特許6286087IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

概して、半導体記憶装置および方法に関し、より詳細には、メモリセルのセンシング

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】本開示のいくつかの実施形態によるメモリアレイの一部分の概略図である。

【図2】本開示のいくつかの実施形態による、隣接するデータ線の対によって共用されるデータ線制御ユニットを含む、メモリアレイの一部分の概略図である。

【図3】本開示のいくつかの実施形態による共用データ線制御ユニットを示すブロック図である。

【図4】本開示のいくつかの実施形態によって動作されるメモリデバイスを有する電子メモリシステムの形態の装置のブロック図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

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