特許 6242688 半導体装置及び製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6242688

(24)【登録日】2017年11月17日

(45)【発行日】2017年12月6日

(54)【発明の名称】半導体装置及び製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/205 20060101AFI20171127BHJP

   B82B 1/00 20060101ALI20171127BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/205

   B82B1/00ZNM

【請求項の数】6

【全頁数】10

(21)【出願番号】特願2013-555936(P2013-555936)

(86)(22)【出願日】2012年2月29日

(65)【公表番号】特表2014-509781(P2014-509781A)

(43)【公表日】2014年4月21日

(86)【国際出願番号】GB2012050458

(87)【国際公開番号】WO2012117247

(87)【国際公開日】20120907

【審査請求日】2014年9月24日

【審判番号】不服2016-13978(P2016-13978/J1)

【審判請求日】2016年9月16日

(31)【優先権主張番号】1103657.1

(32)【優先日】2011年3月3日

(33)【優先権主張国】GB

(73)【特許権者】

【識別番号】511306963

【氏名又は名称】セレン フォトニクス リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100094983

【弁理士】

【氏名又は名称】北澤 一浩

(74)【代理人】

【識別番号】100095946

【弁理士】

【氏名又は名称】小泉 伸

(74)【代理人】

【識別番号】100099829

【弁理士】

【氏名又は名称】市川 朗子

(72)【発明者】

【氏名】ワン、タオ

【合議体】

【審判長】 飯田 清司

【審判官】 鈴木 匡明

【審判官】 加藤 浩一

(56)【参考文献】

【文献】 特表２０１０−５１６５９９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２００８−５４２１８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−１２０８４１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１０−５１８６１５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２００５／０１８６７６４（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 英国特許出願公開第２４７００９７（ＧＢ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

H01L 21/205

H01L 33/06

C30B 25/18

C30B 29/40

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

（i）III族窒化物で形成されている半導体層を有する半導体ウエハを提供し、
（ii）前記半導体層上に二酸化ケイ素と窒化ケイ素の少なくとも一方で形成される第１のマスク層を形成し、
（iii）前記第１のマスク層上に金属で形成される第２のマスク層を形成し、
（iv）島を形成するために前記第２のマスク層をアニールし、
（v）マスクとして島を使用して、前記第１のマスク層と前記第２のマスク層を介してエッチングすることにより、全数のうち９０％以上が１０００ナノメータ未満の直径を有するピラーアレイを形成し、
（vi）前記島を取り除き、
（vii）ピラー間においてIII族窒化物で形成されている半導体材料を成長させ、
（viii）次いで前記ピラーの頂部上に前記半導体材料を成長させ、前記半導体材料が成長している間に、前記第１のマスク層から形成されたキャップがそれぞれの前記ピラーの頂部に残されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

【請求項2】

前記半導体層は基板上に支持されていることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。

【請求項3】

前記基板は、少なくともサファイア、シリコン、及び炭化ケイ素の少なくとも一つを有することを特徴とする請求項２に記載の製造方法。

【請求項4】

前記第２のマスク層はニッケルで形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の製造方法。

【請求項5】

前記半導体材料の成長は前記ピラーの基部周囲に隙間を形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の製造方法。

【請求項6】

前記半導体層は基板上に支持され、
隣接する前記ピラーにおける前記半導体材料の成長は前記基板から離れた高さで接触し、前記隙間は前記高さの下で残されることを特徴とする請求項５に記載の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。特に、本発明は、高品質結晶構造を有する半導体装置の製造に関する。例えば、この装置は発光ダイオード及び固体レーザの構成に用いられる。

【背景技術】

【0002】

現状では、固体発光に必要な白色発光ダイオード（ＬＥＤｓ）の製造に、主に次の３つのアプローチが存在する。すなわち、第一のアプローチは、（１）それぞれが赤色、緑色、青色の異なる波長を発光する３つのＬＥＤチップのパッケージである。第二のアプローチは、（２）青色（４６０ナノメータ）ＬＥＤと、そのＬＥＤの青色光によって励起される黄色蛍光体を組み合わせることである。第三のアプローチは、（３）紫外線を発光するシングルチップにおいて、その光を３つの蛍光体（赤色、青色、緑色）に吸収させ、ブロードスペクトルを持った白色光として再発光させることである。第一と第二のアプローチにおける重要な要素は、青色または緑色のＬＥＤであり、これら２つのＬＥＤはいずれもＩｎＧａＮ材料系をベースとするものである。第三のアプローチにおいては、高品質の紫外線（ＵＶ）発光体が必要である。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

