発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

図１４に示す従来技術の保護膜は、半導体基板１００表面上に無機保護膜、さらにその上に有機保護膜を形成した２層構造であり、半導体装置の素子周縁部Ｙの表面に異物、又はモールド樹脂中のフィラーによるフィラーアタックからの保護に加え、モールド樹脂中のイオン、及び外部からの水分の侵入を防ぐため、保護膜を形成している。この保護膜は素子周縁部Ｙの電界分布を保持し、耐圧劣化を防止する役割をしている。 しかしながら、組立工程において半導体装置に加えられる応力により素子周縁部Ｙの無機保護膜にクラックが発生する場合がある。
素子周縁部Ｙの無機保護膜にクラックが発生した場合、ＴＨＢ試験（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ，Ｈｕｍｉｄｉｔｙ，Ｂｉａｓ Ｔｅｓｔ）のような高温、高湿雰囲気中での信頼性試験でクラック発生箇所に局所的に電界が集中し、ドレイン電極とソース電極との間に局所的な耐圧低下が起こり、リーク不良が発生する。 また、クラック発生の原因となる無機保護膜を形成せずに、有機保護膜のみを形成するとクラックの発生は防ぐことができるが、保護膜と金属配線との界面、及び保護膜との金属電極の界面にＴＨＢ試験のような高温、高湿雰囲気中での信頼性試験において水分やモールド樹脂中のイオンが侵入するため、ゲート電極とソース電極との間でリーク不良が発生する。また、ソース電極にグランド電圧が印加されドレイン電極にマイナスの電圧が印加されている場合は、ゲート電極とドレイン電極との間でリーク不良が発生する。 本発明は、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明では、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。