極１１，１２の積層方向を識別するための装置である。以下、本明細書において、「積層セラミックコンデンサ１における複数の内部電極１１，１２の積層方向」を、「積層セラミックコンデンサ１の積層方向」、あるいは簡潔に「積層方向」と記載する。

【0036】

図１に示されるように、識別装置３は、磁気発生装置３１と、磁束密度計測器３２とを備える。磁束密度計測器３２は、磁気発生装置３１において発生した磁束密度を検出可能なように配置されている。磁束密度計測器３２は、磁気発生装置３１から発生した磁束密度を計測する。詳細には、磁束密度計測器３２は、１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ程度の間隔で磁束密度の測定を連続して行う。

【0037】

識別装置３は、搬送装置３５をさらに備える。搬送装置３５は、磁気発生装置３１と磁束密度計測器３２との間を、積層セラミックコンデンサ１を通過させる。具体的には、搬送装置３５は、第１のロール３３と、第２のロール３４とを有する。第１のロール３３には、テーピング積層セラミックコンデンサ連２が巻き取られており、この第１のロール３３からテーピング積層セラミックコンデンサ連２が送り出される。磁気発生装置３１と、磁束密度計測器３２との間を通過したテーピング積層セラミックコンデンサ連２は、第２のロール３４により巻き取られる。

【0038】

磁束密度計測器３２は、少なくとも積層セラミックコンデンサ１の通過時における磁束密度の変化を計測する。磁束密度計測器３２は、計測結果を、識別部３６に出力する。識別部３６は、磁束密度計測器３２から出力された磁束密度の計測結果に基づいて積層セラミックコンデンサ１の積層方向を識別する。識別部３６は、この積層方向の識別をテーピング積層セラミックコンデンサ連２中に相互に間隔をおいて一列に配された複数の積層セラミックコンデンサ１に対して順に行っていく。

【0039】

積層セラミックコンデンサ１の製造に際しては、まず、積層セラミックコンデンサ１を作製する。次に、作製した積層セラミックコンデンサ１をテーピング２０内に収容し、テーピング積層セラミックコンデンサ連２を作製する。次に、テーピング積層セラミックコンデンサ連２に収容された積層セラミックコンデンサ１の積層方向を識別する。その結果、例えば、積層セラミックコンデンサ１の整列率を確認したり、所望でない積層方向積層セラミックコンデンサ１が検出された場合は、その積層セラミックコンデンサ１にマーキングを施したり、除外したりする。

【0040】

（方向識別方法）
次に、識別部３６が行う積層セラミックコンデンサ１の方向識別方法について説明する。なお、以下の説明において、積層方向が磁束の方向と垂直であるものを「水平品」（積層セラミックコンデンサとしては収容室２１の底面に対して内部電極が水平方向であるため）とし、平行であるものを「垂直品」（積層セラミックコンデンサとしては収容室２１の底面に対して内部電極が垂直方向であるため）とする。

【0041】

まず、本実施形態における方向識別方法の原理について、図６〜図８を参照しながら説明する。例えば、図６に示されるように、磁気発生装置３１と磁束密度計測器３２との間に積層セラミックコンデンサ１が位置していない状態のときは、磁束密度計測器３２を通過する磁力線Ｌの間隔が最も広くなり、言い換えると、単位面積あたりの磁力線Ｌの本数が少なくなり、磁束密度としては低い値となる。

【0042】

図７及び図８に示されるように、磁気発生装置３１と磁束密度計測器３２との間に積層セラミックコンデンサ１が位置している場合は、積層セラミックコンデンサ１が位置していない場合よりも磁束密度計測器３２を通過する磁力線Ｌの間隔が狭くなる。磁気発生装置３１と磁束密度計測器３２との間に積層セラミックコンデンサ１が位置している場合は、積層セラミックコンデンサ１が位置していない場合よりも単位面積あたりの磁力線Ｌの本数が多くなる。図８に示される積層方向が磁束の方向と平行（コンデンサとしては底面に対して内部電極が垂直方向）であるときのほうが、図７に示される垂直（コンデンサとしては底面に対して内部電極が水平方向）であるときよりも、磁束密度計測器３２を通過する磁力線Ｌの間隔が狭くなる。図８に示される積層方向が磁束の方向と平行であるときのほうが、単位面積あたりの磁力線Ｌの本数が多くなる。

