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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6249348
(24)【登録日】2017年12月1日
(45)【発行日】2017年12月20日
(54)【発明の名称】発光装置
(51)【国際特許分類】
H01L 33/64 20100101AFI20171211BHJP
F21S 2/00 20160101ALI20171211BHJP
F21Y 105/10 20160101ALN20171211BHJP
【ＦＩ】
H01L33/64
F21S2/00 100
F21Y105:10
【請求項の数】6
【全頁数】27
(21)【出願番号】特願2013-242042(P2013-242042)
(22)【出願日】2013年11月22日
(65)【公開番号】特開2015-103614(P2015-103614A)
(43)【公開日】2015年6月4日
【審査請求日】2016年9月7日
(73)【特許権者】
【識別番号】000003757
【氏名又は名称】東芝ライテック株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100108062
【弁理士】
【氏名又は名称】日向寺 雅彦
(74)【代理人】
【識別番号】100168332
【弁理士】
【氏名又は名称】小崎 純一
(74)【代理人】
【識別番号】100146592
【弁理士】
【氏名又は名称】市川 浩
(72)【発明者】
【氏名】別田 惣彦
(72)【発明者】
【氏名】大川 秀樹
(72)【発明者】
【氏名】下川 一生
(72)【発明者】
【氏名】佐々木 陽光
【審査官】
百瀬 正之
(56)【参考文献】
【文献】
国際公開第２０１２／１６５００７（ＷＯ，Ａ１）
【文献】
欧州特許出願公開第０２６２６９１８（ＥＰ，Ａ１）
【文献】
特開２０１２−１４２４２９（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００９−０３２６５０（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２０１２−０８４７３３（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２０１２−２２７３０６（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２０１２−０６４６１６（ＪＰ，Ａ）
【文献】
登録実用新案第３１６０５３５（ＪＰ，Ｕ）
(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）
Ｈ０１Ｌ ３３／００−３３／６４
Ｆ２１Ｓ ２／００−１９／００
Ｆ２１Ｋ ９／００−９／９０
Ｆ２１Ｙ １０５／１０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１辺と、前記第１辺と離間した第２辺と、第３辺と、前記第３辺と離間した第４辺と、前記第１辺と前記第３辺とを接続する第１コーナ部と、前記第３辺と前記第２辺とを接続する第２コーナ部と、前記第２辺と前記第４辺とを接続する第３コーナ部と、前記第４辺と前記第１辺とを接続する第４コーナ部と、を含む第１主面を有するセラミック基板であって、前記第１主面は、実装領域と、前記第１コーナ部と前記実装領域との間に設けられた第１コネクタ領域と、前記第２コーナ部と前記実装領域との間に設けられた第２コネクタ領域と、前記第３コーナ部と前記実装領域との間に設けられた第３コネクタ領域と、前記第４コーナ部と前記実装領域との間に設けられた第４コネクタ領域と、前記第１コーナ部と前記第１コネクタ領域との間に設けられた第５コネクタ領域と、前記第２コーナ部と前記第２コネクタ領域との間に設けられた第６コネクタ領域と、前記第３コーナ部と前記第３コネクタ領域との間に設けられた第７コネクタ領域と、前記第４コーナ部と前記第４コネクタ領域との間に設けられた第８コネクタ領域と、を含むセラミック基板と、
前記実装領域の上に設けられた複数の半導体発光素子と、
前記第１コネクタ領域の上に設けられた第１コネクタと、
前記第２コネクタ領域の上に設けられた第２コネクタと、
前記第３コネクタ領域の上に設けられた第３コネクタと、
前記第４コネクタ領域の上に設けられた第４コネクタと、
前記第５コネクタ領域の上に設けられた第５コネクタと、
前記第６コネクタ領域の上に設けられた第６コネクタと、
前記第７コネクタ領域の上に設けられた第７コネクタと、
前記第８コネクタ領域の上に設けられた第８コネクタと、
前記複数の半導体発光素子と前記セラミック基板との間に設けられた第１金属層であって、前記第１コネクタと電気的に接続された第１コネクタ用電極部と、前記第２コネクタと電気的に接続された第２コネクタ用電極部と、前記第３コネクタと電気的に接続された第３コネクタ用電極部と、前記第４コネクタと電気的に接続された第４コネクタ用電極部と、前記第５コネクタと電気的に接続された第５コネクタ用電極部と、前記第６コネクタと電気的に接続された第６コネクタ用電極部と、前記第７コネクタと電気的に接続された第７コネクタ用電極部と、前記第８コネクタと電気的に接続された第８コネクタ用電極部と、を含む第１金属層と、
を備え、
前記実装領域は、
第１配置部と、
前記第４辺と前記第１配置部との間に設けられた第２配置部と、
前記第１配置部と前記第２配置部との間に設けられた第３配置部と、
前記第２配置部と前記第３配置部との間に設けられた第４配置部と、
を含み、
前記第１金属層は、
前記第１配置部の上に設けられた第１実装パターン部と、
前記第２配置部の上に設けられた第２実装パターン部と、
前記第３配置部の上に設けられた第３実装パターン部と、
前記第４配置部の上に設けられた第４実装パターン部と、
をさらに含み、
前記第１コネクタ用電極及び前記第２コネクタ用電極は、前記第１実装パターン部と電気的に接続され、
前記第３コネクタ用電極及び前記第４コネクタ用電極は、前記第２実装パターン部と電気的に接続され、
前記第５コネクタ用電極及び前記第６コネクタ用電極は、前記第３実装パターン部と電気的に接続され、
前記第７コネクタ用電極及び前記第８コネクタ用電極は、前記第４実装パターン部と電気的に接続された発光装置。
前記実装領域の上に設けられた複数の半導体発光素子と、
前記第１コネクタ領域の上に設けられた第１コネクタと、
前記第２コネクタ領域の上に設けられた第２コネクタと、
前記第３コネクタ領域の上に設けられた第３コネクタと、
前記第４コネクタ領域の上に設けられた第４コネクタと、
前記第５コネクタ領域の上に設けられた第５コネクタと、
前記第６コネクタ領域の上に設けられた第６コネクタと、
前記第７コネクタ領域の上に設けられた第７コネクタと、
前記第８コネクタ領域の上に設けられた第８コネクタと、
前記複数の半導体発光素子と前記セラミック基板との間に設けられた第１金属層であって、前記第１コネクタと電気的に接続された第１コネクタ用電極部と、前記第２コネクタと電気的に接続された第２コネクタ用電極部と、前記第３コネクタと電気的に接続された第３コネクタ用電極部と、前記第４コネクタと電気的に接続された第４コネクタ用電極部と、前記第５コネクタと電気的に接続された第５コネクタ用電極部と、前記第６コネクタと電気的に接続された第６コネクタ用電極部と、前記第７コネクタと電気的に接続された第７コネクタ用電極部と、前記第８コネクタと電気的に接続された第８コネクタ用電極部と、を含む第１金属層と、
を備え、
前記実装領域は、
第１配置部と、
前記第４辺と前記第１配置部との間に設けられた第２配置部と、
前記第１配置部と前記第２配置部との間に設けられた第３配置部と、
前記第２配置部と前記第３配置部との間に設けられた第４配置部と、
を含み、
前記第１金属層は、
前記第１配置部の上に設けられた第１実装パターン部と、
前記第２配置部の上に設けられた第２実装パターン部と、
前記第３配置部の上に設けられた第３実装パターン部と、
前記第４配置部の上に設けられた第４実装パターン部と、
をさらに含み、
前記第１コネクタ用電極及び前記第２コネクタ用電極は、前記第１実装パターン部と電気的に接続され、
前記第３コネクタ用電極及び前記第４コネクタ用電極は、前記第２実装パターン部と電気的に接続され、
前記第５コネクタ用電極及び前記第６コネクタ用電極は、前記第３実装パターン部と電気的に接続され、
前記第７コネクタ用電極及び前記第８コネクタ用電極は、前記第４実装パターン部と電気的に接続された発光装置。
【請求項2】
前記第１コネクタは、
第１コネクタ辺と、
前記第１コネクタ辺と前記実装領域との間に設けられ前記第１コネクタ辺と離間した第２コネクタ辺と、
前記第１コネクタ辺の一端と前記第２コネクタ辺の一端とに繋がる第３コネクタ辺と、
前記第１コネクタ辺の他端と前記第２コネクタ辺の他端とに繋がる第４コネクタ辺と、
を含み、
前記第１コネクタ辺の延在する方向と、前記実装領域から前記第１コーナ部へ向かう方向と、の間の角は、８０度以上１００度以下である請求項１記載の発光装置。
第１コネクタ辺と、
前記第１コネクタ辺と前記実装領域との間に設けられ前記第１コネクタ辺と離間した第２コネクタ辺と、
前記第１コネクタ辺の一端と前記第２コネクタ辺の一端とに繋がる第３コネクタ辺と、
前記第１コネクタ辺の他端と前記第２コネクタ辺の他端とに繋がる第４コネクタ辺と、
を含み、
前記第１コネクタ辺の延在する方向と、前記実装領域から前記第１コーナ部へ向かう方向と、の間の角は、８０度以上１００度以下である請求項１記載の発光装置。
【請求項3】
前記第１配置部は、
第１領域と、
前記第１辺から前記第２辺へ向かう第１方向において前記第１領域と離間した第２領域と、
第１領域と第２領域との間に設けられた第３領域と、
を含み、
前記第３配置部は、
前記第３辺から前記第４辺へ向かう第２方向において前記第１領域と並ぶ第４領域と、
前記第２方向において前記第２領域と並び前記第１方向において前記第４領域と離間した第５領域と、
前記第４領域と前記第５領域との間に設けられた第６領域と、
を含み、
前記第３領域の前記第２方向に沿った長さは、前記第１領域の前記第２方向に沿った長さよりも長く、前記第２領域の前記第２方向に沿った長さよりも長く、
