特許 6243048 温度依存型増幅器バイアス

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6243048

(24)【登録日】2017年11月17日

(45)【発行日】2017年12月6日

(54)【発明の名称】温度依存型増幅器バイアス

(51)【国際特許分類】

   H03F 1/30 20060101AFI20171127BHJP

   H03F 3/19 20060101ALI20171127BHJP

【ＦＩ】

   H03F1/30 A

   H03F3/19

【請求項の数】19

【全頁数】24

(21)【出願番号】特願2016-546967(P2016-546967)

(86)(22)【出願日】2015年1月8日

(65)【公表番号】特表2017-503435(P2017-503435A)

(43)【公表日】2017年1月26日

(86)【国際出願番号】US2015010644

(87)【国際公開番号】WO2015108755

(87)【国際公開日】20150723

【審査請求日】2016年11月15日

(31)【優先権主張番号】14/158,318

(32)【優先日】2014年1月17日

(33)【優先権主張国】US

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】595020643

【氏名又は名称】クゥアルコム・インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＱＵＡＬＣＯＭＭ ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

(74)【代理人】

【識別番号】100108855

【弁理士】

【氏名又は名称】蔵田 昌俊

(74)【代理人】

【識別番号】100109830

【弁理士】

【氏名又は名称】福原 淑弘

(74)【代理人】

【識別番号】100158805

【弁理士】

【氏名又は名称】井関 守三

(74)【代理人】

【識別番号】100112807

【弁理士】

【氏名又は名称】岡田 貴志

(72)【発明者】

【氏名】パク、ジュンドン

(72)【発明者】

【氏名】ワン、チェン−ハン

(72)【発明者】

【氏名】キム、ホン・スン

(72)【発明者】

【氏名】バヒド・ファー、モハンマド・バグヘー

【審査官】 ▲高▼橋 義昭

(56)【参考文献】

【文献】 米国特許出願公開第２００９／００５４００４（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２００７／０２００６２８（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２０１０／０００７４２４（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２０１０−１６６３１２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−１５２５６６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−２２４４３０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０３Ｆ １／３０

Ｈ０３Ｆ ３／１９

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

装置であって、
複数の電流寄与段を含む第１のバイアス回路と、前記第１のバイアス回路は、第１の調整可能なスロープに従って温度に伴い変動する第１の電流を生成するように構成され、
第２のスロープに従って温度に伴い変動する第２の電流を生成するように構成された第２のバイアス回路と、
前記第１のバイアス回路の出力に応答するトランスコンダクタンス段を含む低ノイズ増幅器と、
前記低ノイズ増幅器の出力に結合されており、前記第２のバイアス回路の出力に応答する負荷と
を備える装置。

【請求項2】

前記負荷は、能動回路と、少なくとも１つの受動回路素子とを備える選択的ブースト回路を備える、請求項１に記載の装置。

【請求項3】

前記第２のバイアス回路は、前記第２のバイアス回路の第２の出力ノードに結合された複数の電流寄与段を備える、請求項１に記載の装置。

【請求項4】

前記第１のバイアス回路の前記電流寄与段の各々は、
前記第１のバイアス回路の第１の出力ノードに結合されており、絶対温度比例（ＰＴＡＴ）電流を前記第１の出力ノードに供給するように構成された第１のトランジスタと、
前記第１の出力ノードに結合されており、前記第１の出力ノードからバンドギャップ電流を供給するように構成された第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタを選択的にアクティブ化するイネーブル回路と
を含む、請求項１に記載の装置。

【請求項5】

前記第１の調整可能なスロープは、前記低ノイズ増幅器の第１の温度に基づき、前記第２のスロープは、前記負荷の第２の温度に基づき、前記第２のスロープは、前記第２の温度が第１の温度領域内にあるとき負であり、前記第２のスロープは、前記第２の温度が第２の温度領域内にあるとき正である、請求項１に記載の装置。

【請求項6】

前記第１の温度領域は、前記第２の温度領域よりも低い、請求項５に記載の装置。

【請求項7】

前記トランスコンダクタンス段は、前記第１の電流に応答するトランジスタを備える、請求項１に記載の装置。

【請求項8】

前記第１のバイアス回路は、
絶対温度比例（ＰＴＡＴ）電流を生成するように動作可能なＰＴＡＴ電流源と、
バンドギャップ電流を生成するように動作可能なバンドギャップ電流源と、
第１の段選択コードに応答する第１の複数のトランジスタと、ここにおいて、前記第１の複数のトランジスタは、前記第１の段選択コードに基づいて前記ＰＴＡＴ電流の大きさを調整するように動作可能であり、
第２の段選択コードに応答する第２の複数のトランジスタと、ここにおいて、前記第２の複数のトランジスタは、前記第２の段選択コードに基づいて前記バンドギャップ電流の大きさを調整するように動作可能である、
を備える、請求項１に記載の装置。

【請求項9】

前記第１の複数のトランジスタは、ＰＴＡＴ電流バイナリデジタル／アナログ変換器（ＤＡＣ）に対応し、前記第２の複数のトランジスタは、バンドギャップ電流バイナリＤＡＣに対応する、請求項８に記載の装置。

【請求項10】

前記第１の調整可能なスロープは、基準スロープを有する、絶対温度比例（ＰＴＡＴ）基準電流に基づき、前記基準スロープに対する前記第１の調整可能なスロープの比は１よりも大きい、請求項１に記載の装置。

【請求項11】

前記第１の調整可能なスロープは、前記第２のスロープよりも大きい、請求項１０に記載の装置。

【請求項12】

前記第１のバイアス回路は、前記第１の電流を生成するために第１の入力に基づいて前記複数の電流寄与段のうちの１つ以上をイネーブルにするように構成される、請求項１に記載の装置。

【請求項13】

前記第２のバイアス回路は、前記第２の電流を生成するために第２の入力に基づいて前記第２のバイアス回路の複数の電流寄与段のうちの１つ以上をイネーブルにするように構成される、請求項１２に記載の装置。

【請求項14】

装置であって、
第１のスロープに従って温度に伴い変動する第１の電流を使用して低ノイズ増幅器にバイアスをかけるための手段と、
第２のスロープに従って温度に伴い変動する第２の電流を使用して前記低ノイズ増幅器の負荷にバイアスをかけるための手段と
を備え、前記第１のスロープは、第１のデジタルコードに基づいて調整可能であり、前記第２のスロープは、第２のデジタルコードに基づいて調整可能である、装置。

【請求項15】

前記第１のスロープは、絶対温度比例（ＰＴＡＴ）基準電流及びバンドギャップ基準電流の第１の関数として決定され、前記第２のスロープは、前記ＰＴＡＴ基準電流及び前記バンドギャップ基準電流の第２の関数として決定される、請求項１４に記載の装置。

【請求項16】

前記第１のスロープは、区分的に線形であり、前記第２のスロープは、区分的に線形であり、前記第２のスロープは、前記負荷の温度が第１の温度領域内にあるとき負であり、前記第２のスロープは、前記負荷の前記温度が第２の温度領域内にあるとき正である、請求項１４に記載の装置。

【請求項17】

前記負荷は、選択的ブースト回路を備える、請求項１４に記載の装置。

【請求項18】

第１のスロープに従って温度に伴い変動する第１の電流を使用して第１のデバイスにバイアスをかけることと、
前記第１のデバイスの出力に結合された第２のデバイスにバイアスをかけることと、前記第２のデバイスは、第２のスロープに従って温度に伴い変動する電流を使用してバイアスがかけられ、前記第１のスロープ又は前記第２のスロープのうちの少なくとも１つは調整可能であり、
第１のデジタルコードを受け、前記第１のデジタルコードに基づいて前記第１のスロープを制御することと、
第２のデジタルコードを受け、前記第２のデジタルコードに基づいて前記第２のスロープを制御することと
を備える方法。

【請求項19】

前記第１のデジタルコードに基づいて前記第１のスロープを制御することは、前記第１のデジタルコードの値に従って第１のバイアス回路内の第１の数の電流寄与段を選択的にイネーブルにすることを含み、前記第２のデジタルコードに基づいて前記第２のスロープを制御することは、前記第２のデジタルコードの値に従って第２のバイアス回路内の第２の数の電流寄与段を選択的にイネーブルにすることを含む、請求項１８に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【関連出願への相互参照】

【0001】

[0001] 本願は、２０１４年１月１７日に出願された、共同所有される米国特許非仮出願第１４／１５８３１８号の優先権を主張し、その内容は、その全文が参照により本明細書に明確に組み込まれる。

【技術分野】

【0002】

[0002] 本開示は一般に、利得変動を低減することに関する。

【背景技術】

【0003】

[0003] 技術の進歩は、より小型で、よりパワフルなコンピューティングデバイスをもたらした。例えば、現在、小型で、軽量で、かつユーザが持ち運び易いポータブルワイヤレス電話、携帯情報端末（ＰＤＡ）、及びページングデバイスのようなワイヤレスコンピューティングデバイスを含む様々なポータブルパーソナルコンピューティングデバイスが存在している。より具体的には、セルラ電話及びインターネットプロトコル（ＩＰ）電話のようなポータブルワイヤレス電話は、ワイヤレスネットワークを通して音声及びデータパケットを通信することができる。更に、多くのこのようなワイヤレス電話は、その中に組み込まれている他のタイプのデバイスを含む。例えば、ワイヤレス電話は、デジタルスチールカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルレコーダ、及びオーディオファイルプレーヤも含み得る。また、このようなワイヤレス電話は、インターネットにアクセスするために使用されることができるウェブブラウザアプリケーションのようなソフトウェアアプリケーションを含む実行可能な命令を処理することができる。このように、これらのワイヤレス電話は、重要な（significant）計算機能を含み得る。

