(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記複数の画素のうちの1つの画素に含まれる前記光学パターンは、2つ以上の互いに異なる光学パターンを含む光学パターンセットから選択される、請求項5に記載の表示装置。
【発明を実施するための形態】
【0045】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は種々の異なる形態に実現でき、ここで説明する実施形態に限られない。
【0046】
図面において、種々の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書の全体にわたって類似する部分に対しては同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるというとき、これは他の部分の「すぐ上」にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。一方、ある部分が他の部分の「すぐ上」にあるというときには、中間に他の部分がないことを意味する。
【0047】
最初に、
図1乃至
図6を参照して、本発明の一実施形態による接触情報を得ることができる表示装置について説明する。
【0048】
図1は、本発明の一実施形態による接触情報を得ることができる表示装置と電子ペンを示した断面図であり、
図2は、本発明の一実施形態による表示装置の簡略な配置図であり、
図3は、本発明の一実施形態による表示装置の1つの画素に対する断面図であり、
図4及び
図5は、それぞれ本発明の一実施形態による表示装置の1つの画素に含まれる複数のドメインを示す。
【0049】
図1を参照すると、本発明の一実施形態による表示装置は、外部物体が接触したり近接したとき、その接触位置などの接触情報を得ることができる表示装置であって、外部物体が接触したり近接する対象である表示板組立体300を含む。
【0050】
表示板組立体300に接触または近接できる外部物体は、
図1に示したような電子ペン50などの光学装置を含む。つまり、本発明の一実施形態による表示装置は、電子ペン50などの光学装置によって接触情報を得ることができる表示装置であってもよい。ここでは、本発明の一実施形態による表示装置に対する接触位置を判断できる光学装置として、電子ペン50を例に挙げて説明する。
【0051】
電子ペン50は、光を対象物に出射した後、戻ってくる光によってイメージを感知することができる。電子ペン50は、光を出射する対象物に直接接触することもでき、非接触でもよい。以下、電子ペン50が対象物に直接接触する場合だけでなく、イメージを感知できるほどの対象物との間隔を置く場合も、接触と表現する。
【0052】
具体的に
図1を参照すると、電子ペン50は、その内部に光源52、光学フィルタ54、光学レンズ56、及びイメージセンサ58などを含む。
【0053】
光源52は、赤外線、可視光線、紫外線などの光を発生させて、電子ペン50の端部の孔を通して外部に出射することができる。
【0054】
光学フィルタ54は、電子ペン50の端部の孔を通して入射する色々な光を受けて、特定波長帯の光だけを光学レンズ56側に通過させることができる。光学フィルタ54が通過させる特定波長帯の光は、光源52から出射する光の波長帯、またはイメージセンサ58で感知できる光の波長帯でありうる。
【0055】
光学レンズ56は、光学フィルタ54を通じて入射した光をイメージセンサ58側に集光させることができる。光学レンズ56は、少なくとも1つの凹レンズまたは凸レンズを含んでもよい。
【0056】
イメージセンサ58は、光学レンズ56を通じて入射した光によって伝達されたイメージ情報を感知することができる。
【0057】
電子ペン50は、イメージセンサ58で感知されたイメージ情報を接触情報処理装置(図示せず)に送信する。接触情報処理装置は、イメージ情報を通じて接触対象物における接触位置などの接触情報を得ることができる。接触情報処理装置は、電子ペン50の内部に位置してもよく、電子ペン50と別途に備えられてもよい。
【0058】
