(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記低レベル入力端の入力信号は低レベル信号であり、前記高周波タイミング信号第一入力端と高周波タイミング信号第二入力端の入力信号は第一高周波タイミング信号、第二高周波タイミング信号、第三高周波タイミング信号または第四高周波タイミング信号であり、前記第一高周波タイミング信号と第三高周波タイミング信号の位相は反対であり、前記第二高周波タイミング信号と第四高周波タイミング信号の位相は反対であり、前記第一高周波タイミング信号、第三高周波タイミング信号と第二高周波タイミング信号、第四高周波タイミング信号の波形は同様であるが、最初の位相は異なっており、
前記集積ゲート駆動回路の第n段ゲート駆動ユニットの高周波タイミング信号第一入力端の入力信号が第一高周波タイミング信号であるとき、前記第n+1段、第n+2段、第n+3段ゲート駆動ユニットの高周波タイミング信号第一入力端の入力信号はそれぞれ、第二、第三、第四高周波タイミング信号になり、
前記集積ゲート駆動回路の第m段付加ゲート駆動ユニットの高周波タイミング信号第一入力端と高周波タイミング信号第二入力端の入力信号がそれぞれ第kと第k−1タイミング信号であるとき、前記集積ゲート駆動回路の第m+1段付加ゲート駆動ユニットの高周波タイミング信号第一入力端と高周波タイミング信号第二入力端の入力信号はそれぞれ第k+1と第kタイミング信号になり、前記kの値は1〜4であり、かつkが1であるとき、k−1は4であり、kが4であるとき、k+1は1であり、
前記低周波タイミング信号第一入力端と低周波タイミング信号第二入力端の入力信号は第一低周波タイミング信号であるか或いは第二低周波タイミング信号であり、前記第一低周波タイミング信号と第二低周波タイミング信号の電圧は相補性を有しており、
前記集積ゲート駆動回路の第n段ゲート駆動ユニットの低周波タイミング信号第一入力端と低周波タイミング信号第二入力端の入力信号がそれぞれ第一低周波タイミング信号と第二低周波タイミング信号であるとき、前記第n+1段ゲート駆動ユニットの低周波タイミング信号第一入力端と低周波タイミング信号第二入力端の入力信号はそれぞれ第二低周波タイミング信号と第一低周波タイミング信号になり、
前記集積ゲート駆動回路の第m段付加ゲート駆動ユニットの低周波タイミング信号第一入力端と低周波タイミング信号第二入力端の入力信号がそれぞれ第一低周波タイミング信号と第二低周波タイミング信号であるとき、前記第m+1段付加ゲート駆動ユニットの低周波タイミング信号第一入力端と低周波タイミング信号第二入力端の入力信号はそれぞれ第二低周波タイミング信号と第一低周波タイミング信号になる請求項1に記載の集積ゲート駆動回路。
前記駆動ユニットは、コンデンサー、第一薄膜トランジスタ、第二薄膜トランジスタ及び第三薄膜トランジスタを含み、前記第一薄膜トランジスタは、第一ゲート、第一ソース及び第一ドレインを含み、前記第二薄膜トランジスタは、第二ゲート、第二ソース及び第二ドレインを含み、前記第三薄膜トランジスタは、第三ゲート、第三ソース及び第三ドレインを含み、前記第一ゲートと第一ドレインは前記第n−2段信号入力端に電気接続され、前記第一ソースはそれぞれ、コンデンサーの一端、第二ゲート、第三ドレイン、第二出力端及びドロップダウンユニットに電気接続され、前記第二ドレインは高周波タイミング信号第一入力端に電気接続され、前記第二ソースは、コンデンサーの他端、第一出力端及びドロップダウンユニットに電気接続され、前記第三ゲートは前記第n+3段信号入力端に電気接続され、前記第三ソースは低レベル入力端に電気接続され、
前記付加駆動ユニットは、付加コンデンサー、第二十一薄膜トランジスタ、第二十二薄膜トランジスタ及び第二十三薄膜トランジスタを含み、前記第二十一薄膜トランジスタは、第二十一ゲート、第二十一ソース及び第二十一ドレインを含み、前記第二十二薄膜トランジスタは、第二十二ゲート、第二十二ソース及び第二十二ドレインを含み、前記第二十三薄膜トランジスタは、第二十三ゲート、第二十三ソース及び第二十三ドレインを含み、前記第二十一ゲート、第二十一ドレイン及び第二十二ドレインはいずれも、前記第m−1段付加信号入力端に電気接続され、前記第二十一ソースはそれぞれ、付加コンデンサーの一端、第二十三ゲート、第二十二ソース、第二付加出力端及び付加ドロップダウンユニットに電気接続され、前記第二十二ゲートは高周波タイミング信号第二入力端に電気接続され、前記第二十三ドレインは高周波タイミング信号第一入力端に電気接続され、前記第二十三ソースは、付加コンデンサーの他端、第一付加出力端及び付加ドロップダウンユニットに電気接続される請求項1に記載の集積ゲート駆動回路。
前記ドロップダウンユニットは、第一ドロップダウンユニット、第一ドロップダウン信号生成ユニット、第二ドロップダウンユニット及び第二ドロップダウン信号生成ユニットを含み、前記第一ドロップダウンユニットはそれぞれ、駆動ユニット、第一ドロップダウン信号生成ユニット、第二ドロップダウンユニット及び低レベル入力端に電気接続され、第一ドロップダウン信号生成ユニットはそれぞれ、第一ドロップダウンユニット、低周波タイミング信号第一入力端、低周波タイミング信号第二入力端及び低レベル入力端に電気接続され、前記第二ドロップダウンユニットはそれぞれ、駆動ユニット、第二ドロップダウン信号生成ユニット、第一ドロップダウンユニット及び低レベル入力端に電気接続され、前記第二ドロップダウン信号生成ユニットはそれぞれ、第二ドロップダウンユニット、低周波タイミング信号第一入力端、低周波タイミング信号第二入力端及び低レベル入力端に電気接続され、
前記第一ドロップダウンユニットは第四薄膜トランジスタと第五薄膜トランジスタを含み、前記第四薄膜トランジスタは、第四ゲート、第四ソース及び第四ドレインを含み、前記第五薄膜トランジスタは、第五ゲート、第五ソース及び第五ドレインを含み、前記第四ゲートと第五ゲートはいずれも、前記第一ドロップダウン信号生成ユニットに電気接続され、前記第四ドレインはそれぞれ、第一ソース、コンデンサーの一端、第二ゲート、第三ドレイン、第二出力端、第二ドロップダウン信号生成ユニット及び第二ドロップダウンユニットに電気接続され、前記第四ソースと第五ソースはいずれも、前記低レベル入力端に電気接続され、前記第五ドレインはそれぞれ、第二ソース、コンデンサーの他端、第一出力端及び第二ドロップダウンユニットに電気接続され、
前記第二ドロップダウンユニットは第六薄膜トランジスタと第七薄膜トランジスタを含み、前記第六薄膜トランジスタは、第六ゲート、第六ソース及び第六ドレインを含み、前記第七薄膜トランジスタは、第七ゲート、第七ソース及び第七ドレインを含み、前記第六ゲートと前記第七ゲートはいずれも、前記第二ドロップダウン信号生成ユニットに電気接続され、前記第六ソースと前記第七ソースはいずれも、低レベル入力端に電気接続され、前記第六ドレインはそれぞれ、第一ソース、コンデンサーの一端、第二ゲート、第三ドレイン、第四ドレイン、第二出力端及び第二ドロップダウン信号生成ユニットに電気接続され、前記第七ソースはそれぞれ、第二ソース、コンデンサーの他端、第一出力端及び第五ドレインに電気接続され、
前記第一ドロップダウン信号生成ユニットは、第八薄膜トランジスタ、第九薄膜トランジスタ、第十薄膜トランジスタ、第十一薄膜トランジスタ及び第十二薄膜トランジスタを含み、前記第八薄膜トランジスタは、第八ゲート、第八ソース及び第八ドレインを含み、前記第九薄膜トランジスタは、第九ゲート、第九ソース及び第九ドレインを含み、前記第十薄膜トランジスタは、第十ゲート、第十ソース及び第十ドレインを含み、前記第十一薄膜トランジスタは、第十一ゲート、第十一ソース及び第十一ドレインを含み、前記第十二薄膜トランジスタは、第十二ゲート、第十二ソース及び第十二ドレインを含み、前記第八ゲート、第八ドレイン、第九ドレイン、第十ゲートはいずれも、低周波タイミング信号第二入力端に電気接続され、前記第八ソースはそれぞれ、前記第九ソース、第十ドレイン、第四ゲート及び第五ゲートに電気接続され、前記第十ソースはそれぞれ、第十一ドレインと第十二ドレインに電気接続され、前記第十一ゲートはそれぞれ、前記第一ソース、コンデンサーの一端、第二ゲート、第三ドレイン、第四ドレイン、第六ドレイン及び第二出力端に電気接続され、前記第十一ソースと第十二ソースはいずれも、前記低レベル入力端に電気接続され、前記第十二ゲートは前記第n+1段信号入力端に電気接続され、
前記第二ドロップダウン信号生成ユニットは、第十四薄膜トランジスタ、第十五薄膜トランジスタ、第十六薄膜トランジスタ、第十七薄膜トランジスタ及び第十八薄膜トランジスタを含み、前記第十四薄膜トランジスタは、第十四ゲート、第十四ソース及び第十四ドレインを含み、前記第十五薄膜トランジスタは、第十五ゲート、第十五ソース及び第十五ドレインを含み、前記第十六薄膜トランジスタは、第十六ゲート、第十六ソース及び第十六ドレインを含み、前記第十七薄膜トランジスタは、第十七ゲート、第十七ソース及び第十七ドレインを含み、前記第十八薄膜トランジスタは、第十八ゲート、第十八ソース及び第十八ドレインを含み、前記第十四ゲート、第十四ドレイン、第十五ドレイン及び第十六ゲートはいずれも、低周波タイミング信号第一入力端に電気接続され、前記第十四ソースはそれぞれ、前記第十五ソース、第十六ドレイン、第六ゲート及び第七ゲートに電気接続され、前記第六ソースはそれぞれ前記第十七ドレインと第十八ドレインに電気接続され、前記第十七ゲートはそれぞれ、前記第十一ゲート、前記第一ソース、コンデンサーの一端、第二ゲート、第三ドレイン、第四ドレイン、第六ドレイン及び第二出力端に電気接続され、前記第十七ソース、第十八ソースはいずれも、前記低レベル入力端に電気接続され、前記第十八ゲートは前記第n+1段信号入力端に電気接続される請求項3に記載の集積ゲート駆動回路。
前記第九ゲートは前記低周波タイミング信号第一入力端に電気接続され、前記第十五ゲートは前記低周波タイミング信号第二入力端に電気接続される請求項4に記載の集積ゲート駆動回路。
前記第九ゲートはそれぞれ、前記第八ソース、前記第九ソース、第十ドレイン、第四ゲート及び第五ゲートに電気接続され、前記第十五ゲートはそれぞれ、前記第十四ソース、前記第十五ソース、第十六ドレイン、第六ゲート及び第七ゲートに電気接続される請求項4に記載の集積ゲート駆動回路。
前記第一ドロップダウン信号生成ユニットは第十三薄膜トランジスタを更に含み、前記第十三薄膜トランジスタは、第十三ゲート、第十三ソース及び第十三ドレインを含み、前記第十三ゲートはそれぞれ、第一ゲート、第一ドレイン及び前記第n−2段信号入力端に電気接続され、前記第十三ドレインはそれぞれ、前記第十ソース、前記第十一ドレイン及び第十二ドレインに電気接続され、前記第十三ソースは低レベル入力端27に電気接続され、
前記第二ドロップダウン信号生成ユニットは第十九薄膜トランジスタを更に含み、前記第十九薄膜トランジスタは、第十九ゲート、第十九ソース及び第十九ドレインを含み、前記第十九ゲートはそれぞれ、前記第十三ゲート、第一ゲート、第一ドレイン及び前記第n−2段信号入力端に電気接続され、前記第十九ドレインはそれぞれ、前記第十六ソース、前記第十七ドレイン及び第十八ドレインに電気接続され、前記第十九ソースは低レベル入力端に電気接続される請求項5に記載の集積ゲート駆動回路。
前記第n段ゲート駆動ユニットは第n−1段信号入力端と第三出力端を更に含み、前記第n段ゲート駆動ユニットが第二段〜後ろから第一段ゲート駆動ユニットのうちいずれか1つのゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n−1段信号入力端は第n−1段ゲート駆動ユニットの第三出力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットが第一段ゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットは第n−1段信号入力端を含んでおらず、前記第n段ゲート駆動ユニットが第一段〜後ろから第二段ゲート駆動ユニットのうちいずれか1つのゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットの第三出力端は前記第n+1段ゲート駆動ユニットの第n−1段信号入力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットが後ろから第一段ゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットの第三出力端は不通状態になり、
前記ドロップダウンユニットは、第一ドロップダウンユニット、第二ドロップダウンユニット及び第二ドロップダウン信号生成ユニットを含み、前記第一ドロップダウンユニットはそれぞれ、駆動ユニット、第n−1段信号入力端と低レベル入力端に電気接続され、前記第二ドロップダウンユニットはそれぞれ、駆動ユニット、第二ドロップダウン信号生成ユニット、第一ドロップダウンユニット及び低レベル入力端に電気接続され、前記第二ドロップダウン信号生成ユニットはそれぞれ、駆動ユニット、第二ドロップダウンユニット、低周波タイミング信号第一入力端、低周波タイミング信号第二入力端及び低レベル入力端に電気接続され、
前記第一ドロップダウンユニットは第四薄膜トランジスタと第五薄膜トランジスタを含み、前記第四薄膜トランジスタは、第四ゲート、第四ソース及び第四ドレインを含み、前記第五薄膜トランジスタは、第五ゲート、第五ソース及び第五ドレインを含み、前記第四ゲートと第五ゲートはいずれも前記第n−1段信号入力端に電気接続され、前記第四ドレインはそれぞれ、第一ソース、コンデンサーの一端、第二ゲート、第三ドレイン、第二出力端、第二ドロップダウン信号生成ユニット及び第二ドロップダウンユニットに電気接続され、前記第四ソースと第五ソースはいずれも低レベル入力端に電気接続され、前記第五ドレインはそれぞれ、第二ソース、コンデンサーの他端、第一出力端及び第二ドロップダウンユニットに電気接続され、
前記第二ドロップダウンユニットは第六薄膜トランジスタと第七薄膜トランジスタを含み、前記第六薄膜トランジスタは、第六ゲート、第六ソース及び第六ドレインを含み、前記第七薄膜トランジスタは、第七ゲート、第七ソース及び第七ドレインを含み、前記第六ゲートは、前記第二ドロップダウン信号生成ユニット、第七ゲート及び第三出力端に電気接続され、前記第六ドレインはそれぞれ、第一ソース、コンデンサーの一端、第二ゲート、第三ドレイン、第四ドレイン、第二出力端及び第二ドロップダウン信号生成ユニットに電気接続され、前記第六ソースと第七ソースはいずれも低レベル入力端に電気接続され、前記第七ドレインはそれぞれ、第二ソース、コンデンサーの他端、第一出力端及び第五ドレインに電気接続され、
