(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
請求項1において、前記制御回路は、前記データRAMの最大記憶容量以下の表示ライン数分のデータサイズを1ページとし、外部からの第1フレーム同期信号の周期単位でページ単位のページ書込みアドレスを生成すると共にページ単位でページ内のライン書込みアドレスを生成する書込みアドレスカウンタ回路と、表示動作のための第2フレーム同期信号の周期単位で前記ページ単位のページ読出しアドレスを生成すると共にページ単位でページ内のライン読出しアドレスを生成する読出しアドレスカウンタ回路とを有し、ページ読出しアドレス毎に前記表示駆動期間と前記非表示駆動期間とを交互に生成し、表示駆動期間においてライン読出しアドレスを生成し、非表示駆動期間においてライン読出しアドレスの生成を停止する、ドライバIC。
請求項2において、前記制御回路は、前記ページ書込みアドレス毎に前記データRAMに表示データの書込みを開始するタイミングから所定時間遅延したタイミングで前記データRAMから表示データの読出しを開始し、開始した読出しの終了は当該ページ書込みアドレス単位での書込みの終了後とする、ドライバIC。
請求項3において、前記レジスタ回路は更に、ページ内の先頭の書込みアドレスへの書込み開始からタッチ検出開始までの表示ライン数を制御するためのタッチ検出開始ライン数データ、及びタッチ検出開始ライン数データで決定される表示ライン数の位置からタッチ検出を行って表示リードを開始するまでの表示ライン数を制御するための表示リード開始ライン数データを書き換え可能に保持し、
前記所定時間は、前記タッチ検出開始ライン数データと表示リード開始ライン数データとの和で決まる期間である、ドライバIC。
請求項4において、前記制御回路は、表示フレーム単位で、先頭ページの先頭の書込みアドレスへの書込み開始から表示ライン周期毎に表示ラインのカウントを行うラインカウンタを有し、前記ラインカウンタのカウント値に基づいて前記タッチ検出開始ライン数データによるライン数と前記表示リード開始ライン数データによるライン数とを判別する、ドライバIC。
請求項6において、前記読出し要求のアクセス単位は1表示ライン分の並列データ数を単位とし、前記書込み要求のアクセス単位はバスアクセスの並列データ数を単位とする、ドライバIC。
請求項8において、前記制御回路は、表示フレーム単位で最初の非表示駆動期間に何れか一方のメモリバンクを書込み対象メモリバンクとし、最初の表示駆動期間に他方のメモリバンクを読出し対象メモリバンクとし、夫々のページ切替え毎に、書込み対象メモリバンクと読み出し対象メモリバンクの切替えを行う、ドライバIC。
請求項2において、前記レジスタ回路は更に、駆動する表示ラインの切替え周期である表示パネルの表示ライン周期を制御するための表示ライン周期データ、及び駆動する表示パネルの表示ライン数を制御するための表示ライン数データを書き換え可能に保持する、ドライバIC。
請求項10において、前記制御回路は、前記データRAMの最大記憶容量以下の表示ライン数分のデータサイズを1ページとし、外部からの第1フレーム同期信号の周期単位でページ単位のページ書込みアドレスを生成すると共にページ単位でページ内のライン書込みアドレスを生成する書込みアドレスカウンタ回路と、表示動作のための第2フレーム同期信号の周期単位で前記ページ単位のページ読出しアドレスを生成すると共にページ単位でページ内のライン読出しアドレスを生成する読出しアドレスカウンタ回路とを有し、ページ読出しアドレス毎に前記表示駆動期間と前記非表示駆動期間とを交互に生成し、表示駆動期間においてライン読出しアドレスを生成し、非表示駆動期間においてライン読出しアドレスの生成を停止し、
前記レジスタ回路は更に、ページ内の先頭の書込みアドレスへの書込み開始からタッチ検出開始までの表示ライン数を制御するためのタッチ検出開始ライン数データ、及びタッチ検出開始ライン数データで決定される表示ライン数の位置からタッチ検出を行って表示リードを開始するまでの表示ライン数を制御するための表示リード開始ライン数データを書き換え可能に保持するドライバIC。
請求項11又は12において、前記制御回路は、表示フレーム単位で、先頭ページの先頭の書込みアドレスへの書込み開始から表示ライン周期毎に表示ラインのカウントを行うラインカウンタを有し、前記ラインカウンタのカウント値に基づいて前記タッチインターバル期間データによるタッチインターバル期間のライン数、前記タッチ検出開始ライン数データによるライン数、及び前記表示リード開始ライン数データによるライン数、を判別する、ドライバIC。
請求項14において、前記制御回路は、前記データRAMの最大記憶容量以下の表示ライン数分のデータサイズを1ページとし、外部からの第1フレーム同期信号の周期単位でページ単位のページ書込みアドレスを生成すると共にページ単位でページ内のライン書込みアドレスを生成する書込みアドレスカウンタ回路と、表示動作のための第2フレーム同期信号の周期単位で前記ページ単位のページ読出しアドレスを生成すると共にページ単位でページ内のライン読出しアドレスを生成する読出しアドレスカウンタ回路とを有し、ページ読出しアドレス毎に前記表示駆動期間と前記非表示駆動期間とを交互に生成し、表示駆動期間においてライン読出しアドレスを生成し、非表示駆動期間においてライン読出しアドレスの生成を停止する、表示装置。
【発明を実施するための形態】
【0019】
1.実施の形態の概要
先ず、本願において開示される実施の形態について概要を説明する。実施の形態についての概要説明で括弧を付して参照する図面中の参照符号はそれが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。
【0020】
〔1〕<表示データを書込みよりも速く読出して表示駆動期間と非表示駆動期間を交互に生成>
表示パネル(2)の駆動制御とタッチパネル(3)の検出タイミング制御を行うドライバIC(4)は、表示駆動期間に前記表示パネルを駆動する駆動回路(72)と、前記駆動回路の動作を停止する非表示駆動期間に前記タッチパネルの検出タイミングを生成すると共に前記表示駆動期間と前記非表示駆動期間とを生成する制御回路(20〜60、20A〜50A)と、表示データを1表示フレームに満たない複数表示ライン分保持するデータRAM(70,70A)と、を有する。前記制御回路は、1表示フレームの期間に、外部から供給される表示データを前記データRAMに書込むと共に書込まれた表示データを書込みよりも速い速度で前記データRAMから読み出して駆動回路に与えるためのメモリアドレッシング操作をラップアラウンドに複数回繰返すことにより、前記表示駆動期間と前記非表示駆動期間とを交互に生成する制御を行う。
【0021】
