(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
第1面と前記第1面と反対側の第2面とを有する絶縁基板と前記絶縁基板を貫通する貫通孔と前記貫通孔の壁上に形成されている筒状のスルーホール導体と前記スルーホール導体内を充填している充填樹脂と前記絶縁基板の第1面上に形成され前記スルーホール導体と前記充填樹脂を覆っている第1スルーホールランドと前記絶縁基板の第2面上に形成され前記スルーホール導体と前記充填樹脂を覆っている第2スルーホールランドとで形成されているコア基板と、
前記絶縁基板の第1面と前記第1スルーホールランド上に形成されている上側の層間樹脂絶縁層と、
前記上側の層間樹脂絶縁層上に形成されていて、上側のビアランドを含む上側の導体層と、
前記上側の層間樹脂絶縁層を貫通し、前記上側のビアランドと前記第1スルーホールランドを接続している複数の上側のビア導体を有するプリント配線板であって、
前記複数の上側のビア導体は前記第1スルーホールランドの直上に形成されていて、前記複数の上側のビア導体は、前記充填樹脂上に位置する中央ビア導体と前記中央ビア導体を囲む周囲ビア導体を含み、
前記上側の層間樹脂絶縁層と前記上側の導体層上に形成されている最上の層間樹脂絶縁層と、前記最上の層間樹脂絶縁層上に形成され最上のビアランドを含む最上の導体層と、前記最上の層間樹脂絶縁層を貫通し前記上側のビアランドと前記最上のビアランドを接続する複数の最上のビア導体を有し、前記複数の最上のビア導体は中央ビア導体と前記中央ビア導体を囲む周囲ビア導体を含み、前記最上のビア導体の前記中央ビア導体は前記上側のビア導体の前記中央ビア導体上に位置し、前記最上のビア導体の前記周囲ビア導体は前記上側のビア導体の前記周囲ビア導体上に位置していない。
第1面と前記第1面と反対側の第2面とを有する絶縁基板と前記絶縁基板を貫通する貫通孔と前記貫通孔の壁上に形成されている筒状のスルーホール導体と前記スルーホール導体内を充填している充填樹脂と前記絶縁基板の第1面上に形成され前記スルーホール導体と前記充填樹脂を覆っている第1スルーホールランドと前記絶縁基板の第2面上に形成され前記スルーホール導体と前記充填樹脂を覆っている第2スルーホールランドとで形成されているコア基板と、
前記絶縁基板の第1面と前記第1スルーホールランド上に形成されている上側の層間樹脂絶縁層と、
前記上側の層間樹脂絶縁層上に形成されていて、上側のビアランドを含む上側の導体層と、
前記上側の層間樹脂絶縁層を貫通し、前記上側のビアランドと前記第1スルーホールランドを接続しているリング状のビア導体を有するプリント配線板であって、
前記リング状のビア導体は前記第1スルーホールランドの直上に形成され、
さらに、前記上側の層間樹脂絶縁層と前記上側の導体層上に形成されている最上の層間樹脂絶縁層と、前記最上の層間樹脂絶縁層上に形成され最上のビアランドを含む最上の導体層と、前記最上の層間樹脂絶縁層を貫通し前記上側のビアランドと前記最上のビアランドを接続するリング状のビア導体を有し、
前記上側の層間樹脂絶縁層を貫通するリング状のビア導体の径と前記最上の層間樹脂絶縁層を貫通するリング状のビア導体の径が異なる。
【発明を実施するための形態】
【0009】
[第1実施形態]
第1実施形態のプリント配線板10の断面が
図1(B)に示される。プリント配線板10は、コア基板30を有する。コア基板30は、第1面Fと第1面Fと反対側の第2面Sを有すると共にスルーホール導体用の貫通孔33を有する絶縁基板20と、貫通孔33の内壁に形成されている筒状のスルーホール導体36と、スルーホール導体内に充填されている充填樹脂(樹脂充填剤)37と、樹脂充填剤37を覆っていて第1面F上に形成されている第1スルーホールランド36FRと、樹脂充填剤37を覆っていて第2面S上に形成されている第2スルーホールランド36SRを有する。第1スルーホールランド36FRは絶縁基板の第1面F上に形成されている第1導体層34Fに含まれて、第2スルーホールランド36SRは絶縁基板の第2面S上に形成されている第2導体層34Sに含まれる。第1スルーホールランド36FRと第2スルーホールランド36SRは、貫通孔33とスルーホール導体36と樹脂充填剤37を覆っている。第1と第2スルーホールランド36FR、36SRの大きさは貫通孔の大きさより大きい。第1スルーホールランド36FRと第2スルーホールランド36SRは、スルーホール導体36で接続されている。第1導体層34Fは第1スルーホールランド36FRを有し、第2導体層34Sは第2スルーホールランド36SRを有する。第1スルーホールランド36FRと第2スルーホールランド36SRの形状は円であることが好ましい。
コア基板は第1面Fと第1面Fと反対側の第2面を有する。コア基板の第1面と絶縁基板の第1面は同じ面であり、コア基板の第2面と絶縁基板の第2面は同じ面である。
貫通孔33は第1面に第1開口333を有する。第1開口333の重心を通り、第1面Fに垂直な直線は貫通孔33の重心軸X1である。
【0010】
スルーホールランド36FR、36SRの形状は円や多角形である。第1実施形態では、スルーホールランド(カバー導体層)の形状は6角形である。
図1(A)に、第1実施形態のスルーホールランド36FRの平面図が示されている。