ＩｎＧａＮベースの装置およびＡｌＧａＮベースの装置については、高度の成長技術が確立されているが、それらの技術は、通常、ｃ面サファイア基板がベースである。この極性配向は、圧電効果による強いビルトイン電場をもたらし、装置は、電子及び正孔波動関数との発光性再結合時間の重複を減少させ、その結果、低量子効率を生む。これが、いわゆる量子閉じ込めシュタルク効果（ＱＣＳＥ）である。特に、発光体が緑色のスペクトル領域に移行すると、より高次のＩｎＮフラクションが必要とされ、内部電場は、通常、極めて強いものとなる。このことは、高性能なＩｎＧａＮベースの発光体（特に緑色発光体）を得るうえで、大きな障害をもたらす。同様の問題は、ＡｌＧａＮベースのＵＶ発光体にも起こるが、ＡｌＧａＮにおける問題の程度は、ＩｎＧａＮにおける問題よりも深刻である。

【0004】

ホモエピタキシャル成長は、ＩＩＩ族窒化物ベースの光電子装置にとって理想である。しかし、許容性の問題により、サファイア、ＳｉＣやケイ素などの異質な基板上での成長が、ＩＩＩ族窒化物の主要な成長アプローチとして、今もなお存続している。このような「格子構造が大きく不整合な、ヘテロエピタキシャルな状態」は、大変高い転位密度をもたらす。これは、ＩｎＧａＮベースの近ＵＶ／青色／緑色発光体や、ＡｌＧａＮ／ＧａＮベースのＵＶ発光体のようなＩＩＩ族窒化物光電子機器の光学性能の大きな劣化を引き起こす。この転位の問題は、ＩｎＧａＮベースの発光体よりも、ＡｌＧａＮ／ＧａＮベースのＵＶ発光体に対して、より大きな影響となって現れる。なぜならば、ＡｌＧａＮ／ＧａＮベースのＵＶ発光体の光学性能は、ＩｎＧａＮベースの発光体よりも、転位の影響を受けやすいためである。

【0005】

前述の２つの問題（ＱＣＳＥと転位）は、ＩＩＩ族窒化物ベース光電子機器の光学性能のさらなる向上を図る上で、２つの根本的な障害である。

【0006】

ＱＣＳＥの負の影響に対抗するための、最も有望視されているアプローチの一つは、理論的にも実験的にも証明された、非極性又は半極性配向に沿った成長である。非極性又は半極性ＩＩＩ族窒化物発光体におけるもう一つの主な利点は、それらが偏光を発光できることである。液晶ディスプレイ（ＬＣＤｓ）は偏光を必要とする上、最近のＬＣＤｓは、偏光を得るために、エキストラ偏光素子を必要とする。この偏光素子の低い透過効率は、より低い効率を生じるため、偏光を発する装置は好都合である。

【0007】

非極性又は半極性面での、最近のＩＩＩ族窒化物の成長は、緑色発光体に大きな進歩をもたらした。しかし、大きな課題も明らかになった。すなわち、これらの高品質の非極性又は半極性のＩＩＩ族窒化物発光体は、ホモエピタキシャル成長法を採用するため、極めて高価なＧａＮ基板上で専ら成長されることとなる。不運にも、非極性又は半極性ＧａＮ基板は大変小さく、そして極めて高価である。加えて、高い不均一性が、これらを大量生産に適さないものとしている。

