特許 6241541 電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6241541

(24)【登録日】2017年11月17日

(45)【発行日】2017年12月6日

(54)【発明の名称】電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01F 27/29 20060101AFI20171127BHJP

   H01G 4/232 20060101ALI20171127BHJP

   H01G 4/30 20060101ALI20171127BHJP

   H01C 7/02 20060101ALI20171127BHJP

   H01C 7/04 20060101ALI20171127BHJP

【ＦＩ】

   H01F15/10 C

   H01G4/12 352

   H01G4/30 301C

   H01G4/30 301F

   H01C7/02

   H01C7/04

【請求項の数】13

【全頁数】18

(21)【出願番号】特願2016-510291(P2016-510291)

(86)(22)【出願日】2015年3月20日

(86)【国際出願番号】JP2015058398

(87)【国際公開番号】WO2015146814

(87)【国際公開日】20151001

【審査請求日】2016年9月7日

(31)【優先権主張番号】特願2014-65453(P2014-65453)

(32)【優先日】2014年3月27日

(33)【優先権主張国】JP

(31)【優先権主張番号】特願2014-116493(P2014-116493)

(32)【優先日】2014年6月5日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100085143

【弁理士】

【氏名又は名称】小柴 雅昭

(72)【発明者】

【氏名】長田 孝則

(72)【発明者】

【氏名】高橋 篤史

【審査官】 久保田 昌晴

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１０−２１５２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−４３３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−６７０２６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１２／０８６３９７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１３−４５６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−１８６９０２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｆ １７／００−１９／０８、２７／２９、３０／００−３８／１２

Ｈ０１Ｆ ３８／１６、３８／４２、４１／１０

Ｈ０１Ｇ ４／２２８−４／２５２、４／３０

Ｈ０１Ｃ １／１４−１／１４８、７／００−７／２２、１７／２８

Ｃ２５Ｄ ５／００−９／１２、１３／００−２１／２２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

電子部品素体と、
前記電子部品素体の外表面の複数箇所に露出するように形成された下地電極と、
前記下地電極をめっき成長の起点となるシード電極として、前記電子部品素体の前記外表面上に電解めっきによって形成されためっき膜を含む、外部電極と、
を備え、
前記下地電極は、下地主電極と下地副電極とに分類され、前記下地副電極は、前記めっき膜の特定の端縁に沿って位置し、前記下地主電極は、前記下地副電極に比べて、前記めっき膜の前記特定の端縁からより離れて位置しており、
前記めっき膜が形成される前の段階において、前記下地主電極は電気的に共通接続された状態にあり、かつ、前記下地主電極と前記下地副電極とは互いに電気的に接続されていない状態にあり、
前記下地副電極の、前記電子部品素体の外表面への露出面積は、共通接続された前記下地主電極の、前記電子部品素体の外表面への露出面積よりも小さくされている、
電子部品。

【請求項2】

前記電子部品素体は、４つの側面ならびに前記４つの側面の各々に直交する２つの端面で前記外表面が規定された直方体形状を有し、
前記下地電極は、前記電子部品素体の前記２つの端面に露出するようにそれぞれ形成された、端面下地電極と、前記電子部品素体の少なくとも１つの前記側面に露出するように形成された、複数の側面下地電極と、を備え、
前記めっき膜は、前記端面下地電極および複数の前記側面下地電極をめっき成長の起点となるシード電極として、前記電子部品素体の前記２つの端面上ならびに前記２つの端面の各々から少なくとも１つの前記側面にまで延びるように形成され、
前記下地主電極は、前記側面下地電極のうち、前記めっき膜の前記特定の端縁からより離れて位置する第１の側面下地電極と、前記端面下地電極と、によって与えられ、
前記下地副電極は、前記側面下地電極のうち、前記めっき膜の前記特定の端縁に沿って位置する第２の側面下地電極によって与えられる、
請求項１に記載の電子部品。

【請求項3】

前記第１および第２の側面下地電極は、４つの前記側面を周回するように形成されている、請求項２に記載の電子部品。

【請求項4】

前記第１および第２の側面下地電極は、前記端面に対して平行に延びるように形成される、請求項２または３に記載の電子部品。

【請求項5】

互いに平行に延びる複数の前記第１の側面下地電極を備える、請求項４に記載の電子部品。

【請求項6】

前記第１の側面下地電極は、前記電子部品素体の内部を経由して前記端面下地電極に電気的に接続されている、請求項２ないし５のいずれかに記載の電子部品。

【請求項7】

前記第１の側面下地電極は、前記電子部品素体の外表面を経由して前記端面下地電極に電気的に接続されている、請求項２ないし５のいずれかに記載の電子部品。

【請求項8】

前記第１の側面下地電極は、前記電子部品素体の外表面上において、前記端面下地電極から一体的に延びるように、前記側面上に形成されている、請求項２または３に記載の電子部品。

【請求項9】

前記電子部品素体は、４つの側面ならびに前記４つの側面の各々に直交する２つの端面で前記外表面が規定された直方体形状を有し、
前記下地電極は、前記電子部品素体の少なくとも１つの前記側面に露出するように形成された、複数の側面下地電極を備え、
前記めっき膜は、複数の前記側面下地電極をめっき成長の起点となるシード電極として、前記電子部品素体の少なくとも１つの前記側面上に形成され、
前記下地主電極は、前記側面下地電極のうち、前記めっき膜の前記特定の端縁からより離れて位置する第１の側面下地電極によって与えられ、
前記下地副電極は、前記側面下地電極のうち、前記めっき膜の前記特定の端縁に沿って位置する第２の側面下地電極によって与えられる、
請求項１に記載の電子部品。

