特許 6241777 基板処理装置および基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6241777

(24)【登録日】2017年11月17日

(45)【発行日】2017年12月6日

(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20171127BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/304 648Z

   H01L21/304 651M

   H01L21/304 643A

   H01L21/304 648G

   H01L21/304 648A

【請求項の数】8

【全頁数】19

(21)【出願番号】特願2012-161947(P2012-161947)

(22)【出願日】2012年7月20日

(65)【公開番号】特開2014-22661(P2014-22661A)

(43)【公開日】2014年2月3日

【審査請求日】2015年6月19日

(73)【特許権者】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100087701

【弁理士】

【氏名又は名称】稲岡 耕作

(74)【代理人】

【識別番号】100101328

【弁理士】

【氏名又は名称】川崎 実夫

(74)【代理人】

【識別番号】100170324

【弁理士】

【氏名又は名称】安田 昌秀

(72)【発明者】

【氏名】小路丸 美紀

【審査官】 小川 将之

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００７−３１１６９１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−３０３０１３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−１３８５１０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−０４９３０６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数枚の基板を収容する収容器を保持する収容器保持ユニットと、
室温よりも高温の処理液を基板に供給する処理液供給手段を含み、基板を室温よりも高温の処理液で処理する処理ユニットと、
複数枚の基板が上下に積層された状態で当該複数枚の基板を保持し、保持された複数枚の基板を室温よりも高く、且つ前記処理液供給手段によって基板に供給される処理液よりも高い温度まで加熱する中継ユニットと、
前記収容器保持ユニットと前記中継ユニットとの間で基板を搬送する第１搬送ユニットと、
前記中継ユニットと前記処理ユニットとの間で、基板の温度が室温よりも高い状態で、基板を搬送する第２搬送ユニットとを備え、
前記中継ユニットによる基板の加熱温度は、基板が前記中継ユニットから前記処理ユニットに搬送される間に低下する基板の温度の分だけ、前記処理液供給手段によって基板に供給される処理液の温度よりも高く設定されている、基板処理装置。

【請求項2】

前記中継ユニットは、
複数枚の基板を加熱する少なくとも一つの第１加熱ユニットを含み、前記第１搬送ユニットから前記第２搬送ユニットに搬送される基板を中継する第１通過ユニットと、
前記第２搬送ユニットから前記第１搬送ユニットに搬送される基板を中継する第２通過ユニットとを含む、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記第２通過ユニットは、複数枚の基板を加熱する少なくとも一つの第２加熱ユニットを含む、請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記中継ユニットは、乾燥状態で基板を加熱する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記中継ユニットは、基板の各部の温度が基板の中心から遠ざかるに従って高くなるように当該基板を加熱する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記第２搬送ユニットを制御することにより、前記中継ユニットから前記処理ユニットまでの基板の搬送時間を制御する搬送時間制御手段をさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記第２搬送ユニットによって保持されている基板の温度を検出する温度検出手段をさらに含み、
前記搬送時間制御手段は、前記温度検出手段の検出値に基づいて前記第２搬送ユニットを制御する、請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項8】

複数枚の基板を収容する収容器を保持する収容器保持ユニットから中継ユニットに第１搬送ユニットによって複数枚の基板を搬送する第１搬送工程と、
上下に積層された状態で前記中継ユニットによって保持されている複数枚の基板を前記中継ユニットによって室温よりも高い温度まで加熱する加熱工程と、
前記中継ユニットによって加熱された基板を、基板の温度が室温よりも高い状態で、前記中継ユニットから処理ユニットに第２搬送ユニットによって搬送する第２搬送工程と、
室温よりも高く且つ前記加熱工程における基板の加熱温度よりも低い温度の処理液を前記処理ユニットに搬送された基板に供給して、当該基板を処理する処理工程とを含み、
前記加熱工程における基板の加熱温度は、前記第２搬送工程の間に低下する基板の温度の分だけ、前記処理工程において基板に供給される処理液の温度よりも高く設定されている、基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。

【背景技術】

【0002】

半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられる。
特許文献１の基板処理装置では、基板が保持プレートによって加熱され、基板の上方に配置された供給プレートからの処理液が、加熱された基板に供給される。
特許文献２の基板処理装置では、ウエハおよびキャリアが、温純水槽で加熱される。そして、温まったウエハおよびキャリアが、高温薬液槽内の高温薬液に浸漬される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００８−６６４００号公報

【特許文献2】特開平１１−２６４１３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

複数枚の基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置では、回転状態の基板の上面または下面に向けて処理液が吐出される。基板に着液した処理液は、遠心力を受けて、基板に沿って外方に移動する。これにより、基板の上面または下面の全域に処理液が供給される。
基板に供給される処理液の温度が基板の温度よりも高い場合、供給された処理液の熱が基板によって次第に奪われていくので、基板上での処理液の温度は、処理液が着液する着液位置から遠ざかるに従って低下していく。

【0005】

これとは反対に、基板に供給される処理液の温度が基板の温度よりも低い場合、処理液が基板によって次第に温められるので、基板上での処理液の温度は、着液位置から離れるに従って上昇していく。
このように、処理液と基板とに温度差がある場合、基板上での処理液の温度にばらつきが生じてしまう。そのため、処理液の処理能力が温度に依存する場合には、処理の均一性が低下してしまう。

【0006】

特許文献１の基板処理装置では、基板が保持プレートによって加熱され、供給プレートからの処理液が、加熱された基板に供給される。しかしながら、この基板処理装置では、基板の温度が所定値に達するまで処理液を基板に供給できないので、余分な時間が発生し、基板処理装置のスループット（単位時間当たりの基板の処理枚数）が減少してしまう。
また、特許文献２の基板処理装置では、ウエハおよびキャリアが、温純水槽で加熱された後、高温薬液槽内の高温薬液に浸漬される。しかしながら、この基板処理装置では、高温薬液槽とは別に温純水槽を設ける必要があり、基板処理装置のフットプリント（専有面積）が増加してしまう。

【0007】

そこで、本発明の目的は、処理液と基板との温度差を小さくして、処理の均一性を高めることができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0008】

前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、複数枚の基板（Ｗ）を収容する収容器（Ｃ）を保持する収容器保持ユニット（２）と、室温よりも高温の処理液を基板に供給する処理液供給手段を含み、基板を室温よりも高温の処理液で処理する処理ユニット（４）と、複数枚の基板が上下に積層された状態で当該複数枚の基板を保持し、保持された複数枚の基板を室温よりも高、且つ前記処理液供給手段によって基板に供給される処理液よりも高い温度まで加熱する中継ユニット（３、２０３、３０３）と、前記収容器保持ユニットと前記中継ユニットとの間で基板を搬送する第１搬送ユニット（ＩＲ）と、前記中継ユニットと前記処理ユニットとの間で、基板の温度が室温よりも高い状態で、基板を搬送する第２搬送ユニット（ＣＲ）とを備え、前記中継ユニットによる基板の加熱温度は、基板が前記中継ユニットから前記処理ユニットに搬送される間に低下する基板の温度の分だけ、前記処理液供給手段によって基板に供給される処理液の温度よりも高く設定されている、基板処理装置（１、２０１、３０１）である。処理液供給手段から基板に供給される処理液は、エッチング液などの薬液であってもよいし、温水（室温よりも高温の純水）などのリンス液であってもよいし、薬液およびリンス液以外の液体であってもよい。

