特許 6262020 基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びにプログラム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6262020

(24)【登録日】2017年12月22日

(45)【発行日】2018年1月17日

(54)【発明の名称】基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びにプログラム

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/02 20060101AFI20180104BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20180104BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20180104BHJP

   C23C 16/44 20060101ALI20180104BHJP

   C23C 16/52 20060101ALI20180104BHJP

   G05B 9/02 20060101ALI20180104BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/02 Z

   H01L21/31 A

   H01L21/302 101G

   C23C16/44 B

   C23C16/52

   G05B9/02 B

【請求項の数】6

【全頁数】13

(21)【出願番号】特願2014-38416(P2014-38416)

(22)【出願日】2014年2月28日

(65)【公開番号】特開2015-162638(P2015-162638A)

(43)【公開日】2015年9月7日

【審査請求日】2017年1月30日

(73)【特許権者】

【識別番号】000001122

【氏名又は名称】株式会社日立国際電気

(72)【発明者】

【氏名】中谷 一夫

【審査官】 鈴木 和樹

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００９−２３１８０９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−２４３６７７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０００−２２３４２７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−２０４８６５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／０２

Ｃ２３Ｃ １６／４４

Ｃ２３Ｃ １６／５２

Ｇ０５Ｂ ９／０２

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

Ｈ０１Ｌ ２１／３１

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を処理するための成膜レシピ及び所定のエラーが発生した際にエラー処理を施すためのエラー処理用レシピを少なくとも含むレシピのファイルを格納する記憶部と、前記成膜レシピを実行する制御部を備えた基板処理装置であって、
前記制御部は、プロセスを実行前のスタンバイ状態で、所定のエラーが発生して前記エラー処理用レシピを実行し、プロセスを実行前のスタンバイ状態からエラー発生状態を保持しつつ前記成膜レシピを開始指示があった場合、前記成膜レシピの第１ステップで前記エラー処理を行うことにより、前記所定のエラーを解除するまで、プロセスを実行する状態への移行を禁止し、前記所定のエラーの解除後、前記成膜レシピを実行するように構成されている基板処理装置。

【請求項2】

基板を処理するための成膜レシピ及び所定のエラーが発生した際にエラー処理を施すためのエラー処理用レシピを少なくとも含むレシピのファイルを格納する工程と、
プロセスを実行前のスタンバイ状態で、所定のエラーが発生して前記エラー処理用レシピを実行する工程と、
プロセスを実行前のスタンバイ状態からエラー発生状態を保持しつつ前記成膜レシピを開始する指示が有った場合、前記成膜レシピの第１ステップで前記エラー処理を行うことにより、前記所定のエラーを解除するまで、プロセスを実行する状態への移行を禁止する工程と、
前記所定のエラーの解除後、前記成膜レシピを実行する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。

【請求項3】

基板を処理するための成膜レシピ及び所定のエラーが発生した際にエラー処理を施すためのエラー処理用レシピを少なくとも含むレシピのファイルを格納する記憶部と、前記成膜レシピを実行する制御部を備えた基板処理装置で実行されるプログラムあって、
前記制御部に、
プロセスを実行前のスタンバイ状態で、所定のエラーが発生して前記エラー処理用レシピを実行する手順と、
プロセスを実行前のスタンバイ状態からエラー発生状態を保持しつつ前記成膜レシピを開始する指示があった場合、前記成膜レシピの第１ステップで前記エラー処理を行うことにより、前記所定のエラーを解除するまで、プロセスを実行する状態への移行を禁止する手順と、
前記所定のエラーの解除後、前記成膜レシピを実行する手順と、を実行させ、
前記基板処理装置に基板処理機能を実現させる為のプログラム。

【請求項4】

前記スタンバイ状態は、プロセス実行前の処理炉内の環境を整えている状態である請求項１記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記制御部は、前記スタンバイ状態でのエラー処理指示と前記成膜レシピの第１ステップでのエラー処理指示が同じであれば、前記成膜レシピの第１ステップで前記エラー処理を行うように構成されている請求項１記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記所定のエラーは、成膜処理を含む各基板処理に関係ない軽微なエラーである請求項１記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、処理レシピを用いて、半導体ウエハ等の基板を処理する工程を有する基板処理装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

例えばフラッシュメモリやＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等の半導体装置の製造工程の一工程として、基板上に薄膜を形成する基板処理工程が実施されることがある。係る工程を実施する基板処理装置において、基板処理のプロセスレシピ実行中にエラーが発生した場合にエラー処理を行う点が例えば特許文献１に記載されている。

【0003】

従来の基板処理装置においては、基板処理中(プロセスレシピ実行中)に何らかのエラーが発生し、アラームレシピを実行すると、当該プロセスレシピは自動的に異常終了とされたが、プロセスレシピの実行前の所定の状態（例えば、ＳＴＡＮＤＢＹ状態）には、エラー処理を行えなかった。そこで、プロセスレシピ実行前である、温度、炉内へのガス供給等の成膜処理前の炉内環境を整えている状態（ＳＴＡＮＤＢＹ状態）で軽微なエラー(例えば、処理時間の遅延等)が発生した場合でも、アラームレシピを実行し、エラー処理する必要があった。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１０−１４０９７８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明は、プロセスレシピ実行前の所定の状態（例えば、ＳＴＡＮＤＢＹ状態）で何らかのエラーが発生した場合にも、エラー処理の影響を受けずにプロセスレシピを実行することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記課題を解決するために、
基板を処理するための成膜レシピ及び所定のエラーが発生した際に所定の処理を施すためのエラー処理用レシピを少なくとも含むレシピのファイルを格納する記憶部と、前記成膜レシピを実行する制御部を備えた基板処理装置であって、
前記制御部は、プロセスを実行前のＳＴＡＮＤＢＹ状態で、所定のエラーが発生して前記エラー処理用レシピを実行している際、プロセスを実行前のＳＴＡＮＤＢＹ状態を保持し、プロセスを実行する状態への移行を禁止する基板処理装置を提供するものである。

【0007】

更に、
基板を処理するための成膜レシピ及び所定のエラーが発生した際に所定の処理を施すためのエラー処理用レシピを少なくとも含むレシピのファイルを格納する工程と、
成膜レシピを実行する工程と、
プロセスを実行前のＳＴＡＮＤＢＹ状態で、所定のエラーが発生して前記エラー処理用レシピを実行している際、プロセスを実行前のＳＴＡＮＤＢＹ状態を保持し、プロセスを実行する状態への移行を禁止する工程と、
を有する基板処理方法を提供するものである。

【発明の効果】

【0008】

本発明に係る基板処理装置によれば、基板処理開始前のＳＴＡＮＤＢＹ状態を保持した状態であっても、エラー処理用のレシピを実行することが可能となり、ＳＴＡＮＤＢＹ状態で発生した所定のエラーの影響を受けずに、プロセスレシピが実行される。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の斜視図である。

【図2】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の側断面図である。

【図3】本発明の一実施形態に係る基板処理における制御系を示すブロック図である。

【図4】本発明の一実施形態に係るＳＴＡＮＤＢＹ状態でのエラー処理の仕組みを示す図である。

【図5】本発明の一実施形態に係るエラー処理の優先順位と指示方法を示す図である。

【図6】本発明の一実施形態に係る成膜レシピ第１ステップ実施時の処理を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を説明する。

【0011】

先ず、図１、図２に於いて、本発明が実施される基板処理装置について説明する。

【0012】

図１、図２は基板処理装置の一例として縦型の基板処理装置を示している。尚、該基板処理装置に於いて処理される基板は、一例としてシリコン等から成るウェーハが示されている。

【0013】

基板処理装置１は筐体２を備え、該筐体２の正面壁３の下部にはメンテナンス可能な様に設けられた開口部としての正面メンテナンス口４が開設され、該正面メンテナンス口４は正面メンテナンス扉５によって開閉される。

【0014】

前記筐体２の前記正面壁３にはポッド搬入搬出口６が前記筐体２の内外を連通する様に開設されており、前記ポッド搬入搬出口６はフロントシャッタ（搬入搬出口開閉機構）７によって開閉され、前記ポッド搬入搬出口６の正面前方側にはロードポート（基板搬送容器受渡し台）８が設置されており、該ロードポート８は載置されたポッド９を位置合せする様に構成されている。

