特許 6337116 第５族遷移金属含有膜を蒸着させるための第５族遷移金属含有化合物

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6337116

(24)【登録日】2018年5月11日

(45)【発行日】2018年6月6日

(54)【発明の名称】第５族遷移金属含有膜を蒸着させるための第５族遷移金属含有化合物

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/316 20060101AFI20180528BHJP

   C23C 16/18 20060101ALI20180528BHJP

   C07F 9/00 20060101ALI20180528BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/316 X

   C23C16/18

   C07F9/00 Z

【請求項の数】11

【全頁数】25

(21)【出願番号】特願2016-530233(P2016-530233)

(86)(22)【出願日】2013年11月13日

(65)【公表番号】特表2017-505983(P2017-505983A)

(43)【公表日】2017年2月23日

(86)【国際出願番号】KR2013010274

(87)【国際公開番号】WO2015072589

(87)【国際公開日】20150521

【審査請求日】2016年10月6日

(73)【特許権者】

【識別番号】591036572

【氏名又は名称】レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

(74)【代理人】

【識別番号】100090398

【弁理士】

【氏名又は名称】大渕 美千栄

(74)【代理人】

【識別番号】100090387

【弁理士】

【氏名又は名称】布施 行夫

(72)【発明者】

【氏名】クレマン ランサロット−マトラス

(72)【発明者】

【氏名】ノ ウォンテ

(72)【発明者】

【氏名】リ チュホ

【審査官】 桑原 清

(56)【参考文献】

【文献】 米国特許出願公開第２００３／０２２４６００（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特表２０１２−５０２１７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２００８／０１４１９３７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特表２００５−５３４１８０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−２２８５６０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−０８１４２９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−２６６２８０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／３１６

Ｃ０７Ｆ ９／００

Ｃ２３Ｃ １６／１８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

下記式の１つを有する第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体：

【化1】

（式中、ＭはＶ、Ｎｂ、又はＴａから選択され、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、及びＲ^６はそれぞれ独立して、Ｈ；Ｃ１〜Ｃ５直鎖、分岐、若しくは環状アルキル基；Ｃ１〜Ｃ５直鎖、分岐、若しくは環状アルキルシリル基；Ｃ１〜Ｃ５直鎖、分岐、若しくは環状アルキルアミノ基；又はＣ１〜Ｃ５直鎖、分岐、若しくは環状フルオロアルキル基から選択される）。

【請求項2】

前記第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジ（トリメチルシリル）アミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ジエチルヒドロキシルアミノ）バナジウム（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジ（トリメチルシリル）アミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ジエチルヒドロキシルアミノ）ニオブ（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジ（トリメチルシリル）アミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ジエチルヒドロキシルアミノ）タンタル（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジ（トリメチルシリル）アミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ジエチルヒドロキシルアミノ）バナジウム（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ） ニオブ（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジ（トリメチルシリル）アミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ジエチルヒドロキシルアミノ）ニオブ（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジ（トリメチルシリル）アミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、及び、
ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ジエチルヒドロキシルアミノ）タンタル（Ｖ）、
からなる群から選択される、請求項１に記載の第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体。

【請求項3】

ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）又はｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）である、請求項２に記載の第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体。

【請求項4】

ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）又はｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）である、請求項２に記載の第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体。

【請求項5】

第５族遷移金属含有膜を基板上に堆積する方法であって、請求項１〜４のいずれか一項に記載の第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体の蒸気を基板が中に配された反応器に導入する工程と、該第５族遷移金属含有化合物の少なくとも一部を該基板に堆積する工程とを含む、方法。

【請求項6】

少なくとも１つの反応物を前記反応器に導入することを更に含む、請求項５に記載の方法。

【請求項7】

前記反応物が、Ｈ_２、Ｈ_２ＣＯ、Ｎ_２Ｈ_４、ＮＨ_３、ＳｉＨ_４、Ｓｉ_２Ｈ_６、Ｓｉ_３Ｈ_８、ＳｉＨ_２Ｍｅ_２、ＳｉＨ_２Ｅｔ_２、Ｎ（ＳｉＨ_３）_３、それらの水素ラジカル、及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項６に記載の方法。

【請求項8】

前記反応物が、Ｏ_２、Ｏ_３、Ｈ_２Ｏ、Ｈ_２Ｏ_２、ＮＯ、Ｎ_２Ｏ、ＮＯ_２、それらの酸素ラジカル、及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項６に記載の方法。

【請求項9】

前記第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体と前記反応物とを同時に前記反応器に導入し、
該反応器が化学蒸着のために構成されている、請求項６に記載の方法。

【請求項10】

前記第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体と前記反応物とを連続して前記反応器に導入し、該反応器が原子層堆積のために構成されている、請求項６に記載の方法。

【請求項11】

前記基板が酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）である、請求項６に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が開示されている。開示の前駆体を合成して、蒸着プロセスにより１つ又は複数の基板上に第５族遷移金属含有膜を堆積させるのに開示の前駆体を使用する方法も開示されている。

【背景技術】

【0002】

半導体のコーティング、メモリー及びディスプレイの研究にて、前駆体分子は高品質の薄膜を得るのに重要な役割を果たしている。前駆体分子はコンフォーマル性（conformality）等の多くのパラメータを制御するものであり、薄膜の物理特性及び電気特性に影響を及ぼす。前駆体分子には高純度、高熱安定性、高揮発性、適切な反応性及び低毒性が必要とされる。さらに、薄膜のプロセスにおいて、前駆体分子は化学蒸着（ＣＶＤ）又は原子層堆積（ＡＬＤ）のために限られた時間及び再現性のある速度で気化する必要がある。

【0003】

半導体分野では、第５族遷移金属含有膜は長い間、多様な用途に利用されてきた。Ｍ_ｘＯ_ｙ薄膜の抵抗スイッチング特性は次世代不揮発性抵抗ランダムアクセスメモリー（ＲｅＲＡＭ）デバイス、及びリーク電流を減らし、位相を安定させるためのＺｒＯ_２層間の薄層等の高ｋコンデンサ用途に対する潜在的な用途を示す。

【0004】

典型的な第５族遷移金属ハロゲン化物はＣＶＤ又はＡＬＤによるＭ_ｘＯ_ｙ（Ｍ＝Ｎｂ、Ｔａ；ｘ＝１〜２；ｙ＝１〜５）の堆積に利用されている。これらの前駆体、主にＮｂＣｌ_５又はＴａＣｌ_５は、高い堆積温度を必要とし、エッチング効果及び前駆体残渣に起因して前駆体として適切ではないこともある（非特許文献１、非特許文献２）。

