特許第6302392号(P6302392)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6302392
(24)【登録日】2018年3月9日
(45)【発行日】2018年3月28日
(54)【発明の名称】ラッチ回路およびフリップフロップ回路
(51)【国際特許分類】
   H03K 3/3562 20060101AFI20180319BHJP
   H03K 3/037 20060101ALI20180319BHJP
【FI】
   H03K3/3562
   H03K3/037 B
【請求項の数】3
【全頁数】9
(21)【出願番号】特願2014-206992(P2014-206992)
(22)【出願日】2014年10月8日
(65)【公開番号】特開2016-76864(P2016-76864A)
(43)【公開日】2016年5月12日
【審査請求日】2017年3月8日
(73)【特許権者】
【識別番号】000003078
【氏名又は名称】株式会社東芝
(73)【特許権者】
【識別番号】317011920
【氏名又は名称】東芝デバイス&ストレージ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107928
【弁理士】
【氏名又は名称】井上 正則
(72)【発明者】
【氏名】田中 康規
(72)【発明者】
【氏名】菊地 直人
(72)【発明者】
【氏名】平川 菜津美
(72)【発明者】
【氏名】高山 伸一
(72)【発明者】
【氏名】増見 純也
【審査官】 白井 亮
(56)【参考文献】
【文献】 米国特許出願公開第2013/021078(US,A1)
【文献】 特開2011−171916(JP,A)
【文献】 特開2011−228944(JP,A)
【文献】 米国特許第06819156(US,B1)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
H03K 3/3562
H03K 3/037
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1のインバータと、第1の出力端子を有する第1のゲート回路と、第2の出力端子を有する第2のゲート回路と、第1のPMOSトランジスタとを備え、
前記第1のインバータは、入力されたデータ信号を反転させて出力し、
前記第1のゲート回路は、電源端子へソース端子が接続されゲート端子へ前記データ信号が入力される第2のPMOSトランジスタと、前記第2のPMOSトランジスタと前記第1の出力端子との間に接続され、ゲート端子へ前記第2の出力端子が接続される第3のPMOSトランジスタと、ドレイン端子が前記第1の出力端子に接続され、ゲート端子へ前記データ信号が入力される第1のNMOSトランジスタと、ドレイン端子が前記第1のNMOSトランジスタのソース端子に接続され、ソース端子が接地端子に接続され、ゲート端子へクロック信号が入力される第2のNMOSトランジスタと、ドレイン端子が前記第1の出力端子に接続され、ソース端子が前記接地端子に接続され、ゲート端子へ前記第2の出力端子が接続される第3のNMOSトランジスタとを有し、
前記第2のゲート回路は、前記電源端子へソース端子が接続されゲート端子へ前記第1のインバータの出力信号が入力される第4のPMOSトランジスタと、前記第4のPMOSトランジスタと前記第2の出力端子との間に接続され、ゲート端子へ前記第1の出力端子が接続される第5のPMOSトランジスタとを有し、
前記第1のPMOSトランジスタは、前記第2のPMOSトランジスタのドレイン端子と前記第4のPMOSトランジスタのドレイン端子との間に接続され、ゲート端子へ前記クロック信号が入力されるものであって、
前記第1のインバータの出力信号を反転させる第2のインバータと、
前記第のPMOSトランジスタと並列に接続され、ゲート端子へ前記第2のインバータの出力信号が入力される第のPMOSトランジスタと
を備えることを特徴とするラッチ回路。
【請求項2】
前記第2のゲート回路が、
ドレイン端子が前記第2の出力端子に接続され、ゲート端子へ前記第1のインバータの出力信号が入力される第4のNMOSトランジスタと、
ドレイン端子が前記第4のNMOSトランジスタのソース端子に接続され、ソース端子が前記接地端子に接続され、ゲート端子へ前記クロック信号が入力される第5のNMOSトランジスタと、
ドレイン端子が前記第2の出力端子に接続され、ソース端子が前記接地端子に接続され、ゲート端子へ前記第1の出力端子が接続される第6のNMOSトランジスタと
を備えることを特徴とする請求項1に記載のラッチ回路。
【請求項3】
請求項1乃至のいずれか1項に記載のラッチ回路をマスタラッチおよびスレーブラッチとして用いる