図1に示したように、電子ペン50の接触対象が表示板組立体300の場合、電子ペン50は、表示板組立体300の接触位置のイメージ情報を感知し、これによって接触情報を得ることができる。
【0059】
しかし、表示板組立体300の接触位置のイメージ情報を感知して接触情報を得ることができる光学装置は、このような電子ペン50以外に、光の反射または透過有無を認識可能な多様な手段を含んでもよい。
【0060】
図2を参照すると、表示板組立体300は、等価回路から見た場合に、複数の信号線と、これに接続されて、ほぼ行列状に配列された複数の画素PXとを含む。
【0061】
信号線は、ゲート信号(「走査信号」ともいう)を伝達する複数のゲート線GLと、データ電圧を伝達する複数のデータ線DLとを含む。ゲート線GLは主に横方向に延在し、データ線DLは主に縦方向に延在して、ゲート線GLと交差する。信号線は、アルミニウム(Al)やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀(Ag)や銀合金など銀系金属、銅(Cu)や銅合金など銅系金属、モリブデン(Mo)やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、及びチタニウム(Ti)などの金属、または不透明または透明な多様な導電体で形成することができる。
【0062】
1つの画素PXは、少なくとも1つのデータ線DL及び少なくとも1つのゲート線GLに接続されている少なくとも1つのスイッチング素子Qと、これに接続された少なくとも1つの画素電極(図示せず)とを含んでもよい。スイッチング素子は、少なくとも1つの薄膜トランジスタを含むことができ、ゲート線GLが伝達するゲート信号によって制御されて、データ線DLが伝達するデータ電圧を画素電極に伝達する。
【0063】
色表示を実現するためには、各画素PXが原色(primary color)のうちの1つを固有に表示するか(空間分割)、または各画素PXが時間によって交互に原色を表示するように(時間分割)して、これら原色の空間的、時間的な相互作用によって所望の色が認識されるようにする。原色の例としては、赤色、緑色、青色など三原色が挙げられる。
【0064】
本発明の一実施形態による表示板組立体300が含む複数の画素PXのうちの少なくとも一部は、上述した電子ペン50のような光学装置によって認識される光学パターンを含む。例えば、光学パターンは、電子ペン50などの光学装置の光源52から出射する光を反射して光学装置によって認識される。これとは異なって、光学パターンは、光源52から出射した光の一部は吸収し、一部は反射させることもでき、光の全体を吸収して光学装置によって認識されることもできる。このような光学パターンについては、以降、詳細に説明する。
【0065】
図3を参照して、本発明の一実施形態による表示装置として、液晶表示装置を例に挙げる。本発明の一実施形態による液晶表示装置の表示板組立体300は、断面構造から見たとき、互いに対向する下部表示板100と上部表示板200、及びその間に挿入されている液晶層3を含む。下部表示板100は絶縁基板110を含み、上部表示板200は絶縁基板210を含む。
【0066】
ゲート線GL及びデータ線DLなどの信号線と、スイッチング素子Qとは、主に下部表示板100の絶縁基板110の上に設けられる。スイッチング素子Qの上には保護膜180を配置してもよい。
【0067】
画素電極と共に液晶層3に電界を生成する対向電極(または共通電極)は、下部表示板100または上部表示板200に位置する。画素電極と対向電極が同一の表示板100、200に設けられる場合、2つの電極のうちの少なくとも1つが線状または棒状に形成されてもよい。
【0068】
液晶層3は、誘電率異方性(dielectric anisotropy)を有する複数の液晶分子31を含む。液晶層3は、液晶分子31の配向を助けるための配向補助剤(図示せず)をさらに含んでもよい。液晶分子31は、液晶層3に電界がない状態で、その長軸が2つの表示板100、200の表面に対して垂直または水平になるように配向されてもよい。
【0069】
