特許 6289497 回路基板及び表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6289497

(24)【登録日】2018年2月16日

(45)【発行日】2018年3月7日

(54)【発明の名称】回路基板及び表示装置

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20180226BHJP

   G02F 1/1345 20060101ALI20180226BHJP

   G02F 1/1368 20060101ALI20180226BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20180226BHJP

   H05K 3/00 20060101ALI20180226BHJP

【ＦＩ】

   G09F9/30 330

   G09F9/30 348Z

   G02F1/1345

   G02F1/1368

   H05K1/02 R

   H05K3/00 P

【請求項の数】5

【全頁数】15

(21)【出願番号】特願2015-547331(P2015-547331)

(86)(22)【出願日】2013年11月14日

(86)【国際出願番号】JP2013080772

(87)【国際公開番号】WO2015071989

(87)【国際公開日】20150521

【審査請求日】2016年9月28日

(73)【特許権者】

【識別番号】512225287

【氏名又は名称】堺ディスプレイプロダクト株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100114557

【弁理士】

【氏名又は名称】河野 英仁

(74)【代理人】

【識別番号】100078868

【弁理士】

【氏名又は名称】河野 登夫

(72)【発明者】

【氏名】中川 英俊

【審査官】 小野 博之

(56)【参考文献】

【文献】 国際公開第２０１２／１０５１８０（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２００４−０７０１８２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０００−２７５６６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２０１１／００３７９３４（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０２Ｆ１／１３

１／１３４３−１／１３４５

１／１３５

１／１３７−１／１４１

Ｇ０９Ｆ９／００−９／４６

Ｈ０１Ｌ２１／３３６

２７／３２

２９／７８６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

積層された複数の配線部と、複数の配線部の積層間に成膜された絶縁部とを備える回路基板において、
積層方向での配線部同士が重畳する重畳位置に、前記絶縁部が欠損部を有し、
前記配線部には、前記欠損部に係る欠損範囲の全部又は一部に整合する位置に凸部又は凹部が形成されており、
前記凸部又は凹部は、前記欠損部に係る欠損範囲と整合する形状を有していることを特徴とする回路基板。

【請求項2】

積層された複数の配線部と、複数の配線部の積層間に成膜された絶縁部とを備える回路基板において、
積層方向での配線部同士が重畳する重畳位置に、前記絶縁部が欠損部を有し、
前記配線部には、前記欠損部に係る欠損範囲の全部又は一部に整合する位置に凸部又は凹部が形成されており、
前記凸部又は凹部は各々複数であり、前記欠損部に係る欠損範囲の両端と整合する位置に形成されていることを特徴とする回路基板。

【請求項3】

前記絶縁部は、物性の異なる２層からなり、何れか一層が前記重畳位置にて欠けていることを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板。

【請求項4】

前記絶縁部は、前記重畳位置に、窪みが形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板。

【請求項5】

請求項１から４の何れかに記載の回路基板と、
該回路基板の配線部を介して入力される信号に基づいて画像が表示される表示部と
を備えることを特徴とする表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層された複数の配線部と、複数の配線部の積層間に成膜された絶縁部とを備える回路基板及び該回路基板を備える表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、電気機器のコンパクト化及び薄型化が進んでおり、このようなコンパクト化及び薄型化のために、内装される基板における配線同士の交差数が増えている。

【0003】

その結果、電気機器の製造過程において、配線が切断された場合、これの修正が難しいという問題が生じていた。

【0004】

これに対して、引用文献１には、あらかじめ、ゲート配線とソース配線との交差部を除いたソース配線の下に、完全に覆われる形で、導電膜からなるダミー配線を設けておき、ソース配線に断線箇所があれば、ダミー配線と断線せずに残っているソース配線とが重なっている箇所に、レーザー照射を行うことで、ダミー配線１とソース配線を電気的に接続することにより、ソース配線の断線を容易に修正することができるアクティブマトリクス基板が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開平１０−３１９４３８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

一方、回路基板において、配線同士が交差した場合、いわゆる配線クロス容量が増大する問題が生じる。従って、一般には、このような問題に対応するため、配線同士の間に、複数の絶縁層を設けている。

【0007】

また、このように、配線同士間に複数の絶縁層が存在する場合においては、上述したように、レーザーを用いた切断の修正の際、絶縁層毎にレーザーの照射条件を変更する必要があり、作業性が劣ることから、レーザーを照射すべき部分だけは、単一の絶縁層にしておく必要がある。

