特許 6289922 基板処理装置および基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6289922

(24)【登録日】2018年2月16日

(45)【発行日】2018年3月7日

(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20180226BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/304 642Z

   H01L21/304 643Z

【請求項の数】8

【全頁数】14

(21)【出願番号】特願2014-15201(P2014-15201)

(22)【出願日】2014年1月30日

(65)【公開番号】特開2015-142070(P2015-142070A)

(43)【公開日】2015年8月3日

【審査請求日】2017年1月27日

(73)【特許権者】

【識別番号】000002428

【氏名又は名称】芝浦メカトロニクス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100108062

【弁理士】

【氏名又は名称】日向寺 雅彦

(74)【代理人】

【識別番号】100168332

【弁理士】

【氏名又は名称】小崎 純一

(74)【代理人】

【識別番号】100146592

【弁理士】

【氏名又は名称】市川 浩

(72)【発明者】

【氏名】大田垣 崇

(72)【発明者】

【氏名】林 航之介

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 将文

(72)【発明者】

【氏名】松嶋 大輔

(72)【発明者】

【氏名】中村 聡

(72)【発明者】

【氏名】出村 健介

【審査官】 鈴木 和樹

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００７−５６９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０００−２５４６０５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平４−３５３７５０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−２４１５６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００２−９０４１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

表面に凹凸部を有する基板を処理する基板処理装置であって、
前記凹凸部が設けられている側が突出するように前記基板を変形させる基板変形部と、
前記変形した基板の前記凹凸部に洗浄液を接触させる洗浄部と、
を備えた基板処理装置。

【請求項2】

前記基板変形部は、前記基板の前記凹凸部が設けられている側とは反対側に加わる圧力を増加させる加圧部を有する請求項１記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記基板変形部は、前記基板の前記凹凸部が設けられている側に加わる圧力を減少させる減圧部を有する請求項１または２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記基板変形部は、前記基板の前記凹凸部が設けられている側とは反対側を押圧する押圧部を有する請求項１記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記基板変形部は、
前記基板を保持する保持部と、
前記保持部を移動させる移動部と、
を有する請求項１記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記基板変形部は、前記基板の前記凹凸部が設けられている側を加熱する加熱部を有する請求項１記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記基板変形部は、前記基板の前記凹凸部が設けられている側とは反対側を冷却する冷却部を有する請求項１または６に記載の基板処理装置。

【請求項8】

表面に凹凸部を有する基板を処理する基板処理方法であって、
前記凹凸部が設けられている側が突出するように前記基板を変形させる工程と、
前記変形した基板の前記凹凸部に洗浄液を接触させる工程と、
を備えた基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

基板の表面に洗浄液を供給し、基板の表面に付着している付着物を除去する基板処理装置がある。（例えば、特許文献１を参照）
ここで、基板の表面には、凹凸部が形成されている場合がある。
例えば、半導体ウェーハの表面には、回路パターン（凹凸部）が形成されている。
また、インプリント法に用いられるテンプレートの表面には、転写されるパターン（凹凸部）が形成されている。
そして、付着物が凹凸部の内部に入り込んだ場合には、基板の表面に洗浄液を供給しただけでは付着物を除去することができない場合が生じ得る。
そのため、表面に凹凸部を有する基板であっても、付着物を効果的に除去することができる基板処理装置および基板処理方法の開発が望まれていた。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１２−１２４２９８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明が解決しようとする課題は、付着物を効果的に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0005】

実施形態に係る基板処理装置は、表面に凹凸部を有する基板を処理する基板処理装置である。この基板処理装置は、前記凹凸部が設けられている側が突出するように前記基板を変形させる基板変形部と、前記変形した基板の前記凹凸部に洗浄液を接触させる洗浄部と、を備えている。

【発明の効果】

【0006】

本発明の実施形態によれば、付着物を効果的に除去することができる基板処理装置および基板処理方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本実施の形態に係る基板処理装置１を例示するためのレイアウト図である。