【請求項10】

前記第１および第２の側面下地電極は、１つの前記側面にのみ露出するように形成されている、請求項９に記載の電子部品。

【請求項11】

前記側面下地電極の、前記側面への露出部は、前記特定の端縁に沿って延びる互いに平行な複数の線分状露出部によって与えられ、前記第２の側面下地電極の線分状露出部の長手方向寸法は、前記第１の側面下地電極の線分状露出部の長手方向寸法より大きくされる、請求項１０に記載の電子部品。

【請求項12】

前記第１および第２の側面下地電極は、隣り合う２つの前記側面にわたって露出するように形成されている、請求項９に記載の電子部品。

【請求項13】

前記電子部品素体の内部に設けられ、前記外部電極に電気的に接続された、内部導体をさらに備える、請求項１ないし１２のいずれかに記載の電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

この発明は、電子部品に関するもので、特に、外部電極の少なくとも一部が電解めっきによって形成された電子部品に関するものである。

【背景技術】

【0002】

図１２および図１３には、この発明にとって興味ある電子部品１が、それぞれ、斜視図および断面図で示されている。電子部品１は、チップ状の電子部品素体２を備えている。電子部品素体２は、外形が４つの側面３、４、５および６ならびに２つの端面７および８で規定される直方体形状を有している。

【0003】

電子部品素体２の内部には、電子部品１の機能に応じた形態の内部導体が設けられる。ここでは、電子部品１として、コイル部品が例示される。よって、図１３に示すように、電子部品素体２の内部には、コイル導体９が設けられる。なお、図１３では、コイル導体９は記号的な表示をもって省略的に図示されている。また、電子部品１がコイル部品である場合、電子部品素体２は、たとえばＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトのような磁性体セラミックから構成され、詳細には図示されないが、複数のセラミック層１０によって与えられる積層構造を有している。この積層構造の積層方向は、図１３における左右方向に向けられる。

【0004】

電子部品素体２上には、上述したコイル導体９に電気的に接続される外部電極１１および１２が形成される。外部電極１１および１２の各々の少なくとも一部、すなわち、図示の例では、外部電極１１および１２の各々の表面層は、電解めっきによって形成されるめっき膜１３および１４によって与えられる。このようなめっき膜１３および１４の形成のため、たとえば、特開平１１-６７５５４号公報（特許文献１）に記載されるように、めっき成長の起点となるシード電極がめっき膜１３および１４の下地を構成するように形成されている。

【0005】

シード電極としては、電子部品素体２の端面７および８上に形成された端面下地電極１５および１６、ならびに、側面３〜６において端面７および８に対してそれぞれ平行に延びるように形成された各々複数の側面下地電極１７および１８がある。

【0006】

端面下地電極１５および１６は、導電性ペーストを端面７および８上に塗布し、これを焼き付けることによって形成される。

【0007】

側面下地電極１７および１８は、たとえば、電子部品素体２の積層構造を与える複数のセラミック層１０となるべき複数のセラミックグリーンシートの特定のものに、側面下地電極１７および１８となるべき導電性ペースト膜を印刷しておくことによって、焼成工程を経て得られた電子部品素体２に形成される。

【0008】

また、複数の側面下地電極１７相互間ならびに側面下地電極１７と端面下地電極１５とは、接続用導体１９によって電気的に接続される。同様に、複数の側面下地電極１８相互間ならびに側面下地電極１８と端面下地電極１６とは、接続用導体２０によって電気的に接続される。接続用導体１９および２０は、バレルめっき法によって電解めっきを実施するとき、導電性メディアの接触によるシード電極への電気的導通状態が生じる確率を高めるように作用する。これら接続用導体１９および２０は、たとえば、電子部品素体２の積層構造を与える複数のセラミック層１０となるべき複数のセラミックグリーンシートの特定のものに貫通孔を設け、そこに導電性ペーストを充填することによって形成される。

【0009】

以上のような電子部品１において、外部電極１１および１２の表面層を与えるめっき膜１３および１４の各々の端縁２１および２２の各位置に着目すると、これら端縁２１および２２の各位置は、めっき膜１３および１４の各々が側面３〜６に沿ってどれだけめっき成長したかによって決まる。この側面３〜６に沿うめっき成長の度合い、すなわち、めっき成長寸法Ｌは、めっき成長の始端ではなく、めっき成長の終端が重要である。

【0010】

上述しためっき成長寸法Ｌを決める要素として、電解めっき時に印加される電荷量（電流値×めっき時間）がある。したがって、従来、製造しようとする製品ごとに、目的とするめっき成長寸法Ｌを得るための印加電荷量を設定し、当該製品を製造する間は、この設定された電荷量を印加して電解めっきを実施していた。しかしながら、同一製品でありながら、製品ロットが変わると、めっき成長寸法Ｌも変わるといったばらつきが、製品ロット間で生じることがあった。

【0011】

めっき成長寸法Ｌは、できるだけ、ばらつかないことが望まれる。なぜなら、複数の電子部品１間でのめっき成長寸法Ｌのばらつきは、複数の電子部品１間での特性のばらつきをもたらすことがあるためである。たとえば、電子部品１がコイル部品である場合、めっき成長寸法Ｌが大きすぎると、コイルにより形成される磁束とめっき膜１３および１４との干渉度合いが大きくなり、電子部品１の特性に影響を及ぼすことがある。また、めっき成長寸法Ｌのばらつきは、以下のような外観不良をもたらすことがある。

【0012】

上述しためっき成長寸法Ｌのばらつきは、複数の電子部品１間で生じ得るものに限らない。１つの電子部品１において、めっき成長寸法Ｌがばらついた結果、めっき膜１３および１４の端縁２１および２２の直線性が阻害され、端縁２１および２２が典型的には波状に形成されてしまい、外観不良を招くことがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0013】

【特許文献1】特開平１１-６７５５４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0014】

そこで、この発明の目的は、外部電極の少なくとも一部がバレルめっき法によって形成されるめっき膜によって与えられる場合において、このめっき膜のめっき成長寸法のばらつきを抑制し得る構造を有する電子部品を提供しようとすることである。