前記第６領域の前記第２方向に沿った長さは、前記第４領域の前記第２方向に沿った長さよりも短く、前記第５領域の前記第２方向に沿った長さよりも短い請求項１または２に記載の発光装置。
第１領域と、
前記第１辺から前記第２辺へ向かう第１方向において前記第１領域と離間した第２領域と、
第１領域と第２領域との間に設けられた第３領域と、
を含み、
前記第３配置部は、
前記第３辺から前記第４辺へ向かう第２方向において前記第１領域と並ぶ第４領域と、
前記第２方向において前記第２領域と並び前記第１方向において前記第４領域と離間した第５領域と、
前記第４領域と前記第５領域との間に設けられた第６領域と、
を含み、
前記第３領域の前記第２方向に沿った長さは、前記第１領域の前記第２方向に沿った長さよりも長く、前記第２領域の前記第２方向に沿った長さよりも長く、
前記第６領域の前記第２方向に沿った長さは、前記第４領域の前記第２方向に沿った長さよりも短く、前記第５領域の前記第２方向に沿った長さよりも短い請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項4】
前記第１コネクタ領域と前記実装領域との間の距離は、２．５ミリメートル以上である請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項5】
前記発光装置は、第２金属層と、半田層と、放熱板と、をさらに備え、
前記セラミック基板は、前記第１主面とは反対側で、前記第２金属層が設けられた第２主面を有し、
前記放熱板は、前記セラミック基板の前記第２主面の側に設けられ、
前記半田層は、前記放熱板と前記第２金属層との間に設けられ、
前記放熱板の熱膨張係数の前記セラミック基板の熱膨張係数に対する比は、０．５以上２以下である請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置。
前記セラミック基板は、前記第１主面とは反対側で、前記第２金属層が設けられた第２主面を有し、
前記放熱板は、前記セラミック基板の前記第２主面の側に設けられ、
前記半田層は、前記放熱板と前記第２金属層との間に設けられ、
前記放熱板の熱膨張係数の前記セラミック基板の熱膨張係数に対する比は、０．５以上２以下である請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項6】
前記セラミック基板は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム及び酸窒化アルミニウムの少なくともいずれかを含み、
前記放熱板は、アルミニウムとシリコンカーバイドとを含む複合材料、銅とモリブデンとを含む複合材料、及び、銅とタングステンとを含む複合材料、の少なくともいずれかを含む請求項５記載の発光装置。
前記放熱板は、アルミニウムとシリコンカーバイドとを含む複合材料、銅とモリブデンとを含む複合材料、及び、銅とタングステンとを含む複合材料、の少なくともいずれかを含む請求項５記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
例えば、基板上に半導体発光素子が実装され、樹脂で封止された発光装置（Chip On Board）がある。このような発光装置において、出力を高めることが望まれている。出力を高めると信頼性が悪化し易い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１２−８４７３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の実施形態は、高信頼性の発光装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の実施形態によれば、セラミック基板と、第１コネクタと、第２コネクタと、第３コネクタと、第４コネクタと、第５コネクタと、第６コネクタと、第７コネクタと、第８コネクタと、複数の半導体発光素子と、第１金属層と、を含む発光装置が提供される。前記セラミック基板は、第１辺と、前記第１辺と離間した第２辺と、第３辺と、前記第３辺と離間した第４辺と、前記第１辺と前記第３辺とを接続する第１コーナ部と、前記第３辺と前記第２辺とを接続する第２コーナ部と、前記第２辺と前記第４辺とを接続する第３コーナ部と、前記第４辺と前記第１辺とを接続する第４コーナ部と、を含む第１主面を有する。前記第１主面は、実装領域と、前記第１コーナ部と前記実装領域との間に設けられた第１コネクタ領域と、前記第２コーナ部と前記実装領域との間に設けられた第２コネクタ領域と、前記第３コーナ部と前記実装領域との間に設けられた第３コネクタ領域と、前記第４コーナ部と前記実装領域との間に設けられた第４コネクタ領域と、前記第１コーナ部と前記第１コネクタ領域との間に設けられた第５コネクタ領域と、前記第２コーナ部と前記第２コネクタ領域との間に設けられた第６コネクタ領域と、前記第３コーナ部と前記第３コネクタ領域との間に設けられた第７コネクタ領域と、前記第４コーナ部と前記第４コネクタ領域との間に設けられた第８コネクタ領域と、を含む。前記複数の半導体発光素子は、前記実装領域の上に設けられる。前記第１コネクタは、前記第１コネクタ領域の上に設けられる。前記第２コネクタは、前記第２コネクタ領域の上に設けられる。前記第３コネクタは、前記第３コネクタ領域の上に設けられる。前記第４コネクタは、前記第４コネクタ領域の上に設けられる。前記第５コネクタは、前記第５コネクタ領域の上に設けられる。前記第６コネクタは、前記第６コネクタ領域の上に設けられる。前記第７コネクタは、前記第７コネクタ領域の上に設けられる。前記第８コネクタは、前記第８コネクタ領域の上に設けられる。前記第１金属層は、前記複数の半導体発光素子と前記セラミック基板との間に設けられる。前記第１金属層は、前記第１コネクタと電気的に接続された第１コネクタ用電極部と、前記第２コネクタと電気的に接続された第２コネクタ用電極部と、前記第３コネクタと電気的に接続された第３コネクタ用電極部と、前記第４コネクタと電気的に接続された第４コネクタ用電極部と、前記第５コネクタと電気的に接続された第５コネクタ用電極部と、前記第６コネクタと電気的に接続された第６コネクタ用電極部と、前記第７コネクタと電気的に接続された第７コネクタ用電極部と、前記第８コネクタと電気的に接続された第８コネクタ用電極部と、を含む。前記実装領域は、第１配置部と、前記第４辺と前記第１配置部との間に設けられた第２配置部と、前記第１配置部と前記第２配置部との間に設けられた第３配置部と、前記第２配置部と前記第３配置部との間に設けられた第４配置部と、を含む。前記第１金属層は、前記第１配置部の上に設けられた第１実装パターン部と、前記第２配置部の上に設けられた第２実装パターン部と、前記第３配置部の上に設けられた第３実装パターン部と、前記第４配置部の上に設けられた第４実装パターン部と、をさらに含む。前記第１コネクタ用電極及び前記第２コネクタ用電極は、前記第１実装パターン部と電気的に接続される。前記第３コネクタ用電極及び前記第４コネクタ用電極は、前記第２実装パターン部と電気的に接続される。前記第５コネクタ用電極及び前記第６コネクタ用電極は、前記第３実装パターン部と電気的に接続される。前記第７コネクタ用電極及び前記第８コネクタ用電極は、前記第４実装パターン部と電気的に接続される。
【発明の効果】
【0006】
本発明の実施形態によれば、高出力の発光装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図2】第１の実施形態に係る発光装置の一部を示す模式的平面図である。
【図3】第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式的平面図である。
【図4】第１の実施形態に係る発光装置の一部を示す模式的平面図である。
【図6】焼結アルミナの特性を示すグラフ図である。
【図7】アルミナの特性を示すグラフ図である。
【図8】焼結アルミナの特性を示すグラフ図である。
【図9】焼結アルミナの特性を示すグラフ図である。
【図10】アルミナの特性を示すグラフ図である。
【図11】焼結アルミナの特性を示すグラフ図である。
【図12】焼結アルミナの特性を示すグラフ図である。
【図13】焼結アルミナの特性を示すグラフ図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。 なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【0009】
（第１の実施形態） 図１（ａ）〜図１（ｃ）は、第１の実施形態に係る発光装置及び照明装置を例示する模式図である。
図１（ａ）は平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ１−Ａ２線断面の一部を例示す断面図である。
図１（ａ）及び図１（ｂ）に表したように、本実施形態に係る発光装置１１０は、ベース部材７１と、グリス層５３と、放熱板５１と、接合層５２と、実装基板部１５と、複数の半導体発光素子２０と、を含む。発光装置１１０は、例えば、照明装置２１０に用いられる。
【0010】
ベース部材７１から実装基板部１５に向かう方向を積層方向（Ｚ軸方向）とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向とＸ軸方向とに対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
【0011】
ベース部材７１の上に、グリス層５３、放熱板５１、接合層５２（半田層）、実装基板部１５、及び、複数の半導体発光素子２０が、この順で配置される。
【0012】
すなわち、複数の半導体発光素子２０は、ベース部材７１と、Ｚ軸方向において離間する。実装基板部１５は、セラミック基板１０を含む。セラミック基板１０は、上面１０ｕｅを有する。セラミック基板１０には、例えば、セラミック、または、セラミックと樹脂の複合セラミックなどから形成される部材が用いられる。セラミックとしては、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、ステアタイト（ＭｇＯ・ＳｉＯ２）、ジルコン（ＺｒＳｉＯ４）、または、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）などが用いられる。セラミック基板１０は、ベース部材７１と複数の半導体発光素子２０との間に設けられる。放熱板５１は、ベース部材７１と実装基板部１５との間に設けられる。