【0008】

しかし、作業者が肉眼にて、回路基板から、レーザーを照射すべき部分を探し出すことは困難であり、回路設計図面を見ながら斯かる作業を行なうが、この場合、正確な箇所の判別が難しいうえに、作業性が低減する。また、特許文献１に係るアクティブマトリクス基板ではこのような問題を解決できない。

【0009】

本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、積層によって形成された複数層の配線部と、層間に成膜された絶縁部とを備える回路基板において、積層方向での配線部同士が重畳する重畳位置に、前記絶縁部が欠損部を有し、前記欠損部の存在を示す目印が形成されることにより、上述したように、レーザーを用いて配線の切断を修正する際、作業者が肉眼にて、容易に、レーザーを照射すべき部分を判別することができる回路基板及び表示装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本発明に係る回路基板は、積層された複数の配線部と、複数の配線部の積層間に成膜された絶縁部とを備える回路基板において、積層方向での配線部同士が重畳する重畳位置に、前記絶縁部が欠損部を有し、前記欠損部の存在を示す目印が形成されてあることを特徴とする。

【0011】

本発明にあっては、レーザーを用いて配線の切断を修正する際、該修正が容易となるように、前記絶縁部にて、前記重畳位置に対応する位置に前記欠損部を形成し、また、該欠損部の存在を示す目印を該重畳位置に形成する。

【0012】

本発明に係る回路基板は、前記絶縁部は、物性の異なる２層からなり、何れか一層が前記重畳位置にて欠けており、前記目印は前記配線部の前記重畳位置に形成されており、層に沿う方向に形成された凸部又は凹部であることを特徴とする。

【0013】

本発明にあっては、前記絶縁部が物性の異なる２層からなる場合、前記重畳位置に対応する位置で何れか一層が欠けるように構成して、レーザーを用いた配線の切断の修正を容易にする。また、前記配線部の前記重畳位置に対応する部分に、層に沿う方向に凸部又は凹部を前記目印として形成する。

【0014】

本発明に係る回路基板は、前記絶縁部は、前記重畳位置に、窪みが形成されており、前記目印は前記配線部の前記重畳位置に形成されており、層に沿う方向に形成された凸部又は凹部であることを特徴とする。

【0015】

本発明にあっては、前記絶縁部が単一層からなる場合、前記重畳位置と対応する位置に窪みを形成して、レーザーを用いた配線の切断の修正を容易にする。また、前記配線部の前記重畳位置に対応する部分に、層に沿う方向に凸部又は凹部を前記目印として形成する。

【0016】

本発明に係る回路基板は、前記凸部又は凹部は、前記欠損部に係る欠損範囲と整合する形状を有していることを特徴とする。

【0017】

本発明にあっては、前記凸部又は凹部が、前記欠損部に係る欠損範囲と整合する形状を有するようにし、前記配線の切断の修正において、作業者が容易に欠損部に係る欠損範囲を推測可能にする。

【0018】

本発明に係る回路基板は、前記凸部又は凹部は、前記欠損部に係る欠損範囲の中央部と整合する位置に形成されていることを特徴とする。

【0019】

本発明にあっては、前記凸部又は凹部を前記欠損部に係る欠損範囲の中央部と整合する位置に形成し、前記配線の切断の修正において、作業者が容易に欠損部に係る欠損範囲を推測可能にする。

【0020】

本発明に係る回路基板は、前記凸部又は凹部は各々複数であり、前記欠損部に係る欠損範囲の両端と整合する位置に形成されていることを特徴とする。

【0021】

本発明にあっては、複数の凸部又は凹部を前記欠損部に係る欠損範囲の両端と整合する位置に各々形成し、前記配線の切断の修正において、作業者が容易に欠損部に係る欠損範囲を推測可能にする。

【0022】

本発明に係る表示装置は、前述の発明の何れか一つに記載の回路基板と、該回路基板の配線部を介して入力される信号に基づいて画像が表示される表示部とを備えることを特徴とする。