【課題を解決するための手段】

【0015】

この発明は、電子部品素体と、電子部品素体の外表面の複数箇所に露出するように形成された下地電極と、下地電極をめっき成長の起点となるシード電極として、電子部品素体の外表面上に電解めっきによって形成されためっき膜を含む、外部電極と、を備える、電子部品に向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。

【0016】

上記下地電極は、下地主電極と下地副電極とに分類される。下地副電極は、めっき膜の特定の端縁に沿って位置し、下地主電極は、下地副電極に比べて、めっき膜の上記特定の端縁からより離れて位置している。

【0017】

また、めっき膜が形成される前の段階において、下地主電極は電気的に共通接続された状態にあり、かつ、下地主電極と下地副電極とは互いに電気的に接続されていない状態にある。

【0018】

さらに、下地副電極の、電子部品素体の外表面への露出面積は、共通接続された下地主電極の、電子部品素体の外表面への露出面積よりも小さくされる。

【0019】

バレルめっき法を実施したとき、電子部品素体の外表面への露出面積がより大きい下地主電極の方が、電子部品素体の外表面への露出面積がより小さい下地副電極に比べて、導電性メディアによる給電の頻度が高い。したがって、下地主電極が与えるめっき成長は、下地副電極が与えるめっき成長に比べて、より促進される。言い換えると、めっき膜の特定の端縁でのめっき成長寸法を決める下地副電極が与えるめっき成長は、より抑制される。

【0020】

この発明の第１の好ましい実施態様では、電子部品素体は、４つの側面ならびに４つの側面の各々に直交する２つの端面で外表面が規定された直方体形状を有し、下地電極は、電子部品素体の２つの端面に露出するようにそれぞれ形成された、端面下地電極と、電子部品素体の少なくとも１つの側面に露出するように形成された、複数の側面下地電極と、を備える。めっき膜は、端面下地電極および複数の側面下地電極をめっき成長の起点となるシード電極として、電子部品素体の２つの端面上ならびに２つの端面の各々から少なくとも１つの側面にまで延びるように形成される。前述した下地主電極は、側面下地電極のうち、めっき膜の特定の端縁からより離れて位置する第１の側面下地電極と、端面下地電極と、によって与えられ、下地副電極は、側面下地電極のうち、めっき膜の特定の端縁に沿って位置する第２の側面下地電極によって与えられる。

【0021】

上記第１および第２の側面下地電極は、典型的には、４つの側面を周回するように形成されている。

【0022】

好ましくは、第１および第２の側面下地電極は、端面に対して平行に延びるように形成される。

【0023】

上記の場合、めっき成長寸法をより長くするには、互いに平行に延びる複数の第１の側面下地電極を備えることが好ましい。

【0024】

端面下地電極と第１の側面下地電極との電気的接続は、電子部品素体の内部を経由して達成されても、電子部品素体の外表面を経由して達成されてもよい。

【0025】

また、第１の側面下地電極は、電子部品素体の外表面上において、端面下地電極から一体的に延びるように、側面上に形成されていてもよい。

【0026】

この発明の第２の好ましい実施態様では、電子部品素体は、４つの側面ならびに４つの側面の各々に直交する２つの端面で外表面が規定された直方体形状を有し、下地電極は、電子部品素体の少なくとも１つの側面に露出するように形成された、複数の側面下地電極を備える。めっき膜は、複数の側面下地電極をめっき成長の起点となるシード電極として、電子部品素体の少なくとも１つの側面上に形成される。前述した下地主電極は、側面下地電極のうち、めっき膜の特定の端縁からより離れて位置する第１の側面下地電極によって与えられ、下地副電極は、側面下地電極のうち、めっき膜の特定の端縁に沿って位置する第２の側面下地電極によって与えられる。

【0027】

第２の好ましい実施態様において、第１および第２の側面下地電極は、典型的には、１つの側面にのみ露出するように形成されたり、隣り合う２つの側面にわたって露出するように形成されたりする。

【0028】

前者のように、第１および第２の側面下地電極が１つの側面にのみ露出するように形成される場合、好ましくは、側面下地電極の、側面への露出部は、上記特定の端縁に沿って延びる互いに平行な複数の線分状露出部によって与えられ、第２の側面下地電極の線分状露出部の長手方向寸法は、第１の側面下地電極の線分状露出部の長手方向寸法より大きくされる。このような構成により、めっき膜の上記特定の端縁の両端にそれぞれ形成される角部をより鋭利な形態とすることができる。

【0029】

この発明に係る電子部品は、典型的には、電子部品素体の内部に設けられる内部導体をさらに備えている。内部導体は、外部電極に電気的に接続される。

【発明の効果】

【0030】

この発明によれば、外部電極の少なくとも一部となるめっき膜についてのめっき成長の起点となる下地主電極および下地副電極のうち、下地副電極の方が、下地主電極に比べて、露出面積が小さく、かつ、下地副電極がめっき膜の特定の端縁に沿って位置し、下地主電極がめっき膜の特定の端縁からより離れて位置しているので、めっき成長の度合いは、下地主電極より下地副電極の方が低く、よって、めっき成長は下地副電極の位置で抑制される。そのため、めっき成長は、下地副電極の近傍を終端とするように生じさせることが容易となり、その結果、めっき成長寸法のばらつきを抑制することができる。したがって、この発明に係る電子部品において、その特性のばらつきを抑制することができる。

【0031】

また、この発明によれば、めっき成長の終端は下地副電極によって規定され、かつめっき成長が下地副電極の位置で抑制されるので、めっき膜の端縁形状は、下地副電極の形状にほぼ倣うようになる。したがって、下地副電極を直線状に延びる形状とすれば、めっき膜の端縁も、これに倣って直線状に延びる形状とすることが容易である。その結果、外部電極の外観において、良好な形態を得ることができ、よって、当該電子部品の実装性を高めることができる。