【0013】
図１（ｂ）に例示したように、接合層５２は、実装基板部１５と放熱板５１との間に設けられる。接合層５２は、実装基板部１５と放熱板５１とを接合する。
【0014】
グリス層５３は、ベース部材７１と放熱板５１との間に設けられる。グリス層５３は、放熱板５１の熱をベース部材７１に伝達する。
【0016】
発光装置１１０において、発光部４０が設けられる。放熱板５１の上に、発光部４０が設けられる。放熱板５１と発光部４０との間に、接合層５２が設けられる。
【0017】
本願明細書において、上に設けられる状態は、直接的に上に設けられる状態の他に、間に別の要素が挿入される状態も含む。
【0018】
放熱板５１から発光部４０に向かう方向が積層方向に対応する。本願明細書において、積層される状態は、直接接して重ねられる状態の他に、間に別の要素が挿入されて重ねられる状態も含む。
【0019】
放熱板５１は、例えば板状である。放熱板５１の主面は、例えば、Ｘ−Ｙ平面に対して実質的に平行である。放熱板５１の平面形状は、例えば矩形である。放熱板５１は、例えば、第１〜第４放熱板辺５５ａ〜５５ｄを有する。第２放熱板辺５５ｂは、第１放熱板辺５５ａから離間する。第３放熱板辺５５ｃは、第１放熱板辺５５ａの一端と、第２放熱板辺５５ｂの一端と、を接続する。第４放熱板辺５５ｄは、第３放熱板辺５５ｃと離間し、第１放熱板辺５５ａの他端と、第２放熱板辺５５ｂの他端と、を接続する。放熱板５１の平面形状のコーナ部は、曲線状でも良い。
【0020】
発光部４０は、光を放出する。それと同時に、発光部４０は熱を発生する。接合層５２は、発光部４０で発生した熱を、放熱板５１に効率良く伝導する。接合層５２には、例えば、はんだなどが用いられる。すなわち、接合層５２は、はんだを含む。例えば、接合層５２には、錫をベースにし、金、銀、銅、ビスマス、ニッケル、インジウム、亜鉛、アンチモン、ゲルマニウム及びシリコンのいずれかを少なくとも１種類以上含むはんだを用いることができる。例えば、ＳｎＡｇＣｕ合金などが用いられる。
【0021】
発光部４０は、実装基板部１５と、発光素子部３５と、を含む。 実装基板部１５は、セラミック基板１０と、第１金属層１１と、第２金属層１２と、を含む。
【0022】
セラミック基板１０は、第１主面１０ａと、第２主面１０ｂと、を有する。第２主面１０ｂは、第１主面１０ａとは反対側の面である。放熱板５１は、セラミック基板１０の第２主面に対向している。換言すると、第２主面１０ｂは、放熱板５１側の面である。すなわち、第２主面１０ｂは、接合層５２の側の面である。
【0023】
発光素子部３５は、セラミック基板１０の第１主面１０ａ上に設けられる。発光素子部３５は、複数の半導体発光素子２０と、波長変換層３１と、を含む。
【0024】
本願明細書において、対向している状態は、直接面している状態に加え、間に別の要素が挿入されている状態も含む。
【0025】
第１主面１０ａは、実装領域１６を含む。例えば、実装領域１６は、第１主面１０ａの外縁１０ｘから離間している。この例では、実装領域１６は、第１主面１０ａの中央部分に設けられる。第１主面１０ａは、周辺領域１７をさらに含む。周辺領域１７は、実装領域１６の周りに設けられる。
【0026】
第１主面１０ａは、例えば、Ｘ−Ｙ平面に対して実質的に平行である。セラミック基板１０の平面形状は、例えば、矩形である。第１主面１０ａは、例えば、第１〜第４辺１０ｃ〜１０ｆを有する。第２辺１０ｄは、第１辺１０ｃと離間する。第３辺１０ｅは、第１辺１０ｃの一端と、第２辺１０ｄの一端と、を接続する。第３辺１０ｅは、第１辺１０ｃと第２辺１０ｄとの間に設けられる。第４辺１０ｆは、第３辺１０ｅと離間し、第１辺１０ｃの他端と、第２辺１０ｄの他端と、を接続する。第４辺１０ｆは、第１辺１０ｃと第２辺１０ｄとの間に設けられる。
【0027】
第１主面１０ａは、第１〜第４コーナ部１０ｇ〜１０ｊを含む。第１コーナ部１０ｇは、第１辺１０ｃと第３辺１０ｅとを接続する。第２コーナ部１０ｈは、第２辺１０ｄと第３辺１０ｅとを接続する。第３コーナ部１０ｉは、第２辺１０ｄと第４辺１０ｆとを接続する。第４コーナ部１０ｊは、第４辺１０ｆと第１辺１０ｃとを接続する。
【0028】
第１主面１０ａは、第１〜第４コネクタ領域１０ｋ〜１０ｎを含む。第１コネクタ領域１０ｋは、実装領域１６と第１コーナ部１０ｇとの間に設けられる。第２コネクタ領域１０ｌは、実装領域１６と第２コーナ部１０ｈとの間に設けられる。第３コネクタ領域１０ｍは、実装領域１６と第３コーナ部１０ｉとの間に設けられる。第４コネクタ領域１０ｎは、実装領域１６と第４コーナ部１０ｊとの間に設けられる。
【0029】
第１主面１０ａは、第５〜第８コネクタ領域１０ｏ〜１０ｒをさらに含む。第５コネクタ領域１０ｏは、第１コーナ部１０ｇと第１コネクタ領域１０ｋとの間に設けられる。第６コネクタ領域１０ｐは、第２コーナ部１０ｈと第２コネクタ領域１０ｌとの間に設けられる。第７コネクタ領域１０ｑは、第３コーナ部１０ｉと第３コネクタ領域１０ｍとの間に設けられる。第８コネクタ領域１０ｒは、第４コーナ部１０ｊと第４コネクタ領域１０ｎとの間に設けられる。
【0030】
セラミック基板１０は、例えば、アルミナ及び窒化アルミニウムの少なくともいずれかを含む。セラミック基板１０には、例えば、アルミナを主成分とするセラミックが用いられる。高い熱伝導性と、高い絶縁性と、が得られる。高い信頼性が得られる。
【0031】
第１金属層１１は、第１主面１０ａ上に設けられる。例えば、第１金属層１１は、セラミック基板１０と、複数の半導体発光素子２０との間に設けられる。第１金属層１１は、例えば、後述する第１〜第４実装パターン部１１ｆａ〜１１ｆｄを含んでも良い。例えば、第１〜第４実装パターン部１１ｆａ〜１１ｆｄのそれぞれは、複数の実装パターン１１ｐを含む。複数の実装パターン１１ｐの少なくともいずれか２つ以上は、互いに離間している。例えば、複数の実装パターン１１ｐの少なくともいずれかは、島状である。複数の実装パターン１１ｐの２つは、互いに独立している。複数の実装パターン１１ｐは、例えば、第１実装パターン１１ｐａ及び第２実装パターン１１ｐｂなどを含む。
【0032】
複数の実装パターン１１ｐのそれぞれは、例えば、第１実装部分１１ａと、第２実装部分１１ｂと、を含む。この例では、実装パターン１１ｐは、第３実装部分１１ｃをさらに含む。第３実装部分１１ｃは、第１実装部分１１ａと第２実装部分１１ｂとの間に設けられ、第１実装部分１１ａと第２実装部分１１ｂとを繋ぐ。これらの実装部分の例については、後述する。
【0033】
第１金属層１１は、複数の実装パターン１１ｐを互いに接続する接続部４４をさらに含んでも良い。例えば、第１金属層１１は、後述する１〜第８コネクタ４８ａ〜４８ｈのそれぞれと電気的に接続される。第１金属層１１を介して、発光素子部３５に電力が供給される。
【0034】
第２金属層１２は、第２主面１０ｂ上に設けられる。第２金属層１２は、第１金属層１１と電気的に絶縁されている。第２金属層１２の少なくとも一部は、Ｘ−Ｙ平面（第１主面１０ａに対して平行な第１平面）に投影したときに、実装領域１６と重なる。例えば、接合層５２は、第２金属層１２と放熱板５１との間に設けられる。
【0035】
図１（ｃ）は、発光装置１１０の一部を例示する透視平面図である。 第２金属層１２は、外縁１０ｘから離れている。第２金属層１２の平面形状は、例えば矩形である。第２金属層１２は、第１〜第４金属辺１２ｉ〜１２ｌを有する。第２金属辺１２ｊは、第１金属辺１２ｉから離間する。第３金属辺１２ｋは、第１金属辺１２ｉの一端と、第２金属辺１２ｊの一端と、を接続する。第４金属辺１２ｌは、第３金属辺１２ｋと離間し、第１金属辺１２ｉの他端と、第２金属辺１２ｊの他端と、を接続する。各辺の交点、すなわちコーナ部は、曲線状（アール形状）でも良い。第２金属層１２の平面形状は、矩形でなくても良く、任意である。
【0036】
この例では、複数の半導体発光素子２０はアレイ状に配置される。半導体発光素子２０は、例えば、略円形状に配置される。例えば、半導体発光素子２０は、略等ピッチで配置される。これにより、例えば、光源がひとつにまとまり、光源の小型化をすることができる。複数の半導体発光素子２０のそれぞれは、光を放出する。半導体発光素子２０は、例えば窒化物半導体を含む。半導体発光素子２０は、例えば、ＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）を含む。ただし、実施形態において、半導体発光素子２０は任意である。
【0037】
複数の半導体発光素子２０は、例えば、第１半導体発光素子２０ａ及び第２半導体発光素子２０ｂなどを含む。
【0038】
複数の半導体発光素子２０は、第１金属層１１の上に設けられる。複数の半導体発光素子２０のそれぞれは、複数の実装パターン１１ｐのうちのいずれかの実装パターン１１ｐと、複数の実装パターン１１ｐのうちの上記のいずれかの隣の別の実装パターン１１ｐと、電気的に接続されている。
【0039】
例えば、第１半導体発光素子２０ａは、複数の実装パターン１１ｐのうちの第１実装パターン１１ｐａと、第２実装パターン１１ｐｂと、電気的に接続されている。第２実装パターン１１ｐｂは、第１実装パターン１１ｐａの隣の別の実装パターン１１ｐに相当する。
【0040】
例えば、複数の半導体発光素子２０のそれぞれは、第１導電形の第１半導体層２１と、第２導電形の第２半導体層２２と、発光層２３と、を含む。例えば、第１導電形はｎ形であり、第２導電形はｐ形である。第１導電形がｐ形であり、第２導電形がｎ形でも良い。
【0041】
第１半導体層２１は、第１の部分（第１半導体部分２１ａ）と、第２の部分（第２半導体部分２１ｂ）と、を含む。第２半導体部分２１ｂは、積層方向（放熱板５１から発光部４０に向かうＺ軸方向）に対して交差する方向（例えば、Ｘ軸方向）において、第１半導体部分２１ａと並ぶ。
【0042】
第２半導体層２２は、第２半導体部分２１ｂと実装基板部１５との間に設けられる。発光層２３は、第２半導体部分２１ｂと第２半導体層２２との間に設けられる。 半導体発光素子２０は、例えば、フリップチップ型のＬＥＤである。
【0043】
