発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

前記したように、ダイシングブレード７６がスクライブ７３に沿って１００μｍ以上進んだ箇所でも、ある確率でクラックは発生する。そのため、近年、このクラック７７（チッピングも含む）の発生確率を現状より低くして、良品率を向上させ、コストダウンを図ることが強く要望されている。特に、車載用素子においては、不良率をｐｐｍ以下のオーダーまで極限的に低くする必要がある。その対策としてつぎのことが考えられる。 図２６は、レチクル５１を用いてウェハ１の外周まで露光する様子を示した図である。このように外周部全域にスクライブ７３を形成することで、ダイシングブレード７６は表面保護膜７１や下地の金属膜７５に接することなく、ウェハ１を切断できる。そのため、クラック７７の発生確率を極めて小さくすることができる。 しかし、露光回数（ショット数）が増加するようになり、露光装置の能力の低下を招き、処理時間が長くなることで製造コストは増大する。
また、図２６のようにウェハ１の外周部までスクライブ７３を形成する場合には、外観検査では除去できないパターン欠損を含むチップ（本来不良チップ）が良品と判定され組み立てられる確率が大きくなり、半導体装置の信頼性に不安が残る。 また、前記した従来のレチクル５１または等倍露光マスク５７を用いて表面保護膜にスクライブパターン７２を形成した場合でも、ウェハ１の切断時に外周部にあるチップ形成箇所７４にクラック７７（チッピングを含む）が導入される可能性がある。そのため、外観検査を行うことが不可欠になる。しかし、この外観検査で不良チップを完璧に除去することは不可能に近い。そのため、予め不良チップが発生すると予想されるウェハ１の外周部のチップ形成箇所を外観検査せずに、この箇所にあるチップをすべて不良扱いとする。しかし、この方法では、良品チップを不良チップとして排除する可能性があるため、良品率の低下を招き、製造コストが増大する可能性がある。 この発明の目的は、前記の課題を解決して、クラックの発生確率を小さくし、製造コストを低減できる半導体装置の製造方法およびそれに用いられる露光マスクを提供することにある。 前記の目的を達成するために、特許請求の範囲の請求項１に記載の発明によれば、スクライブパターンが描画された露光マスクにおいて、前記スクライブパターンは、該スクライブパターンの最外周にある２本の前記スクライブパターンが交差する部分のさらに外周側に延在する突出部を有する露光マスクとし、前記突出部の長さが１００μｍにマスクの倍率を掛けた値以上である露光マスクとするとよい。
また、特許請求の範囲の請求項２記載の発明によれば、請求項１に記載の発明において、前記突出部の長さが５００μｍにマスクの倍率を掛けた値以下である露光マスクとするとよい。
また、特許請求の範囲の請求項３記載の発明によれば、請求項１または２に記載の発明において、前記露光マスクが、レチクルもしくは等倍露光マスクであるとよい。
また、特許請求の範囲の請求項４記載の発明によれば、スクライブに沿ってダイシングブレードで半導体ウェハを切断する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記半導体ウェハ上を被覆している表面保護膜の表層に塗布したレジストに、スクライブパターンが描画された露光マスクを用いて前記スクライブパターンを転写する転写工程と、現像により前記スクライブパターン部のレジストを選択的に除去する現像工程と、前記レジストをマスクとして、前記レジストが除去されたスクライブパターン部の表面保護膜を選択的にエッチングしてスクライブを形成するエッチング工程と、ダイシングブレードを用いて前記スクライブに沿って該スクライブの内部を切断し、前記半導体ウェハをチップ化する切断工程を含み、前記露光マスクが単数もしくは複数のチップパターンを有し、前記露光マスクに描画されたスクライブパターンは、該スクライブパターンの最外周にある２本の前記スクライブパターンが交差する部分のさらに外周側に延在する突出部を有し、前記転写工程により前記スクライブパターンの前記半導体ウェハ上の最外周部の前記レジストに前記突出部が転写され、前記突出部を有するスクライブパターン部のレジストが前記現像工程により選択的に除去され、前記突出部を有するスクライブパターン部下の前記表面保護膜が前記エッチング工程により選択的にエッチングされることにより、前記突出部下に突出除去部が形成されたスクライブが形成され、前記切断工程により前記スクライブの突出除去部に沿って該突出除去部の内側の前記半導体ウェハを切断し、前記突出除去部の長さが１００μｍ以上５００μｍ以下とする半導体装置の製造方法とする。
また、特許請求の範囲の請求項５記載の発明によれば、請求項４に記載の発明において、前記表面保護膜がポリイミドであるとよい。
また、特許請求の範囲の請求項６記載の発明によれば、請求項４または５に記載の発明において、前記表面保護膜の下地に金属膜があるとよい。
また、特許請求の範囲の請求項７記載の発明によれば、前記請求項４〜６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法で用いられる前記露光マスクが、レチクルもしくは等倍露光マスクであるとよい。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

この発明では、表面保護膜のスクライブパターンにおいて、最外周のスクライブの交差部分に外周に向かって突出箇所を形成することで、チップ形成箇所に発生するクラックの発生確率を小さくして、不良率を十分低くでき、また製造コストの低減を図ることができる。