【0023】

本発明にあっては、該回路基板の配線部を介して入力される信号に基づいて、前記表示部に画像が表示される。

【発明の効果】

【0024】

本発明によれば、上述したように、作業者がレーザーを用いて配線の切断を修正する際、肉眼にて、かつ容易に、レーザーを照射すべき部分を判別することができる。

【図面の簡単な説明】

【0025】

【図1】本発明の実施の形態１に係る液晶表示パネルの内部構成を模式的に示す要部構成図である。

【図2】本発明の実施の形態１に係る液晶表示パネルの額縁領域における、配線切断対策を説明する説明図である。

【図3】図２のＪ点におけるＡ−Ａ線による断面図である。

【図4】図２の円部分を拡大して示す拡大図である。

【図5】本発明の実施の形態２に係る液晶表示パネルにおける、凹部の形状を説明する説明図である。

【図6】本発明の実施の形態３に係る液晶表示パネルにおける、凸部の形状を説明する説明図である。

【図7】本発明の実施の形態４に係る液晶表示パネルにおける、凹部の形状を説明する説明図である。

【図8】本発明の実施の形態５に係る液晶表示パネルにおける、凸部の形状を説明する説明図である。

【図9】本発明の実施の形態６に係る液晶表示パネルにおける、凹部の形状を説明する説明図である。

【図10】抜き部に係る範囲がソース配線の幅より広い場合における、本発明の適用を説明する説明図である。

【図11】絶縁部がＧＩ絶縁層のみからなる場合を説明する説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0026】

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。以下の説明では回路基板として液晶表示パネルに内装された回路基板について説明するが、本発明に係る回路基板は液晶パネルに限るものではない。例えば、画素を光学的に順次シフトさせる画像シフトパネル、三次元映像を表示可能とするパララックスバリアパネルなどに適用することも可能である。また本発明の回路基板は、無機又は有機エレクトロルミネッセントパネル、プラズマディスプレイパネル、エレクトロクロミック表示パネル、電気泳動表示パネルなどにも適用することができる。更に、本発明に係る回路基板は、上述したような表示装置に限るものではなく、他の電気機器に適用できることは言うまでもない。

【0027】

（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１に係る液晶表示パネルの内部構成を模式的に示す要部構成図である。本発明の実施の形態１に係る液晶表示パネル１００は、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｏｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子を用いた、いわゆるアクティブマトリクス型の液晶表示パネルである。液晶表示パネル１００は、ＴＦＴ基板１１とこれに対向するＣＦ（Ｄｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）基板１２とが貼り合わされた構造を有しており、ＴＦＴ基板１１の対向面の一部が露出している。液晶表示パネル１００は、ＴＦＴ基板１１及びＣＦ基板１２の間に液晶層を有している。

【0028】

図１中のＣＦ基板１２の内側の部分は、画像信号に基づいて映像を表示する表示領域１３である。表示領域１３の周辺の領域は額縁領域１４とも呼ばれている。

【0029】

ＴＦＴ基板１１は、ガラス基板上に、互いに交差して形成された、走査信号用の走査配線及びデータ信号用の信号配線と、画素ごとに設けられたＴＦＴ素子と、画素電極とを有する。ＣＦ基板１２のＴＦＴ基板１１側面には、共通電極が形成されている。ＴＦＴ基板１１の額縁領域１４には、走査配線の線順次走査を制御するゲートドライバ１７と、信号配線に画像データ信号を供給するソースドライバ１８とがそれぞれ複数個設けられている。

【0030】

液晶表示パネル１００は、ゲートドライバ１７及びソースドライバ１８が、外部から入力されるＩＣ駆動用配線、対向電極用配線、ゲートドライバ１７及びソースドライバ１８から表示領域へ映像信号を供給するための信号出力配線、ドライバに駆動信号を入出力するための中継配線等を備えている。

【0031】

額縁領域１４には複数の配線からなる配線部が形成されている。斯かる配線としては、例えば、表示領域１３へ画像データ信号を出力するための配線２１（表示領域への導入用電気配線）、隣接する各ゲートドライバ１７又はソースドライバ１８、並びにゲートドライバ１７及びソースドライバ１８を電気的に接続する電源配線２３等である。

【0032】

表示領域１３内の配線は、導電性材料を１種又は２種以上含有する単層膜又は積層膜であり、ＴＦＴを形成する薄膜プロセスによって形成される。一般的には、表示領域１３内の配線部は金属薄膜と導電性酸化膜との積層膜である。額縁領域１４内の各配線２１，２３は表示領域１３内の配線の形成と同じプロセス及び同じ材料を用いて形成される。

【0033】

一方、液晶表示パネル１００のような表示装置においては、高精細の画像表示を実現すると共に、よりコンパクト化又は薄型化するために、これら配線（例えば、走査信号、データ信号等）同士の交差数が増えており、これによりいわゆる配線クロス容量が増大するようになる。一般には、ゲートドライバ１７に係るゲート配線、及び、ソースドライバ１８に係るソース配線の間には一層の絶縁層（以下、ＧＩ絶縁層という。）のみが形成されているが、該ＧＩ絶縁層のみでは、このような配線クロス容量の増大の問題に十分に対応できない。