【0011】
プリント配線板10は、さらに、コア基板30の第1面F上に上側のビルドアップ層55Fを有する。上側のビルドアップ層55Fはコア基板30の第1面F上に形成されている絶縁層(上側の層間樹脂絶縁層)50Fと絶縁層50F上の導体層(上側の導体層)58Fと絶縁層50Fを貫通し導体層58Fと第1導体層34Fを接続している上側のビア導体60Fを有する。ビア導体60Fは第1スルーホールランド36FR直上に形成されている複数のビア導体60FPを有する。スルーホール導体と樹脂充填剤と絶縁基板で物性が異なる。そのため、スルーホールランドとスルーホールランド上のビア導体との間に大きな応力が掛かる。物性は、熱膨張係数やヤング率である。しかしながら、ビア導体60FPは、中央ビア導体(第1中央ビア導体)60FPCと中央ビア導体60FPCを囲む周囲ビア導体(第1周囲ビア導体)60FPOを含む。そのため、カバー導体層(スルーホールランド)とカバー導体層上のビア導体間の界面に働く応力が、中央と周囲に分散される。従って、カバー導体層とカバー導体層上のビア導体間の接続信頼性が向上する。また、熱の伝達経路が、中央と周囲に形成されるので、放熱が向上する。熱応力が小さくなる。接続信頼性が高くなる。スルーホール導体に近い位置に複数の周囲ビア導体が存在する。そのため、周囲ビア導体とスルーホール導体を介して熱が伝達される。熱応力が小さくなる。
【0012】
中央ビア導体60FPCと周囲ビア導体60FPOは、絶縁層50Fに形成されている開口51Fに形成されている。中央ビア導体用の開口は、符合51FPCで示され、周囲ビア導体用の開口は符合51FPOで示される。開口51Fは、第1スルーホールランド上にボトム開口515を有する。ボトム開口515の重心を通り、第1面Fに垂直な直線は開口51Fの重心軸X2である。
中央ビア導体60FPCは樹脂充填剤37上に形成されている。貫通孔の重心軸X1は、中央ビア導体用の開口51FPCのボトム開口515Cを通過することが好ましい。その場合、中央ビア導体は、貫通孔の重心軸上に形成される。中央ビア導体は第1開口の重心上に形成されている。但し、第1中央ビア導体用の開口の重心軸X2Cと貫通孔の重心軸X1は重ならないことが好ましい。応力が分散される。
【0013】
周囲ビア導体は中央ビア導体を囲んでいる。周囲ビア導体は3個以上であることが好ましい。
円の中心に中央ビア導体が形成されていて、その円の円周上に周囲ビア導体が形成されていることが好ましい。中央ビア導体用の開口のボトム開口515Cは円の中心上に形成されている。円の中心はボトム開口515Cの重心と一致しなくてもよい。円の中心はボトム開口515C内に位置している。周囲ビア導体用の開口のボトム開口515Oは、円周上に位置する。ボトム開口515Oの重心と円周が重ならなくてもよい。円周がボトム開口515Oを通過する。中央ビア導体用の開口のボトム開口515Cの重心が円の中心上に位置し、周囲ビア導体用の開口のボトム開口515Oの重心が円周上に位置することが好ましい。ボトム開口が円の場合、ボトム開口515Cの中心と円の中心は一致しなくてもよい。ボトム開口515Oの中心は円周上に位置しなくてもよい。
【0014】
周囲ビア導体は、スルーホールランドの内、絶縁基板上に形成されている部分(絶縁基板上のスルーホールランド)に形成されていることが好ましい。この場合、周囲ビア導体用の開口の重心軸は貫通孔内を通らない。さらに、周囲ビア導体用の開口のボトム開口515O全体が絶縁基板上のスルーホールランド上に形成されていることが好ましい。樹脂充填剤上のスルーホールランドと絶縁基板上のスルーホールランドが比較されると、樹脂充填剤上のスルーホールランドはヒートサイクルで変形しやすい。そのため、周囲ビア導体は、絶縁基板上のスルーホールランド上に形成される。
【0015】
周囲ビア導体は、スルーホールランドやランドの多角形の頂点に位置することが好ましい。各周囲ビア導体に応力が均等に分散される。多角形は正多角形であることが好ましい。ビア導体60FPの配置の例が
図1(A)に示される。
図1(A)に、スルーホールランドの平面図が示されている。
図1(A)では、スルーホールランドは六角形に形成されている。そして、中央ビア導体と周囲ビア導体のボトムがスルーホールランド上に円で示されている。周囲ビア導体は六角形の頂点に位置していて、スルーホールランドの頂点に対応している。周囲ビア導体は等間隔に形成される。
【0016】
図1(A)では、スルーホールランドの頂点に対応して周囲ビア導体が形成されている。頂点に応力が集中しやすいので、スルーホールランドの重心とスルーホールランドの頂点を結ぶ線上に周囲ビア導体が存在すると、周囲ビア導体とスルーホールランド間に働く応力が大きくなりやすい。また、ランドの頂点を起点として層間樹脂絶縁層にクラックが入りやすい。従って、周囲ビア導体は、等間隔に形成されていて、スルーホールランドの頂点と頂点との間に位置することが好ましい。この場合、スルーホールランドの重心とスルーホールランドの頂点を結ぶ線上に周囲ビア導体のボトムが形成されない(
図1(C))。ビア導体のボトムはスルーホールランドと接している。
【0017】