【0032】

一方、この発明によれば、露出面積の比較的大きい下地主電極が与えるめっき成長は、下地副電極が与えるめっき成長に比べて、より促進されるので、下地主電極上では、めっき膜を能率的に形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【0033】

【図1】この発明の第１の実施形態による電子部品３１を模式的に示す断面図である。

【図2】図１に示した電子部品３１に備える電子部品素体３２を示す正面図である。

【図3】図２に示した電子部品素体３２に対して、バレルめっき法によって電解めっきを施している状態を図解的に示す正面図である。

【図4】この発明の第２の実施形態による電子部品に備える電子部品素体３２ａを模式的に示す断面図である。

【図5】この発明の第３の実施形態による電子部品に備える電子部品素体３２ｂを模式的に示す断面図である。

【図6】この発明の第４の実施形態による電子部品３１ｃを模式的に示す断面図である。

【図7】この発明の第５の実施形態による電子部品３１ｄを模式的に示す断面図である。

【図8】図７に示した電子部品３１ｄの底面図である。

【図9】この発明の第６の実施形態による電子部品３１ｅを示す正面図である。

【図10】図９に示した電子部品３１ｅの底面図である。

【図11】図９に示した電子部品３１ｅを、図１０の線XI−XIに沿って模式的に示す断面図である。

【図12】この発明にとって興味ある電子部品１の外観を示す斜視図である。

【図13】図１２に示した電子部品１を模式的に示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0034】

図１および図２を参照して、この発明の第１の実施形態による電子部品３１について説明する。図示した電子部品３１は、コイル部品を意図している。

【0035】

電子部品３１は、たとえばＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトのような磁性体セラミックからなるチップ状の電子部品素体３２を備えている。電子部品素体３２は、外形が４つの側面３３、３４、３５および３６（側面３４は図２に示す。側面３６は側面３４の反対側に現れる。）ならびに２つの端面３７および３８で規定される直方体形状を有している。

【0036】

電子部品素体３２は、詳細には図示されないが、複数のセラミック層４０によって与えられる積層構造を有している。この積層構造の積層方向は、図１における左右方向に向けられる。

【0037】

電子部品素体３２の内部には、たとえば、Ａｇ、ＣｕまたはＰｄを導電成分として含むコイル導体３９が設けられる。なお、図１３の場合と同様、図１では、コイル導体３９は記号的な表示をもって省略的に図示されている。コイル導体３９は、全体としてコイル状に延びるもので、実際には、セラミック層４０間に延びるライン状導体と、各ライン導体の端部に接続されながら、セラミック層４０を厚み方向に貫通する層間接続導体と、をもって構成されている。

【0038】

電子部品素体３２上には、外部電極４１および４２が形成される。外部電極４１および４２の少なくとも各一部は、それぞれ、電解めっきによって形成されるめっき膜４３および４４によって与えられる。なお、図示した電子部品３１では、外部電極４１および４２は、それぞれ、めっき膜４３および４４のみから構成されている。めっき膜３３および３４は、たとえば、ＮｉまたはＣｕから構成される。なお、めっき膜が複数のめっき層からなる場合もある。電子部品素体３２には、めっき膜４３および４４の形成のため、めっき成長の起点となるシード電極が形成される。

【0039】

シード電極としては、図１３に示した電子部品素体２の場合と同様、電子部品素体３２の端面３７および３８上に形成された端面下地電極４５および４６、ならびに、側面３３〜３６において端面３７および３８に対してそれぞれ平行に延びるように形成された各々複数の側面下地電極４７および４８がある。

【0040】

端面下地電極４５および４６は、たとえば、ＡｇまたはＣｕを導電成分として含む導電性ペーストを端面３７および３８上に塗布し、これを焼き付けることによって形成される。図示した端面下地電極４５および４６は、端面３７および３８の各全面に形成されているが、全面ではなく、たとえばメッシュ状またはストライプ状に形成されてもよい。前述したコイル導体３９の各端部は、それぞれ、端面下地電極４５および４６と電気的に接続される。

【0041】

側面下地電極４７および４８は、たとえば、電子部品素体３２の積層構造を与える複数のセラミック層４０となるべき複数のセラミックグリーンシートの特定のものに、側面下地電極４７および４８となるべき導電性ペースト膜を印刷しておくことによって、焼成工程を経て得られた電子部品素体３２に形成される。図示した側面下地電極４７および４８は、４つの側面３３〜３６を周回するように形成されている。

【0042】

側面下地電極４７および４８としては、複数の第１の側面下地電極４７ａおよび４８ａと、これら第１の側面下地電極４７ａおよび４８ａよりも端面３７および３８からより離れて位置している、言い換えると、最も内側に位置している第２の側面下地電極４７ｂおよび４８ｂと、がある。

【0043】

端面下地電極４５および４６ならびに側面下地電極４７および４８をもって構成される下地電極４５〜４８は、下地主電極６１および６２と下地副電極６３および６４とに分類される。ここで、下地副電極６３および６４は、それぞれ、めっき膜４３および４４の端縁４３ａおよび４４ａに沿って位置するもので、上述の第２の側面下地電極４７ｂおよび４８ｂがこれに該当する。他方、下地主電極６１および６２は、それぞれ、下地副電極６３および６４に比べて、めっき膜４３および４４の端縁４３ａおよび４４ａからより離れて位置するもので、上述の第１の側面下地電極４７ａおよび４８ａならびに端面下地電極４５および４６がこれに該当する。

【0044】

図１に示すように、第１の側面下地電極４７ａおよび４８ａはそれぞれ複数存在しているが、第２の側面下地電極４７ｂおよび４８ｂはそれぞれ１つずつである。したがって、電子部品素体３２の側面３３、３４、３５および３６に露出している第１の側面下地電極４７ａおよび４８ａの面積は、第２の側面下地電極４７ｂおよび４８ｂの面積よりも大きい。