【0004】

[0004] ワイヤレス電話は、受信機において信号を受信し得る。受信機は、アンテナから受けた信号を増幅するための低ノイズ増幅器（ＬＮＡ）を含み得る。ＬＮＡの利得及び／又はＬＮＡのノイズ指数は、温度の変化に伴い変動し得る。利得及びノイズ指数の変動は、高感度受信機において望ましくない。この変動を低減するために、絶対温度比例（ＰＴＡＴ：proportional-to-absolute temperature）基準電流がＬＮＡに供給され得る。温度に対するＰＴＡＴ基準電流のスロープは、ＰＴＡＴ基準電流を生成するために使用される２つのダイオードのサイズ比に関連付けられ得る。しかしながら、ＰＴＡＴ基準電流の最適なスロープは、算出するのが難しい可能性があり、ＬＮＡの設計段階の完了まで決定可能ではないだろう。追加的に、ＰＴＡＴ基準電流をＬＮＡに供給しても、低温における受信機の不安定性を防ぐことはないだろう。

【図面の簡単な説明】

【0005】

【図1】[0005] 図１は、ワイヤレスシステムと通信するワイヤレスデバイスを示す。

【図2】[0006] 図２は、図１におけるワイヤレスデバイスのブロック図を示す。

【図3】[0007] 図３は、低ノイズ増幅器の利得変動及び／又はノイズ指数変動を低減するように動作可能な回路の例示的な実例となる実施形態である。

【図4】[0008] 図４は、スロープ調整可能な、絶対温度比例（ＰＴＡＴ）電流を生成するように動作可能なバイアス回路の例示的な実例となる実施形態である。

【図5】[0009] 図５は、区分的に線形なスロープを有する基準電流を生成するように構成された電流源の例示的な実施形態を描写する。

【図6】[0010] 図６は、固定スロープＰＴＡＴ基準電流及びマルチスロープＰＴＡＴ基準電流についてのノイズ指数利得を描写するチャートを例示する。

【図7】[0011] 図７は、低ノイズ増幅器の利得変動及び／又はノイズ指数変動を低減するための方法の例示的な実施形態を例示するフローチャートである。

【発明の詳細な説明】

【0006】

[0012] 以下に示される詳細な説明は、本開示の例示的な設計の説明として想定されており、本開示が実施され得る唯一の設計を表すことは想定されていない。「例示的」という用語は、本明細書では、「実例、事例、又は例示としての役割を果たす」という意味で使用される。「例示的」として本明細書で説明される任意の設計は、必ずしも、他の設計よりも好ましい又は有利であると解釈されるべきではない。詳細な説明は、本開示の例示的な設計の完全な理解を提供するために特定の詳細を含む。本明細書で説明される例示的な設計がこれらの特定の詳細なしに実施され得ることは、当業者には明らかであろう。いくつかの事例では、周知の構造及びデバイスが、本明細書に提示される例示的な設計の新規性を曖昧にしないために、ブロック図の形式で示される。

【0007】

[0013] 図１は、ワイヤレス通信システム１２０と通信するワイヤレスデバイス１１０を示す。ワイヤレス通信システム１２０は、ロングタームエボリューション（ＬＴＥ（登録商標））システム、符号分割多元接続（ＣＤＭＡ）システム、モバイル通信のためのグローバルシステム（ＧＳＭ（登録商標））システム、ワイヤレスローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）システム、又は何らかの他のワイヤレスシステムであり得る。ＣＤＭＡシステムは、広帯域ＣＤＭＡ（ＷＣＤＭＡ（登録商標））、ＣＤＭＡ １Ｘ、進化型データ最適化（ＥＶＤＯ）、時分割同期ＣＤＭＡ（ＴＤ−ＳＣＤＭＡ）、又はＣＤＭＡの何らかの他のバージョンを実装し得る。簡潔さのために、図１は、２つの基地局１３０及び１３２並びに１つのシステムコントローラ１４０を含むワイヤレス通信システム１２０を示す。一般に、ワイヤレスシステムは、任意の数の基地局及び任意のセットのネットワークエンティティを含み得る。

【0008】

[0014] ワイヤレスデバイス１１０は、ユーザ機器（ＵＥ）、モバイル局、端末、アクセス端末、加入者ユニット、局、等とも呼ばれ得る。ワイヤレスデバイス１１０は、セルラ電話、スマートフォン、タブレット、ワイヤレスモデム、携帯情報端末（ＰＤＡ）、ハンドヘルドデバイス、ラップトップコンピュータ、スマートブック、ネットブック、コードレス電話、ワイヤレスローカルループ（ＷＬＬ）局、ブルートゥース（登録商標）デバイス、等であり得る。ワイヤレスデバイス１１０は、ワイヤレス通信システム１２０と通信し得る。ワイヤレスデバイス１１０はまた、ブロードキャスト局（例えば、ブロードキャスト局１３４）からの信号、１つ又は複数のグローバルナビゲーション衛星システム（ＧＮＳＳ）における衛星（例えば、衛星１５０）からの信号、等を受信し得る。ワイヤレスデバイス１１０は、ＬＴＥ、ＷＣＤＭＡ、ＣＤＭＡ １Ｘ、ＥＶＤＯ、ＴＤ−ＳＣＤＭＡ、ＧＳＭ、８０２．１１、等のワイヤレス通信のための１つ又は複数のワイヤレス技術をサポートし得る。

【0009】

[0015] 図２は、図１のワイヤレスデバイス１１０の例示的な設計のブロック図を示す。この例示的な設計では、ワイヤレスデバイス１１０は、一次アンテナ２１０に結合されたトランシーバ２２０、二次アンテナ２１２に結合されたトランシーバ２２２、及びデータプロセッサ／コントローラ２８０を含む。トランシーバ２２０は、複数の周波数帯域、複数の無線技術、キャリアアリグレーション、等をサポートするために、複数（Ｋ個）の受信機２３０ｐａ〜２３０ｐｋ及び複数（Ｋ個）の送信機２５０ｐａ〜２５０ｐｋを含む。トランシーバ２２２は、複数の周波数帯域、複数の無線技術、キャリアアリグレーション、受信ダイバーシティ、複数の送信アンテナから複数の受信アンテナへの多入力多出力（ＭＩＭＯ）送信、等をサポートするために複数（Ｌ個）の受信機２３０ｓａ〜２３０ｓｌ及び複数（Ｌ個）の送信機２５０ｓａ〜２５０ｓｌを含む。

【0010】

[0016] 図２に示される例示的な設計では、各受信機２３０は、ＬＮＡ２４０及び受信回路２４２を含む。データ受信の場合、アンテナ２１０は、基地局及び／又は他の送信機局から信号を受信し、受信ＲＦ信号を供給し、それは、アンテナインターフェース回路２２４を通じてルーティングされ、選択された受信機に入力ＲＦ信号として提示される。アンテナインターフェース回路２２４は、スイッチ、デュプレクサ、送信フィルタ、受信フィルタ、整合回路、等を含み得る。以下の説明では、受信機２３０ｐａが、選択された受信機であると想定する。受信機２３０ｐａ内で、ＬＮＡ２４０ｐａは、入力ＲＦ信号を増幅し、出力ＲＦ信号を供給する。受信回路２４２ｐａは、この出力ＲＦ信号をＲＦからベースバンドにダウンコンバートし、ダウンコンバートされた信号を増幅およびフィルタリングし、アナログ入力信号をデータプロセッサ２８０に供給する。受信回路２４２ｐａは、ミキサ、フィルタ、増幅器、整合回路、発振器、局部発振器（ＬＯ）生成器、位相ロックドループ（ＰＬＬ）、等を含み得る。トランシーバ２２０及び２２２内の残りの受信機２３０は各々、受信機２３０ｐａと類似した方法で動作し得る。

【0011】

[0017] 図２に示される例示的な設計では、各送信機２５０は、送信回路２５２及び電力増幅器（ＰＡ）２５４を含む。データ送信の場合、データプロセッサ２８０は、送信される対象のデータを処理し（例えば、符号化及び変調し）、選択された送信機にアナログ出力信号を供給する。以下の説明では、送信機２５０ｐａが、選択された送信機であると想定する。送信機２５０ｐａ内で、送信回路２５２ｐａは、アナログ出力信号を増幅し、フィルタリングし、ベースバンドからＲＦにアップコンバートし、変調ＲＦ信号を供給する。送信回路２５２ｐａは、増幅器、フィルタ、ミキサ、整合回路、発振器、ＬＯ生成器、ＰＬＬ、等を含み得る。ＰＡ２５４ｐａは、変調ＲＦ信号を受け、増幅し、適切な出力電力レベルを有する送信ＲＦ信号を供給する。送信ＲＦ信号は、アンテナインターフェース回路２２４を通じてルーティングされ、アンテナ２１０を介して送信される。トランシーバ２２０及び２２２内の残りの送信機２５０は各々、送信機２５０ｐａと類似した方法で動作し得る。

【0012】

[0018] 図２は、受信機２３０及び送信機２５０の例示的な設計を示す。受信機及び送信機はまた、フィルタ、整合回路、等のような、図２に示されていない他の回路を含み得る。トランシーバ２２０及び２２２の全体又は一部は、１つ又は複数のアナログ集積回路（ＩＣ）、ＲＦ ＩＣ（ＲＦＩＣ）、混合信号ＩＣ、等の上に実装され得る。例えば、ＬＮＡ２４０及び受信回路２４２は、ＲＦＩＣ、等であり得る１つのモジュール上に実装され得る。トランシーバ２２０及び２２２の回路は、他の方法でも実装され得る。