【0009】

この構成によれば、複数枚の基板が、第１搬送ユニットによって、収容器保持ユニットから中継ユニットに搬送される。中継ユニットに搬送された基板は、第２搬送ユニットによって、中継ユニットから処理ユニットに搬送される。そして、処理ユニットに搬送された基板は、処理液で処理される。このように、複数枚の基板は、中継ユニットによって、第１搬送ユニットと第２搬送ユニットとの間で中継される。

【0010】

中継ユニットは、複数枚の基板が上下に積層された状態で、当該複数枚の基板を保持する。さらに、中継ユニットは、上下に積層された複数枚の基板を室温よりも高い温度まで加熱する。したがって、加熱された基板が、基板の温度が室温よりも高い状態で、中継ユニットから処理ユニットに搬送される。そして、加熱された基板に処理液が供給される。したがって、基板が加熱されない場合よりも、処理液と基板との温度差が小さい。そのため、処理の均一性を高めることができる。

【0011】

さらに、基板は、処理ユニットに搬送される前に加熱されるので、余分な時間（昇温時間）が処理ユニットで発生しない。そのため、基板処理装置のスループット（単位時間当たりの基板の処理枚数）の減少を抑制または防止できる。しかも、基板は、収容器保持ユニットから処理ユニットに至る基板の搬送経路で加熱されるので、基板処理装置のフットプリント（専有面積）の増加を抑制または防止できる。
さらに、中継ユニットは、基板に供給される処理液よりも高い温度まで複数枚の基板を加熱する。室温よりも高温の基板の温度は、基板が中継ユニットから処理ユニットに搬送される間に次第に低下していく。したがって、低下する分だけ基板の加熱温度を高くすれば、処理液が供給される時点での基板の温度を、処理液の温度に近づけることができる。これにより、処理の均一性を高めることができる。

【0012】

請求項２に記載の発明は、前記中継ユニットは、前記第１搬送ユニットから前記第２搬送ユニットに搬送される基板を中継する第１通過ユニット（６、２０６、３０６）と、前記第２搬送ユニットから前記第１搬送ユニットに搬送される基板を中継する第２通過ユニット（７、２０７、３０７）とを含む、請求項１に記載の基板処理装置である。前記第１通過ユニットは、複数枚の基板を加熱する少なくとも一つの第１加熱ユニット（８、２０８、３０８）を含む。

【0013】

この構成によれば、複数枚の基板が、第１搬送ユニットによって、収容器保持ユニットから第１通過ユニットに搬送される。第１通過ユニットに搬送された基板は、第１通過ユニットの第１加熱ユニットによって加熱される。そして、第１通過ユニットで加熱された基板は、第２搬送ユニットによって、第１通過ユニットから処理ユニットに搬送される。処理ユニットに搬送された基板は、予め加熱されているので、処理液によって均一に処理される。

【0014】

また、処理ユニットで均一に処理された基板は、第２搬送ユニットによって、処理ユニットから中継ユニットの第２通過ユニットに搬送される。そして、第２通過ユニットに搬送された基板は、第１搬送ユニットによって、第２通過ユニットから収容器保持ユニットに搬送される。このようにして、未処理の基板が第１通過ユニットに中継され、処理済みの基板が、第２通過ユニットによって中継される。

【0015】

請求項３に記載の発明は、前記第２通過ユニットは、複数枚の基板を加熱する少なくとも一つの第２加熱ユニット（８、２０８、３０８）を含む、請求項２に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第１通過ユニットだけでなく、第２通過ユニットも加熱ユニットを備えている。したがって、処理液で処理された基板は、第２通過ユニットの第２加熱ユニットによって加熱される。そして、加熱された基板が、第１搬送ユニットによって、第２通過ユニットから収容器保持ユニットに搬送される。そのため、水分が処理済みの基板に残留していたとしても、この水分は、第２加熱ユニットによる基板の加熱によって蒸発する。これにより、残留水分が基板から除去され、乾燥不良が抑制または防止される。

【0016】

請求項４に記載の発明は、前記中継ユニットは、乾燥状態で基板を加熱する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、複数枚の基板が乾燥状態で加熱される。すなわち、基板よりも高温の液体が基板に供給されるのでなく、ヒータや熱風等によって乾燥した環境下で基板が加熱される。したがって、基板を加熱した後に基板を乾燥させなくてもよい。そのため、乾燥時間の増加によるスループットの減少を防止できる。さらに、第２搬送ユニットや基板処理装置が、基板に付着している液体によって汚染されることを防止できる。そのため、基板の清浄度を高めることができる。

【0020】

請求項５に記載の発明は、前記中継ユニットは、基板の各部の温度が基板の中心から遠ざかるに従って高くなるように当該基板を加熱する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板の各部の温度が基板の中心から遠ざかるに従って高くなるように、基板が加熱される。室温よりも高温の基板の温度は、基板が中継ユニットから処理ユニットに搬送される間に次第に低下していく。基板の周縁部（基板の中心を取り囲む環状の部分）の表面積は、基板の中間部（基板の中心を取り囲む周縁部よりも内側の環状の部分）の表面積よりも広く、基板の中間部の表面積は、基板の中央部の表面積よりも広い。したがって、基板の各部の温度は、基板の中心から遠ざかるに従って低下し易い。そのため、基板の各部の温度が基板の中心から遠ざかるに従って高くなるように当該基板を加熱することにより、処理液が基板に供給される時点での基板の温度の均一性を高めることができる。これにより、処理の均一性を高めることができる。

【0021】

請求項６に記載の発明は、前記第２搬送ユニットを制御することにより、前記中継ユニットから前記処理ユニットまでの基板の搬送時間を制御する搬送時間制御手段（５）をさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、中継ユニットから処理ユニットに基板を搬送する第２搬送ユニットが、搬送時間制御手段によって制御される。中継ユニットから処理ユニットまでの基板の搬送時間は、搬送時間制御手段によって制御される。自然冷却の場合、中継ユニットから処理ユニットに搬送される基板の温度は、搬送時間の増加に伴って低下していく。したがって、搬送時間制御手段は、搬送時間を制御することにより、処理液が基板に供給される時点での基板の温度を制御できる。