【0045】

さらに、下地主電極６１および６２ならびに下地副電極６３および６４の各々の露出面積を比較すると、下地主電極６１および６２は、それぞれ、上述の第１の側面下地電極４７ａおよび４８ａに加えて、端面下地電極４５および４６をも含んでいるので、その露出面積は、下地副電極６３および６４の露出面積に比べて、圧倒的に大きい。

【0046】

複数の第１の側面下地電極４７ａ相互間ならびに複数の第１の側面下地電極４７ａと端面下地電極４５とは、少なくとも１つの接続用導体４９によって電気的に接続される。同様に、複数の第１の側面下地電極４８ａ相互間ならびに複数の第１の側面下地電極４８ａと端面下地電極４６とは、少なくとも１つの接続用導体５０によって電気的に接続される。その結果、下地主電極６１および６２の各々は、電気的に共通接続された状態にある。

【0047】

上述の接続用導体４９および５０は、たとえば、電子部品素体３２の積層構造を与える複数のセラミック層４０となるべき複数のセラミックグリーンシートの特定のものに貫通孔を設け、そこに導電性ペーストを充填することによって形成されたビアホール導体によって与えられる。このようにして、端面下地電極４５および４６と第１の側面下地電極４７ａおよび４８ａとのそれぞれの電気的接続ならびに第１の側面下地電極４７ａおよび４８ａの各々相互の電気的接続は、電子部品素体３２の内部を経由して達成される。

【0048】

他方、第２の側面下地電極４７ｂおよび４８ｂによって与えられる下地副電極６３および６４は、それぞれ、めっき膜４３および４４が形成される前の段階では、下地主電極６１および６２に対しては電気的に接続されていない状態にある。

【0049】

上述した側面下地電極４７および４８ならびに接続用導体４９および５０を形成するために用いられる導電性ペーストとしては、たとえば、ＡｇまたはＣｕを導電成分として含むものが用いられる。

【0050】

図３には、電子部品素体３２に対して、バレルめっき法によって電解めっきを施している状態が図解的に示されている。電解液５１が収容されためっき槽５２内には、矢印５３方向に回転するバレル５４が配置される。バレル５４内には、電解めっきの対象となる複数の電子部品素体３２が複数の導電性のメディア５５とともに装填される。電解液５１内には陽極５６が配置され、バレル５４内のメディア５５と接触し得るように、陰極５７が配置される。

【0051】

バレルめっき法によれば、バレル５４が回転することによって、その中の電子部品素体３２およびメディア５５が攪拌され、この攪拌によって、シード電極としての端面下地電極４５および４６ならびに側面下地電極４７および４８へのメディア５５の接触が促進される。そして、メディア５５が接触している間、端面下地電極４５および４６ならびに側面下地電極４７および４８に通電され、これらをシード電極として電解めっきが進行する。

【0052】

前述した外部電極４１および４２を与えるめっき膜４３および４４が有するめっき成長寸法は、図１において、「Ｌ１」で示されている。上述した下地主電極６１および６２ならびに下地副電極６３および６４において採用された露出面積の関係および電気的接続の態様は、めっき成長寸法Ｌ１のばらつき、すなわち、めっき膜４３および４４の端縁４３ａおよび４４ａの位置のばらつきを抑制するように作用する。

【0053】

図３に示すようなバレルめっき法を実施したとき、下地主電極６１および６２の方が、下地副電極６３および６４に比べて、メディア５５による給電の頻度が高い。したがって、下地主電極６１および６２が与えるめっき成長は、下地副電極６３および６４が与えるめっき成長に比べて、より促進される。言い換えると、最も内側に位置する、めっき成長寸法Ｌ１を決める下地副電極６３および６４としての第２の側面下地電極４７ｂおよび４８ｂが与えるめっき成長は、より抑制される。

【0054】

そのため、めっき成長は、第２の側面下地電極４７ｂおよび４８ｂの近傍を、めっき膜４３および４４の端縁４３ａおよび４４ａとするように生じさせることが容易となり、その結果、めっき成長寸法Ｌ１のばらつきを抑制することができる。したがって、このようなめっき工程を経て得られた電子部品３１において、その特性のばらつきを抑制することができる。

【0055】

また、めっき成長の終端は、第２の側面下地電極４７ｂおよび４８ｂによって規定されるので、めっき膜４３および４４の端縁４３ａおよび４４ａの形状は、第２の側面下地電極４７ｂおよび４８ｂの形状に倣うようになる。したがって、第２の側面下地電極４７ｂおよび４８ｂは直線状に延びる形状であるので、めっき膜４３および４４の端縁４３ａおよび４４ａも、これに倣って直線状に延びる形状とすることができる。その結果、外部電極４１および４２の外観において、良好な形態を得ることができ、よって、当該電子部品３１の実装性を高めることができる。

【0056】

一方、下地主電極６１および６２が与えるめっき成長は、下地副電極６３および６４が与えるめっき成長に比べて、より促進されるので、下地主電極６１および６２上では、めっき膜４３および４４を能率的に成長させることができる。

【0057】

次に、図４を参照して、この発明の第２の実施形態について説明する。図４には、電子部品に備える電子部品素体３２ａが模式的に断面図で示されている。図４において、図１または図２に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明を省略する。

【0058】

図４に示した電子部品素体３２ａでは、第１の側面下地電極４７ａおよび４８ａは、それぞれ、電子部品素体３２ａの外表面を経由して端面下地電極４５および４６に電気的に接続されていることを特徴としている。より具体的には、電子部品素体３２ａの外表面に露出する状態で設けられた各々少なくとも１つの接続用導体４９ａおよび５０ａを介して、それぞれ、第１の側面下地電極４７ａおよび４８ａが、端面下地電極４５および４６に電気的に接続され、かつ、第１の側面下地電極４７ａおよび４８ａの各々相互が電気的に接続されている。