【0043】

従って、図９に示されるように、積層方向が磁束の方向と平行であるときのほうが、垂直であるときよりも、計測される磁束密度が高くなる。また、図１０に示されるように、積層方向が磁束の方向と平行であるときのほうが、垂直であるときよりも、計測される磁束密度の積分値が高くなる。

【0044】

よって、例えば、計測された磁束密度の最大値に基づいて、積層セラミックコンデンサ１の積層方向を識別することができる。例えば、計測された磁束密度の積分値に基づいて、積層セラミックコンデンサ１の積層方向を識別することができる。

【0045】

積層セラミックコンデンサ１の積層方向をより正確に識別する観点からは、計測された磁束密度の積分値に基づいて、積層方向を識別することが好ましい。水平品の最大磁束密度Ｄ１と、垂直品の最大磁束密度Ｄ２との差Δｄ１（Ｄ２−Ｄ１）（図９を参照）よりも、水平品の磁束密度の積分値Ｄ３と、垂直品の磁束密度の積分値Ｄ４との差Δｄ２（Ｄ４−Ｄ３）（図１０を参照）の方が大きい。従って、Δｄ１に基づいて積層セラミックコンデンサ１の方向を識別するよりも、Δｄ２に基づいて積層セラミックコンデンサ１の方向を識別する方が識別精度を向上することができる。例えば、積層セラミックコンデンサ１の検出時における位置がばらつくことにより、磁束密度の最大値がばらついた場合であっても、磁束密度の積分値を用いることにより、積層セラミックコンデンサ１の積層方向を正確に識別することができる。

【0046】

また、磁束密度の積分値を用いて積層セラミックコンデンサ１の積層方向を識別する場合、磁束密度の最大値を検出する必要がない。このため、磁気発生装置３１と磁束密度計測器３２との間の距離を長くし得る。従って、積層セラミックコンデンサ１の磁束密度計測時における積層セラミックコンデンサ１の位置ばらつきに伴う方向識別性度の低下を抑制することができる。

【0047】

特に、内部電極１１，１２の積層枚数が少ない場合には、Δｄ１が小さくなりやすく、Δｄ２とΔｄ１との差（Δｄ２−Δｄ１）が大きくなりやすい。よって、内部電極１１，１２の積層枚数が少ない場合には、磁束密度の最大値を用いるよりも、磁束密度の積分値を用いて積層方向を識別を行うことが好ましい。具体的には、内部電極１１，１２の積層枚数が、１００枚以下である積層セラミックコンデンサ１により好適である。

【0048】

以下、本発明の好ましい実施形態の他の例について説明する。以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。

【0049】

（第２の実施形態）
第１の実施形態では、テーピング積層セラミックコンデンサ連２に収容された積層セラミックコンデンサ１に対して計測工程を行う例について説明した。但し、本発明は、これに限定されない。

【0050】

例えば、図１１に示されるように、磁気発生装置３１と磁束密度計測器３２との間を、搬送装置４１によりテーピングに収容されていない積層セラミックコンデンサ１を搬送しながらその積層方向を識別してもよい。積層セラミックコンデンサ１を、磁気発生装置３１と、磁束密度計測器３２との間を通過させた後に、積層セラミックコンデンサ１を回転させて積層方向を揃えてもよく、所望でない積層方向の積層セラミックコンデンサ１を取り除いてもよい。

【0051】

（第３の実施形態）
図１２は、第３の実施形態における積層セラミックコンデンサの方向識別装置の要部を表す模式的側面図である。本実施形態では、搬送路４２に磁気発生装置３１と磁束密度計測器３２とが設けられている。搬送路４２には、リニアフィーダー等のフィーダーにより複数の積層セラミックコンデンサ１が一列に（一の方向に沿って）供給される。積層方向が不適切であると判断された積層セラミックコンデンサ１は、ブロー孔４３から噴出される気体により搬送路４２から搬送路４４に吹き飛ばされる。吹き飛ばされた積層セラミックコンデンサ１は、搬送路４４を経由して、回収又は廃棄される。

【0052】

搬送路４２を搬送された積層セラミックコンデンサ１は、例えば、テーピング収容機によりテーピングに収容されていってもよいし、例えば、実装機により実装基板等に実装されていってもよい。

【0053】

（第４の実施形態）
図１３は、第４の実施形態における積層セラミックコンデンサの方向識別装置を表す模式的側面図である。第４の実施形態における方向識別装置は、テーピング電子部品連の製造装置の一部を構成している。