【0015】

該ポッド９は密閉式の基板搬送容器であり、図示しない工程内搬送装置によって前記ロードポート８上に搬入され、又、該ロードポート８上から搬出される様になっている。

【0016】

前記筐体２内の前後方向の略中央部に於ける上部には、回転式ポッド棚（基板搬送容器格納棚）１１が設置されており、該回転式ポッド棚１１は複数個のポッド９を格納する様に構成されている。

【0017】

前記回転式ポッド棚１１は垂直に立設されて間欠回転される支柱１２と、該支柱１２に上中下段の各位置に於いて放射状に支持された複数段の棚板（基板搬送容器載置棚）１３とを備えており、該棚板１３は前記ポッド９を複数個宛載置した状態で格納する様に構成されている。

【0018】

前記回転式ポッド棚１１の下方には、ポッドオープナ（基板搬送容器蓋体開閉機構）１４が設けられ、該ポッドオープナ１４は前記ポッド９を載置し、又該ポッド９の蓋を開閉可能な構成を有している。

【0019】

前記ロードポート８と前記回転式ポッド棚１１、前記ポッドオープナ１４との間には、ポッド搬送装置（容器搬送装置）１５が設置されており、該ポッド搬送装置１５は、前記ポッド９を保持して昇降可能、水平方向に進退可能となっており、前記ロードポート８、前記回転式ポッド棚１１、前記ポッドオープナ１４との間で前記ポッド９を搬送する様に構成されている。

【0020】

前記筐体２内の前後方向の略中央部に於ける下部には、サブ筐体１６が後端に亘って設けられている。該サブ筐体１６の正面壁１７にはウェーハ（基板）１８を前記サブ筐体１６内に対して搬入搬出する為のウェーハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１９が一対、垂直方向に上下２段に並べられて開設されており、上下段のウェーハ搬入搬出口１９，１９に対して前記ポッドオープナ１４がそれぞれ設けられている。

【0021】

該ポッドオープナ１４は前記ポッド９を載置する載置台２１と、前記ポッド９の蓋を開閉する開閉機構２２とを備えている。前記ポッドオープナ１４は前記載置台２１に載置された前記ポッド９の蓋を前記開閉機構２２によって開閉することにより、前記ポッド９のウェーハ出入口を開閉する様に構成されている。

【0022】

前記サブ筐体１６は前記ポッド搬送装置１５や前記回転式ポッド棚１１が配設されている空間（ポッド搬送空間）から気密となっている移載室２３を構成している。該移載室２３の前側領域にはウェーハ移載機構（基板移載機構）２４が設置されており、該ウェーハ移載機構２４は、ウェーハ１８を載置する所要枚数（図示では５枚）のウェーハ載置プレート２５を具備し、該ウェーハ載置プレート２５は水平方向に直動可能、水平方向に回転可能、又昇降可能となっている。前記ウェーハ移載機構２４はボート（基板保持具）２６に対してウェーハ１８を装填及び払出しする様に構成されている。

【0023】

前記移載室２３の後側領域には、前記ボート２６を収容して待機させる待機部２７が構成され、該待機部２７の上方には縦型の処理炉２８が設けられている。該処理炉２８は内部に処理室２９を形成し、該処理室２９の下端部は炉口部となっており、該炉口部は炉口シャッタ（炉口開閉機構）３１により開閉される様になっている。

【0024】

前記筐体２の右側端部と前記サブ筐体１６の前記待機部２７の右側端部との間には前記ボート２６を昇降させる為のボートエレベータ（基板保持具昇降装置）３２が設置されている。該ボートエレベータ３２の昇降台に連結されたアーム３３には蓋体としてのシールキャップ３４が水平に取付けられており、該シールキャップ３４は前記ボート２６を垂直に支持し、該ボート２６を前記処理室２９に装入した状態で前記炉口部を気密に閉塞可能となっている。

【0025】

前記ボート２６は、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウェーハ１８をその中心に揃えて水平姿勢で多段に保持する様に構成されている。