【0008】

したがって、いかなるサイズ（１２インチまで等）でも、サファイア基板上で高結晶テンプレートで非極性又は半極性ＧａＮを得ることが、ＩｎＧａＮベース又はＡｌＧａＮベースの装置構造での成長には望ましい。これまで、従来の横方向エピタキシャル成長（ＥＬＯＧ）が、サファイア上の非極性又は半極性ＧａＮの結晶品質を高めるために採用されていた。ＥＬＯＧ技術は、選択領域成長に基づくものである。主として、標準的なＧａＮ層が、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）、分子線エピタキシ法（ＭＢＥ）又はハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）により、サファイア上に最初に成長される。次いで、その表面は、ＳｉＯ_２又はＳｉ_３Ｎ_４のような誘電体マスクを用いて、エックス・サイチュで覆われる。次いで、マスクは、標準的なフォトリソグラフィを用いて、ミクロンスケールの（ナノメータスケールではない）縞状に形成される。次に、マスクされたサンプルは、ＭＯＶＰＥ、ＭＢＥ又はＨＶＰＥによる更なる成長のための、テンプレートとして用いられる。再成長は、ＧａＮは誘電体マスク上では成長しないため、マスク開口部に露出したＧａＮにおいて始まる。成長面がマスク高さより高くなると、ＧａＮの再成長は縞状マスクを覆うように横方向に進展し、最終的に合体して滑らかな表面を形成する。サファイアとＧａＮの格子構造の大きな不整合によって発生する縞状マスク下での結晶構造の転位は、効果的に防止される。標準的なリソグラフィの限界のため、マスク縞の幅と開口部の幅は、ナノメータスケールまで小さくすることはできない。したがって、通常、過成長層が１０マイクロメータから２０マイクロメータより厚くなるまで、滑らかな表面を得ることはできない。加えて、このようなアプローチを、ＡｌＧａＮの過成長に適用することは困難である。なぜならば、ＡｌＧａＮの横方向成長速度は、一般的にＧａＮの横方向成長速度よりかなり遅く、大変遅鈍な合体を生じるからである。

【0009】

したがって、従来のＥＬＯＧアプローチは大変複雑であり、そのため非常に高価な追加コストを生じる。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本発明は半導体装置の製造方法を提供する。この製造方法は、半導体層を持つ半導体ウエハの提供を有する。この製造方法は、半導体層の上の、第１のマスク層の形成を有する。この製造方法は、第１のマスク層の上の、第２のマスク層の形成を有する。この製造方法は、複数の島を形成するための、第２のマスク層のアニーリング又は適用若しくは改造を有する。この製造方法は、複数の島をピラーのアレイを形成するためのマスクとして用い、第１のマスク層及び半導体層を介したエッチングを有する。この製造方法はさらに、ピラー間及びピラー上部を覆う半導体材料の成長を有する。

【0011】

この製造方法は、半導体材料の成長の前に、複数の島の除去を有する。

【0012】

マスク層の１つから形成されたキャップを、半導体材料の成長の間、ピラーそれぞれの頂部上に残してもよい。これは、第１の層となる。

【0013】

半導体層は、基板に支持される。基板は、サファイア、ケイ素及び炭化ケイ素のうち少なくとも１つを有する。

【0014】

複数のピラー上に成長した半導体材料は、半導体層を形成する材料（すなわち、ピラー）と同じ材料又は違う材料でも良い。

【0015】

半導体層は、ＩＩＩ族窒化物から形成される。例えば、それは窒化ガリウム、窒化インジウムガリウム又は窒化アルミニウムガリウムである。半導体材料もまた、窒化インジウムガリウム又は窒化アルミニウムガリウムのような、ＩＩＩ族窒化物とし得る。

【0016】

第１のマスク層は、二酸化ケイ素又は窒化ケイ素のうち少なくとも１つから形成される。

【0017】

第２のマスク層は、例えばニッケルのような金属から形成される。

【0018】

さらに、この製造方法は、支持基板の除去工程を有する。これは、除去部分、すなわち複数のピラーの最下部を含む。

【0019】

さらに、本発明は、それぞれが半導体材料から形成される柱を含むピラーアレイを有し、それぞれのピラーアレイの頂部にはマスク材料からなるキャップが形成され、ピラー間、ピラー頂部上及びキャップ上に延在して連続層を形成する半導体材料を有する、半導体装置を提供する。２つの半導体材料は、同じ材料でも、異なる材料でもよい。全てのピラーアレイは、その直径を、１０００ナノメータ未満、好ましくは５００ナノメータ未満、そしてさらに好ましくは３００ナノメータ未満とできる。場合により、いくつかのピラーの直径は、変則的に前述の値より大きなものとなり得る。しかし、好ましくは、少なくとも９０％のピラーの直径は、前述の値に収まる。ピラーの高さは、好ましくは、少なくとも５００ナノメータであり、さらに好ましくは少なくとも７５０ナノメータである。ピラーは、実質的に全てを同じ高さとすることができる。マスク材料は金属とすることができる。