これによれば、1フレーム分のデータRAMを搭載することを要しないからチップサイズが小さくなる。1表示フレームに満たない複数表示ライン分保持するデータRAMを搭載する表示駆動期間と非表示駆動期間においてホストプロセッサとの間で表示データの転送と転送停止との同期制御を行うことを要せず、ホストプロセッサの負担を軽減することができる。1表示フレームの期間に、データRAMへの表示データの書込みと書き込まれた表示データを読出して駆動回路に与えるためのメモリアドレッシング操作をラップアラウンドに複数回繰返すから、1表示フレームに満たないデータRAMを用いる場合でも表示駆動期間と非表示駆動期間とを交互に生成することができる。したがって、チップサイズの小型化とホストプロセッサに対する負担軽減との双方を満足させながら、タッチ検出精度を向上させることができる。
【0022】
〔2〕<前記表示駆動期間及び前記非表示駆動期間の指定>
項1において、前記制御回路は前記ラップアラウンドに繰返すメモリアドレッシング操作のアドレッシング範囲を前記データRAMの最大記憶容量以下の表示ライン数相当のライン数の範囲で制御するタッチインターバル期間データ(TPLINE)を書き換え可能に保持するためのレジスタ回路(20,20A)を有する。
【0023】
これによれば表示パネルの表示解像度及びタッチパネルの検出解像度の種々の構成に柔軟に対応することが可能になる。
【0024】
〔3〕<ページ単位で前記表示駆動期間と前記非表示駆動期間とを交互に生成>
項2において、前記制御回路は、前記データRAMの最大記憶容量以下の表示ライン数分のデータサイズを1ページとし、外部からの第1フレーム同期信号の周期単位でページ単位のページ書込みアドレスを生成すると共にページ単位でページ内のライン書込みアドレスを生成する書込みアドレスカウンタ回路(40,40A)と、表示動作のための第2フレーム同期信号の周期単位で前記ページ単位のページ読出しアドレスを生成すると共にページ単位でページ内のライン読出しアドレスを生成する読出しアドレスカウンタ回路(50,50A)とを有し、ページ読出しアドレス毎に前記表示駆動期間と前記非表示駆動期間とを交互に生成し、表示駆動期間においてライン読出しアドレスを生成し、非表示駆動期間においてライン読出しアドレスの生成を停止する。
【0025】
これによれば、1表示フレームの期間に、データRAMへの表示データの書込みと書き込まれた表示データを読出して駆動回路に与えるためのメモリアドレッシング操作をラップアラウンドに複数回繰返す構成を比較的簡単に実現する事ができる。
【0026】
〔4〕<表示データの書込み開始から遅延させて読出し開始し、書込み終了後に読み出し終了>
項3において、前記制御回路は、前記ページ書込みアドレス毎に前記データRAMに表示データの書込みを開始するタイミングから所定時間(TS_OFS+TS_PRD)遅延したタイミングで前記データRAMから表示データの読出しを開始し、開始した読出しの終了は当該ページ書込みアドレス単位での書込みの終了後とする。
【0027】
これによれば、ページ毎にデータRAMへの書込みに対してアクセスアドレスが重なることなく円滑に読出しを行うことができる。
【0028】
〔5〕<タッチ検出開始ライン数データ(TS_OFS)、及び表示リード開始ライン数データ(TS_PRD)>
項4において、前記レジスタ回路は更に、ページ内の先頭の書込みアドレスへの書込み開始からタッチ検出開始までの表示ライン数を制御するためのタッチ検出開始ライン数データ(TS_OFS)、及びタッチ検出開始ライン数データで決定される表示ライン数の位置からタッチ検出を行って表示リードを開始するまでの表示ライン数を制御するための表示リード開始ライン数データ(TS_PRD)を書き換え可能に保持する。前記所定時間は、前記タッチ検出開始ライン数データと表示リード開始ライン数データとの和で決まる期間である。
【0029】
これによれば、データRAMに対するページ単位の書込み開始を基準にタッチ検出期間(非表示駆動期間)及び表示駆動期間を可変に定義することができる。
【0030】
〔6〕<表示ラインのラインカウンタ>
項5において、前記制御回路は、表示フレーム単位で、先頭ページの先頭の書込みアドレスへの書込み開始から表示ライン周期毎に表示ラインのカウントを行うラインカウンタ(32)を有し、前記ラインカウンタのカウント値に基づいて前記タッチ検出ライン数データによるライン数と前記表示リード開始ライン数データによるライン数とを判別する。
【0031】
これによれば、項4において説明したページ毎にデータRAMへの書込みと読み出しのアクセスアドレスが重ならないこと、項5で説明したデータRAMに対するページ単位の書込み開始を基準にタッチ検出期間を可変に定義することを、ラインカウンタのカウント値を用いることによって比較的簡単に実現することができる。
【0032】
〔7〕<書込み要求と読出し要求が競合するとき書込み要求を優先させる>
項4において、前記データRAMに対する読み出し要求のデータアクセス単位は書込み要求のデータアクセス単位に比べて大きくされる。このとき、前記制御回路は書込み要求と読出し要求が競合したとき書込み要求を優先させる調停回路(60)を有する。
【0033】
これによれば、ホストプロセッサからの書込みを一時停止させたりするような同期制御を一切必要としない。データRAMが完全なデュアルポートを持つ場合にはそのような調停は必要ないが、その場合にはデータRAMの回路規模が倍増するので現実的ではない。
【0034】
〔8〕<書込みと読出しのアクセス単位>
項7において、前記読出し要求のアクセス単位は1表示ライン分の並列データ数を単位とし、前記書込み要求のアクセス単位はバスアクセスの並列データ数を単位とする。
【0035】
これによれば、書込みと読出しが競合して書き込みが優先されても、バスアクセス単位の書き込みの後に表示ライン単位の読み出しが行われるので、ページ単位で既に書込まれた表示データの読み溢しの虞は全くない。
【0036】
〔9〕<複数のメモリバンクに対する表示データの書込みと読出しを交互に切替え>
項2において、前記データRAM(70A)は複数のメモリバンク(BANKA,BANKB)を有する。前記制御回路は、相互にいずれか一方のメモリバンクに対する書込み中に他方のメモリバンクに対する読出しを行い、書込み対象とするメモリバンクと読出し対象とするメモリバンクを交互に切替える。
【0037】
これによれば、書込みと読出しのメモリバンクの切り換えによって一つのメモリバンクに対する書き込みと読出しの競合を排除する事が容易である。
【0038】
〔10〕<書込みと読出しの調停回路不要>
項9において、前記制御回路(20A〜50A)は、表示フレーム単位で最初の非表示駆動期間に何れか一方のメモリバンクを書込み対象メモリバンクとし、最初の表示駆動期間に他方のメモリバンクを読出し対象メモリバンクとし、夫々のページ切替え毎に、書込み対象メモリバンクと読み出し対象メモリバンクの切替えを行う。
【0039】
これによれば、一つのメモリバンクに対して書き込みと読出しが競合することはないので、項7で説明したような調停回路を一切必要としない。
【0040】