【0026】

前記ボートエレベータ３２側と対向した位置にはクリーンユニット３５が配設され、該クリーンユニット３５は、清浄化した雰囲気若しくは不活性ガスであるクリーンエア３６を供給する様供給ファン及び防塵フィルタで構成されている。前記ウェーハ移載機構２４と前記クリーンユニット３５との間には、ウェーハ１８の円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合せ装置（図示せず）が設置されている。

【0027】

前記クリーンユニット３５から吹出された前記クリーンエア３６は、ノッチ合せ装置（図示せず）及び前記ウェーハ移載機構２４、前記ボート２６に流通された後に、図示しないダクトにより吸込まれて、前記筐体２の外部に排気がなされるか、若しくは前記クリーンユニット３５によって前記移載室２３内に吹出されるように構成されている。

【0028】

次に、前記基板処理装置１の作動について説明する。

【0029】

前記ポッド９が前記ロードポート８に供給されると、前記ポッド搬入搬出口６が前記フロントシャッタ７によって開放される。前記ロードポート８上の前記ポッド９は前記ポッド搬送装置１５によって前記筐体２の内部へ前記ポッド搬入搬出口６を通して搬入され、前記回転式ポッド棚１１の指定された前記棚板１３へ載置される。前記ポッド９は前記回転式ポッド棚１１で一時的に保管された後、前記ポッド搬送装置１５により前記棚板１３からいずれか一方のポッドオープナ１４に搬送されて前記載置台２１に移載されるか、若しくは前記ロードポート８から直接前記載置台２１に移載される。

【0030】

この際、前記ウェーハ搬入搬出口１９は前記開閉機構２２によって閉じられており、前記移載室２３には前記クリーンエア３６が流通され、充満している。例えば、前記移載室２３には前記クリーンエア３６として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、前記筐体２の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遙かに低く設定されている。

【0031】

前記載置台２１に載置された前記ポッド９はその開口側端面が前記サブ筐体１６の前記正面壁１７に於ける前記ウェーハ搬入搬出口１９の開口縁辺部に押付けられると共に、蓋が前記開閉機構２２によって取外され、ウェーハ出入口が開放される。

【0032】

前記ポッド９が前記ポッドオープナ１４によって開放されると、ウェーハ１８は前記ポッド９から前記ウェーハ移載機構２４によって取出され、ノッチ合せ装置（図示せず）に移送され、該ノッチ合せ装置にてウェーハ１８を整合した後、前記ウェーハ移載機構２４はウェーハ１８を前記移載室２３の後方にある前記待機部２７へ搬入し、前記ボート２６に装填（チャージング）する。

【0033】

該ボート２６にウェーハ１８を受渡した前記ウェーハ移載機構２４は前記ポッド９に戻り、次のウェーハ１８を前記ボート２６に装填する。

【0034】

一方（上端又は下段）のポッドオープナ１４に於ける前記ウェーハ移載機構２４によりウェーハ１８の前記ボート２６への装填作業中に、他方（下段又は上段）のポッドオープナ１４には前記回転式ポッド棚１１から別のポッド９が前記ポッド搬送装置１５によって搬送されて移載され、前記他方のポッドオープナ１４によるポッド９の開放作業が同時進行される。

【0035】

予め指定された枚数のウェーハ１８が前記ボート２６に装填されると前記炉口シャッタ３１によって閉じられていた前記処理炉２８の炉口部が前記炉口シャッタ３１によって開放される。続いて、前記ボート２６は前記ボートエレベータ３２によって上昇され、前記処理室２９に搬入（ローディング）される。

【0036】

ローディング後は、前記シールキャップ３４によって炉口部が気密に閉塞される。

【0037】

前記処理室２９が所望の圧力（真空度）となる様にガス排気機構（図示せず）によって真空排気される。又、前記処理室２９が所望の温度分布となる様にヒータ駆動部（図示せず）によって所定温度迄加熱される。

【0038】

又、ガス供給機構（図示せず）により、所定の流量に制御された処理ガスが供給され、処理ガスが前記処理室２９を流通する過程で、ウェーハ１８の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウェーハ１８の表面上に薄膜が成膜される。更に、反応後の処理ガスは、前記ガス排気機構により前記処理室２９から排気される。

