特許 6348701 モジュール

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6348701

(24)【登録日】2018年6月8日

(45)【発行日】2018年6月27日

(54)【発明の名称】モジュール

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/25 20060101AFI20180618BHJP

   H03H 9/64 20060101ALI20180618BHJP

   H03H 9/72 20060101ALI20180618BHJP

   H03H 9/17 20060101ALI20180618BHJP

   H03H 9/54 20060101ALI20180618BHJP

   H04B 1/50 20060101ALI20180618BHJP

   H04B 1/38 20150101ALI20180618BHJP

【ＦＩ】

   H03H9/25 A

   H03H9/64 Z

   H03H9/72

   H03H9/17 F

   H03H9/54 Z

   H04B1/50

   H04B1/38

【請求項の数】7

【全頁数】13

(21)【出願番号】特願2013-230715(P2013-230715)

(22)【出願日】2013年11月6日

(65)【公開番号】特開2015-91066(P2015-91066A)

(43)【公開日】2015年5月11日

【審査請求日】2016年11月4日

(73)【特許権者】

【識別番号】000204284

【氏名又は名称】太陽誘電株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100087480

【弁理士】

【氏名又は名称】片山 修平

(72)【発明者】

【氏名】西村 豪紀

(72)【発明者】

【氏名】田坂 直之

(72)【発明者】

【氏名】田中 祥子

【審査官】 橋本 和志

(56)【参考文献】

【文献】 国際公開第２０１３／１２８５４１（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特許第５１２２０１８（ＪＰ，Ｂ１）

【文献】 特開２００８−２５２３５１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１１／１０２０４９（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０３Ｈ ９／２５

Ｈ０３Ｈ ９／１７

Ｈ０３Ｈ ９／５４

Ｈ０３Ｈ ９／６４

Ｈ０３Ｈ ９／７２

Ｈ０４Ｂ １／３８

Ｈ０４Ｂ １／５０

Ｈ０５Ｋ ３／４６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

配線基板と、
前記配線基板の内部に埋め込まれた弾性波デバイスと、
前記弾性波デバイスの第１面に設けられた第１端子と、
前記弾性波デバイスの前記第１面とは反対側の面である第２面に設けられた第２端子と、
前記配線基板の面のうち、前記第１面側の面である第３面に設けられ、前記第１端子に接続された第３端子と、
前記配線基板の面のうち、前記第２面側の面である第４面に設けられ、前記第２端子に接続された第４端子と、を具備し、
前記弾性波デバイスは、単一の基板と前記単一の基板の一方の面に設けられ弾性波を励振する機能部と前記単一の基板を貫通するビア配線とを含み、
前記第１端子および前記第２端子の少なくとも一方は前記ビア配線を介し前記機能部と接続されることを特徴とするモジュール。

【請求項2】

前記第１端子は入力端子および出力端子の一方であり、
前記第２端子は前記入力端子および前記出力端子の他方であることを特徴とする請求項１記載のモジュール。

【請求項3】

配線基板と、
前記配線基板の内部に埋め込まれた弾性波デバイスと、
前記弾性波デバイスの第１面に設けられた第１端子と、
前記弾性波デバイスの前記第１面とは反対側の面である第２面に設けられた第２端子と、
前記配線基板の面のうち、前記第１面側の面である第３面に設けられ、前記第１端子に接続された第３端子と、
前記配線基板の面のうち、前記第２面側の面である第４面に設けられ、前記第２端子に接続された第４端子と、
前記弾性波デバイスに設けられ、前記第１端子と前記第２端子とを接続するビア配線と、
を具備し、
前記第１端子および前記第２端子は同電位の端子であることを特徴とするモジュール。

【請求項4】

前記第１端子と前記第３端子とは、前記第１面と前記第３面との間に設けられた配線により接続され、
前記第２端子と前記第４端子とは、前記第２面と前記第４面との間に設けられた配線により接続されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載のモジュール。

【請求項5】

前記配線基板の第３面または前記第４面に設けられ、前記第３端子または前記第４端子に接続された電子部品を具備することを特徴とする請求項１から４いずれか一項記載のモジュール。

