特許 6287004 多層プリント配線板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6287004

(24)【登録日】2018年2月16日

(45)【発行日】2018年3月7日

(54)【発明の名称】多層プリント配線板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20180226BHJP

【ＦＩ】

   H05K3/46 Z

   H05K3/46 B

【請求項の数】8

【全頁数】29

(21)【出願番号】特願2013-204537(P2013-204537)

(22)【出願日】2013年9月30日

(65)【公開番号】特開2015-70173(P2015-70173A)

(43)【公開日】2015年4月13日

【審査請求日】2016年2月22日

(73)【特許権者】

【識別番号】000000066

【氏名又は名称】味の素株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100089118

【弁理士】

【氏名又は名称】酒井 宏明

(74)【代理人】

【識別番号】100113103

【弁理士】

【氏名又は名称】香島 拓也

(72)【発明者】

【氏名】中村 茂雄

(72)【発明者】

【氏名】川合 賢司

(72)【発明者】

【氏名】三宅 ちひろ

【審査官】 内田 勝久

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００９−０９９６２０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−２４９５５７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−１７３８４１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−１０８９８４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００２−３２４９７４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｋ ３／４６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

（Ｉ）デガスホールを有するコア基板に、キャリアフィルムと該キャリアフィルム上に設けられた樹脂組成物層とを含むキャリア付接着フィルムを、樹脂組成物層がコア基板と接合するようにラミネートする工程、
（ＩＩ）樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程、及び
（ＩＩＩ）キャリアフィルムを絶縁層から除去する工程
を含む多層プリント配線板の製造方法であって、
デガスホールを有するコア基板が、基板ベースと、該基板ベースに設けられた、デガスホールを有する導体層とを含み、基板ベースが、ガラスエポキシ基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板及び熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板から選択され、
デガスホールを有するコア基板が、工程（Ｉ）の前に、１５０℃以上の温度で予備加熱されている、方法。

【請求項2】

樹脂組成物層が、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含む樹脂組成物から形成される、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

硬化剤が活性エステル系硬化剤を含む、請求項２に記載の方法。

【請求項4】

工程（ＩＩ）において樹脂組成物層を熱硬化させる際の最高到達温度をＴｃとするとき、予備加熱が、Ｔｃ−１０（℃）以上の温度で行われる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。

【請求項5】

キャリアフィルムのガラス転移温度（Ｔｇ）が１５０℃以上である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。

【請求項6】

工程（ＩＩ）において樹脂組成物層を熱硬化させる際の温度条件にてキャリアフィルムを熱処理するとき、キャリアフィルムのｘ−ｙ方向の熱収縮率（Ｓ）が０．３％以下である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。

【請求項7】

さらに、絶縁層を粗化処理する工程を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。

【請求項8】

さらに、メッキにより導体層を形成する工程を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、多層プリント配線板の製造方法に関する。詳細には、本発明は、キャリア付接着フィルムを使用した多層プリント配線板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

多層プリント配線板の製造技術として、絶縁層と導体層を交互に積み重ねるビルドアップ方式による製造方法が知られている。ビルドアップ方式による製造方法において、一般に、絶縁層は樹脂組成物を熱硬化させて形成される。例えば、キャリアフィルム上に樹脂組成物層が形成されたキャリア付接着フィルムを、真空ラミネーターによりコア基板上にラミネートする工程を経て絶縁層を形成する方法が知られている（特許文献１）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００３−１２７３１３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

キャリア付接着フィルムをコア基板上にラミネートした後、樹脂組成物層を熱硬化させて絶縁層を形成する。樹脂組成物層を熱硬化させるに際しては、得られる絶縁層の平滑性の観点、ビアホール形成時のマスキングの観点等から、キャリアフィルムを付けたまま樹脂組成物層を熱硬化させて絶縁層を形成する場合がある。

【0005】

他方、多層プリント配線板の製造に使用するコア基板には、加熱の際に基板内部で発生するガスを外部に逃がすためのデガスホール（ガス抜き用の微小な孔）が設けられることがある。

【0006】

本発明者らは、デガスホールを有するコア基板を使用して多層プリント配線板を製造するにあたって、キャリアフィルムを付けたまま樹脂組成物層を熱硬化させて絶縁層を形成すると、得られる絶縁層がデガスホールに対応した起伏を有するようになり、表面の平滑な絶縁層が得られない場合があることを見出した。

【0007】

本発明は、デガスホールを有するコア基板上にキャリア付接着フィルムをラミネートし、キャリアフィルムを付けたまま樹脂組成物層を熱硬化させて絶縁層を形成する場合に、表面の平滑性に優れる絶縁層を実現し得る多層プリント配線板の製造方法を提供することを課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明者らは、上記課題に鑑み鋭意検討した結果、デガスホールを有するコア基板上にキャリア付接着フィルムをラミネートする前に、デガスホールを有するコア基板を特定の温度で予備加熱することにより、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成させた。

【0009】

すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］ （Ｉ）デガスホールを有するコア基板に、キャリアフィルムと該キャリアフィルム上に設けられた樹脂組成物層とを含むキャリア付接着フィルムを、樹脂組成物層がコア基板と接合するようにラミネートする工程、
（ＩＩ）樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程、及び
（ＩＩＩ）キャリアフィルムを絶縁層から除去する工程
を含む多層プリント配線板の製造方法であって、
デガスホールを有するコア基板が、工程（Ｉ）の前に、１５０℃以上の温度で予備加熱されている、方法。
［２］ 樹脂組成物層が、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含む樹脂組成物から形成される、［１］に記載の方法。
［３］ 硬化剤が活性エステル系硬化剤を含む、［２］に記載の方法。
［４］ 工程（ＩＩ）において樹脂組成物層を熱硬化させる際の最高到達温度をＴｃとするとき、予備加熱が、Ｔｃ−１０（℃）以上の温度で行われる、［１］〜［３］のいずれかに記載の方法。
［５］ キャリアフィルムのガラス転移温度（Ｔｇ）が１５０℃以上である、［１］〜［４］のいずれかに記載の方法。
［６］ 工程（ＩＩ）において樹脂組成物層を熱硬化させる際の温度条件にてキャリアフィルムを熱処理するとき、キャリアフィルムのｘ−ｙ方向の熱収縮率（Ｓ）が０．３％以下である、［１］〜［５］のいずれかに記載の方法。
［７］ さらに、絶縁層を粗化処理する工程を含む、［１］〜［６］のいずれかに記載の方法。
［８］ さらに、メッキにより導体層を形成する工程を含む、［１］〜［７］のいずれかに記載の方法。
［９］ ［１］〜［８］のいずれかに記載の方法により製造された多層プリント配線板。
［１０］ ［９］に記載の多層プリント配線板を備える半導体装置。

【発明の効果】

【0010】

本発明の方法によれば、デガスホールを有するコア基板上にキャリア付接着フィルムをラミネートし、キャリアフィルムを付けたまま樹脂組成物層を熱硬化させて絶縁層を形成する場合に、表面の平滑性に優れる絶縁層を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、キャリアフィルムの熱収縮率の測定方法を説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

本発明の多層プリント配線板の製造方法について詳細に説明する前に、本発明の方法において使用する「デガスホールを有するコア基板」及び「キャリア付接着フィルム」について説明する。

【0013】

＜デガスホールを有するコア基板＞
多層プリント配線板の製造に使用される「コア基板」は、基板ベースと、該基板ベースの片面又は両面に設けられた導体層（回路導体）とを有する。

【0014】

基板ベースとしては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、及び熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板が挙げられる。基板ベースの厚さは、多層プリント配線板の設計にもよるが、通常、３０μｍ〜１．５ｍｍの範囲であり、好ましくは５０μｍ〜１ｍｍの範囲である。

【0015】

基板ベースの片面又は両面に設けられる導体層の厚さ、ライン／スペース比等は、多層プリント配線板のデザインに応じて適宜設定してよい。導体層は、防錆処理を施されていてもよい。防錆処理は、多層プリント配線板の製造に用いられる、当業者に公知の各種方法に従って実施してよい。

【0016】

多層プリント配線板は、該コア基板に絶縁層及び導体層を交互に設けることによって製造することができる。多層プリント配線板の製造においては、加熱によってコア基板の基板ベース及び絶縁層からガスが発生する場合がある。基板ベース及び絶縁層で発生したガスは、導体層のパターン加工された部分を通って外部へと排出され得るが、導体層がパターン加工されていない部分（ベタ領域）、特に面積が広いベタ領域においては、発生したガスの逃げ場がなく、基板ベース−導体層間及び絶縁層−導体層間の剥離を生じるおそれがある。そのため、基板ベース及び絶縁層で発生するガスを外部へと円滑に逃がすべく、導体層のベタ領域には導体層を貫通するデガスホール（ガス抜き用の微小な孔）が一般に設けられている（例えば、特開２００５−１３６３４７号公報等参照）。

【0017】

本発明の方法において使用する「デガスホールを有するコア基板」とは、斯かるデガスホールが設けられたコア基板をいい、詳細には、基板ベースと、該基板ベースの片面又は両面に設けられた、デガスホールを有する導体層とを含むコア基板をいう。

【0018】

コア基板が有するデガスホールの形状は、基板ベースで発生するガスが円滑に外部へと排出される限り特に制限されず、円形、矩形、略円形、略矩形等の任意の形状としてよい。

【0019】

デガスホールの開口寸法は、回路導体の設計にもよるが、例えば、デガスホールの開口形状が円形の場合、デガスホールは、その形成容易性の観点から、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは５０μｍ以上、さらに好ましくは１００μｍ以上、さらにより好ましくは２００μｍ以上、特に好ましくは３００μｍ以上、４００μｍ以上又は５００μｍ以上の直径を有することが好適である。デガスホールの開口形状が矩形の場合、デガスホールは、その形成容易性の観点から、好ましくは１０μｍ×１０μｍ以上、より好ましくは５０μｍ×５０μｍ以上、さらに好ましくは１００μｍ×１００μｍ以上、さらにより好ましくは２００μｍ×２００μｍ以上、特に好ましくは３００μｍ×３００μｍ以上、４００μｍ×４００μｍ以上又は５００μｍ×５００μｍ以上の寸法を有することが好適である。