【0054】

本実施形態において、テーピング電子部品連の製造装置には、ボールフィーダー５０が設けられている。ボールフィーダー５０には、複数の積層セラミックコンデンサ１が収容されている。ボールフィーダー５０は、振動することによりリニアフィーダー５１に電子部品を順次供給する。

【0055】

リニアフィーダー５１は、振動により供給された積層セラミックコンデンサ１を搬送する。リニアフィーダー５１は、搬送機構５２に積層セラミックコンデンサ１を供給する。搬送機構５２は、積層セラミックコンデンサ１をキャリアテープ５３まで搬送する。搬送機構５２は、中心軸Ｃを中心として回転する円板状の搬送テーブル５４を有する。具体的には、本実施形態では、円形のローターである搬送テーブル５４は、中心軸Ｃを中心として時計回りに回転する。搬送テーブル５４は、複数の凹部（収容部）５４ａを備えている。複数の凹部５４ａは、円形のローターの外周に沿って相互に間隔をおいて一列に設けられている。搬送テーブル５４の凹部５４ａには、ポジションＰ１において、リニアフィーダー５１から積層セラミックコンデンサ１が振り込まれる。ポジションＰ１において凹部５４ａに振り込まれた積層セラミックコンデンサ１は、搬送テーブル５４が回転することにより、中心軸Ｃを中心として周方向に沿って搬送される。積層セラミックコンデンサ１は、ポジションＰ３まで搬送される。積層セラミックコンデンサ１は、ポジションＰ３において搬送テーブル５４からキャリアテープ５３の収容室５３ａに収容される。 搬送経路において、ポジションＰ１とポジションＰ３の間に位置するポジションＰ２には、方向識別装置５５が設けられている。方向識別装置５５は、磁気発生装置３１と磁束密度計測器３２とを備えている。この方向識別装置５５において積層セラミックコンデンサ１の積層方向が識別される。積層セラミックコンデンサ１を、磁気発生装置３１と、磁束密度計測器３２との間を通過させた後に、積層セラミックコンデンサ１を回転させて積層方向を揃えてもよく、所望でない積層方向の積層セラミックコンデンサ１を取り除いてもよい。

【0056】

本実施形態においても、テーピングに収容前に方向を識別することができる。

【0057】

（第５の実施形態）
図１４は、第５の実施形態における積層セラミックコンデンサの方向識別装置を表す模式的側面図である。

【0058】

図１４に示される方向識別装置は、例えば、実装基板６１に実装するためのマウンター６０を介して配された磁気発生装置３１と磁束密度計測器３２とを備えていてもよい。この場合、実装前に積層セラミックコンデンサ１の積層方向を判別することができる。なお、マウンター６０は、例えば、吸着ノズルを備えていてもよい。

【0059】

（実験例）
下記の設計パラメータを有する積層コンデンサを１５０個用意した。そして、水平品とした状態で、磁束密度の最大値を測定し、その後、垂直品とした後に、磁束密度の最大値を測定した。結果を、図１５に示す。水平品とした状態で、磁束密度の積分値を測定し、その後、垂直品とした後に、磁束密度の最大値を測定した。結果を、図１６に示す。なお、図１５及び図１６のそれぞれにおいて、縦軸は、頻度を示し、横軸が磁束密度を示す。

【0060】

図１５に示される結果から、磁束密度の最大値を計測した場合は、水平品と垂直品とで磁束密度の差が生じにくい場合があることが分かる。一方、磁束密度の積分値を計測した場合は、水平品と垂直品とで磁束密度の差が生じやすいことが分かる。この結果から、磁束密度の積分値を用いることで積層セラミックコンデンサの方向を正確に識別できることが分かる。

【0061】

積層セラミックコンデンサの大きさ：１ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍ
内部電極：ニッケルを主成分とする電極
内部電極の積層枚数：４０枚
静電容量：０．１μＦ
（第６の実施形態）
図１７は、第６の実施形態における積層セラミックコンデンサ１の方向識別装置を表す模式的平面図である。