【0013】

[0019] データプロセッサ／コントローラ２８０は、ワイヤレスデバイス１１０のための様々な機能を行い得る。例えば、データプロセッサ２８０は、受信機２３０を介して受信されるデータ及び送信機２５０を介して送信されるデータのための処理を行い得る。コントローラ２８０は、トランシーバ２２０及び２２２内の様々な回路の動作を制御し得る。メモリ２８２は、データプロセッサ／コントローラ２８０のためのデータ及びプログラムコードを記憶し得る。データプロセッサ／コントローラ２８０は、１つ又は複数の特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）及び／又はその他のＩＣ上に実装され得る。

【0014】

[0020] ワイヤレスデバイス１１０は、複数の帯域グループ、複数の無線技術、及び／又は複数のアンテナをサポートし得る。ワイヤレスデバイス１１０は、複数の帯域グループ、複数の無線技術、及び／又は複数のアンテナを介した受信をサポートするために多数のＬＮＡを含み得る。

【0015】

[0021] 図３を参照すると、低ノイズ増幅器（ＬＮＡ）の利得変動及び／又はノイズ指数変動を低減するように動作可能な回路３００の例示的な実例となる実施形態が示されている。回路３００は、図１−２のワイヤレスデバイス１１０に含まれ得る。回路３００は、第１のデバイス３０２、第２のデバイス３０４、第１のバイアス回路３０６、及び第２のバイアス回路３０８を含む。第１のデバイス３０２は、トランスコンダクタンス（ｇ_ｍ）段を有するＬＮＡに対応し得、第２のデバイス３０４は、選択的ブースト回路（selectivity boosting circuit）を有する負荷回路に対応し得る。選択的ブースト回路は、能動回路と、少なくとも１つの受動回路素子とを含み得る。例示的な実施形態では、第１のデバイス３０２は、図２のＬＮＡ２４０ｐａ、２４０ｐｋ、２４０ｓａ、２４０ｓｌのうちの少なくとも１つに対応し得る。他の例示的な実施形態では、第１のデバイス３０２は、電力増幅器、無線周波数（ＲＦ）電力増幅器、差動電力増幅器、差動ＬＮＡ、又は、差動ＲＦ電力増幅器に対応し得る。

【0016】

[0022] 第１のデバイス３０２（例えば、ＬＮＡ）及び第２のデバイス３０４（例えば、選択的ブースト回路を含む負荷回路）は、受信機の前段（front-end stage）に含まれ得、差動信号を生成するために入力信号（例えば、無線周波数（ＲＦ）信号）を増幅するように構成され得る。差動信号は、処理のために、受信機の後段（later stage）に供給され得る。

【0017】

[0023] 第１のデバイス３０２は、第１のトランジスタ３８２及びＬＣ回路（例えば、キャパシタ３８６に並列に結合されたインダクタ３８４）を含む。第１のトランジスタ３８２は、ＮＭＯＳトランジスタであり得る。第１のトランジスタ３８２のゲートは、抵抗器を介して第１のバイアス回路３０６に結合され得、第１のトランジスタ３８２のソースは、ＬＣ回路の第１の端子３５１に結合され得、第１のトランジスタ３８２のドレインは、接地に結合され得る。

【0018】

[0024] 第１のトランジスタ３８２は、第１のデバイス３０２のトランスコンダクタンス（ｇ_ｍ）段に対応し得る。トランスコンダクタンス段における利得は、第１のトランジスタ３８２のトランスコンダクタンスと、第１のトランジスタ３８２の抵抗（例えば、負荷抵抗）との積に比例し得る。第１のトランジスタ３８２のトランスコンダクタンス（従って、利得）は、温度に基づいて変動し得る。以下で説明されるように、第１のバイアス回路３０６は、温度変化によって引き起こされる利得変動を低減するために、第１のトランジスタ３８２を介して第１の電流３１０をミラー化し得る。

【0019】

[0025] ＬＣ回路は、ターゲット周波数において高インピーダンス及び高利得を達成するように調整され得る。単一のインダクタ３８４及び単一のキャパシタ３８６がＬＣ回路として描写されているが、他の例示的な実施形態では、複数のキャパシタ及び複数のインダクタがＬＣ回路に含まれ得る。

【0020】

[0026] 第２のデバイス３０４は、負の抵抗を生成するために、ＬＣ回路と並列に結合され得る。例えば、第２のデバイス３０４は、能動回路（例えば、第２のトランジスタ３９０及び第３のトランジスタ３９２）及び少なくとも１つの受動回路素子（例えば、トランジスタ３９０、３９２のゲートに結合された一対の抵抗器）を含む選択的ブースト回路を備える負荷回路であり得る。第２のトランジスタ３９０及び第３のトランジスタ３９２は、接地に結合されたソースを有するＮＭＯＳトランジスタであり得る。第２のトランジスタ３９０のドレインは、第２のデバイス３０４の第１の出力３５２に結合され得、第３のトランジスタ３９２のドレインは、第２のデバイス３０４の第２の出力３５４に結合され得る。第２のトランジスタ３９０のゲートは、キャパシタを介して第３のトランジスタ３９２のドレインに結合され得、第３のトランジスタ３９２のゲートは、キャパシタを介して第１のトランジスタ３９０のドレインに結合され得る。故に、第２のトランジスタ３９０及び第３のトランジスタ３９２は、一対の交差結合トランジスタで有り得る。第１の出力３５２は、処理のために、受信機の後段に第１の差動信号を供給し得、第２の出力３５４は、処理のために、受信機の後段に第２の差動信号を供給し得る。

【0021】

[0027] 第２のデバイス３０４は、インピーダンス及び／又は利得を低減するＬＣ回路における抵抗損失を補償するために負の抵抗を生じさせ得る（例えば、抵抗トンネリングダイオードと類似した方法で動作する構成要素、これによって、この構成要素にわたる電圧は、この構成要素を通って流れる電流が増加するにつれ減少する）。抵抗損失は、第１のトランジスタ３８２におけるソースからドレインまでの抵抗損失、インダクタ３８４における抵抗損失、キャパシタ３８６における抵抗損失、又はそれらの任意の組み合わせによって引き起こされ得る。第２のデバイス３０４は、これら抵抗損失を補償するために、負のトランスコンダクタンス段を使用して調整可能な負のトランスコンダクタンスを生じさせるによって、第１のデバイス３０２の利得をブーストし得る（例えば、負の利得ブースト）。

【0022】

[0028] 負のトランスコンダクタンス段（例えば、交差結合トランジスタ３９０、３９２）における利得は、トランジスタ３９０、３９２のトランスコンダクタンスと、トランジスタ３９０、３９２の抵抗（例えば、負荷抵抗）との積にほぼ比例し得る。トランジスタ３９０、３９２のトランスコンダクタンス（従って、利得）は、温度に基づいて変動し得る。以下で説明されるように、第２のバイアス回路３０８は、温度変化によって引き起こされる利得変動を低減するために、（抵抗器を介して）トランジスタ３９０、３９２のゲートに第２の電流３１２を供給し得る。

【0023】

[0029] 第１のデバイス３０２（例えば、ＬＮＡ）の利得及び第２のデバイス３０４（例えば、負荷回路）の利得は、受信機の利得全体に寄与し得る。例えば、受信機の利得を其々第１の量だけ又は第２の量だけ修正するために、（例えば、受信機の設計段階中に）第１のデバイス３０２及び／又は第２のデバイス３０４の１つ又は複数の回路素子が選択され得る。追加的に、第１のデバイス３０２のノイズ指数及び第２のデバイス３０４のノイズ指数は、受信機のノイズ指数全体に寄与し得る。デバイス３０２、３０４からの利得及びノイズ指数への寄与は、温度依存型であり得る。故に、利得及びノイズ指数は、温度の関数として変動し得る。

【0024】

[0030] 第１のバイアス回路３０６は、第１のトランジスタ３８２によって引き起こされる温度依存型利得変動及び／又は温度依存型ノイズ指数変動を少なくとも部分的に補償するために、第１のトランジスタ３８２（例えば、トランスコンダクタンス段）に結合され得る。第１のバイアス回路３０６は、第１の電流源３１４、第２の電流源３１６、第３の電流源３１８、及び第４のトランジスタ３４０を含み得る。第１の電流源３１４は、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）に基づいて第１のソース電流を生成するように構成された電流生成器であり得る。例えば、第１の電流源３１４は、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）に乗算係数Ｍを乗じた大きさを有する第１のソース電流を生成するように構成され得る。

【0025】

[0031] 第２の電流源３１６は、第１の段選択コードに応答して、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）に基づいて第２のソース電流を生成する可変電流生成器であり得る。例えば、第２の電流源３１６は、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）に乗算係数Ｎ_０を乗じた大きさを有する第２のソース電流を生成するように構成され得る。第３の電流源３１８は、第１の段選択コードに応答して、バンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ０）に基づいて第１のシンク電流を生成する可変電流生成器であり得る。例えば、第３の電流源３１８は、バンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ０）に乗算係数Ｎ_０を乗じた大きさを有する第１のシンク電流を生成するように構成され得る。３つの異なる（distinct）電流源３１４−３１８として説明及び例示されているが、第１のバイアス回路３０６は、図４に関連して更に説明されるように、電流ミラー及びデジタル／アナログ変換器（ＤＡＣ）タイプの構成を使用して実装され得る。

【0026】

[0032] 第１の電流３１０は、第１のソース電流と第２のソース電流の和から第１のシンク電流を差し引いたものにほぼ等しいだろう。第１のバイアス回路３０６は、第１のトランジスタ３８２を介してミラー化されるように、第１の電流３１０（例えば、バイアス電流）を、第４のトランジスタ３４０を通して供給するように構成され得、これは、ＬＮＡの主要のトランスコンダクタンスデバイスである。又は、第４のトランジスタ３４０及び第１のトランジスタ３８２は、特定の電流レベルをＬＮＡの主要のデバイスに供給する電流ミラー回路に含まれ得る。第１の電流３１０は、スロープ調整可能ＰＴＡＴ電流であり得る。本明細書で使用される場合、スロープ調整可能ＰＴＡＴ電流は、動的に調整可能なスロープ（例えば、温度の変化に対する電流の大きさの変化）を有するＰＴＡＴ電流を指す。