【0020】

デガスホールの開口寸法が大きくなるにつれて、デガスホールに起因する絶縁層の起伏は大きくなる傾向にある。特にデガスホールが１００μｍ以上の直径又は１００μｍ×１００μｍ以上の寸法を有する場合、デガスホールに起因する絶縁層の起伏は顕著に増大する傾向にある。これに対し、本発明の方法によれば、開口寸法が大きなデガスホールを有するコア基板を使用する場合であっても、コア基板上に形成される絶縁層の起伏を有利に抑制することができる。

【0021】

デガスホールの開口寸法の上限は特に制限されないが、例えば、デガスホールの開口形状が円形の場合、デガスホールの直径は、通常、１０００μｍ以下、８００μｍ以下などとし得る。デガスホールの開口形状が矩形の場合、デガスホールの寸法は、通常、１０００μｍ×１０００μｍ以下、８００μｍ×８００μｍ以下などとし得る。なお、デガスホールの開口形状及び開口寸法は、コア基板にわたって同じである必要はなく、異なっていてもよい。

【0022】

デガスホールは、互いに所定の間隔をあけて複数設けることができる。デガスホール間のピッチは、デガスホールの開口寸法にもよるが、好ましくは１０ｍｍ以下、より好ましくは８ｍｍ以下、さらに好ましくは６ｍｍ以下、さらにより好ましくは４ｍｍ以下、特に好ましくは３ｍｍ以下又は２ｍｍ以下である。デガスホール間のピッチの下限は、デガスホールの開口寸法にもよるが、通常、１００μｍ以上とし得る。デガスホール間のピッチは、コア基板にわたって同じである必要はなく、異なっていてもよい。

【0023】

デガスホールは、導体層の特性を考慮して、例えば、ドリル、エッチング媒体等を用いる公知の方法により形成することができる。デガスホールをエッチングにより形成する場合、導体層のパターン加工と共にデガスホールを形成してよい。

【0024】

＜キャリア付接着フィルム＞
本発明の方法に使用するキャリア付接着フィルムは、キャリアフィルムと、該キャリアフィルム上に設けられた樹脂組成物層とを含む。

【0025】

キャリアフィルムとしては、例えば、プラスチックフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチックフィルム、金属箔が好ましく、プラスチックフィルムがより好ましい。

【0026】

キャリアフィルムとしてプラスチックフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミドなどが挙げられる。

【0027】

キャリアフィルムとして金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。

【0028】

キャリアフィルムとしてプラスチックフィルムを使用する場合、本発明の方法において表面の平滑性に一層優れる絶縁層を得る観点から、ガラス転移温度（Ｔｇ）の高いプラスチックフィルムを使用することが好適である。好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１５０℃以上、さらに好ましくは１８０℃以上のＴｇを有するプラスチックフィルムを使用することが好適である。プラスチックフィルムのＴｇの上限は特に制限されないが、通常、６００℃以下である。

【0029】

キャリアフィルムとしてプラスチックフィルムを使用する場合、プラスチックフィルムは、キャリア付接着フィルムの形成に使用される前に、アニール処理を施してあってもよい。例えば、１００℃〜２６０℃の温度範囲にて加熱処理することによりアニール処理を実施することができる。アニール処理を施すことにより、後述する熱収縮率（Ｓ）の値が低いキャリアフィルムを実現し得る。

【0030】

キャリアフィルムは市販品を用いてもよい。キャリアフィルムの市販品としては、例えば、東レ（株）製の「ルミラーＲ５６」、「ルミラーＲ８０」（ＰＥＴフィルム、Ｔｇ：８０℃）、帝人デュポンフィルム（株）製の「Ｇ２ＬＡ」（アニール処理済ＰＥＴフィルム、Ｔｇ：８０℃）、「テオネックス Ｑ８３」（ＰＥＮフィルム、Ｔｇ：１２０℃）、宇部興産（株）製の「ユーピレックス−Ｓ」（ポリイミドフィルム、Ｔｇ：＞３００℃）、（株）カネカ製の「アピカルＡＨ」、「アピカルＮＰＩ」（ポリイミドフィルム、Ｔｇ：＞３００℃）が挙げられる。

【0031】

また、キャリアフィルムとしては、後述する樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付きキャリアフィルムを使用してもよい。離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層は、例えば、離型剤を含む溶液をキャリアフィルムの表面に塗布し乾燥させることにより形成することができる。離型層付きキャリアフィルムは、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック（株）製の「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」などが挙げられる。

【0032】

キャリアフィルムの厚さは、特に限定されないが、５μｍ〜７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ〜６０μｍの範囲がより好ましく、１２．５μｍ〜５５μｍの範囲がさらに好ましい。なお、離型層付きキャリアフィルムを使用する場合、離型層付きキャリアフィルム全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。

【0033】

本発明の方法において表面の平滑性に一層優れる絶縁層を得る観点から、キャリアフィルムは、以下の手順で求められるｘ−ｙ方向の熱収縮率（Ｓ）が０．３％以下であることが好ましく、０．２５％以下であることがより好ましく、０．２％以下であることがさらに好ましく、０．１８％以下であることがさらにより好ましい。なお、離型層付きキャリアフィルムを使用する場合、以下の手順において「キャリアフィルム」は「離型層付きキャリアフィルム」と読み替えて適用する。

【0034】

−キャリアフィルムのｘ−ｙ方向の熱収縮率（Ｓ）の測定−
（１）初期長さＬの測定
２００ｍｍ角状のキャリアフィルムを用意する。該キャリアフィルムの４角から中心方向に２０ｍｍ程度の部分に、貫通穴を、パンチングによって４つ形成する。便宜上、形成した４つの穴を時計回りに穴Ａ、穴Ｂ、穴Ｃ、穴Ｄと称する。形成した各穴の中央間の長さＬ（Ｌ_ＡＢ、Ｌ_ＢＣ、Ｌ_ＣＤ、Ｌ_ＤＡ、Ｌ_ＡＣ、Ｌ_ＢＤ）（図１参照）を非接触型画像測定器で測定する。
（２）キャリアフィルムの熱処理
測長の終了したキャリアフィルムを、後述する工程（ＩＩ）において樹脂組成物層を熱硬化させる際の温度条件にて加熱する。
（３）熱処理後長さＬ’の測定
熱処理後のキャリアフィルムについて、各穴の中央間の長さＬ’（Ｌ’_ＡＢ、Ｌ’_ＢＣ、Ｌ’_ＣＤ、Ｌ’_ＤＡ、Ｌ’_ＡＣ及びＬ’_ＢＤ）を、非接触型画像測定器で測定する。
（４）熱収縮率の算出
測定したＬ及びＬ’の値に基づき、各穴の中央間の長さの収縮率ｓ（ｓ_ＡＢ、ｓ_ＢＣ、ｓ_ＣＤ、ｓ_ＤＡ、ｓ_ＡＣ及びｓ_ＢＤ）を算出する。ｓ_ＡＢは、測定したＬ_ＡＢ及びＬ’_ＡＢの値に基づき、下記式により算出される。
ｓ_ＡＢ（％）＝｛（Ｌ_ＡＢ−Ｌ’_ＡＢ）／Ｌ_ＡＢ｝×１００
同様にして、ｓ_ＢＣ、ｓ_ＣＤ、ｓ_ＤＡ、ｓ_ＡＣ及びｓ_ＢＤを算出する。
キャリアフィルムのｘ−ｙ方向の熱収縮率（Ｓ）は、得られたｓ_ＡＢ、ｓ_ＢＣ、ｓ_ＣＤ、ｓ_ＤＡ、ｓ_ＡＣ及びｓ_ＢＤの値に基づき、下記式により算出される。
Ｓ（％）＝（ｓ_ＡＢ＋ｓ_ＢＣ＋ｓ_ＣＤ＋ｓ_ＤＡ＋ｓ_ＡＣ＋ｓ_ＢＤ）／６

【0035】

樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、その硬化物が十分な硬度と絶縁性を有するものであれば特に限定されず、多層プリント配線板の絶縁層の形成に用いられる従来公知の樹脂組成物を用いてよい。

【0036】

好適な実施形態において、樹脂組成物層に使用する樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含む。

【0037】

−エポキシ樹脂−
エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂が好ましい。具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂及びビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ-ブチル-カテコール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は、１種単独で使用してもよく、２種以上組み合わせて使用してもよい。

【0038】

これらの中でも、耐熱性、絶縁信頼性及び流動性の観点から、ビスフェノール型エポキシ樹脂（好ましくは、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましい。特に、エポキシ樹脂が、ビスフェノール型エポキシ樹脂（好ましくはビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂及びジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂からなる群から選択される１種以上を含むことが好ましい。具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ｊＥＲ８２８ＥＬ」、「ＹＬ９８０」）、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ｊＥＲ８０６Ｈ」、「ＹＬ９８３Ｕ」）、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品（新日鐵化学（株）製「ＺＸ１０５９」）、ナフタレン型２官能エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」、「ＥＸＡ４０３２ＳＳ」）、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４７００」、「ＨＰ４７１０」）、ナフトール型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製「ＥＳＮ−４７５Ｖ」）、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂（ダイセル化学工業（株）製「ＰＢ−３６００」）、ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」、三菱化学（株）製「ＹＸ４０００」、「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＸ４０００ＨＫ」、「ＹＬ６１２１」）、アントラセン型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ８８００」）、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＥＸＡ−７３１０」、「ＥＸＡ−７３１１」、「ＥＸＡ−７３１１Ｌ」、「ＥＸＡ−７３１１Ｇ３」、「ＥＸＡ−７３１１Ｇ４」）、グリシジルエステル型エポキシ樹脂（ナガセケムテックス（株）製「ＥＸ７１１」、「ＥＸ７２１」、（株）プリンテック製「Ｒ５４０」）、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ７２００Ｈ」）などが挙げられる。