【0005】

Ｎｂ（ＯＥｔ）_５は２３０℃〜２６０℃の安定した温度域にてＡＬＤにより非晶質Ｎｂ_２Ｏ_５を堆積するのに有望な結果を示している（非特許文献３）。加えて、この前駆体はＨ_２Ｏ又はＤ_２Ｏを用いるＮｂ_ｘＯ_ｙ ＡＬＤ堆積の機構を研究するのに使用されている（非特許文献４）。

【0006】

Ｔａ（ＯＥｔ）_５の場合、Ｈ_２Ｏを用いるＴａ_２Ｏ_５のＡＬＤは１７０℃〜２３０℃、堆積した場合の６００℃の非晶相及び８００℃の結晶相を有するプロセスウインドウを示している（非特許文献５）。

【0007】

イミド型前駆体が知られており、第５族遷移金属含有膜を堆積するのに用いられている。イミド型前駆体は大部分が高蒸気圧にて液相にあり、気化及び反応チャンバへの移動において利点をもたらす。多くの誘導体がＣＶＤ（非特許文献６、非特許文献７、非特許文献８）又はＡＬＤ（非特許文献９）にて研究されている。しかしながら、これらの前駆体は最大２７５℃という限られたＡＬＤ温度域を示すものであった。

【0008】

第５族遷移金属の配位子が混合された他の同様の構造体、例えばＶ（＝ＮｔＢｕ）（ＮｉＰｒ_２）（ＯｔＢｕ）_２が記載されているが（非特許文献１０）、薄膜用途は考慮されていない。

【先行技術文献】

【非特許文献】

【0009】

【非特許文献1】Chem. Vap. Deposition 2009, 15, 269-273

【非特許文献2】Thin Solid Films, 1999, 111

【非特許文献3】Chem. Vap. Deposition 1998, 4, pp. 29-34

【非特許文献4】Langmuir 2010, 26(2), pp. 848-853

【非特許文献5】Microelec. Eng. 2010, 87, pp. 373-378

【非特許文献6】Chem. Vap. Deposition 2008, 14, pp. 334-338

【非特許文献7】Chem. Vap. Deposition 2000, 6, pp. 223-225

【非特許文献8】ECS Trans. 2008, 16 (5), pp. 243-251

【非特許文献9】Chem. Mater. 2012, 24, pp. 975-980

【非特許文献10】Zeitschrift fuer Anorganische und Allgemeine Chemie (1997) 623 (8), pp. 1220-1228

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0010】

依然として気相薄膜堆積に適した新規の第５族遷移金属含有化合物が必要とされている。

【課題を解決するための手段】

【0011】

下記式の１つを有する第５族遷移金属含有化合物：

【化1】

（式中、ＭはＶ、Ｎｂ又はＴａからなる第５族遷移金属から選択され、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立して、Ｈ；Ｃ１〜Ｃ５直鎖、分岐若しくは環状アルキル基；Ｃ１〜Ｃ５直鎖、分岐若しくは環状アルキルシリル基（モノ、ビス及びトリスアルキル）；Ｃ１〜Ｃ５直鎖、分岐若しくは環状アルキルアミノ基；又はＣ１〜Ｃ５直鎖、分岐若しくは環状フルオロアルキル基から選択される）が開示される。式Ｉ中、Ｒ^３とＲ^４とは同一であっても又は異なっていてもよい。式ＩＩ中、Ｒ^４とＲ^５とは同一であっても又は異なっていてもよい。式Ｉ中、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６は同一であっても又は異なっていてもよい。

【0012】

開示の第５族遷移金属含有化合物は、以下の態様の１つ又は複数を更に含み得る：
ＭがＶであること；
ＭがＮｂであること；
ＭがＴａであること；
Ｒ^１がｔＢｕ又はｔｅｒｔ−アミルであること；
式ＩのＲ^２がｉＰｒ又はｔＢｕであること；
式ＩＩのＲ^２及びＲ^３がｉＰｒ又はｔＢｕであること；
式ＩのＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、及びＲ^６がＭｅ又はＥｔであること；
式ＩＩのＲ^４及びＲ^５がＭｅ又はＥｔであること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジ（トリメチルシリル）アミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ジエチルヒドロキシルアミノ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジ（トリメチルシリル）アミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ジエチルヒドロキシルアミノ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジ（トリメチルシリル）アミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ジエチルヒドロキシルアミノ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジ（トリメチルシリル）アミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ジエチルヒドロキシルアミノ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジ（トリメチルシリル）アミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ジエチルヒドロキシルアミノ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジ（トリメチルシリル）アミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；及び、
第５族遷移金属含有化合物が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ジエチルヒドロキシルアミノ）タンタル（Ｖ）であること。

【0013】

また、下記式の１つを有する第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体：

【化2】

（式中、ＭはＶ、Ｎｂ又はＴａからなる第５族遷移金属から選択され、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、及びＲ^６はそれぞれ独立して、Ｈ；Ｃ１〜Ｃ５直鎖、分岐若しくは環状アルキル基；Ｃ１〜Ｃ５直鎖、分岐若しくは環状アルキルシリル基（モノ、ビス及びトリスアルキル）；Ｃ１〜Ｃ５直鎖、分岐若しくは環状アルキルアミノ基；又はＣ１〜Ｃ５直鎖、分岐若しくは環状フルオロアルキル基から選択される）も開示される。式Ｉ中、Ｒ^３とＲ^４とは同一であっても又は異なっていてもよい。式ＩＩ中、Ｒ^４とＲ^５とは同一であっても又は異なっていてもよい。式Ｉ中、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、及びＲ^６は同一であっても又は異なっていてもよい。

【0014】

開示の第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体は、以下の態様の１つ又は複数を更に含み得る：
ＭがＶであること；
ＭがＮｂであること；
ＭがＴａであること；
Ｒ^１が、ｔＢｕ又はｔｅｒｔ−アミルであること；
式ＩのＲ^２が、ｉＰｒ又はｔＢｕであること；
式ＩＩのＲ^２及びＲ^３が、ｉＰｒ又はｔＢｕであること；
式ＩのＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、及びＲ^６が、Ｍｅ又はＥｔであること；
式ＩＩのＲ^４及びＲ^５が、Ｍｅ又はＥｔであること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジ（トリメチルシリル）アミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ジエチルヒドロキシルアミノ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジ（トリメチルシリル）アミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド
）モノ（ジエチルヒドロキシルアミノ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジ（トリメチルシリル）アミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ジエチルヒドロキシルアミノ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジ（トリメチルシリル）アミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ジエチルヒドロキシルアミノ）バナジウム（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド
）ビス（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジ（トリメチルシリル）アミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ジエチルヒドロキシルアミノ）ニオブ（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジ（トリメチルシリル）アミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）であること；及び、
第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体が、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ジエチルヒドロキシルアミノ）タンタル（Ｖ）であること。