【0027】

[0033] 第１のバイアス回路３０６は、第１の段選択コードに基づいて、第１の電流３１０へのＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）及びバンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ０）の寄与を調整することによって、第１の電流３１０のスロープを調整するように構成され得る。例えば、第１のバイアス回路３０６は、第１の段選択コードに基づいて、第２の電流源３１６及び第３の電流源３１８に関連付けられた乗算係数Ｎ_０を設定し得る。第１の段選択コードは、図４に関連して更に説明されるように、第１のバイアス回路３０６内のイネーブルされた電流寄与段の数を示すデジタルコードであり得る。例示的な実施形態では、第１の電流３１０のスロープは、線形（又は、略線形）であり得る。別の例示的な実施形態では、第１の電流３１０のスロープは、図５に関連して更に説明されるように、非線形（例えば、区分的に線形）であり得る。

【0028】

[0034] 第２のバイアス回路３０８は、第２のデバイス３０４によって引き起こされる温度依存型利得変動及び／又は温度依存型ノイズ指数変動を少なくとも部分的に補償するために、第２のデバイス３０４（例えば、交差結合トランジスタ３９０、３９２）に結合され得る。第２のバイアス回路３０８は、第４の電流源３２０、第５の電流源３２２、第６の電流源３２４、及び第５のトランジスタ３４４を含み得る。第４の電流源３２０は、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）に基づいて第３のソース電流を生成するように構成された電流生成器であり得る。例えば、第４の電流源３２０は、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）に乗算係数Ｍを乗じた大きさを有する第３のソース電流を生成するように構成され得る。例示的な実施形態では、第１の電流源３１４に関連付けられた乗算係数Ｍは、第４の電流源３２０に関連付けられた乗算係数Ｍと同じであり得る。別の例示的な実施形態では、第１の電流源３１４に関連付けられた乗算係数Ｍは、第４の電流源３２０に関連付けられた乗算係数Ｍと異なり得る。

【0029】

[0035] 第５の電流源３２２は、第２の段選択コードに応答して、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）に基づいて第４のソース電流を生成する可変電流生成器であり得る。例えば、第５の電流源３２２は、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）に乗算係数Ｎ_１を乗じた大きさを有する第４のソース電流を生成するように構成され得る。第６の電流源３２４は、第２の段選択コードに応答して、バンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ０）に基づいて第２のシンク電流を生成する可変電流生成器であり得る。例えば、第６の電流源３２４は、バンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ０）に乗算係数Ｎ_１を乗じた大きさを有する第２のシンク電流を生成するように構成され得る。３つの異なる電流源３２０−３２４として説明及び例示されているが、第２のバイアス回路３０８は、図４に関連して更に説明されるように、電流ミラー及びＤＡＣタイプの構成を使用して実装され得る。

【0030】

[0036] 第２の電流３１２は、第３のソース電流と第４のソース電流の和から第２のシンク電流を差し引いたものにほぼ等しいだろう。第２のバイアス回路３０８は、第２のデバイス３０４においてミラー化されるように、第２の電流３１２（例えば、バイアス電流）を、第２のバイアス回路３０８の第５のトランジスタ３４４を通して供給するように構成され得る。例えば、第２の電流３１２の一部分は、第５のトランジスタ３４４及び第２のトランジスタ３９０を介してミラー化され得、第２の電流３１２の略等しい一部分は、第５のトランジスタ３２４及び第３のトランジスタ３９２を介してミラー化され得る。第２の電流３１２は、動的に調整可能なスロープ調整可能ＰＴＡＴ電流であり得る。

【0031】

[0037] 第２のバイアス回路３０８は、第２の段選択コードに基づいて、第２の電流３１２へのＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）及びバンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ０）の寄与を調整することによって、第２の電流３１２のスロープを調整するように構成され得る。例えば、第２のバイアス回路３０８は、第２の段選択コードに基づいて、第５の電流源３２２及び第６の電流源３２４に関連付けられた乗算係数Ｎ_１を設定し得る。第２の段選択コードは、図４に関連して更に説明されるように、第２のバイアス回路３０８内のイネーブルされた電流寄与段の数を示すデジタルコードであり得る。例示的な実施形態では、第２の電流３１２のスロープは、線形（又は、略線形）であり得る。別の例示的な実施形態では、第２の電流３１２のスロープは、図５に関連して更に説明されるように、非線形（例えば、区分的に線形）であり得る。

【0032】

[0038] 段選択コードに基づいて第１の電流３１０及び第２の電流３１２のスロープを設定することによって、第１の電流３１０及び第２の電流３１２のスロープは、設計段階が完了した後に調整されることができる。段選択コードは、プロセッサ又は他の制御論理によって供給／選択され得、設計段階が完了した後に修正（例えば、変更）され得る。例えば、設計段階が完了した後（例えば、第１のデバイス３０２及び第２のデバイス３０４内の構成要素のような回路素子の値が選択された後、及び、回路素子が、対応するデバイス３０２、３０４内に配設された後）、第１の電流３１０の第１のスロープは、第１の段選択コードの値に基づいて修正（例えば、調整）され得、第２の電流３１２の第２のスロープは、第２の段選択コードの値に基づいて別個に修正され得る。

【0033】

[0039] 第１のデバイス３０２における温度変化によって引き起こされる利得変動及び／又はノイズ変動を低減するように第１の電流３１０の第１のスロープを設定するために、第１の段選択コードが選択され得る。例えば、第１のデバイス３０２の利得及びノイズ指数が、第１のスロープの初期値を使用して特定の温度範囲にわたって測定され得る。これら利得及びノイズ指数の測定値に基づいて、利得変動及び／又はノイズ変動を低減するために、第１のスロープについての第１のターゲット値が決定され得る。第１のスロープは、第１の段選択コードの選択を介して第１のターゲット値の近似値を求めるように設定され得る。

【0034】

[0040] 第２の段選択コードの選択は、第２のデバイス３０４に関して、類似した方法で進められ得る。例えば、第２のデバイス３０４の利得及びノイズ指数の測定値に基づいて、第２のデバイス３０４の利得変動及び／又はノイズ指数変動を低減するために、第２のターゲット値が決定され得る。第２の電流３１２の第２のスロープは、第２の段選択コードの選択を介して第２のターゲット値の近似値を求めるように設定され得る。本明細書で更に説明されるように、第１のスロープ及び第２のスロープを異なる値に設定することで、第１のデバイス３０２及び第２のデバイス３０４の異なる温度依存性が補償され得る。

【0035】

[0041] 電流３１０、３１２の大きさは、其々電流源３１４−３１８、３２０−３２４によって生成される電流の大きさに基づき得る。電流源３１４−３２４によって生成される電流が、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）及びバンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ０）に基づいているため、電流３１０、３１２（例えば、スロープ調整可能ＰＴＡＴ電流）の大きさは、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）及びバンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ０）の関数として決定され得る。上で説明したように、第１の電流源３１４及び第４の電流源３２０は其々、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）に乗算係数Ｍを乗じた大きさを有する第１のソース電流及び第３のソース電流を生成するように構成される。故に、Ｉ_ＰＴＡＴと示される第１のソース電流及び第３のソース電流は、次のように表され得る：
Ｉ_ＰＴＡＴ＝Ｍ×Ｉ_ＰＴＡ （１）

【0036】

[0042] 上で説明したように、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）は、温度依存型である。例えば、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）の大きさは、定数（α）、及び、所与の温度（Ｔ）と特定の温度（Ｔ_０）（例えば、室内温度のような指定の温度）との差分に関係し得る。例示的な実施形態では、バンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ０）は、バンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ０）の大きさが、特定の温度（Ｔ_０）（例えば、室内温度）におけるＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）の大きさとほぼ等しくなるように決定され得る。ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）及びバンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ０）が、特定の温度（Ｔ_０）において同じ大きさを有するようにバンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ０）を選択することで、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）は、次のように表され得る：
Ｉ_{ＰＴＡＴ０}＝α×（Ｔ−Ｔ_０）＋Ｉ_ＢＧ０ 式（２）
式１にＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）を代入すると、第１のソース電流及び第３のソース電流は次のように表される：
Ｉ_ＰＴＡＴ＝Ｍ×α×（Ｔ−Ｔ_０）＋Ｍ×Ｉ_ＢＧ０ 式（３）

【0037】

[0043] 第１の電流３１０は、電流源３１４−３１８によって生成された電流に依存する。図３に例示されるように、第１の電流源３１４及び第２の電流源３１６は電流をソースし、第３の電流源３１８は電流をシンクする。故に、Ｉ_{ｋＰＴＡＴ}と示される第１の電流３１０の大きさは、次のように表され得る：
Ｉ_{ｋＰＴＡＴ}＝Ｍ×Ｉ_{ＰＴＡＴ０}＋Ｎ_０×Ｉ_{ＰＴＡＴ０}−Ｎ_０×Ｉ_ＢＧ０ 式（４）
式４にＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）を代入すると、第１の電流３１０（Ｉ_{ｋＰＴＡＴ}）は次のように表される：
Ｉ_{ｋＰＴＡＴ}＝（Ｍ＋Ｎ_０）×α×（Ｔ−Ｔ_０）＋Ｍ×Ｉ_ＢＧ０ 式（５）