【0020】

少なくとも、ナノピラーの幾つかは、それらの基部に空隙を有する。

【発明の効果】

【0021】

本発明は、いわゆる自己組織型ナノマスクアプローチと、その結果生じる過成長との、組み合わせに基づく。自己組織型ナノマスクの製造は大変簡単であり、余計なフォトリソグラフィを必要としない。過成長層は、従来のＥＬＯＧ法と比べ、比較的薄く出来る。しかし、得られる結晶の品質は、従来のＥＬＯＧにより得られるものと、同等又はそれ以上である。したがって、コストは著しく削減できる。加えて、このアプローチは、極性、無極性又は半極性のいずれのＩＩＩ族窒化物成長にも拡張できる。

【0022】

さらに、この方法又は装置は、一例としてのみ後述され、添付する参照図面に表される、本発明の好ましい実施形態の、いずれか１つ又はそれ以上の工程又は特徴を有しても良い。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1a】本発明の実施の形態による装置の製造工程を示す図。

【図1b】本発明の実施の形態による装置の製造工程を示す図。

【図1c】本発明の実施の形態による装置の製造工程を示す図。

【図1d】本発明の実施の形態による装置の製造工程を示す図。

【図1e】本発明の実施の形態による装置の製造工程を示す図。

【図1f】本発明の実施の形態による装置の製造工程を示す図。

【図1g】本発明の実施の形態による装置の製造工程を示す図。

【図1h】本発明の実施の形態による装置の製造工程を示す図。

【図2】図１ｄに示されるナノロッドアレイを示す図。

【図3】図１ａから図１ｈの方法で製造されたサンプルと、無極性ＧａＮの標準サンプルとにおける、入射Ｘ線ビーム方位角に対するＸ線ロッキングカーブ半値幅を示すグラフ。

【発明を実施するための形態】

【0024】

以下、本発明の実施の形態による半導体装置について説明する。図１ａにおいて、半導体装置を製造する第１の工程は、適切な半導体ウエハ２０１を提供する。半導体ウエハ２０１は従来のものであり、基板２０５を有する。基板は、この場合、サファイア層を有し、さらにそのサファイア層上に窒化ガリウム（ＧａＮ）の半導体層２１０が設けられる。他の材料を用いることも可能である。例えば、基板はケイ素又は炭化ケイ素でもよい。半導体は他の適切な材料でもよい。例えば、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）又は窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）のような、他のＩＩＩ族窒化物である。

【0025】

第１のマスク層２２０が、例えばプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いて、半導体層２１０の上に設けられる。第１のマスク層２２０は二酸化ケイ素によって形成されるが、例えば窒化ケイ素のような、この層に対して適切な別の材料でもよく、２００ナノメータのほぼ均一な厚さで堆積される。

【0026】

第２のマスク層２３０が、第１のマスク層２２０の上に設けられる。第２のマスク層２３０は金属を有し、本実施例ではニッケルである。この第２のマスク層２３０は、熱蒸発、スパッタリング又は電子ビーム蒸着によって設けられる。この工程において、５から５０ナノメータのほぼ均一な厚さを有するニッケル層が形成され、さらに摂氏６００度から９００度の温度範囲下で流動窒素（Ｎ_２）を流しながらアニーリングされる。アニーリング工程の時間は１分から１０分の間であり、その結果、第２のマスク層２３０が形成される。第２のマスク層２３０は、自己組織化した複数のニッケル島２３１が第１のマスク層２２０の上に不規則に点在するような、ニッケル層を有する。それぞれのニッケル島は、第１のマスク層２２０上面のそれぞれの、ほぼ円形の複数の領域を覆っており、円形領域の直径は概して１００ナノメータ以上、１０００ナノメータ以下である。そのため、第２のマスク層２３０は、その下にあるＳｉＯ_２層をエッチングする際のマスクとして働く。このとき、複数のニッケル島２３１は下層のＳｉＯ_２層をマスクし、複数のニッケル島の間の空間はＳｉＯ_２層の露出領域となり、エッチングされるべき下層のＳｉＯ_２層の領域が定まる。

