特許 6282844 薄膜付き基板及び転写用マスクの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6282844

(24)【登録日】2018年2月2日

(45)【発行日】2018年2月21日

(54)【発明の名称】薄膜付き基板及び転写用マスクの製造方法

(51)【国際特許分類】

   G03F 1/42 20120101AFI20180208BHJP

   G03F 1/84 20120101ALI20180208BHJP

   G03F 1/50 20120101ALI20180208BHJP

   G03F 1/24 20120101ALI20180208BHJP

   G03F 1/26 20120101ALI20180208BHJP

【ＦＩ】

   G03F1/42

   G03F1/84

   G03F1/50

   G03F1/24

   G03F1/26

【請求項の数】9

【全頁数】30

(21)【出願番号】特願2013-230143(P2013-230143)

(22)【出願日】2013年11月6日

(65)【公開番号】特開2015-90421(P2015-90421A)

(43)【公開日】2015年5月11日

【審査請求日】2016年10月17日

(73)【特許権者】

【識別番号】000113263

【氏名又は名称】ＨＯＹＡ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001508

【氏名又は名称】特許業務法人 津国

(74)【代理人】

【識別番号】100078662

【弁理士】

【氏名又は名称】津国 肇

(74)【代理人】

【識別番号】100135873

【弁理士】

【氏名又は名称】小澤 圭子

(74)【代理人】

【識別番号】100146031

【弁理士】

【氏名又は名称】柴田 明夫

(72)【発明者】

【氏名】橋本 雅広

(72)【発明者】

【氏名】浜本 和宏

【審査官】 植木 隆和

(56)【参考文献】

【文献】 再公表特許第２００８／１２９９１４（ＪＰ，Ａ１）

【文献】 特開２００２−２５２１５７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−０８８５４１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開昭６４−００４０２１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０２−１８７０２５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｇ０３Ｆ ７／２０

Ｇ０３Ｆ １／００〜１／８６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

薄膜付き基板の製造方法であって、薄膜付き基板が、ＥＵＶ光を露光光として使用する反射型マスクを製造するための多層反射膜付き基板であり、
製造方法が、
同一の仮想直線に載らない３つ以上の基準マークのパターンが形成されたフォトマスク又はインプリント用プレートと、前記基準マークのパターンを転写する被転写体である複数の薄膜付き基板とを準備する薄膜付き基板準備工程と、
前記複数の薄膜付き基板にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記複数の薄膜付き基板の前記レジスト膜に対して前記フォトマスク又は前記インプリント用プレートに形成されている前記基準マークのパターンを転写して、前記基準マークのパターンを有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記薄膜を除去するための処理装置におけるチャンバー内の複数のステージに、前記複数の薄膜付き基板を配置する工程と、
前記チャンバー内で、前記レジストパターンをマスクにして前記複数の薄膜付き基板に形成されている少なくとも１層の薄膜を、塩素、臭素、ヨウ素、及びキセノンのうちのいずれかの元素とフッ素との化合物を含む非励起状態の物質を含むガスに接触させて除去して、前記複数の薄膜付き基板の前記薄膜に対して同時に前記基準マークのパターンを形成する基準マーク形成工程と、
前記レジストパターンを剥離するレジストパターン剥離工程と、を有することを特徴とする薄膜付き基板の製造方法。

【請求項2】

前記基準マーク形成工程において、前記チャンバー内のガスの圧力が０．１〜１００ｋＰａであり、ガスの温度が２０〜２５０℃であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜付き基板の製造方法。

【請求項3】

前記物質は、ＣｌＦ_３ガスであることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜付き基板の製造方法。

【請求項4】

前記薄膜付き基板は、基板の主表面上に、高屈折率材料からなる高屈折率層と、低屈折率材料からなる低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜が形成された多層反射膜付き基板であり、前記高屈折率材料及び前記低屈折率材料は前記物質により除去可能な材料であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の薄膜付き基板の製造方法。

【請求項5】

前記高屈折率材料はシリコンであり、前記低屈折率材料はモリブデンであることを特徴とする請求項４記載の薄膜付き基板の製造方法。

【請求項6】

前記多層反射膜付き基板は、前記多層反射膜上に保護膜が形成されていることを特徴とする請求項４又は５に記載の薄膜付き基板の製造方法。

【請求項7】

前記薄膜付き基板は、前記多層反射膜付き基板の前記多層反射膜が形成されている側に、前記物質により除去可能な材料からなる吸収体膜が形成された反射型マスクブランクであることを特徴とする請求項４乃至６のいずれかに記載の薄膜付き基板の製造方法。

【請求項8】

前記吸収体膜は、Ｔａを含有する材料からなることを特徴とする請求項７記載の薄膜付き基板の製造方法。

【請求項9】

請求項７又は８に記載の前記薄膜付き基板の製造方法によって得られた前記薄膜付き基板を用いて、前記吸収体膜をパターニングして反射型マスクを作製することを特徴とする転写用マスクの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体装置等の製造に用いられる転写用マスクの製造方法、及び転写用マスクの製造に用いられる薄膜付き基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

一般に、半導体装置の製造工程では、フォトリソグラフィ法を用いて微細パターンの形成が行われている。また、この微細パターンの形成には通常何枚ものフォトマスクと呼ばれている転写用マスクが使用される。この転写用マスクは、一般に透光性のガラス基板上に、金属薄膜等からなる微細パターンを設けたものであり、この転写用マスクの製造においてもフォトリソグラフィ法が用いられている。

【0003】

フォトリソグラフィ法による転写用マスクの製造には、ガラス基板等の透光性基板上に転写パターン（マスクパターン）を形成するための薄膜（例えば遮光膜など）を有するマスクブランクが用いられる。このマスクブランクを用いた転写用マスクの製造は、マスクブランク上に形成されたレジスト膜に対し、所望のパターン描画を施す描画工程と、描画後、前記レジスト膜を現像して所望のレジストパターンを形成する現像工程と、このレジストパターンをマスクとして前記薄膜をエッチングするエッチング工程と、残存するレジストパターンを剥離除去する工程とを有して行われている。上記現像工程では、マスクブランク上に形成されたレジスト膜に対し所望のパターン描画を施した後に現像液を供給して、現像液に可溶なレジスト膜の部位を溶解し、レジストパターンを形成する。また、上記エッチング工程では、このレジストパターンをマスクとして、ドライエッチング又はウェットエッチングによって、レジストパターンの形成されていない薄膜が露出した部位を除去し、これにより所望のマスクパターンを透光性基板上に形成する。こうして、転写用マスクが出来上がる。

【0004】

また、転写用マスクの種類としては、従来の透光性基板上にクロム系材料からなる遮光膜パターンを有するバイナリ型マスク（バイナリマスク）の他に、位相シフト型マスクが知られている。この位相シフト型マスクは、透光性基板上に位相シフト膜を有する構造のもので、この位相シフト膜は、所定の位相差を有するものであり、例えばモリブデンシリサイド化合物を含む材料等が用いられる。また、モリブデン等の金属のシリサイド化合物を含む材料を遮光膜として用いるバイナリ型マスクも用いられるようになってきている。

【0005】

また、近年、半導体産業において、半導体デバイスの高集積化に伴い、従来の紫外光を用いたフォトリソグラフィ法の転写限界を上回る微細パターンが必要とされてきている。このような微細パターン形成を可能とするため、極紫外（Extreme Ultra Violet：以下、「ＥＵＶ」と呼ぶ。）光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。ここで、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２〜１００ｎｍ程度の光のことである。このＥＵＶリソグラフィにおいて用いられる転写用マスクとして反射型マスクが提案されている。このような反射型マスクは、基板上に露光光を反射する多層反射膜が形成され、該多層反射膜上に露光光を吸収する吸収体膜がパターン状に形成されたものである。

【0006】

以上のように、リソグラフィ工程での微細化に対する要求が高まることにより、そのリソグラフィ工程での課題が顕著になりつつある。その１つが、リソグラフィ工程で用いられるマスクブランク用基板等の欠陥情報に関する問題である。従来は、ブランクス検査等において、基板の欠陥の存在位置を、基板センターを原点（０，０）とし、その位置からの距離で特定していた。このため、位置精度が低く、装置間でも検出のばらつきがあり、パターン描画時に、欠陥を避けてパターン形成用薄膜にパターニングする場合でもμｍオーダーでの回避は困難であった。このため、パターンを転写する方向を変えたり、転写する位置をｍｍオーダーでラフにずらして欠陥を回避していた。

【0007】

このような状況下、欠陥位置の検査精度を上げることを目的に、例えばマスクブランク用基板に基準マークを形成し、これを基準位置として欠陥の位置を特定する提案がなされている。特許文献１には、球相当直径で３０ｎｍ程度の微小な欠陥の位置を正確に特定できるように、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用基板の成膜面に、大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍの少なくとも３つのマークを形成することが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0008】

【特許文献1】国際公開２００８／１２９９１４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

上記特許文献１に開示されている方法により、多層反射膜付き基板及びマスクブランク等の薄膜付き基板の欠陥位置の検査精度を上げることは理論的には可能である。しかし、マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍと小さいため、例えば、通常使用されている欠陥検査装置等では検出し難く、また検出の再現性が悪いという問題があり、欠陥の位置を特定するための基準位置の決定が困難である。特許文献１には、上記マークの周囲に、該マークを識別するための補助マークを形成することが開示されているが、この補助マークを用いて上記マークが形成されている位置を大まかに特定することができたとしても、検出精度の極めて高い特別な検査装置を用いないと上記マーク自体の存在を容易に認識できないため、正確な基準点の特定が困難である。

【0010】

また最近では、マスクブランクの欠陥データとデバイスパターンデータとを基に、欠陥が存在している箇所に吸収体膜パターンが形成されるように描画データを補正して、欠陥を軽減させる試み（Defect mitigation technology）が提案されている。上述の技術を実現するためには、多層反射膜上に吸収体膜が形成され、更に吸収体膜パターンを形成するためのレジスト膜が形成されたレジスト膜付きマスクブランクの状態で、電子線描画装置においても電子線で基準マークを検出し、検出した基準点に基づいて、補正・修正した描画データを基に電子線描画が行われる。しかしながら、基準マークについても、電子線走査に対して一定のコントラストが必要なので、上記特許文献１に開示されている大きさのマークでは、電子線走査に対するコントラストが十分に得られないという問題がある。

【0011】

マスクブランク及び多層反射膜付き基板等の薄膜付き基板に基準マークを形成し、この基準マークと欠陥の相対位置を高い精度で管理（座標管理）するためには、基準マークが検出し易く、換言すれば確実に検出することができ、しかも基準マークを元にした欠陥検出位置のばらつきが小さい（例えば、上述のDefect mitigation technologyを実現するには、基準マークを基準点にした時の欠陥検出位置のばらつきを１００ｎｍ以下にする）ことが要求される。しかしながら、上記特許文献１等で開示されている従来技術では、このような要求を満たすのには未だ不十分である。

【0012】

また、電子線走査により多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及びバイナリマスクブランク等の薄膜付き基板に対して基準マークを形成する場合、製造コストが高いという問題がある。

【0013】

そこで本発明は、このような従来の問題に鑑みなされたものである。本発明の目的の第一は、欠陥の座標管理を高精度で行うための基準マークを比較的低コストで形成することのできる、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及びマスクブランク（バイナリマスクブランク等）等の薄膜付き基板の製造方法を提供することである。本発明の目的の第二は、これらの薄膜付き基板を使用し、欠陥を低減させた、比較的低コストの反射型マスク及びバイナリマスク等の転写用マスクの製造方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0014】