【図2】移載部３および基板変形部４を例示するための模式断面図である。

【図3】洗浄部５を例示するための模式断面図である。

【図4】（ａ）〜（ｃ）は、移載部３から基板変形部４に処理前の基板１００が受け渡される様子を例示するための模式図である。

【図5】処理前の基板１００の変形を例示するための模式図である。

【図6】（ａ）、（ｂ）は、他の実施形態に係る基板変形部４０について例示をするための模式図である。

【図7】他の実施形態に係る基板変形部４１について例示をするための模式図である。

【図8】他の実施形態に係る基板変形部４３について例示をするための模式図である。

【図9】他の実施形態に係る基板変形部４２および洗浄部５０について例示をするための模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図１は、本実施の形態に係る基板処理装置１を例示するためのレイアウト図である。
図２は、移載部３および基板変形部４を例示するための模式断面図である。
なお、図２は、図１におけるＡ−Ａ線断面図である。
図３は、洗浄部５を例示するための模式断面図である。
なお、図３は、図１におけるＢ−Ｂ線断面図である。

【0009】

図１に示すように、基板処理装置１には、筐体２、移載部３、基板変形部４、洗浄部５、乾燥部６、搬送部７、収納部８、および制御部９が設けられている。
また、図２に示すように、基板１００には、基部１０１と凹凸部１０２が設けられている。基部１０１は、板状を呈している。凹凸部１０２は、基部１０１の表面に設けられている。
基板１００は、例えば、半導体ウェーハとすることができる。この場合、凹凸部１０２は回路パターンなどとすることができる。
また、基板１００は、例えば、インプリント法に用いられるテンプレートとすることができる。この場合、凹凸部１０２は転写されるパターンなどとすることができる。

【0010】

また、図１に示すように、筐体２は、箱状を呈し、移載部３、基板変形部４、洗浄部５、乾燥部６、および搬送部７が内部に設けられている。
筐体２は、外部からのパーティクルの侵入を防ぐことができる程度の気密構造を有している。
なお、空気などのガス供給装置を設け、筐体２の内部の圧力が筐体２の外部の圧力より高くなるようにすることもできる。筐体２の内部の圧力が筐体２の外部の圧力より高くなるようにすれば、外部からのパーティクルの侵入を防ぐことが容易となる。

【0011】

また、図２に示すように、移載部３には、支持部３ａおよび移動部３ｂが設けられている。
また、基板変形部４には、受け部４ａ、押さえ部４ｂ、アーム部４ｃ、移動部４ｄ、ガス供給部４ｅ、ガス制御部４ｆおよびアーム部４ｇが設けられている。
支持部３ａは、柱状を呈している。支持部３ａの一方の端部は、受け部４ａの側に向けて延びている。支持部３ａは、移動部３ｂに接続されている。
支持部３ａは、基板１００を支持する。支持部３ａの数には特に限定はないが、支持部３ａの数を３つ以上とすれば、支持された基板１００の姿勢を安定させることができる。 移動部３ｂは、受け部４ａに近づく方向または受け部４ａから離れる方向に支持部３ａを移動させる。移動部３ｂは、例えば、サーボモータなどの制御モータを備えたものとすることができる。

【0012】

本実施の形態においては、基板変形部４に設けられた押さえ部４ｂとガス供給部４ｅが、基板１００の凹凸部１０２が設けられている側とは反対側に加わる圧力を増加させる加圧部となる。
受け部４ａは、環状を呈している。受け部４ａは、凹部４ａ１を有している。凹部４ａ１の底面４ａ３には基板１００が載置される。この際、基板１００の凹凸部１０２側が凹部４ａ１の底面４ａ３に載置される。
凹部４ａ１の底面４ａ３には、孔部４ａ２が設けられている。支持部３ａは、孔部４ａ２を通って受け部４ａから突出することができる。凹部４ａ１の側面４ａ４と底面４ａ３の間には、斜面４ａ５が設けられている。そのため、載置された基板１００の位置決めを行うことができる。

【0013】

押さえ部４ｂは、板状を呈している。押さえ部４ｂの受け部４ａ側の面には凹部４ｂ１が設けられている。凹部４ｂ１は、基板１００の凹凸部１０２が設けられている領域に対峙して設けられている。
凹部４ｂ１の周縁を囲むようにＯリング（オーリング）などの封止部材４ｂ２が設けられている。封止部材４ｂ２は、基板１００と接触することで、凹部４ｂ１を封止する。