【0027】

図１ｃを参照すると、第１のマスク層２２０は、第２のマスク層２３０から成る複数の金属島２３１をマスクとして用いることにより、ＣＨＦ_３又はＳＦ_６を用いる反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ）で、エッチングされる。この工程は、ＧａＮ層２１０の上に不規則に点在する二酸化ケイ素から成る複数のナノピラー（ナノロッドとも称する）２４０を提供する。複数のナノピラー２４０のそれぞれ１つは、第１のマスク層２２０の一部分２２１の各々１つと、複数のニッケル島２３１の各々１つを有する。複数のナノピラー２４０のそれぞれ１つは、複数のニッケル島のそれぞれ１つと対応しており、それぞれのナノピラーの直径は、対応するそれぞれのニッケル島が覆う表面領域の直径とほぼ一致する。前記工程により形成された複数のナノピラー２４０は、ＧａＮ層２１０の幾つかの領域をマスクし、ＧａＮ層２１０のどの領域（すなわち、複数のナノピラー２４０間の複数の空間における露出された領域）がエッチングされるか定める。

【0028】

図１ｄを参照すると、次工程において、ＧａＮ層２１０は、例えば誘電結合プラズマエッチングにより、エッチングされる。このとき、以前の工程で生成された複数のナノピラー２４０は、マスクとして用いられる。この工程は、図１ｄに示されるように、ＧａＮ層２１０のエッチング又は一部のＧａＮ層２１０のエッチングを含む。この工程では、図１ｄに示されるように、ナノピラー構造が得られ、複数のナノピラー２５０は、サファイア基板２０５から上方に伸びる。それぞれのナノピラー２５０は、ＧａＮ層２１０のそれぞれの部分２１１と、第１のマスク層２２０の部分２２１と、第２のマスク層２３０から生成された金属島２３１とを有する。したがって、この工程におけるエッチングは、ＧａＮの露出表面２５０ａを形成する。露出表面２５０ａは、複数のナノピラー２５０の側面を有する。ナノピラーそれぞれの直径は、底部から上部までほぼ一定であり、ニッケル島のそれぞれで覆われた表面領域の直径ともほぼ一致する。しかしながら、実際のところ、いくつかのナノピラーは、テーパー状となる。

【0029】

図１ｅを参照すると、第２のマスク層２３０を形成する複数のニッケル島２３１は、この工程において除去される。除去の結果、ナノピラー２６０は、ＧａＮ層２１０のそれぞれの部分２１１と、第１のマスク層２２０の部分２２１とを有する。この工程は、塩酸（ＨＣｌ）又は硝酸（ＨＮＯ_３）を用いたウェットエッチングによって実行できる。この工程は、頂部にＳｉＯ_２のキャップ２２１を持つＧａＮ柱２１１を主に有する、それぞれのナノピラーを形成する。

