特許6306331窒化物半導体層の成長方法及び窒化物半導体素子の製造方法

発明の名称　窒化物半導体層の成長方法及び窒化物半導体素子の製造方法

出願人　ソウル　バイオシス　カンパニー　リミテッド　（識別番号 506029004）

　　　　特許公開件数ランキング 7534 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 1845 位（1件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6306331

公報発行日　2018年4月4

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6306331

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