特許第6304899号(P6304899)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許6304899希土類酸化物ゲート誘電体を備えた、シリコン基板上に成長したIII−N半導体素子
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  • 特許6304899-希土類酸化物ゲート誘電体を備えた、シリコン基板上に成長したIII−N半導体素子 図000002
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