特許 6307154 露出センサアレイを伴うセンサパッケージ及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6307154

(24)【登録日】2018年3月16日

(45)【発行日】2018年4月4日

(54)【発明の名称】露出センサアレイを伴うセンサパッケージ及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/02 20060101AFI20180326BHJP

   H01L 23/10 20060101ALI20180326BHJP

   H01L 27/146 20060101ALI20180326BHJP

【ＦＩ】

   H01L23/02 F

   H01L23/10 B

   H01L27/146 D

【請求項の数】4

【全頁数】19

(21)【出願番号】特願2016-518375(P2016-518375)

(86)(22)【出願日】2014年6月2日

(65)【公表番号】特表2016-524329(P2016-524329A)

(43)【公表日】2016年8月12日

(86)【国際出願番号】US2014040506

(87)【国際公開番号】WO2014197370

(87)【国際公開日】20141211

【審査請求日】2015年12月2日

(31)【優先権主張番号】61/830,563

(32)【優先日】2013年6月3日

(33)【優先権主張国】US

(31)【優先権主張番号】61/831,397

(32)【優先日】2013年6月5日

(33)【優先権主張国】US

(31)【優先権主張番号】14/292,744

(32)【優先日】2014年5月30日

(33)【優先権主張国】US

(73)【特許権者】

【識別番号】515084100

【氏名又は名称】オプティツ インコーポレイテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100086771

【弁理士】

【氏名又は名称】西島 孝喜

(74)【代理人】

【識別番号】100088694

【弁理士】

【氏名又は名称】弟子丸 健

(74)【代理人】

【識別番号】100094569

【弁理士】

【氏名又は名称】田中 伸一郎

(74)【代理人】

【識別番号】100067013

【弁理士】

【氏名又は名称】大塚 文昭

(74)【代理人】

【識別番号】100109070

【弁理士】

【氏名又は名称】須田 洋之

(74)【代理人】

【識別番号】100109335

【弁理士】

【氏名又は名称】上杉 浩

(74)【代理人】

【識別番号】100120525

【弁理士】

【氏名又は名称】近藤 直樹

(72)【発明者】

【氏名】オガネシアン ヴァーゲ

(72)【発明者】

【氏名】ルー ジェンフア

【審査官】 麻川 倫広

(56)【参考文献】

【文献】 特表２００９−５１２２０２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−１０８２８５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−０３４２７０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−０３４７８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−２７８２６０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許第０７５７６４０１（ＵＳ，Ｂ１）

【文献】 米国特許出願公開第２００７／０２１０３９９（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２００７−２３４９４９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−１８６２８８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許第０５７３１２２２（ＵＳ，Ａ）

【文献】 米国特許第０４６２２５７４（ＵＳ，Ａ）

【文献】 特開２００２−２２２９３５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−２０３８５７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２００８／０１８５６７１（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２００６−１４５５０１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｂ８１Ｂ１／００−７／０４

Ｂ８１Ｃ１／００−９９／００

Ｈ０１Ｌ２１／３３９

２１／５４

２３／００−２３／０４

２３／０６−２３／１０

２３／１６−２３／２６

２７／１４

２７／１４４−２７／１４８

２９／７６２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

対向する第１面及び第２面、並びにその第１面と第２面との間に各々延びる複数の導電性素子を有する第１基板；
対向する前面及び後面、その前面上又は内に形成された複数の検出器、及び前面に形成されて複数の検出器に電気的に結合された複数の接触パッドを含む第２基板；
前記前面にマウントされる第３基板であって、前記第３基板上に直接配置されたスペーサ材料及び、前記スペーサ材料と前記前面との間に配置されたエポキシ結合材によって前記第３基板は前面にマウントされて、該第３基板と前記前面との間に空洞を画成しており、前記空洞から第３基板を貫通して延びる第１開口を含み、該第１開口の幅が、該複数の検出器を全く覆わないように、広がっている、前記第３基板；
と、を備え、前記後面は、前記第１面にマウントされるものであり、更に、
前記接触パッドの１つと前記導電性素子の１つとの間に各々延びて、それらを電気的に接続する複数のワイヤ；
を備え、
前記ワイヤ、前記導電性素子に隣接する前記第１基板の第１面の１つ以上の部分、及び前記複数の接触パッドに隣接する前記第２基板の前面の１つ以上の部分をカプセル化するオーバーモールド材料、
前記オーバーモールド材料にマウントされたレンズモジュールを更に備え、このレンズモジュールは、ハウジングと、前記第１開口を通して前記複数の検出器に光を収束するように配置された１つ以上のレンズ、とを備えている
パッケージ型センサアッセンブリ。

【請求項2】

前記第１基板は、導電性シリコン材料で作られ、そして前記アッセンブリは、前記導電性素子と前記第１基板との間に配置された絶縁材料を更に備えている、請求項１に記載のパッケージ型センサアッセンブリ。

