特許第6248060号(P6248060)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許6248060β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体に局所的な導電性領域を形成する方法、及び局所的な導電性領域を備えたβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体
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