【0014】

アーム部４ｃの一端は、押さえ部４ｂの凹部４ｂ１が設けられている側とは反対側の面に接続されている。
アーム部４ｃの他端は、移動部４ｄに接続されている。
アーム部４ｇは、受け部４ａの凹部４ａ１が設けられている側とは反対側の面に設けられている。
アーム部４ｇの他端は、移動部４ｄに接続されている。

【0015】

移動部４ｄは、アーム部４ｃおよびアーム部４ｇの少なくともいずれかを互いに近接する方向または互いに離れる方向に移動させる。すなわち、移動部４ｄは、基板１００の保持と基板１００の保持の解除を行う。
また、移動部４ｄは、アーム部４ｃおよびアーム部４ｇを移載部３の位置または洗浄部５の位置に移動させる。すなわち、移動部４ｄは、移載部３と洗浄部５との間における基板１００の搬送を行う。
また、移動部４ｄは、アーム部４ｃおよびアーム部４ｇを洗浄部５の容器５ａに近づける方向または容器５ａから離す方向に移動させる。すなわち、移動部４ｄは、容器５ａに収納された洗浄液５ｆに基板１００を接触させる。または、移動部４ｄは、洗浄液５ｆから基板１００を取り出す。
移動部４ｄは、例えば、サーボモータなどの制御モータを備えたものとすることができる。
後述する基板１００の凹凸部１０２が容器５ａ内の洗浄液５ｆに接触して洗浄される場合には、アーム部４ｃ、アーム部４ｇ、および移動部４ｄは、容器５ａと接触しないような形状および配置を有している。

【0016】

ガス供給部４ｅは、ガス制御部４ｆを介して凹部４ｂ１の内部にガスを供給する。ガスの種類には特に限定はないが、例えば、空気や窒素ガスなどとすることができる。
ガス制御部４ｆは、ガス供給部４ｅから供給されるガスの圧力や流量を制御する。
基板１００が保持されているときに、凹部４ｂ１の内部にガスが供給されると凹部４ｂ１の内圧が高くなるので、基板１００を凸状に変形させることができる。この際、凹凸部１０２が設けられている側が突出するように変形するので、凸部同士の間が拡げられる。
すなわち、ガス制御部４ｆは基板１００を弾性変形させることができる。
また、基板１００の変形量、ひいては凸部同士の間の寸法は、ガス制御部４ｆによりガスの圧力や流量を制御することで変化させることができる。
なお、基板１００の変形に関する詳細は後述する。

【0017】

図１および図３に示すように、洗浄部５には、容器５ａ、洗浄液収納部５ｂ、洗浄液供給部５ｃ、排出バルブ５ｄ、および振動発生部５ｅが設けられている。
洗浄部５は、変形した基板１００の凹凸部１０２に洗浄液５ｆを接触させる。
容器５ａは、箱状を呈し、一方の端部が開口している。容器５ａの内部には洗浄液５ｆが収納されている。そのため、容器５ａの開口を介して、基板変形部４に保持された基板１００を洗浄液５ｆに接触させることができる。なお、基板１００の全体を洗浄液５ｆの中に入れる必要はなく、少なくとも凹凸部１０２が洗浄液５ｆに接触すればよい。

【0018】

洗浄液収納部５ｂは、洗浄液供給部５ｃを介して容器５ａに接続されている。
洗浄液収納部５ｂは、洗浄液５ｆを収納する。
洗浄液５ｆは、基板１００に付着している付着物１１０の材質などに応じて適宜選択することができる。
例えば、洗浄液５ｆは、純水とすることができる。
有機物を含む付着物１１０の場合には、洗浄液５ｆは、酸化性物質を含む溶液とすることができる。酸化性物質を含む溶液は、例えば、オゾン水、ＳＰＭ（Sulfuric Acid Peroxide Mixture）溶液、アンモニア過酸化水素水（ＳＣ１洗浄に用いる溶液）などとすることができる。なお、ＳＰＭ溶液は、硫酸と過酸化水素水の混合液である。アンモニア過酸化水素水は、アンモニア水と過酸化水素水と水の混合液である。
金属を含む付着物１１０の場合には、洗浄液５ｆは、塩酸過酸化水素水（ＳＣ２洗浄に用いる溶液）などとすることができる。なお、塩酸過酸化水素水は、塩酸と過酸化水素水と水の混合液である。