【請求項3】

対向する第１面及び第２面を含む第１基板を準備し；
第１面と第２面との間に各々延びる複数の導電性素子を形成し；
対向する前面及び後面と、その前面上又は内に形成された複数の検出器と、前面に形成されて、前記複数の検出器に電気的結合された複数の接触パッドとを含む第２基板を準備し；
第３基板を貫通する第１開口を形成し、
該第３期板上に直接スペーサ材料を形成し、
その第３基板と前記前面との間に空洞を画成するように、前記第３基板を、前記スペーサ材料と前記前面との間に直接配置されたエポキシ結合剤とともに前記前面にマウントし、第１開口は該第３基板を通して空洞から延びており、かつ前記第１開口の幅が、前記複数の検出器を全く覆わないように、広がっており；
前記第３基板に前記第１開口を覆うようにして保護テープを貼り付け；
前記後面を前記第１面にマウントし；
前記接触パッドの１つと前記導電性素子の１つとの間に延びて、それらを電気的に接続する複数のワイヤを準備し；及び
前記第１基板に前記後面をマウントした後、かつ前記複数のワイヤを準備した後に、前記保護テープを除去し；
前記ワイヤ、前記導電性素子に隣接する前記第１基板の第１面の１つ以上の部分、及び前記複数の接触パッドに隣接する前記第２基板の前面の１つ以上の部分をオーバーモールド材料でカプセル化し、
前記オーバーモールド材料にレンズモジュールをマウントすることを更に含み、該レズモジュールは、ハウジングと、前記第１開口を通して前記複数の検出器に光を収束するように配置された１つ以上のレンズとを備えている、
ことを含むパッケージ型センサアッセンブリの製造方法。

【請求項4】

前記第１基板は、導電性シリコン材料で作られ、そして前記方法は、前記導電性素子と前記第１基板との間に配置される絶縁材料を形成することを更に含む、請求項３に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照：本出願は、２０１３年６月３日に出願された米国プロビジョナル特許出願第６１／８３０，５６３号及び２０１３年６月５日に出願された第６１／８３１，３９７号の利益を主張するもので、これらの出願は、参考としてここに援用される。

【0002】

本発明は、画像センサ及び化学的センサのようなマイクロエレクトロニックセンサ装置のパッケージングに関するもので、より特定すれば、センサを保護し、電気的に接続し、しかも、露出したままにするセンサパッケージに関する。

【背景技術】

【0003】

半導体装置のトレンドは、小型パッケージ（オフチップシグナリング接続性を与えながらチップを保護する）に収容された小型集積回路（ＩＣ）装置（チップとも称される）である。その一例として、入射光を電気信号に変換する光検出器を含むＩＣ装置である画像センサがある。

【0004】

画像センサは、典型的に、センサを汚染から保護するパッケージにカプセル化され、そしてオフチップシグナリング接続性を与える。しかしながら、光学的センサをカプセル化するのに使用される透明基板が、これを貫通してセンサへ通過する光に悪影響を及ぼす（例えば、歪及び光子ロス）。別の形式のセンサは、ガスや化学薬品のような物理的な物質を検出する化学的センサである。しかしながら、動作のため、化学的センサは、環境から遮断することができず、そのようなセンサを保護及びオフチップシグナリング接続性のためにパッケージすることが依然要望されている。

【0005】

従来のセンサパッケージが、米国特許公告第２００５／０１０４１８６号及び第２００５／００５１８５９号、並びに米国特許第６，６２７，８６４号に開示されている。開示されたセンサパッケージの各々は、センサチップ、シリコン部材のようなホスト基板、ＰＣＢ又はＦｌｅｘ−ＰＣＢ、センサエリアのための窓開口、及びセンサエリアをハーメチックシールする透明ガラス、を含む。任意に及びしばしば、シールされたエリアには透明のエポキシが充填されて、センサダイとホスト基板との間のボンディング強度を改善するが、少なくとも若干の光子センサ感度を犠牲にする。透明ガラスは、センサエリアを汚染及び湿気から保護する一方、パッケージに対して付加的な基板強度及び剛性も与える。センサチップは、通常、フリップチップ又はワイヤボンディング技術によりホスト基板にマウントされる。これは、センサのボンディングパッドを、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）のような相互接続部を通して、ホスト基板の表面上の複数の金属トレースに接続できるようにする。金属トレースは、一般的に、ホスト基板の表面上に堆積され、これは、典型的に、単一回路層より成る。しかしながら、これらの構成でサイズ減少を達成し且つアッセンブルプロセス中にセンサエリアの汚染を防止することは困難である。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

センサにオフチップシグナリング接続性と共にある程度の保護を与え、しかもセンサを検出対象に露出させたままにする、改善されたパッケージ及びパッケージング技術が要望される。又、ホスト基板を支持する改善された取り付け及び接続機構も要望される。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上述した問題及び要望は、対向する第１面及び第２面、並びにその第１面と第２面との間に各々延びる複数の導電性素子を有する第１基板を備えたパッケージ型センサアッセンブリによって対処される。第２基板は、対向する前面及び後面と、その前面上又は内に形成された１つ以上の検出器と、前面に形成されて１つ以上の検出器に電気的に結合された複数の接触パッドとを含む。第３基板は、該第３基板と前面との間に空洞を画成するように前面にマウントされ、更に、第３基板は、空洞から第３基板を貫通して延びる第１開口を含む。後面は、第１面にマウントされる。複数のワイヤが、各々、接触パッドの１つと導電性素子の１つとの間に延びて、それらを電気的に接続する。

