発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、ＳｉＣ等のワイドバンドギャップ半導体素子を有する半導体装置において、当該半導体素子の保護や制御のための要求特性に十分に応えるセンサを備える半導体装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の半導体装置によれば、ワイドバンドギャップ半導体素子が通電されたときの発光を受光する受光素子を備え、この受光素子によりワイドバンドギャップ半導体素子から発光される光の強度を検出する。そして、その光の強度によりワイドバンドギャップ半導体素子に流れる電流値を得ることができる。このため、ワイドバンドギャップ半導体素子に流れる電流や、ワイドバンドギャップ半導体素子の温度等を、反応速度よく検出でき、また、小型化にも有利である。