本発明者は、上記課題を解決するため、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及びマスクブランク等の薄膜付き基板に基準マークを形成する際に、基準マークのパターンが形成されたフォトマスク又はインプリント用プレートを用いたフォトリソグラフィ技術を利用することにより、欠陥の座標管理を高精度で行うための基準マークを、比較的低コストで形成することができることを見出し、本発明に至った。

【0015】

すなわち、上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。本発明は、下記の構成１〜８であることを特徴とする薄膜付き基板の製造方法である。また本発明は、下記の構成９であることを特徴とする転写用マスクの製造方法である。

【0016】

（構成１）
本発明の構成１は、同一の仮想直線に載らない３つ以上の基準マークのパターンが形成されたフォトマスク又はインプリント用プレートと、前記基準マークのパターンを転写する被転写体である少なくとも一つの薄膜付き基板とを準備する薄膜付き基板準備工程と、前記薄膜付き基板にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜に対して前記フォトマスク又は前記インプリント用プレートに形成されている前記基準マークのパターンを転写して、前記基準マークのパターンを有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記薄膜付き基板に形成されている少なくとも１層の薄膜を、塩素、臭素、ヨウ素、及びキセノンのうちのいずれかの元素とフッ素との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去して、前記薄膜に前記基準マークのパターンを形成する基準マーク形成工程と、前記レジストパターンを剥離するレジストパターン剥離工程と、を有することを特徴とする薄膜付き基板の製造方法である。

【0017】

本発明の構成１によれば、欠陥の座標管理を高精度で行うための基準マークを比較的低コストで形成することのできる、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及びマスクブランク（バイナリマスクブランク等）等の薄膜付き基板の製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、これらの薄膜付き基板を使用し、欠陥を低減させた、比較的低コストの転写用マスクの製造方法を提供することができる。

【0018】

（構成２）
本発明の構成２は、前記薄膜付き基板準備工程において、複数の前記薄膜付き基板を準備し、前記基準マーク形成工程において、複数の前記薄膜付き基板の前記薄膜に対して同時に前記基準マークのパターンを形成することを特徴とする構成１に記載の薄膜付き基板の製造方法である。

【0019】

本発明の構成２によれば、基準マーク形成工程において、複数の薄膜付き基板の薄膜に対して同時に基準マークのパターンを形成することにより、より低コストの反射型マスク及びバイナリマスク等を製造することができる。また、複数の薄膜付き基板間での基準マーク形成位置の面間ばらつきも低減できるので好ましい。

【0020】

（構成３）
本発明の構成３は、前記物質が、ＣｌＦ_３ガスであることを特徴とする構成１又は２に記載の薄膜付き基板の製造方法である。

【0021】

本発明の構成３によれば、薄膜を除去するために接触させる物質がＣｌＦ_３ガスであることにより、薄膜の除去を確実に行うことができる。

【0022】

（構成４）
本発明の構成４は、前記薄膜付き基板が、基板の主表面上に、高屈折率材料からなる高屈折率層と、低屈折率材料からなる低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜が形成された多層反射膜付き基板であり、前記高屈折率材料及び前記低屈折率材料は前記物質により除去可能な材料であることを特徴とする構成１乃至３のいずれかに記載の薄膜付き基板の製造方法である。

【0023】

本発明の構成４によれば、ＥＵＶ光に対する反射率特性が良好な多層反射膜を得ることができ、かつ基準マークの形成のために、所定の物質を用いて多層反射膜を除去することができる。

【0024】

（構成５）
本発明の構成５は、前記高屈折率材料はシリコンであり、前記低屈折率材料はモリブデンであることを特徴とする構成４記載の薄膜付き基板の製造方法である。

【0025】

本発明の構成５によれば、高屈折率材料がシリコンであり、低屈折率材料がモリブデンであることにより、ＥＵＶ光に対する反射率特性が良好な多層反射膜を確実に得ることができる。また、基準マークを形成する際の加工時間を短縮することができる。

【0026】

（構成６）
本発明の構成６は、前記多層反射膜付き基板は、前記多層反射膜上に保護膜が形成されていることを特徴とする構成４又は５に記載の薄膜付き基板の製造方法である。

【0027】

本発明の構成６によれば、反射型マスクブランクである薄膜付き基板が多層反射膜上に保護膜を有することにより、転写用マスク（ＥＵＶマスク）を製造する際の多層反射膜表面へのダメージを抑制することができるので、ＥＵＶ光に対する反射率特性が更に良好となる。

【0028】

（構成７）
本発明の構成７は、前記薄膜付き基板は、前記多層反射膜付き基板の前記多層反射膜が形成されている側に、前記物質により除去可能な材料からなる吸収体膜が形成された反射型マスクブランクであることを特徴とする構成４乃至６のいずれかに記載の薄膜付き基板の製造方法である。

【0029】

本発明の構成７によれば、上記構成の多層反射膜付き基板における多層反射膜上に、転写パターンとなるＥＵＶ光を吸収する吸収体膜が形成されていることにより、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されている反射型マスクブランクが得られる。

【0030】

（構成８）
本発明の構成８は、前記吸収体膜は、Ｔａを含有する材料からなることを特徴とする構成７記載の薄膜付き基板の製造方法である。

【0031】

本発明の構成８によれば、吸収体膜は、Ｔａを含有する材料からなることにより、ＥＵＶ光に対する所定の適切な吸収をもつ吸収体膜を得ることができる。

【0032】

（構成９）
本発明は、本発明の構成９は、構成７又は８に記載の前記薄膜付き基板の製造方法によって得られた前記薄膜付き基板を用いて、前記吸収体膜をパターニングして反射型マスクを作製することを特徴とする転写用マスクの製造方法である。

【0033】

本発明の構成９によれば、欠陥の座標管理を高精度で行うための基準マークを、比較的低コストで形成した薄膜付き基板を用いることができるので、欠陥を低減させた、比較的低コストの転写用マスクを製造することができる。

【発明の効果】

【0034】

本発明によれば、欠陥の座標管理を高精度で行うための基準マークを比較的低コストで形成することのできる、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及びマスクブランク（バイナリマスクブランク等）等の薄膜付き基板の製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、これらの薄膜付き基板を使用し、欠陥を低減させた、比較的低コストの転写用マスクの製造方法を提供することができる。

【0035】

具体的には、本発明の製造方法によれば、電子線描画装置、欠陥検査装置のいずれでも確実に検出することができ、しかも電子線、欠陥検査光の走査によって決定される欠陥位置の基準点のずれが小さい基準マークを、比較的低コストで形成することができる。そのため、欠陥の座標管理（基準マークと欠陥との相対位置管理）を高精度で行うことが可能な多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及びマスクブランク等の薄膜付き基板を提供することができる。

【0036】

また、本発明の製造方法によれば、これら多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及びマスクブランクを使用し、これらの欠陥情報に基づき、描画データの修正を行うことで欠陥を低減させた転写用マスクを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0037】

【図1】本発明における基準マークの配置例を示す平面図である。

【図2】本発明における基準マークを構成するメインマーク及び補助マークの形状例及び配置例を示す図である。

【図3】本発明における基準マークを用いた基準点を決定する方法を説明するための図である。

【図4】転写用マスクに配置されたメインマークの他の形状例を示す図である。

【図5】本発明に係る多層反射膜付き基板の断面図である。

【図6】本発明に係る反射型マスクブランクの断面図である。

【図7】本発明に係るバイナリマスクブランクの断面図である。

【図8】本発明に係る反射型マスクの断面図である。

【図9】本発明に係るバイナリマスクの断面図である。

【図10】転写用マスクに配置された本発明における基準マークの別の配置例を示す平面図である。

【図11】エッジ基準で形成する場合の基準マークの形状例及び配置例を示す図である。

【図12】エッジ基準で基準マークを形成する方法を説明するための図である。

【図13】エッジ基準で基準マークを形成する方法を説明するための図である。

【図14】本発明の他の実施形態に係る反射型マスクブランクの断面図である。

【図15】薄膜を除去する工程で用いる処理装置の一例の概略構成図である。

【図16】薄膜を除去する工程で用いる処理装置の別の一例の概略構成図である。

【発明を実施するための形態】

【0038】

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を詳述する。

【0039】

本発明の薄膜付き基板の製造方法では、同一の仮想直線に載らない３つ以上の基準マーク１３のパターンが形成されたフォトマスク８０又はインプリント用プレートを準備する。更に、基準マーク１３のパターンを転写する被転写体である少なくとも一つの薄膜付き基板を準備する（薄膜付き基板準備工程）。次に、薄膜付き基板の表面に、レジスト膜を形成する（レジスト膜形成工程）。次に、薄膜付き基板のレジスト膜に対して、上述のフォトマスク８０又はインプリント用プレートに形成されている基準マーク１３のパターンを転写して、レジストパターンを形成する（レジストパターン形成工程）。更に本発明の薄膜付き基板の製造方法では、薄膜付き基板のレジストパターンをマスクとして、所定の化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去して、薄膜に基準マーク１３のパターンを形成する（基準マーク形成工程）。最後にレジストパターンを剥離することにより（レジストパターン剥離工程）、所定の基準マーク１３が形成された薄膜付き基板を得ることができる。

【0040】

本発明において、薄膜付き基板とは、マスクブランク用基板の表面に、マスクブランクを構成する薄膜を少なくとも一層有するものである。マスクブランクを構成する所定の薄膜とは、例えば反射型マスク６０を製造する場合には、多層反射膜３１及び吸収体膜４１等である。したがって、多層反射膜付き基板３０及び反射型マスクブランク４０は、薄膜付き基板の一種である。また、バイナリマスク７０を製造する場合のバイナリマスクブランク５０を構成する所定の薄膜とは遮光膜５１や反射防止膜等であり、位相シフト型マスクの場合には更に位相シフト膜も含む。したがって、バイナリマスクブランク５０及び位相シフト型マスクブランクは、薄膜付き基板の一種である。

【0041】

本発明の薄膜付き基板の製造方法では、同一の仮想直線に載らない３つ以上の基準マーク１３のパターンが形成されたフォトマスク８０又はインプリント用プレートを準備する。本発明に用いることのできる基準マーク１３（以下、単に「本発明の基準マーク１３」とも呼ぶ。）について、初めに詳しく説明する。

【0042】

［基準マーク１３］
図１は、基準マーク１３の配置例を示すフォトマスク８０の平面図である。まず、フォトマスク８０又はインプリント用プレートに形成される基準マーク１３の形状について説明する。

【0043】

図１では、相対的に大きさの大きなラフアライメントマーク１２と小さなファインマークである本発明の基準マーク１３の２種類のマークを形成している。なお、図１では、フォトマスク８０の表面にこれら基準マーク１３を示している。図１は、フォトマスク８０又はインプリント用プレート上での基準マーク１３の配置例を示すものであるが、後述のように、この基準マーク１３パターンは、反射型マスクブランク４０及びバイナリマスクブランク５０等の薄膜付き基板に転写される。そこで、ここでは、基準マーク１３が薄膜付き基板に形成されるものとして、基準マーク１３について説明する。

【0044】

上記ラフアライメントマーク１２は、それ自体は基準マーク１３の役割は有していないが、上記基準マーク１３の位置を検出し易くするための役割を有している。上記基準マーク１３は大きさが小さく、目視で位置の目安を付けることは困難である。また、検査光や電子線で最初から基準マーク１３を検出しようとすると、検出に時間が掛かり、レジスト膜が形成されている場合、不要なレジスト感光を発生させてしまう恐れがあるので好ましくない。上記基準マーク１３との位置関係が予め決められている上記ラフアライメントマーク１２を設けることで、基準マーク１３の検出が迅速かつ容易に行える。