前記第二ドロップダウン信号生成ユニットは、第十四薄膜トランジスタ、第十五薄膜トランジスタ、第十六薄膜トランジスタ、第十七薄膜トランジスタ及び第十八薄膜トランジスタを含み、前記第十四薄膜トランジスタは、第十四ゲート、第十四ソース及び第十四ドレインを含み、前記第十五薄膜トランジスタは、第十五ゲート、第十五ソース及び第十五ドレインを含み、前記第十六薄膜トランジスタは、第十六ゲート、第十六ソース及び第十六ドレインを含み、前記第十七薄膜トランジスタは、第十七ゲート、第十七ソース及び第十七ドレインを含み、前記第十八薄膜トランジスタは、第十八ゲート、第十八ソース及び第十八ドレインを含み、前記十四ゲート、第十四ドレイン、第十五ドレイン及び第十六ゲートはいずれも、低周波タイミング信号第一入力端に電気接続され、前記第十四ソースはそれぞれ、前記第十五ソース、第十六ドレイン、第六ゲート、第七ゲート及び第三出力端に電気接続され、前記第十六ソースはそれぞれ、前記第十七ドレインと第十八ドレインに電気接続され、前記第十七ゲートはそれぞれ、前記第一ソース、コンデンサーの一端、第二ゲート、第三ドレイン、第四ドレイン及び第六ドレインに電気接続され、前記第十七ソースと第十八ソースは低レベル入力端に電気接続され、前記第十八ゲートは前記第n+1段信号入力端に電気接続される請求項3に記載の集積ゲート駆動回路。
前記第十五ゲートはそれぞれ、前記第十四ソース、第十五ソース、第十六ドレイン、第六ゲート、第七ゲート及び第三出力端に電気接続される請求項8に記載の集積ゲート駆動回路。
前記第二ドロップダウン信号生成ユニットは第十九薄膜トランジスタを更に含み、該第十九薄膜トランジスタは、第十九ゲート、第十九ソース及び第十九ドレインを含み、前記第十九ゲートはそれぞれ、前記第一ゲート、第一ドレイン及び前記第n−2段信号入力端に電気接続され、前記第十九ドレインはそれぞれ、前記第十六ソース、前記第十七ドレイン及び第十八ドレインに電気接続され、前記第十九ソースは低レベル入力端に電気接続される請求項9に記載の集積ゲート駆動回路。
前記付加ドロップダウンユニットは、第一付加ドロップダウンユニット、第一付加ドロップダウン信号生成ユニット、第二付加ドロップダウンユニット及び第二付加ドロップダウン信号生成ユニットを含み、前記第一付加ドロップダウンユニットはそれぞれ、付加駆動ユニット、第一付加ドロップダウン信号生成ユニット、第二付加ドロップダウンユニット及び低レベル入力端に電気接続され、第一付加ドロップダウン信号生成ユニットはそれぞれ、第一付加ドロップダウンユニット、低周波タイミング信号第一入力端、低周波タイミング信号第二入力端及び低レベル入力端に電気接続され、前記第二付加ドロップダウンユニットはそれぞれ、付加駆動ユニット、第二付加ドロップダウン信号生成ユニット、第一付加ドロップダウンユニット及び低レベル入力端に電気接続され、前記第二付加ドロップダウン信号生成ユニットはそれぞれ、第二付加ドロップダウンユニット、低周波タイミング信号第一入力端、低周波タイミング信号第二入力端及び低レベル入力端に電気接続される請求項3に記載の集積ゲート駆動回路。
前記第一付加ドロップダウンユニットは第二十四薄膜トランジスタと第二十五薄膜トランジスタを含み、前記第二十四薄膜トランジスタは、第二十四ゲート、第二十四ソース及び第二十四ドレインを含み、前記第二十五薄膜トランジスタは、第二十五ゲート、第二十五ソース及び第二十五ドレインを含み、前記第二十四ゲートは前記第一付加ドロップダウン信号生成ユニット及び第二十五ゲートに電気接続され、前記第二十四ドレインはそれぞれ、第二十一ソース、第二十二ソース、付加コンデンサーの一端、第二十三ゲート、第二付加出力端、第二付加ドロップダウン信号生成ユニット及び第二付加ドロップダウンユニットに電気接続され、前記第二十五ドレインは、付加コンデンサーの他端、第一付加出力端及び第二付加ドロップダウンユニットに電気接続され、前記第二十五ソースは低レベル入力端に電気接続され、
前記第二付加ドロップダウンユニットは第二十六薄膜トランジスタと第二十七薄膜トランジスタを含み、前記第二十六薄膜トランジスタは、第二十六ゲート、第二十六ソース及び第二十六ドレインを含み、前記第二十七薄膜トランジスタは、第二十七ゲート、第二十七ソース及び第二十七ドレインを含み、前記第二十六ゲートは前記第二付加ドロップダウン信号生成ユニットと第二十七ゲートに電気接続され、前記第二十六ソースは低レベル入力端に電気接続され、前記第二十六ドレインはそれぞれ、第二十四ソース、第二十一ソース、第二十二ソース、付加コンデンサーの一端、第二十三ゲート、第二付加出力端及び第二付加ドロップダウン信号生成ユニットに電気接続され、前記第二十七ドレインはそれぞれ、付加コンデンサーの他端、第一付加出力端、第二十五ドレイン及び第二十三ソースに電気接続され、前記第二十七ソースは低レベル入力端に電気接続される請求項12に記載の集積ゲート駆動回路。
前記第二十四ソースはそれぞれ、前記第二十五ドレイン、付加コンデンサーの他端、第一付加出力端及び第二付加ドロップダウンユニットに電気接続され、前記第二十六ソースはそれぞれ、前記第二十七ドレイン、付加コンデンサーの他端、第一付加出力端、第二十五ドレイン及び第二十三ソースに電気接続される請求項13に記載の集積ゲート駆動回路。
前記第一付加ドロップダウン信号生成ユニットは、第二十八薄膜トランジスタ、第二十九薄膜トランジスタ、第三十薄膜トランジスタ及び第三十一薄膜トランジスタを含み、前記第二十八薄膜トランジスタは、第二十八ゲート、第二十八ソース及び第二十八ドレインを含み、前記第二十九薄膜トランジスタは、第二十九ゲート、第二十九ソース及び第二十九ドレインを含み、前記第三十薄膜トランジスタは、第三十ゲート、第三十ソース及び第三十ドレインを含み、前記第三十一薄膜トランジスタは、第三十一ゲート、第三十一ソース及び第三十一ドレインを含み、前記第二十八ゲート、第二十八ドレイン、第二十九ドレイン及び第三十ゲートはいずれも、前記低周波タイミング信号第二入力端に電気接続され、前記第二十八ソースはそれぞれ、前記第二十九ソース、第三十ドレイン、第二十四ゲート及び第二十五ゲートに電気接続され、前記第三十ソースは前記第三十一ドレインに電気接続され、前記第三十一ゲートはそれぞれ、第二十一ソース、第二十二ソース、付加コンデンサーの一端、第二十三ゲート、第二付加出力端、第二十六ドレイン及び第二十四ドレインに電気接続され、前記第三十一ソースは低レベル入力端に電気接続され、
前記第二付加ドロップダウン信号生成ユニットは、第三十二薄膜トランジスタ、第三十三薄膜トランジスタ、第三十四薄膜トランジスタ及び第三十五薄膜トランジスタを含み、前記第三十二薄膜トランジスタは、第三十二ゲート、第三十二ソース及び第三十二ドレインを含み、前記第三十三薄膜トランジスタは、第三十三ゲート、第三十三ソース及び第三十三ドレインを含み、前記第三十四薄膜トランジスタは、第三十四ゲート、第三十四ソース及び第三十四ドレインを含み、前記第三十五薄膜トランジスタは、第三十五ゲート、第三十五ソース及び第三十五ドレインを含み、前記第三十二ゲート、第三十二ドレイン、第三十三ソースドレイン及び第三十四ゲートはいずれも、前記低周波タイミング信号第一入力端に電気接続され、前記第三十二ソースはそれぞれ、前記第三十三ソース、第三十四ドレイン、第二十六ゲート及び第二十七ゲートに電気接続され、前記第三十四ソースは前記第三十五ドレインに電気接続され、前記三十五ゲートはそれぞれ、第三十一ゲート、第二十一ソース、第二十二ソース、付加コンデンサーの一端、第二十三ゲート、第二付加出力端、第二十六ドレイン及び第二十四ドレインに電気接続され、前記三十五ソースは低レベル入力端に電気接続される請求項13に記載の集積ゲート駆動回路。
前記第二十九ゲートは前記低周波タイミング信号第一入力端に電気接続され、前記第三十三ゲートは前記低周波タイミング信号第二入力端に電気接続される請求項16に記載の集積ゲート駆動回路。
前記第二十九ゲートはそれぞれ、前記第二十八ソース、前記第二十九ソース、第三十ドレイン、第二十四ゲート、第二十五ゲートに電気接続され、前記第三十三ゲートはそれぞれ、前記第三十二ソース、第三十三ソース、前記第三十四ドレイン、第二十六ゲート、第二十七ゲートに電気接続される請求項16に記載の集積ゲート駆動回路。
集積ゲート駆動回路を具備する表示パネルであって、データ駆動回路と表示パネル本体を含み、前記表示パネル本体は請求項1に記載の集積ゲート駆動回路と表示パネル画素区域を含み、前記表示パネル画素区域は配列されている複数個の画素ユニットを含む集積ゲート駆動回路を具備する表示パネル。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の目的は集積ゲート駆動回路を提供することにある。その回路が一対のドロップダウン構造を採用することにより、回路のドロップダウンユニットと付加ドロップダウンユニット中の薄膜トランジスタは二極性電圧バイアスの作動環境で作動することができ、ドロップダウンユニットと付加ドロップダウンユニット中の薄膜トランジスタの閾値電圧の変化を有効に抑制し、回路の作動寿命を延長することができる。これにより、回路は大中サイズ表示パネルの要求を満たすことができる。また、回路の構造が簡単であり、電気消耗が少なく、低温及び高温の作動環境に適用することができる。
【0006】
本発明の他の目的は、集積ゲート駆動回路を具備する表示パネルことにある。該パネルは、外部駆動チップの数量と実装ステップを減少させ、コストを低減することができる。また、表示装置の見た目を細くし、表示装置の構造を簡素化し、機械と電子的安定性を増強させることができる。
【課題を解決するための手段】
【0007】
前記問題を解決するため、本発明は集積ゲート駆動回路を提供する。該集積ゲート駆動回路は電極接続型多段ゲート駆動ユニットと多段付加ゲート駆動ユニットを含み、
前記第n段ゲート駆動ユニットは、第n−2段信号入力端、第n+1段信号入力端、第n+3段信号入力端、高周波タイミング信号第一入力端、低周波タイミング信号第一入力端、低周波タイミング信号第二入力端、低レベル入力端、第一出力端及び第二出力端を含み、前記第n段ゲート駆動ユニットの第一出力端は表示パネルの画素区域を駆動することに用いられ、
前記第m段付加ゲート駆動ユニットは、第m−1段付加信号入力端、高周波タイミング信号第一入力端、高周波タイミング信号第二入力端、低周波タイミング信号第一入力端、低周波タイミング信号第二入力端、低レベル入力端、第一付加出力端及び第二付加出力端を含み、
前記第n段ゲート駆動ユニットが第四段〜後ろから第四段ゲート駆動ユニットのうちいずれか1つのゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n−2段信号入力端は第n−2段ゲート駆動ユニットの第一出力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端は第n+1段ゲート駆動ユニットの第二出力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端は第n+3段ゲート駆動ユニットの第一出力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第一出力端はそれぞれ、第n+2段ゲート駆動ユニットの第n−2段信号入力端と第n−3段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端とに電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第二出力端は第n−1段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端に電気接続され、
前記第n段ゲート駆動ユニットが第一段ゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n−2段信号入力端にはパルス激励信号が入力され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端は第n+1段ゲート駆動ユニットの第二出力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端は第n+3段ゲート駆動ユニットの第一出力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第一出力端は第n+2段ゲート駆動ユニットの第n−2段信号入力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第二出力端は不通状態になり、
前記第n段ゲート駆動ユニットが第二段ゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n−2段信号入力端にはパルス激励信号が入力され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端は第n+1段ゲート駆動ユニットの第二出力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端は第n+3段ゲート駆動ユニットの第一出力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第一出力端は第n+2段ゲート駆動ユニットの第n−2段信号入力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第二出力端は第n−1段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端に電気接続され、
前記第n段ゲート駆動ユニットが第三段ゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n−2段信号入力端は第n−2段ゲート駆動ユニットの第一出力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端は第n+1段ゲート駆動ユニットの第二出力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端は第n+3段ゲート駆動ユニットの第一出力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第一出力端は第n+2段ゲート駆動ユニットの第n−2段信号入力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第二出力端は第n−1段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端に電気接続され、