【0019】

洗浄液供給部５ｃは、洗浄液収納部５ｂに収納されている洗浄液５ｆを容器５ａに供給する。
洗浄液供給部５ｃは、洗浄液５ｆに対する耐性を有するポンプなどとすることができる。洗浄液供給部５ｃは、例えば、ケミカルポンプなどとすることができる。
ただし、洗浄液供給部５ｃは、ポンプに限定されるわけではない。例えば、洗浄液供給部５ｃは、洗浄液収納部５ｂの内部にガスを供給し、洗浄液収納部５ｂの内部に収納された洗浄液５ｆを圧送するものとすることもできる。

【0020】

排出バルブ５ｄは、容器５ａに接続されている。排出バルブ５ｄは、容器５ａに収納されている洗浄液５ｆと除去された付着物１１０を排出する。排出バルブ５ｄは、例えば、開閉弁などとすることができる。排出バルブ５ｄは、配管を介して図示しない工場配管や回収装置などと接続することもできる。

【0021】

振動発生部５ｅは、容器５ａに設けられている。振動発生部５ｅは、振動を発生する。振動発生部５ｅは、例えば、超音波振動発生装置などとすることができる。
なお、振動発生部５ｅは、容器５ａおよび基板変形部４の少なくともいずれかに設けるようにすることができる。すなわち、振動発生部５ｅにより発生した振動が、洗浄液５ｆおよび基板１００の少なくともいずれかに伝わるようにすればよい。
振動発生部５ｅは、必ずしも必要ではないが、振動発生部５ｅを設ければ、付着物１１０をより効果的に除去することができる。

【0022】

乾燥部６には、載置部６ａ、ノズル６ｂ、移動部６ｃ、ガス供給部６ｄ、およびガス制御部６ｅが設けられている。
載置部６ａには、基板１００が載置される。この際、基板１００の凹凸部１０２側がノズル６ｂの側に向くようにして載置される。また、載置部６ａには回転機構が内蔵されており、載置された基板１００を回転させる。載置部６ａには、ヒータなどの加熱装置や、静電チャックなどの保持装置を内蔵させることもできる。

【0023】

ノズル６ｂは、載置部６ａに載置された基板１００に向けてガスを噴射する。
移動部６ｃは、ノズル６ｂの位置を変化させる。例えば、ガスを噴射させる際には、移動部６ｃは、ノズル６ｂが基板１００の上方に位置するように移動させる。ガスの噴射が終了した際には、移動部６ｃは、ノズル６ｂが基板１００の上方から退避するように移動させる。
ガス供給部６ｄは、ガス制御部６ｅを介してノズル６ｂにガスを供給する。ガスの種類には特に限定はないが、例えば、空気や窒素ガスなどとすることができる。
ガス制御部６ｅは、ガス供給部６ｄから供給されるガスの圧力や流量を制御する。

【0024】

搬送部７には、本体部７ａ、アーム部７ｂ、および移動部７ｃが設けられている。
搬送部７は、収納部８と移載部３との間、基板変形部４と乾燥部６との間、および乾燥部６と収納部８との間における基板１００の搬送を行う。
本体部７ａは、移動部７ｃの上に設けられている。本体部７ａの上にはアーム部７ｂが設けられている。本体部７ａには回転機構が内蔵されており、アーム部７ｂの向きを変化させることができるようになっている。

【0025】

アーム部７ｂの一端には、保持装置が設けられており基板１００を保持する。アーム部７ｂの他端は、本体部７ａに設けられている。アーム部７ｂは、本体部７ａから突出する方向または本体部７ａ側に戻る方向に移動する。すなわち、アーム部７ｂは、保持した基板１００を収納部８側などに受け渡すことができるようになっている。また、アーム部７ｂは、収納部８側などから基板１００を取り出すことができるようになっている。
移動部７ｃは、基板１００の受け渡しのために本体部７ａの位置、ひいては、アーム部７ｂの位置を移動させる。

【0026】

収納部８は、基板１００を収納する。収納部８は、筐体２の側壁面に設けられた開口を覆うように取り付けられている。
収納部８は、複数の基板１００を積層状（多段状）に収納可能なキャリアなどとすることができる。収納部８は、例えば、ＦＯＵＰ(Front-Opening Unified Pod)などとすることができる。ＦＯＵＰは、ミニエンバイロメント方式の半導体工場で使われている基板１００の搬送、保管を目的とした正面開口式キャリアである。