上側の導体層58Fは中央ビア導体と周囲ビア導体のランドを含んでいる。ビア導体のランドは、ビア導体用の開口から突出しているビア導体上の導体とビア導体の周りに形成されていて上側の層間樹脂絶縁層上に形成されている導体で形成されている。ビア導体とビア導体のランドは直接繋がっている。そして、
図1(B)に示されるように、各周囲ビア導体のランドと中央ビア導体のランドは繋がっている。各周囲ビア導体と中央ビア導体は1つのランド(第1ランド)58FPに繋がっている。第1ランドは上側のビアランドである。上側のビアランド58FPの形状は、第1スルーホールランドの形状と同じであっても違っていても良い。形状が同じ場合、円が好ましい。第1スルーホールランド上のビア導体のランド(上側のビアランド)58FPの形状と第1スルーホールランドの形状が多角形の場合、第1ランドの頂点とスルーホールランドの頂点は重ならないことが好ましい。両者が重なると、第1ランドの頂点とスルーホールランドの頂点間の距離が短くなるので、上側の層間樹脂絶縁層にクラックが入りやすい。コア基板の第1面に垂直な光で、第1ランド58FPがスルーホールランド上に等倍で投影される。スルーホールランドの重心とスルーホールランドの頂点を結ぶ線上に第1ランドの頂点が位置すると、第1ランドの頂点と第1スルーホールランドの頂点は重なっている。第1スルーホールランドの頂点上に第1ランドの頂点が重なると、両者の頂点は完全に重なっている。
【0018】
第1スルーホールランドの大きさと第1ランドの大きさは同じ、もしくは、第1ランドの大きさは第1スルーホールランドの大きさより大きいことが好ましい。第1ランドが大きい場合、第1ランドは第1スルーホールランドを覆うことが好ましい。その例が
図14(A)に示されている。実線は第1ランドの外周を示し、点線は第1スルーホールランドの外周を示している。第1スルーホールランドの外周を起点とするクラックが防止される。
【0019】
上側のビルドアップ層55Fはさらに絶縁層50Fと導体層58F上に形成されている絶縁層(最外の層間樹脂絶縁層)150Fと絶縁層150F上の導体層(最上の導体層)158Fと絶縁層150Fを貫通し導体層58Fと導体層158Fを接続するビア導体(最上のビア導体)160Fを有する。ビア導体160Fは、絶縁層150Fを貫通しているビア導体160F用の開口に形成されている。ビア導体160Fは、第1ランド上に形成されている中央ビア導体(第2中央ビア導体)160FPCと第2中央ビア導体160FPCを囲む周囲ビア導体(第2周囲ビア導体)160FPOを含む。そのため、第1ランドと第1ランド上のビア導体間の界面に働く応力が、中央と周囲に分散される。従って、第1ランドと第1ランド上のビア導体間の接続信頼性が向上する。また、熱の伝達経路が、中央と周囲に形成されるので、放熱が向上する。熱応力が小さくなる。接続信頼性が高くなる。
【0020】
第2中央ビア導体160FPC用の開口や第2周囲ビア導体160FPO用の開口は、第1ランド上にボトム開口を有する。
第1中央ビア導体と第2中央ビア導体は重なることが好ましい。つまり、第1中央ビア導体60FPC用の開口の重心軸は、第2中央ビア導体160FPC用の開口のボトム開口を通過する。
図1では、第1周囲ビア導体と第2周囲ビア導体が重なっている。この例では、上側のビルドアップ層上に大きな発熱量を有する電子部品が実装されても、放熱が良い。図に示されるように、周囲ビア導体の数は5つ以上であると、放熱の効果が向上する。第1周囲ビア導体と第2周囲ビア導体が重なる場合、第1周囲ビア導体60FPO用の開口の重心軸は、第2周囲ビア導体160FPO用の開口のボトム開口を通過する。熱応力が小さくなるので、接続信頼性が向上する。
【0021】
第2中央ビア導体のランドと第2周囲ビア導体のランドは、第1ランドと同様である。第2中央ビア導体のランドと第2周囲ビア導体のランドは繋がっていて、それらで1つの第2ランド(最上のビアランド)158FPが形成される。第2ランドは最上の導体層158Fに含まれる。
図1では、第2ランドの形状と第1ランドの形状と第1スルーホールランドの形状は同じである。第2ランドの大きさと第1ランドの大きさと第1スルーホールランドの大きさを変えることができる。第2ランドの大きさが第1ランドの大きさより大きく、第1ランドの大きさが第1スルーホールランドの大きさより大きいことが好ましい。そして、第2ランドは第1ランドを覆い、第1ランドは第1スルーホールランドを覆うことが好ましい。その例が、
図14(B)に示されている。実線で示されている円が第2ランド158FPの外周であり、鎖線で示されている円が第1ランド58FPであり、点線で示される円が第1スルーホールランド36FRである。
【0022】
プリント配線板10は、さらに、コア基板30の第2面S上に下側のビルドアップ層55Sを有する。下側のビルドアップ層55Sはコア基板30の第2面S上に形成されている絶縁層(下側の層間樹脂絶縁層)50Sと絶縁層50S上の導体層(下側の導体層)58Sと絶縁層50Sを貫通し、第2導体層34Sと下側の導体層58Sを接続している下側のビア導体60Sを有する。下側のビア導体は、上側のビア導体と同様に、第2スルーホールランド上に第1中央ビア導体60SPCと第1周囲ビア導体60SPOを有する。
【0023】