例えば、第１半導体層２１の第１半導体部分２１ａが、実装パターン１１ｐの第１実装部分１１ａと対向している。第２半導体層２２が、実装パターン１１ｐの第２実装部分１１ｂと対向している。第１半導体層２１の第１半導体部分２１ａは、実装パターン１１ｐと電気的に接続される。第２半導体層２２は、別の実装パターン１１ｐと電気的に接続される。この接続には、例えば、電気伝導率及び熱伝導率が高いはんだや金バンプなどが用いられる。この接続は、例えば、金属溶融はんだ接合により行われる。または、この接続は、例えば、金バンプを用いた超音波熱圧着法により行われる。
【0044】
すなわち、例えば、発光素子部３５は、第１接合金属部材２１ｅと、第２接合金属部材２２ｅと、をさらに含む。第１接合金属部材２１ｅは、第１半導体部分２１ａと、いずれかの実装パターン１１ｐ（例えば第１実装部分１１ａ）と、の間に設けられる。第２接合金属部材２２ｅは、第２半導体層２２と、別の実装パターン１１ｐ（例えば、第２実装パターン１１ｐｂ）と、の間に設けられる。第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅの少なくともいずれかは、はんだ、または、金バンプを含む。これにより、第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅのそれぞれの断面積（Ｘ−Ｙ平面で切断したときの断面積）を大きくできる。これにより、第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅを介して、熱を効率良く、実装基板部１５に伝えることができ、放熱性が高まる。
【0045】
例えば、半導体発光素子２０と実装基板部１５との間に、別の金属層を設けても良い。これにより、第１の金属層の酸化を抑制したり、はんだとの濡れ性を高めたりすることができる。この金属層は、半導体発光素子２０及び実装パターン１１ｐと電気的に接続されない。この金属層は回路に関係しない。
【0046】
波長変換層３１は、複数の半導体発光素子２０の少なくとも一部を覆う。波長変換層３１は、複数の半導体発光素子２０から放出される光（例えば第１光）の少なくとも一部を吸収し、第２光を放出する。第２光の波長（例えばピーク波長）は、第１光の波長（例えばピーク波長）とは、異なる。波長変換層３１には、例えば、蛍光体などの複数の波長変換粒子と、複数の波長変換粒子が分散された光透過性樹脂と、を含む。第１光は、例えば青色光を含む。第２光は、第１光よりも波長が長い光を含む。第２光は、例えば、黄色光及び赤色光の少なくともいずれかを含む。
【0047】
この例では、発光素子部３５は、反射層３２をさらに含む。反射層３２は、Ｘ−Ｙ平面内で波長変換層３１を囲む。反射層３２には、例えば、金属酸化物などの複数の粒子と、その粒子が分散された光透過性樹脂と、を含む。金属酸化物などの粒子は、光反射性を有する。この金属酸化物などの粒子として、例えば、ＴｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３の少なくともいずれか用いることができる。反射層３２を設けることで、半導体発光素子２０から放出された光が、積層方向に沿った方向（例えば上方向）に沿って効率良く出射できる。
【0048】
発光部４０は、例えば、チップオンボード（ＣＯＢ）型のＬＥＤモジュールである。
【0049】
本実施形態においては、発光素子部３５（複数の半導体発光素子２０）から放出される光の光束発散度は、１０ｌｍ／ｍｍ２（ルーメン/平方ミリメートル）以上、１００ｌｍ／ｍｍ２以下である。望ましくは、２０ｌｍ／ｍｍ２以上である。すなわち、本実施形態においては、発光素子部３５から放出される光の発光面積に対する比（光束発散度）が、非常に高い。本願明細書においては、発光面積は、実質的に実装領域１６の面積に対応する。
【0050】
本実施形態に係る発光装置１１０は、例えば、投光器などの照明装置２１０に利用される。
【0051】
グリス層５３には、液体状または固体状の潤滑油（グリス）などが用いられる。グリス層５３には、例えば、絶縁性を有する潤滑油（絶縁性グリス）や、導電性を有する潤滑油（導電性グリス）などを用いても良い。絶縁性グリスは、例えば、シリコーンと、そのシリコーンに分散されたセラミック粒子と、を含む。導電性グリスは、例えば、シリコーンと、そのシリコーンに分散された金属粒子と、を含む。導電性グリスにおいては、例えば、絶縁性グリスよりも高い熱伝導率が得られる。例えば、発光素子部３５の熱は、グリス層５３により、ベース部材７１に伝導されて、放熱される。
【0052】
図２は、第１の実施形態に係る発光装置の一部を例示する模式的平面図である。 図２に表したように、実装領域１６は、第１配置部〜第４配置部１６ａ〜１６ｄを含む。第４辺１０ｆと第１配置部１６ａとの間に第２配置部１６ｂが設けられる。第１配置部１６ａと第２配置部１６ｂとの間に第３配置部１６ｃが設けられる。第２配置部１６ｂと第３配置部１６ｃとの間に第４配置部１６ｄが設けられる。
【0053】
例えば、第１配置部１６ａは、第１部分１６ｐａと、第２部分１６ｐｂと、を含んでも良い。第２配置部１６ｂは、第３部分１６ｐｃと、第４部分１６ｐｄと、を含んでも良い。第３配置部１６ｃは、第５部分１６ｐｅと、第６部分１６ｐｆと、を含んでも良い。第４配置部１６ｄは、第７部分１６ｐｇと、第８部分１６ｐｈと、を含んでも良い。
【0054】
第２部分１６ｐｂは、第１部分１６ｐａと、第３部分１６ｐｃと、の間に配置される。第４部分１６ｐｄは、第２部分１６ｐｂと、第３部分１６ｐｃと、の間に配置される。第６部分１６ｐｆは、第４部分１６ｐｄと、第５部分１６ｐｅと、の間に配置される。第８部分１６ｐｈは、第６部分１６ｐｆと、第７部分１６ｐｇと、の間に配置される。
【0055】
第１〜第４実装パターン部１１ｆａ〜１１ｆｄは、それぞれ、第１〜第４配置部１６ａ〜１６ｄの上に設けられる。
【0056】
第１実装パターン部１１ｆａは、第１配置部１６ａの上に設けられる。第２実装パターン部１１ｆｂは、第２配置部１６ｂの上に設けられる。第３実装パターン部１１ｆｃは、第３配置部１６ｃの上に設けられる。第４実装パターン部１１ｆｄは、第４配置部１６ｄの上に設けられる。
【0057】
第１実装パターン部１１ｆａは、第１実装パターン領域１１ｒａと、第２実装パターン領域１１ｒｂと、を含んでも良い。第２実装パターン部１１ｆｂは、第３実装パターン領域１１ｒｃと、第４実装パターン領域１１ｒｄと、を含んでも良い。第３実装パターン部１１ｆｃは、第５実装パターン領域１１ｒｅと、第６実装パターン領域１１ｒｆと、を含んでも良い。第４実装パターン部１１ｆｄは、第７実装パターン領域１１ｒｇと、第８実装パターン領域１１ｒｈと、を含んでも良い。この場合には、第１〜第８実装パターン領域１１ｒａ〜１１ｒｈのそれぞれは、複数の実装パターン１１ｐを含む。
【0058】
第１金属層１１は、第１〜第８コネクタ用電極部４７ａ〜４７ｈを含む。 第１コネクタ用電極部４７ａは、第１実装パターン部１１ｆａと電気的に接続されている。第１コネクタ用電極部４７ａは、第１実装パターン領域１１ｒａ及び第２実装パターン領域１１ｒｂと電気的に接続されている。
【0059】
第２コネクタ用電極部４７ｂは、第１実装パターン部１１ｆａと電気的に接続されている。第２コネクタ用電極部４７ｂは、第１実装パターン領域１１ｒａ及び第２実装パターン領域１１ｒｂと電気的に接続されている。
【0060】
第３コネクタ用電極部４７ｃは、第２実装パターン部１１ｆｂと電気的に接続されている。第３コネクタ用電極部４７ｃは、第３実装パターン領域１１ｒｃ及び第４実装パターン領域１１ｒｄと電気的に接続されている。
【0061】
第４コネクタ用電極部４７ｄは、第２実装パターン部１１ｆｂと電気的に接続されている。第４コネクタ用電極部４７ｄは、第３実装パターン領域１１ｒｃ及び第４実装パターン領域１１ｒｄと電気的に接続されている。
【0062】
第５コネクタ用電極部４７ｅは、第３実装パターン部１１ｆｃと電気的に接続されている。第５コネクタ用電極部４７ｅは、第５実装パターン領域１１ｒｅ及び第６実装パターン領域１１ｒｆと電気的に接続されている。
【0063】
第６コネクタ用電極部４７ｆは、第３実装パターン部１１ｆｃと電気的に接続されている。第６コネクタ用電極部４７ｆは、第５実装パターン領域１１ｒｅ及び第６実装パターン領域１１ｒｆと電気的に接続されている。
【0064】
第７コネクタ用電極部４７ｇは、第４実装パターン部１１ｆｄと電気的に接続されている。第７コネクタ用電極部４７ｇは、第７実装パターン領域１１ｒｇ及び第８実装パターン領域１１ｒｈと電気的に接続されている。
【0065】
第８コネクタ用電極部４７ｈは、第４実装パターン部１１ｆｄと電気的に接続されている。第８コネクタ用電極部４７ｈは、第７実装パターン領域１１ｒｇ及び第８実装パターン領域１１ｒｈと電気的に接続されている。
【0066】
例えば、複数の実装パターン１１ｐのそれぞれの一部の上に半導体発光素子２０が配置される。この半導体発光素子２０によって、第１〜第８コネクタ用電極部４７ａ〜４７ｈのそれぞれは、複数の実装パターン１１ｐのいずれかと電気的に接続される。
【0067】
例えば、第１金属層１１の厚さは、１００マイクロメートル（μｍ）以下である。これにより、例えば、ファインパターンを形成できる。
【0068】
例えば、発光部４０は、第１〜第８コネクタ４８ａ〜４８ｈを含む。第１〜第８コネクタ４８ａ〜４８ｈは、それぞれ第１〜第８コネクタ領域１０ｋ〜１０ｒの上に設けられる。
【0069】
第１コネクタ領域１０ｋの上に第１コネクタ４８ａが設けられる。第２コネクタ領域１０ｌの上に第２コネクタ４８ｂが設けられる。第３コネクタ領域１０ｍの上に第３コネクタ４８ｃが設けられる。第４コネクタ領域１０ｎの上に第４コネクタ４８ｄが設けられる。第５コネクタ領域１０ｏの上に第５コネクタ４８ｅが設けられる。第６コネクタ領域１０ｐの上に第６コネクタ４８ｆが設けられる。第７コネクタ領域１０ｑの上に第７コネクタ４８ｇが設けられる。第８コネクタ領域１０ｒの上に第８コネクタ４８ｈが設けられる。
【0070】
例えば、第１〜第８コネクタ４８ａ〜４８ｈは、それぞれ第１〜第８コネクタ用電極部４７ａ〜４７ｈに電気的に接続される。
【0071】
第１コネクタ４８ａは、第１コネクタ用電極部４７ａと電気的に接続される。第２コネクタ４８ｂは、第２コネクタ用電極部４７ｂと電気的に接続される。第３コネクタ４８ｃは、第３コネクタ用電極部４７ｃと電気的に接続される。第４コネクタ４８ｄは、第４コネクタ用電極部４７ｄと電気的に接続される。第５コネクタ４８ｅは、第５コネクタ用電極部４７ｅと電気的に接続される。第６コネクタ４８ｆは、第６コネクタ用電極部４７ｆと電気的に接続される。第７コネクタ４８ｇは、第７コネクタ用電極部４７ｇと電気的に接続される。第８コネクタ４８ｈは、第８コネクタ用電極部４７ｈと電気的に接続される。