前記第n段ゲート駆動ユニットが後ろから第三段ゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n−2段信号入力端は第n−2段ゲート駆動ユニットの第一出力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端は第n+1段ゲート駆動ユニットの第二出力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端は第一段付加ゲート駆動ユニットの第一付加出力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第一出力端はそれぞれ、第n+2段ゲート駆動ユニットの第n−2段信号入力端と第n−3段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端とに電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第二出力端は第n−1段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端に電気接続され、
前記第n段ゲート駆動ユニットが後ろから第二段ゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n−2段信号入力端は第n−2段ゲート駆動ユニットの第一出力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端は第n+1段ゲート駆動ユニットの第二出力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端は第二段付加ゲート駆動ユニットの第一付加出力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第一出力端は第n−3段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第二出力端は第n−1段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端に電気接続され、
前記第n段ゲート駆動ユニットが後ろから第一段ゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n−2段信号入力端は第n−2段ゲート駆動ユニットの第一出力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端は第一段付加ゲート駆動ユニットの第二付加出力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端は第三段付加ゲート駆動ユニットの第一付加出力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第一出力端はそれぞれ、第n−3段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端と第一段付加ゲート駆動ユニットの第m−1段付加信号入力端とに電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第二出力端は第n−1段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端に電気接続され、
前記第m段付加ゲート駆動ユニットが第四段〜後ろから第一段付加ゲート駆動ユニットのうちいずれか1つの付加ゲート駆動ユニットであるとき、前記第m段付加ゲート駆動ユニットの第m−1段付加信号入力端は第m−1段付加ゲート駆動ユニットの第一付加出力端に電気接続され、前記第m段付加ゲート駆動ユニットの第一付加出力端は前記第m+1段付加ゲート駆動ユニットの第m−1段付加信号入力端に電気接続され、前記第二付加出力端は不通状態になり、
前記第m段付加ゲート駆動ユニットが第一段付加ゲート駆動ユニットであるとき、前記第m段付加ゲート駆動ユニットの第m−1段付加信号入力端は前記第一段ゲート駆動ユニットの第一出力端に電気接続され、前記第m段付加ゲート駆動ユニットの第一付加出力端はそれぞれ、前記第m+1段付加ゲート駆動ユニットの第m−1段付加信号入力端と後ろから第三段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端とに電気接続され、前記第二付加出力端は後ろから第一段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端に電気接続され、
前記第m段付加ゲート駆動ユニットが第二段付加ゲート駆動ユニットであるとき、前記第m段付加ゲート駆動ユニットの第m−1段付加信号入力端は第m−1段付加ゲート駆動ユニットの第一付加出力端に電気接続され、前記第m段付加ゲート駆動ユニットの第一付加出力端はそれぞれ、前記第m+1段付加ゲート駆動ユニットの第m−1段付加信号入力端と後ろから第二段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端とに電気接続され、前記第二付加出力端は不通状態になり、
前記第m段付加ゲート駆動ユニットが第三段付加ゲート駆動ユニットであるとき、前記第m段付加ゲート駆動ユニットの第m−1段付加信号入力端は第m−1段付加ゲート駆動ユニットの第一付加出力端に電気接続され、前記第m段付加ゲート駆動ユニットの第一付加出力端はそれぞれ、前記第m+1段付加ゲート駆動ユニットの第m−1段付加信号入力端と後ろから第一段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端とに電気接続され、前記第二付加出力端は不通状態になり、
前記集積ゲート駆動回路の第n段ゲート駆動ユニットは、
第n−2段信号入力端、高周波タイミング信号第一入力端、第n+3段信号入力端、第一出力端及び第二出力端にそれぞれ電気接続される駆動ユニットと、
第n+1段信号入力端、低周波タイミング信号第一入力端、低周波タイミング信号第二入力端、低レベル入力端及び駆動ユニットにそれぞれ電気接続されるドロップダウンユニットとを更に含み、
前記集積ゲート駆動回路の第m段付加ゲート駆動ユニットは付加駆動ユニットと付加ドロップダウンユニットとを更に含む。
付加駆動ユニットはそれぞれ、第m−1段付加信号入力端、高周波タイミング信号第一入力端、低周波タイミング信号第一入力端、第一付加出力端及び第二付加出力端に電気接続され、
付加ドロップダウンユニットはそれぞれ、低周波タイミング信号第一入力端、低周波タイミング信号第二入力端、低レベル入力端及び付加駆動ユニットに電気接続される。
【0008】
前記低レベル入力端の入力信号は低レベル信号であり、前記高周波タイミング信号第一入力端と高周波タイミング信号第二入力端の入力信号は第一高周波タイミング信号、第二高周波タイミング信号、第三高周波タイミング信号または第四高周波タイミング信号であり、前記第一高周波タイミング信号と第三高周波タイミング信号の位相は反対であり、前記第二高周波タイミング信号と第四高周波タイミング信号の位相は反対であり、前記第一高周波タイミング信号、第三高周波タイミング信号と第二高周波タイミング信号、第四高周波タイミング信号の波形は同様であるが、最初の位相は異なっており、
前記集積ゲート駆動回路の第n段ゲート駆動ユニットの高周波タイミング信号第一入力端の入力信号が第一高周波タイミング信号であるとき、前記第n+1段、第n+2段、第n+1段ゲート駆動ユニットの高周波タイミング信号第一入力端の入力信号はそれぞれ、第二、第三、第四周波タイミング信号になり、
前記集積ゲート駆動回路の第m段付加ゲート駆動ユニットの高周波タイミング信号第一入力端と高周波タイミング信号第二入力端の入力信号がそれぞれ第kと第k−1タイミング信号であるとき、前記集積ゲート駆動回路の第m+1段付加ゲート駆動ユニットの高周波タイミング信号第一入力端と高周波タイミング信号第二入力端の入力信号はそれぞれ第k+1と第kタイミング信号になり、前記kの値は1〜4であり、かつkが1であるとき、k−1は4であり、kが4であるとき、k+1は1であり、
前記低周波タイミング信号第一入力端と低周波タイミング信号第二入力端の入力信号は第一低周波タイミング信号であるか或いは第二低周波タイミング信号であり、前記第一低周波タイミング信号と第二低周波タイミング信号の電圧は互いに補い合い、
前記集積ゲート駆動回路の第n段ゲート駆動ユニットの低周波タイミング信号第一入力端と低周波タイミング信号第二入力端の入力信号がそれぞれ第一低周波タイミング信号と第二低周波タイミング信号であるとき、前記第n+1段ゲート駆動ユニットの低周波タイミング信号第一入力端と低周波タイミング信号第二入力端の入力信号はそれぞれ第二低周波タイミング信号と第一低周波タイミング信号になり、
前記集積ゲート駆動回路の第m段付加ゲート駆動ユニットの低周波タイミング信号第一入力端と低周波タイミング信号第二入力端の入力信号がそれぞれ第一低周波タイミング信号と第二低周波タイミング信号であるとき、前記第m+1段付加ゲート駆動ユニットの低周波タイミング信号第一入力端と低周波タイミング信号第二入力端の入力信号はそれぞれ第二低周波タイミング信号と第一低周波タイミング信号になる。
【0009】
前記駆動ユニットは、コンデンサー、第一薄膜トランジスタ、第二薄膜トランジスタ及び第三薄膜トランジスタを含み、前記第一薄膜トランジスタは、第一ゲート、第一ソース及び第一ドレインを含み、前記第二薄膜トランジスタは、第二ゲート、第二ソース及び第二ドレインを含み、前記第三薄膜トランジスタは、第三ゲート、第三ソース及び第三ドレインを含み、前記第一ゲートと第一ドレインは前記第n−2段信号入力端に電気接続され、前記第一ソースはそれぞれ、コンデンサーの一端、第二ゲート、第三ドレイン、第二出力端及びドロップダウンユニットに電気接続され、前記第二ドレインは高周波タイミング信号第一入力端に電気接続され、前記第二ソースは、コンデンサーの他端、第一出力端及びドロップダウンユニットに電気接続され、前記第三ゲートは前記第n+3段信号入力端に電気接続され、前記第三ソースは低レベル入力端に電気接続され、
前記付加駆動ユニットは、付加コンデンサー、第二十一薄膜トランジスタ、第二十二薄膜トランジスタ及び第二十三薄膜トランジスタを含み、前記第二十一薄膜トランジスタは、第二十一ゲート、第二十一ソース及び第二十一ドレインを含み、前記第二十二薄膜トランジスタは、第二十二ゲート、第二十二ソース及び第二十二ドレインを含み、前記第二十三薄膜トランジスタは、第二十三ゲート、第二十三ソース及び第二十三ドレインを含み、前記第二十一ゲート、第二十一ドレイン及び第二十二ドレインはいずれも、前記第m−1段付加信号入力端に電気接続され、前記第二十一ソースはそれぞれ、付加コンデンサーの一端、第二十三ゲート、第二十二ソース、第二付加出力端及び付加ドロップダウンユニットに電気接続され、前記第二十二ゲートは高周波タイミング信号第二入力端に電気接続され、前記第二十三ドレインは高周波タイミング信号第一入力端に電気接続され、前記第二十三ソースは、付加コンデンサーの他端、第一付加出力端及び付加ドロップダウンユニットに電気接続される。
【0010】
前記ドロップダウンユニットは、第一ドロップダウンユニット、第一ドロップダウン信号生成ユニット、第二ドロップダウンユニット及び第二ドロップダウン信号生成ユニットを含み、前記第一ドロップダウンユニットはそれぞれ、駆動ユニット、第一ドロップダウン信号生成ユニット、第二ドロップダウンユニット及び低レベル入力端に電気接続され、第一ドロップダウン信号生成ユニットはそれぞれ、第一ドロップダウンユニット、低周波タイミング信号第一入力端、低周波タイミング信号第二入力端及び低レベル入力端に電気接続され、前記第二ドロップダウンユニットはそれぞれ、駆動ユニット、第二ドロップダウン信号生成ユニット、第一ドロップダウンユニット及び低レベル入力端に電気接続され、前記第二ドロップダウン信号生成ユニットはそれぞれ、第二ドロップダウンユニット、低周波タイミング信号第一入力端、低周波タイミング信号第二入力端及び低レベル入力端に電気接続され、
前記第一ドロップダウンユニットは第四薄膜トランジスタと第五薄膜トランジスタを含み、前記第四薄膜トランジスタは、第四ゲート、第四ソース及び第四ドレインを含み、前記第五薄膜トランジスタは、第五ゲート、第五ソース及び第五ドレインを含み、前記第四ゲートと第五ゲートはいずれも、前記第一ドロップダウン信号生成ユニットに電気接続され、前記第四ドレインはそれぞれ、第一ソース、コンデンサーの一端、第二ゲート、第三ドレイン、第二出力端、第二ドロップダウン信号生成ユニット及び第二ドロップダウンユニットに電気接続され、前記第四ソースと第五ソースはいずれも、前記低レベル入力端に電気接続され、前記第五ドレインはそれぞれ、第二ソース、コンデンサーの他端、第一出力端及び第二ドロップダウンユニットに電気接続され、
前記第二ドロップダウンユニットは第六薄膜トランジスタと第七薄膜トランジスタを含み、前記第六薄膜トランジスタは、第六ゲート、第六ソース及び第六ドレインを含み、前記第七薄膜トランジスタは、第七ゲート、第七ソース及び第七ドレインを含み、前記第六ゲートと前記第七ゲートはいずれも、前記第二ドロップダウン信号生成ユニットに電気接続され、前記第六ソースと前記第七ソースはいずれも、低レベル入力端に電気接続され、前記第六ドレインはそれぞれ、第一ソース、コンデンサーの一端、第二ゲート、第三ドレイン、第四ドレイン、第二出力端及び第二ドロップダウン信号生成ユニットに電気接続され、前記第七ソースはそれぞれ、第二ソース、コンデンサーの他端、第一出力端及び第五ドレインに電気接続され、
前記第一ドロップダウン信号生成ユニットは、第八薄膜トランジスタ、第九薄膜トランジスタ、第十薄膜トランジスタ、第十一薄膜トランジスタ及び第十二薄膜トランジスタを含み、前記第八薄膜トランジスタは、第八ゲート、第八ソース及び第八ドレインを含み、前記第九薄膜トランジスタは、第九ゲート、第九ソース及び第九ドレインを含み、前記第十薄膜トランジスタは、第十ゲート、第十ソース及び第十ドレインを含み、前記第十一薄膜トランジスタは、第十一ゲート、第十一ソース及び第十一ドレインを含み、前記第十二薄膜トランジスタは、第十二ゲート、第十二ソース及び第十二ドレインを含み、前記第八ゲート、第八ドレイン、第九ドレイン、第十ゲートはいずれも、低周波タイミング信号第二入力端に電気接続され、前記第八ソースはそれぞれ、前記第九ソース、第十ドレイン、第四ゲート及び第五ゲートに電気接続され、前記第十ソースはそれぞれ、第十一ドレインと第十二ドレインに電気接続され、前記第十一ゲートはそれぞれ、前記第一ソース、コンデンサーの一端、第二ゲート、第三ドレイン、第四ドレイン、第六ドレイン及び第二出力端に電気接続され、前記第十一ソースと第十二ソースはいずれも、前記低レベル入力端に電気接続され、前記第十二ゲートは前記第n+1段信号入力端に電気接続され、
