特許 6306402 有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ表示装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6306402

(24)【登録日】2018年3月16日

(45)【発行日】2018年4月4日

(54)【発明の名称】有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ表示装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/10 20060101AFI20180326BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20180326BHJP

   H05B 33/06 20060101ALI20180326BHJP

   H05B 33/04 20060101ALI20180326BHJP

   H05B 33/26 20060101ALI20180326BHJP

   H01L 27/32 20060101ALI20180326BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20180326BHJP

【ＦＩ】

   H05B33/10

   H05B33/14 A

   H05B33/06

   H05B33/04

   H05B33/26 Z

   H01L27/32

   G09F9/30 365

【請求項の数】9

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2014-79181(P2014-79181)

(22)【出願日】2014年4月8日

(65)【公開番号】特開2015-201325(P2015-201325A)

(43)【公開日】2015年11月12日

【審査請求日】2017年3月28日

(73)【特許権者】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】特許業務法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】松本 優子

【審査官】 川村 大輔

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００１−１０９３９８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−３８８３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−９３３９８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｂ ３３／００−３３／２８

Ｈ０１Ｌ ５１／５０−５１／５６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

表示領域内にマトリクス状に配置された複数の画素と、
前記複数の画素の各々に配置され、導電材料からなる下部電極と、
前記表示領域の全体を覆うように配置され、導電材料からなる上部電極と、
前記下部電極及び前記上部電極の間に配置され、有機材料からなる発光層を含む複数の層からなる有機層と、
前記表示領域の外側に形成された導電体からなる配線と、
前記配線上に形成され、前記配線に対して非接触の側面部が配線に覆い被さるように延びるテーパ部を有するテーパ構造層と、を備え、
前記有機層のうちの少なくとも一つの層は、前記テーパ構造層上に形成され、
前記テーパ構造層は、前記側面部に囲まれたコンタクトホールを形成し、前記上部電極は前記コンタクトホールを介して前記配線と接している、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。

【請求項2】

請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置において、
向かい合う前記テーパ部の間の前記配線上に配置され、前記有機層のうちの少なくとも一つの層の層構成であり、周囲を上部電極に覆われた島状部を更に備える、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。

【請求項3】

請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記テーパ構造層は、前記下部電極の層構成を有している、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。

【請求項4】

請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記コンタクトホールは、複数形成されている、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。

【請求項5】

請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記コンタクトホールは一方向に延びる帯状であり、複数並列して配置されている、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。

【請求項6】

請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記複数のコンタクトホールは、マトリクス状に配置されている、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。

【請求項7】

表示領域の外側に導電材料からなる配線を形成する配線形成工程と、
前記配線上に被エッチング層を成膜する被エッチング層形成工程と、
前記被エッチング層に対し、選択的にオーバーエッチングすることにより、前記配線を露出させる穴部を形成すると共に、前記穴部を形成する側面部が前記配線に覆い被さるように延びるテーパ部を形成するテーパ構造層形成工程と、
前記テーパ構造層形成工程の後、有機材料からなる有機層を前記テーパ構造層に対して成膜する有機層成膜工程と、
前記有機層成膜工程の後、導電材料からなる上部電極を成膜する上部電極形成工程と、を備え、
前記有機層成膜工程において成膜される有機層は、前記穴部において切断されて成膜され、
前記上部電極形成工程において成膜される上部電極は、前記穴部において前記配線と接続する、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。

【請求項8】

請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
前記上部電極形成工程の後、無機材料により表示領域及び表示領域の外側を覆うように封止膜を形成する封止膜形成工程と、
エッチングにより部分的に少なくとも封止膜、上部電極及び有機層を除去し、外部との信号入出力をおこなう外部端子を露出させる外部端子形成工程と、を更に備える、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。

【請求項9】

請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
前記テーパ構造層形成工程は、前記上部電極と対となって、有機材料からなる発光層を発光させる下部電極を形成する工程である、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode）と呼ばれる自発光体を用いた画像表示装置（以下、「有機ＥＬ表示装置」という。）が実用化されている。この有機ＥＬ表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、自発光体を用いているため、視認性、応答速度の点で優れているだけでなく、バックライトのような補助照明装置を要しないため、更なる薄型化が可能となっている。

【0003】

特許文献１は、有機材料からなる平坦化膜の外周部を、表示領域外においてアルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちいずれか一つを含む電荷輸送層が覆うことにより、水分やガスが有機層に侵入することを抑制することについて開示している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００９−２９５９１１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