【0039】

エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂の不揮発成分を１００質量％とした場合に、少なくとも５０質量％以上は１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であることが好ましい。

【0040】

コア基板の表面凹凸への樹脂組成物層の追従性を向上させる観点から、エポキシ樹脂は、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（以下、「液状エポキシ樹脂」ともいう。）を含むことが好ましい。コア基板の表面凹凸への樹脂組成物層の追従性を向上させると共に樹脂組成物層を熱硬化して形成される絶縁層の硬化物性を向上させる観点から、エポキシ樹脂は、液状エポキシ樹脂と、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（以下、「固体状エポキシ樹脂」ともいう。）とを含むことが好ましい。液状エポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂が好ましく、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する芳香族系液状エポキシ樹脂がより好ましい。固体状エポキシ樹脂としては、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する固体状エポキシ樹脂が好ましく、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する芳香族系固体状エポキシ樹脂がより好ましい。本発明において、芳香族系のエポキシ樹脂とは、その分子内に芳香環を有するエポキシ樹脂を意味する。

【0041】

液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等が挙げられ、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂が好ましい。液状エポキシ樹脂は、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。固体状エポキシ樹脂としては、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノールエポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂等が挙げられ、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂がより好ましく、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂がさらに好ましい。固体状エポキシ樹脂は、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

【0042】

エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂を併用する場合、得られる絶縁層の硬化物性を向上させる観点から、それらの配合割合（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．１〜１：８の範囲が好ましく、１：０．３〜１：７の範囲がより好ましく、１：０．６〜１：６の範囲がさらに好ましく、１：０．９〜１：５．５の範囲がさらにより好ましい。

【0043】

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０〜３０００、より好ましくは８０〜２０００、さらに好ましくは１１０〜１０００である。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。

【0044】

樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、３質量％〜４０質量％が好ましく、５質量％〜３５質量％がより好ましく、１０質量％〜３０質量％がさらに好ましい。
なお、本発明において、樹脂組成物中の各成分の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたときの値である。

【0045】

−硬化剤−
硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されないが、例えば、フェノール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、及び酸無水物系硬化剤が挙げられる。本発明におけるデガスホール上の課題は、特にエポキシ樹脂の硬化剤として活性エステル系硬化剤を使用した場合に顕著となる傾向が見られるため、特に本発明を好適に使用することができる。硬化剤は、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

【0046】

フェノール系硬化剤としては、特に制限されないが、ビフェニル型硬化剤、ナフタレン型硬化剤、フェノールノボラック型硬化剤、ナフチレンエーテル型硬化剤、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤が好ましい。フェノール系硬化剤は、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

【0047】

フェノール系硬化剤の市販品としては、ビフェニル型硬化剤としてＭＥＨ−７７００、ＭＥＨ−７８１０、ＭＥＨ−７８５１（明和化成（株）製）、ナフタレン型硬化剤としてＮＨＮ、ＣＢＮ、ＧＰＨ（日本化薬（株）製）、ＳＮ１７０、ＳＮ１８０、ＳＮ１９０、ＳＮ４７５、ＳＮ４８５、ＳＮ４９５、ＳＮ３７５、ＳＮ３９５（新日鐵化学（株）製）、ＥＸＢ９５００、ＨＰＣ９５００（ＤＩＣ（株）製）、フェノールノボラック型硬化剤としてＴＤ２０９０（ＤＩＣ（株）製）、ナフチレンエーテル型硬化剤としてＥＸＢ−６０００（ＤＩＣ（株）製）、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤としてＬＡ３０１８、ＬＡ７０５２、ＬＡ７０５４、ＬＡ１３５６（ＤＩＣ（株）製）等が挙げられる。中でも、ナフタレン型硬化剤、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤が好ましい。

【0048】

活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール、フェノールノボラック等が挙げられる。

【0049】

活性エステル系硬化剤としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系硬化剤、ナフタレン構造を含む活性エステル系硬化剤、フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤、フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤等が好ましく、中でも、コア基板の表面凹凸への追従性を向上させる観点から、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系硬化剤がより好ましい。なお本発明において、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンタレン−フェニレンからなる２価の構造単位を表す。活性エステル系硬化剤は、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

【0050】

活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系硬化剤としてＥＸＢ９４５１、ＥＸＢ９４６０、ＥＸＢ９４６０Ｓ−６５Ｔ、ＨＰＣ８０００−６５Ｔ（ＤＩＣ（株）製）、フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤としてＤＣ８０８（三菱化学（株）製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤としてＹＬＨ１０２６（三菱化学（株）製）、ＹＬＨ１０３０（三菱化学（株）製）、ＹＬＨ１０４８（三菱化学（株）製）等が挙げられる。

【0051】

シアネートエステル系硬化剤としては、特に制限はないが、例えば、ノボラック型（フェノールノボラック型、アルキルフェノールノボラック型など）シアネートエステル系硬化剤、ジシクロペンタジエン型シアネートエステル系硬化剤、ビスフェノール型（ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型など）シアネートエステル系硬化剤、及びこれらが一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の重量平均分子量は、特に限定されないが、好ましくは５００〜４５００、より好ましくは６００〜３０００である。

【0052】

シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート（オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、ビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ジシクロペンタジエン構造含有フェノール樹脂等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤は、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

【0053】

シアネートエステル系硬化剤の市販品としては、フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂としてＰＴ３０（ロンザジャパン（株）製）、ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマーとしてＢＡ２３０（ロンザジャパン（株）製）、ジシクロペンタジエン構造含有シアネートエステル樹脂としてＤＴ−４０００、ＤＴ−７０００（ロンザジャパン（株）製）等が挙げられる。

【0054】

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子（株）製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業（株）製の「Ｐ−ｄ」、「Ｆ−ａ」が挙げられる。ベンゾオキサジン系硬化剤は、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

【0055】

酸無水物系硬化剤としては、例えば、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロ−３−フラニル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、３，３’−４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−５−（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−Ｃ］フラン−１，３−ジオン、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、スチレンとマレイン酸が共重合したスチレン・マレイン酸樹脂などのポリマー型の酸無水物等が挙げられる。酸無水物系硬化剤は、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

【0056】

本発明者らは、硬化剤として活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤からなる群から選択される１種以上を含む樹脂組成物、とりわけ硬化剤として活性エステル系硬化剤を含む樹脂組成物を使用する場合に、デガスホールに起因する絶縁層の起伏の問題が発生し易いことを見出した。この点、デガスホールを有するコア基板上にキャリア付接着フィルムをラミネートする前に、デガスホールを有するコア基板を特定の温度で予備加熱する本発明の方法によれば、硬化剤として活性エステル系硬化剤を含む樹脂組成物を使用する場合であっても、表面の平滑性に優れる絶縁層を実現することができる。活性エステル系硬化剤の使用は優れた硬化物性（例えば、導体層に対する高い密着強度等）に帰着する傾向に鑑みれば、活性エステル系硬化剤を使用する場合の絶縁層の起伏の問題を解消した本発明によれば、活性エステル系硬化剤を使用する利点を有利に享受し得る。したがって、好適な実施形態において、樹脂組成物に用いられる硬化剤は、活性エステル系硬化剤を含む。

【0057】

エポキシ樹脂と硬化剤の配合比率は、エポキシ樹脂のエポキシ基数を１としたときに硬化剤の反応基数が０．３〜２．０の範囲となる比率が好ましく、０．３〜１．５の範囲となる比率がより好ましく、０．４〜１．１の範囲となる比率がさらに好ましい。なお、エポキシ樹脂のエポキシ基数とは、樹脂組成物に含まれる各エポキシ樹脂の固形分質量をエポキシ当量で除した値を全てのエポキシ樹脂について合計した値である。また、硬化剤の反応基数とは、樹脂組成物に含まれる各硬化剤の固形分質量を反応基当量で除した値を全ての硬化剤について合計した値である。

【0058】

硬化剤が活性エステル系硬化剤を含む場合、硬化剤全体の反応基数を１としたときに活性エステル系硬化剤の反応基数は０．２〜１の範囲であることが好ましく、０．４〜１の範囲であることがより好ましく、０．６〜１の範囲であることがさらに好ましく、０．８〜１の範囲であることがさらにより好ましい。

【0059】

−無機充填材−
無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でも無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等のシリカが特に好適である。またシリカとしては球状シリカが好ましい。無機充填材は、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。市販されている球状溶融シリカとして、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ４」、「ＳＯＣ２」、「ＳＯＣ１」が挙げられる。

【0060】

無機充填材の平均粒径は、絶縁信頼性及び表面平滑性の良好な絶縁層を得る観点から、好ましくは２μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、さらに好ましくは０．８μｍ以下、さらにより好ましくは０．６μｍ以下である。一方、無機充填材の分散性向上の観点から、無機充填材の平均粒径は、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、さらに好ましくは０．１μｍ以上である。無機充填材の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波により水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、（株）堀場製作所製 ＬＡ−９５０等を使用することができる。

【0061】

樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、得られる絶縁層の熱膨張係数を低く抑える観点から、好ましくは３０質量％以上、より好ましくは４０質量％以上、さらに好ましくは５０質量％以上、さらにより好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上である。無機充填材の含有量の上限は特に限定されないが、得られる絶縁層の機械強度の観点から、好ましくは９０質量％以下、より好ましくは８５質量％以下である。