前記第二ドロップダウン信号生成ユニットは、第十四薄膜トランジスタ、第十五薄膜トランジスタ、第十六薄膜トランジスタ、第十七薄膜トランジスタ及び第十八薄膜トランジスタを含み、前記第十四薄膜トランジスタは、第十四ゲート、第十四ソース及び第十四ドレインを含み、前記第十五薄膜トランジスタは、第十五ゲート、第十五ソース及び第十五ドレインを含み、前記第十六薄膜トランジスタは、第十六ゲート、第十六ソース及び第十六ドレインを含み、前記第十七薄膜トランジスタは、第十七ゲート、第十七ソース及び第十七ドレインを含み、前記第十八薄膜トランジスタは、第十八ゲート、第十八ソース及び第十八ドレインを含み、前記第十四ゲート、第十四ドレイン、第十五ドレイン及び第十六ゲートはいずれも、低周波タイミング信号第一入力端に電気接続され、前記第十四ソースはそれぞれ、前記第十五ソース、第十六ドレイン、第六ゲート及び第七ゲートに電気接続され、前記第六ソースはそれぞれ前記第十七ドレインと第十八ドレインに電気接続される。前記第十七ゲートはそれぞれ、前記第十一ゲート、前記第一ソース、コンデンサーの一端、第二ゲート、第三ドレイン、第四ドレイン、第六ドレイン及び第二出力端に電気接続され、前記第十七ソース、第十八ソースはいずれも、前記低レベル入力端に電気接続され、前記第十八ゲートは前記第n+1段信号入力端に電気接続される。
【0011】
前記第九ゲートは前記低周波タイミング信号第一入力端に電気接続され、前記第十五ゲートは前記低周波タイミング信号第二入力端に電気接続される。
【0012】
前記第九ゲートはそれぞれ、前記第八ソース、前記第九ソース、第十ドレイン、第四ゲート及び第五ゲートに電気接続され、前記第十五ゲートはそれぞれ、前記第十四ソース、前記第十五ソース、第十六ドレイン、第六ゲート及び第七ゲートに電気接続される。
【0013】
前記第一ドロップダウン信号生成ユニットは第十三薄膜トランジスタを更に含み、前記第十三薄膜トランジスタは、第十三ゲート、第十三ソース及び第十三ドレインを含み、前記第十三ゲートはそれぞれ、第一ゲート、第一ドレイン及び前記第n−2段信号入力端に電気接続され、前記第十三ドレインはそれぞれ、前記第十ソース、前記第十一ドレイン及び第十二ドレインに電気接続され、前記第十三ソースは低レベル入力端27に電気接続され、
前記第二ドロップダウン信号生成ユニットは第十九薄膜トランジスタを更に含み、前記第十九薄膜トランジスタは、第十九ゲート、第十九ソース及び第十九ドレインを含み、前記第十九ゲートはそれぞれ、前記第十三ゲート、第一ゲート、第一ドレイン及び前記第n−2段信号入力端に電気接続され、前記第十九ドレインはそれぞれ、前記第十六ソース、前記第十七ドレイン及び第十八ドレインに電気接続され、前記第十九ソースは低レベル入力端に電気接続される。
【0014】
前記第n段ゲート駆動ユニットは第n−1段信号入力端と第三出力端を更に含み、前記第n段ゲート駆動ユニットが第二段〜後ろから第一段ゲート駆動ユニットのうちいずれか1つのゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n−1段信号入力端は第n−1段ゲート駆動ユニットの第三出力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットが第一段ゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットは第n−1段信号入力端を含んでおらず、前記第n段ゲート駆動ユニットが第一段〜後ろから第二段ゲート駆動ユニットのうちいずれか1つのゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットの第三出力端は前記第n+1段ゲート駆動ユニットの第n−1段信号入力端に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットが後ろから第一段ゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットの第三出力端は不通状態になり、
前記ドロップダウンユニットは、第一ドロップダウンユニット、第二ドロップダウンユニット及び第二ドロップダウン信号生成ユニットを含み、前記第一ドロップダウンユニットはそれぞれ、駆動ユニット、第n−1段信号入力端と低レベル入力端に電気接続され、前記第二ドロップダウンユニットはそれぞれ、駆動ユニット、第二ドロップダウン信号生成ユニット、第一ドロップダウンユニット及び低レベル入力端に電気接続され、前記第二ドロップダウン信号生成ユニットはそれぞれ、駆動ユニット、第二ドロップダウンユニット、低周波タイミング信号第一入力端、低周波タイミング信号第二入力端及び低レベル入力端に電気接続され、
前記第一ドロップダウンユニットは第四薄膜トランジスタと第五薄膜トランジスタを含み、前記第四薄膜トランジスタは、第四ゲート、第四ソース及び第四ドレインを含み、前記第五薄膜トランジスタは、第五ゲート、第五ソース及び第五ドレインを含み、前記第四ゲートと第五ゲートはいずれも前記第n−1段信号入力端に電気接続され、前記第四ドレインはそれぞれ、第一ソース、コンデンサーの一端、第二ゲート、第三ドレイン、第二出力端、第二ドロップダウン信号生成ユニット及び第二ドロップダウンユニットに電気接続され、前記第四ソースと第五ソースはいずれも低レベル入力端に電気接続され、前記第五ドレインはそれぞれ、第二ソース、コンデンサーの他端、第一出力端及び第二ドロップダウンユニットに電気接続され、
前記第二ドロップダウンユニットは第六薄膜トランジスタと第七薄膜トランジスタを含み、前記第六薄膜トランジスタは、第六ゲート、第六ソース及び第六ドレインを含み、前記第七薄膜トランジスタは、第七ゲート、第七ソース及び第七ドレインを含み、前記第六ゲートは、前記第二ドロップダウン信号生成ユニット、第七ゲート及び第三出力端に電気接続され、前記第六ドレインはそれぞれ、第一ソース、コンデンサーの一端、第二ゲート、第三ドレイン、第四ドレイン、第二出力端及び第二ドロップダウン信号生成ユニットに電気接続され、前記第六ソースと第七ソースはいずれも低レベル入力端に電気接続され、前記第七ドレインはそれぞれ、第二ソース、コンデンサーの他端、第一出力端及び第五ドレインに電気接続され、
前記第二ドロップダウン信号生成ユニットは、第十四薄膜トランジスタ、第十五薄膜トランジスタ、第十六薄膜トランジスタ、第十七薄膜トランジスタ及び第十八薄膜トランジスタを含み、前記第十四薄膜トランジスタは、第十四ゲート、第十四ソース及び第十四ドレインを含み、前記第十五薄膜トランジスタは、第十五ゲート、第十五ソース及び第十五ドレインを含み、前記第十六薄膜トランジスタは、第十六ゲート、第十六ソース及び第十六ドレインを含み、前記第十七薄膜トランジスタは、第十七ゲート、第十七ソース及び第十七ドレインを含み、前記第十八薄膜トランジスタは、第十八ゲート、第十八ソース及び第十八ドレインを含み、前記十四ゲート、第十四ドレイン、第十五ドレイン及び第十六ゲートはいずれも、低周波タイミング信号第一入力端に電気接続され、前記第十四ソースはそれぞれ、前記第十五ソース、第十六ドレイン、第六ゲート、第七ゲート及び第三出力端に電気接続され、前記第十六ソースはそれぞれ、前記第十七ドレインと第十八ドレインに電気接続され、前記第十七ゲートはそれぞれ、前記第一ソース、コンデンサーの一端、第二ゲート、第三ドレイン、第四ドレイン及び第六ドレインに電気接続され、前記第十七ソースと第十八ソースは低レベル入力端に電気接続され、前記第十八ゲートは前記第n+1段信号入力端に電気接続される。
【0015】
前記第十五ゲートは前記低周波タイミング信号第二入力端に電気接続される。
【0016】
前記第十五ゲートはそれぞれ、前記第十四ソース、第十五ソース、第十六ドレイン、第六ゲート、第七ゲート及び第三出力端に電気接続される。
【0017】
前記第二ドロップダウン信号生成ユニットは第十九薄膜トランジスタを更に含み、該第十九薄膜トランジスタは、第十九ゲート、第十九ソース及び第十九ドレインを含み、前記第十九ゲートはそれぞれ、前記第一ゲート、第一ドレイン及び前記第n−2段信号入力端に電気接続され、前記第十九ドレインはそれぞれ、前記第十六ソース、前記第十七ドレイン及び第十八ドレインに電気接続され、前記第十九ソースは低レベル入力端に電気接続される。
【0018】
前記付加ドロップダウンユニットは、第一付加ドロップダウンユニット、第一付加ドロップダウン信号生成ユニット、第二付加ドロップダウンユニット及び第二付加ドロップダウン信号生成ユニットを含み、前記第一付加ドロップダウンユニットはそれぞれ、付加駆動ユニット、第一付加ドロップダウン信号生成ユニット、第二付加ドロップダウンユニット及び低レベル入力端に電気接続され、第一付加ドロップダウン信号生成ユニットはそれぞれ、第一付加ドロップダウンユニット、低周波タイミング信号第一入力端、低周波タイミング信号第二入力端及び低レベル入力端に電気接続され、前記第二付加ドロップダウンユニットはそれぞれ、付加駆動ユニット、第二付加ドロップダウン信号生成ユニット、第一付加ドロップダウンユニット及び低レベル入力端に電気接続され、前記第二付加ドロップダウン信号生成ユニットはそれぞれ、第二付加ドロップダウンユニット、低周波タイミング信号第一入力端、低周波タイミング信号第二入力端及び低レベル入力端に電気接続される。
【0019】
前記第一付加ドロップダウンユニットは第二十四薄膜トランジスタと第二十五薄膜トランジスタを含み、前記第二十四薄膜トランジスタは、第二十四ゲート、第二十四ソース及び第二十四ドレインを含み、前記第二十五薄膜トランジスタは、第二十五ゲート、第二十五ソース及び第二十五ドレインを含み、前記第二十四ゲートは前記第一付加ドロップダウン信号生成ユニット及び第二十五ゲートに電気接続され、前記第二十四ドレインはそれぞれ、第二十一ソース、第二十二ソース、付加コンデンサーの一端、第二十三ゲート、第二付加出力端、第二付加ドロップダウン信号生成ユニット及び第二付加ドロップダウンユニットに電気接続され、前記第二十五ドレインは、付加コンデンサーの他端、第一付加出力端及び第二付加ドロップダウンユニットに電気接続され、前記第二十五ソースは低レベル入力端に電気接続され、
前記第二付加ドロップダウンユニットは第二十六薄膜トランジスタと第二十七薄膜トランジスタを含み、前記第二十六薄膜トランジスタは、第二十六ゲート、第二十六ソース及び第二十六ドレインを含み、前記第二十七薄膜トランジスタは、第二十七ゲート、第二十七ソース及び第二十七ドレインを含み、前記第二十六ゲートは前記第二付加ドロップダウン信号生成ユニットと第二十七ゲートに電気接続され、前記第二十六ソースは低レベル入力端に電気接続され、前記第二十六ドレインはそれぞれ、第二十四ソース、第二十一ソース、第二十二ソース、付加コンデンサーの一端、第二十三ゲート、第二付加出力端及び第二付加ドロップダウン信号生成ユニットに電気接続され、前記第二十七ドレインはそれぞれ、付加コンデンサーの他端、第一付加出力端、第二十五ドレイン及び第二十三ソースに電気接続され、前記第二十七ソースは低レベル入力端に電気接続される。
【0020】
前記第二十四ソースは低レベル入力端に電気接続され、前記第二十六ソースは低レベル入力端に電気接続される。
【0021】
前記第二十四ソースはそれぞれ、前記第二十五ドレイン、付加コンデンサーの他端、第一付加出力端及び第二付加ドロップダウンユニットに電気接続され、前記第二十六ソースはそれぞれ、前記第二十七ドレイン、付加コンデンサーの他端、第一付加出力端、第二十五ドレイン及び第二十三ソースに電気接続される。
【0022】
前記第一付加ドロップダウン信号生成ユニットは、第二十八薄膜トランジスタ、第二十九薄膜トランジスタ、第三十薄膜トランジスタ及び第三十一薄膜トランジスタを含み、前記第二十八薄膜トランジスタは、第二十八ゲート、第二十八ソース及び第二十八ドレインを含み、前記第二十九薄膜トランジスタは、第二十九ゲート、第二十九ソース及び第二十九ドレインを含み、前記第三十薄膜トランジスタは、第三十ゲート、第三十ソース及び第三十ドレインを含み、前記第三十一薄膜トランジスタは、第三十一ゲート、第三十一ソース及び第三十一ドレインを含み、前記第二十八ゲート、第二十八ドレイン、第二十九ドレイン及び第三十ゲートはいずれも、前記低周波タイミング信号第二入力端に電気接続され、前記第二十八ソースはそれぞれ、前記第二十九ソース、第三十ドレイン、第二十四ゲート及び第二十五ゲートに電気接続され、前記第三十ソースは前記第三十一ドレインに電気接続され、前記第三十一ゲートはそれぞれ、第二十一ソース、第二十二ソース、付加コンデンサーの一端、第二十三ゲート、第二付加出力端、第二十六ドレイン及び第二十四ドレインに電気接続され、前記第三十一ソースは低レベル入力端に電気接続され、
前記第二付加ドロップダウン信号生成ユニットは、第三十二薄膜トランジスタ、第三十三薄膜トランジスタ、第三十四薄膜トランジスタ及び第三十五薄膜トランジスタを含み、前記第三十二薄膜トランジスタは、第三十二ゲート、第三十二ソース及び第三十二ドレインを含み、前記第三十三薄膜トランジスタは、第三十三ゲート、第三十三ソース及び第三十三ドレインを含み、前記第三十四薄膜トランジスタは、第三十四ゲート、第三十四ソース及び第三十四ドレインを含み、前記第三十五薄膜トランジスタは、第三十五ゲート、第三十五ソース及び第三十五ドレインを含み、前記第三十二ゲート、第三十二ドレイン、第三十三ソースドレイン及び第三十四ゲートはいずれも、前記低周波タイミング信号第一入力端に電気接続され、前記第三十二ソースはそれぞれ、前記第三十三ソース、第三十四ドレイン、第二十六ゲート及び第二十七ゲートに電気接続され、前記第三十四ソースは前記第三十五ドレインに電気接続され、前記三十五ゲートはそれぞれ、第三十一ゲート、第二十一ソース、第二十二ソース、付加コンデンサーの一端、第二十三ゲート、第二付加出力端、第二十六ドレイン及び第二十四ドレインに電気接続され、前記三十五ソースは低レベル入力端に電気接続される。
【0023】
前記第二十九ゲートは前記低周波タイミング信号第一入力端に電気接続され、前記第三十三ゲートは前記低周波タイミング信号第二入力端に電気接続される。
【0024】
前記第二十九ゲートはそれぞれ、前記第二十八ソース、前記第二十九ソース、第三十ドレイン、第二十四ゲート、第二十五ゲートに電気接続され、前記第三十三ゲートはそれぞれ、前記第三十二ソース、第三十三ソース、前記第三十四ドレイン、第二十六ゲート、第二十七ゲートに電気接続される。
【0025】
集積ゲート駆動回路を具備する表示パネルであって、データ駆動回路と表示パネル本体を含み、前記表示パネル本体は前記集積ゲート駆動回路と表示パネル画素区域を含み、前記表示パネル画素区域は排列されている複数個の画素ユニットを含む。
【発明の効果】
【0026】
本発明の効果は次のとおりである。本発明の集積ゲート駆動回路と集積ゲート駆動回路を具備する表示パネルにおいて、回路が一対のドロップダウン構造を採用することにより、回路のドロップダウンユニットと付加ドロップダウンユニット中の薄膜トランジスタは二極性電圧バイアスの作動環境で作動することができ、ドロップダウンユニットと付加ドロップダウンユニット中の薄膜トランジスタの閾値電圧の変化を有効に抑制し、回路の作動寿命を延長することができる。これにより、回路は大中サイズ表示パネルの要求を満たすことができる。また、回路の構造が簡単であり、電気消耗が少なく、低温及び高温の作動環境に適用することができる利点を有している。
【0027】