【請求項6】

前記弾性波デバイスはフィルタ、またはデュプレクサであることを特徴とする請求項１から５いずれか一項記載のモジュール。

【請求項7】

前記弾性波デバイスは、基板、前記基板の一方の面に設けられ弾性波を励振する機能部、およびパッケージ基板を含み、
前記ビア配線は前記基板を貫通することを特徴とする請求項３記載のモジュール。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明はモジュールに関する。

【背景技術】

【0002】

携帯電話などの通信機器に搭載されるモジュールは、フィルタ及びデュプレクサなどとして機能する弾性波デバイスを含む。特許文献１には、基板の内部にフィルタチップを埋め込む技術が記載されている。これによりモジュールの集積度を高め、モジュールを小型化することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１３−１３２０１４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

基板には、内蔵した弾性波デバイスの端子と、基板の端子とを接続する配線を設ける。しかし弾性波デバイスの一方の面のみに端子が設けられている場合、配線を弾性波デバイスを迂回させる。配線を迂回させることにより、基板において配線が占有するスペースが大きくなり、設計の自由度が低下する。本発明は上記課題に鑑み、設計の自由度を高めることができるモジュールを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明は、配線基板と、前記配線基板の内部に埋め込まれた弾性波デバイスと、前記弾性波デバイスの第１面に設けられた第１端子と、前記弾性波デバイスの前記第１面とは反対側の面である第２面に設けられた第２端子と、前記配線基板の面のうち、前記第１面側の面である第３面に設けられ、前記第１端子に接続された第３端子と、前記配線基板の面のうち、前記第２面側の面である第４面に設けられ、前記第２端子に接続された第４端子と、を具備し、前記弾性波デバイスは、単一の基板と前記単一の基板の一方の面に設けられ弾性波を励振する機能部と前記単一の基板を貫通するビア配線とを含み、前記第１端子および前記第２端子の少なくとも一方は前記ビア配線を介し前記機能部と接続されることを特徴とするモジュールである。

【0006】

上記構成において、前記第１端子と前記第３端子とは、前記第１面と前記第３面との間に設けられた配線により接続され、前記第２端子と前記第４端子とは、前記第２面と前記第４面との間に設けられた配線により接続されている構成とすることができる。

【0007】

上記構成において、前記第１端子は入力端子および出力端子の一方であり、前記第２端子は前記入力端子および前記出力端子の他方である構成とすることができる。

【0008】

上記構成において、前記弾性波デバイスに設けられ、前記第１端子と前記第２端子とを接続するビア配線を具備し、前記第１端子および前記第２端子は同電位の端子とすることができる。

【0009】

上記構成において、前記配線基板の第３面または前記第４面に設けられ、前記第３端子または前記第４端子に接続された電子部品を具備する構成とすることができる。

【0010】

上記構成において、前記弾性波デバイスはフィルタ、またはデュプレクサである構成とすることができる。

【0011】

上記構成において、前記弾性波デバイスは、基板、前記基板の一方の面に設けられ弾性波を励振する機能部、およびパッケージ基板を含み、前記ビア配線は前記基板を貫通する構成とすることができる。

【発明の効果】

【0012】

本発明によれば、設計の自由度を高めることができるモジュールを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】図１（ａ）は実施例１に係るモジュールを例示する断面図である。図１（ｂ）は弾性波デバイスを例示する断面図である。

【図2】図２（ａ）は弾性波デバイスを例示する上面図である。図２（ｂ）はパッケージ基板を透視した弾性波デバイスを例示する下面図である。

【図3】図３（ａ）から図３（ｃ）は電子デバイスの製造方法を例示する断面図である。

【図4】図４（ａ）から図４（ｃ）は電子デバイスの製造方法を例示する断面図である。

【図5】図５は比較例に係るモジュールを例示する断面図である。

【図6】図６は実施例２に係るモジュールを例示する断面図である。

【図7】図７は実施例３に係るモジュールを例示する断面図である。

【図8】図８は実施例４に係るモジュールを例示する断面図である。

【図9】図９（ａ）は実施例５に係るモジュールを例示する断面図である。図９（ｂ）はモジュールに含まれる弾性波デバイスを例示する断面図である。

【図10】図１０（ａ）は弾性波デバイスを例示する上面図である。図１０（ｂ）はパッケージ基板を透視した弾性波デバイスを例示する下面図である。

【図11】図１１（ａ）から図１１（ｃ）は弾性波デバイスの製造方法を例示する断面図である。

【図12】図１２は実施例６に係るモジュールを例示する断面図である。

【図13】図１３（ａ）はＦＢＡＲを含む弾性波デバイスを例示する平面図である。図１３（ｂ）はＦＢＡＲを例示する断面図である。

【図14】図１４はデュプレクサを含むモジュールを例示するブロック図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

