(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記テール電極群を構成する全ての前記テール電極のうち、選択された特定のテール電極の間に前記ブリッジ部材が配置されたことを特徴とする請求項1に記載のフレキシャ。
前記テール電極群が一対の書込用テール電極と、一対の読取用テール電極とを含み、前記ブリッジ部材が前記一対の書込用テール電極と前記一対の読取用テール電極との間に配置されたことを特徴とする請求項5に記載のフレキシャ。
前記テール電極群が一対のセンサ用テール電極を含み、前記ブリッジ部材が前記一対のセンサ用テール電極と前記一対の読取用テール電極との間に配置されたことを特徴とする請求項9に記載のフレキシャ。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下に第1の実施形態に係るディスク装置用サスペンションのフレキシャについて、
図1から
図10を参照して説明する。
図1に示すハードディスク装置(HDD)10は、ケース11と、スピンドル12を中心に回転するディスク13と、ピボット軸14を中心に旋回可能なキャリッジ15と、キャリッジ15を旋回させるためのポジショニング用モータ16を有している。ケース11は蓋(図示せず)によって密閉される。
【0017】
図2はディスク装置10の一部を模式的に示す断面図である。キャリッジ15にアーム17が設けられている。アーム17の先端部に、ディスク装置用サスペンション20(これ以降、単にサスペンション20と称する)が取付けられている。サスペンション20の先端に、磁気ヘッドとして機能するスライダ21が設けられている。ディスク13が高速で回転することにより、ディスク13とスライダ21との間にエアベアリングが形成される。
【0018】
キャリッジ15がポジショニング用モータ16によって旋回すると、サスペンション20がディスク13の径方向に移動することにより、スライダ21がディスク13の所望トラックまで移動する。スライダ21には、ディスク13にデータを記録するための磁気コイルと、ディスク13に記録されたデータを読取るためのMR(Magneto Resistive)素子と、ヒータなどが設けられている。MR素子は、ディスク13に記録された磁気信号を電気信号に変換する。
【0019】
図3は、テールパッド部25とテスト用パッド26とを備えたサスペンション20の一例を示している。サスペンション20は、ベースプレート30と、ロードビーム31と、ヒンジ部材32と、配線付フレキシャ(flexure with conductors)40とを備えている。これ以降、配線付フレキシャ40を単にフレキシャ40と称する。ベースプレート30のボス部30aは、キャリッジ15のアーム17(
図1と
図2に示す)に固定される。フレキシャ40の先端付近にタング41(
図3に示す)が形成されている。タング41にスライダ21が取付けられている。
【0020】
図3に示されるようにフレキシャ40は、ロードビーム31と重なる基部40aと、基部40aからベースプレート30の後方(矢印Rで示す方向)に延びるフレキシャテール40bとを含んでいる。フレキシャ40の基部40aは、レーザ溶接等の固定手段によってロードビーム31に固定されている。フレキシャテール40bにテールパッド部25とテスト用パッド26とが設けられている。テールパッド部25にテール電極25a〜25hが設けられている。これらテール電極25a〜25hによってテール電極群25xが構成されている。
【0021】
テスト用パッド26にテスト用電極26a〜26hが設けられている。テスト用電極26a〜26hは、それぞれに対応するテール電極25a〜25hと導通している。テスト用電極26a〜26hの配置の態様は任意であるが、一例として、グランド用の電極26aと、センサ用の電極26b,26cと、読取用の電極26d,26eと、ヒータ用の電極26fと、書込用の電極26g,26hとが2列に配置されている。これらテスト用電極26a〜26hを用いて、磁気ヘッド(スライダ21)の電気的特性等が検査される。検査終了後に、切断部X1(
図3に2点鎖線で示す)において、テスト用パッド26がフレキシャテール40bから切離される。
【0022】