【0034】

そこで、これに対応するため、実施の形態１に係る液晶表示パネル１００においては、ゲート配線及びソース配線の間に、前記ＧＩ絶縁層に加え、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）材料からなるＳＯＧ絶縁層を形成する。ＳＯＧ材料としては、例えば、シリカがある。これによって、ゲート配線及びソース配線の間の間隔を広げることができ、前記配線クロス容量を低減することができる。このような方法は公知の技術であり詳しい説明を省略する。

【0035】

一方、このような液晶表示パネル１００の製造プロセス中において、例えば、額縁領域１４における配線が切断されると表示領域１３に信号が入力できず、画像表示が正しくできない不良品となる。

【0036】

このような場合に備え、一の配線と平行していわゆる冗長配線を配置しておく。該冗長配線回路はいわば迂回回路であり、例えば、斯かる一の配線がゲート配線である場合、前記冗長配線はソース配線であり、前記一の配線がソース配線である場合、前記冗長配線はゲート配線である。

【0037】

図２は本発明の実施の形態１に係る液晶表示パネル１００の額縁領域１４における、配線切断対策を説明する説明図である。以下、説明の便宜上、液晶表示パネル１００の額縁領域１４における配線を例にあげて説明し、ゲート配線Ｇに、冗長配線としてソース配線Ｏが配置された場合を例として説明する。

【0038】

図２中、Ｓ点は配線切断が発生した部分であり、Ｊ点はソース配線Ｏ及びゲート配線Ｇが、積層方法において重畳する位置である。換言すれば、ゲート配線Ｇ、及び、ソース配線Ｏの間には、前記Ｊ点において、前記ＧＩ絶縁層及びＳＯＧ絶縁膜が介在している。

【0039】

前記Ｊ点付近では、ソース配線Ｏの先端部が、ゲート配線Ｇと、前記積層方向において「Ｔ」字状をなすように重畳している。

【0040】

例えば、製造プロセス中において、ゲート配線ＧのＳ点が切断されると表示領域１３に信号が入力できず、画像表示が正しくできない。この際、両Ｊ点にて、ゲート配線Ｇ及びソース配線Ｏを接続させた場合、図中矢印方向に沿って信号は迂回して伝搬するので、斯かる問題を解決できる。また、このような解決方法は公知であり、詳しい説明を省略する。

【0041】

図３は図２のＪ点におけるＡ−Ａ線による断面図である。ＴＦＴ基板１１のＣＦ基板１２側の面には、ゲート配線Ｇが積層形成されており、上述したように、ＧＩ絶縁層Ｉ１及びＳＯＧ絶縁膜Ｉ２からなる絶縁部Ｉを挟んで、ソース配線Ｏが積層形成されている。また、ソース配線ＯのＣＦ基板１２側には、有機層間絶縁膜（ＪＡＳ）が形成されている。

【0042】

更に、絶縁部Ｉは欠損部Ｆを有している。欠損部Ｆは、ゲート配線Ｇ及びソース配線Ｏの積層方向において、これらが重畳するＪ点に形成されている。

【0043】

より詳しくは、ＳＯＧ絶縁膜Ｉ２はＪ点において、欠けており、不在である。すなわち、Ｊ点においては、ＳＯＧ絶縁膜Ｉ２が形成されていない抜き部Ｅが存在し、抜き部Ｅには、代わりに、ＧＩ絶縁層Ｉ１が形成されている。これによって、上述したように、図２のゲート配線ＧのＳ点が切断された場合、両Ｊ点にて、ゲート配線Ｇ及びソース配線Ｏを接続させることができる。

【0044】

すなわち、図２の両Ｊ点に、前記積層方向に沿って、特定周波数のレーザーを照射することにより、ソース配線Ｏ及び絶縁部Ｉを溶かして、ゲート配線Ｇ及びソース配線Ｏを接続させることができる。以下、この方法をレーザーメルト法という。

【0045】

しかし、このように、レーザーメルト法を実施する場合、レーザー照射のターゲットとなる絶縁部が物性の異なる複数の絶縁層からなる場合、絶縁層毎にレーザーの照射条件を変更する必要があり、作業性が劣る。

【0046】

従って、レーザーメルト法に用いられる箇所、すなわち、レーザー照射のターゲットになる箇所の絶縁部が、絶縁部Ｉのように複数種の絶縁層からなる場合には、予め、ＳＯＧ絶縁膜Ｉ２に抜き部Ｅのような欠損部を設けることにより、当該箇所に限り、１種の絶縁層にすることで、レーザーメルト法における、作業性を高めることができる。