〔11〕<表示ライン周期データ(RTN)、及び表示ライン数データ(NL)>
項3において、前記レジスタ回路は更に、駆動する表示ラインの切替え周期である表示パネルの表示ライン周期を制御するための表示ライン周期データ(RTN)、及び駆動する表示パネルの表示ライン数を制御するための表示ライン数データ(NL)を書き換え可能に保持する。
【0041】
これによれば、表示ライン周期及び表示ライン数の異なる種々の表示パネルに容易に対応することができる。
【0042】
〔12〕<ページ単位で表示駆動期間と前記非表示駆動期間とを交互に生成する場合におけるタッチ検出回路ライン数データ(TS_OFS)、及び表示リード開始ライン数データ(TS_PRD)>
項11において、前記制御回路(20〜60)は、前記データRAMの最大記憶容量以下の表示ライン数分のデータサイズを1ページとし、外部からの第1フレーム同期信号の周期単位でページ単位のページ書込みアドレスを生成すると共にページ単位でページ内のライン書込みアドレスを生成する書込みアドレスカウンタ回路(40)と、表示動作のための第2フレーム同期信号の周期単位で前記ページ単位のページ読出しアドレスを生成すると共にページ単位でページ内のライン読出しアドレスを生成する読出しアドレスカウンタ回路(50)とを有し、ページ読出しアドレス毎に前記表示駆動期間と前記非表示駆動期間とを交互に生成し、表示駆動期間においてライン読出しアドレスを生成し、非表示駆動期間においてライン読出しアドレスの生成を停止する。前記レジスタ回路(20)は更に、ページ内の先頭の書込みアドレスへの書込み開始からタッチ検出開始までの表示ライン数を制御するためのタッチ検出開始ライン数データ(TS_OFS)、及びタッチ検出開始ライン数データで決定される表示ライン数の位置からタッチ検出を行って表示リードを開始するまでの表示ライン数を制御するための表示リード開始ライン数データ(TS_PRD)を書き換え可能に保持する。
【0043】
これによれば、1表示フレームの期間に、データRAMへの表示データの書込みと書き込まれた表示データを読出して駆動回路に与えるためのメモリアドレッシング操作をラップアラウンドに複数回繰返す構成を比較的簡単に実現する事ができる。そして、データRAMに対するページ単位の書込み開始を基準にタッチ検出期間(非標示駆動期間)及び表示駆動期間を可変に定義することができる。
【0044】
〔13〕<複数のメモリバンクを用いる場合におけるオフセットライン数データ(TS_OFS)、及び表示リード開始ライン数データ(TS_PRD)>
項11において、前記データRAM(70A)は複数のメモリバンク(BANKA,BANKB)を有する。前記制御回路(20A〜50A)は、相互にいずれか一方のメモリバンクに対する書込み中に他方のメモリバンクに対する読出しを行い、書込み対象とするメモリバンクと読出し対象とするメモリバンクを交互に切替える。このいとき、前記レジスタ回路(20A)は更に、ページ内の先頭の書込みアドレスへの書込み開始からのオフセットを表示ライン数で制御するためのオフセットライン数データ(TS_OFS)、及びオフセットライン数データで決定される表示ライン数の位置から前記タッチインターバル期間データで指定される表示ライン数に達した表示ラインからタッチ検出を行って次の表示リードを開始するまでの表示ライン数を制御するための表示リード開始ライン数データ(TS_PRD)を書き換え可能に保持する。
【0045】
これによれば、書込みと読出しのメモリバンクの切り換えによって一つのメモリバンクに対する書き込みと読出しの競合が排除される。また、データRAMに対するページ先頭の書込みを基準に非表示駆動期間(タッチ検出期間)と表示駆動期間を可変に設定できる。
【0046】
〔14〕<表示ラインのラインカウンタ>
項12又は13において、前記制御回路は、表示フレーム単位で、先頭ページの先頭の書込みアドレスへの書込み開始から表示ライン周期毎に表示ラインのカウントを行うラインカウンタ(32)を有し、前記ラインカウンタのカウント値に基づいて前記タッチインターバル期間データによるタッチインターバル期間のライン数、前記タッチ検出ライン数データによるライン数、及び前記表示リード開始ライン数データによるライン数、を判別する。
【0047】
これによれば、項12で説明したデータRAMに対するページ単位の書込み開始を基準にタッチ検出期間を可変に定義すること、また、項13で説明したデータRAMに対するページ先頭の書込みを基準に非表示駆動期間(タッチ検出期間)を可変に設定でき、データRAMに対するページ先頭の読出しを基準に表示駆動期間を可変に設定できることを、ラインカウンタのカウント値を用いることによって比較的簡単に実現することができる。
【0048】
〔15〕<表示データを書込みよりも速く読出して表示駆動期間と非表示駆動期間を交互に生成>
表示装置は表示パネル(2)にタッチパネル(3)が組み込まれたパネルモジュール(1)と、前記パネルモジュールに搭載され、前記表示パネルの駆動制御と前記タッチパネルの検出制御を行うドライバIC(4)とを有する。前記ドライバICは、表示駆動期間に前記表示パネルを駆動する駆動回路(72)と、前記駆動回路の動作を停止する非表示駆動期間に前記タッチパネルの検出制御を行なうタッチパネルコントローラ(11)と、表示データを1表示フレームに満たない複数表示ライン分保持するデータRAM(70,70A)と、1表示フレームの期間に、外部から供給される表示データを前記データRAMに書込むと共に書込まれた表示データを書込みよりも速い速度で前記データRAMから読み出して駆動回路に与えるためのメモリアドレッシング操作をラップアラウンドに複数回繰返すことにより、前記表示駆動期間と前記非表示駆動期間とを交互に生成する制御を行う制御回路(20〜60、20A〜50A)とを有する。
【0049】
これによれば、1フレーム分のデータRAMを搭載することを要しないからドライバICのチップサイズが小さくなり、パネルモジュールの小型化に寄与する。1表示フレームに満たない複数表示ライン分保持するデータRAMを搭載する表示駆動期間と非表示駆動期間におじてホストプロセッサとの間で表示データの転送と転送停止との同期制御を行うことを要せず、ホストプロセッサの負担を軽減することができる。1表示フレームの期間に、データRAMへの表示データの書込みと書き込まれた表示データを読出して駆動回路に与えるためのメモリアドレッシング操作をラップアラウンドに複数回繰返すから、1表示フレームに満たないデータRAMを用いる場合でも表示駆動期間と非表示駆動期間とを交互に生成することができる。したがって、チップサイズの小型化とホストプロセッサに対する負担軽減との双方を満足させながら、タッチ検出精度を向上させることができる。
【0050】
〔16〕<ページ単位で前記表示駆動期間と前記非表示駆動期間とを交互に生成>