【0039】

予め設定された処理時間が経過すると、前記ガス供給機構により不活性ガス供給源（図示せず）から不活性ガスが供給され、前記処理室２９が不活性ガスに置換されると共に、前記処理室２９の圧力が常圧に復帰される。

【0040】

前記ボートエレベータ３２により前記シールキャップ３４を介して前記ボート２６が降下される。

【0041】

処理後のウェーハ１８の搬出については、上記説明と逆の手順で、ウェーハ１８及びポッド９は前記筐体２の外部へ払出される。未処理のウェーハ１８が、更に前記ボート２６に装填され、ウェーハ１８のバッチ処理が繰返される。

【0042】

前記処理炉２８、基板を搬送する搬送機構、前記処理炉２８に処理ガス等を供給するガス供給機構、前記処理炉２８内を排気するガス排気機構、前記処理炉２８を所定温度に加熱するヒータ駆動部、及び前記処理炉２８、前記搬送機構、前記ガス供給機構、前記ガス排気機構、前記ヒータ駆動部をそれぞれ制御する制御装置３７について、図３を参照して説明する。

【0043】

図３中、３８はプロセス制御部、３９は搬送制御部、４１は主制御部を示しており、前記プロセス制御部３８は記憶部４２を具備し、該記憶部４２にはプロセスを実行する為に必要なプロセス実行プログラム、後述する検出器から取得する属性情報を予め定義したテーブル及び前記検出器から取得した属性情報を保存する格納領域や、後述する操作部５５から前記主制御部４１を介して入力された設定値と、前記検出器からフィードバックされた実測値の比較を行う比較プログラム、属性情報を後述する表示部５６に表示できる様変換する変換プログラム等が格納されている。前記搬送制御部３９は記憶部４３を具備し、該記憶部４３にはウェーハの搬送を実行する為の搬送プログラムが格納され、前記主制御部４１はデータ格納手段４４を具備し、該データ格納手段４４は、例えばＨＤＤ等の外部記憶装置から成る。尚、プロセス実行プログラム、比較プログラム、変換プログラム、搬送プログラムは前記データ格納手段４４に格納されていてもよい。

【0044】

又、前記プロセス制御部３８はプロセス実行機構部を制御し、該プロセス実行機構部は各処理工程を実行するアクチュエータの駆動を制御する流量制御部４５、加熱制御部４６、圧力制御部４７から成っている。例えば前記流量制御部４５はバルブの開閉、流量制御器等の作動を制御して前記処理炉２８への処理ガスの供給流量を制御し、前記加熱制御部４６は前記処理炉２８の加熱制御を行い、前記圧力制御部４７は前記処理炉２８からのガスの排気を制御し、或は前記処理炉２８の圧力制御を行う機能を有している。又、４８は前記流量制御部４５によって制御される流量制御器（以下、ＭＦＣと称す）を示しており、４９は加熱制御部４６によって制御されるヒータを示しており、５１は前記圧力制御部４７によって制御される圧力バルブを示している。

【0045】

更に前記プロセス制御部３８には、図示していないが、ＣＰＵ（中央処理装置）、メモリ（ＲＡＭ）、固定記憶装置としてのハードディスク（ＨＤＤ）、送受信モジュール、時計機能を備えたコンピュータとして構成されている。ハードディスクには、操作部プログラムファイル、制御部プログラムファイル、プロセスレシピファイル、アラーム条件テーブルファイル等の他、各種画面ファイル、各種アイコンファイル等が格納されている。

【0046】

プロセス制御部３８には、ＬＡＮを介して、操作画面としての表示部５６が接続されている。プロセス制御部３８には、ホストコンピュータやモニタサーバ等の管理装置が、送受信モジュールを介して通信可能に接続されている。尚、表示部５６はタッチパネルとして構成され、一体に構成された表示画面と入力手段（例えばキーボード）とを備えていても良い。