【0015】

第５族遷移金属含有膜を１つ又は複数の基板上に堆積する方法も開示されている。上記で開示された少なくとも１つの第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体を少なくとも１つの基板が中に配された反応器に導入する。第５族遷移金属含有薄膜形成前駆体の少なくとも一部を少なくとも１つの基板上に堆積して、第５族遷移金属含有膜を形成する。

【0016】

開示の方法は下記態様の１つ又は複数を更に含み得る：
少なくとも１つの反応物を反応器に導入すること；
反応物をプラズマ処理すること；
反応物をリモートプラズマ処理すること；
反応物をプラズマ処理しないこと；
反応物が、Ｈ_２、Ｈ_２ＣＯ、Ｎ_２Ｈ_４、ＮＨ_３、ＳｉＨ_４、Ｓｉ_２Ｈ_６、Ｓｉ_３Ｈ_８、ＳｉＨ_２Ｍｅ_２、ＳｉＨ_２Ｅｔ_２、Ｎ（ＳｉＨ_３）_３、それらの水素ラジカル、及びそれらの混合物からなる群から選択されること；
反応物がＨ_２であること；
反応物がＮＨ_３であること；
反応物が、Ｏ_２、Ｏ_３、Ｈ_２Ｏ、Ｈ_２Ｏ_２、ＮＯ、Ｎ_２Ｏ、ＮＯ_２、それらの酸素ラジカル、及びそれらの混合物からなる群から選択されること；
反応物がＨ_２Ｏであること；
反応物がプラズマ処理されたＯ_２であること；
反応物がＯ_３であること；
第５族遷移金属含有化合物と反応物とを反応器に同時に導入すること；
反応器が化学蒸着のために構成されていること；
反応器がプラズマ化学蒸着のために構成されていること；
第５族遷移金属含有化合物と反応物とをチャンバに連続して導入すること；
反応器が原子層堆積のために構成されていること；
反応器がプラズマ原子層堆積のために構成されていること；
反応器が空間的原子層堆積のために構成されていること；
第５族遷移金属含有膜が純粋な第５族遷移金属薄膜であること；
第５族遷移金属含有膜が第５族遷移金属ケイ化物（Ｍ_ｋＳｉ_ｌ、ここでＭは第５族遷移金属であり、ｋ及びｌはそれぞれ１から６までの包括的範囲の整数である）であること；
第５族遷移金属含有膜が第５族遷移金属酸化物（Ｍ_ｎＯ_ｍ、ここでＭは第５族遷移金属であり、ｎ及びｍはそれぞれ１から６までの包括的範囲の整数である）であること；
第５族遷移金属含有膜がＮｂ_２Ｏ_５であること；
第５族遷移金属含有膜がＴａ_２Ｏ_５であること；
第５族遷移金属含有膜が第５族遷移金属窒化物（Ｍ_ｏＮ_ｐ、ここでＭは第５族遷移金属であり、ｏ及びｐはそれぞれ１から６までの包括的範囲の整数である）であること；
基板が酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）であること；及び、
基板が窒化チタン（ＴｉＮ）であること。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】ｔｅｒｔ−ＢｕＮ＝Ｎｂ（ＮＥｔ_２）_２（ＯｔＢｕ）の温度の上昇に伴う重量損失百分率（ＴＧＡ）又は示差温度（ＤＴＡ）を示す熱重量分析（ＴＧＡ）／示差熱分析（ＤＴＡ）のグラフである。

【図2】ｔｅｒｔ−ＢｕＮ＝Ｎｂ（ＮＥｔ_２）（ＯｔＢｕ）_２の温度の上昇に伴う重量損失百分率（ＴＧＡ）又は示差温度（ＤＴＡ）を示すＴＧＡ／ＤＴＡのグラフである。

【図3】ｔｅｒｔ−ＢｕＮ＝Ｎｂ（ＮＥｔ_２）_２（ＯｔＢｕ）の^１ＨＮＭＲスペクトルを示す図である。

【図4】ｔｅｒｔ−ＢｕＮ＝Ｎｂ（ＮＥｔ_２）（ＯｔＢｕ）_２の^１ＨＮＭＲスペクトルを示す図である。

【図5】２００℃及び２２５℃での膜源の導入時間に対する実施例３におけるＮｂ_２Ｏ_５膜の１堆積サイクル当たりの成長速度（オングストローム単位）を示す原子層堆積飽和曲線を表すグラフである。

【図6】エッチング時間（秒単位）に対する実施例３において堆積されたＮｂ_２Ｏ_５膜に含まれるＳｉ、Ｃ、Ｎ、Ｏ及びＮｂの原子百分率を示すＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）のグラフである。

【図7】アスペクト比が１０：１のトレンチを有するパターニングウエハ上に堆積されたＮｂ_２Ｏ_５膜の走査型電子顕微鏡写真を示す図である。

【0018】

表記法及び命名法
或る特定の略語、記号及び用語を以下の明細書及び特許請求の範囲全体を通して使用する。

【0019】

本明細書で使用される不定冠詞「ａ」又は「ａｎ」は、１つ又は複数を意味する。

【0020】

本明細書で使用される「独立して」という用語は、Ｒ基の説明との関連で使用される場合、対象のＲ基が同じ又は異なる下付き文字又は上付き文字を有する他のＲ基に対して独立して選択されるだけでなく、同じＲ基の任意の付加的な種に対しても独立して選択されることを意味するものと理解されたい。例えば式ＭＲ^１_ｘ（ＮＲ^２Ｒ^３）_{（４−ｘ）}（式中、ｘは２又は３である）において、２つ又は３つのＲ^１基は互いに同一であるか、又はＲ^２若しくはＲ^３と同一であってもよいが、そうである必要はない。さらに、特に指定のない限り、異なる式に使用される場合のＲ基の価数は互いに独立することを理解されたい。

【0021】

本明細書で使用される「アルキル基」という用語は、炭素原子及び水素原子のみを含有する飽和官能基を指す。さらに、「アルキル基」という用語は直鎖、分岐又は環状アルキル基を指す。直鎖アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられるが、これらに限定されない。分岐アルキル基の例としては、t−ブチルが挙げられるが、これに限定されない。環状アルキル基の例としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられるが、これらに限定されない。