【0045】

図１においては、上記ラフアライメントマーク１２を反射型マスクブランク４０の表面上のコーナー近傍の４箇所に、上記基準マーク１３を各ラフアライメントマーク１２の近傍に２箇所ずつ配置した例を示している。上記ラフアライメントマーク１２と基準マーク１３はいずれも基板主表面上の破線Ａで示すパターン形成領域の境界線上、あるいはパターン形成領域より外周縁側に形成することが好適である。但し、基板外周縁にあまり近いと、基板主表面の平坦度があまり良好でない領域であったり、他の種類の認識マークと交差する可能性があるので好ましくない。

【0046】

基準マーク１３、ラフアライメントマーク１２の個数は特に限定されない。基準マーク１３については、最低３個必要であるが、３個以上であっても構わない。欠陥の座標管理を高精度で行うためには、基準マーク１３として、同一の仮想直線に載らない３つ以上の基準マーク１３のパターンが必要である。

【0047】

なお、図２等を参照して以下に説明するように、本発明の基準マーク１３においては、欠陥位置の基準となる位置（基準点）を決定するためのメインマーク１３ａの周囲に、該メインマーク１３ａを大まかに特定するための補助マーク１３ｂ、１３ｃを配置している。そのため、検査光や電子線で最初から本発明の基準マーク１３を検出するのに特に不都合がなければ、上記ラフアライメントマーク１２は設けなくてもよい。

【0048】

すなわち、本発明においては、図１０に示すように、上記ラフアライメントマーク１２は設けずに、例えば一例として反射型マスクブランク４０の表面上のコーナー近傍の４箇所に本発明の基準マーク１３を配置するようにしてもよい。これによって、相対的に大きさの大きなラフアライメントマーク１２の形成工程を省くことができ、フォトマスク８０又はインプリント用プレートへ基準マーク１３を形成するための加工時間を大幅に短縮できる。

【0049】

図２は、基準マーク１３を構成するメインマーク１３ａ及び補助マーク１３ｂ、１３ｃの形状例及び配置例を示す図である。また、図３は、本発明の基準マーク１３を用いた基準点を決定する方法を説明するための図である。

【0050】

上記基準マーク１３は、欠陥情報における欠陥位置の基準となるものであるが、本発明の基準マーク１３は、欠陥位置の基準となる位置（基準点）を決定するためのメインマーク１３ａと、該メインマーク１３ａの周囲に配置された補助マーク１３ｂ、１３ｃとから構成される。そして、代表的な基準マーク１３としては、上記メインマーク１３ａは、点対称の形状であって、且つ、マスクを作製する際の電子線描画装置による電子線の走査方向又は欠陥検査の際の欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有している。

【0051】

図２及び図３には、上記メインマーク１３ａと、その周囲に配置された２つの補助マーク１３ｂ、１３ｃとから構成される基準マーク１３を一例として示している。

【0052】

上記メインマーク１３ａは、電子線描画装置又は欠陥検査光の走査方向（図３におけるＸ方向及びＹ方向）に対して垂直で且つ平行な辺を少なくとも２組有する多角形状であることが好適である。このように、上記メインマーク１３ａは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直で且つ平行な辺を少なくとも２組有する多角形状であることにより、電子線描画装置、欠陥検査装置による検出の容易性（確実性）を向上させ、また、欠陥検出位置のばらつきを更に抑えることができる。図２及び図３では、具体例として、上記メインマーク１３ａが、縦横（Ｘ及びＹ方向）が同じ長さの正方形である場合を示している。この場合、縦横の長さ（Ｌ）がそれぞれ２００ｎｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。

【0053】

上記メインマーク１３ａの形状は、点対称とすることが好ましい。上記の正方形に限らず、例えば図４の（ａ）に示すように、正方形の角部が丸みを帯びた形状や、同図（ｂ）のように、八角形の形状や、同図（ｃ）のように、十字形状であってもよい。この場合においても、メインマーク１３ａの大きさ（縦横の長さＬ）は、２００ｎｍ以上１０μｍ以下とすることが好ましい。具体例として、メインマーク１３ａが十字形状の場合、その大きさ（縦横の長さＬ）は、５μｍ以上１０μｍ以下とすることができる。また、図示していないが、上記メインマーク１３ａは、直径が２００ｎｍ以上１０μｍ以下の正円形とすることもできる。

【0054】

また、上記２つの補助マーク１３ｂ、１３ｃは、上記メインマーク１３ａの周囲に、電子線又は欠陥検査光の走査方向（図３におけるＸ方向及びＹ方向）に沿って配置されている。上記補助マーク１３ｂ、１３ｃは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直な長辺と平行な短辺を有する矩形状であることが好適である。補助マーク１３ｂ、１３ｃが、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直な長辺と平行な短辺を有する矩形状であることにより、電子線描画装置、欠陥検査装置の走査により確実に検出できるため、メインマーク１３ａの位置を容易に特定することができる。この場合、補助マーク１３ｂ、１３ｃの長辺は、電子線描画装置、欠陥検査装置のできるだけ最小回数の走査により検出可能な長さであることが望ましい。例えば、補助マーク１３ｂ、１３ｃの長辺は、２５μｍ以上６００μｍ以下の長さを有することが望ましい。より好ましくは、長辺の長さは、２５μｍ以上４００μｍ以下、更に好ましくは、２５μｍ以上２００μｍ以下が望ましい。

【0055】

また、上記補助マーク１３ｂ、１３ｃとメインマーク１３ａとは、所定の間隔だけ離間させても良いし、離間させなくても良い。補助マーク１３ｂ、１３ｃとメインマーク１３ａとを離間させる場合、間隔は特に制約されないが、例えば２５μｍ〜５０μｍ程度の範囲とすることが好適である。

【0056】

なお、上記メインマーク１３ａ、補助マーク１３ｂ、１３ｃが薄膜付き基板に形成される場合には、いずれも断面形状を凹形状とし、基準マーク１３の高さ方向に所望の深さを設けることで認識し得る基準マーク１３とすることができる。電子線や欠陥検査光による検出精度を向上させる観点から、凹形状の底部から表面側へ向かって広がるように形成された断面形状であることが好ましく、この場合の基準マーク１３の側壁の傾斜角度は７５度以上であることが好ましい。側壁の傾斜角度は、より好ましくは、８０度以上、更に好ましくは８５度以上とすることが望ましい。

【0057】

薄膜付き基板に転写された上記基準マーク１３を用いて、欠陥位置の基準となる基準点は次のようにして決定される（図３を参照）。すなわち、上記補助マーク１３ｂ、１３ｃ上を電子線、あるいは欠陥検査光がＸ方向、Ｙ方向に走査し、これら補助マーク１３ｂ、１３ｃを検出することにより、メインマーク１３ａの位置を大まかに特定することができる。位置が特定された上記メインマーク１３ａ上を電子線、あるいは検査光がＸ方向及びＹ方向に走査後、（上記補助マーク１３ｂ、１３ｃの走査により検出された）メインマーク１３ａ上の交点Ｐ（通常、メインマーク１３ａの略中心）をもって基準点を決定する。

【0058】

本発明の基準マーク１３を構成する上記メインマーク１３ａ及び補助マーク１３ｂ、１３ｃを形成する位置は特に限定されない。例えば反射型マスクブランク４０の場合、多層反射膜３１の成膜面であれば、どの位置に形成してもよい。例えば、基板、下地層２１（後述）、多層反射膜３１、保護膜３２（キャッピング層又はバッファ層と呼ばれることもある。）、吸収体膜４１、吸収体膜４１上に形成されるエッチングマスク膜のいずれの位置でもよい。

【0059】

なお、ＥＵＶ光を露光光として使用する反射型マスク６０においては、特に多層反射膜３１に存在する欠陥は、修正が殆ど不可能である上に、転写パターン上で重大な位相欠陥となり得るので、転写パターン欠陥を低減させるためには多層反射膜３１上の欠陥情報が重要である。したがって、少なくとも多層反射膜３１の成膜後に欠陥検査を行い、欠陥情報を取得することが望ましい。そのためには、多層反射膜付き基板３０に本発明の基準マーク１３を形成することが好ましい。特に、検出のし易さの観点からは、多層反射膜３１に本発明の基準マーク１３を形成することが好ましい。

【0060】

また、基準マーク１３の形成後、洗浄による光学特性（たとえば、反射率）の変化を抑制する観点からは、反射型マスクブランク４０における吸収体膜４１に基準マーク１３を形成することが好ましい。この場合、多層反射膜付き基板３０の段階では基準マーク１３が形成されていないので、反射型マスクブランク４０における欠陥検査と、基準マーク１３を基準にした欠陥の座標管理は以下のようにして行うことができる。

【0061】

まず、基板上に多層反射膜３１が形成された多層反射膜付き基板３０に対して、欠陥検査装置により、基板主表面の中心を基準点として欠陥検査を行い、欠陥検査により検出された欠陥と位置情報とを取得する。次に、多層反射膜３１上に保護膜３２及び吸収体膜４１を形成した後、吸収体膜４１の所定位置に、本発明の基準マーク１３を形成して、基準マーク１３が形成された反射型マスクブランク４０を得る。

【0062】

上記の基準マーク１３を基準にして欠陥検査装置により欠陥検査を行う。上記のとおり吸収体膜４１は多層反射膜３１上に形成するので、この欠陥検査データは、上記で取得した多層反射膜付き基板３０の欠陥検査も反映されている。したがって、多層反射膜付き基板３０の欠陥と反射型マスクブランク４０の欠陥が一致している欠陥を元に、多層反射膜付き基板３０の欠陥検査データと、反射型マスクブランク４０の欠陥検査データとを照合することにより、上記基準マーク１３を基準にした多層反射膜付き基板３０の欠陥検査データと、反射型マスクブランク４０の欠陥検査データとを得ることができる。

【0063】

フォトマスク８０又はインプリント用プレートに対して、本発明の基準マーク１３を構成する上記メインマーク１３ａ及び補助マーク１３ｂ、１３ｃを形成する方法は特に限定されない。フォトマスク８０又はインプリント用プレートには、例えば、フォトリソグラフィ法、レーザー光やイオンビームによる形成方法などで形成することができる。

【0064】

以上説明したように、フォトマスク８０又はインプリント用プレートに本発明の基準マーク１３を形成し、反射型マスクブランク４０等の薄膜付き基板に基準マーク１３を転写することにより、本発明の薄膜付き基板の基準マーク１３は、電子線描画装置、光学式の欠陥検査装置のいずれでも容易に検出でき、言い換えれば確実に検出することができる。これによって、欠陥検査においては、欠陥位置の基準点を決定し、欠陥位置（基準点と欠陥の相対位置）情報を含む精度の良い欠陥情報（欠陥マップ）を取得することができる。更に、マスクの製造においては、この欠陥情報に基づいて、予め設計しておいた描画データ（マスクパターンデータ）と照合し、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）することが可能になり、その結果として、最終的に製造される反射型マスク６０において欠陥を低減させることができる。

【0065】

なお、以上の実施の形態では、上記メインマーク１３ａの周囲に、電子線描画装置や欠陥検査装置の走査方向（Ｘ方向、Ｙ方向）に沿って２つの補助マーク１３ｂ、１３ｃを配置した例について説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるわけではない。例えば欠陥の検出が検査光の走査によらない方式においては、メインマーク１３ａと補助マーク１３ｂ、１３ｃとの位置関係が特定されていれば、メインマーク１３ａに対する補助マーク１３ｂ、１３ｃの配置位置は任意である。また、この場合、メインマーク１３ａの中心ではなく、エッジを基準点とすることもできる。