【0062】

図１７に示されるように、リニアフィーダー５１は、搬送機構５２に積層セラミックコンデンサ１を供給する。搬送機構５２は、積層セラミックコンデンサ１をキャリアテープ５３まで搬送する。搬送機構５２は、中心軸Ｃを中心として回転する円板状の搬送テーブル５４と搬送テーブル５４が配される搬送ステージ７１（図１８を参照）を備える。図１７に示されるように、リニアフィーダー５１には、磁気を発生させる磁気発生装置７０が設けられ、この磁気発生装置７０の前を積層セラミックコンデンサ１が通過することにより積層セラミックコンデンサ１が磁化する。磁気発生装置７０は、積層セラミックコンデンサ１を磁力で回転させることにより、内部電極１１，１２の向きを揃える機能を兼ね備えている。

【0063】

搬送テーブル５４は、外周面に複数の凹部５４ａを備え、複数の凹部５４ａは、搬送テーブル５４の周方向に沿って等間隔を置いて設けられている。複数の凹部５４ａは、それぞれ、搬送テーブル５４の外周面から中心軸Ｃに向かって延びるとともに、搬送テーブル５４の一方主面から他方主面まで貫通している。図１８に示されるように、搬送テーブル５４は搬送ステージ７１の上に設けられており、この搬送ステージ７１により凹部５４ａの下側が塞がれている。

【0064】

図１７に示されるように、ポジションＰ１１からポジションＰ１６までの搬送経路に位置するポジションＰ１２には、静電容量測定部７５が配されている。この静電容量測定部７５において、凹部５４ａに収容されている積層セラミックコンデンサ１の静電容量が測定される。測定された積層セラミックコンデンサ１の静電容量は、制御部７３に出力される。

【0065】

ポジションＰ１２とポジションＰ１６の間に位置するポジションＰ１３には、方向識別装置５５を構成している磁束密度計測部が設けられている。磁束密度計測部は、積層セラミックコンデンサ１の積層方向を識別するために、積層セラミックコンデンサ１が通過する際の磁束密度を計測する。図１８に示されるように、磁束密度計測部は、磁気発生装置５５ａと磁束密度計測器５５ｂとを有する。磁気発生装置５５ａは、磁束密度計測器５５ｂと対向している。搬送機構５２により搬送されている積層セラミックコンデンサ１は、磁気発生装置５５ａと磁束密度計測器５５ｂとの間を通過する。磁気発生装置５５ａと磁束密度計測器５５ｂとの間には、積層セラミックコンデンサ１を搬送する搬送テーブル５４と搬送ステージ７１とが位置している。

【0066】

積層方向が磁気発生装置５５ａと磁束密度計測器５５ｂとの配列方向に対して垂直であるときと平行であるときとでは、磁気発生装置５５ａから積層セラミックコンデンサ１を通過して磁束密度計測器５５ｂに至る磁束の密度が異なる。このため、積層セラミックコンデンサ１が磁気発生装置５５ａと磁束密度計測器５５ｂとの間を通過するときの磁束密度を磁束密度計測器５５ｂによって検出することにより、積層セラミックコンデンサ１の積層方向を識別することができる。磁束密度計測器５５ｂは、検出した磁束密度を制御部７３に出力する。制御部７３は、測定された磁束密度を適宜演算処理し、たとえば上述の磁束密度の積分値を求める。

【0067】

積層セラミックコンデンサ１の積層方向をより確実に識別する観点からは、搬送テーブル５４が、ステンレス鋼、アルミニウム、プラスチック、セラミックス等の非磁性体により構成されていることが好ましい。また、搬送ステージ７１が、ステンレス鋼、アルミニウム、プラスチック、セラミックス等の非磁性体により構成されていることが好ましい。なかでも、搬送テーブル５４及び搬送ステージ７１は、それぞれ、耐摩耗性にも優れているジルコニアにより構成されていることがより好ましい。これらの場合には、積層セラミックコンデンサ１を通過した磁束の密度をより高精度に測定できる。

【0068】

図１７に示されるように、搬送経路においてポジションＰ１３とポジションＰ１６との間に位置するポジションＰ１４には、撮像部７２が設けられている。撮像部７２は、積層セラミックコンデンサ１を上方から撮像する。撮像した画像は、制御部７３に出力される。