表示板100、200の内側面には配向膜(alignment layer)11、21が塗布されており、これらは垂直または水平配向膜であってもよい。
【0070】
液晶層3に電界が生成されると、液晶層3の液晶分子31は電界に応答して、その長軸が電界の方向に垂直または水平になるように傾き、液晶分子が傾いた程度によって液晶層3に入射した光の偏光の変化の程度が変わる。このような偏光の変化は、偏光子によって透過率の変化として現れ、これを通じて液晶表示装置は映像を表示する。液晶層3に電界を生成する画素電極と対向電極を二端子として、液晶層3を誘電体として液晶キャパシタを形成する。画素電極と対向電極の電圧差は、液晶キャパシタの充電電圧、即ち、画素電圧を示す。
【0071】
図4を参照すると、1つの画素PXは、光が透過して映像を表示する開口部を含む。画素PXの開口部は、光を遮断する遮光部材(light blocking member)BMによって定義される。つまり、画素PXの開口部は、表示板組立体300で映像を表示する表示領域中において、遮光部材BMによって覆われない領域と定義することができる。
【0072】
遮光部材BMは、可視光線領域の光を透過させない不透明な物質からなる。
【0073】
遮光部材BMは、下部表示板100、上部表示板200、及び液晶層3のうちの少なくとも1つに位置してもよい。遮光部材BMが下部表示板100に位置する場合、遮光部材BMの少なくとも一部は、ゲート線GLまたはデータ線DLなどの不透明な信号線に代替されてもよい。遮光部材BMが液晶層3に位置する場合、不透明な間隔材が遮光部材BMの役割を果たすことができる。
【0074】
図3及び
図4を参照すると、液晶層3に電界が生成されると、1つの画素PXの液晶層3は互いに異なる方向に配列される液晶分子31を含む。言い換えると、1つの画素PXは2つ以上のドメインD1、D2を含んでもよく、1つの画素PXの互いに異なるドメインD1、D2に位置する液晶分子31は、互いに異なる方向に配列され、同じドメインの液晶分子31は、ほぼ一定の方向に配列される。例えば、第1ドメインD1の液晶分子31が第1方向A1に配列されると、第2ドメインD2の液晶分子31は、第1方向A1と異なる方向の第2方向A2に配列されてもよい。このように、液晶分子31が傾く方向を多様にすれば、液晶表示装置の基準視野角が大きくなることができる。
【0075】
図4では、1つの画素PXが2つのドメインD1、D2を含むことと示しているが、これに限定されず、3つ以上のドメインを含むこともできる。
【0076】
図5を参照すると、本発明の一実施形態による液晶表示装置の1つの画素PXは、第1副画素PXa及び第2副画素PXbを含んでもよい。第1副画素PXa及び第2副画素PXbは、1つの入力映像信号に対して互いに異なるガンマ曲線による映像を表示することもでき、同一のガンマ曲線による映像を表示することもできる。つまり、第1副画素PXa及び第2副画素PXbは、同一の階調の入力映像信号に対して互いに異なるデータ電圧の印加を受けて、互いに異なる画素電圧で充電されてもよい。2つの副画素PXa、PXbが互いに異なる画素電圧で充電されれば、液晶分子31が傾く角度が異なり、そのために2つの副画素PXa、PXbの輝度が異なる。2つの副画素PXa、PXbの充電電圧を適切に合わせれば、側面ガンマ曲線を正面ガンマ曲線に最大限近くすることができ、側面視認性を向上することができる。
【0077】
表示板組立体300が含む複数の画素PXのうちの少なくとも一部が光学パターンを含む場合、光学パターンは相対的に低輝度の映像を表示する第2副画素PXbだけに形成されてもよい。
【0078】
図5に示すように、各副画素PXa、PXbは、互いに異なる方向に配列される液晶分子31を含む2つ以上のドメインD1−D4、例えば、4つのドメインD1−D4を含んでもよい。
【0079】
これとは異なって、1つの画素PXが1つの画素電圧で充電される構造でも、1つの画素PXが
図5に示した1つの副画素PXa、PXbに含まれる4つのドメインD1−D4を含んでもよい。
【0080】
次に、上述した図面と共に
図6〜
図19を参照して、本発明の一実施形態による接触情報を得ることができる液晶表示装置、特に光学パターンについて説明する。