【0072】
これらのコネクタを介して、発光部４０に電力が供給される。例えば、第１〜第８コネクタ４８ａ〜４８ｈのそれぞれと、発光素子部３５と、の間の距離は、２．５ミリメートル（ｍｍ）以上である。第１〜第８コネクタ領域１０ｋ〜１０ｒのそれぞれと、実装領域１６との間の距離は、２．５ｍｍ以上である。
【0073】
第１コネクタ４８ａと第２コネクタ４８ｂと、を介して、第１実装パターン部１１ｆａの実装パターン１１ｐ上に配置された複数の半導体発光素子２０に電力が供給される。
【0074】
例えば、第１実装パターン領域１１ｒａの実装パターン１１ｐ上に配置された複数の半導体発光素子２０は、直列に接続される。例えば、第２実装パターン領域１１ｒｂの実装パターン１１ｐ上に配置された複数の半導体発光素子２０は、直列に接続される。例えば、第１実装パターン領域１１ｒａの実装パターン１１ｐ上に配置された複数の半導体発光素子２０と、第２実装パターン領域１１ｒｂの実装パターン１１ｐ上に配置された複数の半導体発光素子２０と、は、並列に接続される。
【0075】
第３コネクタ４８ｃと第４コネクタ４８ｄと、を介して、第２実装パターン部１１ｆｂの実装パターン１１ｐ上に配置された複数の半導体発光素子２０に電力が供給される。 例えば、第３実装パターン領域１１ｒｃの実装パターン１１ｐ上に配置された複数の半導体発光素子２０は、直列に接続される。例えば、第４実装パターン領域１１ｒｄの実装パターン１１ｐ上に配置された複数の半導体発光素子２０は、直列に接続される。例えば、第３実装パターン領域１１ｒｃの実装パターン１１ｐ上に配置された複数の半導体発光素子２０と、第４実装パターン領域１１ｒｄの実装パターン１１ｐ上に配置された複数の半導体発光素子２０と、は、並列に接続される。
【0076】
第５コネクタ４８ｅと第６コネクタ４８ｆと、を介して、第３実装パターン部１１ｆｃの実装パターン１１ｐ上に配置された半導体発光素子２０に電力が供給される。 例えば、第５実装パターン領域１１ｒｅの実装パターン１１ｐ上に配置された複数の半導体発光素子２０は、直列に接続される。例えば、第６実装パターン領域１１ｒｆの実装パターン１１ｐ上に配置された複数の半導体発光素子２０は、直列に接続される。例えば、第５実装パターン領域１１ｒｅの実装パターン１１ｐ上に配置された複数の半導体発光素子２０と、第６実装パターン領域１１ｒｆの実装パターン１１ｐ上に配置された複数の半導体発光素子２０と、は、並列に接続される。
【0077】
第７コネクタ４８ｇと第８コネクタ４８ｈと、を介して、第４実装パターン部１１ｆｄの実装パターン１１ｐ上に配置された半導体発光素子２０に電力が供給される。 例えば、第７実装パターン領域１１ｒｇの実装パターン１１ｐ上に配置された複数の半導体発光素子２０は、直列に接続される。例えば、第８実装パターン領域１１ｒｈの実装パターン１１ｐ上に配置された複数の半導体発光素子２０は、直列に接続される。例えば、第７実装パターン領域１１ｒｇの実装パターン１１ｐ上に配置された複数の半導体発光素子２０と、第８実装パターン領域１１ｒｈの実装パターン１１ｐ上に配置された複数の半導体発光素子２０と、は、並列に接続される。
【0078】
例えば、発光装置１１０は、第１〜第８キャパシタ４９ａ〜４９ｈを含む。
【0079】
例えば、第１コネクタ４８ａと第２コネクタ４８ｂとの間に、第１キャパシタ４９ａが配置される。第１キャパシタ４９ａと第２コネクタ４９ｂとの間に、第２キャパシタ４９ｂが配置される。 例えば、第３コネクタ４８ｃと第４コネクタ４８ｄとの間に、第３キャパシタ４９ｃが配置される。第３キャパシタ４９ｃと第４コネクタ４８ｄとの間に、第４キャパシタ４９ｄが配置される。
例えば、第５コネクタ４８ｅと第６コネクタ４８ｆとの間に、第５キャパシタ４９ｅが配置される。第５キャパシタ４９ｅと第６コネクタ４８ｆとの間に、第６キャパシタ４９ｆが配置される。
例えば、第７コネクタ４８ｇと第８コネクタ４８ｈとの間に、第７キャパシタ４９ｇが配置される。第７キャパシタ４９ｇと第８コネクタ４８ｈとの間に、第８キャパシタ４９ｈが配置される。
【0080】
例えば、第５キャパシタ４９ｅのＹ軸方向に沿った位置及び第６キャパシタ４９ｆのＹ軸方向に沿った位置は、第１キャパシタ４９ａのＹ軸方向に沿った位置と、第２キャパシタ４９ｂのＹ軸方向に沿った位置と、の間である。
【0081】
例えば、第７キャパシタ４９ｇのＹ軸方向に沿った位置及び第８キャパシタ４９ｈのＹ軸方向に沿った位置は、第３キャパシタ４９ｃのＹ軸方向に沿った位置と、第４キャパシタ４９ｄのＹ軸方向に沿った位置と、の間である。これにより、例えば、第１〜第８キャパシタ４９ａ〜４９ｈのそれぞれと、発光素子部３５との間の距離を長くすることができる。第１〜第８キャパシタ４９ａ〜４９ｈのそれぞれの温度の上昇を抑制することができ、信頼性を高めることができる。
【0082】
例えば、第１〜第８コネクタ４８ａから４８ｈの平面形状は、矩形である。例えば、第１コネクタ４８ａは、第１〜第４コネクタ辺４８ａａ〜４８ａｄを有する。第１コネクタ辺４８ａａは、第１コーナ部１０ｇと実装領域１６との間に設けられる。第２コネクタ辺４８ａｂは、第１コネクタ辺４８ａａと実装領域１６との間に設けられる。第１コネクタ辺４８ａａは、第２コネクタ辺４８ａｂと離間している。第３コネクタ辺４８ａｃは、第１コネクタ辺４８ａａの一端と、第２コネクタ辺４８ａｂの一端と、を接続する（に繋がる）。第４コネクタ辺４８ａｄは、第１コネクタ辺４８ａａの他端と、第２コネクタ辺４８ａｂの他端と、を接続する。例えば、第１コネクタ辺４８ａａと第２コネクタ辺４８ａｂとは、実質的に平行である。
【0083】
例えば、第１コネクタ辺４８ａａの長さは、第３コネクタ辺４８ａｃの長さよりも長く、第４コネクタ辺４８ａｄの長さよりも長い。例えば、第２コネクタ辺４８ａｃの長さは、第３コネクタ辺４８ａｃの長さよりも長く、第４コネクタ辺４８ａｄの長さよりも長い。
【0084】
第１コネクタ辺４８ａａは、実装領域１６から第１コーナ部１０ｇに向かう方向に対して、交差する。例えば、第１コネクタ辺４８ａａの延在する方向と、実装領域１６、特に実装領域１６の中心から第１コーナ部１０ｇへ向かう方向と、のなす角は、８０度以上１００度以下である。例えば、第１コネクタ辺４８ａａは、実装領域１６から第１コーナ部１０ｇ（または、実装領域１６から第１コネクタ４８ａ）に向かう方向に対して、実質的に垂直である。
【0085】
例えば、実装領域１６（実装領域１６の中心）から第１コーナ部１０ｇへ向かう方向に対して垂直な平面に、第１コネクタ領域１０ｋ及び第５コネクタ領域１０ｏを投影したときに、第１コネクタ領域１０ｋの少なくとも一部は、第５コネクタ領域１０ｏと重ならない。例えば、このとき、第１コネクタ領域１０ｋは、第５コネクタ領域１０ｏと重なる部分と、第５コネクタ領域１０ｏと重ならない部分と、を含み、第５コネクタ領域１０ｏは、第１コネクタ領域１０ｋと重なる部分と、第１コネクタ領域１０ｋと重ならない部分と、を含む。
【0086】
すなわち、例えば、第１主面１０ａの中心（例えば、実装領域１６の中心）と第１主面の角（第１コーナ部１０ｇ）とを結ぶ線に対する、第１コネクタ４８ａの位置と第５コネクタ４９ｅの位置とは、ずらして配置される。このように、第１主面１０ａの中心と主面の角とを結ぶ線に対して、並んだ二つのコネクタをずらして配置することにより、スペースの限られたセラミック基板１０上における実装パターンの形成の自由度を増すことができる。
【0087】
本実施形態に係る発光装置１１０においては、例えば、第１〜第８コネクタ（４８ａ〜４８ｈ）は、それぞれ第１〜第４コーナ部（１０ｇ〜１０ｊ）のいずれかに設けられている。 例えば、２つのコネクタが設けられ、それぞれのコネクタは、コーナ部以外に設けられた参考例のＣＯＢモジュールがある。例えば、参考例のＣＯＢモジュールにおいては、第１コーナ部と第２コーナ部との間に第１コネクタを設けられ、第３コーナ部と第４コーナ部との間に第２コネクタが設けられる。例えば、参考例のＣＯＢモジュールにおいては、第１コネクタと第２コネクタとを介して、実装領域１６に設けられた半導体発光素子２０が通電される。例えば、参考例のＣＯＢモジュールは、コネクタ配置として最大でも２角で１系統の入出力端子である。
【0088】
参考例のＣＯＢモジュールを用いた場合に、投光器などに用いられるＣＯＢモジュール出力が２００Ｗ以上の高出力に伴い、光源の発熱と製品外形端部の温度差が非常に大きくなっている。入出力用コネクタ及び配線基板の定格電流を大きくする。上記より信頼性のヒートサイクル、及び、点滅サイクル性が悪くなる場合がある。
【0089】
本実施形態に係る発光装置１１０においては、発熱源であるＬＥＤチップ及び円形蛍光体封止樹脂（発光素子部３５）と、入出力用コネクタ（第１〜第８コネクタ４８ａ〜４８ｈ）と、の間の距離を長く（例えば、最長）できる４角（第１〜第８コーナ部１０ｇ〜１０ｊ）に、入出力用コネクタを配置することによりコネクタ温度を低減させることができる。
【0090】
例えば、実装領域からコーナ部へ向かう方向に沿って、発光部４０の温度は低くなる。例えば、発光素子部３５から離れるにつれて、発光部４０の温度は低くなる。それぞれの入出力用コネクタにおいて、入出力用コネクタが有する複数の辺（例えば４つの辺）のいずれかは、実装領域から、入出力用コネクタに向かう方向に対して、実質的に垂直に配置される。これにより、発光素子部３５と、入出力用コネクタと、の間の距離を長くすることができる。コネクタ温度の上昇を抑制することができる。
【0091】
それぞれのコーナ部に入出力用コネクタを２個ずつ配置することにより、入出力用コネクタ及び配線基板の定格電流を下げることができる。例えば、発光素子部３５と、入出力用コネクタとの距離を、２．５ｍｍ以上とする。これにより、コネクタ温度を大きく低減させることできる。定格電流を大きく下げることができる。信頼性のヒートサイクル及び点滅サイクル性が改善する。本実施形態によれば、信頼性を高めた発光装置が提供される。
【0093】