【0066】

ところで、本発明の基準マーク１３は、上述のとおり、フォトマスク８０の表面上の破線Ａで示すパターン形成領域の境界線上、あるいはパターン形成領域より外周縁側の任意の位置に形成されるが（図１、図１０参照）、この場合、エッジ基準で基準マーク１３を形成したり、あるいは基準マーク１３を形成後、座標計測器で基準マーク１３の形成位置を特定することが好適である。

【0067】

まず、上記のエッジ基準でフォトマスク８０に基準マーク１３を形成する方法について説明する。図１２及び図１３はそれぞれエッジ基準で基準マーク１３を形成する方法を説明するための図である。

【0068】

例えば、フォトマスク８０又はインプリント用プレートに対する基準マーク１３形成手段としてＦＩＢ（集束イオンビーム）を採用し、フォトマスク８０又はインプリント用プレートに基準マーク１３を形成する場合、フォトマスク８０又はインプリント用プレートのエッジの検出を行う。基準マーク１３をＦＩＢで加工する場合、フォトマスク８０又はインプリント用プレートのガラス基板１１のエッジは、２次電子像、２次イオン像、あるいは光学像で認識することができる。また、基準マーク１３をその他の方法（例えば圧痕）で加工する場合は、光学像で認識することができる。図１２に示すように、例えばガラス基板１１（図示の便宜上、フォトマスク８０又はインプリント用プレートの薄膜の図示は省略している）の四辺の８箇所（丸印を付した箇所）のエッジ座標を確認し、チルト補正して、原点（０，０）出しを行う。この場合の原点は任意に設定可能であり、基板の角部でも中心でもよい。

【0069】

このようにエッジ基準で設定した原点からの所定の位置にＦＩＢで基準マーク１３を形成する。図１３には、エッジ基準で基板の任意の角部に設定した原点Ｏ（０，０）からの所定の位置、具体的には原点Ｏの両隣の端面１１ＡのエッジからＸの距離、端面１１ＢのエッジからＹの距離に基準マーク１３を形成する場合を示している。この場合、原点Ｏ（０，０）を基準とする基準マーク形成座標（Ｘ，Ｙ）が基準マーク１３の形成位置情報となる。他の位置に形成する基準マーク１３についても同様である。

【0070】

このようなエッジ基準で形成したフォトマスク８０又はインプリント用プレートの基準マーク１３を転写した薄膜付き基板（多層反射膜付き基板３０、反射型マスクブランク４０及びバイナリマスクブランク５０等）の基準マーク１３を欠陥検査装置や電子線描画装置で検出する際、基準マーク１３の形成位置情報、つまりエッジからの距離がわかっているため、基準マーク１３の形成位置を容易に特定することが可能である。

【0071】

また、フォトマスク８０又はインプリント用プレートの任意の位置に基準マーク１３を形成後、座標計測器で基準マーク１３の形成位置を特定する方法を適用することもできる。この座標計測器は、基準マーク１３の形成座標をエッジ基準で計測するものであり、例えば高精度パターン位置測定装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製ＬＭＳ−ＩＰＲＯ４）を使用することができ、特定した基準マーク形成座標が基準マーク１３の形成位置情報となる。また、座標計測器は、電子線描画装置の基準座標に変換する役割もあるので、フォトマスク８０又はインプリント用プレートの基準マーク１３を転写した薄膜付き基板を提供されたユーザーは、容易に基準マーク１３に基づき欠陥検査装置により特定した欠陥位置と、描画データとを高精度に照合することが可能となり、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を確実に低減させることができる。

【0072】

以上説明したように、フォトマスク８０又はインプリント用プレートに対して基準マーク１３をエッジ基準で形成したり、あるいは基準マーク１３を任意の位置に形成後、座標計測器で基準マーク１３の形成位置を特定する方法によれば、欠陥検査装置や電子線描画装置で多層反射膜付き基板３０等の転写された基準マーク１３の形成位置を容易に特定することが可能であるため、基準マーク１３のサイズを小さくすることが可能である。具体的には、本発明の基準マーク１３が、前述のメインマーク１３ａと補助マーク１３ｂ、１３ｃとから構成される場合、メインマーク１３ａの幅は２００ｎｍ以上１０μｍ以下、補助マーク１３ｂ、１３ｃの長辺は例えば２５μｍ以上２５０μｍ以下のサイズにすることが可能である。このように基準マーク１３のサイズを小さくした場合、また、逆に基準マーク１３のサイズを大きくした場合、フォトマスク８０又はインプリント用プレートに対する基準マーク１３の形成手段として例えば前記のＦＩＢを採用した場合には、基準マーク１３の加工時間が短縮できるので好ましい。また、基準マーク１３の検出時間についても短縮できるので好ましい。

【0073】

図１１には、以上で説明したようなエッジ基準で形成する場合の基準マーク１３の形状例及び配置例を示しているが、同図（ａ）のようなメインマーク１３ａと補助マーク１３ｂ、１３ｃとから構成される基準マーク１３が代表的な例である。また、上記のとおり、基準マーク１３のサイズを小さくすることができるので、必ずしも補助マーク１３ｂ、１３ｃを必要とせず、例えば同図（ｂ）に示すようなメインマーク１３ａのみとすることが可能である。更に、同図（ｃ）に示すようなメインマーク１３ａの周囲に４つの補助マーク１３ｂ〜１３ｅを配置したものや、同図（ｄ）に示すような十字形の基準マーク１３とすることもできる。

【0074】

また、フォトマスク８０又はインプリント用プレートのエッジ座標を基準に設定した原点からの所定の位置に前記基準マーク１３を形成した場合、例えば前記基準マーク１３が転写された薄膜付き基板と、この場合の基準マーク１３の形成位置情報（基準マーク形成座標）とを対応付けてユーザーに提供することにより、ユーザーは、例えばマスク製造工程において、この基準マーク１３の形成位置情報を利用して基準マーク１３を短時間で確実に検出することができる。

【0075】

また、例えばフォトマスク８０又はインプリント用プレートの基準マーク１３を転写することによって薄膜付き基板に基準マーク１３を形成した後、座標計測器で前記基準マーク１３の形成位置を特定し、前記基準マーク１３を形成した薄膜付き基板と、この場合の基準マーク１３の形成位置情報（特定した基準マーク１３の位置座標）とを対応付けてユーザーに提供することにより、ユーザーは、この基準マーク１３の形成位置情報を利用して基準マーク１３を短時間で確実に検出することができる。また、基準マーク１３の形成位置を座標計測器で特定することにより、電子線描画装置の基準座標の変換が可能となる。したがって、薄膜付き基板を提供されたユーザーは、容易に基準マーク１３に基づき欠陥検査装置により特定した欠陥位置と、描画データとを高精度に照合することが可能となり、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を確実に低減させることができる。

【0076】

また、上記基準マーク１３の形成位置情報に、更に基準マーク１３を基準とした欠陥情報（位置情報、サイズ等）を加えてユーザーに提供することにより、ユーザーはこの基準マーク１３の形成位置情報を利用して基準マーク１３を短時間で確実に検出することができるとともに、この欠陥情報に基づいて、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）し、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を低減させることができる。

【0077】

また、上記基準マーク１３を形成した薄膜付き基板における多層反射膜３１上に、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜４１が形成された反射型マスクブランク４０と、基準マーク１３の形成位置情報とを対応付けてユーザーに提供することにより、ユーザーは、この反射型マスクブランク４０を用いるマスク製造において、この基準マーク１３の形成位置情報を利用して基準マーク１３を短時間で確実に検出することができる。

【0078】

また、基板上に転写パターンとなる薄膜が形成されているマスクブランク（バイナリマスクブランク５０等）においても、基板のエッジ座標を基準に設定した原点からの所定の位置に前記基準マーク１３を形成したフォトマスク８０又はインプリント用プレートの基準マーク１３を転写することによって得られたマスクブランクと、この場合の基準マーク１３の形成位置情報とを対応付けてユーザーに提供することにより、ユーザーは、この基準マーク１３の形成位置情報を利用して基準マーク１３を短時間で確実に検出することができる。同様に、フォトマスク８０又はインプリント用プレートの基準マーク１３を転写することによってマスクブランクに基準マーク１３を形成した後、座標計測器で前記基準マーク１３の形成位置を特定し、前記基準マーク１３を形成したマスクブランクと、この場合の基準マーク１３の形成位置情報とを対応付けてユーザーに提供することにより、ユーザーは、この基準マーク１３の形成位置情報を利用して基準マーク１３を短時間で確実に検出することができる。

【0079】

また、マスクブランクにおいても、基準マーク１３の形成位置情報に、更に前記基準マーク１３を基準とした欠陥情報を加えてユーザーに提供することにより、ユーザーはこの欠陥情報に基づいて、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）し、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を低減させることができる。

【0080】

次に、本発明の薄膜付き基板の製造方法の、薄膜付き基板準備工程のうち、前記基準マーク１３のパターンを転写する被転写体である少なくとも一つの薄膜付き基板を準備する工程について説明する。

【0081】

薄膜付き基板としては、ＥＵＶ光を露光光として使用する反射型マスク６０を製造するための多層反射膜付き基板３０及び反射型マスクブランク４０、並びにバイナリマスク７０を製造するためのバイナリマスクブランク５０を挙げることができる。多層反射膜付き基板３０、反射型マスクブランク４０及びバイナリマスクブランク５０について、具体的に説明する。

【0082】

［多層反射膜付き基板３０］
本発明の薄膜付き基板の製造方法は、薄膜付き基板としては、基板の主表面上に、高屈折率材料からなる高屈折率層と、低屈折率材料からなる低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜３１が形成された多層反射膜付き基板３０であり、前記高屈折率材料及び前記低屈折率材料は前記物質により除去可能な材料であることが好ましい。薄膜付き基板が多層反射膜付き基板３０であることにより、ＥＵＶ光に対する反射率特性が良好な多層反射膜３１を得ることができ、かつ基準マーク１３の形成のために、所定の物質を用いて多層反射膜３１を除去することができる。

【0083】

本発明は、図５に示すように、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜３１に本発明の基準マーク１３が形成されている多層反射膜付き基板３０についても提供する。

【0084】

図５においては、多層反射膜３１を構成する一部の膜を除去して基準マーク１３が形成されている例を示すが、多層反射膜３１を構成するすべての層を除去して基準マーク１３を形成しても良い。

【0085】

上記多層反射膜３１は、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた多層膜であり、一般的には、重元素又はその化合物の薄膜と、軽元素又はその化合物の薄膜とが交互に４０〜６０周期程度積層された多層膜が用いられる。

【0086】

例えば、波長１３〜１４ｎｍのＥＵＶ光に対する多層反射膜３１としては、Ｍｏ膜とＳｉ膜とを交互に４０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ周期積層膜とすることが好ましい。その他、ＥＵＶ光の領域で使用される多層反射膜３１として、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層膜、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜などとすることが可能である。

【0087】

本発明の薄膜付き基板の製造方法は、前記高屈折率材料はシリコンであり、前記低屈折率材料はモリブデンであることが好ましい。高屈折率材料がシリコンであり、低屈折率材料がモリブデンであることにより、ＥＵＶ光に対する反射率特性が良好な多層反射膜３１を確実に得ることができる。

【0088】

ＥＵＶ露光用の場合、ガラス基板１１としては、露光時の熱によるパターンの歪みを防止するため、０±１．０×１０^−７／℃の範囲内、より好ましくは０±０．３×１０^−７／℃の範囲内の低熱膨張係数を有するものが好ましく用いられる。この範囲の低熱膨張係数を有する素材としては、例えば、ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２系ガラス、多成分系ガラスセラミックス等を用いることができる。