【0022】

本明細書で使用される「Ｍｅ」という略語はメチル基を指し、「Ｅｔ」という略語はエチル基を指し、「Ｐｒ」という略語は任意のプロピル基を指し、「ｉＰｒ」という略語はイソプロピル基を指し、「Ｂｕ」という略語はブチルを指し、「ｔＢｕ」という略語はｔｅｒｔ−ブチルを指し、「ｓＢｕ」という略語はｓｅｃ−ブチルを指し、「Ｃｐ」という略語はシクロペンタジエニルを指し、「Ｃｐ^＊」という略語はペンタメチルシクロペンタジエニルを指し、「ｏｐ」は（開放）ペンタジエニルを指す。

【0023】

元素周期表による元素の一般的な略語が本明細書中で使用される。元素がこれらの略語によって言及される場合もあることを理解されたい（例えば、Ｍｎはマンガンを指し、Ｓｉはシリコンを指し、Ｃは炭素を指す等）。

【0024】

本発明の性質及び課題の更なる理解のために、添付の図面と併せて以下の詳細な説明について参照されたい。

【発明を実施するための形態】

【0025】

下記式の１つを有する第５族遷移金属含有化合物：

【化3】

（式中、ＭはＶ、Ｎｂ、又はＴａからなる第５族遷移金属から選択され、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、及びＲ^６はそれぞれ独立して、Ｈ；Ｃ１〜Ｃ５直鎖、分岐若しくは環状アルキル基；Ｃ１〜Ｃ５直鎖、分岐若しくは環状アルキルシリル基（モノ、ビス及びトリ
スアルキル）；Ｃ１〜Ｃ５直鎖、分岐若しくは環状アルキルアミノ基；又はＣ１〜Ｃ５直鎖、分岐若しくは環状フルオロアルキル基から選択される）が開示されている。式Ｉ中、Ｒ^３とＲ^４とは同一であっても又は異なっていてもよい。式ＩＩ中、Ｒ^４とＲ^５とは同一であっても又は異なっていてもよい。式Ｉ中、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、及びＲ^６は同一であっても又は異なっていてもよい。

【0026】

Ｒ^１は嵩高い第三級アルキル基がイミド基を安定させるのを助けることができることから、ｔＢｕ又はｔｅｒｔ−アミルであるのが好ましい。式Ｉ中のＲ^２、並びに式ＩＩ中のＲ^２及びＲ^３は、嵩高いアルキル基が構造体の二量体化を防ぐことができることから、ｉＰｒ又はｔＢｕであるのが好ましい。式Ｉ中のＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、及びＲ^６、又は式ＩＩ中のＲ^４及びＲ^５は、アルキル基が小さければ金属含有化合物の蒸気圧を下げることができることから、Ｍｅ又はＥｔであるのが好ましい。

【0027】

例示的な第５族遷移金属含有化合物としては、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジ（トリメチルシリル）アミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ジエチルヒドロキシルアミノ）バナジウム（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジ（トリメチルシリル）アミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ジエチルヒドロキシルアミノ）ニオブ（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、ｔｅｒｔ−アミルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）
、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジ（トリメチルシリル）アミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジメチルアミド）モノ（ジエチルヒドロキシルアミノ）タンタル（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジ（トリメチルシリル）アミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）バナジウム（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ジエチルヒドロキシルアミノ）バナジウム（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジ（トリメチルシリル）アミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ジエチルヒドロキシルアミノ）ニオブ（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（イソプロピルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、ｔｅｒｔ−アミルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、ｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジ（トリメチルシリル）アミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）、及びｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジメチルアミド）ビス（ジエチルヒドロキシルアミノ）タンタル（Ｖ）が挙げられるが、それらに限定されない。

【0028】

第５族遷移金属含有化合物は、残る最終残渣が少量であるという大気熱重量分析におけるその優れた気化結果に起因して、ｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）又はｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）のいずれかであるのが好ましい。

【0029】

開示の第５族遷移金属含有化合物は、対応するアルコールと、対応するイミドトリスアミドの第５族遷移金属とを、ＴＨＦ及びエーテル等の好適な溶媒中にて低温で反応させることにより合成することができる。更なる詳細を含む例示的な合成法は下記の実施例にて提示する。

【0030】

蒸着プロセスを用いて第５族遷移金属含有層を基板上に形成する方法も開示されている。本方法は半導体、光起電素子、ＬＣＤ−ＴＦＴ又はフラットパネル型デバイスの製造に有用であり得る。開示の第５族遷移金属含有化合物は、当業者に既知の任意の堆積法を用いて第５族遷移金属含有薄膜を堆積するのに使用することができる。好適な堆積法の例としては、限定されるものではないが、従来の化学蒸着（ＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、又は蒸気コーティング（vapor coating）に関連した他の種類の堆積、例えば、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、プラズマＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）、パルスＣＶＤ（ＰＣＶＤ）、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）、減圧ＣＶＤ（ＳＡＣＶＤ）若しくは常圧ＣＶＤ（ＡＰＣＶＤ）、ホットワイヤＣＶＤ（ＨＷＣＶＤ、ｃａｔ−ＣＶＤとしても知られ、ホットワイヤが堆積プロセスのエネルギー源として働く）、空間的ＡＬＤ、ホットワイヤＡＬＤ（ＨＷＡＬＤ）、ラジカル支援堆積、及び超臨界流体堆積又はそれらの組合せが挙げられる。堆積法は、好適な段差被覆及び膜厚制御をもたらすためにＡＬＤ、ＰＥ−ＡＬＤ又は空間的ＡＬＤであるのが好ましい。

【0031】

開示の第５族遷移金属含有化合物は純粋な（neat）形態で、又はエチルベンゼン、キシレン、メシチレン、デカン、ドデカン等の好適な溶媒とブレンドして供給することができる。開示の化合物は溶媒中に様々な濃度で存在し得る。

【0032】

純又はブレンドした第５族遷移金属含有化合物の１つ又は複数をチュービング及び／又は流量計等の従来手段により蒸気形態にて反応器に導入する。蒸気形態の化合物は、直接気化、蒸留等の従来の気化工程を用いて又はバブリングにより、純又はブレンドした化合物溶液を気化することにより生成することができる。純又はブレンドした化合物を液体形態にて気化器に送り、そこで反応器へと導入する前に化合物を気化してもよい。代替的には、純又はブレンドした化合物は、キャリアガスを化合物の入った容器に通すか、又はキャリアガスを化合物にてバブリングすることにより気化してもよい。キャリアガスとしては、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ_２及びそれらの混合物が挙げられ得るが、これらに限定されない。キャリアガスを用いたバブリングによって、純又はブレンドした化合物溶液中に存在する全ての溶存酸素を取り除くこともできる。次いでキャリアガス及び化合物を蒸気として反応器に導入する。