項15において、前記制御回路は、前記データRAM(70,70A)の最大記憶容量以下の表示ライン数分のデータサイズを1ページとし、外部からの第1フレーム同期信号の周期単位でページ単位のページ書込みアドレスを生成すると共にページ単位でページ内のライン書込みアドレスを生成する書込みアドレスカウンタ回路(40,40A)と、表示動作のための第2フレーム同期信号の周期単位で前記ページ単位のページ読出しアドレスを生成すると共にページ単位でページ内のライン読出しアドレスを生成する読出しアドレスカウンタ回路(50,50A)とを有し、ページ読出しアドレス毎に前記表示駆動期間と前記非表示駆動期間とを交互に生成し、表示駆動期間においてライン読出しアドレスを生成し、非表示駆動期間においてライン読出しアドレスの生成を停止する。
【0051】
これによれば、1表示フレームの期間に、データRAMへの表示データの書込みと書き込まれた表示データを読出して駆動回路に与えるためのメモリアドレッシング操作をラップアラウンドに複数回繰返す構成を比較的簡単に実現する事ができる。
【0052】
〔17〕<複数のメモリバンクに対する表示データの書込みと読出しを交互に切替え>
項15において、前記データRAM(70A)は複数のメモリバンク(BANKA,BANKB)を有する。前記制御回路(20A〜50A)は、相互にいずれか一方のメモリバンクに対する書込み中に他方のメモリバンクに対する読出しを行い、書込み対象とするメモリバンクと読出し対象とするメモリバンクを交互に切替える。
【0053】
これによれば、書込みと読出しのメモリバンクの切り換えによって一つのメモリバンクに対する書き込みと読出しの競合を排除する事が容易である。
【0054】
2.実施の形態の詳細
実施の形態について更に詳述する。
【0055】
《表示装置》
図2にはパネルモジュール1とこれを駆動するドライバIC4を備えた表示装置が例示される。パネルモジュール1は表示パネル2にタッチパネル3が組み込まれた所謂インセル形態で構成され、例えばガラス基板上にTFTと画素電極をマトリクス状に配置したTFTアレイ基板を有し、その上に、液晶層、画素電極に対するコモン電極層、カラーフィルタ、及びタッチ検出容量、タッチ検出電極、及び表面ガラスなどが積層されて構成される。
図2では便宜上、表示パネル2とタッチパネル3を左右に分離して図示しているが、実際には両者は重ねられている。
【0056】
図2に従えば、表示パネル2は、例えば、交差配置された走査電極GL1〜GLmk(m、kは正の整数)と信号電極SL1〜SLj(jは正の整数)の各交点にTFTと呼ばれる薄膜トランジスタTrが配置され、薄膜トランジスタTrのゲートに対応する走査電極GL1〜GLmk、薄膜トランジスタTrのソースに対応する信号電極SL1〜SLjが設けられ、そして薄膜トランジスタTrのドレインにはコモン電極VCOMとの間にサブピクセルとなる液晶素子及び蓄積コンデンサ(図では液晶素子及び蓄積コンデンサを1個のコンデンサCpxで代表する)が形成されて、各画素が形成される。走査電極GL1〜GLmkの夫々に沿った画素のラインを表示ラインと称する。表示制御では順次走査電極GL1〜GLmkが駆動され、走査電極単位で薄膜トランジスタTrがオン状態にされることで、ソースとドレイン間に電流が流れ、そのとき信号電極SL1〜SLjを介してソースに加えられている各々の信号電圧が液晶素子Cpxに印加されることによって液晶の状態が制御される。
【0057】
タッチパネル3は、静電容量方式とされ、例えば、交差配置された駆動電極TX1〜TXmと検出電極RX1〜RXnの交差位置に多数のタッチ検出容量Ctpがマトリクス状に形成されている。特に制限されないが、
図2ではk本の表示ライン単位でコモン電極をm個に分割し、対応する駆動電極TX1〜TXmと共通化して、パネルモジュール1の薄型化を図っている。駆動電極TX1〜TXmを順次駆動したときタッチ検出容量Ctpを介して検出電極RX1〜RXnに電位変化が現れ、この電位変化を検出電極RX1〜RXn毎に積分することによって検出信号を形成することができる。検出容量の近傍に指があるとその浮遊容量によって検出容量Ctpとの合成容量値が小さくなり、この容量値の変化に応じた検出信号の相違によってタッチと非タッチを区別するようになっている。表示パネル2に重ねられたタッチパネル3を用いることによって、液晶パネル2の画面表示に応じてタッチパネル3で行われるタッチ操作によるタッチ座標からその操作を判別可能になる。
【0058】
ドライバIC4は、表示パネル2に対する駆動制御及びタッチパネル3に対する検出制御を行なうコントローラデバイスもしくはドライバデバイスとして機能される。このドライバIC4は上記パネルモジュールのTFT基板にCOG(Chip on Glass)などの形態で実装されている。ドライバIC4は、例えばパネルモジュール1をユーザインタフェースとして搭載するスマートフォンなどの情報端末装置のホストプロセッサ(HSTMCU)5に接続され、ホストプロセッサ5との間で、動作コマンド、表示データ、タッチ検出座標データなどの入出力が行なわれる。
【0059】
ドライバIC4は、特に制限されないが、表示ドライバ(LCDDRV)10、及びタッチパネルコントローラ(TPC)11を搭載して半導体集積回路化されている。半導体集積回路化されたドライバIC4は、例えば、CMOS集積回路製造技術などによって単結晶シリコンなどの半導体基板に形成されている。特に制限されないが、
図2の例では、走査電極GL1〜GLmkを駆動する回路はゲートドライバ(GDRV)6として液晶パネル2に搭載される。ドライバIC4は垂直同期信号などのフレーム同期信号に同期して信号電極SL1〜SLjを駆動すると共に、ゲートドライバIC6に走査電極GL1〜GLmkの駆動タイミングなどを与える。ゲートドライバIC6はドライバIC4から与えられたタイミングにしたがって走査電極GL1〜GLmkの駆動を行う。
【0060】
表示ドライバ10は、一つの表示フレーム期間の中を、表示駆動期間及び非表示駆動期間に分けて表示パネル2を制御する。例えば走査電極GL1〜GLmkをk×i(iは正の整数)本単位でm/i個のブロックに分割してm/i個の表示駆動期間に分割し、分割された表示駆動期間毎に対応するブロックのk×i本の走査電極を順番に駆動し、各走査電極の駆動タイミングに合わせて対応する表示ラインの表示データで信号電極SL1〜SLjを駆動する。表示ドライバ10は表示駆動期間に対応するブロックの走査電極に対する駆動タイミングをゲートドライバ6に与える。また、表示ドライバ10は非表示駆動期間において信号電極SL1〜SLjの駆動を停止し、タッチパネルコントローラ11にタッチ検出動作可能であることを通知する。タッチパネルコントローラ11は非表示駆動期間毎に、駆動電極TX1〜TXmの内の所定範囲を順次駆動してタッチ検出容量Ctpを介して検出電極RX1〜RXnに現れる電位変化を積分することによって検出信号を形成し、取得した検出信号をホストプロセッサ5に与える。
【0061】