図面を用いて実施例について説明する。

【実施例1】

【0015】

図１（ａ）は実施例１に係るモジュール１００を例示する断面図である。図１（ｂ）は弾性波デバイス３０を例示する断面図である。図２（ａ）は弾性波デバイス３０を例示する上面図である。図２（ｂ）はパッケージ基板３２を透視した弾性波デバイス３０を例示する下面図である。図１（ａ）は図２（ａ）の線Ａ−Ａおよび図２（ｂ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面を図示している。

【0016】

図１（ａ）に示すように、モジュール１００は配線基板１０、パワーアンプ（Power Amplifier：ＰＡ）２６および弾性波デバイス３０を備える。弾性波デバイス３０は配線基板１０の内部に収納されている。弾性波デバイス３０は例えば送信フィルタとして機能する弾性表面波（Surface Acoustic Wave：ＳＡＷ）フィルタである。ＰＡ２６は配線基板１０の上面に実装されている。ＰＡ２６は送信信号を増幅し、弾性波デバイス３０は送信信号をフィルタリングする。フィルタリングされた送信信号は不図示のアンテナから送信される。送信信号は例えばＷ−ＣＤＭＡの帯域の周波数を有する高周波信号である。

【0017】

配線基板１０は絶縁層１１〜１６および導体層１７〜２３が交互に積層された多層基板である。導体層の間は絶縁層を貫通するビア配線２４により電気的に接続されている。絶縁層１３および１４に弾性波デバイス３０が埋め込まれている。導体層２３に含まれる端子２３ａおよび２３ｂはＰＡ２６に接続されている。

【0018】

図１（ｂ）に示すように、弾性波デバイス３０は、パッケージ基板３１および３２並びに圧電基板３３を含む。パッケージ基板３１は圧電基板３３の上に配置され、パッケージ基板３２は圧電基板３３の下に配置されている。パッケージ基板３１および３２は、シールリング３７により接合されている。図１（ｂ）および図２（ｂ）に示すように、圧電基板３３の下面にはＩＤＴ（Interdigital Transducer）３４（機能部）および反射器３６が設けられている。圧電基板３３とパッケージ基板３１および３２との間には空隙３５が形成されるため、ＩＤＴ３４による弾性波の励振は妨げられない。

【0019】

図１（ｂ）に示すように、圧電基板３３には、圧電基板３３を貫通するビア配線３８が設けられている。ビア配線３８の一方の端部は圧電基板３３の上面から露出し、他方の端部は圧電基板３３の下面から露出する。圧電基板３３の上面から露出するビア配線３８の端部にはバンプ４０が接続されている。圧電基板３３の下面から露出するビア配線３８の端部にはバンプ４１が接続されている。ＩＤＴ３４は、図２（ｂ）に示すようにバンプ４１に接続され、またビア配線３８を通じてバンプ４０に接続されている。

【0020】

図２（ａ）に示すように、パッケージ基板３１の上面（弾性波デバイス３０の上面）には４つの端子４２およびグランド層４３が設けられている。図１（ｂ）に示すように、パッケージ基板３１の下面には導体層４４および５２が設けられ、内部には導体層４５およびビア配線４６が設けられている。パッケージ基板３２の下面（弾性波デバイス３０の下面）には４つの端子４７、およびグランド層４８が設けられている。パッケージ基板３２の上面には導体層４９および５３が設けられ、内部には導体層５０およびビア配線５１が設けられている。図１（ｂ）においては、４つの端子４２のうち端子４２ａおよび４２ｂが図示され、４つの端子４７のうち端子４７ａおよび４７ｂが図示されている。