【0047】

一方、一般に、作業者が、前記レーザーメルト法を実施する際には、ＳＯＧ絶縁膜Ｉ２が欠けており、かつゲート配線Ｇ及びソース配線Ｏが重畳している箇所を判別するために、回路設計図面を見ながら、斯かる作業を行なう。しかし、このような場合、正確な箇所の判別が難しいうえに、作業性が低減する。

【0048】

これに対して、本発明の実施の形態１に係る液晶表示パネル１００においては、欠損部Ｆの存在を示す目印を形成しているので、斯かる問題を解決することができる。以下、本発明の実施の形態１に係る液晶表示パネル１００における、欠損部Ｆの存在を示す目印について詳しく説明する。

【0049】

図４は図２の円部分を拡大して示す拡大図である。図中、破線にて囲まれている部分は、ＳＯＧ絶縁膜Ｉ２が抜けている部分、すなわち、抜き部Ｅに係る範囲を表す。

【0050】

ソース配線Ｏにおいて、ゲート配線Ｇと重畳するJ点の位置に、欠損部Ｆの存在を示す目印として凸部Ｐが形成されている。凸部Ｐはソース配線Ｏの先端から、層に沿う方向に突出するように形成されている。また、凸部Ｐは、積層方向において、ゲート配線Ｇと重ならないように、形成されている。凸部Ｐは矩形であり、突出方向が短手方向である。

【0051】

また、凸部Ｐは、欠損部Ｆに係る欠損範囲と整合する形状を有している。換言すれば、凸部Ｐは、欠損部Ｆの抜き部Ｅに係る範囲と整合する形状を有している。より詳しくは、凸部Ｐの長手方向における寸法、すなわち、ゲート配線Ｇに沿う方向における凸部Ｐの寸法Ｌと、斯かる方向における抜き部Ｅの範囲（寸法）とは一致している。なお、凸部Ｐはソース配線Ｏ（又はゲート配線Ｇ）の一部として、これらが積層形成される際、共に形成される。

【0052】

これによって、実施の形態１に係る液晶表示パネル１００においては、作業者が前記レーザーメルト法を実施する際、ＳＯＧ絶縁膜Ｉ２が欠けており、かつゲート配線Ｇ及びソース配線Ｏが重畳している箇所を容易に判別できる。また、凸部Ｐの形状からＳＯＧ絶縁膜Ｉ２が欠けている範囲、すなわち、抜き部Ｅに係る範囲を推測できる。

【0053】

上述したように、凸部Ｐはソース配線Ｏ（又はゲート配線Ｇ）と同じ材料からなるので、遮光性を有している。従って、実際に、作業者が前記レーザーメルト法を実施する際、ＴＦＴ基板１１の背面から光を照射して、遮光性のあるソース配線Ｏ（又はゲート配線Ｇ）の陰影に基づいて、すなわち、凸部Ｐの陰影から、ＳＯＧ絶縁膜Ｉ２が欠けており、かつゲート配線Ｇ及びソース配線Ｏが重畳している箇所を容易に判別できる。

【0054】

（実施の形態２）
実施の形態２においては、凸部Ｐの代わりに、欠損部Ｆの存在を示す目印として凹部Ｂが形成されている。以下、詳しく説明する。

【0055】

図５は本発明の実施の形態２に係る液晶表示パネル１００における、凹部Ｂの形状を説明する説明図である。図中、破線にて囲まれている部分は、ＳＯＧ絶縁膜Ｉ２が抜けている部分、すなわち、抜き部Ｅに係る範囲を表す。

【0056】

凹部Ｂは、実施の形態１の凸部Ｐと同様、ソース配線Ｏにおいて、ゲート配線Ｇと重畳するJ点の位置に形成されており、ソース配線Ｏの先端から、ソース配線Ｏに沿う方向に形成されている。例えば、凹部Ｂは矩形であり、ソース配線Ｏに沿う方向が短手方向である。

【0057】

また、凹部Ｂは、欠損部Ｆに係る欠損範囲と整合する形状を有しており、凹部Ｂの長手方向における寸法Ｌ１と、斯かる方向における抜き部Ｅの範囲（寸法）とは一致している。なお、凹部Ｂはソース配線Ｏ（又はゲート配線Ｇ）の一部として、これらが積層形成される際、共に形成される。