【0081】
図6乃至
図18は、それぞれ本発明の一実施形態による液晶表示装置の複数のドメインと遮光部材の平面図であり、
図19は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の隣接した複数の画素の平面図である。
【0082】
本発明の一実施形態による液晶表示装置が含む複数の画素PXのうち、少なくとも2つの画素PXに含まれる各(サブ)光学パターンの形態、または各ドメインD1−D4における(サブ)光学パターンの位置は、互いに異なってもよい。ここで、各(サブ)光学パターンの形態、または各ドメインD1−D4における(サブ)光学パターンの位置を、略して光学パターンの形状といい、光学パターンが互いに同一であるか、または異なるというときは、光学パターンの形状が同一であるか、または異なることを意味する。
【0083】
1つの表示板組立体300は、互いに異なる光学パターンを有するn個(nは、2以上の自然数)の画素PXを有してもよく、いずれか1つの画素PXは、前記n種類の光学パターンのうちのいずれか1つの光学パターンを含んでもよい。このように、全体の複数の画素PXに対して設定されたn種類の互いに異なる光学パターンを光学パターンセットという。
【0084】
全体の画素PX中の一部は、光学パターンを含んでいなくてもよく、光学パターンを有する画素PXと光学パターンを有しない画素PXは、互いに異なる光学パターンを有することとして説明する。例えば、1つの光学パターンセットは、光学パターンをまったく含まないこともある。また、全体の画素PX中の一副画素PXのサイズは、他の画素PXのサイズと異なることもあり、この場合、画素PXのサイズによって一副画素PXだけに光学パターンが形成されてもよい。例えば、緑色を表示する緑色画素のサイズが、それ以外の画素PXより大きい場合、緑色画素だけに光学パターンが形成されてもよいが、これに限定されることではない。
【0085】
本発明の一実施形態によれば、各色の画素PX別にそれぞれの光学パターンセットを配置することができる。例えば、赤色画素PXにn個の光学パターンを含む光学パターンセットが配置されるとき、緑色画素PXには、赤色画素PXに配置された光学パターンセットと構成が異なるm個(mは、2以上の自然数)の光学パターンを含む光学パターンセットが配置されてもよい。ここで、nとmは互いに異なってもよく、同一であってもよい。また、n個の光学パターンと、m個の光学パターンの一部とは、互いに同一であってもよい。一方、少なくとも1つの色の画素PXは、光学パターンを含まなくてもよい。
【0086】
本発明の一実施形態によれば、電子ペン50などの光学装置によって認識される光学パターンは、主に各画素PXの開口部内に位置してもよい。また、光学パターンは遮光部材BMと同一物質で、同一層に位置してもよい。
図6〜
図18に示した実施形態は、光学パターンが遮光部材BMと同一層に同一物質からなる場合を例に挙げて示す。この場合、光学パターンが不透明なので、開口部内に位置する互いに異なる光学パターンの形状または位置により、画素PXの実際の開口部のサイズ及び形状が変化する。したがって、全体の画素PXまたは特定色の画素PXは、配置された光学パターンセットが含む光学パターンの個数によって異なる開口部の形状を有する画素PXに区分される。
【0087】
特に、
図3〜
図5に示したように、1つの画素PXまたは1つの副画素PXa、PXbが複数のドメインを含むとき、2つの画素PXの光学パターンが一部ドメインだけに位置する場合、光学パターンが形成されたドメインによって視野角による輝度が変わることがあり、視野角特性が低下する恐れがある。
【0088】
しかし、本発明の一実施形態によれば、1つの画素PXが複数のドメインを含む場合、1つの画素PXの全てのドメインにそれぞれのサブ光学パターンを形成する。1つの画素PXに含まれる複数のサブ光学パターンは、共に当該画素PXの光学パターンを形成し、以下、サブ光学パターンも光学パターンという。また、1つの画素PXに含まれる複数のサブ光学パターンは、互いに類似範囲内のサイズを有するようにして、例えば上下左右の全ての視野角で実質的に同一の輝度で映像が視認されるように、視野角特性を向上させることができる。ここで、類似範囲内の光学パターンのサイズとは、全ての視野角における輝度差が大きくなく、視野角特性が低下しない範囲のサイズを意味する。