図4は、テスト用パッド26が切離されてテールパッド部25が残ったフレキシャ40を示している。テールパッド部25には、テール電極25a〜25hからなるテール電極群25xが形成されている。各テール電極25a〜25hは、それぞれに対応する回路基板50の導体50a〜50hに接続されている。回路基板50の一例はFPC(Flexible Printed Circuit board)である。
【0023】
回路基板50には、信号処理回路の一部をなすプリアンプ51(
図1に示す)が実装されている。プリアンプ51の読取用回路は、読取用の導体50d,50eを介してテール電極25d,25eに接続されている。プリアンプ51の書込用回路は、書込用の導体50g,50hを介してテール電極25g,25hに接続されている。
【0024】
プリアンプ51から出力される書込用の電流は、書込用のテール電極25g,25hを介して、スライダ21の磁気コイルに供給される。スライダ21のMR素子によって検出された電気信号は、読取用のテール電極25d,25eを介して、プリアンプ51に入力される。書込用のテール電極25g,25hには、読取用のテール電極25d,25eよりも大きな電流が流れる。
【0025】
図5はフレキシャテール40bのテールパッド部25を示す平面図である。テールパッド部25にはテール電極25a〜25hがテールパッド部25の長手方向に互いに間隔を存して配置されている。これらテール電極25a〜25hは、それぞれテールパッド部25の幅方向W1に延びている。テール電極25a〜25hは互いにほぼ平行である。テール電極25a〜25hの配置の順番は任意であるが、一例として、
図5において上から順に、グランド用のテール電極25aと、センサ用のテール電極25b,25cと、読取用のテール電極25d,25eと、ヒータ用のテール電極25fと、書込用のテール電極25g,25hとが配置されている。読取用のテール電極25d,25e間の距離L1は、他のテール電極間の距離よりも大きい。
【0026】
図6は、
図5中のF6−F6線に沿うフレキシャテール40bの断面図である。
図6において、矢印Aはフレキシャテール40bの厚さ方向、矢印Bはフレキシャテール40bの幅方向を示している。フレキシャ40は、例えばオーステナイト系ステンレス鋼の板からなるメタルベース60と、メタルベース60に沿って形成された配線部61とを含んでいる。メタルベース60の厚さはロードビーム31の厚さよりも小さい。ロードビーム31の厚さは例えば30〜62μm、メタルベース60の厚さは例えば18μm(12〜25μm)である。
【0027】
配線部61は、メタルベース60上に形成された絶縁層62と、絶縁層62上に形成された導体63a〜63hと、カバー層64を含んでいる。導体63a〜63hは、例えばめっき銅からなり、絶縁層62に沿って所定のパターンとなるようにエッチングによって形成されている。導体63a〜63hを形成するための他の方法として、例えば所定パターンでマスキングされた絶縁層の上に、めっき等の層形成プロセスによって銅の層を形成するようにしてもよい。
【0028】
導体63a〜63hの配置の順番は任意であるが、一例として
図6において左から順にグランド用の導体63aと、センサ用の導体63b,63cと、読取用の導体63d,63eと、ヒータ用の導体63fと、書込用の導体63g,63hが配置されている。配線部61の一例では、インターリーブ回路(interleaved circuit)を構成する分岐導体63g´,63h´も含んでいる。メタルベース60には、読取用の導体63d,63eと書込用の導体63g,63hの電気的特性を向上させるために、開口67,68が形成されている。
【0029】
グランド用の導体63aはメタルベース60に接地されている。センサ用の導体63b,63cは、スライダ21の変位を検出する前記センサに接続されている。読取用の導体63d,63eはスライダ21の前記MR素子に接続されている。ヒータ用の導体63fはスライダ21の前記ヒータに接続されている。書込用の導体63g,63hはスライダ21の前記磁気コイルに接続されている。
【0030】
絶縁層62とカバー層64は、それぞれポリイミド等の電気絶縁性の材料からなる。絶縁層62の厚さは、例えば10μm(5〜20μm)である。導体63a〜63hの厚さは、例えば10μm(4〜15μm)である。カバー層64の厚さは、例えば5μm(2〜10μm)である。なお
図5は、テールパッド部25の構成をわかりやすくするため、絶縁層62とカバー層64とが省略され、メタルベース60とテール電極25a〜25hと導体63a〜63hが示されている。