【0027】

制御部９は、基板処理装置１に設けられている各要素の動作を制御する。
制御部９は、移動部３ｂを制御して、受け部４ａに近づく方向または受け部４ａから離れる方向に支持部３ａを移動させる。
制御部９は、移動部４ｄを制御して、アーム部４ｃおよびアーム部４ｇの少なくともいずれかを互いに近接する方向または互いに離れる方向に移動させる。
制御部９は、移動部４ｄを制御して、アーム部４ｃおよびアーム部４ｇを移載部３の位置または洗浄部５の位置に移動させる。

【0028】

制御部９は、ガス供給部４ｅを制御して、凹部４ｂ１の内部にガスを供給し、基板１００を変形させる。
制御部９は、ガス制御部４ｆを制御して、基板１００の変形量、ひいては凸部同士の間の寸法を制御する。
制御部９は、洗浄液供給部５ｃを制御して、洗浄液収納部５ｂに収納されている洗浄液５ｆを容器５ａに供給する。
制御部９は、排出バルブ５ｄを制御して、容器５ａに収納されている洗浄液５ｆと除去された付着物１１０を排出する。
制御部９は、振動発生部５ｅを制御して、洗浄液５ｆなどに振動を加える。

【0029】

制御部９は、ガス供給部６ｄを制御して、ノズル６ｂからガスを噴射させる。
制御部９は、ガス制御部６ｅを制御して、ノズル６ｂから噴射されるガスの流量や圧力などを変化させる。
制御部９は、移動部６ｃを制御して、ノズル６ｂの位置を変化させる。
制御部９は、載置部６ａを制御して、載置部６ａに載置されている基板１００を回転させる。

【0030】

制御部９は、本体部７ａを制御して、アーム部７ｂの向きを変化させる。
制御部９は、アーム部７ｂを制御して、アーム部７ｂを本体部７ａから突出する方向または本体部７ａ側に戻る方向に移動する。
制御部９は、移動部７ｃを制御して、本体部７ａの位置、ひいては、アーム部７ｂの位置を移動させる。

【0031】

次に、基板処理装置１の作用とともに、本実施の形態に係る基板処理方法について例示をする。
まず、搬送部７により、処理前の基板１００が収納部８から取り出される。
次に、搬送部７により、処理前の基板１００が移載部３の支持部３ａに受け渡される。 次に、移載部３から基板変形部４に処理前の基板１００が受け渡される。

【0032】

図４（ａ）〜（ｃ）は、移載部３から基板変形部４に処理前の基板１００が受け渡される様子を例示するための模式図である。
図５は、処理前の基板１００の変形を例示するための模式図である。

【0033】

まず、図４（ａ）に示すように、移動部３ｂにより支持部３ａを移動させて、支持部３ａの端部を受け部４ａから突出させる。
続いて、搬送部７から支持部３ａの端部に処理前の基板１００を受け渡す。
この際、凹凸部１０２側が受け部４ａの側になるように処理前の基板１００を受け渡す。
続いて、図４（ｂ）に示すように、移動部３ｂにより支持部３ａを移動させて、支持部３ａを受け部４ａから離す。

【0034】

続いて、図４（ｃ）に示すように、移動部４ｄにより、アーム部４ｃおよびアーム部４ｇの少なくともいずれかを互いに近接する方向に移動させて、処理前の基板１００を保持する。
この際、封止部材４ｂ２が、処理前の基板１００と接触することで、凹部４ｂ１が封止される。

【0035】

次に、移動部４ｄにより、アーム部４ｃおよびアーム部４ｇを洗浄部５の位置に移動させる。
続いて、移動部４ｄにより、アーム部４ｃおよびアーム部４ｇを洗浄部５の容器５ａに近づける方向に移動させて、処理前の基板１００を洗浄液５ｆに接触させる。
次に、ガス供給部４ｅから凹部４ｂ１の内部にガスを供給する。
凹部４ｂ１の内部にガスが供給されると凹部４ｂ１の内圧が高くなる。