【0022】

請求項７に記載の発明は、前記第２搬送ユニットによって保持されている基板の温度を検出する温度検出手段（Ｓ１）をさらに含み、前記搬送時間制御手段は、前記温度検出手段の検出値に基づいて前記第２搬送ユニットを制御する、請求項６に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、搬送中の基板の温度が、温度検出手段によって検出される。搬送時間制御手段は、温度検出手段の検出値に基づいて第２搬送ユニットを制御し、中継ユニットから処理ユニットまでの基板の搬送時間を増減させる。すなわち、実際の基板の温度が搬送時間制御手段にフィードバックされ、処理液が基板に供給される時点での基板の温度がより精密に制御される。

【0023】

請求項８に記載の発明は、複数枚の基板を収容する収容器を保持する収容器保持ユニットから中継ユニットに第１搬送ユニットによって複数枚の基板を搬送する第１搬送工程と、上下に積層された状態で前記中継ユニットによって保持されている複数枚の基板を前記中継ユニットによって室温よりも高い温度まで加熱する加熱工程と、前記中継ユニットによって加熱された基板を、基板の温度が室温よりも高い状態で、前記中継ユニットから処理ユニットに第２搬送ユニットによって搬送する第２搬送工程と、室温よりも高く且つ前記加熱工程における基板の加熱温度よりも低い温度の処理液を前記処理ユニットに搬送された基板に供給して、当該基板を処理する処理工程とを含み、前記加熱工程における基板の加熱温度は、前記第２搬送工程の間に低下する基板の温度の分だけ、前記処理工程において基板に供給される処理液の温度よりも高く設定されている、基板処理方法である。この方法によれば、請求項１の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。

【0024】

なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符号を表すものであるが、これらの参照符号により特許を限定する趣旨ではない。

【図面の簡単な説明】

【0025】

【図1】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の模式図である。

【図2】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の内部を水平方向から見た模式図である。

【図3】本発明の第１実施形態に係る処理ユニットの内部を水平方向から見た模式図である。

【図4A】本発明の第１実施形態に係る加熱ユニットの内部を水平方向から見た模式図である。

【図4B】本発明の第１実施形態に係る加熱ユニットの内部を上方から見た模式図である。

【図5】発熱状態のヒータを基板の周縁部だけに対向させた後の基板の中央部、中間部、および周縁部の温度の変化の一例を示すグラフである。

【図6】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置によって行われる基板の処理の一例について説明するための工程図である。

【図7】本発明の第２実施形態に係る第１通過ユニットおよび第２通過ユニットの内部を水平方向から見た模式図である。

【図8A】本発明の第３実施形態に係る第１通過ユニットおよび第２通過ユニットの内部を水平方向から見た模式図である。

【図8B】本発明の第３実施形態に係る第１通過ユニットおよび第２通過ユニットの内部を水平方向から見た模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0026】

以下では、この発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の模式図である。図２は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の内部を水平方向から見た模式図である。
図１に示すように、基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、複数のキャリアＣを保持するロードポート２と、基板Ｗの受け渡しが行われる中継ユニット３と、基板Ｗを処理する複数の処理ユニット４とを含む。ロードポート２および処理ユニット４は、水平方向に間隔を空けて配置されている。中継ユニット３は、ロードポート２と処理ユニット４との間で搬送される基板Ｗの搬送経路上に配置されている。

【0027】

図１に示すように、基板処理装置１は、さらに、ロードポート２と中継ユニット３との間に配置されたインデクサロボットＩＲと、中継ユニット３と処理ユニット４との間に配置されたセンターロボットＣＲと、基板処理装置１に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御装置５とを含む。インデクサロボットＩＲは、ロードポート２に保持されているキャリアＣから中継ユニット３に複数枚の基板Ｗを一枚ずつ搬送し、中継ユニット３からロードポート２に保持されているキャリアＣに複数枚の基板Ｗを一枚ずつ搬送する。同様に、センターロボットＣＲは、中継ユニット３から処理ユニット４に複数枚の基板Ｗを一枚ずつ搬送し、処理ユニット４から中継ユニット３に複数枚の基板Ｗを一枚ずつ搬送する。センターロボットＣＲは、さらに、複数の処理ユニット４の間で基板Ｗを搬送する。

【0028】

図１に示すように、インデクサロボットＩＲは、平面視Ｕ字状の２つのハンドＨを備えている。各ハンドＨは、基板Ｗを水平な姿勢で支持する。インデクサロボットＩＲは、ハンドＨを水平方向および鉛直方向に移動させる。さらに、インデクサロボットＩＲは、鉛直軸線まわりに回転（自転）することにより、ハンドＨの向きを変更する。複数枚の基板Ｗを収容する複数のキャリアＣは、水平な配列方向Ｄ１に配列されている。インデクサロボットＩＲは、配列方向Ｄ１に移動する。受渡位置Ｐ１は、インデクサロボットＩＲ、中継ユニット３、およびセンターロボットＣＲが一直線上に並ぶ位置である。インデクサロボットＩＲは、任意のキャリアＣおよび中継ユニット３にハンドＨを対向させる。そして、インデクサロボットＩＲは、水平方向および鉛直方向のハンドＨの移動によって、キャリアＣおよび中継ユニット３に基板Ｗを搬入する搬入動作、およびキャリアＣおよび中継ユニット３から基板Ｗを搬出する搬出動作を行う。

【0029】

同様に、センターロボットＣＲは、平面視Ｕ字状の２つのハンドＨを備えている。各ハンドＨは、基板Ｗを水平な姿勢で支持する。センターロボットＣＲは、ハンドＨを水平方向および鉛直方向に移動させる。さらに、センターロボットＣＲは、鉛直軸線まわりに回転（自転）することにより、ハンドＨの向きを変更する。センターロボットＣＲは、平面視において複数の処理ユニット４に取り囲まれている。センターロボットＣＲは、任意の処理ユニット４および中継ユニット３にハンドＨを対向させる。そして、センターロボットＣＲは、水平方向および鉛直方向のハンドＨの移動によって、処理ユニット４および中継ユニット３に基板Ｗを搬入する搬入動作、および処理ユニット４および中継ユニット３から基板Ｗを搬出する搬出動作を行う。

【0030】

図２に示すように、中継ユニット３は、インデクサロボットＩＲからセンターロボットＣＲに搬送される基板Ｗが通過する第１通過ユニット６と、センターロボットＣＲからインデクサロボットＩＲに搬送される基板Ｗが通過する第２通過ユニット７とを含む。第１通過ユニット６は、第２通過ユニット７の下方に配置されている。第１通過ユニット６は、第２通過ユニット７の上方に配置されていてもよい。第１通過ユニット６および第２通過ユニット７は、平面視において重なっている。第１通過ユニット６は、上下方向に積層された複数の加熱ユニット８を含む。同様に、第２通過ユニット７は、上下方向に積層された複数の加熱ユニット８を含む。各加熱ユニット８は、基板Ｗを水平な姿勢で支持可能である。したがって、第１通過ユニット６および第２通過ユニット７のそれぞれは、複数枚の基板Ｗが水平な姿勢で間隔を空けて上下方向に積層された状態で、当該複数枚の基板Ｗを支持可能である。