上側のビルドアップ層内の第1中央ビア導体は上側の第1中央ビア導体であり、下側のビルドアップ層内の第1中央ビア導体は下側の第1中央ビア導体である。上側のビルドアップ層内の第1周囲ビア導体は上側の第1周囲ビア導体であり、下側のビルドアップ層内の第1周囲ビア導体は下側の第1周囲ビア導体である。上側の第1中央ビア導体と下側の第1中央ビア導体は同様である。上側の第1周囲ビア導体と下側の第1周囲ビア導体は同様である。下側の第1中央ビア導体と下側の第1周囲ビア導体の配置と、上側の第1中央ビア導体と上側の第1周囲ビア導体の配置は同様である。
下側の導体層58Sは、上側の導体層と同様に、第1ランド(下側のビアランド)を有する。上側の導体層に含まれる第1ランドは上側の第1ランドであり、下側の導体層に含まれる第1ランドは下側の第1ランドである。上側のビアランドの大きさや配置と下側のビアランドの大きさや配置は同様である。
【0024】
下側のビルドアップ層55Sはさらに絶縁層50Sと導体層58S上の絶縁層(最下の層間樹脂絶縁層)150Sと絶縁層150S上の導体層(最下の導体層)158Sと絶縁層150Sを貫通し、下側の導体層と最下の導体層を接続する最下のビア導体160Sを有する。最下のビア導体は、最上のビア導体と同様に、下側の第1ランド上に第2中央ビア導体と第2周囲ビア導体を有する。上側のビルドアップ層内の第2中央ビア導体は最上の第2中央ビア導体であり、下側のビルドアップ層内の第2中央ビア導体は最下の第2中央ビア導体である。上側のビルドアップ層内の第2周囲ビア導体は最上の第2周囲ビア導体であり、下側のビルドアップ層内の第2周囲ビア導体は最下の第2周囲ビア導体である。最上の第2中央ビア導体と最下の第2中央ビア導体は同様である。最上の第2周囲ビア導体と最下の第2周囲ビア導体は同様である。
最下の導体層158Sは、最上の導体層と同様に、第2ランド(最下のビアランド)を有する。最上の導体層に含まれる第2ランドは最上の第2ランドであり、最下の導体層に含まれる第2ランドは最下の第2ランドである。最下の第2中央ビア導体と最下の第2周囲ビア導体の配置と最上の第2中央ビア導体と最上の第2周囲ビア導体の配置は同様である。最上のビアランドの大きさや配置と最下のビアランドの大きさや配置は同様である。
【0025】
第1実施形態のプリント配線板は、さらに、上側のビルドアップ層55F上に導体層158Fを露出する開口71Fを有する上側のソルダーレジスト層70Fを有する。プリント配線板は、下側のビルドアップ層55S上に導体層158Sを露出する開口71Sを有するソルダーレジスト層70Sを有する。ソルダーレジスト層の開口から露出する導体層はパッドとして機能する。パッド上にNi/AuやNi/Pd/Au、Sn、OSPなどの保護膜(図示せず)が形成されている。
【0026】
図9(A)は、第1スルーホールランド36FR、上側の第1ランド58FR、上側の第1中央ビア導体60FPC、最上の第2中央ビア導体160FPC、上側の第1周囲ビア導体60FPOと最上の第2周囲ビア導体160FPOの配置を示している。
図9(A)は、上側の第1スルーホールランド、上側の第1ランド、上側の第1中央ビア導体、最上の第2中央ビア導体、上側の第1周囲ビア導体と最上の第2周囲ビア導体を示している。
図9(A)では、コア基板の第1面と平行な面にそれらが第1面に垂直な光で等倍に投影されている。
この例では、第1中央ビア導体と第2中央ビア導体は重なっている。それに対し、第1周囲ビア導体と第2周囲ビア導体が重なっていない。第1周囲ビア導体上に第2周囲ビア導体が形成されていない。第1周囲ビア導体60FPO用の開口の重心軸は、第2周囲ビア導体160FPO用の開口のボトム開口を通過しない。
図9(A)では、第1スルーホールランドの形状と第1ランドの形状は六角形である。そして、第1ランドの頂点と第1スルーホールランドの頂点はずれている。周囲ビア導体の位置はランドの頂点に対応している。第1周囲ビア導体と第2周囲ビア導体は交互に等間隔で配置されている。応力が均等に分散される。熱が均等に伝達される。接続信頼性が向上する。
図9(A)で、ランドの重心と第1周囲ビア導体の重心を結ぶ直線とランドの重心と第2周囲ビア導体の重心を結ぶ直線との間の角度は、30度である。この例によれば、第1周囲ビア導体60FPOと第2周囲ビア導体160FPOとの間のランドで応力が緩和される。また、スルーホールランドとスルーホールランド上の周囲ビア導体間に応力が集中しない。最上の第2ランドが同じ面に同様に投影されると第2ランドの頂点は、第1ランドまたは第1スルーホールランドの頂点に重なってもよい。但し、各頂点が重ならないと応力が集中しない。絶縁層にクラックが入り難い。
【0027】
図9(B)は、第2スルーホールランド36SR、下側の第1ランド58SP、下側の第1中央ビア導体60SPC、最下の第2中央ビア導体160SPC、下側の第1周囲ビア導体60SPOと最下の第2周囲ビア導体160SPOの配置を示している。これらの配置は、
図9(A)で説明されている配置と同様である。最下の第2ランドの頂点は最上の第2ランドと同様に、下側の第1ランドまたは第2スルーホールランドの頂点に重なっても良い。但し、頂点が重ならないと応力が集中しない。各絶縁層にクラックが入り難い。
【0028】
車載用途として、広く用いられているプリント配線板(既存の車載用のプリント配線板)では、最上の導体層と最下の導体層は、プリント配線板を貫通するスルーホール導体で接続される。