【0021】

圧電基板３３の上面に設けられたバンプ４０は、パッケージ基板３１の導体層４４および４５並びにビア配線４６を通じて、パッケージ基板３１の上面の端子４２に接続されている。バンプ４１は、パッケージ基板３２の導体層４９および５０並びにビア配線５１を通じて、パッケージ基板３２の下面の端子４７に接続されている。また、圧電基板３３に設けられたビア配線３８を介して、端子４２ａは端子４７ａと接続され、端子４２ｂは端子４７ｂと接続されている。

【0022】

図１（ａ）に示すように、端子４２ａは、導体層２１および２２に含まれる配線、およびビア配線２４を介して、導体層２３に含まれる端子２３ａに接続されている。端子４７ｂは、導体層１８に含まれる配線、およびビア配線２４を介して、導体層１７に含まれる端子１７ａに接続されている。

【0023】

すなわち弾性波デバイス３０の上面の端子４２は配線基板１０の上面の端子に接続される。弾性波デバイス３０の下面の端子４７は配線基板１０の下面の端子に接続される。配線が弾性波デバイス３０を迂回しないため、モジュール１００の設計の自由度が向上する。迂回路がない分、配線基板１０の面積を小さくし、モジュール１００を小型化することができる。配線基板１０の迂回路を形成していた部分に別の配線を設けてもよい。また、端子間を接続する配線を短くすることができる。配線が短いため、配線における信号の損失が低減され、また配線のインピーダンスを所望の値にすることも容易である。端子間を接続する配線とは、導体層に含まれる配線およびビア配線２４を総称したものである。

【0024】

端子４２と導体層２３に含まれる端子とを接続する配線は、弾性波デバイス３０の上面と配線基板１０の上面との間に設けられ、弾性波デバイス３０の側面と同一の層および下面側には設けられないことが好ましい。端子４７と導体層１７に含まれる端子とを接続する配線は、弾性波デバイス３０の下面と配線基板１０の下面との間に設けられ、弾性波デバイス３０の側面と同一の層および下面側には設けられないことが好ましい。端子間の配線が短くなる。

【0025】

端子２３ａおよび４２ａは入力端子であり、ＰＡ２６の出力する信号が入力する。端子１７ａおよび４７ｂは出力端子であり、弾性波デバイス３０によりフィルタリングされた信号が端子１７ａおよび４７ｂを介して出力される。入力端子である端子２３ａおよび４２ａは弾性波デバイス３０の上面側に位置し、出力端子である端子１７ａおよび４７ｂは弾性波デバイス３０の下面側に位置する。入力端子および出力端子が同一の面の側に設けられる場合より、入力端子と出力端子との距離が大きくなる。入力信号と出力信号との干渉が抑制されるため、弾性波デバイス３０の周波数特性が改善する。

【0026】

導体層５２はパッケージ基板３１の下面の周縁部に設けられたリング状の導体層である。導体層５３はパッケージ基板３２の上面の周縁部に設けられたリング状の導体層である。導体層５２および５３はシールリング３７により接合されている。図２（ｂ）に示すように、シールリング３７はＩＤＴ３４および反射器３６を囲むため、気密封止が可能である。図１（ｂ）に示すように、導体層５２はビア配線４６を通じてグランド層４３に接続されている。導体層５３はビア配線５１を通じてグランド層４８に接続されている。

【0027】

配線基板１０にＰＡ２６を設けることで、モジュールの集積度を高めることができる。ＰＡ２６以外の電子部品を設けてもよい。電子部品は例えばスイッチ、パワーアンプ、または集積回路などの能動部品とすることができる。電子部品はインダクタ、キャパシタまたは抵抗などの受動部品でもよい。弾性波デバイスと電子部品とを同一の基板に設けるため、モジュールの小型化が可能である。また弾性波デバイスとモジュールとの間を接続する配線を短くすることができるため、信号の損失が抑制される。

【0028】

絶縁層１１〜１６は例えばガラスエポキシ樹脂などの樹脂またはセラミックなどの絶縁体により形成されている。導体層１７〜２３、シールリング３７およびビア配線は例えば銅（Ｃｕ）、および金（Ａｕ）などの金属により形成されている。圧電基板３３は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）又はタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）などの圧電体により形成されている。ＩＤＴ３４および反射器３６は例えばアルミニウム（Ａｌ）などの金属により形成されている。バンプは例えばＳｎ−Ａｇを主成分とする半田、またはＡｕなどにより形成されている。