【0058】

これによって、実施の形態２に係る液晶表示パネル１００においては、作業者が前記レーザーメルト法を実施する際、ＳＯＧ絶縁膜Ｉ２が欠けており、かつゲート配線Ｇ及びソース配線Ｏが重畳している箇所を容易に判別できる。また、凹部Ｂの形状からＳＯＧ絶縁膜Ｉ２が欠けている範囲、すなわち、抜き部Ｅに係る範囲を推測できる。

【0059】

上述したように、凹部Ｂはソース配線Ｏ（又はゲート配線Ｇ）と同じ材料からなるので、遮光性を有している。従って、実際に、作業者が前記レーザーメルト法を実施する際、ＴＦＴ基板１１の背面から光を照射して、凹部Ｂの陰影から、ＳＯＧ絶縁膜Ｉ２が欠けており、かつゲート配線Ｇ及びソース配線Ｏが重畳している箇所を容易に判別できる。

【0060】

実施の形態１と同様の部分については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。

【0061】

（実施の形態３）
実施の形態３においては、凸部Ｐの代わりに、２つの突出部からなる凸部Ｐ１が形成されている。以下、詳しく説明する。

【0062】

図６は本発明の実施の形態３に係る液晶表示パネル１００における、凸部Ｐ１の形状を説明する説明図である。図中、破線にて囲まれている部分は抜き部Ｅに係る範囲を表す。

【0063】

凸部Ｐ１は、ソース配線Ｏにおいて、ゲート配線Ｇと重畳するJ点の位置に形成された２つの突出部からなり、ソース配線Ｏの先端から、層に沿う方向に突出するように形成されている。例えば、凸部Ｐ１の各突出部は矩形であり、突出方向が長手方向である。

【0064】

また、凸部Ｐ１は、欠損部Ｆに係る欠損範囲の両端と整合する位置に形成されている。すなわち、凸部Ｐ１は、欠損部Ｆの抜き部Ｅに係る範囲の両端と整合する位置に、各突出部が各々形成されている。より詳しくは、凸部Ｐ１の２つの突出部はゲート配線Ｇに沿う方向に隔てて形成されており、該突出部同士間の間隔と、斯かる方向における抜き部Ｅの範囲（寸法）とは略一致している。

【0065】

これによって、実施の形態３に係る液晶表示パネル１００においては、作業者が前記レーザーメルト法を実施する際、ＳＯＧ絶縁膜Ｉ２が欠けており、かつゲート配線Ｇ及びソース配線Ｏが重畳している箇所を容易に判別できる。また、凸部Ｐ１の形状からＳＯＧ絶縁膜Ｉ２が欠けている範囲、すなわち、抜き部Ｅに係る範囲を推測できる。

【0066】

実施の形態１と同様の部分については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。

【0067】

（実施の形態４）
実施の形態４においては、凹部Ｂの代わりに、２つの窪みからなる凹部Ｂ１が形成されている。以下、詳しく説明する。

【0068】

図７は本発明の実施の形態４に係る液晶表示パネル１００における、凹部Ｂ１の形状を説明する説明図である。図中、破線にて囲まれている部分は抜き部Ｅに係る範囲を表す。

【0069】

凹部Ｂ１は、ソース配線Ｏにおいて、ゲート配線Ｇと重畳するJ点の位置に形成された２つの窪みからなり、ソース配線Ｏの先端から、ソース配線Ｏに沿う方向に形成されている。例えば、凹部Ｂ１の各窪みは矩形であり、ソース配線Ｏに沿う方向が長手方向である。

【0070】

また、凹部Ｂ１は、欠損部Ｆに係る欠損範囲の両端と整合する位置に形成されている。すなわち、凹部Ｂ１は、欠損部Ｆの抜き部Ｅに係る範囲の両端と整合する位置に、各窪みが各々形成されている。より詳しくは、凹部Ｂ１の２つの窪みはゲート配線Ｇに沿う方向に隔てて形成されており、該窪み同士間の間隔と、斯かる方向における抜き部Ｅの範囲（寸法）とは略一致している。

【0071】

これによって、実施の形態４に係る液晶表示パネル１００においては、作業者が前記レーザーメルト法を実施する際、ＳＯＧ絶縁膜Ｉ２が欠けており、かつゲート配線Ｇ及びソース配線Ｏが重畳している箇所を容易に判別できる。また、凹部Ｂ１の形状からＳＯＧ絶縁膜Ｉ２が欠けている範囲、すなわち、抜き部Ｅに係る範囲を推測できる。