【0008】

パッケージ型センサアッセンブリは、対向する前面及び後面を含む第１基板；その前面上又は内に形成された１つ以上の検出器；前面に形成されて１つ以上の検出器に電気的に結合された複数の接触パッド；第２基板であって、該第２基板と前面との間に空洞を画成するように前面にマウントされ、その空洞から第２基板を貫通して延びる第１開口を含むような第２基板；第１基板の前面に形成された溝；及び接触パッドの１つから溝へと各々延びる複数の導電性トレース；を備えている。

【0009】

パッケージ型センサアッセンブリの製造方法は、対向する第１面及び第２面を含む第１基板を準備し；第１面と第２面との間に各々延びる複数の導電性素子を形成し；第２基板（対向する前面及び後面と、その前面上又は内に形成された１つ以上の検出器と、前面に形成されて１つ以上の検出器に電気的結合された複数の接触パッドとを含む）を準備し；第３基板を、その第３基板と前面との間に空洞を画成するように前面にマウントし、第３基板は、該第３基板を通して空洞から延びる第１開口を含むものであり；後面を第１面にマウントし；そして接触パッドの１つと導電性素子の１つとの間に延びて、それらを電気的に接続する複数のワイヤを準備する；ことを含む。

【0010】

パッケージ型センサアッセンブリの製造方法は、第１基板（対向する前面及び後面と、その前面上又は内に形成された１つ以上の検出器と、前面に形成されて１つ以上の検出器に電気的結合された複数の接触パッドとを含む）を準備し；第２基板を、その第２基板と前面との間に空洞を画成するように前面にマウントし、第２基板は、該第２基板を通して空洞から延びる第１開口を含むものであり；第１基板の前面に溝を形成し；及び接触パッドの１つから溝へと各々延びる複数の導電性トレースを形成する；ことを含む。

【0011】

本発明の他の目的及び特徴は、明細書、請求の範囲及び添付図面を検討することにより明らかとなろう。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1A】画像センサのためのパッケージ型センサアッセンブリを形成するステップを順次に示す断面側面図である。

【図1B】画像センサのためのパッケージ型センサアッセンブリを形成するステップを順次に示す断面側面図である。

【図1C】画像センサのためのパッケージ型センサアッセンブリを形成するステップを順次に示す断面側面図である。

【図1D】画像センサのためのパッケージ型センサアッセンブリを形成するステップを順次に示す断面側面図である。

【図1E】画像センサのためのパッケージ型センサアッセンブリを形成するステップを順次に示す断面側面図である。

【図1F】画像センサのためのパッケージ型センサアッセンブリを形成するステップを順次に示す断面側面図である。

【図1G】画像センサのためのパッケージ型センサアッセンブリを形成するステップを順次に示す断面側面図である。

【図1H】画像センサのためのパッケージ型センサアッセンブリを形成するステップを順次に示す断面側面図である。

【図1I】画像センサのためのパッケージ型センサアッセンブリを形成するステップを順次に示す断面側面図である。

【図1J】画像センサのためのパッケージ型センサアッセンブリを形成するステップを順次に示す断面側面図である。

【図1K】画像センサのためのパッケージ型センサアッセンブリを形成するステップを順次に示す断面側面図である。

【図1L】画像センサのためのパッケージ型センサアッセンブリを形成するステップを順次に示す断面側面図である。

【図1M】画像センサのためのパッケージ型センサアッセンブリを形成するステップを順次に示す断面側面図である。

【図1N】画像センサのためのパッケージ型センサアッセンブリを形成するステップを順次に示す断面側面図である。

【図1O】画像センサのためのパッケージ型センサアッセンブリを形成するステップを順次に示す断面側面図である。

【図1P】画像センサのためのパッケージ型センサアッセンブリを形成するステップを順次に示す断面側面図である。

【図2】パッケージ型センサアッセンブリにマウントされたレンズモジュールを示す断面側面図である。

【図3】化学的センサのためのパッケージ型センサアッセンブリを示す別の実施形態の断面側面図である。

【図4A】別の実施形態のパッケージ型センサアッセンブリを形成するステップを順次に示す断面側面図である。

【図4B】別の実施形態のパッケージ型センサアッセンブリを形成するステップを順次に示す断面側面図である。

【図4C】別の実施形態のパッケージ型センサアッセンブリを形成するステップを順次に示す断面側面図である。

【図4D】別の実施形態のパッケージ型センサアッセンブリを形成するステップを順次に示す断面側面図である。

【図4E】別の実施形態のパッケージ型センサアッセンブリを形成するステップを順次に示す断面側面図である。

【図4F】別の実施形態のパッケージ型センサアッセンブリを形成するステップを順次に示す断面側面図である。

【図5A】センサを横切る物理的な物質の流れを与える保護基板の複数開口を示す断面側面図である。

【図5B】センサを横切る物理的な物質の流れを与える保護基板の複数開口を示す断面側面図である。

【図6】保護基板における複数の開口、及びセンサを横切る物理的な物質の非線型流を与えるための空洞内のダム構造を示す断面側面図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