ことを特徴とするフリップフロップ回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、ラッチ回路およびフリップフロップ回路に関する。
【背景技術】
【0002】
ラッチ回路の構成形態の1つとして、データ信号およびクロック信号が入力される第1のゲート回路と、データ信号の反転信号およびクロック信号が入力される第2のゲート回路とを有し、それぞれの出力を相手側の入力へたすき掛け接続する構成がある。このような構成のCMOS型ラッチ回路の動作時の消費電流は、データの活性率が低い通常の動作ではクロックが入力されるMOSトランジスタの充放電電流の割合が高い。
【0003】
その対策としては、クロックが入力されるMOSトランジスタの数を少なくすることが有効である。そこで、本出願人は、ラッチ回路を構成する第1のゲート回路と第2のゲート回路との間でクロック信号が入力されるMOSトランジスタを共有する回路を考案し、出願している。
【0004】
ただし、このクロック信号が入力されるMOSトランジスタを共有するラッチ回路では、データ信号の反転信号を生成するインバータの遅延時間の影響でハザードが発生し、製造プロセスや動作電圧の条件によっては動作が不安定になることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開2011−171916号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明が解決しようとする課題は、クロック信号が入力されるMOSトランジスタの数を少なくしても安定な動作を行うことのできるラッチ回路およびフリップフロップ回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
実施形態のラッチ回路は、第1のインバータと、第1の出力端子を有する第1のゲート回路と、第2の出力端子を有する第2のゲート回路と、のPMOSトランジスタとを備えており、第2のインバータと、第のPMOSトランジスタとを備える。第1のインバータは、入力されたデータ信号を反転させて出力する。第1のゲート回路は、電源端子へソース端子が接続されゲート端子へ前記データ信号が入力される第2のPMOSトランジスタと、前記第2のPMOSトランジスタと前記第1の出力端子との間に接続され、ゲート端子へ前記第2の出力端子が接続される第3のPMOSトランジスタと、ドレイン端子が前記第1の出力端子に接続され、ゲート端子へ前記データ信号が入力される第1のNMOSトランジスタと、ドレイン端子が前記第1のNMOSトランジスタのソース端子に接続され、ソース端子が接地端子に接続され、ゲート端子へクロック信号が入力される第2のNMOSトランジスタと、ドレイン端子が前記第1の出力端子に接続され、ソース端子が前記接地端子に接続され、ゲート端子へ前記第2の出力端子が接続される第3のNMOSトランジスタとを有する。第2のゲート回路は、前記電源端子へソース端子が接続されゲート端子へ前記第1のインバータの出力信号が入力される第4のPMOSトランジスタと、前記第4のPMOSトランジスタと前記第2の出力端子との間に接続され、ゲート端子へ前記第1の出力端子が接続される第5のPMOSトランジスタとを有する。第1のPMOSトランジスタは、前記第2のPMOSトランジスタのドレイン端子と前記第4のPMOSトランジスタのドレイン端子との間に接続され、ゲート端子へ前記クロック信号が入力される。第2のインバータは、前記第1のインバータの出力信号を反転させる。第のPMOSトランジスタは、前記第のPMOSトランジスタと並列に接続され、ゲート端子へ前記第2のインバータの出力信号が入力される。
【図面の簡単な説明】
【0008】
図1】第1の実施形態のラッチ回路の構成の例を示す回路図。
図2】第1の実施形態のラッチ回路の論理ゲートレベルの回路図および論理動作波形図。
図3】第1の実施形態のラッチ回路の動作説明用の参照回路図。
図4】第1の実施形態のラッチ回路の動作を説明するための図。
図5】第2の実施形態のフリップフロップ回路の構成の例を示す回路図。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図中、同一または相当部分には同一の符号を付して、その説明は繰り返さない。
【0010】
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態のラッチ回路の構成の例を示す回路図である。
【0011】