それに対して、第1実施形態のプリント配線板では、最上の導体層と最下の導体層はスルーホール導体とスルーホール導体を挟むスルーホールランドとスルーホールランド直上に形成されている中央ビア導体と周囲ビア導体と第1ランドと第1ランド直上に形成されている中央ビア導体と周囲ビア導体で接続される。第1実施形態のビア導体はフィルドビアである。また、スルーホールランドや第1ランド上に複数のフィルドビアが形成されている。そのため、第1実施形態によれば、最上の導体層と最下の導体層を繋ぐ導体の量が多くなる。放熱性が向上する。また、複数のビア導体に応力が分散されるため、ビア導体を介する接続信頼性が高くなる。周囲ビア導体がスタックビア構造でないと、周囲ビア導体と周囲ビア導体の底に繋がっているランド間の接続信頼性が高くなる。周囲ビア導体の数は中央ビア導体の数より多いので、周囲ビア導体がスタックビア構造でないと、接続信頼性や放熱が向上する。スタックビア構造では、下側のビア導体の上面上に上側のビア導体の底が位置する。中央ビア導体がスタックビア構造であることが好ましい。
【0029】
第1実施形態のプリント配線板の寸法の例が以下に示される。
絶縁基板20の厚みは、700μmである。層間樹脂絶縁層50F、50S、150F、150Sの厚みは、60μmである。層間樹脂絶縁層の厚みは、隣接する導体層間の距離である。導体層58F、58S、158F、158Sの厚みは、35μmである。ソルダーレジスト層70F、70Sの厚みは30μmである。プリント配線板の厚みが1.21mmである。また、スルーホール導体用の貫通孔33の径D1は、400μmでる。そして、第1実施形態では、スルーホール導体のランド上にビア導体が形成されるので、スルーホール導体のランドの径W1(
図1(A)参照)は520μmである。
既存の車載用のプリント配線板はスルーホール導体用の貫通孔を覆うスルーホールランドを有していない。そのため、既存の車載用のプリント配線板が、同じ大きさのスルーホール導体用の貫通孔を有すると、スルーホール導体のランドの径は650μmになる。第1実施形態のプリント配線板によれば、小型化が達成される。
なお、導体層上のビア導体用の開口のボトム開口の径(ボトム径)d2は90μmであり、ビア導体とそのビア導体のランドとの界面におけるビア導体用の開口の径(トップ径)d1は、100μmである。d1とd2は
図6(B)に示されている。
【0030】
第1実施形態のプリント配線板10の製造方法が
図2〜
図8に示される。
(1)絶縁基板20とその両面に銅箔32が積層されている両面銅張積層板20Aが出発材料である。絶縁基板の厚さは、700μmである。絶縁基板は第1面Fとその第1面と反対側の第2面Sを有する。銅箔32の表面に図示されない黒化処理が施される(
図2(A))。絶縁基板にドリルでスルーホール導体用の貫通孔33が形成される(
図2(B))。貫通孔33の直径D1は400μmである。
【0031】
(2)無電解めっき処理及び電解めっき処理によりめっき膜26が形成され、貫通孔33の内壁にめっき膜26から成るスルーホール導体36が形成される(
図3(A))。スルーホール導体内に樹脂充填剤37が充填される(
図3(B))。
【0032】
(3)樹脂充填剤37とめっき膜26上に無電解めっき膜23が形成される(
図4(A))。更に、無電解めっき膜23上に電解めっき膜24が形成される(
図4(B))。
【0033】
(4)電解めっき膜24上にエッチングレジスト25が形成される(
図5(A))。エッチングレジスト25から露出する電解めっき膜24、無電解めっき膜23、めっき膜26、銅箔32が除去される。その後、エッチングレジストが除去され、導体層34F、34S及びスルーホールランド36FR、36SRが形成される。コア基板30が完成する(
図5(B))。
【0034】
(5)コア基板30上にB−ステージのプリプレグと銅箔49が順に積層される。プリプレグの代わりに層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムが積層されてもよい。プリプレグはガラスクロスなどの補強材を有するが層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムは補強材を有していない。両者ともガラス粒子などの無機粒子を含むことが好ましい。コア基板の第1面と第2面上のプリプレグが硬化される。コア基板の第1面と第2面上に絶縁層(層間樹脂絶縁層)50F、50Sが形成される(
図6(A))。
【0035】
(6)銅箔49、49及び絶縁層50F、50Sに導体層34F、34Sやスルーホールランド36FR、36SRに至るビア導体用の開口51F、51Sが形成される(
図6(B))。開口51F、51Sはトップ面とトップ面と反対側のボトム面を有する。トップ面の径d1は100μmであり、ボトム面の径d2は90μmである。開口51Fは、スルーホールランド36FRに至る中央ビア導体用の開口51FPCと周囲ビア導体用の開口51FPOを含む。また、開口51Sは、スルーホールランド36SRに至る中央ビア導体用の開口51SPCと周囲ビア導体用の開口51SPOを含む。
【0036】
(7)無電解めっき処理により、ビア導体用の開口の内壁と銅箔49上に無電解めっき膜52が形成される(