【0031】

図３は、本発明の第１実施形態に係る処理ユニット４の内部を水平方向から見た模式図である。
処理ユニット４は、基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式のユニットである。処理ユニット４は、箱形のチャンバー９と、チャンバー９内で基板Ｗを水平に保持して基板Ｗを通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンチャック１０と、スピンチャック１０に保持されている基板Ｗに薬液を供給する薬液ノズル１１と、スピンチャック１０に保持されている基板Ｗにリンス液を供給するリンス液ノズル１２とを含む。

【0032】

スピンチャック１０は、基板Ｗを水平に保持して当該基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに回転可能な円盤状のスピンベース１３と、このスピンベース１３を回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンモータ１４とを含む。スピンチャック１０は、基板Ｗを水平方向に挟んで当該基板Ｗを水平に保持する挟持式のチャックであってもよいし、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）を吸着することにより当該基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。

【0033】

薬液ノズル１１は、薬液バルブ１５およびヒータＨ１が介装された薬液配管１６に接続されている。薬液バルブ１５が開かれると、ヒータＨ１によって温度調節された室温（たとえば２５℃）よりも高温の薬液が、基板Ｗの上面に向けて薬液ノズル１１から吐出される。薬液ノズル１１は、固定された状態で基板Ｗの上面中央部に向けて薬液を吐出する固定ノズルであってもよいし、基板Ｗの上面に対する薬液の着液位置が中央部と周縁部との間で移動するように移動しながら薬液を吐出するスキャンノズルであってもよい。薬液ノズル１１に供給される薬液は、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。

【0034】

薬液ノズル１１に供給される薬液の具体例は、ＳＰＭ（Ｈ_２ＳＯ_４とＨ_２Ｏ_２とを含む混合液）、ＳＣ１（ＮＨ_４ＯＨとＨ_２Ｏ_２とを含む混合液）、およびフッ酸（フッ化水素酸）のいずれかである。これらの薬液は、液温に応じて処理能力が変化する薬液の一例である。薬液ノズル１１に供給されるＳＰＭの温度は、たとえば１２０℃であり、薬液ノズル１１に供給されるＳＣ１の温度は、たとえば８０℃であり、薬液ノズル１１に供給されるフッ酸の温度は、たとえば３０℃である。これらの温度は一例であるから、当然、前述の温度とは異なる温度の薬液が薬液ノズル１１に供給されてもよい。

【0035】

リンス液ノズル１２は、リンス液バルブ１７が介装されたリンス液配管１８に接続されている。リンス液バルブ１７が開かれると、リンス液が、基板Ｗの上面に向けてリンス液ノズル１２から吐出される。リンス液ノズル１２は、固定ノズルであってもよいし、スキャンノズルであってもよい。リンス液ノズル１２に供給されるリンス液は、純水（脱イオン水：Ｄeionzied Ｗater）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれであってもよい。

【0036】

制御装置５は、センターロボットＣＲによって処理ユニット４内に基板Ｗを搬送させる。制御装置５は、基板Ｗがスピンチャック１０に保持された後、スピンチャック１０によって基板Ｗを回転させる。その後、制御装置５は、薬液バルブ１５を開いて、薬液ノズル１１から回転状態の基板Ｗの上面に向けて薬液を吐出させる（薬液供給工程）。基板Ｗの上面に着液した薬液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗ上を外方に広がる。これにより、基板Ｗの上面全域に薬液が供給される。制御装置５は、薬液ノズル１１からの薬液の吐出を停止させた後、リンス液バルブ１７を開いて、リンス液ノズル１２から回転状態の基板Ｗの上面に向けてリンス液を吐出させる（リンス液供給工程）。これにより、基板Ｗの上面全域にリンス液が供給され、基板Ｗ上の薬液が洗い流される。制御装置５は、リンス液ノズル１２からのリンス液の吐出を停止させた後、スピンチャック１０によって基板Ｗを高速（たとえば、数千ｒｐｍ）で回転させる（乾燥工程）。これにより、基板Ｗ上の液体が基板Ｗの周囲に振り切られ、基板Ｗが乾燥する。制御装置５は、基板Ｗの回転を停止させた後、センターロボットＣＲによって処理ユニット４内から基板Ｗを搬出させる。

【0037】

図４Ａは、本発明の第１実施形態に係る加熱ユニット８の内部を水平方向から見た模式図である。図４Ｂは、本発明の第１実施形態に係る加熱ユニット８の内部を上方から見た模式図である。
図４Ａに示すように、加熱ユニット８は、基板Ｗを支持した状態で加熱するホットプレート１９と、ホットプレート１９を収容する箱形のハウジング２０と、ハウジング２０の２つの開口部２０ａ、２０ｂをそれぞれ覆う第１扉２１および第２扉２２と、ハウジング２０に対して第１扉２１および第２扉２２を移動させる開閉アクチュエータ２３とを含む。加熱ユニット８は、さらに、ホットプレート１９の上方で基板Ｗを支持する複数の昇降ピン２４と、複数の昇降ピン２４に連結された連結部材２５と、連結部材２５を昇降させる昇降アクチュエータ２６とを含む。基板Ｗは、第１開口部２０ａおよび第２開口部２０ｂの一方を通じてハウジング２０内に搬入され、第１開口部２０ａおよび第２開口部２０ｂの他方を通じてハウジング２０内から搬出される。

【0038】

図４Ｂに示すように、ホットプレート１９は、基板Ｗを水平に支持する円板状の支持部材２７と、支持部材２７に内蔵されたヒータ２８とを含む。支持部材２７は、水平な姿勢でハウジング２０内に配置されている。基板Ｗは、支持部材２７によって下から支持される。基板Ｗおよび支持部材２７は、平面視において重なり合う。支持部材２７の外径は、基板Ｗの外径よりも大きい。支持部材２７の外径は、基板Ｗの外径以下であってもよい。基板Ｗは、支持部材２７によって支持されている状態で、支持部材２７内に配置されたヒータ２８によって加熱される。ヒータ２８は、基板Ｗの周縁部に対向する位置だけに配置されている。基板Ｗの周縁部は、室温よりも高温のヒータ２８によって積極的に加熱され、周縁部よりも内側の部分は、熱伝導によって間接的に加熱される。ホットプレート１９による基板Ｗの加熱温度（ヒータ２８の温度）は、制御装置５（図１参照）によって制御される。

【0039】

ヒータ２８は、基板Ｗの全域に対向する位置に配置されていてもよいし、基板Ｗの一部だけに対向する位置に配置されていてもよい。たとえば、図４Ａおよび図４Ｂに示すように基板Ｗの周縁部に対向する位置だけにヒータ２８が配置されていてもよいし、基板Ｗの中央部に対向する位置だけにヒータ２８が配置されていてもよい。ヒータ２８が基板Ｗの全域に対向する位置に配置されている場合、基板Ｗの全域がヒータ２８によって積極的に加熱される。その一方で、ヒータ２８が基板Ｗの一部だけに対向する位置に配置されている場合、基板Ｗの一部だけが積極的に加熱され、基板Ｗの残りの部分は、熱伝導によって間接的に加熱される。