【0029】

図３（ａ）から図４（ｃ）は弾性波デバイス３０の製造方法を例示する断面図である。図３（ａ）から図３（ｃ）においては、図１（ａ）および図１（ｂ）に示した圧電基板３３を上下反転して図示した。

【0030】

図３（ａ）に示すように、例えば蒸着・リフトオフなどにより、圧電基板３３の一面にＩＤＴ３４および反射器３６を形成する。図３（ｂ）に示すように、レーザー光などにより圧電基板３３にスルーホール３８ａを形成する。図３（ｃ）に示すように、メッキ処理などによりスルーホール３８ａを埋めるビア配線３８を形成する。

【0031】

図４（ａ）に示すように、例えばＡｕ−Ａｕ接合、ロウ材による接合または常温接合などにより、パッケージ基板３１の導体層４４にバンプ４０を接合する。図４（ｂ）に示すように、パッケージ基板３２の導体層５３にシールリング３７を接合し、導体層４９にバンプ４１を接合する。図４（ｃ）に示すように、パッケージ基板３１および３２により圧電基板３３を挟み込む。矢印で示すように、ビア配線３８にバンプ４０および４１を接合し、導体層５２にシールリング３７を接合する。こうして形成された弾性波デバイス３０を、配線基板１０に埋め込む。

【0032】

図５は比較例に係るモジュール１００Ｒを例示する断面図である。図５に示すように配線基板１０に弾性波デバイス３０Ｒが内蔵されている。弾性波デバイス３０Ｒの端子５７および５８は、弾性波デバイス３０Ｒの上面に設けられている。端子５８と、配線基板１０の下面に設けられた端子１７ａとを接続する配線は、弾性波デバイス３０Ｒを迂回するように設けられる。この結果、設計の自由度が低下する。また、比較例における端子間の配線は実施例１よりも長くなるため、信号の損失が増大し、かつ配線のインピーダンスを所望の値とすることが難しい。

【実施例2】

【0033】

図６は実施例２に係るモジュール２００を例示する断面図である。図６に示すように、弾性波デバイス３０の上面に設けられた端子４２ａは、配線基板１０の上面に設けられた端子２３ａに接続されている。端子４２ｂは端子２３ｂに接続されている。弾性波デバイス３０の下面に設けられた端子４７ｂは配線基板１０の下面に設けられた端子１７ａに接続されている。端子２３ａおよび２３ｂはＰＡ２６に接続されている。ＰＡ２６から出力される信号は端子２３ａおよび４２ａを介して弾性波デバイス３０に入力される。端子１７ａ、２３ｂ、４２ｂおよび４７ｂは接地端子として機能する。

【0034】

実施例２によれば、実施例１と同様に、配線を迂回させなくてよいため、設計の自由度が向上する。端子間の配線が短くなるため、信号の損失が低減される。端子１７ａおよび４７ｂと、端子２３ｂおよび４２ｂとは、弾性波デバイス３０に設けられたビア配線３８を通じて接続されているため、同電位（ここではグランド電位）を有する。このためグランド電位が安定する。また端子２３ｂおよび４２ｂを、ＰＡ２６の電源供給用の端子としてもよい。

【実施例3】

【0035】

図７は実施例３に係るモジュール３００を例示する断面図である。図７に示すように、端子４２ａは端子２３ａに接続されている。弾性波デバイス３０の上面に設けられたグランド層４３は端子２３ｂに接続されている。端子４７ｂは端子１７ａに接続されている。端子２３ａおよび４２ａは入力端子として機能する。端子１７ａ、２３ｂおよび４７ｂは接地端子として機能する。実施例３によれば、端子間の配線が短くなるため、設計の自由度が向上し、かつ信号の損失が低減する。端子２３ｂが弾性波デバイス３０のグランド層４３に接続されているため、グランド配線を弾性波デバイス３０を迂回させなくてよい。従って設計の自由度が向上する。