【0047】

ＣＰＵは、記憶部４２に記憶された制御プログラムを実行し、操作部５５からの指示に従って、記憶部４２に記憶されているプロセスを実行する。

【0048】

又、５３は温度検出手段としての温度検出器を示し、５４は圧力検出手段としての圧力センサを示しており、前記温度検出器５３は、前記ヒータ４９の状態を検出して検出結果を前記加熱制御部４６にフィードバックし、前記圧力センサ５４は、前記圧力バルブ５１の状態を検出して検出結果を前記圧力制御部４７にフィードバックする機能を有している。尚、前記ＭＦＣ４８は処理ガスの供給流量を制御すると共に、現在の状態を検出して検出結果を前記流量制御部４５にフィードバックする流量検出器（流量検出手段）としてのセンサを兼ねている。又、前記ＭＦＣ４８は、流量だけでなく種々の情報を含む属性情報を前記流量制御部４５を介して前記プロセス制御部３８へとフィードバックしている。尚、該流量制御部４５と前記ＭＦＣ４８は一体となっていてもよい。

【0049】

又、５５はキーボード、マウス、操作パネル等の操作部を示しており、５６はモニタ等の表示部を示している。操作部５５は、専用のシステムによらず、通常のコンピュータシステムを用いて実現可能である。例えば、汎用コンピュータに、上述の処理を実行するためのプログラムを格納した記録媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＵＳＢ等）から当該プログラムをインストールすることにより、前述の処理を実行する操作部を構成することができる。

【0050】

そして、これらのプログラム（例えば、インストーラ）を供給するための手段は任意である。前述のように所定の記録媒体を介して供給できる他、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給しても良い。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板に当該プログラムを掲示し、これをネットワークを介して搬送波に重畳して提供しても良い。そして、このように提供されたプログラムを起動し、ＯＳの制御下で、他のアプリケーションと同様に実行することにより、前述の処理を実行することができる。

【0051】

前記流量制御部４５、前記加熱制御部４６、前記圧力制御部４７には、前記プロセス制御部３８から設定値の指示、或は処理シーケンスに従った指令信号が入力され、前記プロセス制御部３８はＭＦＣ４８、前記温度検出器５３、前記圧力センサ５４が検出した検出結果を基に、前記流量制御部４５、前記加熱制御部４６、前記圧力制御部４７を統括して制御する。

【0052】

又、前記プロセス制御部３８は、前記主制御部４１を介した前記操作部５５からの指令により、基板処理を実行し、又基板処理の実行は前記プロセス制御部３８が、前記記憶部４２に格納されたプログラムに従って、他の制御系とは独立して実行する。従って、前記搬送制御部３９、前記主制御部４１に問題が発生しても、ウェーハ１８の搬送は中断されることなく完遂される。

【0053】

前記搬送制御部３９は、前記主制御部４１を介した前記操作部５５からの指令によって前記ポッド搬送装置１５、前記ウェーハ移載機構２４、前記ボートエレベータ３２を駆動して、ウェーハ１８の搬送を実行する。ウェーハ１８の搬送は、前記記憶部４３に格納された搬送プログラムによって他の制御系とは独立して実行する。従って、前記プロセス制御部３８、前記主制御部４１に問題が発生しても、ウェーハ１８の搬送は中断されることなく完遂される。

【0054】

前記データ格納手段４４には、基板処理進行を統括するプログラム、処理内容、処理条件を設定する為の設定プログラム、基板処理の為のレシピ、前記プロセス制御部３８、前記搬送制御部３９とＬＡＮ等の通信手段を介してデータの送受信を行う通信プログラム、前記流量制御部４５、前記加熱制御部４６、前記圧力制御部４７の状態を前記表示部５６に表示する為のプログラム、又前記流量制御部４５、前記加熱制御部４６、前記圧力制御部４７を駆動制御する為に必要なパラメータの編集を行う操作プログラム等の各種プログラムがファイルとして格納されている。

【0055】

又、前記データ格納手段４４はデータ格納領域を有し、該データ格納領域には基板処理に必要とされるパラメータが格納され、前記ＭＦＣ４８、前記温度検出器５３、前記圧力センサ５４の設定値、検出結果、処理の状態等の情報が経時的に格納される。