【0040】

ヒータ２８が基板Ｗの全域に対向する位置に配置されている場合、温度を個別に設定できる複数のヒータ２８が支持部材２７に内蔵されていてもよい。たとえば、基板Ｗの周縁部を加熱する周縁ヒータと、基板Ｗの中間部を加熱する中間ヒータと、基板Ｗの中央部を加熱する中央ヒータとが、支持部材２７に内蔵されていてもよい。この場合、制御装置５は、周縁ヒータ、中間ヒータ、および中央ヒータの温度を異ならせることにより、基板Ｗの周縁部、中間部、および中央部を異なる温度で加熱できる。また、制御装置５は、周縁ヒータ、中間ヒータ、または中央ヒータだけを発熱させることにより、基板Ｗの周縁部、中間部、または中央部だけを積極的に加熱できる。当然、制御装置５は、周縁ヒータ、中間ヒータ、および中央ヒータの温度を等しくすることにより、基板Ｗの全域を均一な温度で加熱できる。

【0041】

図４Ａに示すように、ハウジング２０は、ホットプレート１９が配置されたハウジング２０の内部に連なる２つの開口部２０ａ、２０ｂを有している。第１開口部２０ａは、インデクサロボットＩＲの受渡位置Ｐ１（図１参照）に対向する位置に配置されており、第２開口部２０ｂは、センターロボットＣＲに対向する位置に配置されている。ハウジング２０の２つの開口部２０ａ、２０ｂは、ハウジング２０の内部を介して水平に対向している。第１開口部２０ａは、インデクサロボットＩＲのハンドＨがハウジング２０内に基板Ｗを搬入する搬入口であり、インデクサロボットＩＲのハンドＨがハウジング２０内から基板Ｗを搬出する搬出口でもある。同様に、第２開口部２０ｂは、センターロボットＣＲのハンドＨがハウジング２０内に基板Ｗを搬入する搬入口であり、センターロボットＣＲのハンドＨがハウジング２０内から基板Ｗを搬出する搬出口でもある。

【0042】

図４Ａに示すように、第１扉２１および第２扉２２は、ハウジング２０に取り付けられている。第１扉２１および第２扉２２は、それぞれ、第１開口部２０ａおよび第２開口部２０ｂを覆っている。第１扉２１は、第１開口部２０ａが閉じられる閉位置（実線の位置）と、第１開口部２０ａが開かれる開位置（二点鎖線の位置）との間で、ハウジング２０に対して移動可能である。同様に、第２扉２２は、第２開口部２０ｂが閉じられる閉位置と、第２開口部２０ｂが開かれる開位置との間で、ハウジング２０に対して移動可能である。第１扉２１は、上下または左右に延びる軸線を中心に揺れ動くスイング式の扉であってもよいし、上下または左右に平行移動可能なスライド式の扉であってもよいし、上下または左右に折り畳み可能なアコーディオン式の扉であってもよい。第２扉２２についても同様である。

【0043】

制御装置５は、開閉アクチュエータ２３を制御することにより、第１扉２１および第２扉２２をハウジング２０に対して移動させる。開閉アクチュエータ２３は、第１扉２１を移動させることにより第１開口部２０ａを開閉し、第２扉２２を移動させることにより第２開口部２０ｂを開閉する。制御装置５は、基板Ｗの搬入および搬出が行われるとき以外は、第１開口部２０ａおよび第２開口部２０ｂを閉じている。したがって、ホットプレート１９の熱がハウジング２０の外に逃げにくい。そのため、基板Ｗは、ハウジング２０内で効率的に加熱される。

【0044】

図４Ａに示すように、複数の昇降ピン２４は、上下方向に延びている。各昇降ピン２４の下端は、ハウジング２０の外に配置されている。連結部材２５の下端は、各昇降ピン２４の下端に連結されている。したがって、連結部材２５は、ハウジング２０の外に配置されている。各昇降ピン２４は、連結部材２５と共に上下方向に移動する。したがって、昇降アクチュエータ２６が、連結部材２５を昇降させると、全ての昇降ピン２４が上下方向に移動する。昇降アクチュエータ２６は、各昇降ピン２４の上端が同じ高さに位置する状態で複数の昇降ピン２４を一括して昇降させる。

【0045】

図４Ａに示すように、複数の昇降ピン２４は、ホットプレート１９を上下方向に貫通する複数の貫通孔にそれぞれ挿入される。昇降アクチュエータ２６は、上位置（二点鎖線位置）と下位置（実線の位置）との間で複数の昇降ピン２４を昇降させる。上位置は、各昇降ピン２４の上端（先端）がホットプレート１９の上面よりも上方に位置する位置であり、下位置は、各昇降ピン２４の上端がホットプレート１９の上面よりも下方に位置する位置である。

【0046】

基板Ｗの下面が複数の昇降ピン２４に支持されている状態で、昇降アクチュエータ２６が、複数の昇降ピン２４を上位置から下位置に移動させると、複数の昇降ピン２４に支持されている基板Ｗが、その過程でホットプレート１９上に置かれる。一方、基板Ｗの下面がホットプレート１９に支持されている状態で、昇降アクチュエータ２６が、複数の昇降ピン２４を下位置から上位置に移動させると、ホットプレート１９に支持されている基板Ｗが、その過程で、複数の昇降ピン２４に持ち上げられる。

【0047】

ハウジング２０内に搬入された基板Ｗは、インデクサロボットＩＲまたはセンターロボットＣＲのハンドＨによって、上位置に位置する複数の昇降ピン２４の上端に置かれる。その後、昇降アクチュエータ２６は、複数の昇降ピン２４を上位置から下位置に移動させる。これにより、基板Ｗが、発熱状態のホットプレート１９上に置かれる。昇降アクチュエータ２６は、基板Ｗがホットプレート１９によって所定時間加熱された後、複数の昇降ピン２４を下位置から上位置に移動させる。これにより、基板Ｗが、ホットプレート１９から複数の昇降ピン２４に移動する。そして、上位置に位置する複数の昇降ピン２４に支持されている基板Ｗは、インデクサロボットＩＲまたはセンターロボットＣＲのハンドＨによって、ハウジング２０内から搬出される。