【0059】

この第２の実施形態によっても、前述の第１の実施形態の場合と同様の効果が得られる。なお、第２の実施形態では、接続用導体４９ａおよび５０ａによっても、多かれ少なかれ、下地主電極６１および６２の露出面積の増大が図られる。

【0060】

上述の接続用導体４９ａおよび５０ａは、たとえば、次のように形成される。すなわち、分割することにより、複数の電子部品素体３２ａを取り出すことができる電子部品素体の集合体にビアホール導体を設けておき、ビアホール導体を二分するように集合体を分割する。そして、複数の電子部品素体３２ａを取り出したとき、この取り出された電子部品素体３２ａの外表面にビアホール導体を二分した形態の接続用導体４９ａおよび５０ａが形成される。上述のビアホール導体は、電子部品素体の集合体における積層構造を与える複数のセラミック層４０となるべき複数のセラミックグリーンシートの特定のものに貫通孔を設け、そこに導電性ペーストを充填することによって形成され得る。

【0061】

接続用導体４９ａおよび５０ａの形成のため、上述の方法を採用すれば、加工費の低減を期待することができる。

【0062】

次に、図５を参照して、この発明の第３の実施形態について説明する。図５には、電子部品に備える電子部品素体３２ｂが模式的に断面図で示されている。図５において、図１または図２に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明を省略する。

【0063】

図５に示した電子部品素体３２ｂでは、第１の側面下地電極４７ａおよび４８ａは、それぞれ、電子部品素体３２ｂの外表面上において、端面下地電極４５および４６から一体的に延びるように、側面３３〜３６上に形成されていて、それによって、第１の側面下地電極４７ａおよび４８ａが、それぞれ、端面下地電極４５および４６に電気的に接続されていることを特徴としている。このようにして、端面下地電極４５および４６ならびに第１の側面下地電極４７ａおよび４８ａからそれぞれなる下地主電極６１および６２の各々は、一体的な導体膜から構成される。

【0064】

この第３の実施形態によっても、前述の第１の実施形態の場合と同様の効果が得られる。

【0065】

上述の第１の側面下地電極４７ａは、端面下地電極４５とともに、電子部品素体３２ｂ上にディップ法によって付与された導電性ペーストを焼き付けることによって形成され得る。同様に、第１の側面下地電極４８ａは、端面下地電極４６とともに、電子部品素体３２ｂ上にディップ法によって付与された導電性ペーストを焼き付けることによって形成され得る。

【0066】

第１の側面下地電極４７ａおよび４８ａの形成のため、上述の方法を採用すれば、工程数の削減を期待することができる。

【0067】

下地副電極６３および６４となる第２の側面下地電極４７ｂおよび４８ｂの形成方法は、第１の実施形態の場合と同様である。

【0068】

次に、図６を参照して、この発明の第４の実施形態について説明する。図６には、電子部品３１ｃが模式的に断面図で示されている。図６において、図１に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明を省略する。

【0069】

図６に示した電子部品３１ｃに備える電子部品素体３２ｃでは、コイル導体３９の各端部は、それぞれ、複数の第１の側面下地電極４７ａのいずれか、および複数の第１の側面下地電極４８ａのいずれかと電気的に接続される。また、接続用導体４９ａおよび５０ａは、それぞれ、複数の第１の側面下地電極４７ａ相互間および複数の第１の側面下地電極４８ａ相互間を接続するが、端面下地電極４５および４６には接続されない。

【0070】

図６に示した電子部品３１ｃでは、各々複数の第１の側面下地電極４７ａおよび４８ａによって、それぞれ、下地主電極６１および６２が与えられ、第２の側面下地電極４７ｂおよび４８ｂによって、それぞれ、下地副電極６３および６４が与えられる。

【0071】

第１の側面下地電極４７ａおよび４８ａはそれぞれ複数存在しているが、第２の側面下地電極４７ｂおよび４８ｂはそれぞれ１つである。したがって、電子部品素体３２の側面３３、３４、３５および３６に露出している第１の側面下地電極４７ａおよび４８ａの面積は、第２の側面下地電極４７ｂおよび４８ｂの面積よりも大きい。言い換えると、下地主電極６１および６２の露出面積は、下地副電極６３および６４の露出面積より大きい。

【0072】

図６に示した電子部品３１ｃでは、端面下地電極４５および４６は、それぞれ、下地主電極６１および６２とはめっき膜４３および４４形成前の段階では電気的に接続されていないが、下地主電極６１および６２と同等の機能を果たす下地電極となる。

【0073】

以上説明した実施形態では、外部電極４１および４２が電子部品素体３２、３２ａ、３２ｂおよび３２ｃの各々の４つの側面３３〜３６にまで延びるように形成されたが、３つの側面、対向するもしくは隣り合う２つの側面、または１つの側面にまでしか延びないように形成されていてもよい。したがって、めっき膜４３および４４についても、３つの側面、対向するもしくは隣り合う２つの側面、または１つの側面にまでしか延びないように形成されていてもよく、これに応じて、側面下地電極についても、３つの側面、対向するもしくは隣り合う２つの側面、または１つの側面にのみ露出するように形成されていてもよい。また、外部電極が電子部品素体の端面の一部から１つの側面の一部にのみ延びるように形成された電子部品に対しても、この発明を適用することができる。

【0074】

図７および図８を参照して、この発明の第５の実施形態について説明する。図７には、電子部品３１ｄが模式的に断面図で示され、図８には、図７に示した電子部品３１ｄが底面図で示されている。図７および図８において、図１に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明を省略する。

【0075】

図７および図８に示した電子部品３１ｄは、電子部品素体３２ｄの底面に相当する１つの側面３５上にのみ、外部電極６７および６８が形成されることを特徴としている。外部電極６７および６８は、それぞれ、電解めっきによって形成されるめっき膜６９および７０を備えている。電子部品素体３２ｄには、めっき膜６９および７０の形成のため、めっき成長の起点となるシード電極が形成される。