本発明の特徴及び技術的事項をより詳細に了解するため、本発明の下記明細書及び図面を参照することができる。しかし、添付された図面は、本発明を説明するためのものであるが、本発明を限定するものでない。
【発明を実施するための形態】
【0029】
本発明の目的、技術的事項及び発明の効果をより詳細に説明するため、以下、図面により本発明をより詳細に説明する。
【0030】
図1〜
図4を参照すると、本発明の集積ゲート駆動回路が示されており、該集積ゲート駆動回路は、電極接続型多段ゲート駆動ユニットと多段付加ゲート駆動ユニットを含む。
【0031】
前記第n段ゲート駆動ユニットは、第n−2段信号入力端21、第n+1段信号入力端22、第n+3段信号入力端23、高周波タイミング信号第一入力端24、低周波タイミング信号第一入力端25、低周波タイミング信号第二入力端26、低レベル入力端27、第一出力端28及び第二出力端29を含む。前記第n段ゲート駆動ユニットの第一出力端28は表示パネルの画素区域を駆動することに用いられる。
【0032】
前記第m段付加ゲート駆動ユニットは、第m−1段付加信号入力端35、高周波タイミング信号第一入力端24、高周波タイミング信号第二入力端34、低周波タイミング信号第一入力端25、低周波タイミング信号第二入力端26、低レベル入力端27、第一付加出力端38及び第二付加出力端39を含む。
【0033】
前記第n段ゲート駆動ユニットが第四段〜後ろから第四段ゲート駆動ユニットのうちいずれか1つのゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n−2段信号入力端21は第n−2段ゲート駆動ユニットの第一出力端28に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端22は第n+1段ゲート駆動ユニットの第二出力端29に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端23は第n+3段ゲート駆動ユニットの第一出力端28に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第一出力端28はそれぞれ、第n+2段ゲート駆動ユニットの第n−2段信号入力端21と第n−3段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端23とに電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第二出力端29は第n−1段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端22に電気接続される。
【0034】
前記第n段ゲート駆動ユニットが第一段ゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n−2段信号入力端21にはパルス激励信号が入力され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端22は第n+1段ゲート駆動ユニットの第二出力端29に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端23は第n+3段ゲート駆動ユニットの第一出力端28に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第一出力端28は第n+2段ゲート駆動ユニットの第n−2段信号入力端21に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第二出力端29は不通状態になる。
【0035】
前記第n段ゲート駆動ユニットが第二段ゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n−2段信号入力端21にはパルス激励信号が入力され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端22は第n+1段ゲート駆動ユニットの第二出力端29に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端23は第n+3段ゲート駆動ユニットの第一出力端28に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第一出力端28は第n+2段ゲート駆動ユニットの第n−2段信号入力端21に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第二出力端29は第n−1段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端22に電気接続される。
【0036】
前記第n段ゲート駆動ユニットが第三段ゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n−2段信号入力端21は第n−2段ゲート駆動ユニットの第一出力端28に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端22は第n+1段ゲート駆動ユニットの第二出力端29に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端23は第n+3段ゲート駆動ユニットの第一出力端28に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第一出力端28は第n+2段ゲート駆動ユニットの第n−2段信号入力端21に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第二出力端29は第n−1段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端22に電気接続される。
【0037】
前記第n段ゲート駆動ユニットが後ろから第三段ゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n−2段信号入力端21は第n−2段ゲート駆動ユニットの第一出力端28に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端22は第n+1段ゲート駆動ユニットの第二出力端29に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端23は第一段付加ゲート駆動ユニットの第一付加出力端38に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第一出力端28はそれぞれ、第n+2段ゲート駆動ユニットの第n−2段信号入力端21と第n−3段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端23とに電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第二出力端29は第n−1段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端22に電気接続される。
【0038】
前記第n段ゲート駆動ユニットが後ろから第二段ゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n−2段信号入力端21は第n−2段ゲート駆動ユニットの第一出力端28に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端22は第n+1段ゲート駆動ユニットの第二出力端29に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端23は第二段付加ゲート駆動ユニットの第一付加出力端38に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第一出力端28は第n−3段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端23に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第二出力端29は第n−1段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端22に電気接続される。
【0039】
前記第n段ゲート駆動ユニットが後ろから第一段ゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n−2段信号入力端21は第n−2段ゲート駆動ユニットの第一出力端28に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端22は第一段付加ゲート駆動ユニットの第二付加出力端39に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端23は第三段付加ゲート駆動ユニットの第一付加出力端38に電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第一出力端28はそれぞれ、第n−3段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端23と第一段付加ゲート駆動ユニットの第m−1段付加信号入力端35とに電気接続され、前記第n段ゲート駆動ユニットの第二出力端29は第n−1段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端22に電気接続される。
【0040】
前記第m段付加ゲート駆動ユニットが第四段〜後ろから第一段付加ゲート駆動ユニットのうちいずれか1つの付加ゲート駆動ユニットであるとき、前記第m段付加ゲート駆動ユニットの第m−1段付加信号入力端35は第m−1段付加ゲート駆動ユニットの第一付加出力端38に電気接続され、前記第m段付加ゲート駆動ユニットの第一付加出力端38は前記第m+1段付加ゲート駆動ユニットの第m−1段付加信号入力端35に電気接続され、前記第二付加出力端39は不通状態になる。
【0041】
前記第m段付加ゲート駆動ユニットが第一段付加ゲート駆動ユニットであるとき、前記第m段付加ゲート駆動ユニットの第m−1段付加信号入力端35は前記第一段ゲート駆動ユニットの第一出力端28に電気接続され、前記第m段付加ゲート駆動ユニットの第一付加出力端38はそれぞれ、前記第m+1段付加ゲート駆動ユニットの第m−1段付加信号入力端35と後ろから第三段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端23とに電気接続され、前記第二付加出力端39は後ろから第一段ゲート駆動ユニットの第n+1段信号入力端22に電気接続される。
【0042】
前記第m段付加ゲート駆動ユニットが第二段付加ゲート駆動ユニットであるとき、前記第m段付加ゲート駆動ユニットの第m−1段付加信号入力端35は第m−1段付加ゲート駆動ユニットの第一付加出力端38に電気接続され、前記第m段付加ゲート駆動ユニットの第一付加出力端38はそれぞれ、前記第m+1段付加ゲート駆動ユニットの第m−1段付加信号入力端35と後ろから第二段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端23とに電気接続され、前記第二付加出力端39は不通状態になる。
【0043】
前記第m段付加ゲート駆動ユニットが第三段付加ゲート駆動ユニットであるとき、前記第m段付加ゲート駆動ユニットの第m−1段付加信号入力端35は第m−1段付加ゲート駆動ユニットの第一付加出力端38に電気接続され、前記第m段付加ゲート駆動ユニットの第一付加出力端38はそれぞれ、前記第m+1段付加ゲート駆動ユニットの第m−1段付加信号入力端35と後ろから第一段ゲート駆動ユニットの第n+3段信号入力端23とに電気接続され、前記第二付加出力端39は不通状態になる。
【0044】
前記集積ゲート駆動回路の第n段ゲート駆動ユニットは、
第n−2段信号入力端21、高周波タイミング信号第一入力端24、第n+3段信号入力端23、第一出力端28及び第二出力端29にそれぞれ電気接続される駆動ユニット42と、
第n+1段信号入力端22、低周波タイミング信号第一入力端25、低周波タイミング信号第二入力端26、低レベル入力端27及び駆動ユニット42にそれぞれ電気接続されるドロップダウンユニット44とを更に含む。
【0045】
前記集積ゲート駆動回路の第m段付加ゲート駆動ユニットは付加駆動ユニット52と付加ドロップダウンユニット54とを更に含む。
付加駆動ユニット52はそれぞれ、第m−1段付加信号入力端31、高周波タイミング信号第一入力端24、低周波タイミング信号第一入力端25、第一付加出力端38及び第二付加出力端39に電気接続される。
付加ドロップダウンユニット54はそれぞれ、低周波タイミング信号第一入力端25、低周波タイミング信号第二入力端26、低レベル入力端27及び付加駆動ユニット52に電気接続される。前記低レベル入力端27の入力信号は低レベル信号V
ssであり、前記高周波タイミング信号第一入力端24と高周波タイミング信号第二入力端34の入力信号は第一高周波タイミング信号CK
1、第二高周波タイミング信号CK
2、第三高周波タイミング信号CK
3または第四高周波タイミング信号CK
4である。前記第一高周波タイミング信号CK
1と第三高周波タイミング信号CK
3の位相は反対であり、前記第二高周波タイミング信号CK
2と第四高周波タイミング信号の位相は反対である。前記第一高周波タイミング信号、第三高周波タイミング信号と第二高周波タイミング信号、第四高周波タイミング信号の波形は同様であるが、最初の位相は異なっている(
図2A及び
図2Bに示すとおり)。前記集積ゲート駆動回路の第n段ゲート駆動ユニットの高周波タイミング信号第一入力端24の入力信号が第一高周波タイミング信号であるとき、前記第n+1段、第n+2段、第n+1段ゲート駆動ユニットの高周波タイミング信号第一入力端24の入力信号はそれぞれ、第二、第三、第四周波タイミング信号になる。前記集積ゲート駆動回路の第m段付加ゲート駆動ユニットの高周波タイミング信号第一入力端24と高周波タイミング信号第二入力端34の入力信号がそれぞれ第kと第k−1タイミング信号であるとき、前記集積ゲート駆動回路の第m+1段付加ゲート駆動ユニットの高周波タイミング信号第一入力端24と高周波タイミング信号第二入力端34の入力信号はそれぞれ第k+1と第kタイミング信号になる。前記kの値は1〜4である。kが1であるとき、k−1は4であり、kが4であるとき、k+1は1である。
【0046】