ここで、表示ドライバ10は信号電極SL1〜SLjの駆動に用いる表示データを一時的に保持するメモリとして1表示フレームンに満たない記憶容量のRAMを利用し、1表示フレームの期間に、ホストプロセッサから供給される表示データをそのRAMに書込むと共に書込まれた表示データを書込みよりも速い速度でRAMから読み出すためのメモリアドレッシング操作をラップアラウンドに複数回繰返すことにより、前記表示駆動期間と前記非表示駆動期間とを交互に生成する制御を行う。以下その制御機能の詳細について説明する。
【0062】
≪表示ドライバの第1の例≫
図1には表示ドライバ10の構成が例示される。表示ドライバ10は、レジスタ回路20、タイミングコントローラ30、RAMライト制御回路40、表示リード制御回路50、調停回路60、パーシャルRAM70、ラインラッチ71、ソース駆動回路72、及びゲートドライバIC6にゲート駆動タイミング信号などを供給するゲート駆動回路73を有する。
【0063】
パーシャルRAM70は表示データを1表示フレームに満たない複数表示ライン分保持するデータRAMの一例である。
【0064】
レジスタ回路20、タイミングコントローラ30、RAMライト制御回路40、表示リード制御回路50、及び調停回路60は、1表示フレームの期間に、ホストプロセッサ5から供給される表示データをパーシャルRAM70に書込むと共に書込まれた表示データを書込みよりも速い速度でパーシャルRAM70から読み出してソース駆動回路72に与えるためのメモリアドレッシング操作をラップアラウンドに複数回繰返すことにより、前記表示駆動期間と前記非表示駆動期間とを交互に生成する制御を行う制御回路の一例である。
【0065】
タッチパネルコントローラ11はタイミングコントローラ80、タッチ検出信号ドライバ81、タッチ状態検出回路82、及びメモリ83を有する。タッチ検出信号ドライバ81は駆動電極TX1〜TXmを順次駆動する。タッチ状態検出回路82はタッチ検出信号ドライバ81で駆動電極TX1〜TXmを順次駆動したときタッチ検出容量Ctpを介して検出電極RX1〜RXnに現れる電位変化を検出電極RX1〜RXn毎に積分して検出データを生成する回路である。メモリ83は前記検出データを蓄積し、蓄積した検出データはホストプロセッサ5によるタッチ座標の演算に供される。
【0066】
図3及び
図4には表示ドライバによる動作制御タイミングが例示される。両図のタイミングは時刻T6−5の前後で接続するように部分的に重複するように作図されている。
図3及び
図4においてカウント値LINECNT及び表示リードアドレスに代表されるカウント値及びアドレス値は0から始まるディジタル値を想定してその値を図示してある。これに対し、転送データ及びドライバ出力に付された番号は1から始まる表示ラインを想定してその値を図示してある。
【0067】
図1、
図3及び
図4に基づいて表示ドライバ10を詳細に説明する。ここでは、表示ライン(単にラインとも記す)が32ラインの表示パネル2において、表示ドライバ10に8ライン分のパーシャルRAM70を搭載した場合を例に挙げて説明する。
【0068】
8ライン分のパーシャルRAM70に対する書込みと読出しは8ライン分のページ単位で行う。RAMライト制御回路40及び表示リード制御回路50はページ単位でパーシャルRAMのアクセスアドレスを生成する。
【0069】
RAMライト制御回路40はRAMライトタイミングコントローラ41、RAMライトアドレスカウンタ42、PDバッファ43、及びRAMライトページカウンタ44を有する。RAMライトタイミングコントローラ41はホストプロセッサ5から垂直同期信号HOST_VSYNC,水平同期信号HOST_HSYNC,データイネーブル信号HOST_DE,及び表示データHOST_PDを入力してパーシャルRAM70の書込み制御を行う。RAMライトアドレス(パーシャルRAM70のライトアクセスアドレス)の上位側アドレスはRAMライトページカウンタ44のカウント値(RAMライトページアドレス;ページ書込みアドレス)であり、その下位側アドレスはRAMライトアドレスカウンタ42のカウント値(RAMライトアドレス)である。
【0070】
表示リード制御回路50は表示リードタイミングコントローラ51、表示リードアドレスカウンタ52、表示リードページカウンタ53を有する。表示リードタイミングコントローラ51はタイミングコントローラ30から垂直同期信号DISP_VSYNC,水平同期信号DISP_HSYNC,ラインカウント値LINECNT,及び表示駆動期間信号DISP_PRDを入力してパーシャルRAM70の読み出し制御を行う。RAMリードアドレス(パーシャルRAM70のリードアクセスアドレス)の上位側アドレスは表示リードページカウンタ53のカウント値(表示リードページアドレス;ページ読出しアドレス)であり、その下位側アドレスは表示リードアドレスカウンタ52のカウント値(表示リードアドレス)である。
【0071】
RAMライトと表示リードは非同期であり、調停回路60はパーシャルRAM70に対するライトアクセス要求とリードアクセス要求の競合を調停する。例えば、調停回路60はRAMライトタイミングコントローラコントローラ41からの書込み要求を、表示リードタイミングコントローラ51からの読み出し要求よりも優先して許可する。調停回路60によるタイミング調整は書き込み、読み出しの何れに対してもキャンセルするものではない。
【0072】
レジスタ回路20はタッチ検出開始ライン数データ(TS_OFS)、表示リード開始ライン数データ(TS_PRD)、表示ライン周期データ(RTN)、表示ライン数データ(NL)、及びタッチインターバル期間データ(TPLINE)を書換え可能に保持する。その書換えは例えばホストプロセッサ5によって行われる。
【0073】
タッチ検出開始ライン数データ(TS_OFS)はページ内の先頭の書込みアドレスへの書込み開始からタッチ検出開始までの表示ライン数を制御するための制御データである。表示リード開始ライン数データ(TS_PRD)はタッチ検出開始ライン数データで決定される表示ライン数の位置からタッチ検出を行って表示リードを開始するまでの表示ライン数を制御するための制御データである。
図3及び
図4から明らかなように、前記RAMライトページアドレス(ページ書込みアドレス)毎に前記パーシャルRAM70に表示データの書込みを開始するタイミングから所定時間(TS_OFS+TS_PRD)遅延したタイミングでパーシャルRAM70から表示データの読出しを開始する。開始した読出しの終了は当該ページ書込みアドレス単位での書込みの終了後とする。
【0074】
表示ライン周期データ(RTN)は駆動する表示ラインの切替え周期である表示パネルの表示ライン周期を制御するための制御データである。
【0075】
表示ライン数データ(NL)は駆動する表示パネルの表示ライン数を制御するための制御データである。
【0076】
タッチインターバル期間データ(TPLINE)は幾つの表示ライン毎にタッチ期間を挿入するかを制御するための制御データである。
【0077】