【0089】

上記ガラス基板１１の転写パターンが形成される側の主表面は、少なくともパターン転写精度、位置精度を得る観点から高平坦度となるように表面加工されている。ＥＵＶ露光用の場合、ガラス基板１１の転写パターンが形成される側の主表面１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が０．１μｍ以下であることが好ましく、特に好ましくは０．０５μｍ以下である。また、転写パターンが形成される側と反対側の主表面は、露光装置にセットする時に静電チャックされる面であって、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が１μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下である。

【0090】

また、上記多層反射膜付き基板３０のガラス基板１１としては、上記のとおり、ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２系ガラスなどの低熱膨張係数を有する素材が用いられるが、このようなガラス素材は、精密研磨により、表面粗さとして例えばＲＭＳで０．１ｎｍ以下の高平滑性を実現することが困難である。そのため、ガラス基板１１の表面粗さの低減、若しくはガラス基板１１表面の欠陥を低減する目的で、図５に示すように、ガラス基板１１の表面に下地層２１を形成することが好適である。このような下地層２１の材料としては、露光光に対して透光性を有する必要はなく、下地層２１表面を精密研磨した時に高い平滑性が得られ、欠陥品質が良好となる材料が好ましく選択される。例えば、Ｓｉ又はＳｉを含有するケイ素化合物（例えばＳｉＯ_２、ＳｉＯＮなど）は、精密研磨した時に高い平滑性が得られ、欠陥品質が良好なため、好ましく用いられる。特にＳｉを用いることが好ましい。

【0091】

下地層２１の表面は、マスクブランク用基板として要求される平滑度となるように精密研磨された表面とすることが好適である。下地層２１の表面は、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下、特に好ましくは０．１ｎｍ以下となるように精密研磨されることが望ましい。また、下地層２１の表面は、下地層２１上に形成する多層反射膜３１の表面への影響を考慮すると、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）との関係において、Ｒｍａｘ／ＲＭＳが２〜１０であることが好ましく、特に好ましくは、２〜８となるように精密研磨されることが望ましい。下地層２１の膜厚は、例えば７５ｎｍ〜３００ｎｍの範囲が好ましい。

【0092】

［反射型マスクブランク４０］
本発明の薄膜付き基板の製造方法は、上記構成の多層反射膜付き基板３０における前記多層反射膜３１上に、転写パターンとなる吸収体膜４１が形成されている反射型マスクブランク４０の製造方法についても提供する。上記多層反射膜付き基板３０は、反射型マスク６０を製造するための反射型マスクブランク４０、すなわち、基板上に露光光（ＥＵＶ光）を反射する多層反射膜３１と、露光光（ＥＵＶ光）を吸収するパターン形成用の吸収体膜４１とを順に備える反射型マスクブランク４０用の基板として用いることができる。

【0093】

図６は、図５の基準マーク１３が形成された多層反射膜付き基板３０における多層反射膜３１上に、保護膜３２（キャッピング層）及びＥＵＶ光を吸収するパターン形成用の吸収体膜４１が形成されている反射型マスクブランク４０を示す。なお、ガラス基板１１の多層反射膜３１等が形成されている側とは反対側に裏面導電膜４２が設けられている。

【0094】

本発明の薄膜付き基板（反射型マスクブランク４０）の製造方法では、反射型マスクブランク４０が、多層反射膜付き基板３０の多層反射膜３１が形成されている側に、後述する所定の物質により除去可能な材料からなる吸収体膜４１が形成された反射型マスクブランク４０であることが好ましい。多層反射膜付き基板３０における多層反射膜３１上に、転写パターンとなるＥＵＶ光を吸収する吸収体膜４１が形成されていることにより、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マーク１３が形成されている反射型マスクブランク４０が得られる。

【0095】

吸収体膜４１の材料は、特に限定されるものではない。例えば、ＥＵＶ光を吸収する機能を有するもので、Ｔａ（タンタル）単体、又はＴａを主成分とする材料を用いることが好ましい。Ｔａを主成分とする材料は、通常、Ｔａの合金である。このような吸収体膜４１の結晶状態は、平滑性、平坦性の点から、アモルファス状又は微結晶の構造を有しているものが好ましい。Ｔａを主成分とする材料としては、例えば、ＴａとＢとを含む材料、ＴａとＮとを含む材料、ＴａとＢとを含み、更にＯ及びＮのうちの少なくともいずれかを含む材料、ＴａとＳｉとを含む材料、ＴａとＳｉとＮとを含む材料、ＴａとＧｅとを含む材料、ＴａとＧｅとＮとを含む材料などを用いることができる。また例えば、ＴａにＢ、Ｓｉ、Ｇｅ等を加えることにより、アモルファス構造が容易に得られ、平滑性を向上させることができる。更に、ＴａにＮ、Ｏを加えれば、酸化に対する耐性が向上するため、経時的な安定性を向上させることができる。吸収体膜４１の表面が所定の平坦性を有するためには、吸収体膜４１をアモルファス構造にすることが好ましい。結晶構造については、Ｘ線回折装置（ＸＲＤ）により確認することができる。

【0096】

本発明の薄膜付き基板（反射型マスクブランク４０）の製造方法では、反射型マスクブランク４０の吸収体膜４１は、Ｔａを含有する材料からなることが好ましい。吸収体膜４１が、Ｔａを含有する材料からなることにより、ＥＵＶ光に対する所定の適切な吸収をもつ吸収体膜４１を得ることができる。

【0097】

本発明の薄膜付き基板の製造方法において、多層反射膜付き基板３０は、多層反射膜３１上に保護膜３２が形成されていることが好ましい。

【0098】

上記吸収体膜４１のパターニング又はパターン修正の際に多層反射膜３１を保護する目的で、多層反射膜３１と吸収体膜４１との間に上記保護膜３２やバッファ膜を設けることができる。保護膜３２の材料としては、ケイ素の他、ルテニウムや、ルテニウムにニオブ、ジルコニウム、ロジウムのうち１以上の元素を含有するルテニウム化合物が用いられる。また、バッファ膜の材料としては、主に前記のクロム系材料が用いられる。多層反射膜付き基板３０及び反射型マスクブランク４０が多層反射膜３１上に保護膜３２を有することにより、反射型マスク（ＥＵＶマスク）６０を製造する際の多層反射膜３１表面へのダメージを抑制することができるので、ＥＵＶ光に対する反射率特性が更に良好となる。

【0099】

また、本発明は、図１４に示すように、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜４１に本発明の基準マーク１３が形成されている反射型マスクブランク４０についても提供する。なお、図１４において、図６と同等箇所には同一符号を付した。

【0100】

図１４においては、保護膜３２が露出するように吸収体膜４１を除去して基準マーク１３が形成されている例を示すが、吸収体膜４１の途中まで除去して基準マーク１３を形成したり、吸収体膜４１と保護膜３２とを除去して多層反射膜３１が露出するように基準マーク１３を形成したり、吸収体膜４１、保護膜３２及び多層反射膜３１を除去して基板１１が露出するように基準マーク１３を形成してもよい。

【0101】

［マスクブランク］
本発明は、マスクブランク用ガラス基板１１上に、転写パターンとなる薄膜が形成されているマスクブランクについても提供する。

【0102】

図７は、ガラス基板１１上に、遮光膜５１が形成されているバイナリマスクブランク５０を示す。本発明の基準マーク１３は遮光膜５１に形成されている。また、図示していないが、ガラス基板１１上に、位相シフト膜、又は位相シフト膜及び遮光膜５１を備えることにより、位相シフト型マスクブランクが得られる。また、ガラス基板１１の表面に必要に応じて前記下地層２１を設ける構成としてもよい。この遮光膜５１は、単層でも複数層（例えば遮光層と反射防止層との積層構造）としてもよい。また、遮光膜５１を遮光層と反射防止層との積層構造にする場合、この遮光層を複数層からなる構造としてもよい。また、上記位相シフト膜についても、単層でも複数層としてもよい。

【0103】

このようなマスクブランクとしては、例えば、クロム（Ｃｒ）を含有する材料により形成されている遮光膜５１を備えるバイナリマスクブランク５０、遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料により形成されている遮光膜５１を備えるバイナリマスクブランク５０、タンタル（Ｔａ）を含有する材料により形成されている遮光膜５１を備えるバイナリマスクブランク５０、ケイ素（Ｓｉ）を含有する材料、あるいは遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料により形成されている位相シフト膜を備える位相シフト型マスクブランクなどが挙げられる。

【0104】

上記クロム（Ｃｒ）を含有する材料としては、クロム単体、クロム系材料（ＣｒＯ，ＣｒＮ，ＣｒＣ，ＣｒＯＮ，ＣｒＣＮ，ＣｒＯＣ，ＣｒＯＣＮ等）が挙げられる。

【0105】

上記タンタル（Ｔａ）を含有する材料としては、タンタル単体の他に、タンタルと他の金属元素（例えば、Ｈｆ、Ｚｒ等）との化合物、タンタルに更に窒素、酸素、炭素及びホウ素のうち少なくとも１つの元素を含む材料、具体的には、ＴａＮ、ＴａＯ，ＴａＣ，ＴａＢ，ＴａＯＮ，ＴａＣＮ，ＴａＢＮ，ＴａＣＯ，ＴａＢＯ，ＴａＢＣ，ＴａＣＯＮ，ＴａＢＯＮ，ＴａＢＣＮ，ＴａＢＣＯＮを含む材料などが挙げられる。

【0106】

上記ケイ素（Ｓｉ）を含有する材料としては、ケイ素に、更に窒素、酸素及び炭素のうち少なくとも１つの元素を含む材料、具体的には、ケイ素の窒化物、酸化物、炭化物、酸窒化物、炭酸化物、あるいは炭酸窒化物を含む材料が好適である。

【0107】

また、上記遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料としては、遷移金属とケイ素を含有する材料の他に、遷移金属及びケイ素に、更に窒素、酸素及び炭素のうち少なくとも１つの元素を含む材料が挙げられる。具体的には、遷移金属シリサイド、又は遷移金属シリサイドの窒化物、酸化物、炭化物、酸窒化物、炭酸化物、あるいは炭酸窒化物を含む材料が好適である。遷移金属には、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、クロム、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、ニオブ等が適用可能である。この中でも特にモリブデンが好適である。

【0108】

［基準マーク１３の形成］
次に、本発明の薄膜付き基板の製造方法において、薄膜付き基板に基準マーク１３を形成する方法について、説明する。

【0109】

本発明の薄膜付き基板の製造方法において、薄膜付き基板に基準マーク１３を形成するために、まず、薄膜付き基板にレジスト膜を形成するレジストを形成する（レジスト膜形成工程）。レジスト膜としては、公知のものを用いることができる。レジスト膜は、フォトマスク８０又はインプリント用プレートに形成された基準マーク１３のパターンに応じて、フォトリソグラフィ用のポジ型又はネガ型レジストを用いて形成することができる。

【0110】

次に、薄膜付き基板に形成されたレジスト膜に対して、フォトマスク８０又はインプリント用プレートに形成されている前記基準マーク１３のパターンを転写（露光・現像）することにより、上述の基準マーク１３のパターンを有するレジストパターンを形成する（レジストパターン形成工程）。レジストパターンの形成は、公知のフォトリソグラフィ法によって行うことができる。

【0111】

本発明の薄膜付き基板の製造方法では、一つのフォトマスク８０又はインプリント用プレートを用いることにより、複数の薄膜付き基板に対して、同一の形状の基準マーク１３を、同一の位置に転写することができる。そのため、電子線描画装置、欠陥検査装置のいずれでも確実に検出することができ、しかも電子線、欠陥検査光の走査によって決定される欠陥位置の基準点のずれが小さい基準マークを、複数の薄膜付き基板に対して、比較的低コストで形成することができる。

