(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下の実施形態では、スイッチ制御回路およびスイッチ回路内の特徴的な構成および動作を中心に説明するが、スイッチ制御回路およびスイッチ回路には以下の説明で省略した構成および動作が存在しうる。ただし、これらの省略した構成および動作も本実施形態の範囲に含まれるものである。
【0008】
図1は本発明の一実施形態によるスイッチ回路1の概略構成を示すブロック図である。
図1のスイッチ回路1は、複数のスイッチ群2と、これらスイッチ群2を制御するスイッチ制御回路3とを備えている。
【0009】
スイッチ制御回路3は、複数のドライバ(第1電圧生成回路)4と、複数の遮断回路5と、制御回路6と、内部電圧発生回路(第2電圧生成回路)7と、デコーダ8とを有する。
【0010】
複数のドライバ4は、内部電圧発生回路7が生成した内部電圧(基準電圧)Vnを用いて、デコーダ8から出力される複数の第1制御信号をレベルシフトさせた複数の第2制御信号を生成する。複数の遮断回路5は、複数のドライバ4に内部電圧を供給するか否かを切り替える。
【0011】
制御回路6は、複数の遮断回路5のうち、信号論理が変化した第1制御信号が入力されるドライバ4以外のドライバ4に対して、対応する遮断回路5に入力する遮断制御信号Vcut1、Vcut2のいずれかの信号論理を所定の期間変化させる。すなわち、制御回路6は、複数の第1制御信号のうち少なくとも一つの信号論理が変化した時、複数の第1制御信号のうちその他を入力する少なくとも一つの第1電圧生成回路への基準電圧の供給が所定の期間遮断されるように、遮断回路5を制御する。遮断回路5は、入力された遮断制御信号Vcut1、Vcut2のいずれかの信号論理が変化している間、対応するドライバ4への基準電圧の供給を停止させる。所定期間は、例えば、数μ秒〜数十μ秒である。
【0012】
内部電圧発生回路7は、
図1に示すように、リングオシレータ回路11と、チャージポンプ回路12と、レギュレータ回路13とを有する。リングオシレータ回路11は、所定周波数の発振信号を生成する。チャージポンプ回路12は、スイッチ回路1の外部から供給される電源電圧と発振信号を用いて、電源電圧を昇圧または降圧した電圧を生成する。レギュレータ回路13は、チャージポンプ回路12が生成した電圧を波形整形する等して内部電圧を生成する。
図1に示す内部電圧発生回路7が生成する内部電圧Vnは、例えば、接地電位よりも低い負電位である。内部電圧は、例えば−3V程度である。
【0013】
本実施形態が負電位を用いてスイッチ群2の駆動用の第2制御信号を生成するのは、スイッチ群2を構成する各スイッチの閾値をできるだけ低くして、オン抵抗を下げて、スイッチの挿入損失を低減させるためである。スイッチの閾値を0V前後まで下げる場合は、スイッチを確実にオフするには、負電位を供給する必要がある。そこで、本実施形態では、負電位を用いて第2制御信号を生成する。
【0014】
なお、
図1では省略しているが、電源電圧よりも高い内部電圧を生成する内部電圧発生回路7を別に設けてもよい。あるいは、電源電圧よりも高い内部電圧は、スイッチ回路1の外部から直接入力してもよい。
【0015】
デコーダ8は、スイッチ回路1の外部から入力される入力制御信号をデコードして、複数の第1制御信号を生成する。なお、デコーダ8は必須ではなく、スイッチ回路1の外部から、複数の第1制御信号を直接入力してもよい。
【0016】
複数のスイッチ群2のそれぞれは、複数の第2制御信号に基づいて、複数のポートP11〜P1n、P21〜P2mのいずれかを切り替えて共通信号ポートP10、P20に接続する複数のスイッチを有する。共通信号ポートP10,P20には、それぞれアンテナANT1,ANT2が接続されている。
【0017】
図2は一つのスイッチ群2の内部構成の一例を示す回路図である。
図2のスイッチ群2は、4つのポートから1つを選択するSP4T(Single-Pole 4-Throw)スイッチの内部構成を示す回路図である。このSP4Tスイッチは、4つの第2制御信号Con1〜Con4に応じて、4個のRF端子RF1〜RF4のいずれか一つを共通RF端子RF_COMと導通させる切替動作を行う。
【0018】
図2のSP4Tスイッチは、共通RF端子RF_COMと4個のRF端子RF1〜RF4のそれぞれとの間に複数のFETを多段直列接続して構成されるスルーFET21と、各RF端子と接地ノードとの間に複数のFETを多段直列接続して構成されるシャントFET22とを有する。各FETの閾値電圧Vthは例えば0Vである。
【0019】
スルーFET21とシャントFET22のそれぞれが複数のFETを多段直列接続しているのは、送信時には、RF端子RF1〜RF4は数十ボルトの電圧振幅になることから、この電圧振幅を直列接続された複数のFETで分担するようにして、各FETにかかる電圧を抑えるためである。