第１〜第８コネクタケーブル６０ａ〜６０ｈは、それぞれ、第１〜第８コネクタ４８ａ〜４８ｈと、電気的に接続される。第１〜第８コネクタケーブル６０ａ〜６０ｈを介して発光素子部３５に電力が供給される。実施形態に係る発光装置１００における第１〜第８コネクタ４８ａ〜４８ｈのように、コネクタを配置することによって、発光装置１００の照明器具への取付が容易になる。また、例えば第１コネクタ４８ａ、第４コネクタ４８ｄ、第５コネクタ４８ｅ及び第８コネクタ４８ｈを正、第２コネクタ４８ｂ、第３コネクタ４８ｃ、第６コネクタ４８ｆ及び第７コネクタ４８ｇを負としているので、ケーブルの取り回しが難しくなることなく、電気的な接続を容易に行うことができる。
【0094】
図４は、第１の実施形態に係る発光装置の一部を例示する模式的平面図である。 図４に表したように、第１配置部１６ａは、第１領域１６ｒａと第２領域１６ｒｂと第３領域１６ｒｃとを含む。第１領域１６ｒａと第２領域１６ｒｂとは、第１辺１０ｃから第２辺１０ｄへ向かう第１方向（例えば、Ｙ軸方向）において、離間している。第３領域１６ｒｃは、第１領域１６ｒａと第２領域１６ｒｂとの間に設けられる。
【0095】
例えば、第３配置部１６ｃは、第４領域１６ｒｄと第５領域１６ｒｅと第６領域１６ｒｆとを含む。第４領域１６ｒｄと第５領域１６ｒｅとは、第１方向において、離間している。第４領域１６ｒｄは、第３辺１０ｅから第４辺１０ｆへ向かう第２方向（例えば、Ｘ軸方向）において、第１領域１６ｒａと並ぶ。第５領域１６ｒｅは、第２方向において、第２領域１６ｒｂと並ぶ。第６領域１６ｒｆとは、第４領域１６ｒｄと第５領域１６ｒｅとの間に設けられる。
【0096】
例えば、半導体発光素子２０は、光を放出し、熱を発生する。例えば、実装領域１６の中央付近の上に設けられた半導体発光素子２０の温度は、実装領域１６の外周付近の上に設けられた半導体発光素子２０の温度よりも高い。すなわち、第６領域１６ｒｆの上に設けられた半導体発光素子２０の温度は、第３領域１６ｒｃの上に設けられた半導体発光素子２０の温度よりも、高い。第６領域１６ｒｆの上に設けられた半導体発光素子２０の温度は、第５領域１６ｒｅの上に設けられた半導体発光素子２０の温度よりも、高い。第６領域１６ｒｆの上に設けられた半導体発光素子２０の温度は、第４領域１６ｒｄの上に設けられた半導体発光素子２０の温度よりも高い。
【0097】
実施形態に係る発光装置１１１においては、例えば、第１領域１６ｒａの第２方向に沿った長さＬｅ１は、第３領域１６ｒｃの第２方向に沿った長さＬｅ３よりも、短い。例えば、第２領域１６ｒｂの第２方向に沿った長さＬｅ２は、長さＬｅ３よりも、短い。例えば、第４領域１６ｒｄの第２方向に沿った長さＬｅ４は、第６領域１６ｒｆの第２方向に沿った長さＬｅ６よりも、長い。例えば、第５領域１６ｒｅの第２方向に沿った長さＬｅ４は、第６領域１６ｒｆの第２方向に沿った長さＬｅ６よりも、長い。
【0098】
これにより、第３配置部１６ｃの上に設けられた半導体発光素子２０のうち、実装領域１６の中央付近の上に設けられた半導体発光素子２０の数が少なくなる。すなわち、第５コネクタと第６コネクタとを介して、１つの電源から電力が供給される半導体発光素子２０のうち、温度の高い半導体発光素子２０の数が少なくなる。これにより、例えば、発光時に生じた熱が、半導体発光素子２０の特性に与える影響が少なくなる。複数の半導体発光素子２０の特性ばらつきが低減され、発光素子部３５内の色ムラや輝度ムラが低減される。
【0099】
図５（ａ）及び図５（ｂ）は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。 図５（ａ）は、模式的平面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＢ１−Ｂ２線断面の一部を例示する模式的断面図である。
【0100】
図５（ａ）及び図５（ｂ）に表したように、発光装置１１１においても、ベース部材７１と、グリス層５３と、放熱板５１と、接合層５２と、実装基板部１５と、発光部４０と、が設けられる。ベース部材７１、グリス層５３、接合層５２、実装基板部１５及び発光部４０には、発光装置１１０に関して説明した構成が適用できる。
【0101】
例えば、セラミック基板１０には、アルミナまたは窒化アルミなどが用いられる。セラミック基板１０の熱膨張係数は、例えば、４〜１０パーツパーミリオン／ケルビン（ｐｐｍ／Ｋ）である。
【0102】
放熱板５１には、例えば金属または、金属とセラミックとの複合材料が用いられる。複合材料には例えば、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との複合材料、銅とタングステン（Ｗ）との複合材料、または、アルミニウム（Ａｌ）とシリコンカーバイド（ＳｉＣ）との複合材料などが用いられる。放熱板５１は、ＡｌとＳｉＣとの複合材料、ＣｕとＭｏとの複合材料、及び、ＣｕとＷとの複合材料、の少なくともいずれか１つを含む。
【0103】
放熱板５１の熱膨張係数は、例えば、セラミック基板１０の熱膨張係数と同程度である。例えば、放熱板５１の熱膨張係数と、セラミック基板１０の熱膨張係数との比は、０．５以上２以下である。複合材料の熱膨張係数は、例えば、５〜１０ｐｐｍ／Ｋである。セラミック基板１０に用いられる材料の熱膨張係数は、例えば、５〜１０ｐｐｍ／Ｋである。放熱板の熱伝導率は、例えば、１５０ワット／メートルケルビン（Ｗ／（ｍ・Ｋ））以上である。放熱板の熱伝導率は、例えば、配線基板（セラミック基板）の熱伝導率よりも高い。
【0104】
発光装置１１１においては、発光領域（実装領域１６）の面積が大きい。例えば、発光領域の径は、セラミック基板１０（第１主面１０ａ）の径の０．６倍以上０．８倍以下である。
【0105】
例えば、ベース部材７１は、発光部４０側の第１ベース面７１ａを有する。例えば、放熱板５１は、ベース部材７１側の第１放熱面５１ａを有する。第１放熱面５１ａは、中央部５１ｉと、第１外周部５１ｊと、第２外周部５１ｋと、を含む。中央部５１ｉと、第１外周部５１ｊと、第２外周部５１ｋとは、Ｘ−Ｙ平面において並ぶ。中央部５１ｉは、第１外周部５１ｊと第２外周部５１ｋとの間に設けられる。
【0106】
例えば、第１主面１０ａに回路配線が形成されたセラミック基板１０に少なくとも１個以上のＬＥＤチップが実装されたＬＥＤモジュールは、通電により光を発光するとともに、投入した電力の５０％以上が発光に寄与せず、熱に変わる場合がある。
【0107】
このＬＥＤチップにおいて、例えば、発光時に発生した自身の熱により、投入電力に対する発光の効率（ｌｍ／Ｗ）が低下する場合がある。投入電力量が大きい場合には、ＬＥＤチップの温度は、自身の適正な使用環境温度以上の温度となる場合がある。ＬＥＤモジュールを照明器具に搭載する場合、取付構造を工夫する。これにより、十分な放熱の経路を確保する。
【0108】
高い放熱性を実現する構造として、ＣＯＢと筐体（ベース部材７１）との間に放熱板を設ける。ＣＯＢの裏面と放熱板とを、はんだを用いて接合する。放熱板と筐体との間にシリコーングリスを供給する。この構造においては、放熱板を介して熱が拡散し、筐体への放熱面積が広がる。これにより、高い放熱特性が得られる。
【0109】
例えば、配線基板（セラミック基板１０）の熱膨張係数と、放熱板５１の熱膨張係数と、には差がある。はんだ接合後に大きな反りが発生する場合がある。これにより、放熱板５１と筐体との間に供給されるシリコーングリス（グリス層５３）の厚さに分布ができる場合がある。
【0110】
例えば、中央部５１ｉと第１ベース面７１ａとの間の距離Ｔｇ１は、第１外周部５１ｊと第１ベース面７１ａとの間の距離Ｔｇ２よりも長い場合がある。距離Ｔｇ１は、第２外周部５１ｋと第１ベース面７１ａとの間の距離Ｔｇ３よりも長い場合がある。すなわち、発光装置の厚さは、中央部において厚くなり、外周部に近づくに従って薄くなる場合がある。
【0111】
発光領域（実装領域１６）が小さい場合は、発光装置の厚さの分布は、発光装置の特性に大きな影響を与えず、発光領域内での温度分布は小さい。高出力の発光装置を用いる場合（例えば、実装領域１６が大きい場合）には、実装領域の中央部の温度と、実装領域の端部との間に大きな温度差が生じる場合がある。ＬＥＤは使用温度によって特性が変わる。これにより、発光領域内で色ムラや輝度ムラが生じる場合がある。
【0112】
本実施形態に係る発光装置１１１においては、放熱板５１の熱膨張係数と、配線基板の熱膨張係数とは、同程度である。これにより、距離Ｔｇ１と距離Ｔｇ２との間に差が生じにくい。距離Ｔｇ１と距離Ｔｇ３との間に差が生じにくい。すなわち、発光装置１１１においては、反りが生じにくい。これにより、発光領域内に温度分布が生じにくく、光学特性のムラが生じにくい。
【0113】
発光装置１１１においては、放熱特性を確保しつつ反りが低減され、発光領域面内の温度が均一化される。これにより、複数のＬＥＤの特性ばらつきが低減され、発光領域内の色ムラや輝度ムラが低減される。放熱板５１には、配線基板の熱膨張係数と、熱膨張係数が近い材料が用いられる。これにより、熱が拡散され、発光領域面内の温度均一化に繋がる。本実施形態によれば、高出力の発光装置が得られる。高い出力においても、高い信頼性が得られる。
【0114】
（第２の実施形態） セラミック基板１０には、例えば、レーザを用いたマーキング（印字や刻印と呼ばれる状態を形成すること）が行われる。セラミック基板に用いられるアルミナ焼結体にレーザを照射する。これにより、例えば、レーザを照射した領域（マーキングエリア）において、アルミナ焼結体中の酸素の一部が除去される。酸素欠陥が形成される。酸素欠陥は、例えば、白色光中の青色の光選択的に吸収する。これにより、例えば、アルミナ焼結体は、黄色に発色する。これにより、レーザを用いたマーキングを行うことができる。
【0115】
本実施形態においては、レーザの照射（本照射）によってマーキングする前に、本照射に用いられるレーザのパワーよりも低いパワーのレーザを照射（予備照射）する。これにより、本照射後のマーキングのコントラストを大きくすることができる。
【0116】
アルミナ焼結体の表面にレーザを予備照射する。これにより、酸素欠陥が形成される。この酸素欠陥は、例えば、本照射のレーザ（レーザマーキング光）を吸収するトリガーとなる。予備照射は、例えば、酸素欠陥を生成するレーザ光照射である。本実施形態は、予備照射に続いて本照射を行う２段階レーザ光照射プロセスを提案する。
【0117】