ページ数演算回路22はRAMライトページ数(=表示リードページ数)PAGEMAXを演算する。NL/TPLINEに余りがある場合、1ページ追加して最終ページに余りを割り当てる。また、複数のページに数ラインずつ余りを割り当ててもよい。すなわち、“PAGEMAX=(NL/TPLINE)+{(NL/TPLINE)に余りがあれば+1}”とする。
【0078】
表示ライン数演算回路21は1フレームにおいて表示ライン周期カウンタ32でカウントするLINECNTの最大カウント値LINECNTMAXを演算する。すなわち、“LINECNTMAX=NL+(TS_OFS+TS_PRD)×PAGEMAX+TPLINE”とする。
【0079】
表示ライン周期カウンタ31は周期データ(RTN)による周期の水平同期信号DISP_HSYNCを出力する。表示ラインカウンタ32は1フレーム単位でパーシャルRAM70の書き込み開始後に水平同期信号DISP_HSYNCのクロック数をLINECNTMAXまでカウントして表示ラインカウント値LINECNTを生成する。表示リード期間生成回路33はTS_OFS,TS_PRD,DISP_HSYNC,LINECNTに基づいて表示駆動期間信号DISP_PRDを生成する。
【0080】
表示リードタイミングコントローラ51は、パーシャルRAM70に保持したデータを、パーシャルRAM70の各ページの先頭ラインのデータ書き込みが始まってから、TS_OFS+TS_PRDの後に表示出力開始し、TPLINEの期間だけ表示リードしてから再びTS_OFS+TS_PRDの期間だけ表示リードを停止する動作を+PAGEMAXによる回数だけ繰り返す。この表示リードタイミングコントローラ51は、ホストプロセッサ5の表示データ書き込み速度より十分速い速度でパーシャルRAM70から表示データを読み出して表示駆動を可能にする。RAMライト速度に対して表示リード速度が早ければ早いほど、タッチセンシング期間TS_PRDを確保できるが、遅れてアドレスカウントされる表示リードアドレスはRAMライトアドレスを追い越してはならない。表示データの読み出しは、
図3及び
図4に示す表示リードアドレスと表示ライトアドレスが交わらないように表示リード停止期間と表示リード期間を交互に繰り返しながら断続的に表示動作が行われる。
【0081】
表示データ書き込み、表示リードが可能な1フレームの画像サイズに満たないパーシャルRAMで、RAMライト用のカウンタ42,44と表示リード用のカウンタ52,53により、1フレーム内に複数回メモリ全面を書き込み、読み出しを行うことができる1ページで使用するパーシャルRAM70のライン数はTGPLINEの設定値で調整することができる。
【0082】
図3及び
図4において、ホストプロセッサ5から図のT6−1〜T6−12の間に連続的に送信される表示データは、順に表示ドライバ10内のパーシャルRAM70に蓄積される。パーシャルRAM70のRAMライトアドレスが0hから最大値の7hまでインクリメントした後は、RAMライトアドレスはリセットされ、再び0hからインクリメントされる。RAMライト用のカウンタ42,44は垂直同期信号HOST_VSYNCでリセットされる。パーシャルRAM70の書込みは、PAGEMAXの最終頁におけるパーシャルRAM70のライン数(TPLINEが示すライン数に等しい)まで継続され、フレームを跨がずにさらに表示データ書き込みが発生した場合は、書き込みデータを無視する。
【0083】
図3及び
図4において、1フレームごとにパーシャルRAM70に対して複数回表示リード停止期間、表示リード期間の順に断続的なデータを読み出しが行われる。表示リード停止期間は、
図3及び位
図4における時刻T6−1〜T6−2,T6−4〜T6−5,T6−7〜T6−8,T6−10〜T6−11である。表示リード期間は、時刻T6−2〜T6−4,T6−5〜T6−7,T6−8〜T6−10,T6−11〜T6−13である。表示リード停止期間は非表示駆動期間に対応される。すなわち、パーシャルRAM70から読み出された表示リードデータは1ラインだけラインラッチ71で同期を取った後にソース駆動回路72に供給されて表示パネル2を駆動する。パーシャルRAM70の読出し開始からソース駆動回路72の駆動開始までにDISP_HSYNCの1サイクル分の動作遅延がある。したがって、表示リード停止期間と非表示駆動期間との開始タイミングにはDISP_HSYNCの1サイクル分の動作遅延がある。ちなみに表示駆動期間はTPLINEの期間に対応される。このようにして、表示ドライバ10は非表示駆動、表示駆動を交互に繰り返しながらソース駆動回路72で表示パネル2の信号電極SL1〜SLjを駆動し、信号電極SL1〜SLjの駆動、駆動停止に合わせてゲート駆動回路73にゲートドライバに対する動作、停止を交互に繰り返す。
【0084】
表示ドライバ10は表示フレーム、表示ラインを示すDISP_VSYNC,DISP_HSYNC、表示期間を示すDISP_PRD、及びパーシャルRAM70の表示リードタイミングでトグルするタイミング信号TEをホストプロセッサ5へ返す。ホストプロセッサ5はこれらの信号を必要に応じて参照することにより表示ドライバ10の表示リードタイミングを確認しながら表示データを送信することができる。
【0085】
図1のドライバIC10によれば以下の作用効果を得る。
【0086】
(1)1表示フレームの期間に、表示データをパーシャルRAM70に書込むと共に書込まれた表示データを書込みよりも速い速度でパーシャルRAM70から読み出してソース駆動回路72に与えるためのメモリアドレッシング操作をラップアラウンドに複数回繰返すことにより、表示駆動期間と前記非表示駆動期間とを交互に生成する。
図5の(A)乃至(C)にはこの駆動形態を凝縮して示してある。
【0087】
これにより、1フレーム分のRAMを搭載することを要しないからチップサイズが小さくなる。
図6の(A)乃至(C)には1フレーム分のRAMを用いて表示駆動期間と前記非表示駆動期間とを交互に生成する駆動形態を概略的に示してある。
【0088】
1表示フレームに満たない複数表示ライン分保持するパーシャルRAM70を搭載する表示駆動期間と非表示駆動期間においてホストプロセッサ5との間で表示データの転送と転送停止との同期制御を行うことを要せず、ホストプロセッサ5の負担を軽減することができる。
図7の(A)乃至(C)にはRAMを搭載しない代わりにホストプロセッサ5との間で表示データの転送と転送停止との同期制御を行うことによって表示駆動期間と前記非表示駆動期間とを交互に生成する駆動形態を概略的に示してある。
【0089】
1表示フレームの期間に、パーシャルRAM70への表示データの書込みと書き込まれた表示データを読出してソース駆動回路72に与えるためのメモリアドレッシング操作をラップアラウンドに複数回繰返すから、1表示フレームに満たないパーシャルRAM70を用いる場合でも表示駆動期間と非表示駆動期間とを交互に生成することができる。したがって、チップサイズの小型化とホストプロセッサ5に対する負担軽減との双方を満足させながら、タッチ検出精度を向上させることができる。