本実施形態のラッチ回路1は、本出願人による既出願(特開2011−171916号公報)のラッチ回路と同様、その基本構成として、電源端子Vccへソース端子が接続されゲート端子へデータ信号Dが入力されるPMOSトランジスタP11を有するゲート回路11と、データ信号Dを反転させるインバータIV11と、ゲート回路11とたすき掛け接続され、電源端子Vccへソース端子が接続されゲート端子へインバータIV11の出力信号DNが入力されるPMOSトランジスタP21を有するゲート回路12と、PMOSトランジスタP11のドレイン端子とPMOSトランジスタP21のドレイン端子との間に接続され、ゲート端子へクロック信号CKが入力されるPMOSトランジスタP3を備えている。PMOSトランジスタP3は、ゲート回路11とゲート回路12に共有される。
【0012】
また、ラッチ回路1は、ゲート回路11の出力を反転させて出力信号Qとして出力するインバータIV13を備える。
【0013】
本実施形態のラッチ回路1は、上述の基本構成に加えて、さらに、インバータIV11の出力信号DNを反転させるインバータIV12と、PMOSトランジスタP11と並列に接続され、ゲート端子へインバータIV12の出力信号DNNが入力されるPMOSトランジスタP13と、を備える。
【0014】
これにより、ゲート回路11は、ゲート端子へデータ信号Dが入力されるPMOSトランジスタP11と、PMOSトランジスタP11に並列に接続されゲート端子へ信号DNNが入力されるPMOSトランジスタP13と、PMOSトランジスタP11のドレイン端子と出力端子NAとの間に接続されゲート端子へゲート回路12の出力端子NBが接続されるPMOSトランジスタP12とを備えることになる。
【0015】
また、ゲート回路11は、出力端子NAと接地端子VSSとの間に、ドレイン端子が出力端子NAに接続されゲート端子へデータ信号Dが入力されるNMOSトランジスタN11と、ドレイン端子がNMOSトランジスタN11のソース端子に接続されソース端子が接地端子VSSに接続されゲート端子へクロック信号CKが入力されるNMOSトランジスタN12と、ドレイン端子が出力端子NAに接続されソース端子が接地端子VSSに接続されゲート端子へゲート回路12の出力端子NBが接続されるNMOSトランジスタN13と、を備える。
【0016】
ゲート回路12は、ゲート端子へ信号DNが入力されるPMOSトランジスタP21と、PMOSトランジスタP21のドレイン端子と出力端子NBとの間に接続されゲート端子へゲート回路11の出力端子NAが接続されるPMOSトランジスタP22と、ドレイン端子が出力端子NBに接続されゲート端子へ信号DNが入力されるNMOSトランジスタN21と、ドレイン端子がNMOSトランジスタN21のソース端子に接続されソース端子が接地端子VSSに接続されゲート端子へクロック信号CKが入力されるNMOSトランジスタN22と、ドレイン端子が出力端子NBに接続されソース端子が接地端子VSSに接続されゲート端子へゲート回路11の出力端子NAが接続されるNMOSトランジスタN23と、を備える。
【0017】
図2(a)は、本実施形態のラッチ回路1を論理ゲートレベルで表した回路図である。論理ゲートレベルで表すと、ゲート回路11およびゲート回路12は、ともにAND−NOR型の複合ゲートとなる。
【0018】
図2(b)は、本実施形態のラッチ回路1の論理動作波形図である。ラッチ回路1は、クロック信号CKがH(高レベル)の期間はデータ信号Dの変化がそのまま出力信号Qの変化に現れるスルー動作を行い、クロック信号CKがL(低レベル)の期間は出力信号Qの値を保持する保持動作を行う。
【0019】
次に、既出願のラッチ回路に対して本実施形態で追加したインバータIV12およびPMOSトランジスタP13の回路動作上の効果について、図3および図4を用いて説明する。
【0020】
図3は、既出願のラッチ回路の構成の例を示す回路図である。図3に示すラッチ回路では、ゲート回路11Aの電源端子Vccと出力端子NAとの間には、直列に接続されたPMOSトランジスタP11とPMOSトランジスタP12のみが接続されている。
【0021】
このラッチ回路において、クロック信号CKがLで、ゲート回路11Aの出力端子NAにH、ゲート回路12の出力端子NBにLが保持されているときに、データ信号DがLからHへ変化したとする。
【0022】
データ信号DがLからHへ変化したことにより、PMOSトランジスタP11はオンからオフへ変化し、NMOSトランジスタN11はオフからオンへ変化する。
【0023】
このとき、インバータIV11の出力信号DNは、インバータIV11の伝搬遅延により、データ信号Dの変化から時間Δt1遅れてHからLへ変化する。そのため、このΔt1の期間は、PMOSトランジスタP21はオフのままである。
【0024】