予備照射に用いられるレーザのパワーを適切に選択する。これにより、例えば、本照射によるレーザマーキング後にもマーキングエリア内に酸素欠陥が残存する。これにより、アルミナ焼結体が黄色に発色することが、さらに助長される。本照射後のマーキングのコントラストを大きくすることができる。
【0118】
α−Ａｌ２Ｏ３における酸素欠陥には、例えば、Ｆ＋センターやＦセンターなどがある。Ｆ＋センターは、１電子が占有された酸素空孔（欠陥）である。Ｆ＋センターによって３２５ｎｍにおけるＰＬスペクトルのピークが生じる。Ｆセンターは、２電子が占有された酸素欠陥である。Ｆセンターによって４１０ｎｍにおけるＰＬスペクトルのピークが生じる。例えば、紫外レーザ光を励起源としたＰＬスペクトルを用いて、アルミナ表面の酸素欠陥を評価することができる。
【0119】
例えば、本照射に用いられるレーザのパワーよりも低いパワーのレーザで、焼結アルミナの表面を照射する。これにより、例えば、焼結アルミナ材料に酸素欠陥が導入される。紫外線レーザ光を励起光として、酸素欠陥が導入された焼結アルミナのＰＬスペクトルを観測する。例えば、近視外領域（波長が３３０ｎｍ以上４４０ｎｍ以下）においてＰＬスペクトルのピーク強度を観測する。このピークは、例えば、酸素欠陥によって生じる。このピークの強度に基づいて、予備照射に用いられるレーザのパワーを適切に選択する。例えばレーザ光照射前におけるＰＬピークの強度よりも、レーザ光照射後のＰＬピークの強度が増加するレーザのパワーを、予備照射に用いるレーザのパワーとする。選択された条件によって予備照射を行った後、本照射を行う。
【0120】
図６は、焼結アルミナの特性を例示するグラフ図である。 図６は、３つの異なる焼結アルミナにおけるＰＬスペクトルを例示している。これらの焼結アルミナは、レーザマーキング後のコントラストが大きいレーザマーキング良品である。図６に表したように、波長が３８０ｎｍ以上３９０ｎｍ以下の領域において、ブロードなピークまたは、比較的シャープなピークが確認される。
【0121】
図７は、アルミナの特性を例示するグラフ図である。 図７は、焼結アルミナＳ１のＰＬスペクトルと、高純度アルミナＳＫのＰＬスペクトルと、高純度アルミナＳＴのＰＬスペクトルを例示している。焼結アルミナＳ１は、レーザマーキング後のコントラストが小さいレーザマーキング不良品である。高純度アルミナＳＫのＰＬスペクトル及び高純度アルミナＳＴのＰＬスペクトルは、リファレンスである。
【0122】
図６に表したように、レーザマーキング良品のアルミナ焼結体のＰＬスペクトルにおいては、３８０ｎｍ付近（近傍）に強度の大きなピークが確認される。一方、図７に表したように、レーザマーキング不良品の焼結アルミナＳ１のＰＬスペクトルにおいては、３８０ｎｍ付近のピーク強度は低い。実質的には、ピークとして認められない程の強度である。高純度アルミナＳＫのＰＬスペクトル及び高純度アルミナＳＴのＰＬスペクトルは、アルミナ焼結体Ｓ１のＰＬスペクトルと同様である。すなわち、３８０ｎｍ付近においてピークを示さない。高純度アルミナ材料の不純物濃度は低く、酸素欠陥が少ない。高純度アルミナ材料は、レーザマーキングに対しては不適当であることが分かる。
【0123】
図８は、焼結アルミナの特性を例示するグラフ図である。 図８の横軸は、レーザパワーＬＰである。図８の縦軸は、ＰＬスペクトルの３８０ｎｍ付近におけるピーク強度ＰＩである。例えば、レーザを照射していない焼結アルミナにおけるＰＬスペクトルのピーク強度ＰＩは、２８００程度である。例えば、本照射に用いられるレーザのレーザパワーＬＰは、８５％である。
【0124】
例えば、レーザパワーＬＰが１５％のレーザを予備照射に用いる。この場合、図８に表したように、レーザ照射後のピーク強度ＰＩは、５４００程度である。この予備照射によって、レーザ照射前に比べて、ピーク強度ＰＩは、２倍程度の達する。これは、レーザ照射前の焼結アルミナ表面の酸素欠陥の濃度に比べて、高濃度の酸素欠陥が導入されたことに基づく。
【0125】
例えば、２５％のパワーのレーザを用いた予備照射の後に本照射を行った場合のマーキングコントラストは、本照射のみの場合のマーキングコントラストに比べて３倍程度に改善する結果が得られる。さらに、１５％のパワーのレーザを用いた予備照射の後に、本照射を行った場合のマーキングコントラストは、本照射のみの場合のマーキングコントラストに比べて５倍程度に改善する結果が得られる。
【0126】
アルミナは、高い絶縁性を有する。このため、多くの電子デバイスの基板材料として用いられる。工業的には、アルミナ微粒子と焼結助剤とを混合して焼結させる。これにより、アルミナ焼結体が得られる。焼結助剤には、例えば、無機酸化物であるＳｉＯ２と、アルカリ土類金属の酸化物の微粒子と、が用いられる。アルカリ土類金属の酸化物には、例えば、ＣａＯやＭｇＯが用いられる。
【0127】
レーザマーキングにおいては、高出力の炭酸ガスレーザやＮｄ；ＹＡＧレーザなどが使用される。炭酸ガスレーザの発振波長は、１０．６μｍである。Ｎｄ；ＹＡＧレーザの発振波長は、１．０６μｍである。一方、アルミナのバンドギャップは、８ｅＶ〜９ｅＶである。アルミナは、実質的に完全な絶縁体である。このため、アルミナは、炭酸ガスレーザやＮｄ；ＹＡＧレーザを実質的に全く吸収しない。
【0128】
アルミナ焼結体におけるレーザの吸収において、アルミナ焼結体に含まれる不純物や、昇欠如在中の不純物が、レーザ光吸収のトリガーとなると考えられる。不純物は、例えば、Ｃｒのイオン（Ｃｒ３＋）などである。アルミナ焼結体中で、Ａｌのイオン（Ａｌ３＋）の一部がＣｒ３＋によって置換されている。
【0129】
例えば、レーザマーキングにおいて、これらの不純物をレーザ光の吸収のトリガーとして用いる参考例の方法がある。これらの方法においては、希望するマーキングコントラストが得られない場合には、アルミナ焼結基板表面に、レーザ光吸収用のコーティングがされる場合がある。コーティングには、Ｃｒを含む無機酸化物であるＰｂＣｒＯ４のような材料が用いられる。しかし、Ｃｒを用いることは環境への負荷が大きい。Ｃｒを用いることは、避けることが好ましい。
【0130】
このような対環境問題から、Ｃｒ以下のレーザ光吸収材料が用いられる場合もある。レーザマーキングにおいてはレーザプルームと呼ばれるプラズマが不可避的に発生する。このプラズマによってレーザ光を吸収する無機材料が、マーキングする周囲に飛散するという不都合が生じる場合がある。例えば、飛散した無機材料を洗浄するための洗浄プロセスが追加される場合がある。プロセス簡略化の観点からは、洗浄プロセスの追加は好ましくない。実装部材がアルミナ焼結体表面に存在する場合は、洗浄が困難である場合がある。生産上に支障をきたす場合がある。
【0131】
一方、本実施形態においては、アルミナ中の酸素欠陥が、レーザ光吸収のトリガーとして用いられる。Ｃｒを用いず、環境への負荷が小さい。無機材料が周囲に飛散せず、プロセスが簡略化される。
【0132】
例えば、マーキングコントラストを改善する別の参考例として、焼結アルミナに負のバイアス印加した状態でイオンを衝突させる方法がある。例えば、アルゴン雰囲気中で、アルゴンのイオン（Ａｒ＋）を衝突させる。例えば、酸素雰囲気中で、酸素のイオン（Ｏ＋）を衝突させる。この方法においては、レーザマーキングエリア以外の場所にも酸素欠陥が導入される不都合が生じる。不必要な酸素欠陥の焼結アルミナ材料への導入は、電気的な絶縁耐圧特性に影響を与えるため、好ましくない。
【0133】
一方、本実施形態においては、予備照射によって、酸素欠陥が導入される。レーザマーキングにおいては、ガルバノミラーを用いて焼結アルミナ材料の表面にマーキングが行われる。ガルバノミラーは、コンピュータによって制御される。これにより、本照射において、予備照射で照射した場所と実質的に全く同一の場所を正確に照射することができる。レーザマーキングエリア以外の場所に酸素欠陥が導入されない。
【0134】
工業的に利用される焼結アルミナ材料へのレーザマーキングにおいて、レーザ光によって予め焼結アルミナ表面へ酸素欠陥を導入する。これにより、マーキングコントラストが大きくなる。レーザマーキング時のコントラストが不足する材料であっても実用的なコントラストを得ることができる。
【0135】
レーザマーキングによるマーキングコントラストが小さい場合、同一のパワーのレーザを複数回照射する場合がある。この場合には、酸素欠陥濃度が表面よりも低下し、レーザ光の吸収率が低い場所にレーザが照射されるため、好ましくない。本実施形態のように、最適化された予備照射後に本照射をすることが好ましい。
【0136】
焼結アルミナは、焼結助剤を高濃度で含む。しかし、本発明によるＰＬスペクトルの評価によって、焼結助剤の存在に依存せず、選択的にアルミナ成分のみについて酸素欠陥濃度を評価することができる。
【0137】
（第３の実施形態） 焼結アルミナに、炭酸ガスレーザを用いてマーキングを行う。本実施形態においては、焼結アルミナ中のＣｒ３＋が、レーザの吸収トリガーとして利用される。
【0138】
波長が３２５ｎｍの紫外線を用いて、焼結アルミナのＰＬスペクトルを観測する。例えば、波長が６５０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下におけるＰＬスペクトルにおけるピークの強度を評価する。これにより、焼結アルミナ中のＣｒ３＋の濃度を評価することができる。良好なマーキングコントラストを得ることができるＣｒ３＋の濃度を評価することができる。
【0139】
アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）において、Ａｌの正の３価イオン（Ａｌ３＋）がＣｒの正の３価イオン（Ｃｒ３＋）によって置換される場合がある。例えば、ルビーは、Ａｌ３＋の一部がＣｒ３＋によって置換された構造である。ルビーにおいては、Ｃｒ３＋の濃度は、５００ｐｐｍ程度である。ルビーは、初めてのレーザ媒質としてルビーレーザに用いられた。
【0140】
Ｃｒ３＋によって、焼結アルミナのＰＬスペクトルは、波長が６７０ｎｍ以上７００ｎｍ以下において、２本のピークを示す。これらのピークは、非常にスペクトル幅の狭いピークである。これらのピークを用いて、アルミナ材料中のＣｒ３＋の濃度を評価することができる。
【0141】