【0090】
(2)前記ラップアラウンドに繰返すメモリアクセス操作のアドレッシング範囲をパーシャルRAM70の最大記憶容量以下の表示ライン数相当のライン数の範囲で制御する制御データTGPLINEの設定値で調整することができる。換言すれば、1フレーム内に複数回メモリ全面を書き込み、読み出しを行うことができる1ページで使用するパーシャルRAM70のライン数は制御データTGPLINEの設定値で調整することができる。したがって、表示パネルの表示解像度及びタッチパネルの検出解像度の種々の構成に柔軟に対応することが可能になる。
【0091】
(3)RAMライト用のアドレスカウンタ42,44と表示リード用のカウンタ52,53を用いて、ページ単位で前記表示駆動期間と前記非表示駆動期間とを交互に生成するから、1表示フレームの期間に、データRAMへの表示データの書込みと書き込まれた表示データを読出して駆動回路に与えるためのメモリアドレッシング操作をラップアラウンドに複数回繰返す構成を比較的簡単に実現する事ができる。
【0092】
(4)ページ書込みアドレス毎に前記パーシャルRAM70に表示データの書込みを開始するタイミングから所定時間(TS_OFS+TS_PRD)遅延したタイミングでパーシャルRAM70から表示データの読出しを開始し、開始した読出しの終了は当該ページ書込みアドレス単位での書込みの終了後とするから、ページ毎にパーシャルRAM70への書込みに対してアクセスアドレスが重なることなく円滑に読出しを行うことができる。上記所定期間は、夫々可変可能なタッチ検出開始ライン数データ(TS_OFS)、及び表示リード開始ライン数データ(TS_PRD)によって決定するから、パーシャルRAM70に対するページ単位の書込み開始を基準にタッチ検出期間(非表示駆動期間)及び表示駆動期間を可変に定義することができる。
【0093】
(5)パーシャルRAM70に対する書込み要求と読出し要求が競合するとき調停回路60によって書込み要求を優先させるから、ホストプロセッサ5からの書込みを一時停止させたりするような同期制御を一切必要としない。パーシャルRAM70が完全なデュアルポートを持つ場合にはそのような調停は必要ないが、その場合にはパーシャルRAMの回路規模が倍増するので現実的ではない。
【0094】
(6)パーシャルRAM70に対する読出し要求のアクセス単位を1表示ライン分の並列データ数を単位とし、書込み要求のアクセス単位をバスアクセスの並列データ数を単位とするから、書込み期間に比べて表示リード期間が短い上に書込みと読出しが競合したとき書き込みを優先させても、バスアクセス単位の書き込みの後に表示ライン単位の読み出しが行われるので、ページ単位で既に書込まれた表示データの読み溢しの虞は全くない。
【0095】
(7)可変可能な表示ライン周期データ(RTN)、及び表示ライン数データ(NL)によって表示ラインの切替え周期と表示パネルの表示ライン数を制御するから、表示ライン周期及び表示ライン数の異なる種々の表示パネルに容易に対応することができる。
【0096】
《表示ドライバの第2の例》
図8には表示ドライバの別の例が示される。ここに示される表示ドライバ10Aは、パーシャルRAM70Aが第1のメモリバンクBANKAと第2のメモリバンクBANKBとを備え、ホストプロセッサ5からのデータ書き込み用と表示パネルへの読み出し用に第1のメモリバンクBANKAと第2のメモリバンクBANKBとを切替えて相互に書込みと読出しを排他的に行うように構成した点が
図1の表示ドライバ10と相違される。
図9及び
図10には表示ドライバ10Aによる動作制御タイミングが例示される。両図のタイミングは時刻T8−7の前後で接続するように部分的に重複するように作図されている。
図8、
図9及び
図10に基づいて表示ドライバ10Aが
図1の表示ドライバと相違する点について詳細に説明する。ここでは、表示ラインが32ラインの表示パネル2において、表示ドライバ10に夫々8ライン分のメモリバンクBANKA,BANKBを持つパーシャルRAM70Aを搭載した場合を例に挙げて説明する。
【0097】
パーシャルRAM70Aは1フレーム内に複数回メモリ全面を書き込み、読み出しすることができることは
図1の場合と同様である。パーシャルRAM70Aの第1のメモリバンクBANKAと第2のメモリバンクBANKBはライトと表示リードを同時発生できないため、BANKAとBANKBにおいて、書き込みアクセス期間と読み出しアクセス期間を交互に繰り返しながら書き込み、読み出しを行う。1ページで使用するパーシャルRAMのライン数、即ち各メモリバンクBANKA,BANKBのライン数は制御データTPLINEで調整することができる。
【0098】
レジスタ回路20Aはオフセットライン数データ(TS_OFS)による制御の意義が異なる。即ち、オフセットライン数データ(TS_OFS)はページ内の先頭の書込みアドレスへの書込み開始からのオフセットを表示ライン数で制御するための制御データである。表示リード開始ライン数データ(TS_PRD)はオフセットライン数データで決定される表示ライン数の位置から前記タッチインターバル期間データで指定される表示ライン数に達した表示ラインからタッチ検出を行って次の表示リードを開始するまでの表示ライン数を制御するための制御データである。その他の制御データの意義は
図1の場合と変わりない。これに伴って、1フレームにおいて表示ライン周期カウンタ32でカウントするLINECNTの最大カウント値LINECNTMAXの演算内容が、“LINECNTMAX=TS_OFS+(TPLINE+TS_PRD)×PAGEMAX”に変更される。
【0099】
タイミングコントローラ30Aはオフセットライン数データ(TS_OFS)及び表示リード開始ライン数データ(TS_PRD)の意義の相違により、
図9及び
図10に例示されるようにDISP_VSYNC,DISP_PRDの生成タイミングが
図1とは相違される。即ち、ページ書き込みが開始されるとTS_OFS+TPLINEで指定されるライン数を経過するタイミングでタッチ検出が開始され、ページ読出しが開始されるとTS_OFSで指定されるライン数を経過するタイミングで表示駆動が開始される。
【0100】
RAMライト制御回路40Aはライトバンク選択信号WRBANKSELを生成し、RAMライトページアドレスの初期値0hを基点にBANKAを選択し、RAMライトページアドレスの+1インクリメント毎にメモリバンクの選択を切替えていく。RAMリード制御回路50Aはリードバンク選択信号RDBANKSELを生成し、RAMリードページアドレスの初期値0hを基点にBANKAを選択し、RAMリードページアドレスの+1インクリメント毎にメモリバンクの選択を切替えていく。RAMリード頁の切替えはRAMライトページの切替えに対して1ページ分遅延される。即ち、信号DISP_PRDの最初のイネーブルタイミングは先頭ページに対するRAMライト期間経過後になる。したがって、書込みと読出しに割り当てられるメモリバンクはページ毎に第1メモリバンクBANKAと第2メモリバンクBANKBとの間で交互に切替えられる。RAMライト制御回路40A及びRAMリード制御回路50Aのその他の構成は