【0038】

[0044] 式５に基づいて、第１の電流３１０（Ｉ_{ｋＰＴＡＴ}）のスロープ（例えば、温度の変化に対する電流の大きさの変化）は、（Ｍ＋Ｎ_０）×α×（Ｔ−Ｔ_０）である。同様に、式３に基づいて、第１のソース電流（Ｉ_ＰＴＡＴ）のスロープは、Ｍ×α×（Ｔ−Ｔ_０）である。第１の電流３１０の第１のスロープの第１のスロープ比（例えば、第１のソース電流（Ｉ_ＰＴＡＴ）の「基準の」スロープに対する第１の電流（Ｉ_{ｋＰＴＡＴ}）スロープの比）は、次のように表され得る：

【0039】

【数1】

【0040】

[0045] 式６を解くと、結果が１＋Ｎ_０／Ｍという値を有する第１のスロープ比となる。式１−６は、第２の段選択コードに基づいて第２の乗算係数Ｎ_１を使用して、第２のバイアス回路３０８に同様に適用され得る。例えば、第２のバイアス回路３０８への式１−６の適用は、１＋Ｎ_１／Ｍという値を有する第２のスロープ比をもたらす。

【0041】

[0046] 第１のスロープ比が第１の乗算係数Ｎ_０に依存し、第２のスロープ比が第２の乗算係数Ｎ_１に依存するため、第１のスロープ比は、第２のスロープ比から独立して設定され得る（例えば、電流３１０、３１２のスロープは、異なる値に基づいて設定され得る）。利得の変動及び／又はノイズ指数の変動を低減するために、第１の電流３１０の第１のスロープ及び第２の電流３１２の第２のスロープは、第１のスロープ比及び第２のスロープ比の各々が１よりも大きくなるように選択され得る。例示的な実施形態では、第１のスロープ比及び第２のスロープ比は、各々、第１の選択コード及び第２の選択コードを使用して特定の範囲内（例えば、約１．２２から１．９３の間）の値に設定される。特定の範囲内でこれらのスロープ比を設定することで、特定の温度範囲にわたる利得変動の低減及び／又はノイズ指数変動の低減を可能にし得る。例示的な実施形態では、第２の電流３１２の第２のスロープは、（第１のスロープ比よりも大きい第２のスロープ比によって示されるように）第１の電流３１０の第１のスロープよりも大きくなり得る。他の例示的な実施形態では、第１の電流３１０のスロープは、（第２のスロープ比よりも大きい第１のスロープ比によって示されるように）第２の電流３１２のスロープよりも大きくなり得る。

【0042】

[0047] 回路３００の動作中、第１のバイアス回路３０６は、第１の電流３１０を第１のデバイス３０２に供給し得、第２のバイアス回路３０８は、第２の電流３１２を第２のデバイス３０４に供給し得る。電流３１０、３１２のスロープは、其々、第１の段選択コード及び第２の段選択コードに基づいて設定され得る。段選択コードの値は、利得変動及び／又はノイズ指数変動を低減するように選択され得る。電流３１０、３１２を受けることに基づいて、第１のデバイス３０２及び第２のデバイス３０４は、受けた入力信号を増幅して、出力端子３５２、３５４において差動信号を生成し得る。

【0043】

[0048] 第１の電流３１０及び第２の電流３１２のスロープが、独立した段選択コードを使用して調整されるため、第１のデバイス３０２の及び第２のデバイス３０４の異なる温度依存性は、利得変動及び／又はノイズ指数変動を低減するために、個別にかつ独立して補償され得る。更に、（設計段階中に決定されるような）予測値とは対照的に、（例えば、設計段階の後の）測定された値に基づいて第１の電流３１０及び第２の電流３１２のスロープを調整することで、利得変動及び／又はノイズ指数変動は、予測値とは対照的に、実際の値（例えば、測定された値）に基づいて低減し得る。非限定的な例として、其々１．４４及び１．６６というスロープ比を有する第１の電流３１０及び第２の電流３１２を生成することで、利得変動は、単一の固定スロープＰＴＡＴ電流を生成することに関連付けられた２ｄＢの低減と比べて、約６．５デシベル（ｄＢ）低減し得る。

【0044】

[0049] 別の例として、第１の電流３１０の第１のスロープは、低温において安定性を提供しつつ、高温においてノイズ指数の変動を低減するために、第２の電流３１２の第２のスロープよりも高い値に設定され得る。例えば、第２の電流３１２よりも大きいスロープを有する第１の電流３１０を供給することで、デバイス３０２、３０４は、低温においてデバイス３０２、３０４が不安定にならないように、電流消費を制限しつつ、ターゲット利得を満たすことができ得る。低減された利得変動及び／又は低減されたノイズ指数変動によって、デバイス３０２、３０４は、全地球測位システム（ＧＰＳ）受信機のような、高感度受信機で使用されることができる。

【0045】

[0050] 図４を参照すると、スロープ調整可能ＰＴＡＴ電流を生成するように動作可能なバイアス回路４００の例示的な実例となる実施形態が示されている。バイアス回路４００は、図３の第１のバイアス回路３０６又は図３の第２のバイアス回路３０８に対応し得る。バイアス回路４００は、電流寄与段４０６を使用してＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）及びバンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ０）に基づいてスロープ調整可能ＰＴＡＴ電流４０８を生成するように構成され得る。スロープ調整可能ＰＴＡＴ電流４０８は、図３の第１の電流３１０又は図３の第２の電流３１２に対応し得る。

【0046】

[0051] バイアス回路４００は、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）を生成するように構成された第１の電流源４０２、バンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ０）を生成するように構成された第２の電流源４０４、トランジスタ４１２−４１６、及び、電流寄与段４０６を含む。第１のトランジスタ４１２及び第２のトランジスタ４１４は、P型金属酸化膜半導体（ＰＭＯＳ）トランジスタであり得、電流ミラーとして動作するように構成され得る。第２のトランジスタ４１４は、第２のトランジスタ４１２を介してミラー化された電流が、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）に第１の乗算係数Ｍを乗じた大きさを有するようにサイズ付けされ得る。故に、第２のトランジスタ４１４は、Ｍ×Ｉ_{ＰＴＡＴ０}の大きさを有するソース電流を、スロープ調整可能ＰＴＡＴ電流４０８に寄与し得る。

【0047】

[0052] 第１のトランジスタ４１２及び第３のトランジスタ４１６は各々、追加の電流ミラーとして動作するように、電流寄与段４０６における１つ又は複数の対応するトランジスタで構成され得る。追加の電流ミラーは、電流寄与段４０６によって供給される電流が、Ｎ×Ｉ_{ＰＴＡＴ０}−Ｎ_ＩＢＧ０という大きさを有するように構成され得、ここで、Ｎは、第２の乗算係数であり得る（例えば、Ｎは、図３のＮ_０又はＮ_１に対応し得る）。第２の乗算係数Ｎは、段選択コードに基づいて調整可能であり得る。第２のトランジスタ４１４及び電流寄与段４０６に基づいて、スロープ調整可能ＰＴＡＴ電流出力４０８の大きさは、Ｍ×Ｉ_{ＰＴＡＴ０}＋Ｎ×Ｉ_{ＰＴＡＴ０}−Ｎ×Ｉ_ＢＧ０であり得る。

【0048】

[0053] 電流寄与段４０６は、段選択コードに基づいて第２の乗算係数Ｎを設定するように（例えば、スロープ調整可能ＰＴＡＴ電流４０８の大きさを設定するように）構成され得る。例示的な実施形態では、電流寄与段４０６は、デジタル／アナログ変換器（ＤＡＣ）に対応する。例えば、電流寄与段４０６は、デジタル制御信号（例えば、段選択コード）に基づいてスロープ調整可能ＰＴＡＴ電流４０８の大きさを調整し得る。段選択コードは、図３の第１の段選択コード又は図３の第２の段選択コードに対応し得る。段選択コードは、ｎ＋１ビットを有し得、電流寄与段４０６は、ｎ＋１個の段を含み得、ここで、ｎは、０以上の整数である。電流寄与段４０６の各電流寄与段は、段選択コードの対応するビットに応答し得る。

【0049】

[0054] 実例となる第１の電流寄与段４１０は、複数のスイッチ、一対のトランジスタ４１８及び４２０、及び、段選択コードの第１のビット（例えば、code_0）を受けるように構成された入力を含み得る。第１の電流寄与段４１０は、code_0に応答して、第２の乗算係数Ｎを調整し得る。例えば、第１の電流寄与段４１０は、code_0の値に基づいてＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）及びバンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ０）をミラー化することで、第２の乗算係数Ｎを調整し得る。例示的な実施形態では、第１のトランジスタ４１８は、ＰＴＡＴ電流バイナリＤＡＣに含まれ得る。例えば、第１の電流寄与段４１０の第１のトランジスタ４１８及び第１のトランジスタ４１２は、第１の電流寄与段４１０においてＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）をミラー化するために第１の電流ミラーとして機能するように構成され得る。例示的な実施形態では、第２のトランジスタ４２０は、バンドギャップ電流バイナリＤＡＣに含まれ得る。例えば、第２の電流寄与段４１０の第２のトランジスタ４２０及び第３のトランジスタ４１６は、第１の電流寄与段４１０においてバンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ０）をミラー化するために第２の電流ミラーとして機能するように構成され得る。

【0050】

[0055] code_0がゼロの値を有するとき、複数のスイッチは、何れの電流もトランジスタ４１８、４２０によってミラー化されないようにトランジスタ４１８、４２０をディセーブルにし得る。code_0が１の値を有するとき、複数のスイッチは、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）及びバンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ０）が第１の電流寄与段４１０においてミラー化されるように、トランジスタ４１８、４２０をイネーブルにし得る。従って、code_0が１の値を有するとき、第１の電流寄与段４１０は、第２の乗算係数Ｎを増加させる。