【0033】

必要に応じて、開示の化合物の容器を、化合物がその液相に存在し、十分な蒸気圧を有するようになる温度まで加熱してもよい。容器を例えばおよそ０℃〜およそ１５０℃の範囲の温度で維持してもよい。蒸発する化合物の量を制御する既知の方法で容器の温度を調節することができることが当業者には認識される。

【0034】

反応器は、堆積法を行うデバイス内の任意のエンクロージャ又はチャンバ、例えば、限定されるものではないが、平行板型反応器、低温壁型反応器、高温壁型反応器、単一ウエハ反応器、マルチウエハ反応器、又は化合物を反応させ、層を形成するのに好適な条件下の他のタイプの堆積システムであり得る。

【0035】

反応器は概して、薄膜を上に堆積させる１つ又は複数の基板を含有する。基板は、半導体デバイス、光起電デバイス、フラットパネルデバイス又はＬＣＤ−ＴＦＴデバイスの製造に使用される任意の好適な基板であり得る。好適な基板の例としては、シリコン基板、シリカ基板、シリコン窒化物基板、シリコンオキシ窒化物基板、タングステン基板又はこれらの組合せが挙げられるが、これらに限定されない。プラスチック基板、例えばポリ（
３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホネート（sulfonate））［ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ］も使用することができる。さらに、タングステン又は貴金属（例えば白金、パラジウム、ロジウム又は金）を含む基板を使用することができる。基板は、先の製造工程によって異なる材料の１つ又は複数の層が既に上に堆積していてもよい。例えば、Ｎｂ_２Ｏ_５膜をＺｒＯ_２基板上に堆積することができる。続く処理において、ＺｒＯ_２層をＮｂ_２Ｏ_５層上に堆積して、ＺｒＯ_２／Ｎｂ_２Ｏ_５／ＺｒＯ_２ ＤＲＡＭコンデンサを形成することができる。別の例では、Ｔａ_２Ｏ_５層を２つのＴｉＮ層の間に堆積して、ＢＥＯＬ（back end of the line） ＴｉＮ／Ｔａ_２Ｏ_５／ＴｉＮ ＭＩＭコンデンサを形成することができる。

【0036】

反応器内の温度及び圧力をＡＬＤ又はＣＶＤ堆積に適した条件にて保持する。言い換えると、蒸発した化合物をチャンバに導入した後、チャンバ内の条件を蒸発した化合物の少なくとも一部が基板上に堆積し、第５族遷移金属含有膜を形成するものとする。例えば、反応器内の圧力を堆積パラメータによって要求されるように約１Ｐａ〜約１０^５Ｐａ、より好ましくは約２５Ｐａ〜約１０^３Ｐａに保持することができる。同様に、反応器内の温度を約１００℃〜約５００℃、好ましくは約１５０℃〜約３５０℃に保持することができる。当業者であれば、「気化化合物の少なくとも一部を堆積する」は化合物の一部又は全てが基板と反応するか又は基板に接着することを意味することが認識される。

【0037】

反応器の温度は、基板ホルダーの温度の制御及び／又は反応器壁の温度の制御によって制御することができる。基板の加熱に使用されるデバイスは当該技術分野で既知である。反応器壁は、所望の膜を十分な成長速度並びに所望の物理的状態及び組成で得るのに十分な温度に加熱される。反応器壁を加熱することができる非限定的な例示的温度範囲としては、およそ１００℃〜およそ５００℃が挙げられる。プラズマ堆積プロセスを利用する場合、堆積温度はおよそ１５０℃〜およそ３５０℃の範囲であり得る。代替的には、熱プロセスを行う場合、堆積温度はおよそ２００℃〜およそ５００℃の範囲であり得る。

【0038】

開示の化合物に加えて、反応物を反応器に導入してもよい。反応物は酸化性ガス、例えばＯ_２；Ｏ_３；Ｈ_２Ｏ；Ｈ_２Ｏ_２；ＮＯ；Ｎ_２Ｏ；ＮＯ_２；Ｏ^・又はＯＨ^・等の酸素含有ラジカル；ＮＯ；ＮＯ_２；カルボン酸；ギ酸；酢酸；プロピオン酸；及びそれらの混合物の１つであり得る。酸化性ガスはＯ_２、Ｏ_３、Ｈ_２Ｏ、Ｈ_２Ｏ_２、Ｏ^・又はＯＨ^・等のその酸素含有ラジカル及びそれらの混合物からなる群から選択されるのが好ましい。

【0039】

代替的には、反応物は還元性ガス、例えばＨ_２、Ｈ_２ＣＯ、ＮＨ_３、ＳｉＨ_４、Ｓｉ_２Ｈ_６、Ｓｉ_３Ｈ_８、（ＣＨ_３）_２ＳｉＨ_２、（Ｃ_２Ｈ_５）_２ＳｉＨ_２、（ＣＨ_３）ＳｉＨ_３、（Ｃ_２Ｈ_５）ＳｉＨ_３、フェニルシラン、Ｎ_２Ｈ_４、Ｎ（ＳｉＨ_３）_３、Ｎ（ＣＨ_３）Ｈ_２、Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）Ｈ_２、Ｎ（ＣＨ_３）_２Ｈ、Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_２Ｈ、Ｎ（ＣＨ_３）_３、Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_３、（ＳｉＭｅ_３）_２ＮＨ、（ＣＨ_３）ＨＮＮＨ_２、（ＣＨ_３）_２ＮＮＨ_２、フェニルヒドラジン、Ｎ含有分子、Ｂ_２Ｈ_６、９−ボラビシクロ［３，３，１］ノナン、ジヒドロベンゾフラン、ピラゾリン、トリメチルアルミニウム、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛、そのラジカル種及びそれらの混合物の１つであり得る。還元性ガスはＨ_２、ＮＨ_３、ＳｉＨ_４、Ｓｉ_２Ｈ_６、Ｓｉ_３Ｈ_８、ＳｉＨ_２Ｍｅ_２、ＳｉＨ_２Ｅｔ_２、Ｎ（ＳｉＨ_３）_３、その水素ラジカル又はそれらの混合物であるのが好ましい。

【0040】

反応物は、反応物をそのラジカル形態へと分解するためにプラズマによって処理することができる。プラズマによる処理の際にＮ_２を還元性ガスとして利用してもよい。例えば、プラズマは約５０Ｗ〜約５００Ｗ、好ましくは約１００Ｗ〜約２００Ｗの範囲の電力で発生させることができる。プラズマは発生させてもよく、又は反応器自体に存在していてもよい。代替的には、プラズマは概して反応器から離れて、例えば遠隔設置されたプラズマシステム内に位置し得る。かかるプラズマ処理に好適な方法及び装置が当業者には認識
されるであろう。