図7(A))。
【0037】
(8)無電解めっき膜52上にめっきレジスト54が形成され、電解めっき処理により、めっきレジストから露出する無電解めっき膜52上に電解めっき膜56が形成される。ビア導体用の開口51F、51S内にビア導体60F、60Sが形成される(
図7(B))。ビア導体60F、60Sはスルーホールランド上に形成されている中央ビア導体と周囲ビア導体を含む。
【0038】
(9)続いて、めっきレジスト54が5%NaOHで除去される。その後、電解銅めっき膜から露出する銅箔49と無電解めっき膜52がエッチングにて除去される。金属箔49と無電解めっき膜52と電解めっき膜56からなる導体層58F、58Sが形成される(
図8(A))。導体層58F、58Sは上側と下側の第1ランドを含む。導体層58F、58Sの厚みは、35μmである。
【0039】
(10)その後、
図6(A)から
図8(A)に示されている工程が行われる。最上と最下の層間樹脂絶縁層150F、150Sと最上と最下の導体層158F、158Sと最上と最下のビア導体160F、160Sが形成される(
図8(B))。最上と最下のビア導体160F、160Sは中央ビア導体と周囲ビア導体を含む。最上と最下の導体層158F、158Sは最上と最下の第2ランドを含む。上側と下側のビルドアップ層が完成する。
【0040】
(11)上側のビルドアップ層55F上に最上の導体層を露出するための開口71Fを有する上側のソルダーレジスト層70Fが形成される。下側のビルドアップ層55S上に最下の導体層を露出するための開口71Sを有する下側のソルダーレジスト層70Sが形成される(
図1(B))。開口71Fは最上の第2ランドを露出するための開口71FPを有する。開口71Sは最下の第2ランドを露出するための開口71SPを有する。ソルダーレジスト層の開口から露出する導体層はパッドとして機能する。第2ランドを露出する開口71FP、71SPの数は複数である。第2ランド上に複数のパッドが形成される。第2ランドは複数のパッドを含む。
【0041】
(12)パッド上にニッケル層とニッケル層上の金層で形成される保護膜(図示せず)が形成される。ニッケル−金層以外にニッケル−パラジウム−金層からなる保護膜が挙げられる。
【0042】
[第1実施形態の改変例]
図9(C)は、第1実施形態の改変例に係るプリント配線板の中央ビア導体や周囲ビア導体、ランドの投影図を示している。
図9(C)では、第1スルーホールランド上に最上の第2中央ビア導体と上側の第1中央ビア導体、最上の第2周囲ビア導体、上側の第1周囲ビア導体、上側の第1ランド、最上の第2ランドがコア基板の第1面に垂直な光で等倍に投影されている。
図9(C)では、第1スルーホールランドと第1ランド、第2ランドのそれぞれの大きさは同じである。スルーホールランドの形状と第1ランドの形状と第2ランドの形状は円である。
図9(A)と同様に、第1中央ビア導体の重心軸は第2中央ビア導体のボトム面を通過する。第1中央ビア導体と第2中央ビア導体は重なっている。
図9(A)と同様に、第1周囲ビア導体の重心軸は第2周囲ビア導体のボトム面を通過しない。第1周囲ビア導体と第2周囲ビア導体は重なっていない。
ビア導体の重心軸は、そのビア導体用の開口のボトム開口の重心を通り、コア基板の第1面に垂直な直線である。ビア導体のボトム面は、ビア導体用の開口のボトム開口に形成されているビア導体である。
各ランドの形状が円であるので、ランドの外周の特定箇所に応力が集中しない。ランドを起点とするクラックが発生しない。第1周囲ビア導体と第2周囲ビア導体が重なると熱が直接伝わるので、熱応力が小さくなる。接続信頼性が高くなる。上下のビア導体が重なると、上下のビア導体でスタック構造が形成される。第1周囲ビア導体と第2周囲ビア導体が重ならないと、第1周囲ビア導体とスルーホールランド間に応力が集中しない。接続信頼性が向上する。第1周囲ビア導体と第2周囲ビア導体は絶縁基板上に位置しているスルーホールランド上に形成されることが好ましい。樹脂充填剤の影響が小さくなる。接続信頼性が向上する。
【0043】
[第2実施形態]
第2実施形態のプリント配線板10の断面が
図10(B)に示される。プリント配線板10は、第1実施形態と同様なコア基板30を有する。
【0044】
第2実施形態のプリント配線板10は、第1実施形態と同様な第1導体層と第2導体層を有する。
図10(A)は第1スルーホールランド36FRの平面図を示す。第1と第2スルーホールランドは円形に形成されている。
【0045】
プリント配線板10は、さらに、コア基板30の第1面F上に上側のビルドアップ層55Fを有する。上側のビルドアップ層55Fは、第1実施形態と同様に、上側の層間樹脂絶縁層と上側の導体層と上側のビア導体と最上の層間樹脂絶縁層と最上の導体層と最上のビア導体を有する。
第1実施形態では、上側のビア導体は中央ビア導体と周囲ビア導体を有しているが、第2実施形態のプリント配線板10は、中央ビア導体と周囲ビア導体を有していない。その代り、上側のビア導体は、第1スルーホールランド直上に第1のリング状のビア導体60FRを有する。リング状のビア導体の底が