【0056】

本発明のエラー発生時の制御について、図４を用いて説明する。図４は、プロセス状態がＳＴＡＮＤＢＹ状態でのエラー処理の仕組みを説明するものである。ここでいうＳＴＡＮＤＢＹ状態とは、プロセスを実行前の処理炉内の環境を整えている状態のことである。プロセス制御部３８では、ＳＴＡＮＤＢＹ状態でエラー処理用のレシピを実行可能とするため、プロセス制御部３８と搬送制御部３９において、エラー処理用のレシピが実行中である場合、成膜レシピを開始させないように主制御部４４からプロセス制御部３８に指示を出す。

【0057】

プロセス制御部３８から搬送制御部３９に対してプロセス制御部の状態（ＳＴＡＮＤＢＹ又はＲＵＮ）とレシピの状態の情報を通知する。矢印（１）では、プロセス制御部の状態はＳＴＡＮＤＢＹ状態であり、エラー処理用レシピ実施中ではないとの情報を通知している。矢印（２）では、エラーが発生したため、プロセス制御部の状態はＳＴＡＮＤＢＹであり、エラー処理用レシピを実施中であることを通知する。矢印（３）では、エラー処理のステップを一通り行い、エラー処理が終わると、プロセス状態はＳＴＡＮＤＢＹであり、エラー処理用レシピは実施中でないことを通知する。矢印（４）では、矢印（３）のプロセス状態はＳＴＡＮＤＢＹであり、エラー処理用レシピは実施中でないという通知情報から、プロセス制御部では、成膜の開始を行う。

【0058】

このように、プロセス制御部３８では、プロセス状態とエラー処理用レシピの状態を監視し、これらの情報を基に、成膜の開始の指示を行っている。
ここで、エラー処理レシピの各ステップでは、例えば、ガスのバルブを閉める、ボートを下す等の処理を行っている。これは、エラーの種類により予め決められている。

【0059】

次に、エラー処理の際の実行順位とエラー処理の指示について、図５を用いて説明する。エラー発生時の処理には、例えば、ブザー鳴動、エラー発生時のステップでＨＯＬＤさせる、当該エラーに対応するレシピ実行等の種類があり、これらのエラー処理を実行する順位を予め決めておく。直前のエラーの要因と同じエラー要因であった場合には、直前に実行したエラー処理種別の次の実行順位のエラー処理を行う。エラー処理はレシピの段階でエラー処理実施有無の指示がなしの場合は、前段階と同じエラー処理指示を引き継ぐ（前の段階と同じ処理を行う）。（第1段階と第２段階を参照）

【0060】

次に図６を用いて成膜レシピ第１ステップ実施時の処理について説明する。前述のエラーの際の処理の制御のため、ＳＴＡＮＤＢＹ状態でエラー発生状態をクリアできない場合（エラー処理用レシピ実行中にエラー発生源を解消せずに成膜レシピを開始した場合）、且つ、ＳＴＡＮＤＢＹステップのエラー処理指示とプロセス制御部の状態が第１ステップのエラー処理指示が同じ場合は、成膜レシピの第１ステップでエラー処理が行われないこととなる。エラー発生原因が解消されないまま成膜レシピが実行されることがないよう、成膜レシピの第１ステップ開始時にエラー発生状態を一旦回復させ（１）、アラームを回復させる。再度エラー発生状態を確認して、アラーム発報（２）とエラー処理（３）を行うこととする。

【0061】

本実施の形態によれば、ＳＴＡＮＤＢＹ状態でのエラー発生時のエラー処理の実行が可能となり、運用面での使い勝手が向上する。具体的には、ＳＴＡＮＤＢＹ状態からエラー状態が継続した場合に、成膜レシピの第１ステップ実行開始時に異常の検知及び対エラー処理（アラーム発報、エラー処理）を行い、成膜処理前にエラー解除を行うように構成したので、エラー状態での成膜開始が行われないようになる。これにより、エラー状態が維持された状態でプロセスレシピが終了することが無い。

【0062】

従来は、成膜処理に何ら関係ない軽微なエラーであっても、プロセスレシピ実行後のアラームレシピを実行することにより、エラー処理を実施するしかなく、成膜処理が正常に行われたとしても、プロセスレシピが異常終了となってしまっていた。そのため、エラー解除処理を行わないと次のプロセスレシピを実行できなかった。しかしながら、本実施の形態によれば、成膜処理を含む各基板処理に関係ないエラーが発生しても基板処理を連続して行うことができる。従い、装置稼働率の無駄な低下が抑えられる。

