特許6248060β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体に局所的な導電性領域を形成する方法、及び局所的な導電性領域を備えたβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体

発明の名称　β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体に局所的な導電性領域を形成する方法、及び局所的な導電性領域を備えたβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体

出願人　株式会社タムラ製作所　（識別番号 390005223）

　　　　特許公開件数ランキング 502 位（54件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 438 位（60件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6248060

公報発行日　2017年12月13

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6248060

知財ポータルサイト IP Force にログインすれば、特許-6248060「β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体に局所的な導電性領域を形成する方法、及び局所的な導電性領域を備えたβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体」の公報全文を閲覧することができます。

ログインはこちら　ログイン・ユーザー登録