図10(A)に点線で描かれている。内側の点線と外側の点線内にリング状のビア導体の底が形成されている。リング状のビア導体の中心と内側の点線までの距離は内径WIであり、リング状のビア導体の中心と外側の点線までの距離は外径WOである。
【0046】
第1のリング状のビア導体の底は充填樹脂上に位置する。もしくは、第1のリング状のビア導体(上側の第1のリング状のビア導体)の底は、絶縁基板上のスルーホールランド上に位置する。リング状のビア導体の底は、絶縁基板上のスルーホールランド上に位置することが好ましい(
図10(C))。ビア導体とスルーホールランド間の接続面積が大きくなる。絶縁基板上にビア導体を形成することで応力が小さくなる。
図10(C)では、貫通孔33の第1開口333が鎖線で示され、第1スルーホールランド36FRが実線で示され、リング状のビア導体の底が点線内に形成されている。
【0047】
上側の導体層は、第1実施形態と同様に上側の第1ランドを有する。第1実施形態と同様に、第2実施形態の上側の第1ランドの大きさは、スルーホール導体用の貫通孔の大きさより大きい。
図10(B)に示されるように、第1スルーホールランドの大きさと第1ランドの大きさは同じである。
【0048】
第1実施形態では、最上のビア導体は中央ビア導体と周囲ビア導体を有しているが、第2実施形態のプリント配線板10は、中央ビア導体と周囲ビア導体を有していない。その代り、最上のビア導体は、第1ランド直上に第2のリング状のビア導体(最上の第2リング状のビア導体)160FRを有する。リング状のビア導体の底が
図10(A)に点線で描かれている。内側の点線と外側の点線内にリング状のビア導体の底が形成されている。
図10(A)では、第1のリング状のビア導体と第2のリング状のビア導体は重なっている。第1のリング状のビア導体の内径と第2のリング状のビア導体の内径は同じであり、第1のリング状のビア導体の外径と第2のリング状のビア導体の外径は同じである。
【0049】
第2のリング状のビア導体の底は充填樹脂上に位置する。もしくは、第2のリング状のビア導体の底は、絶縁基板上のスルーホールランド上に位置する。リング状のビア導体の底は、絶縁基板上のスルーホールランド上に位置することが好ましい。リング状のビア導体とスルーホールランド間の接続面積が大きくなる。絶縁基板上にビア導体を形成することで応力が小さくなる。
【0050】
最上の導体層は、第1実施形態と同様に最上の第2ランドを有する。第1実施形態と同様に、第2実施形態の最上の第2ランドの大きさは、スルーホール導体用の貫通孔の大きさより大きい。
図10(B)に示されるように、第1スルーホールランドの大きさと第2ランドの大きさは同じである。
第1実施形態や第2実施形態に関わる第1や第2ランドは、ランド内に導体を有しない部分を有しても良い。
【0051】
プリント配線板10は、さらに、コア基板30の第2面S上に下側のビルドアップ層55Sを有する。下側のビルドアップ層55Sは、第1実施形態と同様に、下側の層間樹脂絶縁層50Sと下側の導体層58Sと下側のビア導体60Sと最下の層間樹脂絶縁層150Sと最下の導体層158Sと最下のビア導体160Sを有する。
下側のビア導体は、上側のビア導体と同様である。第2スルーホールランド上に第1のリング状のビア導体(下側の第1のリング状のビア導体)60SRを有する。
下側の導体層は、上側の導体層と同様である。下側の導体層は、下側の第1ランドを有する。
最下のビア導体は、最上のビア導体と同様である。第1ランド上に第2のリング状のビア導体(最下の第2のリング状のビア導体)160SRを有する。
最下の導体層は、最上の導体層と同様である。最下の導体層は、最下の第2ランドを有する。
リング状のビア導体は周囲ビア導体を繋げることで形成される。従って、第2実施形態のプリント配線板に中央ビア導体を形成することで第1実施形態のプリント配線板が製造される。第1実施形態の周囲ビア導体がリング状のビア導体で形成されてもよい。
【0052】
スルーホールランドや第1ランド上に形成されているリング状のビア導体の上面は凹んでいることが好ましい。応力が分散される。第1のリング状のビア導体と第2のリング状のビア導体間の接続信頼性が高くなる。
ビア導体がリング状に形成されているので、第1のリング状のビア導体とスルーホールランド間や第2のリング状のビア導体と第1ランド間の接続面積が大きくなる。接続信頼性が向上する。また、最上の導体層から最下の導体層へリング状のビア導体を介して熱が伝わる。リング状のビア導体は導体の体積が大きいので、放熱が向上する。熱応力が小さくなる。熱応力を小さくするために、第2のリング状のビア導体は第1のリング状のビア導体上に形成されることが好ましい。第2のリング状のビア導体の底がコア基板の第1面に垂直な光で上側の層間樹脂絶縁層と第1ランドとの間の界面に投影されると、第2のリング状のビア導体の全ての底が第1のリング状のビア導体の上面上に位置する。底と上面は完全に一致しなくても良い。その例が、
図12(A)や
図12(B)に示されている。
図12(A)は、上側のビルドアップ層内の第1のリング状のビア導体の位置と第2のリング状のビア導体の位置を示している。
図12(B)は、下側のビルドアップ層内の第1のリング状のビア導体の位置と第2のリング状のビア導体の位置を示している。
図12(A)や