【0041】

例えば、反応物を直接プラズマ反応器に導入し、反応チャンバ内にてプラズマを発生させることで、反応チャンバ内にプラズマ処理された反応物を生成することができる。例示的な直接プラズマ反応器としては、Trion Technologies製のＴｉｔａｎ（商標） ＰＥＣＶＤシステムが挙げられる。反応物をプラズマ処理前に反応チャンバに導入し、保持していてもよい。代替的には、プラズマ処理は反応物の導入と同時に行うことができる。ｉｎ
ｓｉｔｕプラズマは通例、シャワーヘッドと基板ホルダーとの間に発生する１３．５６ＭＨｚのＲＦ誘導結合プラズマである。基板又はシャワーヘッドは陽イオン衝突が起こるか否かに応じて電力供給電極（powered electrode）となる場合がある。ｉｎ ｓｉｔｕプラズマ発生器において通例印加される電力はおよそ３０Ｗ〜およそ１０００Ｗである。およそ３０Ｗ〜およそ６００Ｗの電力を開示の方法に用いるのが好ましい。電力はおよそ１００Ｗ〜およそ５００Ｗの範囲であるのがより好ましい。ｉｎ ｓｉｔｕプラズマを用いた反応物の解離は通例、同じ入力電力にてリモートプラズマ源を用いて達成されるよりも小さく、そのため反応物の解離においてリモートプラズマシステムほど効率的ではなく、該リモートプラズマシステムがプラズマにより容易に損傷される基板上の第５族遷移金属含有膜の堆積に有益であり得る。

【0042】

代替的には、プラズマ処理された反応物を反応チャンバの外に生成することができる。MKS InstrumentsのＡＳＴＲＯＮｉ（商標）反応ガス発生器を用いて、反応チャンバに通す前に反応物を処理することができる。２．４５ＧＨｚ、７ｋＷのプラズマ電力及びおよそ３Ｔｏｒｒ〜およそ１０Ｔｏｒｒの範囲の圧力にて稼働させると、反応物Ｏ_２が２つのＯ^・ラジカルへと分解し得る。好ましくは、リモートプラズマは約１ｋＷ〜約１０ｋＷ、より好ましくは約２．５ｋＷ〜約７．５ｋＷの範囲の電力を用いて発生させることができる。

【0043】

チャンバ内の蒸着条件によって、開示の化合物と反応物とを反応させ、基板上に第５族遷移金属含有膜を形成することが可能である。いくつかの実施形態では、出願人らは反応物をプラズマ処理することで、開示の化合物との反応に必要なエネルギーを反応物に与えることができると考えている。

【0044】

どの種類の膜が堆積されるのが望まれるかに応じて、更なる前駆体化合物を反応器に導入してもよい。前駆体を用いて、第５族遷移金属含有膜に更なる元素を与えることができる。更なる元素としては、銅、プラセオジム、マンガン、ルテニウム、チタン、タンタル、ビスマス、ジルコニウム、ハフニウム、鉛、バナジウム、ニオブ、タンタル、マグネシウム、アルミニウム、ランタン、又はこれらの混合物が挙げられ得る。更なる前駆体化合物を利用する場合、その結果として生じる基板上に堆積される膜は少なくとも１つの更なる元素とともに第５族遷移金属を含有し得る。

【0045】

第５族遷移金属含有化合物及び反応物は反応器に同時に（化学蒸着）、順次に（原子層堆積）又はこれらの異なる組合せで導入することができる。化合物の導入と反応物の導入との間に反応器を不活性ガスでパージしてもよい。代替的には、反応物及び化合物を混合して反応物／化合物混合物を形成した後、反応器に混合物形態で導入することができる。別の例は、反応物を連続的に導入し、少なくとも１つの第５族遷移金属含有化合物前駆体をパルス状に導入することである（パルス化化学蒸着）。

【0046】

蒸発した化合物及び反応物は、反応器へと順次に又は同時に（例えばパルス化ＣＶＤ）パルス化することができる。各々の化合物パルスは約０．０１秒〜約１０秒、代替的には約０．３秒〜約３秒、代替的には約０．５秒〜約２秒の範囲の期間にわたって持続し得る。別の実施形態では、反応物を反応器へとパルス化してもよい。かかる実施形態では、各
々のガスのパルスは約０．０１秒〜約１０秒、代替的には約０．３秒〜約３秒、代替的には約０．５秒〜約２秒の範囲の期間にわたって持続し得る。別の代替形態では、気化化合物と１つ又は複数の反応物とを、下にあるいくつかのウエハを保持するサセプタを回転させて、シャワーヘッドから同時に噴霧させることができる（空間的ＡＬＤ）。

【0047】

特定のプロセスパラメータに応じて、堆積を様々な時間で行うことができる。概して、所要の特性を有する膜を生成するために、堆積を所望される又は必要な期間継続することができる。典型的な膜厚は、特定の堆積プロセスに応じて数オングストロームから数百ミクロンまで様々であり得る。堆積プロセスは、所望の膜を得るため必要に応じて何度行ってもよい。

【0048】

非限定的な一例示的ＣＶＤ式プロセスでは、開示の第５族遷移金属含有化合物及び反応物の気相及び反応物を同時に反応器に導入する。これら２つが反応し、結果として第５族遷移金属含有薄膜が形成される。この例示的ＣＶＤプロセスにおいて反応物をプラズマで処理する場合、例示的ＣＶＤプロセスは例示的ＰＥＣＶＤプロセスとなる。反応物をチャンバへ導入する前又は導入した後にプラズマで処理することができる。

【0049】

非限定的な一例示的ＡＬＤ式プロセスでは、開示の第５族遷移金属含有化合物の気相を反応器に導入し、そこで好適な基板と接触させる。次いで、反応器のパージ及び／又は排気によって過剰な化合物を反応器から除去することができる。所望のガス（例えばＨ_２）を反応器に導入し、そこで吸着した化合物と自己制御式に反応させる。反応器のパージ及び／又は排気によって過剰な還元性ガスを全て反応器から除去する。所望の膜が第５族遷移金属膜である場合、この二段階プロセスによって所望の膜厚を得ることができ、又は所要の厚さの膜が得られるまでこれを繰り返すことができる。