本発明は、センサチップに保護を与え、オフチップシグナリング接続性を与え、サイズが最小であり、且つ確実に製造できるパッケージング解決策に関する。

【0014】

図１Ａ−１Ｐは、パッケージ型センサアッセンブリ１の製造を示す。製造は、図１Ａに示すように、複数のセンサ１２が形成されたウェハ１０（基板）で始まる。説明上、パッケージ型センサの製造は、光学的センサに関して述べるが、任意のセンサ（例えば、化学的センサ、等）を使用することもできる。各画像センサ１２は、複数の光検出器１４、サポート回路１６、及び接触パッド１８を備えている。センサ１２は、各センサ１２の活性エリア１７に入射する光を検出しそして測定するように構成される。接触パッド１８は、オフチップシグナリングを与えるために、光検出器１４及び／又はそれらのサポート回路１６に電気的に接続される。各光検出器１４は、光エネルギーを電圧信号に変換する。電圧を増幅し、及び／又はデジタル信号に変換するために付加的な回路が含まれる。光検出器１４の上には、カラーフィルタ及び／又はマイクロレンズ２０がマウントされる。この形式のセンサは、良く知られており、ここでは詳細に述べない。

【0015】

次いで、センサ窓開口をもつ保護基板が形成される。保護基板２２は、ガラス又は他の光学的に透明又は半透明の堅牢な基板である。ガラスは、好ましい材料である。ガラスの厚みは、５０ないし１５００μｍの範囲が好ましい。センサエリアの窓開口２４は、例えば、レーザー、サンドブラスティング、エッチング、又は他の適当な空洞形成方法により保護基板２２に形成される。保護基板２２に形成された開口２４が、図１Ｂに示されている。開口２４の側壁は、図示されたように垂直でもよいし、又は内方又は外方にテーパー付けされてもよい。好ましくは、開口２４は、図１Ｄ及び１Ｆに各々示すように、それらが位置するその下の活性領域１７にサイズが等しいか又はそれより小さい。或いは又、図１Ｃ及び１Ｅに示すように、活性エリア１７ごとに複数の開口２４があってもよい。各活性エリアは、少なくとも１つの開口２４を有する。開口２４は、特定のセンサ機能に適合する任意の形状又はサイズである。開口２４は、慣習的な画像センサパッケージに見られる光学的に透明な保護基板により生じる歪及び光子ロスを排除することにより画像センサに利益を与える。又、開口２４は、センサの活性エリア１７を環境に露出し、化学的センサ検出器で、センサが露出されるガス及び化学薬品のような物理的な物質を検出できるようにする。

【0016】

開口２４が形成される前又は形成された後に、保護基板２２には任意のスペーサ材料層２６が堆積される。スペーサ材料２６は、ポリマー、エポキシ及び／又は他の適当な材料（１つ又は複数）である。堆積は、ローラー、スプレー塗装、スクリーン印刷、又は他の適当な方法で実施することができる。堆積材料の厚みは、５ないし５００μｍの範囲である。スペーサ材料２６は、図１Ｇに示すように、開口２４の縁に整列されるか、図１Ｈに示すように、開口２４の縁から離間されるか、又は図１Ｉに示すように、その両方の組み合わせである。好ましくは、スペーサ材料２６は、それがマウントされる基板１０の接触パッド１８及び活性エリア１７との接触を回避するように配置される（例えば、活性エリア１７と各接触パッド１８との間に配置される）。

【0017】

接合剤を使用して基板１０の活性面に保護構造体（基板２２及びスペーサ材料２６）が接合される。接合剤は、ローラーにより堆積されて熱硬化されるエポキシであるか、又は良く知られた他の適当な接合方法である。保護基板２２上に保護テープ２８が配置され、画像センサ１２ごとにハーメチックシールの空洞３０を形成する。空洞３０の高さは、５ないし５００μｍの範囲であるのが好ましい。空洞３０には、ガス又は液体が充填されるか、又は真空の生成によって全てのガスが排出される。基板１０は、その背面から材料を除去することにより薄化されるのも任意である。シリコン基板１０の場合には、シリコンの薄化は、機械的グラインディング、化学的機械的ポリシング（ＣＭＰ）湿式エッチング、大気ダウンストリームプラズマ（ＡＰＤ）、乾式化学エッチング（ＤＣＥ）、又は前記プロセスの組み合わせ、或いは別の適当なシリコン薄化方法により、実行することができる。薄化された基板１０の厚みは、１００ないし２０００μｍの範囲である。それにより得られる構造が図１Ｊに示されている。