【0072】

実施の形態１と同様の部分については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。

【0073】

（実施の形態５）
実施の形態５においては、凸部Ｐ１の代わりに、１つの突出部からなる凸部Ｐ２が形成されている。以下、詳しく説明する。

【0074】

図８は本発明の実施の形態５に係る液晶表示パネル１００における、凸部Ｐ２の形状を説明する説明図である。図中、破線にて囲まれている部分は抜き部Ｅに係る範囲を表す。

【0075】

凸部Ｐ２は、ソース配線Ｏにおいて、ゲート配線Ｇと重畳するＪ点の位置に形成された１つの突出部であり、ソース配線Ｏの先端から、層に沿う方向に突出するように形成されている。例えば、凸部Ｐ２は矩形であり、突出方向が長手方向である。

【0076】

また、凸部Ｐ２は、欠損部Ｆに係る欠損範囲の中央部と整合する位置に形成されている。すなわち、凸部Ｐ２は、欠損部Ｆの抜き部Ｅに係る範囲の中央部と整合する位置に形成されている。より詳しくは、凸部Ｐ２は、ゲート配線Ｇに沿う方向における抜き部Ｅの範囲のうち、中央部に形成されている。

【0077】

これによって、実施の形態５に係る液晶表示パネル１００においては、作業者が前記レーザーメルト法を実施する際、ＳＯＧ絶縁膜Ｉ２が欠けており、かつゲート配線Ｇ及びソース配線Ｏが重畳している箇所を容易に判別できる。また、凸部Ｐ２の形状からＳＯＧ絶縁膜Ｉ２が欠けている範囲、すなわち、抜き部Ｅに係る範囲を推測できる。

【0078】

実施の形態１と同様の部分については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。

【0079】

（実施の形態６）
実施の形態６においては、凹部Ｂ１の代わりに、１つの窪みからなる凹部Ｂ２が形成されている。以下、詳しく説明する。

【0080】

図９は本発明の実施の形態６に係る液晶表示パネル１００における、凹部Ｂ２の形状を説明する説明図である。図中、破線にて囲まれている部分は抜き部Ｅに係る範囲を表す。

【0081】

凹部Ｂ２は、ソース配線Ｏにおいて、ゲート配線Ｇと重畳するＪ点の位置に形成された窪みであり、ソース配線Ｏの先端から、ソース配線Ｏに沿う方向に形成されている。例えば、凹部Ｂ２は矩形であり、ソース配線Ｏに沿う方向が長手方向である。

【0082】

また、凹部Ｂ２は、欠損部Ｆに係る欠損範囲の中央部と整合する位置に形成されている。すなわち、凹部Ｂ２は、欠損部Ｆの抜き部Ｅに係る範囲の中央部と整合する位置に形成されている。より詳しくは、凹部Ｂ２は、ゲート配線Ｇに沿う方向における抜き部Ｅの範囲のうち、中央部に対応する位置に形成されている。

【0083】

これによって、実施の形態６に係る液晶表示パネル１００においては、作業者が前記レーザーメルト法を実施する際、ＳＯＧ絶縁膜Ｉ２が欠けており、かつゲート配線Ｇ及びソース配線Ｏが重畳している箇所を容易に判別できる。また、凹部Ｂ２の形状からＳＯＧ絶縁膜Ｉ２が欠けている範囲、すなわち、抜き部Ｅに係る範囲を推測できる。

【0084】

実施の形態１と同様の部分については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。

【0085】

（実施の形態７）
以上においては、前記Ｊ点付近では、抜き部Ｅに係る範囲がソース配線Ｏ及びゲート配線Ｇの幅より狭い場合を例として説明したが、本発明はこれに限るものでない。抜き部Ｅに係る範囲がソース配線Ｏ又はゲート配線Ｇの幅より広い場合も本発明を適用することが可能である。

【0086】

図１０は抜き部Ｅに係る範囲がソース配線Ｏの幅より広い場合における、本発明の適用を説明する説明図である。図中、破線にて囲まれている部分は抜き部Ｅに係る範囲を表す。図１０に示すように、ソース配線Ｏ及びゲート配線Ｇは、「＋」状に交差して重畳されており、抜き部Ｅに係る範囲がソース配線Ｏの幅より広い。

【0087】

ソース配線Ｏにおいては、ゲート配線Ｇと交差するJ点の位置に、凸部Ｐ３が形成されている。凸部Ｐ３は、ソース配線Ｏにおいて、ゲート配線Ｇを挟む両側の何れか一方に形成されており、ソース配線Ｏの幅方向の両側に形成されている。