【0062】

無機充填材は、エポキシシラン系カップリング剤、アミノシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等の１種以上の表面処理剤で処理されていることが好ましい。表面処理剤の中でも、アミノシラン系カップリング剤は、耐湿性、分散性、硬化物の特性などに優れていることから好適である。無機充填材は、樹脂組成物に混合する前に表面処理剤で予め処理してよい。あるいはまた、無機充填材は、樹脂組成物に無機充填剤と表面処理剤を添加することによって（すなわち、インテグラルブレンド法によって）表面処理剤で処理してもよい。表面処理剤の市販品としては、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ８０３」（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＥ９０３」（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＳＺ−３１」（ヘキサメチルジシラザン）等が挙げられる。

【0063】

表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、無機充填材の分散性向上の観点から、０．０２ｍｇ／ｍ^２以上が好ましく、０．１ｍｇ／ｍ^２以上がより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ^２以上が更に好ましい。一方、樹脂ワニスの溶融粘度やシート形態での溶融粘度の上昇を防止する観点から、１ｍｇ／ｍ^２以下が好ましく、０.８ｍｇ／ｍ^２以下がより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ^２以下が更に好ましい。

【0064】

無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理後の無機充填材を溶剤（例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ））により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のＭＥＫを表面処理剤で表面処理された無機充填材に加えて、２５℃で５分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、（株）堀場製作所製「ＥＭＩＡ−３２０Ｖ」等を使用することができる。

【0065】

樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、必要に応じて、熱可塑性樹脂、硬化促進剤、難燃剤及びゴム粒子等の添加剤をさらに含んでいてもよい。

【0066】

−熱可塑性樹脂−
樹脂組成物は、樹脂組成物層を硬化させた後に表面を粗化処理して適度な粗化面を有する絶縁層を形成し得る観点から、熱可塑性樹脂を含んでもよい。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、及びポリスルホン樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂は、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

【0067】

熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は８，０００〜７０，０００の範囲が好ましく、１０，０００〜６０，０００の範囲がより好ましく、１５，０００〜６０，０００の範囲がさらに好ましく、２０，０００〜６０，０００の範囲がさらにより好ましい。熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定される。具体的には、熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として（株）島津製作所製ＬＣ−９Ａ／ＲＩＤ−６Ａを、カラムとして昭和電工（株）製Ｓｈｏｄｅｘ Ｋ−８００Ｐ／Ｋ−８０４Ｌ／Ｋ−８０４Ｌを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度４０℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。

【0068】

フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される１種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱化学（株）製の「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ骨格含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、及び「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂）が挙げられ、その他にも、東都化成（株）製の「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」、三菱化学（株）製の「ＹＬ７５５３」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」及び「ＹＬ７４８２」等が挙げられる。

【0069】

ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、電気化学工業(株)製の電化ブチラール４０００−２、５０００−Ａ、６０００−Ｃ、６０００−ＥＰ、積水化学工業（株）製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ、ＫＳシリーズ、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ等が挙げられる。

【0070】

ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化（株）製の「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報記載のもの）、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド（特開２００２−１２６６７号公報及び特開２０００−３１９３８６号公報等に記載のもの）等の変性ポリイミドが挙げられる。

【0071】

ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡績（株）製の「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成工業（株）製のポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド「ＫＳ９１００」、「ＫＳ９３００」等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。

【0072】

ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学（株）製の「ＰＥＳ５００３Ｐ」等が挙げられる。

【0073】

ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ（株）製のポリスルホン「Ｐ１７００」、「Ｐ３５００」等が挙げられる。

【0074】

樹脂組成物中の熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは０．１質量％〜６０質量％、より好ましくは０．１質量％〜５０質量％、さらに好ましくは０．５質量％〜３０質量％、さらにより好ましくは０．５質量％〜１０質量％である。

【0075】

−硬化促進剤−
樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、樹脂組成物層の熱硬化を円滑に進行させる観点から、硬化促進剤を含んでもよい。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が挙げられる。硬化促進剤は、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

【0076】

樹脂組成物中の硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂と硬化剤の不揮発成分の合計を１００質量％としたとき、好ましくは０．０１質量％〜３質量％、より好ましくは０．０１質量％〜２質量％、さらに好ましくは０．０１質量％〜１質量％である。

【0077】

−難燃剤−
樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、難燃性を向上させる観点から、難燃剤を含んでもよい。難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。有機リン系難燃剤としては、三光（株）製のＨＣＡ、ＨＣＡ−ＨＱ、ＨＣＡ−ＮＱ等のフェナントレン型リン化合物、昭和高分子（株）製のＨＦＢ−２００６Ｍ等のリン含有ベンゾオキサジン化合物、味の素ファインテクノ（株）製のレオフォス３０、５０、６５、９０、１１０、ＴＰＰ、ＲＰＤ、ＢＡＰＰ、ＣＰＤ、ＴＣＰ、ＴＸＰ、ＴＢＰ、ＴＯＰ、ＫＰ１４０、ＴＩＢＰ、北興化学工業（株）製のＴＰＰＯ、ＰＰＱ、クラリアント（株）製のＯＰ９３０、大八化学（株）製のＰＸ２００等のリン酸エステル化合物が挙げられる。有機系窒素含有リン化合物としては、四国化成工業（株）製のＳＰ６７０、ＳＰ７０３等のリン酸エステルアミド化合物、大塚化学（株）製のＳＰＢ１００、ＳＰＥ１００、（株）伏見製薬所製ＦＰ−ｓｅｒｉｅｓ等のホスファゼン化合物等が挙げられる。金属水酸化物としては、宇部マテリアルズ（株）製のＵＤ６５、ＵＤ６５０、ＵＤ６５３等の水酸化マグネシウム、巴工業（株）製のＢ−３０、Ｂ−３２５、Ｂ−３１５、Ｂ−３０８、Ｂ−３０３、ＵＦＨ−２０等の水酸化アルミニウム等が挙げられる。難燃剤は１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。樹脂組成物中の難燃剤の含有量は特に限定はされないが、０．５質量％〜１０質量％が好ましく、１質量％〜９質量％がより好ましい。

【0078】

−ゴム粒子−
樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、樹脂組成物層を硬化させた後に表面を粗化処理して適度な粗化面を有する絶縁層を形成し得る観点から、ゴム粒子を含んでもよい。ゴム粒子としては、例えば、後述する有機溶剤に溶解せず、上述のエポキシ樹脂、硬化剤、及び熱可塑性樹脂などとも相溶しないものが使用される。このようなゴム粒子は、一般には、ゴム成分の分子量を有機溶剤や樹脂に溶解しないレベルまで大きくし、粒子状とすることで調製される。

【0079】

ゴム粒子としては、例えば、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子などが挙げられる。コアシェル型ゴム粒子は、コア層とシェル層とを有するゴム粒子であり、例えば、外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、内層のコア層がゴム状ポリマーで構成される２層構造、又は外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、中間層がゴム状ポリマーで構成され、コア層がガラス状ポリマーで構成される３層構造のものなどが挙げられる。ガラス状ポリマー層は、例えば、メチルメタクリレート重合物などで構成され、ゴム状ポリマー層は、例えば、ブチルアクリレート重合物（ブチルゴム）などで構成される。コアシェル型ゴム粒子の具体例としては、スタフィロイドＡＣ３８３２、ＡＣ３８１６Ｎ、ＡＣ３４０１Ｎ、ＩＭ−４０１改７−１７（アイカ工業（株）製）、メタブレンＫＷ−４４２６（三菱レイヨン（株）製）が挙げられる。架橋アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）粒子の具体例としては、ＸＥＲ−９１（平均粒径０．５μｍ、ＪＳＲ（株）製）などが挙げられる。架橋スチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ）粒子の具体例としては、ＸＳＫ−５００（平均粒径０．５μｍ、ＪＳＲ（株）製）などが挙げられる。アクリルゴム粒子の具体例としては、メタブレンＷ３００Ａ（平均粒径０．１μｍ）、Ｗ４５０Ａ（平均粒径０．２μｍ）（三菱レイヨン（株）製）を挙げることができる。ゴム粒子は１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

【0080】

ゴム粒子の平均粒径は、好ましくは０．００５μｍ〜１μｍの範囲であり、より好ましくは０．２μｍ〜０．６μｍの範囲である。ゴム粒子の平均粒径は、動的光散乱法を用いて測定することができる。例えば、適当な有機溶剤にゴム粒子を超音波などにより均一に分散させ、濃厚系粒径アナライザー（ＦＰＡＲ−１０００；大塚電子（株）製）を用いて、ゴム粒子の粒度分布を質量基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。樹脂組成物中のゴム粒子の含有量は、好ましくは１質量％〜１０質量％であり、より好ましくは２質量％〜５質量％である。

【0081】

−その他成分−
樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、必要に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、例えば、ビニルベンジル化合物、アクリル化合物、マレイミド化合物、ブロックイソシアネート化合物のような熱硬化性樹脂、シリコンパウダー、ナイロンパウダー、フッ素パウダー等の有機充填剤、オルベン、ベントン等の増粘剤、シリコーン系、フッ素系、高分子系の消泡剤又はレベリング剤、イミダゾール系カップリング剤、チアゾール系カップリング剤、トリアゾール系カップリング剤、シラン系カップリング剤等の密着性付与剤、フタロシアニン・ブルー、フタロシアニン・グリーン、アイオジン・グリーン、ジスアゾイエロー、カーボンブラック等の着色剤等を挙げることができる。

【0082】

樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、上記の各成分を適宜混合し、また、必要に応じて混練手段（三本ロール、ボールミル、ビーズミル、サンドミル等）あるいは撹拌手段（スーパーミキサー、プラネタリーミキサー等）により混練または混合することにより製造することができる。

【0083】

キャリア付接着フィルムの製造方法は、特に制限されず、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーターなどを用いてキャリアフィルム上に塗布し、樹脂ワニスを乾燥させることによって作製することができる。