【0050】

代替的には、所望の膜が第５族遷移金属及び第２元素を含有する場合、上記の二段階プロセスに続いて更なる前駆体の蒸気を反応器に導入することができる。更なる前駆化合物は、堆積させる第５族遷移金属膜に基づいて選択される。反応器への導入の後、更なる前駆化合物と基板とを接触させる。反応器のパージ及び／又は排気によって過剰な更なる前駆化合物を全て反応器から除去する。反応器のパージ及び／又は排気によって過剰なガスを反応器から除去する。所望の膜厚が達成された場合、プロセスを終わらせることができる。しかしながら、より厚い膜が所望される場合、四段階プロセス全体を繰り返してもよい。第５族遷移金属含有化合物、更なる前駆体及び反応物の供給を交互に行うことによって、所望の組成及び厚さの膜を堆積させることができる。

【0051】

この例示的なＡＬＤプロセスにおける反応物をプラズマにて処理する場合、例示的なＡＬＤプロセスは例示的なＰＥＡＬＤプロセスとなる。反応物をチャンバに導入する前又は導入したのに続いてプラズマにて処理することができる。

【0052】

別の非限定的で例示的なＡＬＤタイプのプロセスでは、国際公開第２００７／１４１０５９に開示される、Ｚｒ含有前駆体、例えばＺｒＣｐ（ＮＲ_２）_３前駆体の一つ、好ましくはＺｒＣｐ（ＮＭｅ_２）_３の気相を反応器に導入し、そこで好適な基板と接触させる。次いで余分なＺｒ含有前駆体を、反応器のパージ及び／又は排気によって反応器から取り除くことができる。所望のガス（例えばＯ_３）を反応器に導入し、そこで吸収されたＺｒ含有前駆体と自己制御的に反応させて、ＺｒＯ_２膜を形成する。全ての余分な酸化性ガスを、反応器のパージ及び／又は排気によって反応器から取り除く。これら２つの工程を所望の厚さのＺｒＯ_２膜が得られるまで繰り返すことができる。

【0053】

開示のＮｂ含有前駆体の一つ、例えばｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）又はｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジ
エチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）の気相を反応器に導入し、そこでＺｒＯ_２基板に接触させる。次いで余分なＮｂ含有前駆体を、反応器のパージ及び／又は排気によって反応器から取り除くことができる。所望のガス（例えばＯ_３）を反応器に導入し、そこで吸収されたＮｂ含有前駆体と自己制御的に反応させて、Ｎｂ_２Ｏ_５膜を形成する。全ての余分な酸化性ガスを、反応器のパージ及び／又は排気によって反応器から取り除く。これら２つの工程を所望の厚さのＮｂ_２Ｏ_５膜が得られるまで繰り返すことができる。

【0054】

最後に、これまでのＺｒ含有前駆体と同じであっても又は異なっていてもよいＺｒ含有前駆体の気相を反応器に導入し、そこでＮｂ_２Ｏ_５／ＺｒＯ_２基板に接触させる。次いで余分なＺｒ含有前駆体を、反応器のパージ及び／又は排気によって反応器から取り除くことができる。所望のガス（例えばＯ_３）を反応器に導入し、そこで吸収されたＺｒ含有前駆体と自己制御的に反応させて、ＺｒＯ_２膜を形成する。全ての余分な酸化性ガスを、反応器のパージ及び／又は排気によって反応器から取り除く。これら２つの工程を所望の厚さのＺｒＯ_２膜が得られるまで繰り返すことができる。

【0055】

その結果として生じるＺｒＯ_２／Ｎｂ_２Ｏ_５／ＺｒＯ_２層をＤＲＡＭコンデンサに使用することができる。

【0056】

別の非限定的で例示的なＡＬＤタイプのプロセスでは、酸化タンタル又は酸化ニオブの薄膜を、温度バジェット（temperature budget）が制限されるＢＥＯＬレベルの金属−絶縁体−金属コンデンサ（ＭＩＭ ｃａｐ）の作製のための絶縁体として使用することができる。熱バジェットを低く維持するために、プラズマプロセスが通例用いられる。このようなＭＩＭ ｃａｐ構造体では、基板は限定されるものではないが、窒化チタン（ＴｉＮ）とすることができる。典型例では、酸化タンタル又は酸化ニオブの薄膜をＴｉＮ又は部分酸化したＴｉＮ（ＴｉＯＮ）上に堆積させる。典型プロセスでは、酸素等の酸化剤ガスを継続的に反応器に流入させる。開示のＮｂ又はＴａ含有前駆体の一つ、例えばｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）又はｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）ニオブ（Ｖ）又はｔｅｒｔ−ブチルイミドビス（ジエチルアミド）モノ（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）又はｔｅｒｔ−ブチルイミドモノ（ジエチルアミド）ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアルコキソ）タンタル（Ｖ）の気相を反応器にパルスする。プラズマ活性化は前駆体パルスサイクルと交互に行う。換言すると、サイクルは前駆体とプラズマとのパルスを交互に行う連続的な酸化剤導入となる。このプロセスには、サイクル時間を短縮するのを助ける典型的なＡＬＤパージサイクルは含まれない。その結果として生じるＴｉＮ−Ｔａ（Ｎｂ）_２Ｏ_５−ＴｉＮ積層体をＢＥＯＬ ＭＩＭコンデンサに使用することができる。

【0057】

上述のプロセスより生じる第５族遷移金属含有膜としては、純粋な第５族遷移金属（Ｍ＝Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、第５族遷移金属ケイ化物（Ｍ_ｋＳｉ_ｌ）、第５族遷移金属酸化物（Ｍ_ｎＯ_ｍ）、又は第５族遷移金属窒化物（Ｍ_ｏＮ_ｐ）の膜（ここでｋ、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、及びｐは１から６までの包括的範囲の整数である）が挙げられ得る。当業者であれば、適切な開示の化合物、任意の前駆体化合物及び反応物種を良識的に選択することで、所望の膜組成を得ることができることが認識される。

【0058】

所望の膜厚を得るには、膜を熱アニーリング、炉アニーリング、高速熱アニーリング、ＵＶ硬化若しくは電子ビーム硬化及び／又はプラズマガス曝露等の更なる処理に供することができる。これらの付加的な処理工程を行うために利用するシステム及び方法が当業者には認識される。例えば、第５族遷移金属含有膜を不活性雰囲気、Ｈ含有雰囲気、Ｎ含有雰囲気、Ｏ含有雰囲気、又はこれらの組合せの下で、およそ２００℃〜およそ１０００℃
の範囲の温度に、およそ０．１秒〜およそ７２００秒の範囲の時間にわたって曝露することができる。最も好ましくは、温度はＨ含有雰囲気下又はＯ含有雰囲気下３６００秒間では４００℃である。得られる膜が、含有する不純物がより少ないことから、密度が改善され、結果としてリーク電流が改善され得る。アニーリング工程は、堆積プロセスを行うのと同じ反応チャンバ内で行うことができる。代替的には、基板を反応チャンバから取り出し、アニーリング／フラッシュアニーリングプロセスを別の装置で行ってもよい。上記の後処理方法のいずれも、とりわけ熱アニーリングは、第５族遷移金属含有膜の炭素汚染及び窒素汚染の低減に効果的であることが見出されている。これにより膜の抵抗率が改善される傾向がある。