【実施例4】

【0036】

図８は実施例４に係るモジュール４００を例示する断面図である。図８に示すように、端子４２ａは端子２３ａに接続され、グラン同窓４３は端子２３ｂに接続されている。弾性波デバイス３０の下面に設けられた端子４７ｂは端子１７ａに接続されている。グランド層４８は導体層１７に含まれる端子１７ｂに接続されている。実施例４によれば、設計の自由度が向上し、かつ信号の損失が低減する。

【0037】

弾性波デバイス３０の上面側の端子２３ａおよび４２ａは入力端子として機能する。弾性波デバイス３０の下面側の端子１７ａおよび４７ｂは出力端子として機能する。入力信号と出力信号との干渉が抑制されるため、モジュール４００の周波数特性が改善する。端子１７ｂおよび２３ｂは接地端子として機能する。端子２３ｂは弾性波デバイス３０のグランド層４３に接続され、端子１７ｂはグランド層４８に接続されているため、設計の自由度が向上する。

【実施例5】

【0038】

図９（ａ）は実施例５に係るモジュール５００を例示する断面図である。図９（ｂ）はモジュール５００に含まれる弾性波デバイス３０ａを例示する断面図である。図１０（ａ）は弾性波デバイス３０ａを例示する上面図である。図１０（ｂ）はパッケージ基板３２を透視した弾性波デバイス３０ａを例示する下面図である。

【0039】

図９（ａ）に示すように、弾性波デバイス３０ａは配線基板１０に内蔵されている。図９（ｂ）に示すように、弾性波デバイス３０ａはパッケージ基板３２および圧電基板３３を含む。圧電基板３３の下面にＩＤＴ３４、反射器３６および導体層５６が設けられている。導体層５６は、パッケージ基板３２の上面に設けられた導体層４９とシールリング３７により接合されている。圧電基板３３とパッケージ基板３２との間には空隙３５が形成される。図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、シールリング３７はＩＤＴ３４および反射器３６を囲む。

【0040】

図１０（ａ）に示すように、圧電基板３３の上面から４つのビア配線３８の上面が露出する。ビア配線３８の上面は端子として機能する。図９（ａ）および図９（ｂ）においては４つのビア配線３８のうちビア配線３８ｂおよび３８ｃが図示されている。ビア配線３８ｂは、配線基板１０に設けられた導体層２１〜２２およびビア配線２４を介して、配線基板１０の上面に設けられた端子２３ｂに接続されている。端子２３ｂはＰＡ２６に接続されている。ビア配線３８ｃはパッケージ基板３２の下面に設けられた端子４７ｂに接続されている。端子４７ｂは、配線基板１０の下面に設けられた端子１７ａに接続されている。

【0041】

弾性波デバイス３０ａの上面の端子は配線基板１０の上面の端子に接続され、弾性波デバイス３０ａの下面の端子は配線基板１０の下面の端子に接続される。実施例５によれば、設計の自由度が向上し、かつ信号の損失が低減する。端子２３ｂおよびビア配線３８ｂは入力端子として機能する。端子１７ａおよび４７ｂは出力端子として機能する。入力端子と出力端子との距離が大きいため、入力信号と出力信号との干渉が抑制される。弾性波デバイス３０ａは圧電基板３３のサイズと同程度まで小型が可能であるため、モジュール５００の設計の自由度がより向上する。図９（ａ）に示すように、端子２３ｂをビア配線３８ｂに接続するため、弾性波デバイス３０ａを迂回する信号配線を設けなくてよい。また端子１７ａを端子４７ｂに接続するため、弾性波デバイス３０ａを迂回するグランド配線を設けなくてよい。従って設計の自由度が向上する。なお圧電基板３３の上面に、ビア配線３８の上面と電気的に接続された端子を設けてもよい。

【0042】

図１１（ａ）から図１１（ｃ）は弾性波デバイス３０ａの製造方法を例示する断面図である。図１１(ａ)に示すように、圧電基板３３の一面にＩＤＴ３４、反射器３６、および導体層５６を形成する。図１１（ｂ）に示すように、パッケージ基板３２の導体層５３にシールリング３７を接合する。導体層４９にバンプ４１を接合する。図１１（ｃ）に矢印で示すように、圧電基板３３をパッケージ基板３２に実装する。