したがって、クロック信号CKが入力されるPMOSトランジスタP3がオンしていても、電源端子Vccとゲート回路11Aの出力端子NAとの電流経路は遮断される。そのため、この期間、ゲート回路11Aの出力端子NAのHレベルは、出力端子NAの寄生容量C1に蓄積された電荷により保持される。その電荷Qは、出力端子NAの電圧をV、寄生容量C1の容量をC1とすると、Q=C1・Vと表される。
【0025】
ところが、データ信号DのLからHへの変化によりNMOSトランジスタN11がオンすることにより、電荷Qに対して、出力端子NAの寄生容量C1とNMOSトランジスタN11の寄生容量C2との間でチャージシェアリングが発生する。
【0026】
これにより、寄生容量C1から寄生容量C2への電荷の移動が生じ、電荷Qは、その容量比に応じて寄生容量C1と寄生容量C2とに分配される。
【0027】
そのため、電荷移動後の出力端子NAの電圧V1は、寄生容量C2の容量をC2とすると、V1=C1/(C1+C2)・Vとなり、当初の電圧Vより低下する。
【0028】
この出力端子NAの電圧の低下がインバータIV13の閾値を超えると、本来保持されるべきラッチ回路の出力Qのレベルも、LからHへ変化する。そのため、出力Qの接続先の回路に誤動作が生じるおそれが発生する。
【0029】
図4には、これに対する本実施形態のラッチ回路1の動作の様子を示す。本実施形態のラッチ回路1の場合、PMOSトランジスタP11と並列にPMOSトランジスタP13が接続され、そのゲート端子へ、インバータIV12によりインバータIV11の出力信号DNを反転させた信号DNNが入力される。
【0030】
インバータIV12の出力信号DNNは、インバータIV12の伝搬遅延により、インバータIV11の出力信号DNの変化から時間Δt2遅れて変化する。
【0031】
したがって、データ信号DのLからHへの変化後、インバータIV11の出力信号DNがHであるΔt1の期間、インバータIV12の出力信号DNNは、Lのままである。そのため、このΔt1の期間、PMOSトランジスタP13はオンしたままである。
【0032】
これにより、図3のラッチ回路とは異なり、クロック信号CKがLのときに、データ信号DがLからHへ変化してPMOSトランジスタP11がオフしても、PMOSトランジスタP13により、電源端子Vccとゲート回路11の出力端子NAとの間の電流経路が維持される。
【0033】
したがって、データ信号DのLからHへの変化によりNMOSトランジスタN11がオンしたとき、寄生容量C2は、電源端子Vccから流れる電流により充電される。そのため、本実施形態では、ゲート回路11の出力端子NAのHレベルの電圧が安定している。
【0034】
このような本実施形態によれば、ゲート回路11とゲート回路12でクロック信号CKが入力されるPMOSトランジスタP3を共有する回路構成において、データ信号Dを反転させるインバータIV11に伝搬遅延があっても、ゲート回路11の出力端子NAにチャージシェアリングによるレベル変動が発生せず、出力保持期間の出力信号Qのレベルを安定的に保持することができる。
【0035】
(第2の実施形態)
図5は、第2の実施形態のフリップフロップ回路の構成の例を示す回路図である。
【0036】
本実施形態のフリップフロップ回路2は、マスタラッチ21およびスレーブラッチ22に、第1の実施形態のラッチ回路1を使用する。
【0037】
マスタラッチ21は、データ入力にデータ信号Dが入力され、クロック入力にクロック信号CK をインバータIV21で反転させた信号が入力される。
【0038】
スレーブラッチ22は、データ入力にマスタラッチ21の出力が入力され、クロック入力にクロック信号CKが入力される。
【0039】
フリップフロップ回路2は、クロック信号CKの立ち上りに同期して出力信号Qが変化する。
【0040】
このような本実施形態によれば、マスタラッチ21およびスレーブラッチ22に第1の実施形態のラッチ回路1を使用するので、クロック信号が入力されるPMOSトランジスタの数を少なくすることができるとともに、出力レベルを安定に保持することができる。
【0041】
以上説明した少なくとも1つの実施形態のラッチ回路およびフリップフロップ回路によれば、クロック信号が入力されるMOSトランジスタの数を少なくしても安定な動作を行うことができる。
【0042】
また、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0043】
1 ラッチ回路
11、12 ゲート回路
2 フリップフロップ回路
21 マスタラッチ
22 スレーブラッチ
P11〜P13、P21〜P22、P3 PMOSトランジスタ
N11〜N13、N21〜N23 NMOSトランジスタ
IV11〜IV13、IV21 インバータ
図1
図2
図3
図4
図5