特許6258904基板分離成長のための空洞を有するエピタキシャル層ウエハ及びそれを用いて製造された半導体素子

発明の名称　基板分離成長のための空洞を有するエピタキシャル層ウエハ及びそれを用いて製造された半導体素子

出願人　ソウル　バイオシス　カンパニー　リミテッド　（識別番号 506029004）

　　　　特許公開件数ランキング 14438 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 1797 位（3件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6258904

公報発行日　2018年1月10

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6258904

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