有機ＥＬ表示装置では、発光層を有する有機層を挟む２つの電極である上部電極及び下部電極のうち、上部電極は、有機層が形成された表示領域全面を覆う電極であり、透明の導電性材料により形成される。この上部電極は表示領域外において配線に接続されることとなるが、製造工程では、この表示領域外における接続を行うために、上部電極よりも先に成膜される有機層が表示領域外に蒸着されないように、蒸着マスクを用いた蒸着工程等を行っていた。しかしながら、蒸着マスクは、高精度の加工を必要とし高価であると共に、定期的に洗浄及び交換を必要とすることから、蒸着マスクを用いた蒸着工程は、作業工数を増加させ、製造コストの増加に繋がるものであった。

【0006】

本発明は、上述の事情を鑑みてしたものであり、製造コストがより低減された有機ＥＬ表示装置、及び製造コストがより低減された有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の有機ＥＬ表示装置は、表示領域内にマトリクス状に配置された複数の画素と、前記複数の画素の各々に配置され、導電材料からなる下部電極と、前記表示領域の全体を覆うように配置され、導電材料からなる上部電極と、前記下部電極及び前記上部電極の間に配置され、有機材料からなる発光層を含む複数の層からなる有機層と、前記表示領域の外側に形成された導電体からなる配線と、前記配線上に形成され、前記配線に対して非接触の側面部が配線に覆い被さるように延びるテーパ部を有するテーパ構造層と、を備え、前記有機層のうちの少なくとも一つの層は、前記テーパ構造層上に形成され、前記テーパ構造層は、前記側面部に囲まれたコンタクトホールを形成し、前記上部電極は前記コンタクトホールを介して前記配線と接している、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置である。

【0008】

また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、向かい合う前記テーパ部の間の前記配線上に配置され、前記有機層のうちの少なくとも一つの層の層構成であり、周囲を上部電極に覆われた島状部を更に備えることとしてもよい。

【0009】

また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、前記テーパ構造層は、前記下部電極の層構成を有していてもよい。

【0010】

また、本発明の有機ＥＬ表示装置において、前記コンタクトホールは、複数形成されていてもよく、この場合には、前記コンタクトホールは一方向に延びる帯状であり、複数並列して配置されていてもよい。また、前記複数のコンタクトホールは、マトリクス状に配置されていてもよい。

【0011】

本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法によれば、表示領域の外側に導電材料からなる配線を形成する配線形成工程と、前記配線上に被エッチング層を成膜する被エッチング層形成工程と、前記被エッチング層に対し、選択的にオーバーエッチングすることにより、前記配線を露出させる穴部を形成すると共に、前記穴部を形成する側面部が前記配線に覆い被さるように延びるテーパ部を形成するテーパ構造層形成工程と、前記テーパ構造層形成工程の後、有機材料からなる有機層を前記テーパ構造層に対して成膜する有機層成膜工程と、前記有機層成膜工程の後、導電材料からなる上部電極を成膜する上部電極形成工程と、を備え、前記有機層成膜工程において成膜される有機層は、前記穴部において切断されて成膜され、前記上部電極形成工程において成膜される上部電極は、前記穴部において前記配線と接続する、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法である。

【0012】

また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記上部電極形成工程の後、無機材料により表示領域及び表示領域の外側を覆うように封止膜を形成する封止膜形成工程と、エッチングにより部分的に少なくとも封止膜、上部電極及び有機層を除去し、外部との信号入出力をおこなう外部端子を露出させる外部端子形成工程と、を更に備えていてもよい。

【0013】

また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記テーパ構造層形成工程は、前記上部電極と対となって、有機材料からなる発光層を発光させる下部電極を形成する工程であってもよい。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す図である。

【図2】図１の有機ＥＬパネルの構成を示す図である。

【図3】図２のIII−III線におけるＴＦＴ基板の断面を概略的に示す図である。

【図4】図３の外側領域ＦにおけるＡの領域を拡大して示す概略図である。

【図5】コンタクトホールの配置の一例について示す部分平面図である。

【図6】コンタクトホールの配置の別の例について示す部分平面図である。

【図7】有機ＥＬ表示装置の製造工程の概略について示すフローチャートである。

【図8】図７のＴＦＴ基板成膜工程について、より詳細に示すフローチャートである。

【図9】図８のテーパ構造層形成工程について説明するための図である。

【図10】図８の有機層成膜工程について説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0016】

図１には、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００が概略的に示されている。この図に示されるように、有機ＥＬ表示装置１００は、上フレーム１１０及び下フレーム１２０に挟まれるように固定された有機ＥＬパネル２００から構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置１００は、例えば下フレーム１２０のみに固定される形態等その他の形態であってもよい。