【0018】

センサ１２間及び接触パッド１８上の保護基板２２の部分は、レーザーカット装置、機械的鋸引き、それらプロセスの組み合わせ、又は他の適当なガラスカット方法を使用して除去される。レーザーカットは、好ましい切断方法である。このプロセスは、各保護空洞３０を他のセンサ１２のための他の保護空洞から分離し、従って、保護空洞の単体化を達成する。このステップは、センサパッド１８を露出させる。次いで、基板１０は、各センサ１２及びその各々のパッケージを分離するように単体化／ダイシングされる。ウェハレベルダイシング／単体化は、機械的ブレードダイシング装置、レーザーカッティング又は他の適当なプロセスで実行される。それにより得られる構造が図１Ｋに示されている。

【0019】

ホスト基板アッセンブリ３４は、先ず、有機フレックスＰＣＢ、ＦＲ４ ＰＣＢ、シリコン（剛性）、ガラス、セラミック又は他の形式のパッケージ基板であるホスト基板３６を準備することにより形成される。ＶＩＡ（垂直相互接続アクセス）開口３８は、機械的掘削、レーザー、乾式エッチング、湿式エッチング、又は良く知られた他の適当なＶＩＡ開口形成方法により、ホスト基板３６を貫通して形成される。レーザーを使用してＶＩＡ開口３８を形成するのが好ましい。ＶＩＡ開放壁は、漏斗形状となるようにテーパー付けされるか、又はＶＩＡの上部及び下部の両方が円筒形状となるように同じ寸法にされる。それにより得られる構造が図１Ｌに示されている。

【0020】

ホスト構造体３６の全面（ＶＩＡ開口３８の側壁を含む）にわたって誘電体材料層４０が形成される。この層４０は、ホスト構造体３６が導電性シリコンのような導電性材料で作られる場合に望ましいものとなる。誘電体材料層４０は、物理的蒸着（ＰＶＤ）により堆積される二酸化シリコンである。ホスト構造体３６がフレックスＰＣＢ又はＦＲ４樹脂のような非導電性有機材料で作られる場合には、誘電体層４０を省略することができる。次いで、ホスト構造体３６の全面にわたり導電性材料４２が形成される（ＶＩＡ開口３８を部分的に又は完全に充填することを含む）。導電性材料４２は、銅、アルミニウム、導電性ポリマー、又は他の適当な導電性材料である。導電性材料４２は、物理的蒸着（ＰＶＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、メッキ、又は他の適当な堆積方法によって堆積することができる。ＶＩＡ開口３８の側壁に導電性材料４２を被覆するか、又はＶＩＡ開口３８に、図１Ｍに示すように、導電性材料４２を完全に充填することができる。

【0021】

ホスト基板３６の上面及び下面の両方にわたってホトレジスト層４４が堆積される。ホトレジスト堆積方法は、スプレーコーティング又は他の適当な堆積方法である。ホトレジスト４４は、ＶＩＡ開口３８の上及び最終的にトレースを形成する通路の上だけにホトレジスト４４を残すように、良く知られた適当なホトリソグラフィープロセスを使用して露出され、エッチングされる。導電性材料のエッチングは、導電層４２の露出部分（即ち、残りのホトレジスト４４の下でない部分）を除去するように遂行される。例えば、リード線、接触部、リルート接触部及びトレースがこのエッチングによって形成され、これは、良く知られた乾式又は湿式エッチング方法を使用することができる。それにより得られる構造が図１Ｎに示されている。

【0022】

ホトレジストは、硫酸、アセトン、又は他の適当なホトレジスト剥離方法を使用して剥離される。導電性材料４２に対して任意のメッキプロセス（例えば、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ）を遂行することができる。ホスト基板３６の底面のＶＩＡ開口３８の上で導電性材料４２に相互接続部４６が形成される。相互接続部は、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）、ランドグリッドアレイ（ＬＧＡ）、バンプ、銅ピラー、又は他の適当な相互接続方法を含む。ボールグリッドアレイは、好ましい相互接続方法の１つであり、スクリーン印刷及びそれに続くリフロープロセスにより堆積することができる。次いで、上述した単体化基板１０（センサ１２を伴う）が、適当な接着剤４８を使用して、例えば、基板１０又はホスト基板３６又はその両方に接着剤を堆積し、そしてホスト基板３６に基板１０をピッキング／配置した後に適当な硬化プロセスを行うことにより、ホスト基板に取り付けられる。接触パッド１８と、ＶＩＡ開口３８の導電性材料４２との間に電気的相互接続、好ましくは、良く知られたボンディングワイヤ５０が追加される。それにより得られる構造が図１Ｏに示されている。