【0076】

シード電極としては、めっき膜６９および７０の各々に対応して、電子部品素体３２ｄの側面３５に露出するように形成された各々複数の側面下地電極７１および７２がある。側面下地電極７１および７２は、前述した側面下地電極４７および４８と同様の方法によって形成されることができる。側面下地電極７１および７２は、図８によく示されているように、互いに平行な複数の線分状露出部によって与えられる。

【0077】

側面下地電極７１および７２としては、複数の第１の側面下地電極７１ａおよび７２ａと、これら第１の側面下地電極７１ａおよび７２ａよりも端面３７および３８からより離れて位置している、言い換えると、最も内側に位置している第２の側面下地電極７１ｂおよび７２ｂと、がある。

【0078】

これら側面下地電極７１および７２は、下地主電極７３および７４と下地副電極７５および７６とに分類される。ここで、下地副電極７５および７６は、それぞれ、めっき膜６９および７０の特定の端縁、すなわち、互いに対向する端縁６９ａおよび７０ａに沿って位置するもので、上述の第２の側面下地電極７１ｂおよび７２ｂがこれに該当する。他方、下地主電極７３および７４は、それぞれ、下地副電極７５および７６に比べて、めっき膜６９および７０の上記特定の端縁６９ａおよび７０ａからより離れて位置するもので、上述の第１の側面下地電極７１ａおよび７２ａがこれに該当する。

【0079】

図７および図８に示すように、第１の側面下地電極７１ａおよび７２ａはそれぞれ複数存在しているが、第２の側面下地電極７１ｂおよび７２ｂはそれぞれ１つずつである。したがって、電子部品素体３２ｄの側面３５に露出している第１の側面下地電極７１ａおよび７２ａの面積によって与えられる下地主電極７３および７４の露出面積は、第２の側面下地電極７１ｂおよび７２ｂの面積によって与えられる下地副電極７５および７６の露出面積よりも大きい。

【0080】

複数の第１の側面下地電極７１ａ相互間は、図７に示すように、少なくとも１つの接続用導体４９ｂによって電気的に接続される。同様に、複数の第１の側面下地電極７２ａ相互間は、少なくとも１つの接続用導体５０ｂによって電気的に接続される。その結果、下地主電極７３および７４の各々は、電気的に共通接続された状態にある。接続用導体４９ｂおよび５０ｂは、図１に示した接続用導体４９および５０の場合と同様の方法によって形成されることができる。接続用導体４９ｂおよび５０ｂは、図４に示した接続用導体４９ａおよび５０ａと同様の態様で設けられてもよい。

【0081】

他方、第２の側面下地電極７１ｂおよび７２ｂによって与えられる下地副電極７５および７６は、それぞれ、めっき膜６９および７０が形成される前の段階では、下地主電極７３および７４に対しては電気的に接続されていない状態にある。

【0082】

また、この電子部品３１ｄでは、電子部品素体３２ｄの内部に設けられる内部導体としてのコイル導体３９の各端部は、それぞれ、第１の側面下地電極７１ａのいずれかおよび第１の側面下地電極７２ａのいずれかに接続されることによって、外部電極６７および６８に電気的に接続される。

【0083】

上述した電子部品素体３２ｄに対して、バレルめっき法によって電解めっきを施すとき、シード電極としての側面下地電極７１および７２へ導電性のメディア５５（図３参照）が接触している間、側面下地電極７１および７２に通電され、これらをシード電極として電解めっきが進行する。ここで、下地主電極７３および７４の方が、下地副電極７５および７６に比べて、メディア５５による給電の頻度が高い。したがって、下地主電極７３および７４が与えるめっき成長は、下地副電極７５および７６が与えるめっき成長に比べて、より促進される。言い換えると、形成されようとするめっき膜６９および７０の特定の端縁６９ａおよび７０ａに沿って位置する下地副電極７５および７６としての第２の側面下地電極７１ｂおよび７２ｂが与えるめっき成長は、より抑制される。

【0084】

そのため、めっき成長は、第２の側面下地電極７１ｂおよび７２ｂの近傍を、めっき膜６９および７０の端縁６９ａおよび７０ａとするように生じさせることが容易となり、端縁６９ａおよび７０ａの各位置のばらつきを抑制することができる。めっき膜６９および７０、すなわち外部電極６７および６８の端縁６９ａおよび７０ａは、互いに対向する位置関係にあるため、これら端縁６９ａおよび７０ａの位置は、電子部品３１ｄの特性や実装性に比較的大きな影響を及ぼす。図７および図８に示した電子部品３１ｄによれば、端縁６９ａおよび７０ａの各位置のばらつきを抑制することができるので、特性のばらつきを抑制することができるとともに、実装性を高めることができる。

【0085】

この電子部品３１ｄは、図８に破線で示すように、第２の側面下地電極７１ｂおよび７２ｂの線分状露出部の長手方向寸法Ｗ２が、第１の側面下地電極７１ａおよび７２ａの線分状露出部の長手方向寸法Ｗ１より大きいという特徴も有している。このように、第１の側面下地電極７１ａおよび７２ａと第２の側面下地電極７１ｂおよび７２ｂとの寸法関係が選ばれることにより、めっき膜６９および７０、ひいては外部電極６７および６８の内側の端縁６９ａおよび７０ａの各々の両端に形成される角部をより鋭利な形態とすることができる。

【0086】

この発明は、外部電極の数が２つの電子部品に限らず、たとえばアレイタイプの電子部品のように、外部電極を３つ以上有する電子部品にも適用することができる。

【0087】

次に、図９ないし図１１を参照して、この発明の第６の実施形態について説明する。第６の実施形態による電子部品３１ｅが、図９に正面図で、図１０に底面図で、図１１に、図１０の線XI−XIに沿う断面図でそれぞれ示されている。図９ないし図１１において、図１に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明を省略する。