【0063】

以上のように、上記実施例では縦型の基板処理装置を用いて説明したが、枚葉方式の基板処理装置にも同様に適用可能である。
また、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。

【0064】

なお、本発明は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等による酸化膜や窒化膜、金属膜等の種々の膜を形成する成膜処理を行う場合に適用できるほか、プラズマ処理、拡散処理、アニール処理、酸化処理、窒化処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理を行う場合にも適用できる。また、本発明は、薄膜形成装置の他、エッチング装置、アニール処理装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、モールド装置、現像装置、ダイシング装置、ワイヤボンディング装置、乾燥装置、加熱装置、検査装置等の他の基板処理装置にも適用できる。また、本発明では、縦型の基板処理装置１００に限らず、横型の基板処理装置や、枚葉式の各種基板処理装置であってもよい。

【0065】

また、本発明は、本実施形態に係る基板処理装置１００のような半導体ウエハを処理する半導体製造装置等に限らず、ガラス基板を処理するＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）製造装置や太陽電池製造装置等の基板処理装置にも適用できる。

【0066】

＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。

【0067】

＜付記１＞
基板を処理するための成膜レシピ及び所定のエラーが発生した際に所定の処理を施すためのエラー処理用レシピを少なくとも含むレシピのファイルを格納する記憶部と、前記成膜レシピを実行する制御部を備えた基板処理装置であって、
前記制御部は、プロセスを実行前のＳＴＡＮＤＢＹ状態で、所定のエラーが発生して前記エラー処理用レシピを実行している際、プロセスを実行前のＳＴＡＮＤＢＹ状態を保持し、プロセスを実行する状態への移行を禁止して前記成膜レシピを実行させない基板処理装置。

【0068】

＜付記２＞
更に、前記制御部は、基板搬送済みで前記ＳＴＡＮＤＢＹ状態で、レシピ実行状態が未実施の場合に、成膜レシピを開始する付記１の基板処理装置。

【0069】

＜付記３＞
更に、基板を処理するための成膜レシピ及び所定のエラーが発生した際に所定の処理を施すためのエラー処理用レシピを少なくとも含むレシピのファイルを記憶する工程と、前記成膜レシピを実行する工程と、
プロセスを実行前のＳＴＡＮＤＢＹ状態で、所定のエラーが発生して前記エラー処理用レシピを実行している際、プロセスを実行前のＳＴＡＮＤＢＹ状態を保持し、プロセスを実行する状態への移行を禁止して前記成膜レシピを実行しない工程とを有する基板処理方法。

【0070】

＜付記４＞
更に、基板を処理するための成膜レシピ及び所定のエラーが発生した際に所定の処理を施すためのエラー処理用レシピを少なくとも含むレシピのファイルを記憶する処理と、前記成膜レシピを実行する処理と、
プロセスを実行前のＳＴＡＮＤＢＹ状態で、所定のエラーが発生して前記エラー処理用レシピを実行している際、プロセスを実行前のＳＴＡＮＤＢＹ状態を保持し、プロセスを実行する状態への移行を禁止して前記成膜レシピを実行しない処理を行うプログラム。

【0071】

＜付記５＞
更に、基板を処理するための成膜レシピ及び所定のエラーが発生した際に所定の処理を施すためのエラー処理用レシピを少なくとも含むレシピのファイルを記憶する工程と、前記成膜レシピを実行する工程と、
プロセスを実行前のＳＴＡＮＤＢＹ状態で、所定のエラーが発生して前記エラー処理用レシピを実行している際、プロセスを実行前のＳＴＡＮＤＢＹ状態を保持し、プロセスを実行する状態への移行を禁止して前記成膜レシピを実行しない工程とからなる半導体装置の製造方法。

【0072】

１ 基板処理装置
１８ ウェーハ（基板）
３７ 制御装置
３８ プロセス制御部
３９ 搬送制御部
４１ 主制御部
５５ 操作部
５６ 表示部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】