【0112】

次に、本発明の薄膜付き基板の製造方法では、上述のレジストパターンをマスクにして前記薄膜付き基板に形成されている少なくとも１層の薄膜を、塩素、臭素、ヨウ素、及びキセノンのうちのいずれかの元素とフッ素との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去して、前記薄膜に前記基準マーク１３のパターンを形成する（基準マーク形成工程）。前記薄膜付き基板に形成されている少なくとも１層の薄膜のうち、レジストパターンのマスクが形成されていない部分、すなわち基準マーク１３の形状の部分に、所定の非励起状態の物質が接触することにより、基準マーク１３の形状の部分の薄膜を除去することができる。この結果、薄膜付き基板に基準マーク１３のパターンを形成することができる。

【0113】

本発明において用いられる、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、及びキセノン（Ｘｅ）のうちのいずれかの元素とフッ素（Ｆ）との化合物（以下、単に「本発明の化合物」又は「所定の非励起状態の物質」と呼ぶ場合がある。）としては、例えば、ＣｌＦ_３、ＣｌＦ、ＢｒＦ_５、ＢｒＦ、ＩＦ_３、ＩＦ_５、ＸｅＦ_２、ＸｅＦ_４、ＸｅＦ_６、ＸｅＯＦ_２、ＸｅＯＦ_４、ＸｅＯ_２Ｆ_２、ＸｅＯ_３Ｆ_２、又はＸｅＯ_２Ｆ_４等の化合物を好ましく用いることができる。この中でも、本発明においては特にＣｌＦ_３を好ましく用いることができる。

【0114】

本発明の薄膜付き基板の製造方法では、所定の非励起状態の物質は、ＣｌＦ_３ガスであることが好ましい。薄膜を除去するために接触させる物質がＣｌＦ_３ガスであることにより、薄膜の除去を確実に行うことができる。例えば、反射型マスクブランク４０の場合のＴａＢＮ膜等のＴａを含む吸収体膜４１は、ＣｌＦ_３ガスにより確実に除去することができる。

【0115】

反射型マスクブランク４０又はバイナリマスクブランク５０等を用いて作製された反射型マスク６０又はバイナリマスク７０等の薄膜を、本発明の化合物を含む非励起状態の物質に接触させる方法としては、例えばチャンバー１１０内にマスクブランクを設置し、該チャンバー１１０内に本発明の化合物を含む物質をガス状態で導入してチャンバー１１０内を該ガスで置換する方法が好ましく挙げられる。薄膜を除去するための装置として、図１５又は図１６に示す処理装置を用いることができる。

【0116】

図１５又は図１６に示す処理装置では、ガス充填容器１１３，１１４のガス（本発明の化合物を含む物質）が、流量制御器１１５，１１６を経て噴出ノズル１１５，１１６からチャンバー１１０に導入される。チャンバー１１０内のステージ１１２に配置された処理基板１１１（薄膜付き基板）の所定の薄膜は、ガス状態の本発明の化合物を含む物質に接触することにより除去される。なお、反応後の又は残余のガス状態の物質は、排気管１１８を経て、排気ガス処理装置１１９にて処理される。チャンバー１１０にはヒーター（図示せず）を配置することにより、処理温度を制御することができる。

【0117】

本発明の薄膜付き基板の製造方法は、前記薄膜付き基板準備工程において、複数の前記薄膜付き基板を準備して、前記基準マーク形成工程において図１６に示すような処理装置を用いることにより、複数の前記薄膜付き基板の前記薄膜に対して同時に前記基準マーク１３のパターンを形成することが好ましい。図１６に示すような処理装置を用いて、複数の薄膜付き基板の薄膜に対して同時に基準マーク１３のパターンを形成することにより、より低コストの反射型マスク６０等の転写用マスクの製造方法を得ることができる。また、複数の薄膜付き基板間での基準マーク形成位置の面間ばらつきも低減できる。

【0118】

本発明において、所定の非励起状態の物質（本発明の化合物を含む物質）をガス状態で使用する場合、所定の非励起状態の物質と、窒素ガス、あるいはアルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）、ラドン（Ｒｎ）等（以下、単にアルゴン（Ａｒ）等という。）との混合ガスを用いることができる。本発明において、本発明の化合物を含む物質をガス状態で使用する場合、本発明の化合物とアルゴン（Ａｒ）との混合ガスを好ましく用いることができる。

【0119】

反射型マスクブランク４０又はバイナリマスクブランク５０等に形成された薄膜を、本発明の化合物を含む非励起のガス状態の物質に接触させる場合の処理条件、例えばガス流量、ガス圧力、温度、処理時間については特に制約する必要はない。本発明の作用を好ましく得る観点からは、多層反射膜３１及びその他の薄膜等の材料や層数（膜厚）によって、これらの処理条件を適宜選定することが望ましい。

【0120】

ガス流量については、例えば本発明の化合物とアルゴンとの混合ガスを用いる場合、本発明の化合物が流量比で１％以上混合されていることが好ましい。本発明の化合物の流量が上記流量比よりも少ない場合には、薄膜の除去の進行が遅くなり、結果として処理時間が長くなり、除去しづらくなる。

【0121】

また、ガス圧力については、例えば、０．１〜１００ｋＰａ、好ましくは１〜５０ｋＰａの範囲で適宜選定することが好ましい。ガス圧力が上記範囲よりも低いと、チャンバー１１０内の本発明の化合物のガス量自体が少なすぎて薄膜の除去の進行が遅くなり、結果として処理時間が長くなり、除去しづらくなる。一方、ガス圧力が上記範囲よりも高い場合（特に大気圧以上の場合）には、ガスがチャンバー１１０の外に流出する恐れがあり、本発明の化合物には毒性の高いガスも含まれるため、好ましくない。

【0122】

また、ガスの温度については、例えば、２０〜２５０℃の範囲で適宜選定することが好ましい。温度が上記範囲よりも低い場合には、薄膜の除去の進行が遅くなり、結果として処理時間が長くなり、除去しづらくなる。一方、温度が上記範囲よりも高い場合には、除去が早く進行し、処理時間は短縮できるものの、除去する薄膜と、その下にある残余する薄膜又は基板との選択性が得られにくくなり、残余する薄膜及び基板へのダメージがやや大きくなる恐れがある。

【0123】

更に、処理時間については、基本的には基板から薄膜が剥離除去されるのに十分な時間であればよい。本発明の場合、上述のガス流量、ガス圧力、ガス温度、薄膜の材料、膜厚によって、薄膜を剥離除去するための処理時間が多少異なる。一般的に、処理時間が概ね５〜３０分の範囲である場合には、所定の薄膜を除去することができる。

【0124】

多層反射膜付き基板３０の多層反射膜３１を対象として、上述の所定の非励起状態の物質を接触させて除去することにより、所定の基準マーク１３を形成する場合、多層反射膜３１は、Ｍｏ膜とＳｉ膜とを交互に４０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ周期積層膜とすることが好ましい。その他、ＥＵＶ光の領域で使用される多層反射膜３１として、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層膜、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜などとすることが可能である。

【0125】

反射型マスクブランク４０の吸収体膜４１を対象として、上述の所定の非励起状態の物質を接触させて除去することによって所定の基準マーク１３を形成する場合、吸収体膜４１は、露光光である例えばＥＵＶ光を吸収する機能を有するもので、例えばタンタル（Ｔａ）単体又はＴａを主成分とする材料が好ましく用いられる。Ｔａを主成分とする材料としては、ＴａとＢとを含む材料、ＴａとＮとを含む材料、ＴａとＢとを含み、更にＯ及びＮのうちの少なくともいずれかを含む材料、ＴａとＳｉとを含む材料、ＴａとＳｉとＮとを含む材料、ＴａとＧｅとを含む材料、ＴａとＧｅとＮとを含む材料、ＴａとＨｆとを含む材料、ＴａとＨｆとＮとを含む材料、ＴａとＨｆとＯとを含む材料、ＴａとＺｒとを含む材料、ＴａとＺｒとＮとを含む材料、ＴａとＺｒとＯとを含む材料等が用いられる。

【0126】

また、上述のように、通常、多層反射膜３１を保護するため、多層反射膜３１と吸収体膜４１との間に保護膜３２やバッファ膜を設ける。保護膜３２の材料としては、ケイ素の他、ルテニウムや、ルテニウムにニオブ、ジルコニウム、ロジウムのうち１以上の元素を含有するルテニウム化合物が用いられ、バッファ膜の材料としては、主に前記のクロム系材料が用いられる。

【0127】

本発明によれば、このような反射型マスクブランク４０又は反射型マスク６０の場合、上記多層反射膜３１と、その上に積層された吸収体膜４１（保護膜３２を有する場合は、保護膜３２及び吸収体膜４１）とを一緒に除去することが可能である。

【0128】

本発明の基準マーク１３を形成方法では、除去する薄膜がフッ素系ガス（例えば、ＳＦ_６，ＣＦ_４，Ｃ_２Ｆ_６，ＣＨＦ_３等、あるいはこれらとＨｅ，Ａｒ，Ｎ_２，Ｃ_２Ｈ_４，Ｏ_２等との混合ガス）でドライエッチング可能な材料で形成されている場合に好適である。ガラス基板１１上の薄膜をすべて除去する場合、ガラス基板１１は、ドライエッチングで用いられる励起状態であるフッ素系ガスのプラズマにはエッチングされやすいが、非励起状態のフッ素系化合物の物質に対してはエッチングされにくい特性を有している。これに対して、薄膜で使用されるフッ素系ガスでドライエッチング可能な材料は、非励起状態のフッ素系化合物の物質に対してもエッチングされやすい特性を有している。すなわち、フッ素系ガスでドライエッチング可能な材料は、非励起状態のフッ素系化合物の物質に対して、十分なエッチング選択性が得られやすく、薄膜の除去によるガラス基板１１へのダメージを少なくできる効果を特に得られやすい。

【0129】

このフッ素系ガスでドライエッチング可能な材料としては、例えば、ケイ素（Ｓｉ）を含有する材料、遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料、金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料、及びタンタル（Ｔａ）を含有する材料などが挙げられる。

【0130】

マスクブランク（バイナリマスクブランク５０）を対象として、上述の所定の非励起状態の物質を接触させて遮光膜５１を除去することにより、所定の基準マーク１３を形成する場合、上述のフッ素系ガスでドライエッチング可能な材料としては、例えば、ケイ素（Ｓｉ）を含有する材料、遷移金属とケイ素（Ｓｉ）とを含有する材料、金属とケイ素（Ｓｉ）とを含有する材料、及びタンタル（Ｔａ）を含有する材料などが挙げられる。このような材料を用いるマスクブランクとしては、例えば、遷移金属とケイ素（Ｓｉ）とを含有する材料により形成されている遮光膜５１を備えるバイナリマスクブランク５０、タンタル（Ｔａ）を含有する材料により形成されている遮光膜５１を備えるバイナリマスクブランク５０、ケイ素（Ｓｉ）を含有する材料、あるいは遷移金属とケイ素（Ｓｉ）とを含有する材料により形成されている位相シフト膜を備える位相シフト型マスクブランクなどが挙げられる。

【0131】

上記ケイ素（Ｓｉ）を含有する材料としては、ケイ素に、更に窒素、酸素及び炭素のうち少なくとも１つの元素を含む材料、具体的には、ケイ素の窒化物、酸化物、炭化物、酸窒化物、炭酸化物、あるいは炭酸窒化物を含む材料が好適である。