前記低周波タイミング信号第一入力端25と低周波タイミング信号第二入力端26の入力信号は第一低周波タイミング信号ECKであるか或いは第二低周波タイミング信号EXCKであり、前記第一低周波タイミング信号と第二低周波タイミング信号の電圧は反対である。すなわち、第一低周波タイミング信号が高レベル信号であるとき、第二低周波タイミング信号は低レベル信号になり、第一低周波タイミング信号が低レベル信号であるとき、第二低周波タイミング信号は高レベル信号になる。前記集積ゲート駆動回路の第n段ゲート駆動ユニットの低周波タイミング信号第一入力端25と低周波タイミング信号第二入力端26の入力信号がそれぞれ第一低周波タイミング信号と第二低周波タイミング信号であるとき、前記第n+1段ゲート駆動ユニットの低周波タイミング信号第一入力端25と低周波タイミング信号第二入力端26の入力信号はそれぞれ第二低周波タイミング信号と第一低周波タイミング信号になる。前記集積ゲート駆動回路の第m段付加ゲート駆動ユニットの低周波タイミング信号第一入力端25と低周波タイミング信号第二入力端26の入力信号がそれぞれ第一低周波タイミング信号と第二低周波タイミング信号であるとき、前記第m+1段付加ゲート駆動ユニットの低周波タイミング信号第一入力端25と低周波タイミング信号第二入力端26の入力信号はそれぞれ第二低周波タイミング信号と第一低周波タイミング信号になる。
【0047】
図5〜
図8は本発明のゲート駆動ユニットの第一実施例を示す図であり、これらと
図1〜
図3とを一緒に参照することができる。
【0048】
前記駆動ユニット42は、コンデンサーC
b1、第一薄膜トランジスタT1、第二薄膜トランジスタT2及び第三薄膜トランジスタT3を含む。前記第一薄膜トランジスタT1は、第一ゲート、第一ソース及び第一ドレインを含み、前記第二薄膜トランジスタT2は、第二ゲート、第二ソース及び第二ドレインを含み、前記第三薄膜トランジスタT3は、第三ゲート、第三ソース及び第三ドレインを含む。前記第一ゲートと第一ドレインは前記第n−2段信号入力端に電気接続され、前記第一ソースはそれぞれ、コンデンサーC
b1の一端、第二ゲート、第三ドレイン、第二出力端29及びドロップダウンユニット44に電気接続され、前記第二ドレインは高周波タイミング信号第一入力端24に電気接続され、前記第二ソースは、コンデンサーC
b1の他端、第一出力端28及びドロップダウンユニット44に電気接続され、前記第三ゲートは前記第n+3段信号入力端23に電気接続され、前記第三ソースは低レベル入力端27に電気接続される。
【0049】
前記ドロップダウンユニット44は、第一ドロップダウンユニット45、第一ドロップダウン信号生成ユニット46、第二ドロップダウンユニット47及び第二ドロップダウン信号生成ユニット48を含む。前記第一ドロップダウンユニット45はそれぞれ、駆動ユニット42、第一ドロップダウン信号生成ユニット46、第二ドロップダウンユニット47及び低レベル入力端27に電気接続される。第一ドロップダウン信号生成ユニット46はそれぞれ、第一ドロップダウンユニット45、低周波タイミング信号第一入力端25、低周波タイミング信号第二入力端26及び低レベル入力端27に電気接続される。前記第二ドロップダウンユニット47はそれぞれ、駆動ユニット42、第二ドロップダウン信号生成ユニット48、第一ドロップダウンユニット45及び低レベル入力端27に電気接続される。前記第二ドロップダウン信号生成ユニット48はそれぞれ、第二ドロップダウンユニット47、低周波タイミング信号第一入力端25、低周波タイミング信号第二入力端26及び低レベル入力端27に電気接続される。
【0050】
前記第一ドロップダウンユニット45は第四薄膜トランジスタT4と第五薄膜トランジスタT5を含む。前記第四薄膜トランジスタT4は、第四ゲート、第四ソース及び第四ドレインを含み、前記第五薄膜トランジスタT5は、第五ゲート、第五ソース及び第五ドレインを含む。前記第四ゲートと第五ゲートはいずれも、前記第一ドロップダウン信号生成ユニット46に電気接続される。前記第四ドレインはそれぞれ、第一ソース、コンデンサーC
b1の一端、第二ゲート、第三ドレイン、第二出力端29、第二ドロップダウン信号生成ユニット48及び第二ドロップダウンユニット47に電気接続される。前記第四ソースと第五ソースはいずれも、前記低レベル入力端27に電気接続され、前記第五ドレインはそれぞれ、第二ソース、コンデンサーの他端、第一出力端28及び第二ドロップダウンユニット47に電気接続される。
【0051】
前記第二ドロップダウンユニット47は第六薄膜トランジスタT6と第七薄膜トランジスタT7を含む。前記第六薄膜トランジスタT6は、第六ゲート、第六ソース及び第六ドレインを含み、前記第七薄膜トランジスタT7は、第七ゲート、第七ソース及び第七ドレインを含む。前記第六ゲートと前記第七ゲートはいずれも、前記第二ドロップダウン信号生成ユニット48に電気接続される。前記第六ソースと前記第七ソースはいずれも、低レベル入力端27に電気接続される。前記第六ドレインはそれぞれ、第一ソース、コンデンサーの一端、第二ゲート、第三ドレイン、第四ドレイン、第二出力端29及び第二ドロップダウン信号生成ユニット48に電気接続される。前記第七ソースはそれぞれ、第二ソース、コンデンサーの他端、第一出力端28及び第五ドレインに電気接続される。
【0052】
前記第一ドロップダウン信号生成ユニット46は、第八薄膜トランジスタT8、第九薄膜トランジスタT9、第十薄膜トランジスタT10、第十一薄膜トランジスタT11及び第十二薄膜トランジスタT12を含む。前記第八薄膜トランジスタT8は、第八ゲート、第八ソース及び第八ドレインを含み、前記第九薄膜トランジスタT9は、第九ゲート、第九ソース及び第九ドレインを含み、前記第九ゲートは前記低周波タイミング信号第一入力端25に電気接続される。前記第十薄膜トランジスタT10は、第十ゲート、第十ソース及び第十ドレインを含み、前記第十一薄膜トランジスタT11は、第十一ゲート、第十一ソース及び第十一ドレインを含み、前記第十二薄膜トランジスタT12は、第十二ゲート、第十二ソース及び第十二ドレインを含む。前記第八ゲート、第八ドレイン、第九ドレイン、第十ゲートはいずれも、低周波タイミング信号第二入力端26に電気接続される。前記第八ソースはそれぞれ、前記第九ソース、第十ドレイン、第四ゲート及び第五ゲートに電気接続され、前記第十ソースはそれぞれ、第十一ドレインと第十二ドレインに電気接続される。前記第十一ゲートはそれぞれ、前記第一ソース、コンデンサーC
b1の一端、第二ゲート、第三ドレイン、第四ドレイン、第六ドレイン及び第二出力端29に電気接続される。前記第十一ソース、第十二ソースはいずれも、前記低レベル入力端27に電気接続され、前記第十二ゲートは前記第n+1段信号入力端に電気接続される。
【0053】
前記第二ドロップダウン信号生成ユニット48は、第十四薄膜トランジスタT14、第十五薄膜トランジスタT15、第十六薄膜トランジスタT16、第十七薄膜トランジスタT17及び第十八薄膜トランジスタT18を含む。前記第十四薄膜トランジスタT14は、第十四ゲート、第十四ソース及び第十四ドレインを含み、前記第十五薄膜トランジスタT15は、第十五ゲート、第十五ソース及び第十五ドレインを含み、前記第十六薄膜トランジスタT16は、第十六ゲート、第十六ソース及び第十六ドレインを含み、前記第十七薄膜トランジスタT17は、第十七ゲート、第十七ソース及び第十七ドレインを含み、前記第十八薄膜トランジスタT18は、第十八ゲート、第十八ソース及び第十八ドレインを含む。前記第十四ゲート、第十四ドレイン、第十五ドレイン及び第十六ゲートはいずれも、低周波タイミング信号第一入力端25に電気接続される。前記第十四ソースはそれぞれ、前記第十五ソース、第十六ドレイン、第六ゲート及び第七ゲートに電気接続される。前記第十五ゲートは前記低周波タイミング信号第二入力端26に電気接続され、前記第六ソースはそれぞれ前記第十七ドレインと第十八ドレインに電気接続される。前記第十七ゲートはそれぞれ、前記第十一ゲート、前記第一ソース、コンデンサーC
b1の一端、第二ゲート、第三ドレイン、第四ドレイン、第六ドレイン及び第二出力端29に電気接続される。前記第十七ソース、第十八ソースはいずれも、前記低レベル入力端27に電気接続され、前記第十八ゲートは前記第n+1段信号入力端22に電気接続される。
【0054】
本実施例において、高周波タイミング信号第一入力端24の入力信号CKAの高/低電圧値はそれぞれV
H1/V
L1であり、第一低周波タイミング信号ECKと第二低周波タイミング信号EXCKの電圧は補い合い関係を有し、これらの高/低電圧値はそれぞれV
H2/V
L2である。前記低レベル入力端27に入力される信号は、低レベル入力信号V
ssであり、その電圧値はV
Lであり、かつV
H1≧V
H2、V
L≧V
L1≧V
L2である。
【0055】
前記高周波タイミング信号第一入力端24の入力信号CKAは、第一高周波タイミング信号CK
1、第二高周波タイミング信号CK
2、第三高周波タイミング信号CK
3及び第四高周波タイミング信号CK
4のうちいずれか1つのタイミング信号である。具体的に、高周波タイミング信号第一入力端24の入力信号CKAは第一高周波タイミング信号CK
1であり、第一低周波タイミング信号ECKの電圧はV
H2であり、第二低周波タイミング信号EXCKの電圧はV
L2であるとき、ゲート駆動ユニットの作動過程は次のとおりである。
【0056】
図6A及び
図6Bに示すとおり、タイミングt1のとき、CK
1はV
L1に変化し、V
G(n−2)の電圧はV
H1になる。第一トランジスタT1はオン状態になり、信号V
G(n2)はQ
(n)をV
H1−V
TH1に充電する。V
TH1は第一トランジスタT1の閾値電圧である。第二トランジスタT2はオン状態になり、V
G(n)の電圧はV
L1に降下する。また、第十四、第十六及び第十七トランジスタT14、T16及びT17はオン状態になり、P
(n)の電位は低レベルに降下し、第六、第七トランジスタT6とT7はオフ状態になる。ECKが高レベル信号であることにより、第九トランジスタT9はオン状態になり、K
(n)の電圧は第九トランジスタT9によってV
L2に降下する。また、EXCKが低レベル信号であることにより、第八、第十トランジスタT8とT10はオフ状態になる。この場合、Q
(n)によって第十一トランジスタT11はオン状態になるが、K
(n)の電圧は、第十一トランジスタT11によって低レベル入力信号V
ssの電圧V
Lに降下せず、V
L2を維持する。このとき、第四、第五トランジスタT4、T5はオフ状態になる。
【0057】
タイミングt2のとき、V
G(n−2)の電位は低レベルに降下し、CK
1の電圧はV
L1からV
H1に上昇し、かつオン状態になった第二トランジスタT2により信号出力端に対して充電をする。また、Q
(n)が不通状態になるとき、コンデンサーのブートストラップにより、Q
(n)の電圧はV
H1−V
TH1より高い電圧に上昇し、第二トランジスタT2の充電能力は増加し、V
G(n)の上昇は加速される。
【0058】
タイミングt3のとき、CK
1の電圧はV
H1からV
L1に降下するが、Q
(n)が依然として高レベルになっていることにより、第二トランジスタT2は依然としてオン状態になっており、信号出力端はオン状態になった第二トランジスタT2によって放電をし、V
G(n)の電圧はV
L1に迅速に降下する。コンデンサーのブートストラップにより、Q
(n)の電圧はV
H1−V
TH1に降下する。
【0059】
タイミングt4のとき、V
G(n−3)の電位は高レベルに上昇し、第三トランジスタT3はオン状態になり、かつQ
(n)の電圧はV
Lに降下する。このとき、第十七トランジスタT17はオフ状態になる。Q
(n+1)が依然として高レベルになっていることにより、第十八トランジスタT18は依然としてオン状態になり、かつP
(n)の電位を低レベルに降下させ続ける。
【0060】
V
G(n)の高レベルパルスが出力された後、ゲート駆動ユニットは選択不可能な状態になる。V
G(n)の電圧をV
Lに維持することにより、信号出力端に接続された画像のスイッチング薄膜トランジスタがオン状態になることにより、間違い信号が入力されることを防止することができる。原理上、V
G(n)とQ
(n)の電位を低レベルに維持する必要がある。しかしながら、第二薄膜トランジスタT2のソースとドレインとの間に存在する寄生容量により、タイミング信号CK
1が低レベルから高レベルに急変するとき、Q
(n)端に結合電圧ΔV
Q(n)が形成される。ΔV
Q(n)により、CK
1は信号出力端に対して間違い充電をし、V
G(n)の電位を低レベルに維持することができないおそれがある。したがって、専用ドロップダウンユニットを設けることにより、V
G(n)の電位を低レベルに維持することができる。
【0061】
(1)薄膜トランジスタT6、T7は順方向バイアスになり、薄膜トランジスタT4、T5は逆方向バイアスになる。
タイミングt5のとき、Q
(n+1)は低レベルに降下し、第十八薄膜トランジスタT18はオフ状態になり、ECKは第十四薄膜トランジスタT14によってP
(n)を充電する。P
(n)端の電圧が上昇することにより、第六、第七薄膜トランジスタT6及びT7はオン状態になり、Q
(n)とV
G(n)電圧はV
Lに維持される。第六、第七薄膜トランジスタT6及びT7は順方向バイアス(V
GS>0)になり、順方向バイアス電圧はV+≒V
H2−V
TH4である。第四薄膜トランジスタT4と第五薄膜トランジスタT5に相対して、第九薄膜トランジスタT9はオン状態になり、K
(n)端の電圧はV
L2に維持される。V
L>V
L2であるとき、第四薄膜トランジスタT4と第五薄膜トランジスタT5が逆方向バイアス(V
gs<0)になり、逆方向バイアス電圧値はV
−=V
L−V
L2である。V+とV
−は
図5Bに示すとおりである。注意されたいことは、K
(n)端の電圧V
L2がV
SSの電圧V
Lより小さいとき、第十薄膜トランジスタT10はオフ状態になり、V
SSが第十一、第十二薄膜トランジスタT11及びT12によってK
(n)への逆方向充電電流になることを防止することができる。したがって、K
(n)端の電圧をV
L2に維持することにより、第四薄膜トランジスタT4と第五薄膜トランジスタT5が逆方向バイアスになるようにすることができる。
【0062】
(2)薄膜トランジスタT6、T7は逆方向バイアスになり、薄膜トランジスタT4、T5は順方向バイアスになる。
低周波タイミング信号EXCKの電圧がV
H2であるとき、ECKの電圧値はV
L2である。タイミングt5の以降、K
(n)が高レベルになることにより、第四、第五薄膜トランジスタT4とT5は逆方向バイアスになり、Q
(n)とV
G(n)電圧はV
Lに維持される。第十五薄膜トランジスタT15がオン状態になるとともに第十六薄膜トランジスタT16がオフ状態になることにより、V
SSが第十七、第十八薄膜トランジスタT17及びT18によってP
(n)への逆方向充電電流になることを防止することができる。したがって、第十五薄膜トランジスタT15はP
(n)をV
L2に降下させることにより、第六、第七薄膜トランジスタT6及びT7が逆方向バイアスになるようにすることができる。
【0063】