【実施例6】

【0043】

図１２は実施例６に係るモジュール６００を例示する断面図である。図１２に示すように、ビア配線３８ｂは端子２３ａに接続されている。ビア配線３８ｃは端子２３ｂに接続されている。端子４７ｂは端子１７ａに接続されている。端子２３ａおよびビア配線３８ｂの上面は入力端子として機能する。端子１７ａ、２３ｂおよび４７ｂ、並びにビア配線３８ｃの上面は接地端子として機能する。実施例６によれば、設計の自由度が向上し、かつ信号の損失が低減する。

【0044】

なお、本発明は係る特定の実施形態および実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。弾性波デバイスはＳＡＷデバイス以外に弾性境界波デバイス、圧電薄膜共振子（Film Bulk Acoustic Resonator：ＦＢＡＲ）を含むデバイスでもよい。図１３（ａ）はＦＢＡＲを含む弾性波デバイス３０ｂを例示する平面図である。図１３（ａ）に示すように、基板６４の上に複数のＦＢＡＲ６２が形成されている。

【0045】

図１３（ｂ）はＦＢＡＲ６２を例示する断面図である。図１３（ｂ）に示すように、基板６４の上に、下部電極６６、圧電薄膜６８及び上部電極７０が積層されている。下部電極６６、圧電薄膜６８及び上部電極７０が重なる共振領域７２は弾性波を励振する機能部である。共振領域７２はドーム状に隆起しており、下部電極６６と基板６４との間には空隙７４が形成される。下部電極６６は空隙７４に露出してもよいし、下部電極６６の下面に音響反射膜などを設けてもよい。基板６４は例えばシリコン、ガラスなどにより形成されている。下部電極６６及び上部電極７０は、例えばルテニウム（Ｒｕ）などの金属により形成されている。圧電薄膜６８は、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ₃）などの圧電体により形成されている。共振領域７２と、図１（ｂ）などに示したパッケージ基板３２との間に空隙３５が形成される。空隙３５および７４があるため、弾性波の励振は妨げられない。

【0046】

図１４はデュプレクサ８０を含むモジュールを例示するブロック図である。図１４に示すように、デュプレクサ８０は送信フィルタ８０ａおよび受信フィルタ８０ｂを含む。送信フィルタ８０ａはアンテナ端子ＡＮＴを介してアンテナ８１に接続され、送信端子Ｔｘを介してＰＡ８２に接続されている。受信フィルタ８０ｂはアンテナ端子ＡＮＴを介してアンテナ８１に接続され、受信端子Ｒｘを介してローノイズアンプ（Low Noise Amplifier：ＬＮＡ）８４に接続されている。アンテナ８１は高周波信号の送信および受信を行う。実施例１〜６の弾性波デバイスは、送信フィルタ８０ａまたは受信フィルタ８０ｂとすることができる。端子４２および４７、導体層１７または２３に含まれる端子は、送信端子Ｔｘおよび受信端子Ｒｘのいずれかとすることができる。また配線基板１０に、デュプレクサ８０を形成する複数の弾性波デバイスを埋め込んでもよい。導体層１７または２３に含まれる端子は、送信端子Ｔｘ、受信端子Ｒｘおよびアンテナ端子ＡＮＴのいずれかとすることができる。送信端子Ｔｘ、受信端子Ｒｘおよびアンテナ端子ＡＮＴのうち２つを配線基板１０の上面に設け、１つを配線基板１０の下面に設けることにより、信号の干渉を抑制することができる。図１（ａ）などに示したＰＡ２６に代えて、図１４のＰＡ８２およびＬＮＡ８４を含む集積回路（Integrated Circuit：ＩＣ）などを設けることができる。

【符号の説明】

【0047】

１０ 配線基板
１７ａ、１７ｂ、２３ａ、２３ｂ、４２、４２ａ、４２ｂ、
４７、４７ａ、４７ｂ 端子
２４、３８、３８ｂ、３８ｃ、４６、５１ ビア配線
２６ ＰＡ
３０、３０ａ、３０ｂ 弾性波デバイス
３１、３２ パッケージ基板
３３ 圧電基板
３４ ＩＤＴ
３５ 空隙
６２ ＦＢＡＲ
８０ デュプレクサ
１００、２００、３００、４００、
５００、６００ モジュール

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】