【0023】

ホスト基板３６上及びマウントされたセンサ１２間にオーバーモールド材料５２が付与される。オーバーモールド材料５２は、エポキシ、樹脂、又は良く知られた他のオーバーモールド材料である。硬化されたオーバーモールド材料５２の上面は、保護基板２２の上面より低く且つワイヤボンド接触部の上面より高いのが好ましい。ホスト基板３６は、マウントされたセンサ１２間の罫書き線に沿って単体化される。パッケージのダイシング及び単体化は、機械的ブレードダイシング装置、レーザーカッティング又は他の適当なプロセスで行うことができる。仕上げられたセンサパッケージは、相互接続部４６を経て第２のホスト基板５４にマウントされる。第２のホスト基板５４は、柔軟なＰＣＢ、堅牢なＰＣＢ、又は接触パッド及び電気的相互接続部を伴う他の適用可能な基板である。次いで、保護テープ２８が除去され、センサ１２の活性エリア１７を環境に露出させる。その最終的なセンサアッセンブリ１が図１Ｐに示されている。

【0024】

最終的な構造において、センサ１２は、それが環境に露出されるように、基板１０上にせいぜい一部分延びるだけである保護基板により保護される。より詳細には、基板に入射する光は、透明な保護基板を通過することなくセンサ１２へ直接通過する。ＶＩＡ開口３８の導電性材料４２は、ワイヤ５０と相互接続部４６との間で基板３６を通して延びる電気的接触部又は導電性素子を通過する。オーバーモールド材料５２は、ワイヤ５０の接続を保護する。

【0025】

図２は、図１Ｐの構造体にマウントできるレンズモジュール６０を示す。このレンズモジュール６０は、入射光を、保護基板を通過させる必要なく、画像センサ１２に収束させるように１つ以上のレンズ６４がマウントされたハウジング６２を備えている。

【0026】

図３は、画像センサ１２ではなく化学的センサ７０を伴うパッケージ型センサアッセンブリ１を示す。化学的センサ７０は、開口２４を通して空洞３０へ入り込む化学物質又は粒子の存在を検出するために基板１０上又は内に形成された１つ以上の化学的検出器７２を備えている。化学的検出器７２は、検出された化学的物質又は粒子に応答して信号を発生し、そしてそれらの信号を接触パッド１８に与える。この形式の化学的センサは、良く知られており、ここではそれ以上説明しない。

【0027】

図４Ａ−４Ｆは、別の実施形態のパッケージ型センサアッセンブリの製造を示す。この製造は、ダイシング／単体化の前の、図１Ｋに示す構造で開始する。構造体の上にホトレジスト層４４が堆積される。ホトレジストの堆積は、スプレーコーティング又は他の適当な堆積方法によって行うことができる。ホトレジスト７４は、良く知られた適当なホトリソグラフィープロセスを使用して露出され、選択的にエッチングされる。硬化され／固化されたホトレジスト７４は、センサ１２間の基板の部分を露出したままにする。基板１０の露出部分は、基板１０の上面に溝を形成するようにエッチングされる（例えば、非等方的乾式エッチングにより）。ＣＦ₄、ＳＦ₆、ＮＦ₃、Ｃｌ₂、ＣＣｌ₂Ｆ₂のエッチング剤又は他の適当なエッチング剤を使用することができる。溝７６の好ましい深さは、基板１０の厚みの５％ないし５０％である。

【0028】

ホトレジスト７４は、アセトン、又は良く知られた他の乾式プラズマ又は湿式ホトレジスト剥離方法を使用して剥離される。二酸化シリコン又は窒化シリコンのような不動態化絶縁材料層７８が構造体上に堆積される。不動態化層７８は、二酸化シリコンで作られ、少なくとも０．５μｍであるのが好ましい。二酸化シリコンの堆積は、物理的蒸着（ＰＶＤ）、ＰＥＣＶＤ又は別の適当な堆積方法を使用して実行することができる。不動態化層７８の上にホトレジスト層８０が堆積される。ホトレジスト８０は、良く知られた適当なホトリソグラフィープロセスを使用して露出され選択的にエッチングされて、接触パッド１８の上、スペーサ材料２６、保護基板２２及びテープ２８に沿った及びその上のホトレジストの部分を除去する（従って、それらエリアの上の不動態化層７８の部分を露出させる）。不動態化層７８の露出部分は、例えば、プラズマエッチングにより除去されて、接触パッド１８、スペーサ材料２６、保護基板２２及びテープ２８を露出させる。不動態化層７８が二酸化シリコンである場合には、ＣＦ₄、ＳＦ₆、ＮＦ₃のエッチング剤又は他の適当なエッチング剤を使用することができる。不動態化層７８が窒化シリコンである場合には、ＣＦ₄、ＳＦ₆、ＮＦ₃、ＣＨＦ₃のエッチング剤又は他の適当なエッチング剤を使用することができる。それにより得られる構造が図４Ｂに示されている。