【0084】

有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン及びシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

【0085】

樹脂ワニスの乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の乾燥方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、後述する多層プリント配線板の製造方法において樹脂組成物層が流動性（フロー性）及び接着性を有する必要がある。したがって、樹脂ワニスの乾燥時には、樹脂組成物の硬化をできる限り進行させないことが重要である。他方において、樹脂組成物層中に有機溶剤が多く残留すると、硬化後に膨れが発生する原因となる。そのため、樹脂組成物層中の残留有機溶剤量が通常５質量％以下、好ましくは２質量％以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％〜６０質量％の有機溶剤を含むワニスを用いる場合、通常８０℃〜１８０℃で３分間〜２０分間乾燥させることが好適である。

【0086】

キャリア付接着フィルムにおいて、樹脂組成物層のキャリアフィルムと接合していない面（即ち、キャリアフィルムとは反対側の面）には、キャリアフィルムに準じた保護フィルムをさらにラミネートしてもよい。保護フィルムをラミネートすることにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。多層プリント配線板を製造する際には、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。

【0087】

キャリア付接着フィルムにおいて、樹脂組成物層の厚さは、絶縁層の厚さを薄くして多層プリント配線板の薄型化を図る観点から、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは９０μｍ以下、さらに好ましくは８０μｍ以下、さらにより好ましくは７０μｍ以下、特に好ましくは６０μｍ以下又は５０μｍ以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、絶縁層として所望される機械強度を確保する観点から、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上である。

【0088】

キャリア付接着フィルムにおいて、樹脂組成物層は、シート状繊維に上記の樹脂組成物を含浸させたプリプレグであってもよい。

【0089】

プリプレグに用いるシート状繊維基材は特に限定されず、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布等のプリプレグ用基材として常用されているものを用いることができる。多層プリント配線板の絶縁層の形成に用いる場合には、厚さが５０μｍ以下の薄型のシート状繊維基材が好適に用いられ、特に厚さが１０μｍ〜４０μｍのシート状繊維基材が好ましく、１０μｍ〜３０μｍのシート状繊維基材がより好ましく、１０〜２０μｍのシート状繊維基材が更に好ましい。シート状繊維基材として用いられるガラスクロス基材の具体例としては、旭シュエーベル（株）製の「スタイル１０２７ＭＳ」（経糸密度７５本／２５ｍｍ、緯糸密度７５本／２５ｍｍ、布重量２０ｇ／ｍ^２、厚さ１９μｍ）、旭シュエーベル（株）製の「スタイル１０３７ＭＳ」（経糸密度７０本／２５ｍｍ、緯糸密度７３本／２５ｍｍ、布重量２４ｇ／ｍ^２、厚さ２８μｍ）、（株）有沢製作所製の「１０７８」（経糸密度５４本／２５ｍｍ、緯糸密度５４本／２５ｍｍ、布重量４８ｇ／ｍ^２、厚さ４３μｍ）、（株）有沢製作所製の「１０３７ＮＳ」（経糸密度７２本／２５ｍｍ、緯糸密度６９本／２５ｍｍ、布重量２３ｇ／ｍ^２、厚さ２１μｍ）（株）有沢製作所製の「１０２７ＮＳ」（経糸密度７５本／２５ｍｍ、緯糸密度７５本／２５ｍｍ、布重量１９．５ｇ／ｍ^２、厚さ１６μｍ）、（株）有沢製作所製の「１０１５ＮＳ」（経糸密度９５本／２５ｍｍ、緯糸密度９５本／２５ｍｍ、布重量１７．５ｇ／ｍ^２、厚さ１５μｍ）、（株）有沢製作所製の「１０００ＮＳ」（経糸密度８５本／２５ｍｍ、緯糸密度８５本／２５ｍｍ、布重量１１ｇ／ｍ^２、厚さ１０μｍ）等が挙げられる。また液晶ポリマー不織布の具体例としては、(株)クラレ製の、芳香族ポリエステル不織布のメルトブロー法による「ベクルス」（目付け量６〜１５ｇ／ｍ^２）や「ベクトラン」などが挙げられる。

【0090】

プリプレグは、ホットメルト法、ソルベント法等の公知の方法により製造することができる。

【0091】

樹脂組成物層としてプリプレグを使用する場合にも、樹脂組成物層の厚さは、上述の範囲とすることが好ましい。

【0092】

以下、本発明の多層プリント配線板の製造方法を詳細に説明する。

【0093】

［多層プリント配線板の製造方法］
本発明の多層プリント配線板の製造方法は、
（Ｉ）デガスホールを有するコア基板に、キャリアフィルムと該キャリアフィルム上に設けられた樹脂組成物層とを含むキャリア付接着フィルムを、樹脂組成物層がコア基板と接合するようにラミネートする工程、
（ＩＩ）樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程、及び
（ＩＩＩ）キャリアフィルムを絶縁層から除去する工程
を含み、デガスホールを有するコア基板が、工程（Ｉ）の前に、１５０℃以上の温度で予備加熱されていることを特徴とする。

【0094】

先述のとおり、デガスホールを有するコア基板を使用して多層プリント配線板を製造するにあたって、キャリアフィルムを付けたまま樹脂組成物層を熱硬化させて絶縁層を形成すると、得られる絶縁層がデガスホール上において陥没し、デガスホールに対応した起伏を有するようになる場合があることを本発明者らは見出した。絶縁層の陥没が生じるのはコア基板のデガスホール上のみであり、ビルドアップ導体層（コア基板上にビルドアップ方式にて積層された導体層）のデガスホール上においては斯かる問題は確認されない。このような事実に鑑みると、コア基板のデガスホール上における絶縁層の陥没は、コア基板上にラミネートされた樹脂組成物層を熱硬化させる際に、コア基板の基板ベースで発生したガスがコア基板のデガスホールを通って樹脂組成物層に接触し、熱硬化処理に伴う加熱によって樹脂組成物層の硬化あるいは生じた絶縁層の構造に影響を与えることによって引き起こされるものと推定される。ビルドアップ導体層のデガスホール上において同様の問題が生じないのは、ビルドアップ導体層の直下に設けられたビルドアップ絶縁層は自己の熱硬化処理の際に既に高温加熱されており、また厚さも薄いため、発生するガス量が少ないためと推察される。

【0095】

また、キャリアフィルムを除去した後に樹脂組成物層を熱硬化させて絶縁層を形成する場合には、コア基板のデガスホール上にあっても絶縁層の陥没は生じない。キャリアフィルムを除去した後に樹脂組成物層を熱硬化する場合は、コア基板の基板ベースで発生したガスは樹脂組成物層を通過して外部へ排出されるものと考えられる。キャリアフィルムを付けたまま樹脂組成物層を熱硬化させる場合は、ガスの逃げ場がなく、デガスホール上の樹脂組成物層の硬化あるいは生じた絶縁層の構造に影響を与え、絶縁層の陥没を引き起こすものと推定される。

【0096】

本発明においては、デガスホールを有するコア基板上にキャリア付接着フィルムをラミネートする前に、デガスホールを有するコア基板を１５０℃以上の温度で予備加熱することにより、上記のようなコア基板のデガスホール上における絶縁層の陥没の問題を解消するに至ったものである。なお、比較的低温（例えば、７０℃〜１３０℃）における予備加熱においても、コア基板の保管時に基板ベースに吸湿された水分等を排出するには十分であるが、コア基板のデガスホールに起因する絶縁層の起伏の問題を解消するには至らない。したがって、コア基板のデガスホールに起因する絶縁層の起伏の問題は、水分以外のガス（例えば、コア基板製造時に使用された有機溶剤、有機処理剤）が要因となっているものと推察される。

【0097】

コア基板のデガスホールに起因する絶縁層の起伏をさらに抑制する観点から、デガスホールを有するコア基板の予備加熱は、好ましくは１５５℃以上、より好ましくは１６０℃以上、さらに好ましくは１６５℃以上、さらにより好ましくは１７０℃以上、特に好ましくは１７５℃以上、１８０℃以上、１８５℃以上又は１９０℃以上の温度で実施することが好適である。予備加熱の温度の上限は、コア基板の物性に品質上問題となる影響を及ぼさない限りにおいて特に制限はないが、好ましくは２６０℃以下、より好ましくは２２０℃以下である。

【0098】

好適な実施形態において、デガスホールを有するコア基板の予備加熱は、上記の温度条件を満たす限りにおいて、後述する工程（ＩＩ）における樹脂組成物層を熱硬化させる際の最高到達温度（すなわち、Ｔｃ）との関係でＴｃ−１０（℃）以上の温度で実施し得る。コア基板のデガスホールに起因する絶縁層の起伏をさらに抑制する観点から、予備加熱の温度は、上記の温度条件を満たす限りにおいて、より好ましくはＴｃ−５（℃）以上、さらに好ましくはＴｃ（℃）以上である。予備加熱の温度の上限は、コア基板の物性に品質上問題となる影響を及ぼさない限りにおいて特に制限はないが、好ましくはＴｃ＋３０（℃）以下、より好ましくはＴｃ＋２０（℃）以下である。

【0099】

デガスホールを有するコア基板の予備加熱の時間は、予備加熱の温度にもよるが、好ましくは１０分間以上、より好ましくは２０分間以上、さらに好ましくは３０分間以上である。予備加熱の時間の上限は、コア基板の物性に品質上問題となる影響を及ぼさない限りにおいて特に制限はないが、好ましくは４時間以下、より好ましくは２時間以下である。

【0100】

デガスホールを有するコア基板の予備加熱は、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下で行ってもよく、空気中で行ってもよい。あるいはまた、酸素濃度を低下させた調整空気中で行ってもよい。