【0088】

すなわち、ソース配線Ｏに沿う方向と直交する幅方向の両端であって、欠損部Ｆ（Ｊ点）に隣り合う部分には、層に沿う方向に突出するように凸部Ｐ３，Ｐ３が形成されている。例えば、凸部Ｐ３，Ｐ３は矩形であり、前記幅方向が長手方向である。

【0089】

また、凸部Ｐ３，Ｐ３は、欠損部Ｆの抜き部Ｅに係る範囲の両端と整合するように各々形成されている。より詳しくは、ゲート配線Ｇに沿う方向において、一の凸部Ｐ３の先端から他の凸部Ｐ３の先端までの寸法Ｌ２と、斯かる方向における抜き部Ｅの範囲（寸法）とは一致している。

【0090】

これによって、実施の形態７に係る液晶表示パネル１００においては、抜き部Ｅに係る範囲がソース配線Ｏ又はゲート配線Ｇの幅より広い場合であっても、作業者が前記レーザーメルト法を実施する際、ＳＯＧ絶縁膜Ｉ２が欠けており、かつゲート配線Ｇ及びソース配線Ｏが重畳している箇所を容易に判別できる。また、凸部Ｐ３の形状からＳＯＧ絶縁膜Ｉ２が欠けている範囲、すなわち、抜き部Ｅに係る範囲を推測できる。

【0091】

実施の形態１と同様の部分については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。

【0092】

なお、以上の説明では、ソース配線Ｏにおいて、ゲート配線Ｇと重畳するＪ点の位置に、凸部Ｐ，凸部Ｐ１，凸部Ｐ２，凸部Ｐ３，凹部Ｂ，凹部Ｂ１及び凹部Ｂ２が形成されている場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限るものでない。例えば、ゲート配線Ｇにおいて、ソース配線Ｏと重畳するＪ点の位置に、凸部Ｐ，凸部Ｐ１，凸部Ｐ２，凸部Ｐ３，凹部Ｂ，凹部Ｂ１及び凹部Ｂ２が形成された構成であっても良い。

【0093】

更に、以上の記載に限るものでなく、凸部Ｐ，凸部Ｐ１，凸部Ｐ２，凸部Ｐ３，凹部Ｂ，凹部Ｂ１及び凹部Ｂ２が、積層方向において、欠損部Ｆ（抜き部Ｅ）と同一形状を有するように構成しても良い。

【0094】

（実施の形態８）
更に、以上の記載においては、絶縁部ＩがＧＩ絶縁層Ｉ１及びＳＯＧ絶縁膜Ｉ２からなる場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限るものでない。絶縁部ＩがＧＩ絶縁層Ｉ１又はＳＯＧ絶縁膜Ｉ２の何れか一方のみからなる場合も本発明を適用することができる。以下、詳しく説明する。なお、説明の便宜上、絶縁部ＩがＧＩ絶縁層Ｉ１のみからなる場合を例に挙げて説明する。

【0095】

図１１は絶縁部ＩがＧＩ絶縁層Ｉ１のみからなる場合を説明する説明図である。ＴＦＴ基板１１のＣＦ基板１２側の面には、ゲート配線Ｇが積層形成されており、ＧＩ絶縁層Ｉ１のみからなる絶縁部Ｉを挟んで、ソース配線Ｏが積層形成されている。また、ソース配線ＯのＣＦ基板１２側には、有機層間絶縁膜（ＪＡＳ）が形成されている。

【0096】

更に、絶縁部Ｉは欠損部Ｆを有している。欠損部Ｆは、ゲート配線Ｇ及びソース配線Ｏの積層方向において、これらが重畳するＪ点に形成されている（図３参照）。

【0097】

より詳しくは、ＧＩ絶縁層Ｉ１はＪ点において、窪みＨが形成されている。これによって、作業者が前記レーザーメルト法を実施する際、窪みＨにおいて、レーザーによるメルトが容易となる。

【0098】

前記Ｊ点がこのような構成である場合においても、上述した実施の形態１〜７に記載したように、Ｊ点の位置に、凸部Ｐ，凸部Ｐ１，凸部Ｐ２，凸部Ｐ３，凹部Ｂ，凹部Ｂ１及び凹部Ｂ２を形成できることは言うまでもない。

【0099】

実施の形態１と同様の部分については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。

【符号の説明】

【0100】

１３ 表示領域
１００ 液晶表示パネル（表示装置）
Ｂ，Ｂ１，Ｂ２ 凹部
Ｅ 抜き部
Ｆ 欠損部
Ｇ ゲート配線
Ｈ 窪み
Ｉ 絶縁部
Ｏ ソース配線
Ｐ，Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３ 凸部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】