【0017】

図２には、図１の有機ＥＬパネル２００の構成が示されている。有機ＥＬパネル２００は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）基板２２０と対向基板２３０との２枚の基板を有し、これらの基板の間には透明樹脂が充填されている。ＴＦＴ基板２２０は、表示領域Ｄにマトリクス状に配置された画素２８０を有している。ここで表示領域の外側の領域を外側領域（額縁領域）Ｆとする。また、ＴＦＴ基板２２０には、画素２８０のそれぞれに配置されたＴＦＴからなる画素トランジスタの走査信号線に対してソース・ドレイン間を導通させるための電位を印加すると共に、各画素トランジスタのデータ信号線に対して画素の階調値に対応する電圧を印加する駆動回路である駆動ＩＣ（Integrated Circuit）２６０が載置されている。なお、ＴＦＴには、ＬＴＰＳ半導体、アモルファス半導体、酸化物半導体その他の半導体を用いることができる。また、図２では、対向基板２３０を有する構成としたが、対向基板２３０を有しない有機ＥＬパネル２００とすることもでき、また、基板間の透明樹脂を用いない構成とすることもできる。また、基板にはガラスの他、柔軟性・可撓性のあるプラスチック等の材料を用いることができる。なお、駆動回路は、一部又は全部がＴＦＴ基板２２０上に形成された薄膜トランジスタにより形成された回路であってもよい。

【0018】

また、本実施形態に係る有機ＥＬパネル２００において、ＴＦＴ基板２２０の表示領域Ｄに配置された各画素２８０の発光素子は白色を発光し、対向基板２３０においてＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）Ｗ（白）の４色の光として透過させることにより、カラー表示を行うものとすることができる。しかしながら、ＲＧＢの３色その他の色の組合せを用いてもよいし、ＴＦＴ基板２２０における発光素子が白色の一色でなく、複数の色を発光することによりカラー表示を行うものであってもよい。この場合おいては、対向基板２３０にカラーフィルタを用いない構成とすることもできる。

【0019】

図３は、図２のIII−III線におけるＴＦＴ基板２２０の断面を概略的に示す図である。この図に示されるように、図３は、表示領域Ｄから表示領域の外側の領域である外側領域Ｆに渡る断面について示しており、表示領域Ｄにおいては、ガラス等の絶縁性のある材料で形成される基材２２１上に、不図示のＴＦＴ回路が形成され、ＴＦＴ回路上に有機ＥＬ素子を形成するための有機材料からなる平坦化膜２２２が形成されている。更に、平坦化膜２２２上には有機ＥＬ素子の発光層において発光した光を反射する反射膜２２４と、反射膜２２４上に配置され、各画素２８０毎にＴＦＴ回路により制御された電位が印加される下部電極２２５と、下部電極２２５の端部を覆い隣接する下部電極２２５との間を絶縁する画素分離膜２２３とが形成されている。下部電極２２５及び画素分離膜２２３上には、有機材料からなる発光層を有する複数の層からなる有機層２２６が表示領域Ｄの全面に成膜され、その上には例えば酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide）、インジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide）その他の光透過性のある導電材料からなる上部電極２２７と、例えばＳｉＮやＳｉＯ等の無機絶縁材料からなり、水分の侵入を遮断する封止膜２２８とが成膜されている。

【0020】

なお、図３では、下部電極２２５及び反射膜２２４を別にしているが、下部電極２２５が反射膜２２４を兼ねるものとして、反射膜２２４を形成しない構成であってもよい。また、有機層２２６に含まれる複数の層には無機材料からなる層が含まれるものであってもよい。また、ＴＦＴ回路としては、周知の回路を含め、有機ＥＬ表示装置１００の発光制御に適したものを適宜用いることができる。外側領域Ｆにおいては、上部電極２２７に定電位を印加するための配線２２９が形成されており、複数箇所において上部電極２２７と接続される。