【0051】

[0056] 電流寄与段４０６の各電流寄与段は、同様の回路構成要素を含み得、第２の乗算係数Ｎを調整（例えば、修正）するために、段選択コード（例えば、code_0〜code_n）の対応するビットに関連して、略類似した方法で動作し得る。第２の乗算係数Ｎを調整することは、電流４０８の大きさが、指定の温度（Ｔ_０）において同じに保たれる間、スロープ調整可能ＰＴＡＴ電流４０８のスロープ（例えば、温度に対する電流の大きさ）を調整し得る。

【0052】

[0057] 例示的な実施形態では、段選択コードは、２ビットのバイナリコード（例えば、code_1及びcode_0）であり得、２つの電流寄与段４１０、４３０は、段選択コードに応答し得る。この特定の実施形態では、スロープ調整可能ＰＴＡＴ電流４０８のスロープは、第１の電流寄与段４１０及び第２の電流寄与段４３０のうちどちらの電流寄与段がイネーブルにされるかに基づいて、４つの値のうちの１つに設定され得る。スロープ調整可能ＰＴＡＴ電流４０８のスロープは、段選択コードの値に基づいて、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）の１．２２から１．９３倍に設定され得る。

【0053】

[0058] 例えば、スロープ調整可能ＰＴＡＴ電流４０８のスロープは、１つ又は複数の電流寄与段４０６のうちの何れの電流寄与段もイネーブルにされていないことにより段選択コードが「００」であるとき、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）のスロープの１．１２倍であり得る。この例では、スロープは、電流寄与段４０６からの寄与なく、トランジスタ４１２、４１４に基づいて、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）のスロープの１．１２倍であり得る。代替的に、スロープ調整可能ＰＴＡＴ電流４０８のスロープは、第１の電流寄与段４１０がイネーブルにされていることより段選択コードが「０１」であるとき、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）のスロープの１．３９倍であり得る。この例では、第１の電流寄与段４１０は、スロープ調整可能ＰＴＡＴ電流４０８のスロープを、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）のスロープの約０．２７倍増加させ得る。

【0054】

[0059] 別の例として、スロープ調整可能ＰＴＡＴ電流４０８のスロープは、第２の電流寄与段４３０がイネーブルにされていることより段選択コードが「１０」であるとき、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）のスロープの１．６６倍であり得る。スロープ調整可能ＰＴＡＴ電流４０８のスロープは、両方の電流寄与段４１０、４３０がイネーブルにされていることより段選択コードが「１１」であるとき、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）のスロープの１．９３倍であり得る。他の例示的な実施形態では、段の数は２つよりも多い可能性があり、段選択コードは、２ビットよりも多い可能性が有り得る。従って、他の例示的な実施形態では、スロープ調整可能ＰＴＡＴ電流４０８のスロープは、段選択コードに基づいて他の値に設定され得る。

【0055】

[0060] 図５を参照すると、区分的に線形なスロープを有する基準電流を生成するように構成された電流源の２つの例示的な実施形態５００、５０４が示されている。電流源５００、５０４は、図３に描写されている電流源のうちの１つ又は複数に対応し得る。第１の電流源５００は、第１の基準電流５２０を出力するように構成され、第２の電流源５０４は、第２の基準電流５０６を出力するように構成される。第１の基準電流５０２又は第２の基準電流５０６は、図３−４におけるＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）に対応し得る。

【0056】

[0061] 第１の電流源５００は、第１の段５２０及び第２の段５２２を含む複数の電流寄与段を含む。第１の段５２０は、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）を生成するように構成された第１の電流源５４０、第１のバンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ１）を生成するように構成された第２の電流源５４２、スイッチ、及び、第１の段の電流５３０を供給するための電流ミラーとして構成された一対のトランジスタ（例えば、第１のトランジスタ５６０及び第２のトランジスタ５６２）を含む。第２のトランジスタ５６２は、可変幅トランジスタとして機能するように構成された１つ又は複数のトランジスタのセットであり得る。

【0057】

[0062] 例示的な実施形態では、バンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ１）５４２は、バンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ１）の大きさが、特定の温度（Ｔ１）においてＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）５４０の大きさとほぼ等しくなるように決定され得る。第１の段の電流５３０は、「整流された」電流であり得る。例えば、温度（Ｔ）がＴ１未満であるとき、トランジスタ５６０、５６２は、ダイオード接続されたトランジスタ５６０への負のバイアス電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}−Ｉ_ＢＧ１）が、トランジスタ５６０によって整流された状態になるため電流をミラー化し得ない（例えば、第１の段の電流５３０はゼロのマグニチュード(magnitude of zero)を有する）。温度が第１の温度（Ｔ１）以上であるとき、第１の段の電流５３０の大きさは、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）と第１のバンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ１）との差分（例えば、Ｉ_{ＰＴＡＴ０}−Ｉ_ＢＧ１）にほぼ等しいだろう。スイッチは、スロープ選択値の対応するビットに応答して、第１の基準電流５０２の生成をイネーブル（又は、ディセーブル）にし得る。

【0058】

[0063] （Ｔ１）よりも大きい温度における第１の段の電流５３０は、線形のスロープ（例えば、温度の変化に対する電流の大きさの変化）を有し得る。第１の電流源５００の他の段は、第１の段５２０と類似して、しかしながら、第１の温度（Ｔ１）とは異なる温度に関連してかつ異なるバンドギャップ電流に関連して機能し得る。例えば、第２の段５２２の第２の段電流５３２の大きさは、温度が第２の温度（Ｔ２）未満のとき、ゼロである。第２の段の電流５３２の大きさは、温度が第２（Ｔ２）以上であるとき、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）と第２のバンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ２）との差分（例えば、Ｉ_{ＰＴＡＴ０}−Ｉ_ＢＧ２）にほぼ等しくなり得る。段の電流５３０、５３２は、第１の基準電流５０２を生成するために組み合わせられ得る。例えば、第１の基準電流５０２は、（第１の電流源５００が２つよりも多くの段を含むとき）第１の段の電流５３０、第２の段の電流５３２、及び、他の段からの段の電流の組み合わせを含み得る。

【0059】

[0064] 第１の基準電流５０２は、非線形の（例えば、区分的に線形の）スロープを有し得る。例えば、第１の基準電流５０２のスロープが、第１のチャート５１０によって示される。第１のチャート５１０で例示されるように、第１の基準電流５０２は、第１の温度領域（例えば、第１の温度（Ｔ１）から第２の温度（Ｔ２））では第１のスロープ値を、第２の温度領域（例えば、第２の温度（Ｔ２）から第３の温度（Ｔ３））では第２のスロープ値を、第３の温度領域（例えば、第３の温度（Ｔ３）から第４の温度（Ｔ４））では第３のスロープ値を、第４の温度領域（例えば、第４の温度（Ｔ４）よりも上）では第４のスロープ値を有する。第１のスロープ値、第２のスロープ値、第３のスロープ値、及び第４のスロープ値は、異なる値であり得る。これらスロープ値の各々は、第１の電流源５００の１つ又は複数の対応する段に関連付けられ得る。例えば、第１のスロープ値は、第１の段の電流５３０に基づき得、第２のスロープ値は、第１の段の電流５３０及び第２の段の電流５３２の組み合わせに基づき得る。２つの段だけが説明されているが、第１の電流源５００は、任意の数の段（例えば、任意の数のバンドギャップ基準電流）を含み得、第１の基準電流５０２のスロープは、任意の数の対応するスロープ値を有し得る。

【0060】

[0065] 第２の電流源５０４は、第２の基準電流５０６を生成するように構成され得る。例示的な実施形態では、第２の電流源５０４は、２つの電流寄与段（例えば、第１の段５２４及び第２の段５２６）及び、第２の基準電流５０６を特定の値に正常化するために使用され得るバンドギャップ電流（Ｉ_ＢＧ）を出力するように構成された電流源を含み得る。第１の段５２４は、絶対温度相補（ＣＴＡＴ：complimentary-to-absolute）基準電流（Ｉ_{ＣＴＡＴ０}）を生成するように構成された第１の電流源５４４、第１のバンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ１）を生成するように構成された第２の電流源５４６、スイッチ、及び、第１の段の電流５３４を供給するための電流ミラーとして構成された一対のトランジスタ５６４、５６６を含む。トランジスタ５６６は、可変幅トランジスタとして機能するように構成された１つ又は複数のトランジスタのセットであり得る。本明細書で使用される場合、ＣＴＡＴ基準電流は、相補的な（例えば、負の）温度依存性を有する基準電流を指す。例えば、ＣＴＡＴ基準電流の大きさの変化は、温度変化に対して比例し、この場合、ＣＴＡＴ基準電流の大きさの変化は、温度変化の異極性（opposite polarity）を有する。

【0061】

[0066] スイッチは、スロープ選択値の対応するビットに応答して、第２の基準電流５０６の生成をイネーブル（又は、ディセーブル）にし得る。第１の段の電流５３４は、「整流された」電流であり得る。例えば、温度が２７３度Ｋを超えるとき、トランジスタ５６４、５６６は、電流をミラー化し得ない（例えば、第１の段の電流５３４は、ゼロのマグニチュードを有する）。第２の電流源５０４の温度が２７３度Ｋ未満のとき、第１の段の出力電流５３４の大きさは、ＣＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＣＴＡＴ０}）と第１のバンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ１）との差分（例えば、Ｉ_{ＣＴＡＴ０}−Ｉ_ＢＧ１）にほぼ等しくなり得る。第１の段の電流５３４は、温度が２７３度Ｋ未満のときに負の値を有する線形のスロープ（又は、略線形のスロープ）を有し得る。