【0031】
図7は、
図5中のF7−F7線に沿うテールパッド部25の断面図である。
図8は、
図5中のF8−F8線に沿うテールパッド部25の端部の断面図である。
図7と
図8に示されるように、メタルベース60に開口70が形成されている。テール電極25a〜25hが配置されている箇所の絶縁層62とカバー層64には、
図7に示されるように、それぞれ開口71,72が形成されている。テール電極25a〜25hは開口70,71,72を横断し、開口70,71,72の内側において露出している。これらテール電極25a〜25hを回路基板50の導体50a〜50hに重ね、超音波接合等のボンディング手段によって導体50a〜50hに接合する。これにより、回路基板50に対するテール電極25a〜25hの機械的な接続と電気的な接続がなされる。
【0032】
図9は、テールパッド部25を構成するメタルベース60の一部を示している。テールパッド部25のメタルベース60に枠構体80が形成されている。枠構体80は、第1の枠81と第2の枠82とを含み、いわばフォーク形状をなしている。第1の枠81と第2の枠82との間に開口70が形成されている。第1の枠81および第2の枠82は、それぞれテールパッド部25の長手方向(矢印Z1で示す)に延びている。第1の枠81の先端81aと第2の枠82の先端82aは互いに離れている。
【0033】
第1の枠81は、その先端81aに向かって幅が減少するテーパ形状をなしている。第2の枠82は、その先端82aに向かって幅が増加する逆テーパ形状をなしている。第1の枠81の内面81bと第2の枠82の内面82bは互いに実質的に平行であり、テールパッド部25の長手方向(矢印Z1で示す)に延びている。第1の枠81と第2の枠82との間の距離L2は、枠構体80の長手方向においてほぼ一定である。
【0034】
図5と
図8および
図9に示されるように、第1の枠81の先端81aと,第2の枠82の先端82aにそれぞれ延出部83,84が形成されている。一対の延出部83,84は互いに近付く方向に突き出ている。
【0035】
図10は、テールパッド部25を構成するテール電極25a〜25hと、テール電極25a〜25hに接続される導体63a〜63hを示している。グランド用のテール電極25aが導体63aと導通している。センサ用のテール電極25b,25cが導体63b,63cと導通している。読取用のテール電極25d,25eが導体63d,63eと導通している。ヒータ用のテール電極25fが導体63fと導通している。書込用のテール電極25g,25hが導体63g,63hと導通している。
【0036】
図5と
図8に示されるように、第1の枠81の延出部83と第2の枠82の延出部84との間に、導電性のブリッジ部90が設けられている。この実施形態のブリッジ部90は1つのブリッジ部材91からなり、第1の枠81と第2の枠82とが互いにブリッジ部材91によって電気的に接続されている。このブリッジ部材91は、枠構体80の先端付近、すなわちテール電極群25xよりも枠81,82の先端81a,82aに近い位置に形成されている。第1の枠81と第2の枠82はメタルベース60の一部である。このためブリッジ部材91は第1の枠81と第2の枠82を介してグランド用の導体63aと導通している。
【0037】
ブリッジ部材91はテール電極25a〜25hと共通のめっき銅(純銅)からなり、テール電極25a〜25hと共通のめっき工程によって形成されている。すなわちブリッジ部材91は、テール電極25a〜25hと同じ高さで、かつ、テール電極25a〜25hとは異なる位置(テール電極25a〜25hと重ならない位置)に形成されている。このためテール電極25a〜25hと回路基板50の導体50a〜50hとを超音波接合する際に、ブリッジ部材91が電気的なショートの原因となることを回避できる。ブリッジ部材91は、絶縁層62とカバー層64によって被覆されている。なおブリッジ部材91の材質がテール電極25a〜25hとは異なる金属(例えば圧延銅)でもよい。
【0038】
図8に示されるようにブリッジ部材91の両端91a,91bには、めっきによって形成された接続部95,96が設けられている。これら接続部95,96を備えたブリッジ部材91を介して、第1の枠81と第2の枠82同士が電気的に導通している。ブリッジ部材91はテール電極25a〜25hと実質的に平行に配置され、かつ、テールパッド部25の幅方向W1(