【0132】

また、上記遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料としては、遷移金属とケイ素とを含有する材料の他に、遷移金属及びケイ素に、更に窒素、酸素及び炭素のうち少なくとも１つの元素を含む材料が挙げられる。具体的には、遷移金属シリサイド、又は遷移金属シリサイドの窒化物、酸化物、炭化物、酸窒化物、炭酸化物、あるいは炭酸窒化物を含む材料が好適である。遷移金属には、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、クロム、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、ニオブ、イットリウム、ランタン、パラジウム、鉄等が適用可能である。この中でも特にモリブデンが好適である。

【0133】

また、上記金属とケイ素（Ｓｉ）とを含有する材料としては、金属とケイ素とを含有する材料の他に、金属及びケイ素に、更に窒素、酸素及び炭素のうち少なくとも１つの元素を含む材料が挙げられる。金属とケイ素（Ｓｉ）とを含有する材料には、前記の遷移金属とケイ素（Ｓｉ）とを含有する材料が含まれる。金属には、前記の遷移金属の他、ゲルマニウム、ガリウム、アルミニウム、インジウム、スズ等が適用可能である。

【0134】

また、上記タンタル（Ｔａ）を含有する材料としては、タンタル単体の他に、タンタルと他の金属元素（例えば、Ｈｆ、Ｚｒ等）との化合物、タンタルに更に窒素、酸素、炭素及びホウ素のうち少なくとも１つの元素を含む材料、具体的には、ＴａＮ、ＴａＯ，ＴａＣ，ＴａＢ，ＴａＯＮ，ＴａＣＮ，ＴａＢＮ，ＴａＣＯ，ＴａＢＯ，ＴａＢＣ，ＴａＣＯＮ，ＴａＢＯＮ，ＴａＢＣＮ，ＴａＢＣＯＮを含む材料などが挙げられる。

【0135】

上述のようにして薄膜付き基板に基準マーク１３を形成した後、基準マーク１３のパターンを有するレジストパターンを剥離することにより、本発明の薄膜付き基板を得ることができる。レジストパターンの剥離は、公知の方法で行うことができる。以上のようにして、本発明の薄膜付き基板を製造することができる。

【0136】

［転写用マスク］
本発明は、上述の薄膜付き基板の製造方法によって得られた薄膜付き基板を用いて、吸収体膜４１をパターニングして反射型マスク６０を作製することを特徴とする転写用マスクの製造方法である。図８は、図６の反射型マスクブランク４０における吸収体膜４１がパターニングされた吸収体膜４１パターン４１ａを備える反射型マスク６０を示す。

【0137】

また、図９は、図７のバイナリマスクブランク５０における遮光膜５１がパターニングされた遮光膜５１パターン５１ａを備えるバイナリマスク７０を示す。

【0138】

マスクブランクにおける転写パターンとなる上記吸収体膜４１又は上記遮光膜５１、反射防止膜等の薄膜をパターニングする方法は、フォトリソグラフィ法が最も好適である。なお、図示していないが、上述のマスクブランク用ガラス基板１１上に、位相シフト膜、あるいは位相シフト膜及び遮光膜５１を備える構造の位相シフト型マスクブランクにおいても、転写パターンとなる薄膜をパターニングすることにより、位相シフト型マスクが得られる。

【実施例】

【0139】

以下、実施例により、本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。

【0140】

（実施例１）
両面研磨装置を用い、酸化セリウム砥粒やコロイダルシリカ砥粒により段階的に研磨し、低濃度のケイフッ酸で基板表面を表面処理したＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２系のガラス基板１１（大きさが１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍ）を準備した。得られたガラス基板１１の表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．２５ｎｍであった（原子間力顕微鏡にて測定した。測定領域は１μｍ×１μｍ。）。

【0141】

このガラス基板１１の表裏両面の表面形状（表面形態、平坦度）を平坦度測定装置（トロッペル社製UltraFlat）で測定（測定領域１４８ｍｍ×１４８ｍｍ）した結果、ガラス基板１１の表面及び裏面の平坦度は約２９０ｎｍであった。

【0142】

次に、ガラス基板１１表面に局所表面加工を施し表面形状を調整した。得られたガラス基板１１表面の表面形状（表面形態、平坦度）と表面粗さを測定したところ、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの測定領域において、表裏両面の平坦度は８０ｎｍで、１００ｎｍ以下となっており良好であった。

【0143】

次に、ＢドープＳｉターゲットを使用し、スパッタリングガスとしてＡｒガスとＨｅガスとの混合ガスを使用し、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより、１００ｎｍのＳｉ下地層２１を成膜した後、Ｓｉ膜に熱エネルギーを付与して応力低減処理を行った。

【0144】

その後、Ｓｉ下地層２１表面について、表面形状を維持し、表面粗さを低減するため、片面研磨装置を用いた精密研磨を行った。得られたＳｉ下地層２１表面の表面形状（表面形態、平坦度）と表面粗さを測定したところ、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの測定領域において、８０ｎｍで、１００ｎｍ以下となっており良好であった。また、表面粗さは、１μｍ×１μｍの測定領域において、二乗平均平方根粗さＲＭＳで０．０８ｎｍとなっており極めて良好であった。ＲＭＳで０．１ｎｍ以下と極めて高い平滑性を有しているので、高感度の欠陥検査装置におけるバックグランドノイズが低減し、擬似欠陥検出抑制の点でも効果がある。また、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）は、１μｍ×１μｍの測定領域において、０．６０ｎｍで、Ｒｍａｘ／ＲＭＳは７．５となっており、表面粗さのばらつきは小さく良好であった。

【0145】

次に、Ｓｉ下地層２１上に、イオンビームスパッタリング装置を用いて、Ｓｉ膜（膜厚：４．２ｎｍ）とＭｏ膜（膜厚：２．８ｎｍ）とを一周期として、４０周期積層して多層反射膜３１（総膜厚２８０ｎｍ）を形成し、多層反射膜付き基板３０を得た。

【0146】

次に、基板周縁部に、基準マーク１３のパターンが形成されたフォトマスク（バイナリマスク７０）を準備した。なお、本実施例では、基準マーク１３として、前述のメインマーク１３ａ及び補助マーク１３ｂ、１３ｃを、図２に示すような配置関係となるように形成した。メインマーク１３ａは、大きさが５μｍ×５μｍの矩形とした。また、補助マーク１３ｂ、１３ｃはいずれも、大きさが１μｍ×２００μｍの矩形とした。

【0147】

次に、基準マーク１３のパターンが形成されたフォトマスクを用いたリソグラフィ法によって、複数枚の上記多層反射膜３１の表面の所定の箇所に、断面形状が凹形状の基準マーク１３を形成した。具体的には、まず、複数枚の多層反射膜付き基板３０の多層反射膜３１の表面に、ポジ型フォトレジスト膜を形成した。このフォトレジスト膜に対して、上述のフォトマスクの基準マーク１３のパターンを、等倍露光により転写した。その後、フォトレジスト膜の現像及びリンスを行うことにより、多層反射膜３１上のフォトレジスト膜のうち、基準マーク１３に相当する部分を除去した。このようにして、多層反射膜３１上に基準マーク１３のレジストパターンが形成された、複数枚の多層反射膜付き基板３０を得た。

【0148】

次に、複数枚（具体的には、１４枚）の多層反射膜付き基板３０の多層反射膜３１の所定部分を除去することにより、基準マーク１３を形成した。具体的には、図１６に模式的に示すようなチャンバー１１０（１４枚収容可能）内に、１４枚の上記多層反射膜付き基板３０を設置した。次に、該チャンバー１１０内に、ＣｌＦ_３とＮ_２との混合ガス（流量比ＣｌＦ_３：Ｎ_２＝０．２：２０ＳＬＭ（Standard Liter per Minute））を導入してチャンバー１１０内を該ガスで置換することにより、上記多層反射膜付き基板３０の多層反射膜３１のうち基準マーク１３に相当する部分を、非励起状態の上記混合ガスに接触させるようにしてエッチング除去した。この時のガス圧力は２ｋＰａ、温度は１８０℃に調節し、処理時間は３０分とした。この結果、基準マーク１３に相当する部分の多層反射膜３１は、すべて除去された。したがって、形成された基準マーク１３の深さは、多層反射膜３１を構成するすべての層を除去したので、約２８０ｎｍだった。

【0149】

次に、レジスト剥離液によってフォトレジスト膜を剥離し、リンスした。この結果、多層反射膜３１の外周部に基準マーク１３が形成された１４枚の多層反射膜付き基板３０を得た。

【0150】

このようにしてＭｏ膜とＳｉ膜との交互積層膜からなるＥＵＶ多層反射膜３１のうち、基準マーク１３に相当する部分を除去した基板の表面を電子顕微鏡にて観察したところ、多層反射膜３１を除去した部分には、多層反射膜３１の残渣や、白濁などの変質層の発生は確認されなかった。

【0151】

基準マーク１３の断面形状を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により観察したところ、側壁の傾斜角度が８２度、多層反射膜３１表面と側壁との間の稜線部の曲率半径が約３０ｎｍと良好な断面形状であった。

【0152】

上述のようにして製造した複数枚の多層反射膜付き基板３０における基準マーク１３の相対位置精度は、良好であった。

【0153】

次に、実施例１の複数枚の多層反射膜付き基板３０の多層反射膜３１表面をブランクス欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）で欠陥検査を行った。この欠陥検査では、上述の基準マーク１３を基準として、基準点を決定し、決定した基準点との相対位置に基づく凸、凹の欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報を取得し、欠陥マップを作成した。多層反射膜付き基板３０と、これら欠陥位置情報、欠陥サイズ情報とを対応させた欠陥情報（欠陥マップ）付き多層反射膜付き基板３０を得た。この多層反射膜付き基板３０の多層反射膜３１表面の反射率を、ＥＵＶ反射率計により評価したところ、下地層２１表面粗さばらつきが抑えられたことにより、６７％±０．２％と良好であった。

【0154】

次に、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて、多層反射膜３１上にＲｕからなる保護膜３２（膜厚：２．５ｎｍ）と、吸収層であるＴａＢＮ膜（膜厚：５６ｎｍ）及び低反射層であるＴａＢＯ膜（膜厚：１４ｎｍ）の積層膜からなる吸収体膜４１とを形成し、また、裏面にＣｒＮ導電膜（膜厚：２０ｎｍ）を形成して、実施例１のＥＵＶ反射型マスクブランク４０を得た。

【0155】

得られたＥＵＶ反射型マスクブランク４０について、ブランクス欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）で欠陥検査を行った。上述と同様に上述の基準マーク１３を基準として、凸、凹の欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報とを取得し、ＥＵＶ反射型マスクブランク４０と、これら欠陥位置情報、欠陥サイズ情報とを対応させた欠陥情報付きＥＵＶ反射型マスクブランク４０を得た。

【0156】

次に、この欠陥情報付きのＥＵＶ反射型マスクブランク４０を用いて、ＥＵＶ反射型マスク６０を作製した。

【0157】

まず、ＥＵＶ反射型マスクブランク４０上に電子線描画用レジストをスピンコーティング法により塗布、ベーキングしてレジスト膜を形成した。

【0158】

次に、ＥＵＶ反射型マスクブランク４０の欠陥情報に基づいて、予め設計しておいたマスクパターンデータと照合し、露光装置を用いたパターン転写に影響のないマスクパターンデータに修正するか、パターン転写に影響があると判断した場合には、例えば欠陥をパターンの下に隠すように修正パターンデータを追加したマスクパターンデータに修正するか、修正パターンデータでも対応ができない欠陥については、マスク作製後の欠陥修正の負荷が低減できるマスクパターンデータに修正し、この修正されたマスクパターンデータに基づいて、上述のレジスト膜に対して電子線によりマスクパターンを描画、現像を行い、レジストパターンを形成した。本実施例では、上記基準マーク１３と欠陥との相対位置関係が高い精度で管理できたので、マスクパターンデータの修正を高精度で行うことができた。