【0029】

ホトレジスト８０が除去された後に、構造体の上に導電性材料８２が堆積される。この導電性材料８２は、銅、アルミニウム、導電性ポリマー又は他の適当な導電性材料（１つ又は複数）である。導電性材料は、物理的蒸着（ＰＶＤ）、化学的蒸着（ＣＶＤ）、メッキ又は他の適当な堆積方法により堆積することができる。導電性材料８２は、アルミニウムであり、ＰＶＤによって堆積されるのが好ましい。構造体の上にホトレジスト層８４が堆積される。このホトレジスト層８４は、適当なホトリソグラフィープロセスを使用して露出及びエッチングされて、溝７６内の導電層８２の上及び接触パッド１８の上にマスクを形成する。ホトレジスト８４は、テープ２８、保護層２２、スペーサ材料２６の上から及び任意であるが基板１０が溝７６でダイシングされる場所から除去されて、それらのエリアで導電層８２を選択的に露出させる。導電層８２の露出部分は、例えば、乾式又は湿式エッチング方法を使用して除去される。導電層８２の残りの部分は、接触パッド１８の１つから溝７６の１つの底部へと各々延びる複数の個別のトレース（リード線）を形成する。湿式エッチングのエッチング剤は、燐酸（Ｈ₃ＰＯ₄）、酢酸、硝酸（ＨＮＯ₃）又は他の適当なエッチング剤である。乾式エッチングのエッチング剤は、Ｃｌ₂、ＣＣｌ₄、ＳｉＣｌ₄、ＢＣｌ₃又は他の適当なエッチング剤である。乾式エッチングは、このリード線形成のための好ましい方法。任意であるが、導電性材料８２は、保護基板の側壁に留まる。それにより得られる構造が図４Ｃに示されている。

【0030】

次いで、残りのホトレジスト８４が除去される。任意であるが、メッキプロセス（例えば、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ）をリード線（導電層８２）の上で遂行することができる。導電性リード構造体の上に任意のカプセル層８６が堆積される。カプセル層８６は、ポリイミド、セラミック、ポリマー、ポリマー組成物、パリレン、金属性酸化物、二酸化シリコン、窒化シリコン、エポキシ、シリコーン、磁器、窒化物、ガラス、イオン結晶、樹脂、及び前記材料又は他の適当な誘電体材料の組み合わせである。カプセル層８６は、好ましくは、０．１ないし２μｍであり、そして好ましい材料は、スプレーコーティングにより堆積できる半田マスクのような液体ホトグラフィーポリマーである。現像／硬化されたカプセル８４がリード線上以外で除去される場所でホトリソグラフィープロセスが実行される。リルート接触部８８は、溝７６の底部でカプセル層８６に開口を形成することにより形成できる。任意であるが、カプセル材料は、保護基板２２の側壁及び／又はテープ２８上に保持することができる。それにより得られる構造が図４Ｄに示されている。

【0031】

コンポーネントのウェハレベルダイシング／単体化は、機械的ブレードダイシング装置、レーザーカッティング、又は他の適当なプロセスで、好ましくは、溝７６の底部において実行することができる。リルート接触パッド又はフレックスＰＣＢに相互接続部９０を形成することができる。相互接続部９０は、ＢＧＡ、ＬＧＡ、スタッドバンプ、メッキバンプ、接着剤バンプ、ポリマーバンプ、銅ピラー、マイクロポスト、又は他の適当な相互接続方法である。相互接続部９０は、導電性材料（１つ又は複数）及び接着材料（１つ又は複数）より成る接着剤バンプで作られるのが好ましい。導電性材料は、半田、銀、銅、アルミニウム、金、それら材料の組み合わせ、或いは他の適当な導電性材料である。接着材料は、ニス、樹脂、及び前記材料の組み合わせ、又は他の適当な接着材料である。導電性接着剤は、空気式付与銃又は他の適当な付与方法により堆積され、次いで、熱、ＵＶ、又は他の適当な効果方法（１つ又は複数）により硬化されて、バンプを形成する。

【0032】

フレックスＰＣＢは、基板１０の全辺、３辺、２辺、又は１辺にマウントすることができる。例えば、基板１０の両面に２つのフレックスＰＣＢ９２を接合することができる。或いは又、窓開口をもつ単一のフレックスＰＣＢ９２を使用して、基板１０の１辺、２辺、３辺又は全辺から延ばすことができる。フレックスＰＣＢ９２は、１つ以上の回路層９３と、これに接続された接触パッド１８ａとを有する堅牢な又は柔軟な基板である。相互接続部９０は、接触パッド１８ａと導電性トレース８２との間に電気的に接続される。事前に鋳造された型の中にセンサパッケージが入れられ、次いで、選択されたオーバーモールドコンパウンド９４が型に注入される。オーバーモールド材料９４は、エポキシ、ポリマー、樹脂、又は良く知られた他のオーバーモールド材料である。硬化したオーバーモールド材料の上面は、保護基板２２の上面と同じ高さであるが、任意の高さに延びないことが好ましい。硬化したオーバーモールド材料９４は、基板１０を越えて延びないことが好ましい。次いで、保護テープ２８が除去されて、センサの活性エリアを環境へ露出させる。それにより生じる構造が図４Ｅに示されている。上述した任意のレンズモジュール６０は、図４Ｆに示すように、構造体の上部に取り付けることができる。