【0048】

図５は、発熱状態のヒータ２８を基板Ｗの周縁部だけに対向させた後の基板Ｗの中央部、中間部、および周縁部の温度の変化の一例を示すグラフである。
前述のように、ホットプレート１９のヒータ２８は、基板Ｗの周縁部に対向する位置だけに配置されている（図４Ａ参照）。発熱状態のヒータ２８を基板Ｗの周縁部だけに対向させると、基板Ｗの周縁部に与えられる熱量が最も大きいので、基板Ｗの周縁部の温度が最も高くなり、基板Ｗの中央部の温度が最も低くなる。そのため、図５に示すように、基板Ｗの加熱を停止させた時点（経過時間が零の時点）では、基板Ｗの周縁部の温度（Ｃ）が最も高く、基板Ｗの中央部（Ａ）の温度が最も低い。

【0049】

図５に示すように、基板Ｗの各部の温度は、基板Ｗの周縁部の温度が最も高く、基板Ｗの中央部の温度が最も低い状態で、基板Ｗの加熱停止からの時間の経過に伴って低下していく。基板Ｗの周縁部は、基板Ｗの中間部よりも表面積が広いので、基板Ｗの中間部よりも冷めやすい。同様に、基板Ｗの中間部は、基板Ｗの中央部よりも冷めやすい。したがって、図５に示すように、基板Ｗ内の複数の地点間で温度差があっても、加熱停止から所定時間が経過すると、基板Ｗの各部の温度が、概ね同じ温度まで下がり、基板Ｗの温度が均一になる。その後は、暫くの間この状態が維持される。

【0050】

図６は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１によって行われる基板Ｗの処理の一例について説明するための工程図である。以下では、図１を参照する。図６については適宜参照する。
制御装置５は、処理レシピ（処理ユニット４での基板Ｗの処理条件）などを含む予め定められた条件に従って基板処理装置１を制御することにより、複数枚の基板Ｗを基板処理装置１に処理させる。

【0051】

基板Ｗが処理されるときには、基板Ｗをロードポート２から中継ユニット３の第１通過ユニット６に搬送する第１搬送工程が行われる（図６のステップＳ１）。具体的には、制御装置５は、インデクサロボットＩＲによって、ロードポート２に保持されているキャリアＣ内の基板Ｗを第１通過ユニット６のいずれかの加熱ユニット８に搬送させる。加熱ユニット８に搬入された基板Ｗは、ホットプレート１９によって加熱される。ホットプレート１９の温度は、基板Ｗに供給される薬液の温度よりも高い温度（たとえば、５〜１０℃高い温度）に設定されている。さらに、加熱ユニット８に搬入された基板Ｗは、基板Ｗの周縁部の温度が最も高くなるように、基板Ｗに供給される薬液の温度よりも高い温度まで加熱される（加熱工程）。

【0052】

次に、基板Ｗを中継ユニット３の第１通過ユニット６から処理ユニット４に搬送する第２搬送工程が行われる（図６のステップＳ２）。具体的には、制御装置５は、センターロボットＣＲによって、第１通過ユニット６内の基板Ｗをいずれかの処理ユニット４内に搬送させる。前述のように、第１通過ユニット６内の基板Ｗは、ホットプレート１９によって、基板Ｗに供給される薬液の温度よりも高い温度に加熱されている。したがって、基板Ｗは、室温よりも高温の状態でセンターロボットＣＲによって搬送される。第１通過ユニット６から搬出された基板Ｗの温度は、基板ＷがセンターロボットＣＲによって搬送される間に低下していく。

【0053】

第１通過ユニット６での基板Ｗの加熱温度（以下では、「第１加熱温度」という。）は、処理ユニット４によって薬液が基板Ｗに供給されたときに、基板Ｗの温度が均一であり、基板Ｗの温度が薬液の温度と概ね等しくなるように、第１通過ユニット６から処理ユニット４までの基板Ｗの搬送時間に基づいて設定されている（図５中の「処理液供給開始」参照）。たとえば、第１通過ユニット６の加熱ユニット８から処理ユニット４までの距離、すなわち、基板Ｗの搬送時間は、一定とは限らない。したがって、搬送時間が異なる場合には、基板Ｗに供給される薬液の温度が等しくても、基板Ｗは、第１通過ユニット６によって異なる温度で加熱される。

【0054】

次に、基板Ｗを処理液で処理する処理工程が行われる（図６のステップＳ３）。具体的には、制御装置５は、処理ユニット４によって、室温よりも高温の薬液（たとえば、ＳＰＭ、ＳＣ１、およびフッ酸のいずれか）を回転状態の基板Ｗに供給させる（薬液供給工程）。前述のように、第１加熱温度は、薬液が基板Ｗに供給されたときに、基板Ｗの温度が薬液の温度と概ね等しくなるように設定されている。したがって、基板Ｗの温度と薬液の温度とが概ね等しい状態で、薬液が基板Ｗに供給される。これにより、基板Ｗが薬液によって均一に処理される。制御装置５は、基板Ｗへの薬液の供給を停止させた後、処理ユニット４によって、リンス液（たとえば、純水）を基板Ｗに供給させる（リンス液供給工程）。これにより、基板Ｗ上の薬液が洗い流される。その後、制御装置５は、基板Ｗを高速回転させることにより、基板Ｗを乾燥させる（乾燥工程）。

【0055】

次に、基板Ｗを処理ユニット４から中継ユニット３の第２通過ユニット７に搬送する第３搬送工程が行われる（図６のステップＳ４）。具体的には、制御装置５は、センターロボットＣＲによって、処理ユニット４内の基板Ｗを第２通過ユニット７のいずれかの加熱ユニット８に搬送させる。加熱ユニット８に搬入された基板Ｗは、ホットプレート１９によって、室温よりも高い温度に加熱される。したがって、前述の乾燥工程で除去しきれなかった水分が基板Ｗに残留していたとしても、この水分は、ホットプレート１９による基板Ｗの加熱によって蒸発する。これにより、残留水分が基板Ｗからより確実に除去される。第２通過ユニット７での基板Ｗの加熱温度（以下では、「第２加熱温度」という。）は、第１加熱温度と等しくてもよいし、第１加熱温度とは異なっていてもよい。第２加熱温度が第１加熱温度よりも高温である場合、残留水分の蒸発がさらに促進される。

【0056】

次に、基板Ｗを第２通過ユニット７からロードポート２に搬送する第４搬送工程が行われる（図６のステップＳ５）。具体的には、制御装置５は、インデクサロボットＩＲによって、第２通過ユニット７内の基板Ｗをロードポート２に保持されているいずれかのキャリアＣに搬入させる。前述のように、第２通過ユニット７内の基板Ｗは、ホットプレート１９によって、室温よりも高い温度に加熱されている。したがって、基板Ｗは、室温よりも高温の状態でインデクサロボットＩＲによって搬送され、室温と概ね等しい温度まで低下した状態でキャリアＣ内に搬入される。制御装置５は、このような一連の動作を基板処理装置１に繰り返させることにより、複数枚の基板Ｗを一枚ずつ基板処理装置１に処理させる。