図5に示す)、すなわち枠構体80の開口70を横断する方向に延びている。本実施形態のブリッジ部材91は枠81,82の先端81a,82b付近に配置されているため、テール電極間にブリッジ部材91を配置する場合と比較して、テールパッド部の限られたスペースにブリッジ部材91を配置する上で有利である。
【0039】
図11は第2の実施形態のテールパッド部25Aを示している。この実施形態のテールパッド部25Aは、1つのブリッジ部材91が書込用のテール電極25g,25h間に配置されている。すなわちブリッジ部材91は、テール電極群25xを構成する全てのテール電極間のうち、選択された特定のテール電極25g,25h間のみに配置されている。それ以外の構成は第1の実施形態のテールパッド部25と共通であるため、両者に共通の部位に共通の符号を付して説明を省略する。第1の実施形態と第2の実施形態のブリッジ部材91は、いずれもテールパッド部25の長手方向の中央よりも枠構体80の先端寄りの位置に形成されている。
【0040】
図12は第3の実施形態のテールパッド部25Bを示している。この実施形態のテールパッド部25Bのブリッジ部90は、3つのブリッジ部材91
1,91
2,91
3からなる。第1のブリッジ部材91
1が書込用のテール電極25g,25h間に配置されている。第2のブリッジ部材91
2が読取用のテール電極25d,25e間に配置されている。さらに第3のブリッジ部材91
3がセンサ用のテール電極25b,25c間に配置されている。これらブリッジ部材91
1,91
2,91
3は、テール電極25a〜25hと厚さ方向に重ならない位置に形成されている。すなわちテール電極群25xを構成する全てのテール電極25a〜25hのうち、選択された特定のテール電極間のみにブリッジ部材91
1,91
2,91
3が配置されている。それ以外の構成は第1の実施形態のテールパッド部25と共通であるため、両者に共通の部位に共通の符号を付して説明を省略する。
【0041】
図13は第4の実施形態のテールパッド部25Cを示している。この実施形態は、全てのテール電極間に、それぞれブリッジ部材91が配置されている。枠部81,82の先端81a,82a間にもブリッジ部材91が設けられている。これらブリッジ部材91は、テール電極25a〜25hと厚さ方向に重ならない位置に形成されている。それ以外の構成は第1の実施形態のテールパッド部25と共通であるため、両者に共通の部位に共通の符号を付して説明を省略する。
【0042】
図14は第5の実施形態のテールパッド部25Dを示している。この実施形態のブリッジ部90は、5つのブリッジ部材91
1〜91
5からなる。第1のブリッジ部材91
1が枠部81,82の先端81a,82aに設けられている。第2のブリッジ部材91
2がヒータ用テール電極25fと書込用テール電極25gとの間に配置されている。第3のブリッジ部材91
3が読取用テール電極25eとヒータ用テール電極25fとの間に配置されている。第4のブリッジ部材91
4がセンサ用テール電極25cと読取用テール電極25dとの間に配置されている。そして第5のブリッジ部材91
5がグランド用テール電極25aとセンサ用テール電極25bとの間に配置されている。すなわちテール電極群25xを構成する全てのテール電極25a〜25hのうち、選択された特定のテール電極間のみにブリッジ部材91
1〜91
5が配置されている。これらブリッジ部材91
1〜91
5は、テール電極25a〜25hと厚さ方向に重ならない位置に形成されている。それ以外の構成は第1の実施形態のテールパッド部25と共通であるため、両者に共通の部位に共通の符号を付して説明を省略する。
【0043】
図15は第6の実施形態のテールパッド部25Eを示している。この実施形態は、1つのブリッジ部材91がヒータ用テール電極25fと書込用テール電極25gとの間に配置されている。すなわちテール電極群25xを構成する全てのテール電極25a〜25hのうち、選択された特定のテール電極25f,25g間のみにブリッジ部材91が配置されている。それ以外の構成は第1の実施形態のテールパッド部25と共通であるため、両者に共通の部位に共通の符号を付して説明を省略する。
【0044】