【0089】
具体的に、良好な視野角特性のために、光学パターンの類似範囲は、1つの画素PXの各ドメインの光学パターンを除いた各ドメインの実際の開口部のサイズの偏差がほぼ50%以内になるようにする範囲と定められる。例えば、1つの画素PXの1つのドメインの実際の開口部の面積が30(単位省略)であるとき、他のドメインの実際の開口部の面積は約15以上約45以下でありうる。極端には、1つの画素PXの各ドメインに位置する光学パターンのサイズが互いに同一であるとき、全ての視野角における表示特性が最も良いこともある。
【0090】
同様に、上述したように各色の画素PX別にそれぞれの光学パターンセットを配置する場合、各色の画素PXに配置された1つの光学パターンセットが含む所定個数の光学パターンも上述の類似範囲内のサイズを有してもよい。ここで、類似範囲内のサイズとは、色ムラが視認されない程度に、当該色の画素PXの実際の開口部のサイズが互いに類似した範囲のサイズを意味する。さらに具体的に、光学パターンのサイズは、当該色の画素PXの実際の開口部のサイズの偏差がほぼ50%以内になるようにする類似範囲内に定められる。
【0091】
さらに、1つの画素PXが複数のドメインを含む場合、同じ色の画素PXの対応するドメインの実際の開口部のサイズが互いに類似範囲内にあるように、光学パターンのサイズを調整してもよい。これによれば、全ての視野角で色別の表示特性がさらに向上する。
【0092】
しかし、光学パターンを形成する物質は、遮光部材BMを形成する物質に限定されず、遮光部材BMと同一物質、非晶質シリコン、または多結晶シリコンなどの半導体物質、及び金属のうちのいずれか1つを含むか、またはこれらのうちの2種以上を含む多重膜の積層構造を有してもよい。例えば、光学パターンは、上述したゲート線GL及びデータ線DLのような信号線と同一物質で、同一層に位置してもよく、薄膜トランジスタの半導体層と同一物質で、同一層に位置してもよい。
【0093】
1つの画素PXの各ドメインに位置する光学パターンの形状は、互いに同一であってもよく、少なくとも1つの光学パターンの形状が少なくとも1つの他の光学パターンの形状と異なってもよい。1つの画素PXが互いに異なる形状の光学パターンを含むとき、少なくとも2つの光学パターンが互いに同じ形状を有してもよい。
【0094】
上述したように、1つの表示板組立体300に対して備えられた1つの光学パターンセットが含む互いに異なる光学パターンは、各画素PXの光学パターンの形状または位置を多様にして備えてもよい。このような多様な光学パターンの例について説明する。
【0095】
図6〜
図18に示した例においては、1つの画素PXは複数のドメインD1−D4を含み、各ドメインD1−D4はそれぞれの光学パターンP1−P4を含む。1つの画素PXに含まれる光学パターンP1−P4は、上述したような類似範囲内のサイズを有してもよい。
【0096】
先ず、
図6を参照すると、1つの画素PXの開口部の形状はほぼ長方形でありうる。光学パターンP1−P4は、主に縦方向に延在する遮光部材BMの縦部で各ドメインD1−D4の内側に向かって突出した棒状であってもよい。光学パターンP1−P4の上下位置は多様に調節されてもよい。
【0097】
図7を参照すると、1つの画素PXの開口部の形状は、ほぼ上下反転の対称形状である2つの平行四辺形が上下方向に接続された形状でありうる。光学パターンP1−P4は、主に縦方向に延在する遮光部材BMの縦部で各ドメインD1−D4の内側に向かって突出した棒状であってもよい。光学パターンP1−P4の上下位置は多様に調節されてもよい。
【0098】
図8を参照すると、1つの画素PXの開口部の形状はほぼ長方形でありうる。光学パターンP1−P4は、主に縦方向に延在する遮光部材BMの縦部で各ドメインD1−D4の内側に向かって突出した棒状であってもよく、横方向に隣接するドメインD1−D4に位置する光学パターンP1−P4は、横方向に延長されて互いに接続されてもよい。横方向に接続された光学パターンP1−P4の上下位置は多様に調節されてもよい。