【0057】

以上のように本実施形態では、複数枚の基板Ｗが、インデクサロボットＩＲによって、ロードポート２から中継ユニット３に一枚ずつ搬送される。中継ユニット３に搬送された基板Ｗは、センターロボットＣＲによって、中継ユニット３から複数の処理ユニット４に一枚ずつ搬送される。そして、処理ユニット４に搬送された基板Ｗは、処理液で処理される。このように、複数枚の基板Ｗは、中継ユニット３によって、インデクサロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間で中継される。

【0058】

中継ユニット３は、複数枚の基板Ｗが非接触で上下方向に積層された状態で、当該複数枚の基板Ｗを保持する。さらに、中継ユニット３は、基板Ｗに供給される処理液よりも高い温度まで複数枚の基板Ｗを加熱する。したがって、加熱された基板Ｗが、中継ユニット３から処理ユニット４に搬送される。そして、自然冷却によって処理液と概ね等しい温度まで冷めた基板Ｗに処理液が供給される。したがって、基板Ｗが加熱されない場合よりも、処理液と基板Ｗとの温度差が小さい。そのため、処理の均一性を高めることができる。

【0059】

さらに、基板Ｗは、ロードポート２から処理ユニット４に至る基板Ｗの搬送経路で、処理ユニット４に搬送される前に加熱されるので、余分な時間（昇温時間）が処理ユニット４で発生しない。そのため、基板処理装置１のスループット（単位時間当たりの基板Ｗの処理枚数）の減少を抑制または防止できる。しかも、基板Ｗは、基板Ｗの搬送経路で加熱されるので、基板処理装置１のフットプリント（専有面積）の増加を抑制または防止できる。

【0060】

［第２実施形態］
図７は、本発明の第２実施形態に係る第１通過ユニット２０６および第２通過ユニット２０７の内部を水平方向から見た模式図である。この図７において、前述の図１〜図６に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。

【0061】

第２実施形態に係る基板処理装置２０１は、中継ユニットを除き、第１実施形態に係る基板処理装置１と同様の構成を備えている。すなわち、基板処理装置２０１は、第１実施形態に係る中継ユニット３に代えて、基板Ｗの受け渡しが行われる中継ユニット２０３を含む。
中継ユニット２０３の第１通過ユニット２０６は、熱風によって複数枚の基板Ｗを加熱する加熱ユニット２０８を含む。加熱ユニット２０８は、複数枚の基板Ｗを支持する複数の支持部材２２７と、複数の支持部材２２７を収容するハウジング２２０と、ハウジング２２０の２つの開口部２０ａ、２０ｂをそれぞれ覆う第１扉２１および第２扉２２と、ハウジング２２０に対して第１扉２１および第２扉２２を移動させる開閉アクチュエータ２３とを含む。加熱ユニット２０８は、さらに、ハウジング２２０内に熱風を送る送風ダクト２２９と、送風ダクト２２９からハウジング２２０内に送られる気体を加熱するヒータ２２８と、ハウジング２２０内の気体を排出する排気ダクト２３０とを含む。中継ユニット２０３の第２通過ユニット２０７は、第１通過ユニット２０６と同様の構成を備えている。したがって、以下では、第１通過ユニット２０６について説明し、第２通過ユニット２０７についての説明を省略する。

【0062】

複数の支持部材２２７は、上下方向に重ねられており、平面視において重なっている。複数の支持部材２２７は、上下方向に間隔を空けて配置されている。基板Ｗは、支持部材２２７によって下から支持される。各支持部材２２７は、基板Ｗを水平な姿勢で支持可能である。したがって、複数の支持部材２２７は、複数枚の基板Ｗが水平な姿勢で間隔を空けて上下方向に積層された状態で、当該複数枚の基板Ｗを支持可能である。

【0063】

送風ダクト２２９および排気ダクト２３０は、ハウジング２２０に接続されている。ヒータ２２８によって加熱された室温よりも高温の気体（熱風）は、送風ダクト２２９を介してハウジング２２０内に供給される。また、ハウジング２２０内の気体は、排気ダクト２３０から排出される。送風ダクト２２９からハウジング２２０内に送られる気体は、清浄空気（クリーンエア）であってもよいし、窒素ガスなどの不活性ガスであってもよいし、清浄空気および不活性ガス以外の気体であってもよい。

【0064】

熱風が送風ダクト２２９からハウジング２２０に送られると、ハウジング２２０の内部が、熱風で満たされ、ハウジング２２０内の温度が室温よりも上昇する。また、ハウジング２２０内の気体が排気ダクト２３０から排出されるので、熱風の供給が継続されている間は、ハウジング２２０内の気体が新たな熱風に順次置換される。そのため、ハウジング２２０内が高温に維持される。支持部材２２７に支持されている基板Ｗは、ハウジング２２０内に供給された熱風によって加熱される。これにより、基板Ｗの全域が均一に加熱され、基板Ｗ全域の温度が室温よりも高い温度に維持される。

【0065】

制御装置５（図１参照）は、第１実施形態の基板Ｗの処理の一例と同様に、第１通過ユニット２０６によって、基板Ｗに供給される薬液の温度よりも高い温度まで基板Ｗを加熱させる。したがって、基板Ｗの温度と薬液の温度とが概ね等しい状態で、薬液が基板Ｗに供給される。これにより、基板Ｗが薬液によって均一に処理される。そして、制御装置５は、基板Ｗが処理ユニット４によって処理された後、第２通過ユニット２０７によって、室温よりも高い温度まで基板Ｗを加熱させる。これにより、残留水分が基板Ｗから除去され、基板Ｗの乾燥不良が抑制または防止される。

【0066】

［第３実施形態］
図８Ａおよび図８Ｂは、本発明の第３実施形態に係る第１通過ユニット３０６および第２通過ユニット３０７の内部を水平方向から見た模式図である。この図８Ａおよび図８Ｂにおいて、前述の図１〜図７に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。

【0067】

第３実施形態に係る基板処理装置３０１は、中継ユニットを除き、第１実施形態に係る基板処理装置１と同様の構成を備えている。すなわち、基板処理装置３０１は、第１実施形態に係る中継ユニット３に代えて、基板Ｗの受け渡しが行われる中継ユニット３０３を含む。
中継ユニット３０３の第１通過ユニット３０６は、光の照射によって基板Ｗを加熱する複数の加熱ユニット３０８を備えている。同様に、中継ユニット３０３の第２通過ユニット３０７は、光の照射によって基板Ｗを加熱する複数の加熱ユニット３０８を備えている。図示はしないが、第１通過ユニット３０６の複数の加熱ユニット３０８は、上下方向に積層されており、第２通過ユニット３０７の複数の加熱ユニット３０８は、上下方向に積層されている。

【0068】

加熱ユニット３０８は、基板Ｗを支持する支持部材２２７と、支持部材２２７に支持されている基板Ｗの上面または下面に光を照射するランプ３３１と、複数の支持部材２２７を収容するハウジング２０と、ハウジング２０の２つの開口部２０ａ、２０ｂをそれぞれ覆う第１扉２１および第２扉２２と、ハウジング２０に対して第１扉２１および第２扉２２を移動させる開閉アクチュエータ２３とを含む。