図16は第7の実施形態のテールパッド部25Fを示している。この実施形態は、1つのブリッジ部材91が読取用テール電極25eとヒータ用テール電極25fとの間に配置されている。この場合も、全てのテール電極25a〜25hのうち、選択された特定のテール電極25e,25f間のみにブリッジ部材91が配置されている。それ以外の構成は第1の実施形態のテールパッド部25と共通であるため、両者に共通の部位に共通の符号を付して説明を省略する。
【0045】
図17は、比較例のテールパッド部25Gを示している。このテールパッド部25Gにはブリッジ部90が設けられていない。それ以外の構成は第1の実施形態のテールパッド部25と共通であるため、両者に共通の部位に共通の符号を付して説明を省略する。
【0046】
図18は、第1,第2〜第7の実施形態のテールパッド部25,25A〜25Fを有するそれぞれのフレキシャと、比較例のテールパッド部25Gを有するフレキシャのクロストークを表わしたグラフである。クロストークは、書込用の導体に400mVのパルス信号を入力したときに読取用の導体で検出される漏れ電流である。クロストークの大きさは、プラス側のピークとマイナス側のピークとの間の差電圧(Vpp)で表されている。クロストークが14mVよりも大きくなると、実用上のディスク装置の電気的特性を悪化させる要因となる。比較例のクロストークは29.7mVと、許容値14mVの2倍以上であるため、改善の余地があった。
【0047】
これに対し第1の実施形態のクロストークは13.5mVと比較例の半分以下の値で、許容値14mVよりも小さく、実用上問題のないクロストークとなっている。第2の実施形態のクロストークは6.96mVと許容値14mVの約半分と、好ましい結果が得られている。第3の実施形態のクロストークは1.63mVと、きわめて好ましい結果が得られた。第4の実施形態と、第5の実施形態と、第6の実施形態と、第7の実施形態のクロストークは、それぞれ、1.85mV、1.68mV、2.94mV、3.43mVと、いずれも許容値14mVを大幅に下回り、実用上問題のないクロストークであった。
【0048】
図19は、第1,第2〜第7の実施形態のテールパッド部25,25A〜25Fを有するそれぞれのフレキシャと、比較例のテールパッド部25Gを有するフレキシャの周波数帯域を表わしたグラフである。周波数帯域が高いほど単位時間当りの伝送データ数を増やすことができるため好ましく、目標は3GHz以上である。比較例の周波数帯域は1.90GHzと、目標値3GHzの約65%であり、改善の余地があった。
【0049】
これに対し第1の実施形態の周波数帯域は3.90GHzと、目標値の1.3倍であった。第2の実施形態の周波数帯域は5.10GHzと、目標値の1.7倍であった。第3の実施形態の周波数帯域は5.65GHzと目標値の1.88倍であり、さらに優れた周波数特性を得ることができた。第4の実施形態と、第5の実施形態と、第6の実施形態と、第7の実施形態の周波数帯域は、それぞれ、6.00GHz、5.95GHz、5.30GHz、4.25GHzと、いずれも目標値を大きく越える周波数特性を得ることができた。周波数帯域についてはブリッジ部材の数が多いほど良い結果が得られた。
【0050】
以上述べたように第1〜第7の実施形態は、テールパッド部においてメタルベース60の枠構体80を構成する第1の枠81と第2の枠82同士をブリッジ部材91によって電気的に接続したことにより、クロストークを実用上問題のない程度まで低減させることができ、電気特性の優れたフレキシャ40を得ることができた。
【0051】
しかも
図11,
図12,
図14〜
図16に示す実施形態では、テール電極群25xを構成する全てのテール電極25a〜25hのうち、選択された特定のテール電極間のみにブリッジ部材91が配置されている。このためこれら実施形態は、全てのテール電極間にブリッジ部材91を配置する場合と比較して、テールパッド部の限られた狭いスペースにブリッジ部材91を配置する上で有利である。
【0052】
なお本発明を実施するに当たり、サスペンションやフレキシャの形態をはじめとして、メタルベースおよび導体の形状や、導体およびテール電極の数、枠構体を構成する第1の枠と第2の枠などを種々に変形して実施できることは言うまでもない。またブリッジ部材を設ける位置は実施形態以外であってもよく、要するにブリッジ部材は、枠構体の先端付近あるいは互いに隣り合うテール電極間に配置されていればよい。またブリッジ部材の材質がテール電極とは異なる金属でもよい。