特許6242941ＩＩＩ族窒化物半導体及びその製造方法

発明の名称　ＩＩＩ族窒化物半導体及びその製造方法

出願人　パナソニック株式会社　（識別番号 5821）

　　　　特許公開件数ランキング 431 位（84件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 172 位（196件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6242941

公報発行日　2017年12月6

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6242941

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