【0099】
図9を参照すると、1つの画素PXの開口部の形状はほぼ長方形でありうる。光学パターンP1−P4は、主に横方向に延在する遮光部材BMの横部で各ドメインD1−D4の内側に向かって突出した棒状であってもよい。光学パターンP1−P4が遮光部材BMの横部となす角は直角であってもよく、直角でなくてもよい。光学パターンP1−P4の左右位置は多様に調節されてもよい。
【0100】
図10を参照すると、1つの画素PXの開口部の形状はほぼ長方形でありうる。光学パターンP1−P4は、遮光部材BMと分離された島状でありうる。つまり、光学パターンP1−P4は、遮光部材BMと離れて各ドメインD1−D4の開口部内に位置してもよい。各ドメインD1−D4の開口部における光学パターンP1−P4の位置は多様に調節されてもよい。
【0101】
図11を参照すると、1つの画素PXの開口部の形状は、ほぼ上下反転の対称形状である2つの平行四辺形が上下方向に接続された形状でありうる。光学パターンP1−P4は、主に縦方向に延在する遮光部材BMの縦部で各ドメインD1−D4の内側に向かって突出した棒状であってもよく、横方向に隣接するドメインD1−D4に位置する光学パターンP1−P4は横方向に延長されて互いに接続されてもよい。横方向に接続された光学パターンP1−P4の上下位置は多様に調節されてもよい。
【0102】
図12を参照すると、本実施形態による光学パターンは、上述した
図7に示した実施形態と実質的に同様であるが、光学パターンP1−P4の上下位置が異なるように配置された例を示す。
【0103】
図13を参照すると、1つの画素PXの開口部の形状は、ほぼ上下反転の対称形状である2つの平行四辺形が上下方向に接続された形状でありうる。光学パターンP1−P4は、主に横方向に延在する遮光部材BMの横部で各ドメインD1−D4の内側に向かって突出した棒状であってもよく、縦方向に隣接するドメインD1−D4に位置する光学パターンP1−P4はほぼ縦方向に延長されて互いに接続されてもよい。縦方向に接続された一対の光学パターンP1−P4は、遮光部材BMの縦部に沿って平行に延在してもよく、画素PXの中間部分で少なくとも一回曲がっていてもよい。縦方向に接続された光学パターンP1−P4の左右位置は多様に調節されてもよい。
【0104】
図14を参照すると、1つの画素PXの開口部の形状は、ほぼ上下反転の対称形状である2つの平行四辺形が上下方向に接続された形状でありうる。光学パターンP1−P4は、主に横方向に延在する遮光部材BMの横部で各ドメインD1−D4の内側に向かって突出した棒状であってもよい。光学パターンP1−P4は、遮光部材BMの縦部に沿って平行に延在してもよい。光学パターンP1−P4の左右位置は多様に調節されてもよい。
【0105】
図15を参照すると、1つの画素PXの開口部の形状はほぼ長方形でありうる。光学パターンP1−P4は、主に縦方向に延在する遮光部材BMの縦部で各ドメインD1−D4の内側に向かって突出した棒状であってもよく、横方向に隣接するドメインD1−D4に位置する光学パターンP1−P4は横方向に延長されて互いに接続されてもよい。特に、少なくとも1つの光学パターンP1−P4が遮光部材BMの縦部となす角は直角でなくてもよい。したがって、横方向に接続された光学パターンP1−P4は、中間部分で上または下に曲がった形状を有してもよい。横方向に接続された光学パターンP1−P4の上下位置は多様に調節されてもよい。
【0106】
図16を参照すると、本実施形態による光学パターンは、上述した
図6に示した実施形態と実質的に同様であるが、少なくとも1つの光学パターンP1−P4が遮光部材BMの縦部となす角は直角でなくてもよい。
【0107】
図17を参照すると、1つの画素PXの開口部の形状はほぼ長方形でありうる。光学パターンP1−P4は遮光部材BMと分離された島状でありうる。つまり、光学パターンP1−P4は、遮光部材BMと離れて各ドメインD1−D4の開口部内に位置してもよい。縦方向または横方向に隣接するドメインD1−D4に位置する2つの光学パターンP1−P4は互いに接続されてもよい。各ドメインD1−D4の開口部における光学パターンP1−P4の位置は多様に調節されてもよい。