【0021】

図４は、図３の外側領域ＦにおけるＡの領域を拡大して示す概略図である。この図に示されるように、配線２２９上には、端部の側面部２４４が配線に覆い被さるように延びるテーパ部２４３を有するテーパ構造層２４１が形成され、そのテーパ構造層２４１上に有機層２２６が形成されている。テーパ部２４３は、向かい合わせられるように配置されており、その間は配線２２９へのコンタクトホール２４５となっている。有機層２２６上には上部電極２２７が配置されると共に、コンタクトホール２４５内に上部電極２２７が成膜され、上部電極２２７は電気的に配線２２９に接続される。上部電極２２７上には封止膜２２８が形成される。ここで、向かい合うテーパ部２４３の間の配線２２９上において、有機層２２６の層構成であり、周囲を上部電極２２７に覆われた島状部２４６が形成されていてもよい。ここで、テーパ構造層２４１は、下部電極２２５の層構成とすることもできる。テーパ構造層２４１を下部電極２２５の層構成とすることにより、下部電極２２５と同時に成膜することができるため、製造工程を削減し、製造コストをより抑えることができる。しかしながら、テーパ構造層２４１は、下部電極２２５と同じ層構成であるものに限られず、無機材料、有機材料、導電材料及び非導電材料のいずれであってもよい。また、外側領域Ｆの有機層２２６は、表示領域Ｄの有機層２２６が有する複数の層のうち、一部の層で構成されるものであってもよい。また、下部電極２２５及び／又はテーパ構造層２４１は、例えば、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ及びＭｏ／Ｗ／Ｔｉその他の積層構造とすることができる。

【0022】

図５は、コンタクトホール２４５の配置の一例について示す部分平面図である。この図の例では、コンタクトホール２４５は、外側領域Ｆにおいて帯状に延び、複数並列して配置されている。なお、図５では帯状に延びるコンタクトホール２４５について示しているが、ＴＦＴ基板２２０の角部において異なる方向に延びるコンタクトホール２４５がそれぞれ接続され、コンタクトホール２４５のそれぞれが表示領域Ｄの３辺又は４辺を囲うように形成されることとしてもよい。

【0023】

図６は、コンタクトホール２４５の配置の別の例について示す部分平面図である。この図の例では、矩形のコンタクトホール２４５が、外側領域Ｆにおいてマトリクス状に配置されている。ここで各コンタクトホール２４５は矩形に限らず円形等その他の形状であってもよい。なお、図５及び６の例に限られず、コンタクトホール２４５は、外側領域Ｆの大きさ、コンタクトホールに必要な面積等に応じて適宜配置することができる。図５及び６の例に示されるように、コンタクトホール２４５を複数箇所において形成することにより、より確実に上部電極２２７と配線２２９との接続を確保することができると共に、表示領域Ｄにおける上部電極２２７の電位を均一化することができる。また、形状や数を適切に定めることにより、上部電極２２７と配線２２９との接触面積を広げ、消費電力を抑えると共に、上部電極の電位を更に均一化することができる。

【0024】

図７は、有機ＥＬ表示装置１００の製造工程の概略について示すフローチャートである。このフローチャートに示されるように、有機ＥＬ表示装置１００の製造工程では、基材となる絶縁性のある基板にＴＦＴ回路の各層を形成すると共に、有機ＥＬ素子の各層を形成するＴＦＴ基板成膜工程Ｓ１００と、例えばＴＦＴ基板２２０に対向基板２３０を貼り合わせ、切断の後、駆動ＩＣ２６０等を載置して有機ＥＬパネル２００とする等、有機ＥＬパネルを組立てるパネル組立切断工程Ｓ２００と、下フレーム１２０等のフレームを組合せ有機ＥＬ表示装置１００とする装置組立工程Ｓ３００とを有している。なお、有機ＥＬ表示装置１００の構成が、例えば柔軟性のある基材により形成される等で異なる場合には、製造工程のこれらの内容及び組合せは異なるものとすることができる。

【0025】

図８は、図７のＴＦＴ基板成膜工程Ｓ１００について、より詳細に示すフローチャートである。なお、このフローチャートは、外側領域Ｆにおける成膜に着目して示されており、このフローチャートに含まれていない表示領域Ｄ内の工程等は適宜組み合わせられる。ＴＦＴ基板成膜工程Ｓ１００では、まず配線形成工程Ｓ１０１において、配線２２９を形成する。なお、配線２２９の形成においては、表示領域Ｄ内の配線、例えばＴＦＴ回路の配線と同時に成膜し、フォトリソグラフィ工程等により形成することができる。次に被エッチング層成膜工程Ｓ１０２において、エッチング後にテーパ構造層２４１となる被エッチング層２５１（後述）を成膜する。ここで被エッチング層２５１は、下部電極２２５と同じ材料で同時に成膜することができる。下部電極２２５と同時に成膜されることにより製造工程を削減し、製造コストを抑えることができる。しかしながら、被エッチング層２５１は、下部電極２２５とは異なる層構成で、下部電極２２５と異なるタイミングで成膜されるものであってもよい。