【0062】

[0067] 第２の段５２６は、第１の段５２４と類似して、しかしながら、２７３度Ｋとは異なる温度に関連して及び異なる電流に関連して機能し得る。例えば、第２の段５２６は、温度が２９８度Ｋ未満のとき、ゼロの大きさを有する第２の段の電流５３６を生成し得る。第２の段の電流５３６の大きさは、温度が２９８度Ｋを超えるとき、ＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）と第２のバンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ２）と差分（例えば、Ｉ_{ＰＴＡＴ０}−Ｉ_ＢＧ２）にほぼ等しくなり得る。第１の段の電流５３４及び第２の段の出力電流５３６は、第２の基準電流５０６を生成するために組み合わせられ得る。

【0063】

[0068] 第２の基準電流５０６は、非線形の（例えば、区分的に線形の）スロープを有し得る。例えば、第２の基準電流５０６のスロープは、第２のチャート５１２によって示される。第２のチャート５１２で例示されているように、第２の基準電流５０６は、第１の温度領域（例えば、２７３度Ｋ未満）では第１のスロープ値を、第２の温度領域（例えば、２７３度Ｋから２９８度Ｋ）では第２のスロープ値を、第３の温度領域（例えば、２９８度Ｋよりも上）では第３のスロープ値を有する。故に、第１の温度領域は、第２の温度領域及び第３の温度領域よりも低くなり得る。例えば、第１の温度領域は、第２の温度領域及び第３の温度領域に関連付けられた温度よりも冷たい温度に対応し得る。第１のスロープ値は負のスロープ値であり得、第２のスロープ値はゼロ値であり得、第３のスロープ値は正のスロープ値であり得る。故に、第２の基準電流５０６のスロープは、特定の温度領域（例えば、第３の温度領域）では正のスロープであり得、異なる温度領域（例えば、第１の温度領域）では負のスロープであり得る。

【0064】

[0069] ２つの段だけが第２の電流源５０４に含まれているように例示されているが、任意の数の段が含まれ得、第２の基準電流５０６のスロープは、任意の数の対応するスロープ値を有し得る。例えば、第１の電流源５００の１つ又は複数の段は、複数のスロープ値を含む区分的に線形なスロープを有する第２の基準電流５０６を生成するために、第２の電流源５０４に含まれ得、この場合、スロープ値のうちの１つ又は複数は負のスロープ値である。

【0065】

[0070] 基準電流５０２、５０６（例えば、区分的に線形なスロープを有する電流）をＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）として使用することは、単一の線形なスロープを有する電流を使用することと比較して、利得変動の低減及び／又はノイズ指数変動の低減を可能にし得る。例えば、大きいスロープ値を有するＰＴＡＴ電流は、高温において変動を低減し得るが、この大きいスロープ値は、低温において電流の大きさを低減し得る。低温における小さい電流の大きさは、ＬＮＡにバイアスをかけるのに不十分であり得る（例えば、ＬＮＡは、小さい電流の大きさにより、低温において不安定になる）。区分的に線形なスロープを有する電流を使用することは、ＬＮＡが、低温において十分高い電流の大きさを受けること、及び、高温において高い電流の大きさを受けることを可能にし得、これは、高温における変動の低減を可能にする。

【0066】

[0071] 基準電流５０２、５０６をＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）として使用することによって、図３の第１の電流３１０の第１のスロープは、第１のデバイス３０２の温度に基づいて区分的に線形であり得る。同様の方法で、図３の第２の電流３１２の第２のスロープは、第２のデバイス３０４の温度に基づいて区分的に線形であり得る。例えば、低温において第１のスロープ値（例えば、小さい値又は負の値）を有する電流を使用することによって、比較的大きい電流がＬＮＡに印加され、ノイズ指数変動が低減され（例えば、ＬＮＡ安定性が改善され）得る。加えて、高温において第２のスロープ値（例えば、大きい値）を使用することによって、高温において第１のスロープ値によって予想される大きさよりも大きい大きさを有する電流がＬＮＡに印加され、高温によって引き起こされる増加ノイズ変動が低減され得る。故に、マルチスロープ構成は、高温において変動を低減し得、ＬＮＡが、低温において不安定になることを防ぐ。

【0067】

[0072] 図６を参照すると、固定スロープＰＴＡＴ基準電流及びマルチスロープＰＴＡＴ基準電流についてのノイズ指数利得を描写している特定のチャートが示されている。第１のチャート６０２は、マルチスロープＰＴＡＴ基準電流についてのノイズ指数利得を描写しており、第２のチャート６０４は、固定スロープＰＴＡＴ基準電流についてのノイズ指数利得を描写している。マルチスロープＰＴＡＴ基準電流は、図５に関連して説明された技法に従って生成され得る。

【0068】

[0073] 例示的な実例となる実施形態では、高温に関連して、約０．３デシベル（ｄＢ）の改善が示されている。例えば、摂氏１１０度（例えば、３８３度ケルビン）において、ノイズ指数利得は、マルチスロープＰＴＡＴ基準電流については約３．０７ｄＢであり、固定スロープＰＴＡＴ基準電流については約３．３６ｄＢである。室内温度（例えば、摂氏２５度）におけるマルチスロープＰＴＡＴ基準電流に基づいたバイアス電流の大きさが、室内温度における固定スロープＰＴＡＴ基準電流に基づいたバイアス電流の大きさと略同じであることも認識されるだろう。故に、図６に描写されているチャート６０２、６０３は、マルチスロープＰＴＡＴ基準電流についてのノイズ指数低下が、対応する温度における固定スロープＰＴＡＴ基準電流についてのノイズ指数低下よりも少ないことを例示している。

【0069】

[0074] 図７を参照すると、低ノイズ増幅器の利得変動及び／又はノイズ指数変動を低減するための方法の例示的な実施形態を例示しているフローチャートが示されている。例示的な実例となる実施形態では、方法７００は、図１−２のワイヤレスデバイス１１０、図３の回路３００、図４のバイアス回路４００、図５の回路５００、５０４、又はそれらの任意の組み合わせを使用して実行され得る。

【0070】

[0075] 方法７００は、７０２において、第１のスロープに従って温度に伴い変動する第１の電流を使用して第１のデバイスにバイアスをかけることを含む。例えば、図３を参照すると、第１のバイアス回路３０６は、第１のスロープに従って温度に伴い変動する第１の電流３１０（例えば、第１のスロープ調整可能ＰＴＡＴ電流）を生成し得る。第１のバイアス回路３０６は、第１の段選択コードに基づいて第１の電流３１０の第１のスロープを調整し得る。第１の段選択コードに基づいて第１の電流３１０の第１のスロープを調整することによって、第１のバイアス回路３０６は、第１のスロープが、回路３００の設計段階が完了した後に調整されることを可能にする。第１の電流３１０の第１のスロープは、第１のデバイス３０２の温度変化によって引き起こされる利得の変動及び／又はノイズ指数の変動を低減するように設定され得る。例えば、第１のスロープは、ＰＴＡＴ基準電流及びバンドギャップ基準電流の第１の関数として決定され得る。

【0071】

[0076] ７０４において、第１のデバイスの出力に結合された第２のデバイスにバイアスがかけられ得る。例えば、図３を参照すると、第２のバイアス回路３０８は、第２のスロープに従って温度に伴い変動する第２の電流３１２を生成し得る。第２の電流３１２は、第２のデバイス３０４にバイアスをかける第２のスロープ調整可能ＰＴＡＴ電流に対応し得る。第１のスロープ調整可能ＰＴＡＴ電流は、第２のスロープ調整可能ＰＴＡＴ電流から独立して制御され得る。例えば、第２の電流３１２の第２のスロープは、第１のデバイス３０２（例えば、ＬＮＡ）の利得を漸進的に調整（例えば、ブースト）するために、第２のデバイス３０４（例えば、負のトランスコンダクタンス段）によって生成される負のトランスコンダクタンス値を調整するように設定され得る。第２のデバイス３０４によって生成されたトランスコンダクタンス値を調整することは、第２のデバイス３０４の温度変化によって引き起こされる利得の変動及び／又はノイズ指数の変動を低減し得る。第２のスロープは、ＰＴＡＴ基準電流及びバンドギャップ基準電流の第２の関数として決定され得る。

【0072】

[0077] 方法７００はまた、第１のデジタルコードを受け、この第１のデジタルコードに基づいて第１のスロープ調整可能ＰＴＡＴ電流を制御することを含み得る。例えば、図３を参照すると、第１のバイアス回路３０６は、第１の段選択コードに基づいて、第１の電流３１０へのＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）及びバンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ０）の寄与を調整することによって、第１の電流３１０のスロープを調整し得る。第１の段選択コードは、第１のバイアス回路３０６内のイネーブルにされた電流寄与段の数を示すデジタルコードであり得る。

【0073】

[0078] 方法７００はまた、第２のデジタルコードを受け、この第２のデジタルコードに基づいて第２のスロープ調整可能ＰＴＡＴ電流を制御することを含み得る。例えば、図３を参照すると、第２のバイアス回路３０８は、第２の段選択コードに基づいて、第２の電流３１２へのＰＴＡＴ基準電流（Ｉ_{ＰＴＡＴ０}）及びバンドギャップ基準電流（Ｉ_ＢＧ０）の寄与を調整することによって、第２の電流３１２のスロープであり得る。第２の段選択コードは、第２のバイアス回路３０８内のイネーブルにされた電流寄与段の数を示すデジタルコードであり得る。

【0074】

[0079] 図７の方法７００は、第１のデバイス３０２に関連付けられた温度依存性及び第２のデバイス３０４に関連付けられた温度依存性を其々補償するために、第１の電流３１０及び第２の電流３１２のスロープを別々に（例えば、個々に）調整し得る。第１のデバイス３０２及び第２のデバイス３０４の温度依存性が異なり得るため、個々のスロープ調整可能電流（例えば、電流３１０及び３１２）を使用することは、単一の固定スロープＰＴＡＴ基準電流を第１のデバイス３０２及び第２のデバイス３０４に供給することに関連付けられた変動低減と比較して、特定の温度範囲にわたって、各デバイス３０２、３０４に関連して変動（例えば、利得変動及び／又はノイズ指数変動）低減を高め得る。