【0030】

図１ｆを参照すると、ＧａＮナノロッドアレイは、ＧａＮ柱２１１の側面２５０ａに対するＧａＮ２７０の蒸着用テンプレートとして用いられる。蒸着では、過成長させるため、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、ＭＢＥ又はＨＶＰＥが用いられる。ＧａＮ２７０の再成長は、ＧａＮナノロッド側面の（最初は横方向に、その後上方向に）、ＧａＮが露出している箇所において始まる。この工程は、ナノピラーの側面に層２７１を形成する。層２７１は、ピラーから外側に、互いの方向に向かって成長する。その後、層２７１のそれぞれは、層厚が最大となる場所で接触する。これは、接触点２７２の下部における容積２７３でのさらなる成長を防ぐ。また、接触点の上部における容積２７４での成長が、継続する。これは、場合によっては、中空の隙間又は空隙としての容積２７３を、それぞれのナノピラーの基部周囲に残す。これらの隙間は、互いに接続され空隙を作る場合がある。この空隙は、全ての又は実質的に全てのナノピラーの間に延び、迷路状となる。ナノピラー頂部にあるＳｉＯ_２マスク２２１は、その頂部上でのＧａＮの成長を防ぐ。図１ｇを参照すると、ＧａＮの成長面がＳｉＯ_２ナノマスク２２１の高さを越えた場合、ＧａＮの再成長は、ＳｉＯ_２ナノマスク頂部を覆うように、横方向に進行する。さらに最終的に、図１ｆに示すように、ＧａＮは合体し、ナノマスク頂部を覆うように延在する連続した層を形成し、滑らかな表面２７１を持つに至る。理論上、テンプレート（すなわち、複数のナノピラー２６０）から発生する全ての転位は、効果的に阻害される。たとえもし、複数のナノピラー２６０の下部周囲に空隙が無い場合においても、複数のナノピラー間の隙間の底部から発生する成長は、通常、部分的又は完全に、複数のナノピラー側面からの成長によって遮断される。また、したがって、複数のナノピラー頂部まで伸びるような転位の数は、大変少ない。

【0031】

成長が完了すると、基板２０５は除去される。基板の除去は、通常、複数のナノピラー２６０の下端の除去を含む。この除去は、複数のナノピラーの基部周囲の中空のボリューム２７３の存在により、簡易に行うことが可能である。複数のナノピラー２６０の基部は、接触点２７２より下部で、すなわち中空のボリューム２７３の頂部より下のレベルにまで、除去し得る。この場合、ひずみレベルの低い、均一性の高い構造を得ることができる。

【0032】

図２は、前述する工程の結果として得られた、ＧａＮナノロッドの高密度アレイを示す。それぞれのナノロッドの直径は２００ナノメータ以下である。特筆すべき点は、ＧａＮナノロッドの側壁が所望の垂直アライメントを示していることである。

【0033】

図３は、前述する工程によって得られたサンプルに対する、Ｘ線回折の結果を示す。Ｘ線ロッキングカーブの半値幅が、入射Ｘ線ビームの全方位角（方位角のゼロ角は、入射ビームの投射が成長したＧａＮ層のｃ方向と平行になる角度として、定義される。）において、サファイアγ面上に設けられた標準的な非極性ＧａＮサンプルに比べ、大きく減少していることが分かる。このことは、転位密度が、当該発明の本実施例において大きく減少したことを示している。

【0034】

前述の方法を、ＧａＮナノピラー構造におけるＡｌＧａＮの過成長にも拡大適用することは、合体の問題を案ずることなく、ＧａＮナノロッド間の空隙をナノメータのスケールに保つので、大変効果的である。このスケールは、前述する従来型ＥＬＯＧに通常用いられるＳｉＯ_２マスクのスケールに比べ、大変小さい。加えて、過成長の過程でナノロッド間に現れる残留空隙により、従来のＩＩＩ族窒化物の成長において通常現れる、ＧａＮ上のＡｌＧａＮのクラックの問題が、解消され得る。

【0035】

本発明の他実施例は、前述する実施例に限られず、多岐にわたるものである。本発明の方法は、基板、ナノピラー構造の材料及び成長半導体材料の様々な組み合わせに適用可能である。そして、最適であるのは、半導体の格子構造中の転位の形成が問題となる、基板と成長半導体とが相当異なる格子構造を有する場合である。明らかに、格子構造の正確なスケールは、多様なものとなり得る。さらに、小さなスケールに構造を生産できることは、この方法特有の利点である。

【符号の説明】

【0036】

２０５ 基板
２１０ 半導体層
２１１ 半導体層の部分
２２０ 第１のマスク層
２２１ 第１のマスク層の部分
２３０ 第２のマスク層
２３１ 金属島
２４０ ナノピラー
２５０ ナノピラー
２５０ａ 露出表面
２６０ ナノピラー
２７０ ＧａＮ
２７１ 層
２７２ 接触点
２７３ 容積
２７４ 接触点の上部における容積

【図1a】

【図1b】

【図1c】

【図1d】

【図1e】

【図1f】

【図1g】

【図1h】

【図2】

【図3】