【0036】

そのため、図５に示すように、処理前の基板１００は、凹凸部１０２が設けられている側が突出するように変形する。

【0037】

すると、凸部同士の間が拡げられるので、凸部同士の間にある付着物１１０の除去が容易となる。
なお、ガス制御部４ｆにより、ガスの圧力や流量を制御することで、処理前の基板１００の変形量、ひいては凸部同士の間の寸法を制御することもできる。
また、基板１００の変形は、基板１００を洗浄液５ｆに接触させる前に行ってもよい。例えば、基板１００の変形は、基板１００を保持することで凹部４ｂ１が封止された後すぐに行ってもよい。
また、振動発生部５ｅにより、洗浄液５ｆおよび処理前の基板１００の少なくともいずれかに振動を加える。
振動を加えるようにすれば、付着物１１０の除去がさらに容易となる。

【0038】

次に、移動部４ｄにより、アーム部４ｃおよびアーム部４ｇを洗浄部５の容器５ａから離れる方向に移動させて、処理済みの基板１００を洗浄液５ｆから取り出す。
この際、基板１００の変形を解除した後、処理済みの基板１００を洗浄液５ｆから取り出すこともできる。
例えば、押さえ部４ｂを基板１００から一旦離れる方向に移動させることによって凹部４ｂ１内の圧力を基板１００の変形前に戻し、基板１００の変形を解除する。その後、処理済みの基板１００を洗浄液５ｆから取り出す。
続いて、移動部４ｄにより、アーム部４ｃおよびアーム部４ｇを移載部３の位置に移動させる。
次に、前述した手順とは逆の手順により、処理済みの基板１００を搬送部７に受け渡す。
続いて、搬送部７により、処理済みの基板１００が乾燥部６に受け渡される。
この際、図示しない反転装置により、処理済みの基板１００を反転させ、凹凸部１０２が設けられている側がノズル６ｂの側に向くようにすることができる。

【0039】

次に、ガス供給部６ｄにより、ノズル６ｂから処理済みの基板１００に向けてガスを噴射させる。
ガスを噴射させる際には、移動部６ｃにより、ノズル６ｂを基板１００の上方に移動させる。
また、載置部６ａにより、処理済みの基板１００を回転させたり、載置部６ａに内蔵されたヒータなどにより処理済みの基板１００を加熱したりすることができる。
続いて、ガス供給部６ｄにより、ガスの噴射を停止させる。
また、移動部６ｃにより、ノズル６ｂを基板１００の上方から退避させる。

【0040】

次に、搬送部７により、乾燥済みの基板１００を乾燥部６から取り出す。
続いて、搬送部７により、乾燥済みの基板１００を収納部８の内部に収納する。
以後、前述した手順を繰り返すことで、付着物１１０が付着した基板１００を連続的に処理することができる。

【0041】

以上に説明したように、本実施の形態に係る基板処理方法は、凹凸部１０２が設けられている側が突出するように基板１００を変形させる工程と、変形した基板１００の凹凸部１０２に洗浄液５ｆを接触させる工程と、を備えている。

【0042】

次に、他の実施形態に係る基板変形部について例示をする。
図６（ａ）、（ｂ）は、他の実施形態に係る基板変形部４０について例示をするための模式図である。図６（ａ）は、基板１００を変形させる前の状態、図６（ｂ）は、基板１００を変形させた後の状態を表している。
図６（ａ）、（ｂ）に示すように、基板変形部４０には、押圧部４０ａ、支持部４０ｂ、および緩衝部４０ｃが設けられている。
押圧部４０ａは、基板１００の凹凸部１０２が設けられている側とは反対側の面を押す。
押圧部４０ａは、例えば、エアシリンダなどとすることができる。
図６（ａ）に示すように、押圧部４０ａが基板１００を押す前は、基板１００はほぼ平板状であるが、図６（ｂ）に示すように、押圧部４０ａが基板１００を押すことで、基板１００は凹凸部１０２が設けられている側が突出するように変形する。

【0043】

支持部４０ｂは、環状を呈し、基板１００の周縁部分を支持する。
緩衝部４０ｃは、支持部４０ｂに設けられ、基板１００の周縁部分に接触する。緩衝部４０ｃは、ゴムなどの軟質材料から形成され、基板１００に加えられた力により、基板１００が損傷するのを抑制する。
また、押圧部４０ａおよび支持部４０ｂのいずれかの位置を移動させて、基板１００を押す位置を変化させる図示しない移動部を設けることもできる。

