特許6311962液晶性ブロック共重合体薄膜の製造方法、及びパターン形成方法

発明の名称　液晶性ブロック共重合体薄膜の製造方法、及びパターン形成方法

出願人　国立大学法人東京工業大学　（識別番号 304021417）

　　　　特許公開件数ランキング 343 位（154件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 355 位（148件）（共同出願を含む）

出願人　株式会社ＳＩＪテクノロジ　（識別番号 506159976）

　　　　特許公開件数ランキング 30110 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 24267 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6311962

公報発行日　2018年4月18

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6311962

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