【0069】

ランプ３３１は、基板Ｗの上面または下面の一部だけに光を照射する構成であってもよいし、基板Ｗの上面または下面の全域に光を照射する構成であってもよい。図８Ａでは、基板Ｗの上面周縁部だけに光を照射するリングランプ３３１Ａが、ランプ３３１として用いられている場合を示しており、図８Ｂでは、基板Ｗの上面全域に光が照射されるように平行に配置された複数本の棒状ランプ３３１Ｂが、ランプ３３１として用いられている場合を示している。

【0070】

基板Ｗは、ランプ３３１からの光の照射によって加熱される。制御装置５（図１参照）は、光の強さや照射時間などの条件を調整することにより、基板Ｗの温度を調整する。制御装置５は、第１実施形態の基板Ｗの処理の一例と同様に、薬液が基板Ｗに供給される前に、第１通過ユニット３０６の加熱ユニット３０８によって基板Ｗを加熱させる。これにより、基板Ｗの温度と薬液の温度とが概ね等しい状態で、薬液が基板Ｗに供給される。そして、制御装置５は、基板Ｗが処理ユニット４によって処理された後、第２通過ユニット３０７の加熱ユニット３０８によって、室温よりも高い温度まで基板Ｗを加熱させる。これにより、残留水分が基板Ｗから除去され、基板Ｗの乾燥不良が抑制または防止される。

【0071】

［他の実施形態］
本発明の第１〜第３実施形態の説明は以上であるが、本発明は、前述の第１〜第３実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、基板Ｗの温度を検出する温度センサＳ１（図１参照）が、センターロボットＣＲのハンドＨに設けられてもよい。この場合、制御装置５は、基板Ｗが処理ユニット４内に搬入される前に、センターロボットＣＲに保持されている基板Ｗの温度を、温度センサＳ１の検出値に基づいて検出できる。したがって、センターロボットＣＲに保持されている基板Ｗの温度が予め定められた温度まで低下していない場合には、制御装置５は、処理ユニット４への基板Ｗの搬入を停止させてもよい。

【0072】

また、第１〜第３実施形態では、基板が処理液で処理される前に、処理ユニットの外（第１通過ユニット）で基板を加熱すると共に、基板が処理液で処理された後に、処理ユニットの外（第２通過ユニット）で基板を加熱する場合について説明した。しかし、処理済みの基板が加熱されずに第２通過ユニットに中継されてもよい。この場合、第２通過ユニットに熱源を設けなくてもよいので、基板処理装置の製造コストを低減できる。

【0073】

また、第１〜第３実施形態では、インデクサロボットからセンターロボットに搬送される基板（処理前の基板）が、第１通過ユニットによって中継され、センターロボットからインデクサロボットに搬送される基板（処理済みの基板）が、第２通過ユニットによって中継される場合について説明したが、処理前および処理済みの基板が、共通の通過ユニットによって中継されてもよい。

【0074】

また、第１〜第３実施形態では、基板の温度と薬液の温度とが概ね等しい状態で、薬液が基板に供給される場合について説明したが、室温よりも高ければ、基板の温度は、薬液の温度より低くてもよい。このような場合でも、基板の温度が室温であるときよりも基板と薬液との温度差が小さいので、処理の均一性を高めることができる。
また、第１〜第３実施形態では、基板の温度が全域に亘って均一な状態で、薬液が基板に供給される場合について説明したが、基板の周縁部が基板の中央部よりも高温の状態で、薬液を基板に供給してもよい。すなわち、第１実施形態では、図５の時間ｔ１から基板への薬液の供給が開始される場合について説明したが、図５の時間ｔ２から基板への薬液の供給が開始されてもよい。基板上での薬液の温度は、通常、基板の回転中心から離れるに従って低下していく。したがって、基板の周縁部が基板の中央部よりも高温の状態で薬液を基板に供給することにより、基板上での薬液の温度のばらつきを低減できる。これにより、処理の均一性を高めることができる。

【0075】

また、第１〜第３実施形態では、第１通過ユニットの加熱ユニット（第１加熱ユニット）の構成と、第２通過ユニットの加熱ユニット（第２加熱ユニット）の構成とが同じである場合について説明したが、第１加熱ユニットの構成と、第２加熱ユニットの構成とは異なっていてもよい。
また、第１〜第３実施形態では、デバイス形成面である基板の表面が上に向けられた状態で、当該基板が、第１通過ユニットおよび第２通過ユニットによって中継される場合について説明したが、第１通過ユニットは、基板の表面および裏面を反転させる反転ユニットをさらに備えていてもよい。同様に、第２通過ユニットは、基板の表面および裏面を反転させる反転ユニットをさらに備えていてもよい。この場合、反転ユニットは、基板を挟持する挟持部材と、基板が挟持される挟持状態と基板の挟持が解除される解除状態との間で挟持部材を切り替える切替アクチュエータと、挟持部材が基板を挟持している状態で当該挟持部材を水平な軸線まわりに１８０度回転させる反転アクチュエータとを備えていてもよい。

【0076】

また、第１実施形態では、ホットプレートによって基板を直接加熱する場合について説明したが、基板が存在する空間を加熱することにより、間接的に基板を加熱してもよい。第３実施形態についても同様である。
また、第１〜第３実施形態では、インデクサロボットが基板を一枚ずつ搬送する場合について説明したが、インデクサロボットは、複数枚の基板をそれぞれ複数のハンドに保持した状態で、これらの基板を同時に搬送してもよい。センターロボットについても同様である。

【0077】

また、第１〜第３実施形態では、基板処理装置が、円板状の基板を処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置は、液晶表示装置用基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

【符号の説明】

【0078】

１ ：基板処理装置
２ ：ロードポート（収容器保持ユニット）
３ ：中継ユニット
４ ：処理ユニット
５ ：制御装置（搬送時間制御手段）
６ ：第１通過ユニット
７ ：第２通過ユニット
８ ：加熱ユニット（第１加熱ユニット、第２加熱ユニット）
１１ ：薬液ノズル（処理液供給手段）
２０１ ：基板処理装置
２０３ ：中継ユニット
２０６ ：第１通過ユニット
２０７ ：第２通過ユニット
２０８ ：加熱ユニット（第１加熱ユニット、第２加熱ユニット）
３０１ ：基板処理装置
３０３ ：中継ユニット
３０６ ：第１通過ユニット
３０７ ：第２通過ユニット
３０８ ：加熱ユニット（第１加熱ユニット、第２加熱ユニット）
Ｃ ：キャリア（収容器）
ＣＲ ：センターロボット（第２搬送ユニット）
ＩＲ ：インデクサロボット（第１搬送ユニット）
Ｓ１ ：温度センサ（温度検出手段）
Ｗ ：基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8A】

【図8B】