【0075】

[0080] 説明された実施形態とともに、装置は、第１のスロープに従って温度に伴い変動する第１の電流を使用して低ノイズ増幅器にバイアスをかけるための手段を含む。例えば、低ノイズ増幅器にバイアスをかけるための手段は、図１−２のワイヤレスデバイス１１０、図３の第１のバイアス回路３０６、図３の第１の電流源３１４、図３の第２の電流源３１６、図３の第３の電流源３１８、図３の第４のトランジスタ３４０、図４のバイアス回路４００とその中の構成要素、図５の第１の電流源５００とその中の構成要素、図５の第２の電流源５０４とその中の構成要素、低ノイズ増幅器にバイアスをかけるための１つ又は複数の他のデバイス、回路、モジュール、又は命令、或いはそれらの任意の組み合わせを含み得る。

【0076】

[0081] 装置はまた、第２のスロープに従って温度に伴い変動する第２の電流を使用して低ノイズ増幅器の負荷にバイアスをかけるための手段を含み得る。例えば、負荷にバイアスをかけるための手段は、図１−２のワイヤレスデバイス１１０、図３の第２のバイアス回路３０８、図３の第４の電流源３２０、図３の第５の電流源３２２、図３の第６の電流源３２４、図３の第５のトランジスタ３４４、図４のバイアス回路４００とその中の構成要素、図５の第１の電流源５００とその中の構成要素、図５の第２の電流源５０４とその中の構成要素、負荷にバイアスをかけるための１つ又は複数の他のデバイス、回路、モジュール、又は命令、或いはそれらの任意の組み合わせを含み得る。

【0077】

[0082] 当業者であれば、本明細書で開示された実施形態に関連して説明された実例となる様々な論理ブロック、構成、モジュール、回路、及びアルゴリズムステップが、電子ハードウェア、プロセッサによって実行されるコンピュータソフトウェア、又は両方の組み合わせとして実装され得ることを更に認識するであろう。実例となる様々な構成要素、ブロック、構成、モジュール、回路、及びステップは、概ねそれらの機能性の観点から上で説明されている。このような機能性が、ハードウェアとして実装されるかプロセッサ実行可能な命令として実装されるかは、特定の用途とシステム全体に課せられた設計制約とに依存する。当業者は、上述された機能性を特定の用途ごとに様々な方法で実装し得るが、このような実装の決定は本開示の範囲からの逸脱をさせるものとして解釈されるべきでない。

【0078】

[0083] 本明細書で開示された実施形態に関連して説明されたアルゴリズム又は方法のステップは、直接ハードウェアで、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールで、又は両者の組み合わせで具現化され得る。ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、フラッシュメモリ、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）、プログラマブル読出し専用メモリ（ＰＲＯＭ）、消去可能プログラマブル読出し専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能プログラマブル読出し専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ（登録商標））、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、コンパクトディスク読出し専用メモリ（ＣＤ−ＲＯＭ）、或いは当技術分野で知られているあらゆる他の形式の非一時的な記憶媒体内に存在し得る。例示的な記憶媒体は、プロセッサが記憶媒体から情報を読み出し、記憶媒体に情報を書き込むことができるように、プロセッサに結合される。代替的に、記憶媒体は、プロセッサに一体化され得る。プロセッサ及び記憶媒体は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）内に存在し得る。ＡＳＩＣは、コンピューティングデバイス又はユーザ端末内に存在し得る。代替では、プロセッサ及び記憶媒体は、コンピューティングデバイス又はユーザ端末内の個別の構成要素として存在し得る。

【0079】

[0084] 開示された実施形態の先の説明は、開示された実施形態を製造又は使用することを当業者に可能にするために提供される。これらの実施形態に対する様々な修正は、当業者には容易に明らかであり、本明細書で定義された原理は、本開示の範囲から逸脱することなく他の実施形態に適用され得る。従って、本開示は、本明細書で示された実施形態に限定されることが想定されているわけではなく、以下の特許請求の範囲によって定義される原理及び新規な特徴と一致する可能性のある最も広い範囲が与えられるべきである。
以下に本願発明の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［Ｃ１］
装置であって、
第１のスロープに従って温度に伴い変動する第１の電流を生成するように構成された第１のバイアス回路と、
第２のスロープに従って温度に伴い変動する第２の電流を生成するように構成された第２のバイアス回路と、
前記第１のバイアス回路の出力に応答するトランスコンダクタンス段を含む低ノイズ増幅器と、
前記低ノイズ増幅器の出力に結合されており、前記第２のバイアス回路の出力に応答する負荷と
を備える装置。
［Ｃ２］
前記負荷は、能動回路と、少なくとも１つの受動回路素子とを備える選択的ブースト回路を備える、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ３］
前記第１のバイアス回路は、前記第１のバイアス回路の第１の出力ノードに結合された複数の電流寄与段を含み、前記第２のバイアス回路は、前記第２のバイアス回路の第２の出力ノードに結合された複数の電流寄与段を備える、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ４］
前記第１のバイアス回路の前記電流寄与段の各々は、
前記第１の出力ノードに結合されており、絶対温度比例（ＰＴＡＴ）電流を前記第１の出力ノードに供給するように構成された第１のトランジスタと、
前記第１の出力ノードに結合されており、前記第１の出力ノードから帯域ギャップ電流を供給するように構成された第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタを選択的にアクティブ化するイネーブル回路と
を含む、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ５］
前記第１のスロープは、前記低ノイズ増幅器の温度に基づき、前記第２のスロープは、前記負荷の温度に基づく、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ６］
前記第２のスロープは、前記第２の温度が第１の温度領域内にあるとき負であり、前記第２のスロープは、前記第２の温度が第２の温度領域内にあるとき正である、Ｃ５に記載の装置。
［Ｃ７］
前記第１の温度領域は、前記第２の温度領域よりも低い、Ｃ６に記載の装置。
［Ｃ８］
前記トランスコンダクタンス段は、前記第１の電流に応答するトランジスタを備える、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ９］
前記第１のバイアス回路は、
絶対温度比例（ＰＴＡＴ）電流を生成するように動作可能なＰＴＡＴ電流源と、
帯域ギャップ電流を生成するように動作可能な帯域ギャップ電流源と、
第１の段選択コードに応答する第１の複数のトランジスタと、ここにおいて、前記第１の複数のトランジスタは、前記第１の段選択コードに基づいて前記ＰＴＡＴ電流の大きさを調整するように動作可能である、
第２の段選択コードに応答する第２の複数のトランジスタと、ここにおいて、前記第２の複数のトランジスタは、前記第２の段選択コードに基づいて前記帯域ギャップ電流の大きさを調整するように動作可能である、
を備える、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ１０］
前記第１の複数のトランジスタは、ＰＴＡＴ電流バイナリデジタル／アナログ変換器（ＤＡＣ）に対応し、前記第２の複数のトランジスタは、帯域ギャップ電流バイナリＤＡＣに対応する、Ｃ９に記載の装置。
［Ｃ１１］
前記第１のスロープは、基準スロープを有する、絶対温度比例（ＰＴＡＴ）基準電流に基づき、前記基準スロープに対する前記第１のスロープの比は１よりも大きい、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ１２］
前記第１のスロープは、前記第２のスロープよりも大きい、Ｃ１１に記載の装置。
［Ｃ１３］
装置であって、
第１のスロープに従って温度に伴い変動する第１の電流を使用して低ノイズ増幅器にバイアスをかけるための手段と、
第２のスロープに従って温度に伴い変動する第２の電流を使用して前記低ノイズ増幅器の負荷にバイアスをかけるための手段と
を備える装置。
［Ｃ１４］
前記第１のスロープは、絶対温度比例（ＰＴＡＴ）基準電流及び帯域ギャップ基準電流の第１の関数として決定され、前記第２のスロープは、前記ＰＴＡＴ基準電流及び前記帯域ギャップ基準電流の第２の関数として決定される、Ｃ１３に記載の装置。
［Ｃ１５］
前記第１のスロープは、区分的に線形であり、前記第２のスロープは、区分的に線形である、Ｃ１３に記載の装置。
［Ｃ１６］
前記第２のスロープは、前記第２の温度が第１の温度領域内にあるとき負であり、前記第２のスロープは、前記第２の温度が第２の温度領域内にあるとき正である、Ｃ１５に記載の装置。
［Ｃ１７］
前記負荷回路は、選択的ブースト回路を備える、Ｃ１３に記載の装置。
［Ｃ１８］
第１のスロープに従って温度に伴い変動する第１の電流を使用して第１のデバイスにバイアスをかけることと、
前記第１のデバイスの出力に結合された第２のデバイスにバイアスをかけることと、前記第２のデバイスは、第２のスロープに従って温度に伴い変動する電流を使用してバイアスがかけられる、
を備える方法。
［Ｃ１９］
第１のデジタルコードを受け、前記第１のデジタルコードに基づいて前記第１のスロープを制御することと、
第２のデジタルコードを受け、前記第２のデジタルコードに基づいて前記第２のスロープを制御することと
を更に備える、Ｃ１８に記載の方法。
［Ｃ２０］
前記第１のデジタルコードに基づいて前記第１のスロープを制御することは、前記第１のデジタルコードの値に従って第１のバイアス回路内の第１の数の電流寄与段を選択的にイネーブルにすることを含み、前記第２のデジタルコードに基づいて前記第２のスロープを制御することは、前記第２のデジタルコードの値に従って第２のバイアス回路内の第２の数の電流寄与段を選択的にイネーブルにすることを含む、Ｃ１９に記載の方法。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】