【0088】

図９ないし図１１に示した電子部品３１ｅは、電子部品素体３２ｅの外表面上において、６つの外部電極７７〜８２が形成されることを特徴としている。外部電極７７〜８２は、それぞれ、電解めっきによって形成されるめっき膜８３〜８８を備えている。めっき膜８３および８４は、電子部品素体３２ｅの底面を構成する側面３５から端面３７にまで延びるように形成される。めっき膜８５および８６は、側面３５から端面３８にまで延びるように形成される。めっき膜８７は、側面３５から側面３４にまで延びるように形成され、めっき膜８８は、側面３５から側面３６にまで延びるように形成される。

【0089】

電子部品素体３２ｅには、めっき膜８３〜８８の形成のため、めっき成長の起点となるシード電極が形成される。

【0090】

めっき膜８３のためのシード電極について説明すると、シード電極は、端面下地電極８９および側面下地電極９０を備える。側面下地電極９０は、めっき膜８３の特定の端縁８３ａからより離れて位置する複数の第１の側面下地電極９０ａとめっき膜８３の特定の端縁８３ａに沿って位置する第２の側面下地電極９０ｂとに分類される。めっき膜８３のための下地主電極９１は、接続用導体９２によって互いに接続された端面下地電極８９および複数の第１の側面下地電極９０ａによって与えられ、下地副電極９３は、第２の側面下地電極９０ｂによって与えられる。

【0091】

めっき膜８４〜８６の各々のためのシード電極についても、めっき膜８３のためのシード電極と実質的に同様の構成であるので、重複する説明を省略する。

【0092】

他方、めっき膜８７のためのシード電極は、複数の側面下地電極９４を備える。側面下地電極９４は、めっき膜８７の特定の端縁８７ａおよび８７ｂからより離れて位置する複数の第１の側面下地電極９４ａとめっき膜８７の特定の端縁８７ａおよび８７ｂの各々に沿って位置する第２の側面下地電極９４ｂとに分類される。めっき膜８７のための下地主電極９５は、接続用導体９６によって互いに接続された複数の第１の側面下地電極９４ａによって与えられ、下地副電極９７は、第２の側面下地電極９４ｂによって与えられる。

【0093】

めっき膜８８のためのシード電極についても、めっき膜８７のためのシード電極と実質的に同様の構成であるので、重複する説明を省略する。

【0094】

電子部品本体３２ｅの内部には、内部導体としてのコイル導体９８が設けられ、コイル導体９８の各端部は、それぞれ、めっき膜８３のためのシード電極としての端面下地電極８９およびめっき膜８５のためのシード電極としての端面下地電極と電気的に接続される。電子部品本体３２ｅの内部に設けられる他の内部導体およびこれら内部導体と外部電極７７〜８２との接続態様の図示および説明については、これを省略する。

【0095】

この第６の実施形態においても、下地主電極９１および９５の各々の露出面積は、それぞれ、下地副電極９３および９７の各々の露出面積よりも大きいという条件を満たしている。

【0096】

以上、この発明の対象となる電子部品として、コイル部品を例にとって説明した。コイル部品の場合、電子部品素体３２はフェライト材料からなるが、フェライト材料は、たとえば積層セラミックコンデンサの場合の電子部品素体を構成する誘電体材料より表面抵抗値が低い。よって、めっき成長寸法のばらつきの幅は、フェライト材料の方が誘電体材料よりも広くなると推測できる。この点で、この発明は、積層セラミックコンデンサに適用される場合よりも、コイル部品に適用されたとき、より意義が大きいと言える。

【0097】

しかしながら、この発明は、コイル部品に限らず、積層セラミックコンデンサ、サーミスタ等の他のセラミック電子部品にも、さらには、セラミック電子部品以外の電子部品にも適用することができる。

【0098】

また、下地主電極となる側面下地電極の図示された数は、図面作成の容易さの点から比較的少なくしたが、実際には、より多くの数の側面下地電極が設けられる。他方、下地副電極となる側面下地電極の数は、めっき膜の１つの端縁について、１つ設けられたものが図示されたが、必要に応じて、２つ以上設けられてもよい。また、下地主電極と下地副電極との間での露出面積の差は、側面下地電極の厚みの差によって、もたらされるようにしてもよい。

【0099】

また、図示の実施形態の説明において、直方体形状の電子部品素体の外表面について、「側面」および「端面」という名称を用いたが、これら「側面」および「端面」は、相対的に決まるものであり、いずれの面を「側面」または「端面」と呼ぶかについては任意に決めることができる。

【0100】

また、図示の実施形態では、電子部品素体が直方体形状であったが、電子部品素体が直方体形状以外の、たとえば、円柱状、円板状である電子部品についてもこの発明を適用することができる。

【符号の説明】

【0101】

３１，３１ｃ，３１ｄ，３１ｅ 電子部品
３２，３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ，３２ｅ 電子部品素体
３３〜３６ 側面
３７，３８ 端面
３９，９８ コイル導体（内部導体）
４１，４２，７７〜８２ 外部電極
４３，４４，８３〜８８ めっき膜
４３ａ，４４ａ，８３ａ，８７ａ，８７ｂ めっき膜の端縁
４５，４６，８９ 端面下地電極
４７，４８，７１，７２，９０，９４ 側面下地電極
４７ａ，４８ａ，７１ａ，７２ａ，９０ａ，９４ａ 第１の側面下地電極
４７ｂ，４８ｂ，７１ｂ，７２ｂ，９０ｂ，９４ｂ 第２の側面下地電極
４９，５０，４９ａ，５０ａ，９２，９６ 接続用導体
６１，６２，７３，７４，９１，９５ 下地主電極
６３，６４，７５，７６，９３，９７ 下地副電極
Ｌ１ めっき成長寸法

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】