工業用焼結アルミナ材料として、ジルコニアで強化したジルコニア強化アルミナ（ＺＴＡ）が知られている。３１９ｎｍの波長の光を用いて励起した場合、この材料のＰＬスペクトルは、６７６ｎｍ（１．８３ｅＶ）におけるピークと、６９２ｎｍ（１．７９ｅＶ）におけるピークと、を示す。５５８ｎｍ（２．２２ｅＶ）の波長の光を用いて励起した場合、この材料のＰＬスペクトルは、６９２ｎｍにおけるピークを示すが、６７６ｎｍにおけるピークを示さない。例えば、励起波長に応じてＰＬスペクトルにおけるピーク波長が変化する。４００ｎｍ（３．１０ｅＶ）の波長の光を用いて励起した場合、６７６ｎｍにおけるピークの強度は、６９２ｎｍにおけるピークの強度よりも小さい。励起波長によるＰＬスペクトルのピーク波長の変化と同時に、２つのピーク強度の比も変化する。これら２つのＰＬスペクトルピークは、Ｃｒ３＋によって生じる発光に対応する。
【0142】
励起波長を規定して、アルミナ焼結体におけるＰＬスペクトルを測定する。これにより、Ｃｒ３＋の濃度を評価することができる。
【0143】
例えば、Ｃｒ３＋によって生じる発光に対応した２つのピークの強度比を評価する。これにより、焼結アルミナ材料の炭酸ガスによるマーキングにおいて、良好なマーキングコントラストを得ることができる。
【0144】
図９は、焼結アルミナの特性を例示するグラフ図である。 図９は、３つの異なるレーザマーキング良品におけるＰＬスペクトルを例示している。これらのＰＬスペクトルのそれぞれは、６７０ｎｍにおける最大ピーク強度で規格化されている。図９に表したように、６９０ｎｍにおけるピークの強度は、６７０ｎｍにおけるピークの強度の０．５倍程度である。
【0145】
図１０は、アルミナの特性を例示するグラフ図である。 図１０は、焼結アルミナＳ５のＰＬスペクトルと、高純度アルミナＳ６のＰＬスペクトルと、高純度アルミナＳ７のＰＬスペクトルとを例示している。これらのＰＬスペクトルのそれぞれは、最大ピーク強度で規格化されている。焼結アルミナＳ５は、レーザマーキング不良品である。図１０に表したように、レーザマーキング不良品においては、６７０ｎｍにおけるピーク強度と、６９０ｎｍにおけるピーク強度と、が同等となっている。これは、例えば、炭酸ガスレーザ光を吸収するトリガーとなるＣｒ３＋の濃度が低いことを意味している。
【0146】
６７０ｎｍにおけるピーク強度と６９０ｎｍにおけるピーク強度とを評価する。これにより、たとえば、レーザマーキング前に、マーキングコントラストを大きくすることができるかどうか、を把握することができる。
【0147】
例えば、６７０ｎｍにおけるピーク強度が６９０ｎｍにおけるピーク強度以下である場合には、レーザ光を吸収するためのトリガーとなる吸収剤を表面に塗布する。これにより、効率良くレーザ光を吸収させることができる。
【0148】
図１１は、焼結アルミナの特性を例示するグラフ図である。 図１１は、焼結アルミナＳ８のレーザマーキング前のＰＬスペクトルＳ８ｂと、焼結アルミナＳ８のレーザマーキング後のＰＬスペクトルＳ８ａと、焼結アルミナＳ９のレーザマーキング前のＰＬスペクトルＳ９ｂと、焼結アルミナＳ９のレーザマーキング後のＰＬスペクトルＳ９ａと、を例示している。
【0149】
焼結アルミナＳ８及び焼結アルミナＳ９は、例えば、図９に表したようなレーザマーキング良品の焼結アルミナが示すＰＬスペクトルを示す。一方、焼結アルミナＳ９におけるマーキングコントラストは、焼結アルミナＳ８におけるマーキングコントラストよりも小さい。
【0150】
図１１に表したように、ＰＬスペクトルＳ９ａの６７０ｎｍにおけるピーク強度は、ＰＬスペクトルＳ８ａの６７０ｎｍにおけるピーク強度よりも、小さい。焼結アルミナＳ９においては、ＰＬスペクトルＳ９ｂのピーク強度に比べ、ＰＬスペクトルＳ９ａのピーク強度は、大きく低下している。
【0151】
レーザマーキング後の６７０ｎｍにおけるピーク強度が、レーザマーキング前の６７０ｎｍにおけるピーク強度の０．４倍以上であることが好ましい。
【0152】
図１２は、焼結アルミナの特性を例示するグラフ図である。 図１２は、焼結アルミナＳ１０のレーザマーキング前のＰＬスペクトルＳ１０ｂと、焼結アルミナＳ１０のレーザマーキング後のＰＬスペクトルＳ１０ａと、を例示している。焼結アルミナＳ１０においては、レーザマーキングのコントラストが良好である。
【0153】
ＰＬスペクトルＳ１０ｂは、図９及び図１１に表したＰＬスペクトルと同様に、６７０ｎｍにおいて強度が最大となるピークを示し、６９０ｎｍにおいてショルダーピークを示す。ＰＬスペクトルＳ１０ｂは、さらに、５７０ｎｍ付近において、ブロードなピークを示す。図１２に表したように、焼結アルミナＳ１０のＰＬスペクトルにおいても、レーザマーキング後の６７０ｎｍにおけるピーク強度が、レーザマーキング前の６７０ｎｍにおけるピーク強度の０．４倍以上である。レーザマーキング後の６７０ｎｍにおけるピーク強度が、レーザマーキング前の６７０ｎｍにおけるピーク強度の０．４倍以上であることが好ましいことが支持される。ＰＬスペクトルＳ１０ｂにみられる５７０ｎｍにおけるブロードなピークもＣｒ３＋によって生じる発光によるものと考えられる。
【0154】
図１３は、焼結アルミナの特性を例示するグラフ図である。 図１３は、焼結アルミナＳ１１のＰＬスペクトルと、焼結アルミナＳ１２のＰＬスペクトルとを例示している。これらは、５１４．５ｎｍの波長を有する光を用いて励起した場合のＰＬスペクトルである。これらのＰＬスペクトルのそれぞれは、６９４ｎｍおける最大ピーク強度で規格化されている。
【0155】
焼結アルミナＳ１１は、レーザマーキング良品である。焼結アルミナＳ１２は、レーザマーキング不良品である。スペクトルの強度が最大となる６９４ｎｍにおけるピークは、Ｃｒ３＋によって生じる発光によるものである。焼結アルミナＳ１１のＰＬスペクトルは、６８０ｎｍ付近においてシャープなピークを示す。一方、焼結アルミナＳ１２のＰＬスペクトルには、６８０ｎｍ付近における明瞭なシャープなピークが認められない。この６８０ｎｍ付近におけるピークは、例えば、Ｍｎ４＋によって生じる発光によるものである。
【0156】
例えば、３２５ｎｍの波長を有する紫外線に代えて、５１４．５ｎｍの波長を有する可視光を用いて励起した場合のＰＬスペクトルを観測する。これにより、例えば、Ｃｒ３＋濃度だけでなくＭｎ４＋濃度によっても、レーザマーキングに対して良いアルミナ焼結体であるか、を判別することができる。
【0157】
工業的に利用される焼結アルミナ材料へのレーザマーキングを行う場合において、３２５ｎｍの波長を有する紫外線による励起によって、焼結アルミナのＰＬスペクトルを観測する。例えば、６７０ｎｍにおけるピークの強度と、６９０ｎｍにおけるピークの強度と、の比を評価する。これらのピークは、例えば、Ｃｒ３＋によって生じる発光に基づく。これにより、焼結アルミナ中のＣｒ３＋の濃度を評価することができる。
【0158】
例えば、５１４．５ｎｍの波長を有する可視光による励起によって、焼結アルミナのＰＬスペクトルを観測する。例えば、６８０ｎｍ付近のピークの有無を評価する。これにより、焼結アルミナ中のＭｎ４＋の濃度を評価することができる。レーザマーキングのコントラストを改善することができる。 なお、焼結アルミナ材料は、第２の実施形態と第２の実施形態とで説明したレーザマーキングに適した両方条件を満たすように構成することもできる。
【0159】
実施形態によれば、高信頼性の発光装置が提供される。
【0160】
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
【0161】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体発光素子、実装基板部、放熱板、セラミック基板、第１金属層、第２金属層及び接合層などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。 また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【0162】
その他、本発明の実施の形態として上述した発光装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての発光装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【0163】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【0164】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0165】
１０…セラミック基板、 １０ａ…第１主面、 １０ｂ…第２主面、 １０ｃ〜１０ｆ…第１〜第４辺、 １０ｇ〜１０ｊ…第１〜第４コーナ部、 １０ｋ〜１０ｒ…第１〜第８コネクタ領域、 １０ｘ…外縁、 １０ｕｅ…上面、 １１…第１金属層、 １１ａ〜１１ｃ…第１〜第３実装部分、 １１ｆａ〜１１ｆｄ…第１〜第４実装パターン部、 １１ｐ…実装パターン、 １１ｐａ…第１実装パターン、 １１ｐｂ…第２実装パターン、 １１ｒａ〜１１ｒｈ…第１〜第８実装パターン領域、 １２…第２金属層、 １２ｉ…第１〜第４金属辺、 １５…実装基板部、 １６…実装領域、 １６ａ〜１６ｄ…第１〜第４配置部、 １６ｐａ〜１６ｐｈ…第１〜第８部分、 １６ｒａ〜１６ｒｆ…第１〜第６領域、 １７…周辺領域、 ２０…半導体発光素子、 ２０ａ…第１半導体発光素子、 ２０ｂ…第２半導体発光素子、 ２１…第１半導体層、 ２１ａ…第１半導体部分、 ２１ｂ…第２半導体部分、 ２１ｅ…第１接合金属部材、 ２２…第２半導体層、 ２２ｅ…第２接合金属部材、 ２３…発光層、 ３１…波長変換層、 ３２…反射層、 ３５…発光素子部、 ４０…発光部、 ４４…接続部、 ４７ａ〜４７ｈ…第１〜第８コネクタ用電極部、 ４８ａ〜４８ｈ…第１〜第８コネクタ、 ４８ａａ〜４８ａｄ…第１〜第４コネクタ辺、 ４９ａ…第１〜第８キャパシタ、 ５１…放熱板、 ５１ａ…放熱面、 ５１ｉ…中央部、 ５１ｊ…第１外周部、 ５１ｋ…第２外周部、 ５２…接合層、 ５３…グリス層、 ５５ａ〜５５ｄ…第１〜第４放熱板辺、 ６０ａ〜６０ｈ…第１〜第８コネクタケーブル、 ７１…ベース部材、 ７１ａ…ベース面、 １１０、１１１…発光装置、 ２１０…照明装置、 Ｌｅ１〜Ｌｅ６…長さ、ＬＰ…レーザパワー、 ＰＩ…ピーク強度、 Ｓ１、Ｓ５…焼結アルミナ、 Ｓ６〜Ｓ７、ＳＫ、ＳＴ…高純度アルミナ、 Ｓ８〜Ｓ１２…焼結アルミナ、 Ｓ８ａ、Ｓ８ｂ、Ｓ９ａ、Ｓ９ｂ、Ｓ１０ａ、Ｓ１０ｂ…スペクトル、 Ｔｇ１〜Ｔｇ３…距離