本実施例において、集積ゲート駆動回路は一対のドロップダウン構造を採用する。ECKが高レベルであるとき、第一ドロップダウンユニット45は逆方向バイアスになり、第二ドロップダウンユニット47はV
G(n)とQ
(n)の電圧を降下させることに用いられる。EXCKが高レベルであるとき、第一ドロップダウンユニット45はV
G(n)とQ
(n)の電圧を降下させることに用いられ、第二ドロップダウンユニット47は逆方向バイアスになる。したがって、作動の全過程において、低周波タイミング信号ECKとEXCKが高低レベルの間で変化することにより、各ドロップダウンユニットの薄膜トランジスタはいずれも正負二極性電圧バイアスになることができる。各ドロップダウンユニットの薄膜トランジスタの電気応力テストをした結果の(
図7と
図8にしめす)とおり、ドロップダウン薄膜トランジスタの閾値電圧の変化を有効に抑制し、集積ゲート駆動回路の使用寿命を延長させることができる。
図7は、直流電圧(25V)、単極性パルス電圧(25V〜0V)、二極性パルス電圧(25V〜−10V)の三種の応力下における、ドロップダウンユニットの薄膜トランジスタの閾値電圧の変化を示す曲線である。
図8は、直流電圧(25V)、単極性パルス電圧(25V〜0V)、二極性パルス電圧(25V〜−10V)の三種の応力下における、ドロップダウンユニットの薄膜トランジスタのオン電流退化率を示す曲線である。テストの結果に示されるとおり、従来の直流電圧、単極性パルス電圧と比較してみると、二極性パルス電圧下のドロップダウンユニットの薄膜トランジスタの閾値電圧の変化が有効に抑制され、オン電流退化率が低下したことを分かることができる。
【0064】
図9は本発明のゲート駆動ユニットの第二実施例を示す図であり、
図9と
図1〜
図6とを一緒に参照することができる。本実施例と第一実施例は類似しており、相違点は次のとおりである。本実施例において、前記第一ドロップダウン信号生成ユニット46中の第九薄膜トランジスタT9の第九ゲートはそれぞれ、前記第八ソース、前記第九ソース、第十ドレイン、第四ゲート及び第五ゲートに電気接続される。前記第二ドロップダウン信号生成ユニット48中の第十五薄膜トランジスタT15の第十五ゲートはそれぞれ、前記第十四ソース、前記第十五ソース、第十六ドレイン、第六ゲート及び第七ゲートに電気接続される。このとき、第九薄膜トランジスタT9と第十五薄膜トランジスタT15は、依然として、K
(n)とP
(n)の電圧を降下させることに用いられる。また、上述した接続構造により、低周波タイミング入力端ECK/EXCKの負荷を低減し、回路の電気消耗を低減することができる。
【0065】
本実施例の回路が作動することは、第一実施例のゲート駆動ユニットの作動と類似しているので、ここでは再び説明しない。
【0066】
図10は本発明のゲート駆動ユニットの第三実施例を示す図であり、
図10と
図1〜
図6とを一緒に参照することができる。本実施例と第一実施例は類似しており、相違点は次のとおりである。本実施例の第一ドロップダウン信号生成ユニット46は第十三薄膜トランジスタT13を更に含み、該第十三薄膜トランジスタT13は、第十三ゲート、第十三ソース及び第十三ドレインを含む。前記第十三ゲートはそれぞれ、第一ゲート、第一ドレイン及び前記第n−2段信号入力端21に電気接続され、前記第十三ドレインはそれぞれ、前記第十ソース、前記第十一ドレイン及び第十二ドレインに電気接続される。前記第十三ソースは低レベル入力端27に電気接続される。前記第二ドロップダウン信号生成ユニット48は第十九薄膜トランジスタT19を更に含み、該第十九薄膜トランジスタT19は、第十九ゲート、第十九ソース及び第十九ドレインを含む。前記第十九ゲートはそれぞれ、前記第十三ゲート、第一ゲート、第一ドレイン及び前記第n−2段信号入力端21に電気接続され、前記第十九ドレインはそれぞれ、前記第十六ソース、前記第十七ドレイン及び第十八ドレインに電気接続される。前記第十九ソースは低レベル入力端27に電気接続される。上述した接続構造により、t1〜t2のとき、K
(n)またはP
(n)端の電圧を降下させる効果を増加させ、回路が低温下で作動するようにすることができる。この原因は次のとおりである。
【0067】
低温の環境において、回路中の薄膜トランジスタの閾値電圧が増加し、移動率が低下することにより、トランジスタの導電能力が低下する。ECKが高レベルであり、EXCKが低レベルである場合について、
図5、
図6A及び
図10を参照することができる。回路が作動するタイミングt1〜t2において、V
G(n−2)が高レベルに上昇し、薄膜トランジスタT1でQ
(n)に対して充電をする。Q
(n)の電圧が上昇することによって薄膜トランジスタT17はオン状態になり、P
(n)端の電圧が降下することによって薄膜トランジスタT6はオフ状態になり、Q
(n)端の充電電荷は薄膜トランジスタT6によって漏電せず、逆にQ
(n)の充電を促進する。これはフィードバックの過程である。しかしながら、低温の環境において、薄膜トランジスタT1の導電能力が低下することにより、Q
(n)の充電速度は低下する。P
(n)端の電圧を降下させる薄膜トランジスタT17の能力が低下することにより、薄膜トランジスタT6は容易にオフ状態になることができず、薄膜トランジスタT6の漏電によってQ
(n)への充電が無駄になり、回路が失効状態になるおそれがある。本実施例において、V
G(n−2)が薄膜トランジスタT19によってP
(n)端の電圧を直接降下させることができるので、薄膜トランジスタT6の漏電を有効に抑制することができる。EXCKが高レベルであり、ECKが低レベルである場合、追加された薄膜トランジスタT13によって薄膜トランジスタT4の漏電を有効に抑制することができる。したがって、本実施例のゲート駆動ユニットを低温環境に適用することができる。
【0068】
本実施例の回路が作動することは、第一実施例のゲート駆動ユニットの作動と類似しているので、ここでは再び説明しない。
【0069】
図11は本発明のゲート駆動ユニットの第四実施例を示す図であり、
図11と
図1〜
図5とを一緒に参照することができる。本実施例と第一実施例を比較してみると、前記第n段ゲート駆動ユニットは第n−1段信号入力端32と第三出力端33を更に含む。前記第n段ゲート駆動ユニットが第二段〜後ろから第一段ゲート駆動ユニットのうちいずれか1つのゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットの第n−1段信号入力端32は第n−1段ゲート駆動ユニットの第三出力端33に電気接続される。前記第n段ゲート駆動ユニットが第一段ゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットは第n−1段信号入力端32を含んでいない。前記第n段ゲート駆動ユニットが第一段〜後ろから第二段ゲート駆動ユニットのうちいずれか1つのゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットの第三出力端33は前記第n+1段ゲート駆動ユニットの第n−1段信号入力端32に電気接続される。前記第n段ゲート駆動ユニットが後ろから第一段ゲート駆動ユニットであるとき、前記第n段ゲート駆動ユニットの第三出力端33は不通状態になる。
【0070】
前記ドロップダウンユニット44'は、第一ドロップダウンユニット45'、第二ドロップダウンユニット47'及び第二ドロップダウン信号生成ユニット48'を含む。前記第一ドロップダウンユニット45'はそれぞれ、駆動ユニット42、第n−1段信号入力端32と低レベル入力端27に電気接続される。前記第二ドロップダウンユニット47'はそれぞれ、駆動ユニット42、第二ドロップダウン信号生成ユニット48'、第一ドロップダウンユニット45'及び低レベル入力端27に電気接続される。前記第二ドロップダウン信号生成ユニット48'はそれぞれ、駆動ユニット42、第二ドロップダウンユニット47'、低周波タイミング信号第一入力端25、低周波タイミング信号第二入力端26及び低レベル入力端27に電気接続される。
【0071】
前記第一ドロップダウンユニット45'は第四薄膜トランジスタT4と第五薄膜トランジスタT5を含む。前記第四薄膜トランジスタT4は、第四ゲート、第四ソース及び第四ドレインを含み、前記第五薄膜トランジスタT5は、第五ゲート、第五ソース及び第五ドレインを含む。前記第四ゲートと第五ゲートはいずれも前記第n−1段信号入力端32に電気接続され、前記第四ドレインはそれぞれ、第一ソース、コンデンサーC
b1の一端、第二ゲート、第三ドレイン、第二出力端29、第二ドロップダウン信号生成ユニット48'及び第二ドロップダウンユニット47'に電気接続される。前記第四ソースと第五ソースはいずれも低レベル入力端27に電気接続される。前記第五ドレインはそれぞれ、第二ソース、コンデンサーC
b1の他端、第一出力端28及び第二ドロップダウンユニット47'に電気接続される。
【0072】
前記第二ドロップダウンユニット47'は第六薄膜トランジスタT6と第七薄膜トランジスタT7を含む。前記第六薄膜トランジスタT6は、第六ゲート、第六ソース及び第六ドレインを含み、前記第七薄膜トランジスタT7は、第七ゲート、第七ソース及び第七ドレインを含む。前記第六ゲートは、前記第二ドロップダウン信号生成ユニット48、第七ゲート及び第三出力端33に電気接続される。前記第六ドレインはそれぞれ、第一ソース、コンデンサーC
b1の一端、第二ゲート、第三ドレイン、第四ドレイン、第二出力端29及び第二ドロップダウン信号生成ユニット48'に電気接続される。前記第六ソースと第七ソースはいずれも低レベル入力端27に電気接続される。前記第七ドレインはそれぞれ、第二ソース、コンデンサーC
b1の他端、第一出力端28及び第五ドレインに電気接続される。
【0073】
前記第二ドロップダウン信号生成ユニット48'は、第十四薄膜トランジスタT14、第十五薄膜トランジスタT15、第十六薄膜トランジスタT16、第十七薄膜トランジスタT17及び第十八薄膜トランジスタT18を含む。前記第十四薄膜トランジスタT14は、第十四ゲート、第十四ソース及び第十四ドレインを含み、前記第十五薄膜トランジスタT15は、第十五ゲート、第十五ソース及び第十五ドレインを含み、前記第十六薄膜トランジスタT16は、第十六ゲート、第十六ソース及び第十六ドレインを含み、前記第十七薄膜トランジスタT17は、第十七ゲート、第十七ソース及び第十七ドレインを含み、前記第十八薄膜トランジスタT18は、第十八ゲート、第十八ソース及び第十八ドレインを含む。前記十四ゲート、第十四ドレイン、第十五ドレイン及び第十六ゲートはいずれも、低周波タイミング信号第一入力端25に電気接続される。前記第十四ソースはそれぞれ、前記第十五ソース、第十六ドレイン、第六ゲート、第七ゲート及び第三出力端33に電気接続される。前記第十五ゲートは前記低周波タイミング信号第二入力端26に電気接続される。前記第十六ソースはそれぞれ、前記第十七ドレインと第十八ドレインに電気接続される。前記第十七ゲートはそれぞれ、前記第一ソース、コンデンサーの一端、第二ゲート、第三ドレイン、第四ドレイン及び第六ドレインに電気接続される。前記第十七ソースと第十八ソースは低レベル入力端27に電気接続される。前記第十八ゲートは前記第n+1段信号入力端22に電気接続される。
【0074】
本実施例のゲート駆動ユニットは、一対のドロップダウン共用構造を採用する。すなわち、隣接する2つのゲート駆動ユニットは1つのドロップダウン信号生成ユニットを共用する。1つのゲート駆動ユニットにドロップダウン信号生成ユニットを設けないことにより、1つのゲート駆動ユニットのトランジスタの個数を減少させ、回路の構造を簡素化することができる。
【0075】
図12Aに示すとおり、ECKが高レベルであるとき、タイミングt4の以降、P
(n−1)端の電圧は高レベルになり、第n段ゲート駆動ユニットのトランジスタT4、T5はオン状態になり、Q
(n)とV
G(n)電圧はV
Lに維持される。
図12Bに示すとおり、EXCKが高レベルであるとき、タイミングt4の以降、P
(n−1)端の電圧は高レベルになり、第n段ゲート駆動ユニットのトランジスタT6、T7はオン状態になり、Q
(n−1)、V
G(n−1)Q
(n)及びV
G(n)電圧はV
Lに維持される。第n段ゲート駆動ユニットの全作動過程において、トランジスタT6/T7は正負二極性電圧バイアスになり、この閾値電圧の変化を有効に抑制することができる。
【0076】
図13は本発明のゲート駆動ユニットの第五実施例を示す図であり、
図13と
図1〜
図5及び
図11〜
図12Bとを一緒に参照することができる。本実施例と第四実施例は類似しており、相違点は次のとおりである。本実施例において、前記第二ドロップダウン信号生成ユニット48'の第十五薄膜トランジスタT15の前記第十五ゲートはそれぞれ、前記第十四ソース、前記第十五ソース、第十六ドレイン、第六ゲート、第七ゲート及び第三出力端33に電気接続される。上述した接続は、タイミング入力端ECK/EXCKの負荷を低減し、回路の電気消耗を低減することができる。
【0077】
本実施例の回路が作動することは、第四実施例のゲート駆動ユニットの作動と類似しているので、ここでは再び説明しない。
【0078】
図14は本発明のゲート駆動ユニットの第六実施例を示す図であり、
図14と
図1〜
図5及び
図11〜
図12Bとを一緒に参照することができる。本実施例と第四実施例は類似しており、相違点は次のとおりである。本実施例の前記第二ドロップダウン信号生成ユニット48'は第十九薄膜トランジスタT19を更に含み、第十九薄膜トランジスタT19は第十九ゲート、第十九ソース及び第十九ドレインを含む。前記第十九ゲートはそれぞれ、前記第一ゲート、第一ドレイン及び前記第n−2段信号入力端21に電気接続される。前記第十九ドレインはそれぞれ、前記第十六ソース、前記第十七ソース及び第十八ドレインに電気接続される。前記第十九ドレインは低レベル入力端27に電気接続される。上述した接続構造により、t1〜t2のとき、P
(n)端の電圧を降下させる効果を増加させ、回路が低温下で作動するようにすることができる。この原因は次のとおりである。
【0079】
低温の環境において、回路中の薄膜トランジスタの閾値電圧が増加し、移動率が低下することにより、トランジスタの導電能力が低下する。ECKが高レベルであり、EXCKが低レベルである場合について、
図11、
図12A、
図12B及び
図14を参照することができる。回路が作動するタイミングt1〜t2において、V
G(n−2)が高レベルに上昇し、薄膜トランジスタT1でQ
(n)に対して充電をする。Q
(n)の電圧が上昇することによって薄膜トランジスタT17はオン状態になり、P
(n)端の電圧が降下することによって薄膜トランジスタT6はオフ状態になる。Q
(n)端の充電電荷は薄膜トランジスタT6によって漏電せず、逆にQ
(n)の充電を促進する。これはフィードバックの過程である。しかしながら、低温の環境において、薄膜トランジスタT1の導電能力が低下することにより、Q