【0026】

図９は、図８のテーパ構造層形成工程Ｓ１０３について説明するための図である。テーパ構造層形成工程Ｓ１０３では、エッチングマスク２５２をフォトリソグラフィ工程等を用いて形成し（Ｓ１０３１）、ウェットエッチングにより被エッチング層２５１に穴を開ける。ここで被エッチング層２５１がオーバーエッチングされることにより、側面部２４４が配線に覆い被さるように延びるテーパ部２４３が形成され、テーパ構造層２４１となる。テーパ部２４３は、互いに向かい合わせられるように形成され、コンタクトホール２４５となる（Ｓ１０３２）。被エッチング層２５１が積層構造を有する場合には、例えば積層構造の最上位の層をそれより下位の層よりエッチングレートの低い層として形成することにより、最上位の層をエッチングマスク２５２として用いることができる。

【0027】

図８に戻り、有機層成膜工程Ｓ１０４において、表示領域Ｄ及び外側領域Ｆに渡って、蒸着マスクなしで有機層２２６を蒸着により成膜する。ここで、表示領域Ｄの有機層２２６は複数の層から構成され、このうち少なくとも一部の層が、蒸着マスクなしで外側領域Ｆにおいても成膜されることとしてもよい。外側領域Ｆのコンタクトホール２４５では、有機層２２６は、図１０に示されるように、テーパ部２４３の下には蒸着されないため、段切れし、配線２２９へのコンタクトホール２４５を保ったまま成膜される。ここで、向かい合うテーパ部２４３の間の配線２２９上に島状部２４６が形成されてもよく、また、向かい合うテーパ部２４３の幅その他の成膜条件により形成されなくてもよい。このように有機層２２６が段切れになっているため、表示領域Ｄに外部からの水分の侵入経路がなくなり、ダークスポット等の水分に起因する表示不良を防止することができる。

【0028】

次に、上部電極形成工程Ｓ１０５において、表示領域Ｄ及び外側領域Ｆに渡って、透明な導電膜からなる上部電極２２７がスパッタリングにより成膜される。上部電極２２７は、スパッタリングの特性により、回り込んでコンタクトホール２４５を埋め、配線２２９に接触する。島状部２４６が形成されている場合には、上部電極２２７は、島状部２４６の周囲も覆うこととなる。続いて、封止膜形成工程Ｓ１０６において、表示領域Ｄ及び外側領域Ｆに渡って、無機絶縁膜等からなる封止膜２２８が形成される（図４）。

【0029】

また、外部端子形成工程Ｓ１０７では、駆動ＩＣ２６０又はＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）を接続させる端子をＴＦＴ基板２２０の表面に露出させる。この際、ウェットエッチング又はドライエッチングにより、封止膜２２８、上部電極２２７及び有機層２２６を剥がすこととなるが、外側領域Ｆに形成された有機層２２６は剥離層の役割を果たすため、封止膜２２８及び上部電極２２７を剥がしやすく、外部端子となる配線等を露出させやすい。外部端子形成工程Ｓ１０７では、ドライエッチング又はウェットエッチングを用いることとしたが、この工程を有せずに別の工程で外部端子を形成することとしてもよく、また、外部端子形成工程Ｓ１０７は、ＴＦＴ基板成膜工程Ｓ１００において実施されなくてもよい。

【0030】

以上説明したように、上述の実施形態によれば、有機層２２６の少なくとも一部の層において蒸着マスクなしで、表示領域Ｄ及び外側領域Ｆに渡って成膜することができるため、高価であり、定期的に洗浄及び交換を必要とする蒸着マスクの使用を削減し、製造工程を簡略化すると共に、製造コストを低減することができる。また、上述の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００は、コストを抑えて製造されることができる。

【0031】

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0032】

１００ 有機ＥＬ表示装置、１１０ 上フレーム、１２０ 下フレーム、２００ 有機ＥＬパネル、２２０ ＴＦＴ基板、２２１ 基材、２２２ 平坦化膜、２２３ 画素分離膜、２２４ 反射膜、２２５ 下部電極、２２６ 有機層、２２７ 上部電極、２２８ 封止膜、２２９ 配線、２３０ 対向基板、２４１ テーパ構造層、２４３ テーパ部、２４４ 側面部、２４５ コンタクトホール、２４６ 島状部、２５１ 被エッチング層、２５２ エッチングマスク、２６０ 駆動ＩＣ、２８０ 画素。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】