【0101】

デガスホールを有するコア基板の予備加熱は、大気圧下で行ってもよく、減圧下で行ってもよい。簡便なため、予備加熱は、大気圧下で行うことが好ましい。

【0102】

デガスホールを有するコア基板の予備加熱は、加熱オーブン等の従来公知の任意の加熱手段を使用して行うことができる。

【0103】

デガスホールを有するコア基板の予備加熱は、デガスホールを有するコア基板上にキャリア付接着フィルムをラミネートする前（すなわち、工程（Ｉ）の前）に実施される限り、特に実施時期は制限されない。例えば、コア基板にデガスホールを形成した後、直ちに予備加熱を実施してもよい。予備加熱の後、デガスホールを有するコア基板を保管する場合は、保管時に基板ベースに吸湿された水分等を排出すべく、工程（Ｉ）の前に、比較的低温（例えば、７０℃〜１３０℃）の加熱処理をさらに施してもよい。

【0104】

あるいはまた、予備加熱の後、工程（Ｉ）を直ちに実施してもよい。したがって一実施形態において、本発明の多層プリント配線板の製造方法は、
（ｉ）デガスホールを有するコア基板を１５０℃以上の温度で予備加熱する工程、
（Ｉ）デガスホールを有するコア基板に、キャリアフィルムと該キャリアフィルム上に設けられた樹脂組成物層とを含むキャリア付接着フィルムを、樹脂組成物層がコア基板と接合するようにラミネートする工程、
（ＩＩ）樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程、及び
（ＩＩＩ）キャリアフィルムを絶縁層から除去する工程
を含む。

【0105】

斯かる実施形態において、工程（Ｉ）は、工程（ｉ）の後、好ましくは１日以内、より好ましくは１２時間以内、さらに好ましくは６時間以内、さらにより好ましくは３時間以内、特に好ましくは２時間以内、１時間以内又は３０分以内に実施することが好適である。

【0106】

以下、工程（Ｉ）乃至工程（ＩＩＩ）について説明する。

【0107】

＜工程（Ｉ）＞
工程（Ｉ）において、デガスホールを有するコア基板に、キャリアフィルムと該キャリアフィルム上に設けられた樹脂組成物層とを含むキャリア付接着フィルムを、樹脂組成物層がコア基板と接合するようにラミネートする。

【0108】

デガスホールを有するコア基板及びキャリア付接着フィルムに関しては、上記のとおりである。工程（Ｉ）に使用するデガスホールを有するコア基板は、１５０℃以上の温度で予備加熱されていることを特徴とする。なお、工程（Ｉ）を実施する前に、デガスホールを有するコア基板の導体層表面をエッチング媒体によりエッチングしてもよい。エッチング媒体としては、例えば、メック（株）製「ＣＺ８１００」が挙げられる。該エッチングは、先述の予備加熱の前に実施してもよく、予備加熱の後に実施してもよい。エッチング量は、通常、０．１μｍ〜２μｍとし得る。

【0109】

工程（Ｉ）におけるラミネート処理は、例えば、減圧条件下、樹脂組成物層がコア基板と接合するように、キャリア付接着フィルムをコア基板に加熱圧着することにより行うことができる。キャリア付接着フィルムをコア基板に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材をキャリア付接着フィルムに直接プレスするのではなく、コア基板の表面凹凸に樹脂組成物層が十分に追従するように、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。キャリア付接着フィルムは、コア基板の片面にラミネートしてもよく、コア基板の両面にラミネートしてもよい。

【0110】

ラミネート処理の条件は特に限定されず、キャリア付接着フィルムを用いて多層プリント配線板の絶縁層を形成するにあたり使用される公知の条件を採用することができる。例えば、ラミネート処理は、圧着圧力を１ｋｇｆ／ｃｍ^２〜１１ｋｇｆ／ｃｍ^２（０．０９８ＭＰａ〜１．０７８ＭＰａ）の範囲とし、圧着温度を７０〜１５０℃の範囲とし、圧着時間を５〜１８０秒の範囲とし、空気圧が２０ｍｍＨｇ（２６．７ｈＰａ）以下の減圧下で実施することができる。なお、ボイドの発生を抑制する観点から、真空引き時間は、好ましくは２０秒間以上、より好ましくは３０秒間以上、４０秒間以上、５０秒間以上又は６０秒間以上である。

【0111】

ラミネート処理の後、キャリア付接着フィルムを熱プレスして平滑化してもよい。

【0112】

平滑化処理は、例えば、加熱圧着部材をキャリアフィルム側からプレスすることにより実施してよい。加熱圧着部材としては、ラミネート処理について説明したものと同じ部材を使用してよい。

【0113】

平滑化処理時の圧着圧力及び圧着時間は、ラミネート処理条件と同様とし得る。また、平滑化処理は、常圧下（大気圧下）で実施することが好適である。

【0114】

ラミネート処理（及び平滑化処理）は、市販の真空ラミネーターによって連続的に行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、（株）名機製作所製の真空加圧式ラミネーター、ニチゴー・モートン（株）製のバキュームアップリケーター等が挙げられる。

【0115】

＜工程（ＩＩ）＞
工程（ＩＩ）において、樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する。

【0116】

本発明の方法においては、キャリアフィルムを付けたまま樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成することを特徴とする。キャリアフィルムは、後述する工程（ＩＩＩ）において除去される。

【0117】

熱硬化の条件は特に限定されず、多層プリント配線板の絶縁層を形成するに際して通常採用される条件を使用してよい。

【0118】

樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物層に用いる樹脂組成物の組成等によっても異なるが、最終的に適切な絶縁層が形成され得る条件であれば特に限定されず、例えば、熱硬化温度は、１２０℃〜２４０℃の範囲が好ましく、１５０℃〜２１０℃の範囲がより好ましく、１６０℃〜１９０℃の範囲がさらに好ましい。ここで、熱硬化温度は、必ずしも上記温度範囲のうち所定の温度に固定されている必要はなく、最終的に適切な絶縁層が形成される限り経時的に変化させてもよく、異なる硬化温度で複数段階に分けて硬化してもよい。また硬化温度の最高到達温度が上記範囲内にあるのが好ましい。本発明においては、工程（ＩＩ）において樹脂組成物層を熱硬化させる際の最高到達温度を「Ｔｃ」ともいう。

【0119】

熱硬化時間は、樹脂組成物層に用いる樹脂組成物の組成や熱硬化温度によっても異なるが、最終的に適切な絶縁層が形成される限り特に限定されず、例えば、２０分間〜１５０分間、好ましくは３０分間〜１２０分間、より好ましくは４０分間〜１２０分間とすることができる。

【0120】

工程（ＩＩ）における樹脂組成物層の熱硬化は、大気圧下（常圧下）にて行うことが好ましい。

【0121】

工程（ＩＩ）の熱硬化は、加熱オーブンを用いて実施してよい。加熱オーブンを用いて樹脂組成物層の熱硬化を実施する場合、樹脂組成物層を加熱オーブン内で垂直状態に配置し、熱硬化して絶縁層を形成することにより、一度に多くの枚数を加熱オーブン内に投入することができ、工程（Ｉ）から工程（ＩＩ）への連続的でスムーズな作業を可能とし、生産性向上に寄与する。加熱オーブンとしては、例えば、クリーンオーブン（ヤマト科学（株）製「クリーンオーブンＤＥ６１０」）等を用いることができる。

【0122】

＜工程（ＩＩＩ）＞
工程（ＩＩＩ）において、キャリアフィルムを絶縁層から除去する。

【0123】

キャリアフィルムは、手動又は自動剥離装置により機械的に剥離して除去してよい。キャリアフィルムとして金属箔を使用した場合は、エッチングによりキャリアフィルムを除去してもよい。

【0124】

なお、キャリアフィルムは、絶縁層上に導体層を設ける工程の前に除去すればよく、例えば、工程（ＩＩ）と後述するビア形成工程との間に除去してもよく、後述するビア形成工程と粗化工程との間に除去してもよく、後述する粗化工程と導体層形成工程との間に除去してもよい。

【0125】

本発明の方法によれば、コア基板のデガスホール上における絶縁層の陥没を抑制することができ、表面の平滑性に優れる絶縁層を実現することができる。コア基板のデガスホール上における絶縁層の陥没深さは、該絶縁層表面に微細な配線パターンにて導体層を形成し得る観点から、２μｍ以下であることが好ましく、１．５μｍ以下であることがより好ましい。該陥没深さの下限は特に限定されず、０μｍであってよい。
コア基板のデガスホール上における絶縁層の陥没深さは、キャリアフィルムを除去した後の絶縁層の露出表面について、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。非接触型表面粗さ計の具体例としては、ビーコインスツルメンツ社製の「ＷＹＫＯ ＮＴ９３００」が挙げられる。

【0126】

＜その他の工程＞
本発明の多層プリント配線板の製造方法は、ａ）絶縁層にビアホールを形成する工程（ビアホール形成工程）、ｂ）絶縁層を粗化処理する工程（粗化工程）、ｃ）メッキにより導体層を形成する工程（導体層形成工程）をさらに含んでもよい。これらの工程は、多層プリント配線板の製造に用いられる、当業者に公知の各種方法に従って実施してよい。

【0127】

−ビアホール形成工程−
ビアホール形成工程において、絶縁層にビアホールを形成する。ビアホールは、層間の電気接続のために設けられ、絶縁層の特性を考慮して、ドリル、レーザー、プラズマ等を用いる公知の方法により形成することができる。例えば、キャリアフィルムが存在する場合は、キャリアフィルム上からレーザー光を照射して、絶縁層にビアホールを形成することができる。

【0128】

レーザー光源としては、例えば、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等が挙げられる。中でも、加工速度、コストの観点から、炭酸ガスレーザーが好ましい。