【0033】

前記構造体は、既知のパッケージよりコンパクトなチップ・オン・フィルム（ＣＯＦ）パッケージをなす。基板ダイ１０の縁を段構造にすることで薄い構造体を得、次いで、第２の段面に複数の金属トレース及びリルート接触パッドを形成し、その第２の段面は、金属トレースを経て頂面の接触パッド１８に接続される。柔軟なケーブル及び／又はＰＣＢがその第２の段面に接合される。この構造は、保護基板２２を、ホスト基板にマウントするのではなく、センサダイ１０に直接接合することで、その高さを下げ、それにより、パッケージの厚みを減少する。

【0034】

又、上述した構造は、パッケージ構造を通して画像センサの感度を高める。より詳細には、単に光線路を妨げないだけで高い光子感度を得ることができる。保護基板２２に開口２４を形成し、そして透明なアンダーフィルをセンサエリアの空洞に使用しないことにより、より多くの光子が高い精度で活性エリアに到達する。従来の装置は、センサエリアをハーメチックシールで保護するために保護基板及び透明なアンダーフィルに依存する。しかしながら、レンズモジュール６０で同じハーメチックシールを達成することができる。最後に、接着剤／アンダーフィルとして接合面の周りに型を適用するだけではなく、接合面全体を包囲するようにオーバーモールド材料５２／９４を使用することにより、優れた構造上の完全性が達成される。

【0035】

化学的センサの実施形態では、空洞３０を通りそしてセンサの活性エリアにわたる物理的物質の流れを促進するために複数の開口２４が使用される。保護基板２２の開口２４には入力及び出力取り付け部９６及び９８が接続され、ガス又は液体のような物理的物質が図５Ａ及び５Ｂに矢印で示すようにパッケージ構造体を通して流れる。図６に示すように、非直線的経路の空洞を通して物理的物質を誘導するために空洞３０に任意のダム構造体１００が含まれる。

【0036】

本発明は、図示して上述した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に入るいずれの及び全ての変形も包含するものと理解されたい。例えば、ここでの本発明との表現は、請求の範囲又は請求項を限定するものではなく、１つ以上の請求項により網羅される１つ以上の特徴を単に指すものである。上述した材料、プロセス及び数値の例は、単なる例示に過ぎず、請求項を限定するものではない。更に、請求の範囲及び明細書から明らかなように、全ての方法ステップを、それらに示された厳密な順序で実行する必要はなく、パッケージ型センサアッセンブリ１の適切な製造を許す任意の順序で実行してもよい。最後に、単一の材料層は、そのような材料又は同様の材料の複数の層として形成することができ、そしてその逆のこともいえる。

【0037】

ここで使用する語“over”及び“on”は、両方とも、“directly on”（中間的材料、素子又はスペースが間に配置されない）及び“indirectly on”（中間的材料、素子又はスペースが間に配置される）を包括的に含むことに注意されたい。同様に、語“mounted to”は、“directly mounted to” （中間的材料、素子又はスペースが間に配置されない）及び“indirectly mounted to” （中間的材料、素子又はスペースが間に配置される）を含み、そして“electrically coupled”は、“directly electrically coupled to” （中間的材料又は素子が間になく、素子を一緒に電気的に接続する）及び“indirectly electrically coupled to” （中間的材料又は素子が間にあって、素子を一緒に電気的に接続する）を含む。例えば、「基板の上に(over a substrate)」素子を形成するは、中間材料／素子を間にもたずに基板上に直接素子を形成する、及び１つ以上の中間材料／素子を間に入れて基板上に素子を間接的に形成する、を含む。

【符号の説明】

【0038】

１：パッケージ型センサアッセンブリ
１０：ウェハ
１２：画像センサ
１４：光検出器
１６：サポート回路
１７：活性エリア
１８：接触パッド
２０：マイクロレンズ
２２：保護基板
２４：開口
２６：スペーサ材料層
２８：保護テープ
３０：ハーメチックシール空洞
３４：ホスト基板アッセンブリ
３６：ホスト基板
３８：ＶＩＡ開口
４０：誘電体材料層
４２：導電性材料
４４：ホトレジスト
４６：相互接続部
５０：ボンディングワイヤ
５２：オーバーモールド材料
６０：レンズモジュール
６２：ハウジング
７０：化学的センサ
７２：化学的検出器
７４：ホトレジスト
７６：溝
７８：不動態化層
８０、８４：ホトレジスト
８２：導電性材料
８６：カプセル層
８８：リルート接触部
９０：相互接続部
９２：フレックスＰＣＢ
９４：オーバーモールド材料

【図1A】

【図1B】

【図1C-1D】

【図1E-1F】

【図1G】

【図1H】

【図1I】

【図1J】

【図1K】

【図1L】

【図1M】

【図1N】

【図1O】

【図1P】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図4F】

【図5A】

【図5B】

【図6】