【0159】

このレジストパターンをマスクとし、吸収体膜４１のうちＴａＢＯ膜をフッ素系ガス（ＣＦ_４ガス）によりエッチング除去し、ＴａＢＮ膜を塩素系ガス（Ｃｌ_２ガス）によりエッチング除去して、保護膜３２上に吸収体膜パターン４１ａを形成した。

【0160】

更に、吸収体膜パターン４１ａ上に残ったレジストパターンを熱硫酸で除去し、ＥＵＶ反射型マスク６０を得た。

【0161】

この得られたＥＵＶ反射型マスク６０についてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査したところ、多層反射膜３１上に凸欠陥は確認されなかった。

【0162】

こうして得られた反射型マスク６０を露光装置にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行う場合、反射型マスク６０に起因する転写パターンの欠陥もなく、良好なパターン転写を行うことができる。

【0163】

（実施例２）
上記実施例１における基準マーク１３を多層反射膜３１に形成せず、吸収体膜４１に形成した以外は実施例１と同様にして、複数の反射型マスクブランク４０を作製した。

【0164】

具体的には、実施例２では、実施例１と同様の方法で多層反射膜付き基板３０を製造した。その後、多層反射膜３１に基準マーク１３を形成せずに、実施例１と同様の方法で、多層反射膜３１上にＲｕからなる保護膜３２（膜厚：２．５ｎｍ）と、吸収層であるＴａＢＮ膜（膜厚：５６ｎｍ）及び低反射層であるＴａＢＯ膜（膜厚：１４ｎｍ）の積層膜からなる吸収体膜４１とを形成した。

【0165】

次に、実施例１と同様に、基準マーク１３のパターンが形成されたフォトマスクを用いたリソグラフィ法によって、複数枚の吸収体膜４１の表面の所定の箇所に、断面形状が凹形状の基準マーク１３を形成した。具体的には、まず、複数枚の多層反射膜付き基板３０の吸収体膜４１の表面に、ポジ型フォトレジスト膜を形成した。このフォトレジスト膜に対して、上述のフォトマスクの基準マーク１３のパターンを、等倍露光により転写した。その後、フォトレジスト膜の現像及びリンスを行うことにより、吸収体膜４１上のフォトレジスト膜のうち、基準マーク１３に相当する部分が除去した。このようにして、吸収体膜４１上に基準マーク１３のレジストパターンが形成された、複数枚の多層反射膜付き基板３０を得た。

【0166】

次に、複数枚（具体的には、１４枚）の多層反射膜付き基板３０の吸収体膜４１に、基準マーク１３を形成した。具体的には、図１６に示すようなチャンバー１１０内に、１４枚の上記多層反射膜付き基板３０を設置した。次に、該チャンバー１１０内に、ＣｌＦ_３とＮ_２との混合ガス（流量比ＣｌＦ_３：Ｎ_２＝０．２：２０ＳＬＭ（Standard Liter per Minute））を導入してチャンバー１１０内を該ガスで置換することにより、上記多層反射膜付き基板３０の吸収体膜４１のうち基準マーク１３に相当する部分を、非励起状態の上記混合ガスに接触させるようにしてエッチング除去した。この時のガス圧力は２０ｋＰａ、温度は１６０℃に調節し、処理時間は２０分とした。この結果、基準マーク１３に相当する部分の吸収体膜４１は、すべて除去された。したがって、形成された基準マーク１３の深さは、吸収体膜４１を構成するすべての層を除去したので、約７０ｎｍだった。

【0167】

また、裏面にＣｒＮ導電膜（膜厚：２０ｎｍ）を形成してＥＵＶ反射型マスクブランク４０を得た。

【0168】

基準マーク１３の断面形状を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により観察したところ、実施例１と同様、側壁の傾斜角度が８７度、吸収体膜４１表面の側壁との間の稜線部の曲率半径が約３０ｎｍと良好な断面形状であった。

【0169】

上述のようにして製造した複数枚の多層反射膜付き基板３０における基準マーク１３の相対位置精度は、良好であった。

【0170】

本実施例においては、基板上に多層反射膜３１が形成された多層反射膜付き基板３０の多層反射膜３１表面を、ブランクス欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）で、基板主表面の中心を基準にして欠陥検査を行った。また、吸収体膜４１が形成された反射型マスクブランク４０について、上述と同様のブランクス欠陥検査装置を用いて基準マーク１３を基準として、凸、凹の欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報を取得した。最後に、多層反射膜付き基板３０の欠陥情報と反射型マスクブランク４０の欠陥情報において、欠陥が一致している複数の欠陥を基に照合することにより、反射型マスクブランク４０と、これら欠陥位置情報、欠陥サイズ情報とを対応させた欠陥情報付きＥＵＶ反射型マスクブランク４０を得た。

【0171】

次に、実施例１と同様に、ＥＵＶ反射型マスク６０を作製した。この得られたＥＵＶ反射型マスク６０についてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査したところ、多層反射膜３１上に凸欠陥は確認されなかった。

【0172】

こうして得られた反射型マスク６０を露光装置にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行う場合、反射型マスク６０に起因する転写パターンの欠陥もなく、良好なパターン転写を行うことができる。

【0173】

（比較例１）
上記実施例１における基準マーク１３の形成を、電子線描画装置を用いてレジスト膜に描画した以外は実施例１と同様にして、比較例１の反射型マスクブランク４０を作製した。

【0174】

具体的には、まず、実施例１と同様に、複数枚の多層反射膜付き基板３０を製造し、多層反射膜３１の表面に、レジスト膜を形成した。このフォトレジスト膜に対して、実施例１で用いたフォトマスクと同じ形状の基準マーク１３のパターン（図２参照）を、電子線描画装置を用いて描画した。その後、レジスト膜の現像及びリンスを行うことにより、多層反射膜３１上のレジスト膜のうち、基準マーク１３に相当する部分が除去した。このようにして、多層反射膜３１上に基準マーク１３のレジストパターンが形成された、複数枚の多層反射膜付き基板３０を得た。

【0175】

次に、実施例１と同じ条件で、複数枚の多層反射膜付き基板３０の多層反射膜３１のうち基準マーク１３に相当する部分を、非励起状態のＣｌＦ_３とＮ_２の混合ガスに接触させるようにしてエッチング除去した。次に、レジスト剥離液によってフォトレジスト膜を剥離し、リンスした。この結果、多層反射膜３１の外周部に基準マーク１３が形成された複数枚の比較例１の多層反射膜付き基板３０を得た。

【0176】

次に、実施例１と同様に、比較例１の複数枚の多層反射膜付き基板３０の多層反射膜３１表面をブランクス欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）で欠陥検査を行った。この欠陥検査では、上述の基準マーク１３を基準として、基準点を決定し、決定した基準点との相対位置に基づく凸、凹の欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報を取得し、欠陥マップを作成した。多層反射膜付き基板３０と、これら欠陥位置情報、欠陥サイズ情報とを対応させた欠陥情報（欠陥マップ）付き多層反射膜付き基板３０を得た。

【0177】

次に、実施例１と同様に、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて、多層反射膜３１上にＲｕからなる保護膜３２（膜厚：２．５ｎｍ）と、吸収層であるＴａＢＮ膜（膜厚：５６ｎｍ）及び低反射層であるＴａＢＯ膜（膜厚：１４ｎｍ）の積層膜からなる吸収体膜４１とを形成し、また、裏面にＣｒＮ導電膜（膜厚：２０ｎｍ）を形成して、比較例１のＥＵＶ反射型マスクブランク４０を得た。

【0178】

得られたＥＵＶ反射型マスクブランク４０について、ブランクス欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）で欠陥検査を行った。上述と同様に上述の基準マーク１３を基準として、凸、凹の欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報を取得し、ＥＵＶ反射型マスクブランク４０と、これら欠陥位置情報、欠陥サイズ情報とを対応させた欠陥情報付きＥＵＶ反射型マスクブランク４０を得た。

【0179】

次に、この欠陥情報付きのＥＵＶ反射型マスクブランク４０を用いて、ＥＵＶ反射型マスク６０を作製した。

【0180】

まず、ＥＵＶ反射型マスクブランク４０上に電子線描画用レジストをスピンコーティング法により塗布、ベーキングしてレジスト膜を形成した。

【0181】

次に、ＥＵＶ反射型マスクブランク４０の欠陥情報に基づいて、予め設計しておいたマスクパターンデータと照合し、露光装置を用いたパターン転写に影響のないマスクパターンデータに修正するか、パターン転写に影響があると判断した場合には、例えば欠陥をパターンの下に隠すように修正パターンデータを追加したマスクパターンデータに修正するか、修正パターンデータでも対応ができない欠陥については、マスク作製後の欠陥修正の負荷が低減できるマスクパターンデータに修正し、この修正されたマスクパターンデータに基づいて、上述のレジスト膜に対して電子線によりマスクパターンを描画、現像を行い、レジストパターンを形成することを試みた。しかしながら、比較例１では、実施例１と比べて、上記基準マーク１３と欠陥との相対位置関係が高い精度で管理できなかったので、マスクパターンデータの修正を高精度で行うことができなかった。

【0182】

このレジストパターンをマスクとし、吸収体膜４１のうちＴａＢＯ膜をフッ素系ガス（ＣＦ_４ガス）によりエッチング除去し、ＴａＢＮ膜を塩素系ガス（Ｃｌ_２ガス）によりエッチング除去して、保護膜３２上に吸収体膜パターン４１ａを形成した。

【0183】

更に、吸収体膜パターン４１ａ上に残ったレジストパターンを熱硫酸で除去し、ＥＵＶ反射型マスク６０を得た。

【0184】

この得られたＥＵＶ反射型マスク６０についてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査したところ、多層反射膜３１上に凸欠陥が確認された。

【0185】

こうして得られた反射型マスク６０を露光装置にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行う場合、反射型マスク６０に起因する転写パターンの欠陥があり、良好なパターン転写を行うことができない。

【0186】

また、比較例１の場合、基準マークを形成する際のレジストパターン形成の描画時間が約３０〜６０分／枚なのに対して、実施例１のフォトマスクを利用した基準マークを形成する際のレジストパターンの形成は、約１〜２分／枚となり、製造時間を大幅に短縮できるので、本発明の製造方法により、低コストの反射型マスクブランク、及び反射型マスクを得ることができた。

【0187】

なお、上述の実施例では、基準マーク１３を形成する際に、１４枚の多層反射膜付き基板３０を同時に、図１６に示すようなチャンバー１１０内でＣｌＦ_３とＮ_２との混合ガスを用いて処理したが、これに限定されない。例えば、図１５に示すようなエッチングチャンバー１１０を用いて、多層反射膜付き基板３０を一枚ずつ処理することも可能である。

【符号の説明】

【0188】

１１ ガラス基板
１２ ラフアライメントマーク
１３ 基準マーク（ファインマーク）
１３ａ メインマーク
１３ｂ、１３ｃ 補助マーク
２１ 下地層
３０ 多層反射膜付き基板
３１ 多層反射膜
３２ 保護膜
４０ 反射型マスクブランク
４１ 吸収体膜
４１ａ 吸収体膜パターン
５０ バイナリマスクブランク
５１ 遮光膜
６０ 反射型マスク
７０ バイナリマスク
８０ フォトマスク
１１０ チャンバー
１１１ 処理基板
１１２ ステージ
１１３，１１４ ガス充填容器
１１５，１１６ 流量制御器
１１７ 噴出ノズル
１１８ 排気管
１１９ 排気ガス処理装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】