図12(B)では、第1のリング状のビア導体の内径と第2のリング状のビア導体の内径が同じであって、第1のリング状のビア導体の外径と第2のリング状のビア導体の外径が同じである。そして、第2のリング状のビア導体の底と第1のリング状のビア導体の上面が完全に一致していない。底と上面が完全に重ならないと、スルーホールランドと第1のリング状のビア導体の間に応力が集中しない。接続信頼性が高くなる。
図12(A)と
図12(B)では、第1ランドとスルーホールランドが重なっていない。第1ランドの側面とスルーホールランドの側面を起点とするクラックが発生しがたい。第1実施形態のプリント配線板のスルーホールランドとランドが重ならなくてもよい。但し、第1ランドとスルーホールランドは重なっても良い。プリント配線板が小さくなるので、プリント配線板の反りに起因する応力が小さくなる。
【0053】
第2実施形態のプリント配線板は、さらに、第1実施形態のプリント配線板と同様なソルダーレジスト層70F、70Sを有する。
【0054】
ソルダーレジスト層70F、70Sの開口71F、71Sにより露出しているパッド上に第1実施形態のプリント配線板と同様な保護膜(図示せず)が形成されている。
【0055】
第1や第2実施形態のプリント配線板では、ビア導体とスルーホール導体により、最上の導体層と最下の導体層が接続される。既存の車載用のプリント配線板は、プリント配線板を貫通するスルーホール導体により、最上の導体層と最下の導体層が接続される。この違いにより、実施形態のプリント配線板では、ビア導体とランド間にストレスが掛かる。しかしながら、実施形態のプリント配線板では、ランド上に複数のビア導体が形成されている。もしくは、ランド上にリング状のビア導体が形成されている。実施形態では、ランドとビア導体間の接続面積が大きいので、その部分に掛かる単位面積当たりの応力は小さくなる。既存の車載用のプリント配線板のスルーホール導体は、プリント配線板を貫通している。そのため、スルーホール導体の長さが長くなる。従って、スルーホール導体とランドとの接続部に掛かる応力が大きい。実施形態のビア導体とランド間の応力は、既存の車載用のプリント配線板のスルーホール導体とランド間の応力より小さくなる。実施形態のプリント配線板の接続信頼性は高くなる。
【0056】
リング状のビア導体の寸法を除き、第2実施形態のプリント配線板と第1実施形態のプリント配線板の各要素の寸法は同じである。リング状ビア導体の外径WOは例えば、125μmであり、内径WIは75μmである。
【0057】
第2実施形態のプリント配線板10の製造方法が
図11に示される。
(1)第1実施形態と同様に、
図2(A)〜
図6(A)に示される工程が行われる。コア基板30の第1面Fと第2面S上に絶縁層(層間樹脂絶縁層)50F、50Sが形成される(11(A))。
【0058】
(2)銅箔49、49及び絶縁層50F、50Sに導体層34F、34Sに至るビア導体用の開口51Fと、リング状のビア導体用のリング状開口51FR、51SRが形成される(
図11(B))。リング状開口51FR、51SRはスルーホールランド上に形成されている。開口51F、51Sとリング状開口51FR、51SRは導体層34F、34Sに向かってテーパーしている。
リング状開口51FR、51SRはレーザを用いるスカイビング加工により形成される。以降、
図6(B)〜
図8に示されている方法と同様方法で第2実施形態のプリント配線板が製造される。
【0059】
[第2実施形態の改変例]
図13は、第2実施形態の改変例に係る第1のリング状のビア導体と第2のリング状のビア導体の投影図を示している。
図13(A)では、第1のリング状のビア導体の内径は第2のリング状のビア導体の内径より大きく、第1のリング状のビア導体の外径は第2のリング状のビア導体の外径より大きい。
図13(B)では、第1のリング状のビア導体の内径は第2のリング状のビア導体の内径より小さく、第1のリング状のビア導体の外径は第2のリング状のビア導体の外径より小さい。
図13(A)、(B)では、小さいリング状のビア導体の外形が大きいリング状のビア導体の内径より小さい。
そして、第1のリング状のビア導体と第2のリング状のビア導体は重なっていない。第1のリング状のビア導体と第2のリング状のビア導体は重なっていないので、第1のリング状のビア導体と第2のリング状のビア導体との間に第1ランドが存在している。
図13(B)に示されるように、第1のリング状のビア導体の大きさが第2のリング状のビア導体の大きさより小さい場合、第1のリング状のビア導体は第1ランドに囲まれている。
図13(B)の断面図が
図13(D)に示されている。第2のリング状のビア導体の大きさが第1のリング状のビア導体の大きさより小さい場合、第2のリング状のビア導体は第1ランドに囲まれている。このように、第1のリング状のビア導体と第2のリング状のビア導体間に水平方向の第1ランドが存在している。その第1ランドにより、応力が緩和される。
図13(C)では、第1のリング状のビア導体の大きさと第2のリング状のビア導体の大きさが異なっていて、一部が重なっている。重なっている部分に斜線が描かれている。第1のリング状のビア導体の底の内周と外周は鎖線で描かれ、第2のリング状のビア導体の底の内周と外周は点線で描かれている。この例は、放熱と応力緩和の点で優れる。高い接続信頼性を有するプリント配線板が得られる。