【0069】

搬送経路においてポジションＰ１４とポジションＰ１６との間に位置するポジションＰ１５には、選別部７４が設けられている。選別部７４は、制御部７３に接続され、制御部７３の指示に基づいて積層セラミックコンデンサ１を選別する。具体的には、制御部７３は、静電容量測定部７５から出力された静電容量が、予め定められた静電容量の範囲（静電容量の規格）内にあるか否かを判断する。また、制御部７３は、磁束密度に基づいて特定された積層方向が、予め定められた方向と一致しているか否かを判断する。制御部７３は、撮像部７２から出力された画像に基づいて、積層セラミックコンデンサ１に外観不良が存するか否かを判断する。制御部７３は、上記３つの条件のうちのひとつでも満たさない積層セラミックコンデンサ１を不良品と認定し、除去する。

【0070】

本実施形態における静電容量測定部７５、磁束密度計測部（方向識別装置５５）、撮像部７２、選別部７４の配置について、より具体的に説明する。搬送テーブル５４は、一定の間隔をおいて回転運動と停止を繰り返す、いわゆる間歇動作をする。静電容量測定部７５、撮像部７２、選別部７４の位置は、搬送テーブル５４の停止時における凹部５４ａの位置と重なる。一方、磁束密度計測部の位置は、搬送テーブル５４の回転運動時に凹部５４ａが通過する位置と重なる。すなわち、静電容量測定部７５、撮像部７２、選別部７４の位置と凹部５４ａの位置とがそれぞれ重なるとき、磁束密度計測部（方向識別装置５５）の位置と凹部５４ａの位置が重ならない。逆に、磁束密度計測部（方向識別装置５５）の位置と凹部５４ａの位置が重なるとき、静電容量測定部７５、撮像部７２、選別部７４の位置と凹部５４ａの位置とがそれぞれ重ならない。なお、静電容量測定部７５、撮像部７２、選別部７４、磁束密度計測部の位置と凹部５４ａの位置が重なるとは、搬送テーブル５４の円周方向において、静電容量測定部７５、撮像部７２、選別部７４、磁束密度計測部の中心が、いずれかの凹部５４ａの一部と重なることを意味する。

【0071】

たとえば、搬送テーブル５４にＮ個の凹部５４ａが等間隔で配置され、搬送テーブル５４は（３６０／Ｎ）度の回転運動と停止を繰り返す場合、静電容量測定部７５、撮像部７２、選別部７４の位置は、互いに、搬送テーブル５４の回転中心に対して（３６０／Ｎ）度の整数倍ずれている。一方、磁束密度計測部の位置は、静電容量測定部７５、撮像部７２、選別部７４の配置に対して（３６０／Ｎ）度の整数倍ずれた位置とは異なる。

【0072】

これまで説明してきた第１、第２、第３および第４の実施形態にいずれの形態においても、隣り合う積層セラミックコンデンサ１の間隔は、積層方向の識別精度に影響する。積層方向は、積層セラミックコンデンサ１が磁束密度計測部を通過する際の磁束密度の変化を捉えて、識別される。したがって、隣り合う積層セラミックコンデンサ１の間隔が狭すぎると、磁束密度が隣の積層セラミックコンデンサ１の影響を受け、積層方向の識別精度が低下する。したがって、隣り合う積層セラミックコンデンサ１の間隔を、通過方向における磁気発生装置５５ａの寸法の１／２以上とすることが好ましい。あるいは、隣り合う積層セラミックコンデンサ１の間隔を、通過方向における積層セラミックコンデンサ１の寸法以上とすることが好ましい。

【符号の説明】

【0073】

１ 積層セラミックコンデンサ
２ テーピング積層セラミックコンデンサ連
３ 積層セラミックコンデンサ方向識別装置
１０ セラミック素体
１０ａ 第１の主面
１０ｂ 第２の主面
１０ｃ 第１の側面
１０ｄ 第２の側面
１０ｅ 第１の端面
１０ｆ 第２の端面
１１，１２ 内部電極
１３，１４ 外部電極
１５ セラミック部
２０ テーピング
２１，５３ａ 収容室
３１ 磁気発生装置
３２ 磁束密度計測器
３３ 第１のロール
３４ 第２のロール
３５，４１ 搬送装置
３６ 識別部
４２，４４ 搬送路
４３ ブロー孔
５０ ボールフィーダー
５１ リニアフィーダー
５２ 搬送機構
５３ キャリアテープ
５４ 搬送テーブル
５４ａ 凹部
５５ 方向識別装置
５５ａ 磁気発生装置
５５ｂ 磁束密度計測器
６０ マウンター
６１ 実装基板
７１ 搬送ステージ
７２ 撮像部
７３ 制御部
７４ 選別部
７５ 静電容量測定部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】