(n)の充電速度は低下する。P
(n)端の電圧を降下させる薄膜トランジスタT17の能力が低下することにより、薄膜トランジスタT6は容易にオフ状態になることができず、薄膜トランジスタT6の漏電によってQ
(n)への充電が無駄になり、回路が失効状態になるおそれがある。本実施例において、V
G(n−2)が薄膜トランジスタT19によりP
(n)端の電圧を直接降下させることができるので、薄膜トランジスタT6の漏電を有効に抑制することができる。したがって、本実施例のゲート駆動ユニットを低温環境に適用することができる。
【0080】
本実施例の回路が作動することは、第四実施例のゲート駆動ユニットの作動と類似しているので、ここでは再び説明しない。
【0081】
図15乃至
図16は本発明の付加ゲート駆動ユニットの第一実施例を示す図であり、これらと
図4及び
図1〜
図2Bとを一緒に参照することができる。前記付加駆動ユニット52は、付加コンデンサーC
b2、第二十一薄膜トランジスタT21、第二十二薄膜トランジスタT22及び第二十三薄膜トランジスタT23を含む。前記第二十一薄膜トランジスタT21は、第二十一ゲート、第二十一ソース及び第二十一ドレインを含み、前記第二十二薄膜トランジスタT22は、第二十二ゲート、第二十二ソース及び第二十二ドレインを含み、前記第二十三薄膜トランジスタT23は、第二十三ゲート、第二十三ソース及び第二十三ドレインを含む。前記第二十一ゲート、第二十一ドレイン及び第二十二ドレインはいずれも、前記第m−1段付加信号入力端35に電気接続される。前記第二十一ソースはそれぞれ、付加コンデンサーC
b2の一端、第二十三ゲート、第二十二ソース、第二付加出力端39及び付加ドロップダウンユニット54に電気接続される。前記第二十二ゲートは高周波タイミング信号第二入力端34に電気接続され、前記第二十三ドレインは高周波タイミング信号第一入力端24に電気接続される。前記第二十三ソースは、付加コンデンサーC
b2の他端、第一付加出力端38及び付加ドロップダウンユニット54に電気接続される。
【0082】
前記付加ドロップダウンユニット54は、第一付加ドロップダウンユニット55、第一付加ドロップダウン信号生成ユニット56、第二付加ドロップダウンユニット57及び第二付加ドロップダウン信号生成ユニット58を含む。前記第一付加ドロップダウンユニット55はそれぞれ、付加駆動ユニット52、第一付加ドロップダウン信号生成ユニット56、第二付加ドロップダウンユニット57及び低レベル入力端27に電気接続される。第一付加ドロップダウン信号生成ユニット56はそれぞれ、第一付加ドロップダウンユニット55、低周波タイミング信号第一入力端25、低周波タイミング信号第二入力端26及び低レベル入力端27に電気接続される。前記第二付加ドロップダウンユニット57はそれぞれ、付加駆動ユニット52、第二付加ドロップダウン信号生成ユニット58、第一付加ドロップダウンユニット55及び低レベル入力端27に電気接続される。前記第二付加ドロップダウン信号生成ユニット58はそれぞれ、第二付加ドロップダウンユニット57、低周波タイミング信号第一入力端25、低周波タイミング信号第二入力端26及び低レベル入力端27に電気接続される。
【0083】
前記第一付加ドロップダウンユニット55は第二十四薄膜トランジスタT24と第二十五薄膜トランジスタT25を含む。前記第二十四薄膜トランジスタT24は、第二十四ゲート、第二十四ソース及び第二十四ドレインを含み、前記第二十五薄膜トランジスタT25は、第二十五ゲート、第二十五ソース及び第二十五ドレインを含む。前記第二十四ゲートは前記第一付加ドロップダウン信号生成ユニット56及び第二十五ゲートに電気接続される。前記第二十四ドレインはそれぞれ、第二十一ソース、第二十二ソース、付加コンデンサーC
b2の一端、第二十三ゲート、第二付加出力端39、第二付加ドロップダウン信号生成ユニット58及び第二付加ドロップダウンユニット57に電気接続される。前記第二十四ソースは低レベル入力端27に電気接続される。前記第二十五ドレインは、付加コンデンサーC
b2の他端、第一付加出力端38及び第二付加ドロップダウンユニット57に電気接続される。前記第二十五ソースは低レベル入力端27に電気接続される。
【0084】
前記第二付加ドロップダウンユニット57は第二十六薄膜トランジスタT26と第二十七薄膜トランジスタT27を含む。前記第二十六薄膜トランジスタT26は、第二十六ゲート、第二十六ソース及び第二十六ドレインを含み、前記第二十七薄膜トランジスタT27は、第二十七ゲート、第二十七ソース及び第二十七ドレインを含む。前記第二十六ゲートは前記第二付加ドロップダウン信号生成ユニット58と第二十七ゲートに電気接続され、前記第二十六ソースは低レベル入力端27に電気接続される。前記第二十六ドレインはそれぞれ、第二十四ソース、第二十一ソース、第二十二ソース、付加コンデンサーC
b2の一端、第二十三ゲート、第二付加出力端39及び第二付加ドロップダウン信号生成ユニット58に電気接続される。前記第二十七ドレインはそれぞれ、付加コンデンサーC
b2の他端、第一付加出力端38、第二十五ドレイン及び第二十三ソースに電気接続される。前記第二十七ソースは低レベル入力端27に電気接続される。
【0085】
前記第一付加ドロップダウン信号生成ユニット56は、第二十八薄膜トランジスタT28、第二十九薄膜トランジスタT29、第三十薄膜トランジスタT30及び第三十一薄膜トランジスタT31を含む。前記第二十八薄膜トランジスタT28は、第二十八ゲート、第二十八ソース及び第二十八ドレインを含み、前記第二十九薄膜トランジスタT29は、第二十九ゲート、第二十九ソース及び第二十九ドレインを含み、前記第三十薄膜トランジスタT30は、第三十ゲート、第三十ソース及び第三十ドレインを含み、前記第三十一薄膜トランジスタT31は、第三十一ゲート、第三十一ソース及び第三十一ドレインを含む。前記第二十八ゲート、第二十八ドレイン、第二十九ドレイン及び第三十ゲートはいずれも、前記低周波タイミング信号第二入力端26に電気接続される。前記第二十八ソースはそれぞれ、前記第二十九ソース、第三十ドレイン、第二十四ゲート及び第二十五ゲートに電気接続される。前記第二十九ゲートは前記低周波タイミング信号第一入力端25に電気接続され、前記第三十ソースは前記第三十一ドレインに電気接続される。前記第三十一ゲートはそれぞれ、第二十一ソース、第二十二ソース、付加コンデンサーC
b2の一端、第二十三ゲート、第二付加出力端39、第二十六ドレイン及び第二十四ドレインに電気接続される。前記第三十一ソースは低レベル入力端27に電気接続される。
【0086】
前記第二付加ドロップダウン信号生成ユニット58は、第三十二薄膜トランジスタT32、第三十三薄膜トランジスタT33、第三十四薄膜トランジスタT34及び第三十五薄膜トランジスタT35を含む。前記第三十二薄膜トランジスタT32は、第三十二ゲート、第三十二ソース及び第三十二ドレインを含み、前記第三十三薄膜トランジスタT33は、第三十三ゲート、第三十三ソース及び第三十三ドレインを含み、前記第三十四薄膜トランジスタT34は、第三十四ゲート、第三十四ソース及び第三十四ドレインを含み、前記第三十五薄膜トランジスタT35は、第三十五ゲート、第三十五ソース及び第三十五ドレインを含む。前記第三十二ゲート、第三十二ドレイン、第三十三ソースドレイン及び第三十四ゲートはいずれも、前記低周波タイミング信号第一入力端25に電気接続される。前記第三十二ソースはそれぞれ、前記第三十三ソース、第三十四ドレイン、第二十六ゲート及び第二十七ゲートに電気接続される。前記第三十三ゲートは前記低周波タイミング信号第二入力端26に電気接続される。前記第三十四ソースは前記第三十五ドレインに電気接続される。前記三十五ゲートはそれぞれ、第三十一ゲート、第二十一ソース、第二十二ソース、付加コンデンサーC
B2の一端、第二十三ゲート、第二付加出力端39、第二十六ドレイン及び第二十四ドレインに電気接続される。前記三十五ソースは低レベル入力端27に電気接続される。
【0087】
図16に示すとおり、本実施例の回路の作動過程は第一実施例のゲート駆動ユニットの作動と類似している。相違点は次のとおりである。タイミングt1のとき、トランジスタT21、T22が同時オン状態になることにより、Q
DM(N)に対して充電をする。タイミングt4のとき、第一実施例のゲート駆動ユニットのトランジスタT3の代わりにトランジスタT22を用いることにより、Q
DM(N)に対して放電をする。タイミングt4の以降、タイミング信号第二入力端に入力される信号でトランジスタT22を制御し、Q
DM(N)端の電圧をV
Lに降下させることにより、回路のタイミングフィードスルー効果を有効に抑制することができる。本実施例において、他の信号V
G(N+3)を提供する必要がなく、他の信号Q
(N+1)を提供する必要がない。したがって、多段電極接続型における、本実施例のゲート駆動ユニットは後ろのユニットにフィードバック信号を提供する必要がない利点を有している。
【0088】
図17は本発明の付加ゲート駆動ユニットの第二実施例を示す図であり、
図17と
図15〜
図16及び
図1〜
図4とを一緒に参照することができる。本実施例と第一実施例は類似しており、相違点は次のとおりである。本実施例において、前記第一付加ドロップダウンユニット55の第二十四薄膜トランジスタの第二十四ソースはそれぞれ、前記第二十五ドレイン、付加コンデンサーC
b2の他端、第一付加出力端38及び第二付加ドロップダウンユニット57に電気接続される。前記第一付加ドロップダウン信号生成ユニット56の第二十六薄膜トランジスタの第二十六ソースはそれぞれ、前記第二十七ドレイン、付加コンデンサーC
b2の他端、第一付加出力端38、第二十五ドレイン及び第二十三ソースに電気接続される。上述した接続構造により、高温であるt2〜t3のとき、第二十四薄膜トランジスタと第二十六薄膜トランジスタの漏電を抑制し、回路が高温下で作動するようにすることができる。この原因は次のとおりである。
【0089】
高温の環境において、回路中の薄膜トランジスタの閾値電圧が低下し、移動率が増加することにより、トランジスタの導電能力が増加する。ECKが高レベルであり、EXCKが低レベルである場合について、
図15、
図16及び
図17を参照することができる。回路が作動するタイミングt2〜t3において、CK
1は薄膜トランジスタT23を通過してV
DM(N)に対して充電し、V
DM(N)は高レベルに上昇する。コンデンサーのブートストラップにより、Q
DM(N)の電圧を上昇させ、V
DM(N)の上昇を加速する。これはフィードバックの過程である。しかしながら、高温下の薄膜トランジスタT26の導電能力が増加することにより、Q
DM(N)は薄膜トランジスタT26によって漏電する。したがって、前記過程が破壊され、回路が失効状態になる。本実施例において、第二十六ソースがV
DM(N)に電気接続されることにより、回路が作動するタイミングt2〜t3のとき、薄膜トランジスタT26のゲート・ソースは負圧になり、薄膜トランジスタT26の漏電を有効に抑制することができる。EXCKが高レベルであり、ECKが低レベルである場合も、薄膜トランジスタT24の漏電を有効に抑制することができる。したがって、本実施例のゲート駆動ユニットを高温環境に適用することができる。
【0090】
本実施例の回路が作動することは、第一実施例の付加ゲート駆動ユニットの作動と類似しているので、ここでは再び説明しない。
【0091】
図18は本発明の付加ゲート駆動ユニットの第三実施例を示す図であり、
図18と
図15〜
図16及び
図1〜
図4とを一緒に参照することができる。本実施例と第一実施例は類似しており、相違点は次のとおりである。本実施例において、前記第一付加ドロップダウン信号生成ユニット56の第二十九ゲートはそれぞれ、前記第二十八ソース、前記第二十九ソース、第三十ドレイン、第二十四ゲート、第二十五ゲートに電気接続される。前記第二付加ドロップダウン信号生成ユニット58の第三十三ゲートはそれぞれ、前記第三十二ソース、前記第三十三ソース、第三十四ドレイン、第二十六ゲート、第二十七ゲートに電気接続される。上述した接続構造により、低周波タイミング入力端ECK/EXCKの負荷を低減し、回路の電気消耗を低減することができる。
【0092】
本実施例の回路が作動することは、第一実施例の付加ゲート駆動ユニットの作動と類似しているので、ここでは再び説明しない。
【0093】
図19は本発明の付加ゲート駆動ユニットの第四実施例を示す図であり、
図19、
図15〜
図16、
図18及び
図1〜
図4を一緒に参照することができる。本実施例と第三実施例は類似しており、相違点は次のとおりである。本実施例において、前記第一付加ドロップダウンユニット55の第二十四薄膜トランジスタの第二十四ソースはそれぞれ、前記第二十五ドレイン、付加コンデンサーC
b2の他端、第一付加出力端38及び第二付加ドロップダウンユニット57に電気接続される。前記第二付加ドロップダウンユニット57の第二十六薄膜トランジスタの第二十六ソースはそれぞれ、前記第二十七ドレイン、付加コンデンサーC
b2の他端、第一付加出力端38、第二十五ドレイン及び第二十三ソースに電気接続される。上述した接続構造により、高温下のブートストラップ階段の第二十四薄膜トランジスタと第二十六薄膜トランジスタの漏電を抑制し、回路が高温下で作動するようにすることができる。
【0094】
本実施例の回路が作動することは、第一実施例の付加ゲート駆動ユニットの作動と類似しているので、ここでは再び説明しない。
【0095】
図18と
図1〜
図19を一緒に参照すると、本発明の集積ゲート駆動回路を具備する表示パネルが示されている。前記表示パネルは、液晶表示パネルであるか或いはOLED表示パネルであり、データ駆動回路11と表示パネル本体12を含む。前記表示パネル本体12は前記集積ゲート駆動回路と表示パネル画素区域16を含む。前記表示パネル画素区域16は排列されている複数個の画素ユニット18を含む。
【0096】
上述したとおり、本発明の集積ゲート駆動回路と集積ゲート駆動回路を具備する表示パネルにおいて、回路が一対のドロップダウン構造を採用することにより、回路のドロップダウンユニットと付加ドロップダウンユニット中の薄膜トランジスタは二極性電圧バイアスの作動環境で作動することができ、ドロップダウンユニットと付加ドロップダウンユニット中の薄膜トランジスタの閾値電圧の変化を有効に抑制し、回路の作動寿命を延長することができる。これにより、回路は大中サイズ表示パネルの要求を満たすことができる。また、回路の構造が簡単であり、電気消耗が少なく、低温及び高温の作動環境に適用することができる利点を有している。
【0097】
以上、本発明の好適な実施例について詳述してきたが、本発明が前記実施例の構成にのみ限定されるものでない。本技術分野の技術者によって、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれることは勿論である。