【0020】
例えば、RF端子RF1を共通RF端子RF_COMと導通させる場合を例に取って、
図2のSP4Tスイッチの動作を説明する。この場合、第2制御信号Con1がハイ電位(Von)になって、第2制御信号Con1がゲートに入力されるスルーFET21がオンし、RF端子RF1と接地端子との間に接続されたシャントFET22はオフする。また、他のスルーFET21はすべてオフし、他のシャントFET22はすべてオンする。
【0021】
第2制御信号Con1の電位Vonは、スルーFET21が導通して、そのオン抵抗が十分に小さくなる程度の電位であればよい。この電位Vonは、例えば3Vである。第2制御信号Con2〜Con4の電位Voffは、RF端子RF2〜RF4にRF信号が入力されても、スルーFET21の遮断状態を維持できるゲート電位である。この電位Voffは、
図1の内部電圧発生回路7で生成されたVnであり、例えば−3Vである。
【0022】
図2の高周波スイッチ回路12では、スルーFET21がオフであっても、オフ容量を介して漏れ電流が生じるが、この漏れ電流をシャントFET22に流すようにしている。
【0023】
図1には、2つのスイッチ群2を図示しているが、スイッチ群2の数には特に制限はない。例えば、
図1の上側のスイッチ群2にて選択したポートを使って無線通信を行っている最中に、下側のスイッチ群2にてポートの切替を行う場合、ポートを切り替えた瞬間に、上側のスイッチ群2に接続されたドライバ4に供給される内部電圧発生回路7からの内部電圧Vnが変動するおそれがある。ドライバ4は、内部電圧発生回路7から供給される負側の電源電圧と、不図示の内部電圧発生回路等から供給される正側の電源電圧とを用いて、第1制御信号をレベルシフトさせた第2制御信号を生成する。ところが、ポートを切り替えた瞬間に、スイッチ群2の第2制御信号の負側の電圧レベルが上昇し、その影響で、負側の電源電圧が変動してしまう。負側の電源電圧が変動すると、別のスイッチ群2の第2制御信号の負側の電圧レベルも上昇し、これら別のスイッチ群2の高調波特性や挿入損失が瞬間的に劣化する。このように、ポートを切り替えた瞬間に、ドライバ4から出力される第2制御信号の負側の電圧レベルが上昇するおそれがある。
【0024】
そこで、本実施形態では、各ドライバ4と内部電圧発生回路7との間に遮断回路5を接続して、遮断回路5により、ポートの切替を行っていないスイッチ群2に接続されたドライバ4には、ポートの切替を行ってから所定期間、内部電圧を供給しないようにしている。
【0025】
図1のスイッチ回路1の全体は、1つのICに内蔵してもよい。あるいは、スイッチ制御回路3の全体を1つのICに内蔵し、スイッチ群2は別のICに内蔵してもよい。スイッチ回路1を集積化する場合は、シリコン基板よりもSOI(Silicon On Insulator)基板上に形成するのが望ましい。SOIは、シリコン基板よりも、MOSトランジスタの寄生容量が小さく、また、高周波信号の電力損失が小さいためである。
【0026】
図3は一つの遮断回路5の内部構成の一例を示すブロック図である。
図3の遮断回路5は、レベルシフタ31と、スイッチング素子32とを有する。レベルシフタ31は、制御回路6から出力された遮断制御信号Vcutの電位に応じて、内部電圧発生回路7から供給される内部電位Vnと、不図示の内部回路から供給される内部電位Vnより高い電位、もしくはグランド電位を出力して、スイッチング素子32のゲートに供給する。
【0027】
スイッチング素子32は、例えばNMOSトランジスタである。よって、ゲート電圧が印加されるソースよりも、ゲートが閾値電圧以上高ければ、スイッチング素子32はオンする。
【0028】
例えば、制御信号Vcutがハイレベルで、かつ内部電圧Vnが−3Vの場合は、スイッチング素子32が確実にオフするように、スイッチング素子32の閾値電圧よりも高い電圧レベル(例えば0V前後)まで、制御信号Vcutの電圧レベルをレベルシフトする。これにより、制御信号Vcutがハイレベルの場合は、スイッチング素子32はオフし、内部電圧Vnはドライバ4に供給されなくなる。
【0029】
図4はスイッチ制御回路3内の各部の信号波形図である。
図4は、時刻Tswのときに、
図1の上側のスイッチ群2にてポートの切替を行う例を示している。ポートの切替を行うか否かは、制御回路6により検知する。制御回路6は、デコーダ8への入力制御信号Vc1,Vc2をモニタしており、入力制御信号Vc1,Vc2の論理が変化すると、その論理変化がどのドライバ4に対応するかを識別し、そのドライバ4に接続された遮断回路5に対して、内部電圧Vnの遮断を指示する制御信号Vcut1、Vcut2の信号論理を切り替える。