【0044】

図７は、他の実施形態に係る基板変形部４１について例示をするための模式図である。 図７に示すように、基板変形部４１には保持部４１ａ、および移動部４１ｂが設けられている。
保持部４１ａには、バキュームチャックなどの保持装置が設けられている。
保持部４１ａは、基板１００の周縁部分を保持する。
移動部４１ｂは、保持部４１ａの向きや位置を移動させる。
そして、移動部４１ｂにより、保持部４１ａの向きや位置を移動させて、凹凸部１０２が設けられている側が突出するように基板１００を変形させる。

【0045】

図８は、他の実施形態に係る基板変形部４３について例示をするための模式図である。 図２、図６、図７に例示をした基板変形部は、基板１００に外力を加えて、基板１００を変形させる。
これに対して、基板変形部４３は、基板１００の両面間の熱膨張差を利用して基板１００を変形させる。

【0046】

図８に示すように、基板変形部４３には、加熱部４３ａおよび冷却部４３ｂが設けられている。
加熱部４３ａは、基板１００の凹凸部１０２が設けられている側を加熱する。
加熱部４３ａは、例えば、基板１００の凹凸部１０２が設けられている側に、遠赤外線を照射するヒータなどとすることができる。
冷却部４３ｂは、基板１００の凹凸部１０２が設けられている側とは反対側を冷却する。
冷却部４３ｂは、例えば、基板１００の凹凸部１０２が設けられている側とは反対側に、冷却された媒体（例えば、ガスや液体）を噴射するものとすることができる。

【0047】

なお、加熱部４３ａおよび冷却部４３ｂは、例示をしたものに限定されるわけではなく、基板１００の温度を変化させることができるものであればよい。
例えば、加熱部４３ａは、加熱炉などであってもよい。
また、加熱温度および冷却温度の少なくともいずれかを制御することで、基板１００の変形量、ひいては凸部同士の間の寸法を制御することができる。
加熱温度および冷却温度は、基板１００の材料などに応じて適宜変更することができる。
例えば、基板１００がインプリント法に用いられるテンプレートの場合には、基板１００の材料は石英などとなる。
基板１００の材料が石英の場合には、加熱温度は１０００℃〜１２００℃程度とすることができる。
また、加熱部４３ａおよび冷却部４３ｂの少なくともいずれかが設けられるようにすればよい。

【0048】

図９は、他の実施形態に係る基板変形部４２および洗浄部５０について例示をするための模式図である。
図９に示すように、基板変形部４２には、筐体４２ａ、加圧部４２ｂ、および排出部４２ｃが設けられている。
筐体４２ａは、箱状を呈し、気密構造を有している。
筐体４２ａの内部には仕切り部４２ａ１が設けられている。
仕切り部４２ａ１には、孔４２ａ２が設けられている。

【0049】

孔４２ａ２の周縁には、封止部材４２ｄが設けられている。
封止部材４２ｄは、例えば、Ｏリング（オーリング）などとすることができる。
基板１００は、孔４２ａ２を覆うように載置される。
この際、基板１００の凹凸部１０２が、孔４２ａ２により露出する。
また、基板１００は、封止部材４２ｄを介して載置されるので、基板１００に損傷が生じるのを抑制することができる。

【0050】

基板１００と仕切り部４２ａ１により、基板１００の凹凸部１０２が露出する側の空間４２ｅと、基板１００が載置される側の空間４２ｆとが仕切られる。

【0051】

加圧部４２ｂは、空間４２ｆに接続されている。
加圧部４２ｂは、空間４２ｆにガスを供給することで、空間４２ｆの圧力を増加させる。
すなわち、加圧部４２ｂは、基板１００の凹凸部１０２が設けられている側とは反対側に加わる圧力を増加させる。
排出部４２ｃは、空間４２ｅに接続されている。
排出部４２ｃは、空間４２ｅの排気を行う。
本実施の形態においては、排出部４２ｃが、基板１００の凹凸部１０２が設けられている側に加わる圧力を減少させる減圧部となる。
また、排出部４２ｃは、噴射された洗浄液５ｆと除去された付着物１１０の排出をも行う。

【0052】

加圧部４２ｂによる加圧と、排出部４２ｃによる排気により、空間４２ｆと空間４２ｅの間に圧力差が生じる。
そのため、この圧力差により、凹凸部１０２が設けられている側が突出するように基板１００が変形する。