【0129】

ビアホールの形成は、市販されているレーザー装置を用いて実施することができる。市販されている炭酸ガスレーザー装置としては、例えば、日立ビアメカニクス（株）製のＬＣ−２Ｅ２１Ｂ／１Ｃ、三菱電機（株）製のＭＬ６０５ＧＴＷＩＩ、松下溶接システム（株）製の基板穴あけレーザー加工機が挙げられる。

【0130】

−粗化工程−
粗化工程において、絶縁層を粗化処理する。粗化処理の手順、条件は特に限定されず、多層プリント配線板の絶縁層を形成するに際して通常使用される公知の手順、条件を採用することができる。例えば、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、中和液による中和処理をこの順に実施して絶縁層を粗化処理することができる。膨潤液としては特に限定されないが、アルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液であり、該アルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液がより好ましい。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン（株）製のスウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ、スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ等が挙げられる。膨潤液による膨潤処理は、特に限定されないが、例えば、３０〜９０℃の膨潤液に絶縁層を１分間〜２０分間浸漬することにより行うことができる。絶縁層の樹脂の膨潤を適度なレベルに抑える観点から、４０〜８０℃の膨潤液に絶縁層を５秒間〜１５分間浸漬させることが好ましい。酸化剤としては、特に限定されないが、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤による粗化処理は、６０℃〜８０℃に加熱した酸化剤溶液に絶縁層を１０分間〜３０分間浸漬させて行うことが好ましい。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は５質量％〜１０質量％が好ましい。市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン（株）製のコンセントレート・コンパクトＰ、ドージングソリューション・セキュリガンスＰ等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。また、中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、例えば、アトテックジャパン（株）製のリダクションショリューシン・セキュリガントＰが挙げられる。中和液による処理は、酸化剤溶液による粗化処理がなされた処理面を３０〜８０℃の中和液に５分間〜３０分間浸漬させることにより行うことができる。作業性等の点から、酸化剤溶液による粗化処理がなされた対象物を、４０〜７０℃の中和液に５分間〜２０分間浸漬する方法が好ましい。

【0131】

粗化工程は、いわゆるデスミア工程を兼ねてもよい。

【0132】

先述のとおり、従来の技術においては、デガスホールを有するコア基板を使用して多層プリント配線板を製造するにあたって、キャリアフィルムを付けたまま樹脂組成物層を熱硬化させて絶縁層を形成すると、得られる絶縁層は、デガスホール上において陥没し、デガスホールに対応した起伏を有する問題があった。絶縁層の起伏が大きくなると（特に、デガスホール上における絶縁層の陥没深さが２μｍより大きくなると）、起伏の凸部と凹部とが粗化処理後に大きく異なる表面粗さを呈するようになる場合がある（以下、斯かる現象を「粗度ムラ」ともいう。）。斯かる粗度ムラは、後述する導体層形成工程において局所的な微細配線形成不良に帰着する場合がある。この点、本発明の方法によれば、コア基板のデガスホールに起因する絶縁層の起伏を抑制することができ、粗度ムラを抑えることができる。したがって本発明の方法は、多層プリント配線板の微細配線化に寄与するものである。

【0133】

−導体層形成工程−
導体層形成工程において、絶縁層表面にメッキにより導体層を形成する。

【0134】

導体層に使用する導体材料は特に限定されない。好適な実施形態では、導体層は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む。導体層は、単金属層であっても合金層であってもよく、合金層としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）から形成された層が挙げられる。中でも、導体層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層が好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層がより好ましく、銅の単金属層が更に好ましい。

【0135】

導体層は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。導体層が複層構造である場合、絶縁層と接する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層であることが好ましい。

【0136】

導体層の厚さは、所望の多層プリント配線板のデザインによるが、一般に３μｍ〜３５μｍ、好ましくは５μｍ〜３０μｍである。

【0137】

導体層は、メッキにより形成することができる。例えば、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の従来公知の技術により絶縁層の表面にメッキして、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。

【0138】

一般に、絶縁層表面にパターン形成用ドライフィルムを配して所望のパターンを現像した後、メッキすることにより所望のパターンを有する導体層を形成する。このとき、絶縁層の起伏が大きいと（特に、デガスホール上における絶縁層の陥没深さが２μｍより大きいと）、パターン形成用ドライフィルムの密着性、解像性が低下し、所望のパターンにて導体層を形成することが困難となる場合がある。これに対し、本発明の方法においては、先述のとおり、絶縁層の起伏の問題を生じないことから、絶縁層表面に微細な配線パターンを有する導体層を有利に形成することが可能である。

【0139】

本発明の方法により製造された多層プリント配線板を用いることで半導体装置を製造することができる。本発明の多層プリント配線板の導通箇所に、半導体チップを実装することにより半導体装置を製造することができる。「導通箇所」とは、「多層プリント配線板における電気信号を伝える箇所」であって、その場所は表面であっても、埋め込まれた箇所であってもいずれでも構わない。また、半導体チップは半導体を材料とする電気回路素子であれば特に限定されない。

【0140】

本発明の半導体装置を製造する際の半導体チップの実装方法は、半導体チップが有効に機能しさえすれば、特に限定されないが、具体的には、ワイヤボンディング実装方法、フリップチップ実装方法、バンプなしビルドアップ層（ＢＢＵＬ）による実装方法、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）による実装方法、非導電性フィルム（ＮＣＦ）による実装方法、などが挙げられる。

【実施例】

【0141】

以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載中の「部」は「質量部」を意味する。

【0142】

まず、本明細書での物性評価における測定方法・評価方法について説明する。

【0143】

〔測定・評価用基板の調製〕
（１）デガスホールを有するコア基板の予備加熱
デガスホールを有するコア基板として、直径２００μｍの円形デガスホールが２ｍｍピッチで形成された導体層（銅層）を両面に有するガラス布基材エポキシ樹脂両面積層板（導体層の厚さ３５μｍ、基板ベースの厚さ０．８ｍｍ、Ｐａｎａｓｏｎｉｃ（株）製「Ｒ１５１５Ａ」）を用意した。該コア基板の両面を、メック（株）製「ＣＺ８１００」に浸漬して導体層表面をエッチングした（エッチング量１μｍ）。
その後、表２に示す条件にて、デガスホールを有するコア基板を予備加熱した。なお、予備加熱の後、１時間以内に次工程（２）を行った。

【0144】

（２）キャリア付接着フィルムのラミネート
下記作製例で作製したキャリア付接着フィルムを、バッチ式真空加圧ラミネーター（（株）ニチゴー・モートン製 ２ステージビルドアップラミネーター「ＣＶＰ７００」）を用いて、樹脂組成物層がコア基板と接合するように、コア基板の両面にラミネートした。ラミネート処理は、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とした後、１００℃、圧力０．７４ＭＰａにて３０秒間圧着させることにより実施した。次いで、ラミネートされたキャリア付接着フィルムを、大気圧下、１００℃、圧力０．５ＭＰａにて６０秒間熱プレスして平滑化した。

【0145】

（３）樹脂組成物層の熱硬化
キャリア付き接着フィルムがラミネートされたコア基板を、１００℃にて３０分間、次いで１８０℃にて３０分間加熱し、樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成した。

【0146】

（４）キャリアフィルムの除去
熱硬化の後、室温下、手動でキャリアフィルムを剥離し除去した。

【0147】

（５）絶縁層の粗化
キャリアフィルムの除去後、絶縁層を以下の手順で粗化処理した。すなわち、絶縁層表面を、膨潤液（アトテックジャパン（株）製「スエリングディップ・セキュリガンドＰ」、ジエチレングリコールモノブチルエーテル及び水酸化ナトリウムの水溶液）に６０℃で１０分間、次いで酸化剤溶液（アトテックジャパン（株）製「コンセントレート・コンパクトＰ」、過マンガン酸カリウム濃度約６％、水酸化ナトリウム濃度約４％の水溶液）に８０℃で２０分間浸漬し、水洗処理した。その後、絶縁層表面を、中和液（アトテックジャパン（株）製「リダクションソリューシン・セキュリガントＰ」）に４０℃で５分間浸漬した後、１３０℃で１５分間乾燥した。
得られた評価基板について、デガスホール上における絶縁層の陥没深さを測定した。

【0148】

＜デガスホール上における絶縁層の陥没深さの測定＞
デガスホール上における絶縁層の陥没深さは、非接触型表面粗さ計（ビーコインスツルメンツ社製「ＷＹＫＯ ＮＴ３３００」）を用いて、ＶＳＩコンタクトモード、１０倍レンズにより測定範囲を１１００μｍ×８２５μｍとして得られる数値により求めた。測定は、デガスホール上の絶縁層部分について１０箇所の平均値を求めることにより実施した。なお、表２においては、絶縁層の陥没深さが１．５μｍ以下の場合を「◎」、１．５μｍより大きく２μｍ以下の場合を「○」、２μｍより大きい場合を「×」とした。