【0059】

別の代替形態では、開示の第５族遷移金属含有化合物をドープ剤又は注入剤として使用することができる。開示の第５族遷移金属含有化合物の一部を、ドープする膜、例えば酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）膜、二酸化バナジウム（ＶＯ_２）膜、酸化チタン膜、酸化銅膜、又は二酸化スズ（ＳｎＯ_２）膜の上部に堆積させることができる。次いで、第５族遷移金属をアニーリング工程中に膜へと拡散させて、第５族遷移金属ドープ膜｛（Ｖ）Ｉｎ_２Ｏ_３、（Ｎｂ）ＶＯ_２、（Ｔａ）ＴｉＯ、（Ｖ）ＣｕＯ、又は（Ｎｂ）ＳｎＯ_２｝を形成する。例えばLavoie et al.に対する米国特許出願公開第２００８／０２４１５７５号を参照されたい。そのドープ方法はその全体が引用することにより本明細書の一部をなす。代替的には、可変エネルギー高周波四重極注入装置を用いた高エネルギーイオン注入を用いて、開示の化合物の第５族遷移金属を膜にドープすることができる。例えばKensuke et al., JVSTA 16(2) Mar/Apr 1998を参照されたい。その注入方法はその全体が引用することにより本明細書の一部をなす。別の代替形態では、プラズマドープ、パルスプラズマドープ又はプラズマ浸漬イオン注入を、開示の第５族遷移金属含有化合物を用いて行うことができる。例えば、Felch et al., Plasma doping for the fabrication of ultra-shallow junctions Surface Coatings Technology, 156 (1-3) 2002, pp. 229-236を参照されたい。そのドープ方法はその全体が引用することにより本明細書の一部をなす。

【実施例】

【0060】

実施例
下記実施例は本明細書の開示とともに行われる実験を説明するものである。実施例は全てを包含するものとは意図されず、本明細書に記載の開示の範囲を限定するものとは意図されない。

【0061】

実施例１：ｔｅｒｔ−ＢｕＮ＝Ｎｂ（ＮＥｔ_２）_２（ＯｔＢｕ）の合成
−７８℃のｔｅｒｔ−ＢｕＮ＝Ｎｂ（ＮＥｔ_２）_３（２ｇ、５．２６ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶液およそ２０ｍＬに、ｔＢｕＯＨ（０．３８ｇ、５．２６ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液を滴加した。混合物をゆっくりと室温まで加温し、一晩撹拌した。次いで溶媒を真空除去して、黄色液体を得た。この材料を１２０℃、１００ｍＴｏｒｒ（ｂｐ 約５５℃〜６５℃）での蒸留により精製して、１．１２ｇ（５６％）の無色の油を得た。

【0062】

この油には、１０℃／分の温度上昇速度にて、２００ｍＬ／分で窒素を流す雰囲気において測定されたＴＧＡ分析中、１％未満の残渣塊が残った。これらの結果を、温度変化とともに重量損失百分率を表すＴＧＡグラフである図１に示す。ＮＭＲ１Ｈスペクトルを図３に示す。
ＮＭＲ１Ｈ（δ，ｐｐｍ，Ｃ６Ｄ６）：３．５２（ｍ，８Ｈ）、１．４０（ｓ，９Ｈ）、１．３８（ｓ，９Ｈ）、１．１８（ｍ，１２Ｈ）

【0063】

実施例２：ｔｅｒｔ−ＢｕＮ＝Ｎｂ（ＮＥｔ_２）（ＯｔＢｕ）_２の合成
−７８℃のｔｅｒｔ−ＢｕＮ＝Ｎｂ（ＮＥｔ_２）_３（２ｇ、５．２６ｍｍｏｌ）のＴＨ
Ｆ溶液およそ２０ｍＬに、ｔＢｕＯＨ（０．７８ｇ、１０．５２ｍｍｏｌ）の溶液を滴加した。混合物をゆっくりと室温まで加温し、一晩撹拌した。次いで溶媒を真空除去して、黄色液体を得た。この材料を１５０℃、１００ｍＴｏｒｒ（ｂｐ 約７０℃〜８０℃）での蒸留により精製して、１．４３ｇ（７１％）の無色の油を得た。

【0064】

この油には、１０℃／分の温度上昇速度にて、２００ｍＬ／分で窒素を流す雰囲気において測定されたＴＧＡ分析中、１％未満の残渣塊が残った。これらの結果を、温度変化とともに重量損失百分率を表すＴＧＡグラフである図２に示す。ＮＭＲ１Ｈスペクトルを図４に示す。
ＮＭＲ１Ｈ（δ，ｐｐｍ，Ｃ６Ｄ６）：３．５２（ｍ，４Ｈ）、１．４０（ｓ，１８Ｈ）、１．３９（ｓ，９Ｈ），１．２０（ｍ，６Ｈ）

【0065】

実施例３：第５族遷移金属のＡＬＤ
ＡＬＤ試験を、８０℃に加熱した容器に入れた実施例１にて調製したｔｅｒｔ−ＢｕＮ＝Ｎｂ（ＮＥｔ_２）_２（ＯｔＢｕ）を用いて行った。典型的なＡＬＤ条件を０．５Ｔｏｒｒに固定した反応器の圧力とともに用いた。図５に示されるように、完全な表面飽和及び反応を伴うＡＬＤ挙動が、成長速度がおよそ０．７Å／サイクルの純シリコンウエハ上において２００℃及び２２５℃にて観察された。図６に提示されるように、炭素及び窒素の混入は検出限界未満（すなわち１原子％未満）であった。図７に示されるように、優れた段差被覆が１０：１のアスペクト比のパターニングウエハ上において得られた（最適化せずに９３％）。

【0066】

本発明の性質を説明するために本明細書中に記載及び例示されている詳細、材料、工程及び部材の配列の多くの更なる変更は、添付の特許請求の範囲に表される本発明の原理及び範囲内で当業者が行うことができることが理解され得る。よって、本発明は、上記に挙げられる実施例及び／又は添付の図面における具体的な実施形態に限定されることが意図されるものではない。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】