図4の場合、制御回路6は、時刻Tswで上側のスイッチ群2のポート切替を検知すると、制御信号Vcut2をローからハイに変化させる。これにより、下側のドライバ4に接続された遮断回路5は、所定期間(時刻Tsw1まで)、下側のドライバ4への内部電圧の供給を停止する。所定期間は、数μ秒〜数十μ秒の短い期間であり、この期間内に、ドライバ4の電源電圧ラインに内部電圧発生回路7からの内部電圧Vnが供給されなくても、この電源電圧ラインが急激に変化するおそれはない。
図4の信号波形図では、下側のドライバ4の電源電圧ラインは、時刻Tswの前後でほぼ同電位となっている。
【0030】
一方、ポートの切替を行う
図1の上側のスイッチ群2に対応するドライバ4に接続された遮断回路5は、内部電圧Vnの遮断を行わないため、スイッチ群2のポート切替によって、スイッチ群2の負電位Vn1が急激に上昇し、それに伴って、上側のドライバ4に供給される内部電圧Vnは時刻Tswで急激に上昇する。ただし、この急激な電圧変化は一時的であり、また、ポートを切り替えた直後は無線通信を行わないことから、実用上の問題は起きない。
【0031】
遮断回路5にて内部電圧の供給を停止する所定期間の長さは、内部電圧の電圧レベルやドライバ4の電源電圧ラインの寄生容量などを考慮に入れて、最適な長さに設定するのが望ましい。
【0032】
なお、所定期間が終わった後に、電源電圧ラインの一時的な上昇が全く生じないようにする必要はない。
【0033】
図5は
図4の一変形例による信号波形図である。
図5の場合、遮断回路5にて内部電圧の供給を停止する所定期間が終わった時刻Tsw1で、下側のドライバ4の電源電圧ラインが若干上昇した例を示している。
図5の例では、定常状態の電圧はVn_staticであるのに対し、時刻Tsw1では、Vn_swoffまで若干上昇している。ただし、下側のドライバ4の電源電圧ラインが多少上昇しても、下側のドライバ4で生成される第2制御信号がその後段側のスイッチ群2を正しくオンまたはオフできるのであれば、実用上問題ない。
【0034】
このように、所定期間の長さは、スイッチ群2の切替動作が誤動作を生じない範囲で設定すればよい。
【0035】
図1の制御回路6は、デコーダ8に入力される入力制御信号に基づいて、複数の遮断回路5の遮断タイミングを制御しているが、
図6に示すように、デコーダ8から出力される複数の第1制御信号に基づいて、複数の遮断回路5の遮断タイミングを制御してもよい。複数のスイッチ群2のうち、任意のスイッチ群2がポートの切替を行う場合、複数の第1制御信号のいずれかの信号論理が変化するはずである。よって、制御回路6は、複数の第1制御信号をモニタしていれば、どのドライバ4に接続された遮断回路5を遮断すればよいかを簡易かつ容易に検出できる。
【0036】
ただし、デコーダ8から出力される複数の第1制御信号の信号数は、デコーダ8に入力される入力制御信号の信号数よりもかなり多くなる可能性がある。よって、制御回路6が複数の第1制御信号をモニタする場合は、
図1の場合よりも、制御回路6の入力信号数が増えてしまう。
【0037】
その一方で、
図1の場合、制御回路6は、入力制御信号をデコード処理しなければならず、制御回路6の内部の構成が複雑になってしまう。よって、入力制御信号のビット数や複数の第1制御信号の数などにより、
図1と
図6のいずれかの構成を選択すればよい。
【0038】
また、
図1と
図6の中間的な構成として、
図7のような制御回路6も考えられる。
図7のデコーダ8は、入力制御信号をデコードして複数の第1制御信号を生成するとともに、制御回路6用の第3制御信号を生成する。
図7の制御回路6は、第3制御信号に基づいて、複数の遮断回路5の遮断タイミングを制御する。第3制御信号は、例えば、入力制御信号よりも信号数が多く、複数の第1制御信号よりも信号数が少ない。よって、場合によっては、
図1や
図7よりも、制御回路6の内部構成を簡略化できる。
【0039】
このように、本実施形態では、同時に無線通信を行うことが可能な複数のスイッチ群2のうちいずれかでポートの切替を行う際に、ポートの切替を行わないスイッチ群2に接続されたドライバ4には、所定期間、内部電圧Vnを供給しない。従ってポートの切り替えを行わないスイッチ群2に供給される内部電圧Vnが、ポート切替の影響で大きく変動する不具合が生じなくなる。よって、これら他のドライバ4に接続されたスイッチ群2のオフ歪みを低減でき、スイッチ群2の切替の誤動作が生じなくなる。よって、あるスイッチ群2でポート切替を行う際に他のスイッチ群2の挿入損失が増大しなくなり、高周波特性の劣化も抑制できる。
【0040】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。