【0149】

＜キャリアフィルムのｘ−ｙ方向の熱収縮率（Ｓ）の測定＞
（１）初期長さＬの測定
下記作製例で作製した離型層付キャリアフィルムを２００ｍｍ角状に切り出しサンプルフィルムを用意した。該サンプルの４角から中心方向に２０ｍｍの部分に、貫通穴（直径約６ｍｍ）を、パンチングによって４つ形成した。便宜上、形成した４つの穴を時計回りに穴Ａ、穴Ｂ、穴Ｃ、穴Ｄと称する。形成した各穴の中央間の長さＬ（Ｌ_ＡＢ、Ｌ_ＢＣ、Ｌ_ＣＤ、Ｌ_ＤＡ、Ｌ_ＡＣ、Ｌ_ＢＤ）（図１参照）を、非接触型画像測定器（（株）ミツトヨ製、Ｑｕｉｃｋ Ｖｉｓｉｏｎ 型式：ＱＶＨ１Ｘ６０６−ＰＲＯ ＩＩＩ＿ＢＨＵ２Ｇ）により測定した。
（２）キャリアフィルムの熱処理
測長の終了したサンプルフィルムを、２５５ｍｍ角状のガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（厚さ０．７ｍｍ、松下電工（株）製「Ｒ５７１５ＥＳ」）上に配置し、四辺をポリイミド接着テープ（幅１０ｍｍ）で固定した。固定後、サンプルフィルムを、上記〔測定・評価用基板の調製〕における樹脂組成物層の熱硬化温度条件（すなわち、１００℃にて３０分間、次いで１８０℃にて３０分間）にて加熱した。
（３）熱処理後長さＬ’の測定
熱処理後、ポリイミド接着テープを剥がし、サンプルフィルムを積層板から取り外した。取り外したサンプルフィルムについて、各穴の中央間の長さＬ’（Ｌ’_ＡＢ、Ｌ’_ＢＣ、Ｌ’_ＣＤ、Ｌ’_ＤＡ、Ｌ’_ＡＣ、Ｌ’_ＢＤ）を、非接触型画像測定器で測定した。
（４）熱収縮率の算出
測定したＬ及びＬ’の値に基づき、各穴の中央間の長さの収縮率ｓ（ｓ_ＡＢ、ｓ_ＢＣ、ｓ_ＣＤ、ｓ_ＤＡ、ｓ_ＡＣ及びｓ_ＢＤ）を算出した。ｓ_ＡＢは、測定したＬ_ＡＢ及びＬ’_ＡＢの値に基づき、下記式により算出した。
ｓ_ＡＢ（％）＝｛（Ｌ_ＡＢ−Ｌ’_ＡＢ）／Ｌ_ＡＢ｝×１００
同様にして、ｓ_ＢＣ、ｓ_ＣＤ、ｓ_ＤＡ、ｓ_ＡＣ及びｓ_ＢＤを算出した。
キャリアフィルムのｘ−ｙ方向の熱収縮率（Ｓ）は、得られたｓ_ＡＢ、ｓ_ＢＣ、ｓ_ＣＤ、ｓ_ＤＡ、ｓ_ＡＣ及びｓ_ＢＤの値に基づき、下記式により算出した。
Ｓ（％）＝（ｓ_ＡＢ＋ｓ_ＢＣ＋ｓ_ＣＤ＋ｓ_ＤＡ＋ｓ_ＡＣ＋ｓ_ＢＤ）／６

【0150】

実施例及び比較例で使用した樹脂シート１乃至５は、下記の手順で作製した。

【0151】

〔作製例１〕（キャリア付接着フィルム１の作製）
（１）離型層付きキャリアフィルム１の調製
ＰＥＴフィルム（東レ(株)製「ルミラーＲ５６」、厚さ３８μｍ）の片面に、アルキド樹脂（日立化成ポリマー（株）製「テスファイン３０３」、固形分４８質量％、トルエン／イソプロピルアルコール＝４／１混合液）１００質量部、及びｐ−トルエンスルホン酸溶液（日立化成ポリマー（株）製「ドライヤー９００」、固形分５０質量％、トルエン／イソプロピルアルコール＝４／１混合液）２．５質量部を、トルエン／イソプロピルアルコール＝４／１混合液により固形分濃度が１．５質量％となるように希釈した溶液を、乾燥後の厚さが０．１μｍとなるように塗布し、１５０℃で１分間乾燥させて離型層を設けた。
（２）樹脂ワニス１の調製
ビスフェノール型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型の１：１混合品、エポキシ当量約１６９）５部、ビフェニル型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ４０００ＨＫ」、エポキシ当量約１８５）１２部、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ７２００Ｈ」、エポキシ当量約２７５）９部、及びフェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０質量％のＭＥＫ／シクロヘキサノン＝１／１溶液）１０部を、ソルベントナフサ３０部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却した後、そこへ、活性エステル系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ８０００−６５Ｔ」、活性基当量約２２３、不揮発成分６５質量％のトルエン溶液）４０部、硬化促進剤（４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、固形分５質量％のＭＥＫ溶液）３部、アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ２」、単位面積当たりのカーボン量０．３９ｍｇ／ｍ^２）１５０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス１を調製した。
（３）キャリア付接着フィルム１の作製
次いで、離型層付きキャリアフィルム１の離型層上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが４０μｍとなるように樹脂ワニス１を均一に塗布し、８０〜１２０℃（平均１００℃）で５分間乾燥させて、キャリア付接着フィルム１を作製した。得られた樹脂組成物層の残留溶剤量（１３０℃にて１５分間加熱した後の質量減少から算出）は、２．１質量％であった。

【0152】

〔作製例２〕（キャリア付接着フィルム２の作製）
ＰＥＴフィルム（東レ(株)製「ルミラーＲ５６」、厚さ３８μｍ）に代えてアニール処理済ＰＥＴフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製「Ｇ２ＬＡ」、厚さ５０μｍ）を使用した以外は作製例１（１）と同様の手順で離型層付きキャリアフィルム２を調製した。
得られた離型層付キャリアフィルム２を使用して、作製例１（２）及び（３）と同様の手順でキャリア付接着フィルム２を作製した。得られた樹脂組成物層の残留溶剤量は、２．２重量％であった。

【0153】

〔作製例３〕（キャリア付接着フィルム３の作製）
ＰＥＴフィルム（東レ(株)製「ルミラーＲ５６」、厚さ３８μｍ）に代えてポリイミドフィルム（宇部興産(株)製「ユーピレックス−Ｓ」、厚さ２５μｍ）を使用した以外は作製例１（１）と同様の手順で離型層付きキャリアフィルム３を調製した。
得られた離型層付キャリアフィルム３を使用して、作製例１（２）及び（３）と同様の手順でキャリア付接着フィルム３を作製した。得られた樹脂組成物層の残留溶剤量は、２．１重量％であった。

【0154】

〔作製例４〕（キャリア付接着フィルム４の作製）
ＰＥＴフィルム（東レ(株)製「ルミラーＲ５６」、厚さ３８μｍ）に代えてＰＥＮフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製「テオネックス Ｑ８３」、厚さ２５μｍ）を使用した以外は作製例１（１）と同様の手順で離型層付きキャリアフィルム４を調製した。
得られた離型層付キャリアフィルム４を使用して、作製例１（２）及び（３）と同様の手順でキャリア付接着フィルム４を作製した。得られた樹脂組成物層の残留溶剤量は、２．０重量％であった。

【0155】

〔作製例５〕（キャリア付接着フィルム５の作製）
（１）樹脂ワニス２の調製
ビスフェノール型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型の１：１混合品、エポキシ当量約１６９）５部、ビフェニル型樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ４０００ＨＫ」、エポキシ当量約１８５）１０部、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ７２００Ｈ」、エポキシ当量約２７５）１０部、及びフェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０質量％のＭＥＫ溶液）５部を、ソルベントナフサ２０部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却した後、そこへ、ビスフェノールＡジシアネートのプレポリマー（ロンザジャパン（株）製「ＢＡ２３０Ｓ７５」、シアネート当量約２３２、不揮発分７５質量％のＭＥＫ溶液）２０部、活性エステル系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ８０００−６５Ｔ」、活性基当量約２２３の不揮発分６５質量％のトルエン溶液）２０部、硬化促進剤（４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、固形分５質量％のＭＥＫ溶液）０．５部、硬化促進剤（東京化成（株）製、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（Ｃｏ（ＩＩＩ）Ａｃｔ）、固形分１質量％のＭＥＫ溶液）２部、アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ２」、単位表面積当たりのカーボン量０．３９ｍｇ／ｍ^２）１１０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス２を調製した。
（２）キャリア付接着フィルム５の作製
次いで、離型層付きキャリアフィルム１の離型層上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが４０μｍとなるように樹脂ワニス２を均一に塗布し、８０〜１２０℃（平均１００℃）で５分間乾燥させて、キャリア付接着フィルム５を作製した。得られた樹脂組成物層の残留溶剤量は、１．８重量％であった。

【0156】

キャリア付接着フィルム１乃至５の仕様を表１にまとめて示す。

【0157】

【表1】

【0158】

＜実施例１＞
キャリア付接着フィルム１を使用して、上記〔測定・評価用基板の調製〕の手順に従って、評価基板を調製した。表２に示すとおり、予備加熱は１８０℃にて３０分間行った。評価結果を表２に示す。

【0159】

＜実施例２＞
キャリア付接着フィルム２を使用して、上記〔測定・評価用基板の調製〕の手順に従って、評価基板を調製した。表２に示すとおり、予備加熱は１８０℃にて３０分間行った。評価結果を表２に示す。

【0160】

＜実施例３＞
キャリア付接着フィルム３を使用して、上記〔測定・評価用基板の調製〕の手順に従って、評価基板を調製した。表２に示すとおり、予備加熱は１８０℃にて３０分間行った。評価結果を表２に示す。

【0161】

＜実施例４＞
キャリア付接着フィルム４を使用して、上記〔測定・評価用基板の調製〕の手順に従って、評価基板を調製した。表２に示すとおり、予備加熱は１７０℃にて３０分間行った。評価結果を表２に示す。

【0162】

＜実施例５＞
キャリア付接着フィルム５を使用して、上記〔測定・評価用基板の調製〕の手順に従って、評価基板を調製した。表２に示すとおり、予備加熱は１９０℃にて３０分間行った。評価結果を表２に示す。

【0163】

＜比較例１＞
キャリア付接着フィルム１を使用して、上記〔測定・評価用基板の調製〕の手順に従って、評価基板を調製した。表２に示すとおり、予備加熱は１３０℃にて３０分間行った。評価結果を表２に示す。

【0164】

＜比較例２＞
キャリア付接着フィルム５を使用して、上記〔測定・評価用基板の調製〕の手順に従って、評価基板を調製した。表２に示すとおり、予備加熱は１００℃にて６０分間行った。評価結果を表２に示す。

【0165】

【表2】

【図1】