【0053】

また、図９に示すように、洗浄部５０には、ノズル５０ａ、洗浄液収納部５０ｂ、および洗浄液供給部５０ｃが設けられている。
洗浄部５０は、変形した基板１００の凹凸部１０２に洗浄液５ｆを接触させる。
ノズル５０ａは、基板１００の凹凸部１０２が設けられている領域に向けて洗浄液５ｆを噴射する。
洗浄液収納部５０ｂは、洗浄液５ｆを収納する。
洗浄液供給部５０ｃは、洗浄液収納部５０ｂに収納されている洗浄液５ｆをノズル５０ａに向けて供給する。洗浄液供給部５０ｃは、例えば、ケミカルポンプなどとすることができる。ただし、洗浄液供給部５０ｃは、ポンプに限定されるわけではない。例えば、洗浄液供給部５０ｃは、洗浄液収納部５０ｂの内部にガスを供給し、洗浄液収納部５０ｂの内部に収納された洗浄液５ｆを圧送するものとすることもできる。

【0054】

基板１００の凹凸部１０２が設けられている領域に向けて洗浄液５ｆを噴射することで、付着物１１０を除去することができる。この際、凸部同士の間が拡げられているので、凸部同士の間にある付着物１１０の除去が容易となる。
噴射された洗浄液５ｆと、除去された付着物１１０は、排出部４２ｃにより排出される。

【0055】

以上、実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
例えば、基板処理装置１などに設けられた各要素の形状、寸法、材質、配置、数などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
例えば、上記の実施例においては基板１００の凹凸面を下に向けていたが、上に向けてもよい。この場合、基板１００の反転を省略し、アーム部４ｃおよびアーム部４ｇの位置関係を逆転させることで、基板１００の凹凸面を上に向けて凸状に変形させることができる。
また、基板１００の凹凸部が基板１００の両面に形成されている場合、両面の洗浄を行うようにしてもよい。この場合、基板１００の一方の凹凸部の洗浄を行った後、基板１００を反転させて、他方の凹凸部の洗浄を行うようにすることができる。
また、基板１００の変形を繰り返しながら洗浄することもできる。
例えば、図２に例示をした基板変形部４の場合には、ガス制御部４ｆにより凹部４ｂ１の内部に供給するガスの圧力を制御して、凹部４ｂ１の内部の圧力の加圧と減圧を繰り返すことで、基板１００の変形を繰り返しながら洗浄する。
なお、凹部４ｂ１の内部のガスを吸引する吸引部をさらに設け、吸引部による凹部４ｂ１の内部の圧力の減圧と、ガス供給部４ｅによる凹部４ｂ１の内部の圧力の加圧とを繰り返すことで、基板１００の変形を繰り返しながら洗浄することもできる。
また、図６（ａ）、（ｂ）、図７に例示をした基板１００に外力を加えて基板１００を変形させる場合には、外力の印加と解除を繰り返すことで、基板１００の変形を繰り返しながら洗浄することができる。
また、図８に例示をした基板１００の両面間の熱膨張差を利用して基板１００を変形させる場合には、加熱と冷却を繰り返すことで、基板１００の変形を繰り返しながら洗浄することができる。
また、図９に例示をした基板１００の表面側と裏面側との圧力差を利用して基板１００を変形させる場合には、圧力差の拡大と縮小を繰り返すことで、基板１００の変形を繰り返しながら洗浄することができる。
基板１００の変形を繰り返しながら洗浄すれば、付着物１１０の除去効果を高めることができる。

【符号の説明】

【0056】

１ 基板処理装置、２ 筐体、３ 移載部、４ 基板変形部、４ａ 受け部、４ｂ 押さえ部、４ｃ アーム部、４ｄ 移動部、４ｅ ガス供給部、４ｆガス制御部、４ｇ アーム部、５ 洗浄部、５ａ 容器、５ｂ 洗浄液収納部、５ｃ 洗浄液供給部、５ｄ 排出バルブ、５ｅ 振動発生部、６ 乾燥部、７ 搬送部、８ 収納部、９ 制御部、４０ａ 押圧部、４１ａ 保持部、４１ｂ 移動部、４２ｂ 加圧部、４２ｃ 排出部、４３ａ 加熱部、４３ｂ 冷却部、１００ 基板、１０１ 基部、１０２ 凹凸部、１１０ 付着物

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】