図1と同様である。
【0101】
図9及び
図10において、ホストプロセッサ5から図のT8−1〜T8−12の間に連続的に送信される表示データを、順に表示ドライバ10A内のパーシャルRAM70AのメモリバンクBANKA,BANKBに蓄積する。メモリバンクBANKAが書き込み状態のとき、メモリバンクBANKBは読み出し可能な状態となり、メモリバンクBANKBが書き込み状態のとき、メモリバンクBANKAは読み出し可能な状態となる。パーシャルRAM70AのRAMライトアドレスが0hから最大の7hまでインクリメントした後は、RAMライトアドレスはリセットされ、再び0hからインクリメントする。このとき、ライトバンク選択信号WRBANKSELの選択指示をBANKAからBANKB、またはBANKBからBANKAに切り替え、連続して同じメモリバンクに書き込みアクセスしないように制御される。
【0102】
図9及び
図10において、表示リード停止期間と表示リード期間が順に繰返される。表示リード停止期間は、図の時刻T8−1〜T8−3、T8−4〜T8−6、T8−8〜T8−10で示され、表示リード期間は、図の時刻T8−3〜T8−4、T8−6〜T8−8、T8−10〜T8−11で示され、表示リード停止期間が非表示駆動期間に対応される。パーシャルRAM70Aの表示リードアドレスが0hから最大値の7hまでインクリメントした後は、表示リードアドレスはリセットされ、再び0hからインクリメントする。このとき、リードバンク選択信号RDBANKSELの選択指示をBANKAからBANKB、またはBANKBからBANKAに切り替え、連続して同じメモリバンクに読み出しアクセスしないように制御される。
【0103】
ラインラッチ71、ソース駆動回路72、ゲート駆動回路73は
図1と同様である。ホストプロセッサ5が表示ドライバ10Aの表示リードタイミングを確認するため信号は
図1のTEに対して、パーシャルRAM70AのBANKAの表示リードタイミングでトグルするTE_AとBANKBの表示リードタイミングでトグルするTE_Bに分けた点が相違される。
【0104】
その他の構成については
図1の場合と同様であるからそれと同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
【0105】
図9のドライバIC10Aによれば以下の作用効果を得る。
【0106】
(1)1表示フレームの期間に、表示データを2メモリバンク構成のパーシャルRAM70Aに書込むと共に書込まれた表示データを書込みよりも速い速度でパーシャルRAM70Aから読み出してソース駆動回路72に与えるためのメモリアドレッシング操作をラップアラウンドに複数回繰返すことにより、表示駆動期間と前記非表示駆動期間とを交互に生成する。
図11の(A)乃至(C)にはこの駆動形態を凝縮して示してある。これにより
図1と同様に、1フレーム分のRAMを搭載することを要しないからチップサイズが小さくなる。また、1表示フレームに満たない複数表示ライン分保持するパーシャルRAM70を搭載する表示駆動期間と非表示駆動期間においてホストプロセッサ5との間で表示データの転送と転送停止との同期制御を行うことを要せず、ホストプロセッサ5の負担を軽減することができる。さらに、1表示フレームの期間に、パーシャルRAM70Aへの表示データの書込みと書き込まれた表示データを読出してソース駆動回路72に与えるためのメモリアドレッシング操作をラップアラウンドに複数回繰返すから、1表示フレームに満たないパーシャルRAM70Aを用いる場合でも表示駆動期間と非表示駆動期間とを交互に生成することができる。したがって、チップサイズの小型化とホストプロセッサ5に対する負担軽減との双方を満足させながら、タッチ検出精度を向上させることができる。
【0107】
(2)パーシャルRAM70Aに複数のメモリバンクBANKA,BANKBを用意し、双方に対する表示データの書込みと読出しを交互に切替えて行う。これによれば、書込みと読出しのメモリバンクの切り換えによって一つのメモリバンクに対する書き込みと読出しの競合を排除する事が容易である。したがって、一つのメモリバンクに対して書き込みと読出しが競合することはないので、
図1の例のような調停回路60を一切必要としない。
【0108】
(3)複数のメモリバンクBANKA,BANKBを用いる場合においてオフセットライン数データ(TS_OFS)、表示リード開始ライン数データ(TS_PRD)、及びタッチインターバル期間データ(TPLINE)が可変可能であるから、パーシャルRAM70Aに対するページ先頭の書込みを基準に非表示駆動期間(タッチ検出期間)と表示駆動期間を可変に設定できる。
【0109】
その他の主な作用効果は
図1の場合と同様である
本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【0110】
例えば、表示パネルは液晶を用いるものに限定されず、エレクトロルミネッセンスを応用した表示パネルなどの別の表示パネルであってよい。タッチパネルは相互容量検出方式に限定されず表示パネルの駆動ノイズを問題視する構造であれば何でも良い。また、パネルモジュールはインセル形態に限定されず表示パネルにタッチパネルを重ね構造など他の構造であってよい。
【0111】
ドライバICは
図2で説明したように表示ドライバ(LCDDRV)、及びタッチパネルコントローラ(TPC)から成る構成に限定されず、タッチ座標演算に特化してホストプロセッサの負担軽減に資するサブプロセッサなどのその他の回路モジュールを含んでも良い。また、タッチパネルコントローラを含ます、そのタイミング制御信号を外付けのタッチパネルコントローラに出力可能な構成であってもよい。また、ドライバICを用いる表示装置は携帯型であるか非携帯型であるかを問わない。
【0112】
データRAMはシングルポートに限定されず、擬似マルチポート型であってもよい。
【0113】
レジスタ回路は必ずしもホストプロセッサによって書き換え可能であることに限定されない。例えば不揮発性レジスタの場合には、テスト端子を介して書き換え可能であってもよい。
【0114】
書込みアドレスカウンタ回路と、読出しアドレスカウンタ回路とはそれぞれページカウンタとアドレスカウンタを別々に持つことに限定されず、一つのカウンタの上位側と下位側で構成できることは言うまでもない。
【0115】
パーシャルRAMに対する読み出し単位はバスアクセスの並列データ数に限定されず、書込み要求のデータアクセス単位は1表示ライン分の並列データ数に限定されず、適宜変更可能である。
【0116】
パーシャルRAMのメモリバンクは2バンクに限定せず、それ以上であってもよい。