【0108】
図18を参照すると、1つの画素PXの開口部の形状はほぼ上下反転の対称形状である2つの平行四辺形が上下方向に接続された形状でありうる。光学パターンP1−P4は遮光部材BMと分離された島状でありうる。つまり、光学パターンP1−P4は、遮光部材BMと離れて各ドメインD1−D4の開口部内に位置してもよい。少なくとも1つの光学パターンP1−P4は、遮光部材BMの傾いた縦部に沿って平行に延在してもよい。各ドメインD1−D4の開口部における光学パターンP1−P4の位置は多様に調節されてもよい。
【0109】
その他にも多様な形状及び位置の光学パターンP1−P4が可能である。
【0110】
以上、説明した
図6乃至
図18に示された光学パターンは、1つの画素PXに適用されることもでき、1つの画素PXに含まれる各副画素PXa、PXbに適用されることも可能である。特に、上述したように、1つの画素PXが互いに異なるガンマ曲線に従う2つ以上の副画素PXa、PXbを含む場合、光学パターンは相対的に低輝度の映像を表示する第2副画素PXbだけに形成されることがある。また、
図6〜
図18に示された光学パターンは、多様な形状の開口部を有する画素PX、または1つの画素PXに含まれるドメインの数及びドメインの配置が異なる場合にも適用される。
【0111】
次に、上述した図面と共に
図19を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置において、接触された画素PXの位置を判断する方法について説明する。
【0112】
図19は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の隣接した種々の画素の平面図である。
【0113】
電子ペン50などの光学装置は、上述した通り画素PXの光学パターンを認識して光学パターンのイメージを感知することができる。光学パターンは、光学装置で認識可能な特定波長帯の光を反射または吸収するか、または一部は吸収し、一部は反射してもよく、電子ペン50などの光学装置は、光学パターンから反射または吸収された光を認識して、光学パターンのイメージを感知することができる。
【0114】
特に、電子ペン50がイメージを測定しようとする隣接した2つ以上の所定個数の画素PX(フォトグラフィング単位(PU)という)の光学パターンの組み合わせの認識を通して、表示板組立体300または表示板組立体300の一定の領域での接触した画素PXの位置または座標を判断できる。そのために、表示板組立体300の画素PXに含まれる光学パターンに対する情報をルックアップテーブル(LUT)などのメモリに予め保存しておいて、接触情報を判断するとき使用することができる。正確な接触位置の判断のために、表示板組立体300または表示板組立体300の一定の領域のいくつかの位置で得られるフォトグラフィング単位(PU)の光学パターンの組み合わせの形状は互いに異なってもよい。
【0115】
例えば、
図19に示したように、フォトグラフィング単位(PU)は隣接した8個の画素PXを含んでもよい。電子ペン50などの光学装置は、このような フォトグラフィング単位の画素PXの光学パターンPT1−PT8のイメージを感知して、これら光学パターンの組み合わせのイメージを通じ、接触した画素PXの表示板組立体300内での位置または座標を判断できる。特に、
図19は、1つの画素PXが互いに異なる輝度を表示できる2つの副画素のうち、面積が広い副画素が光学パターンを含む場合を示す。
【0116】
次に、
図20〜
図36を参照して、本発明の一実施形態による光学パターンが形成される複数のドメインを含む液晶表示装置の多様な例について説明する。
【0117】
図20は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の1つの画素に対する配置図であり、
図21は、
図20の液晶表示装置のXXI−XXI線に沿った断面図である。
【0118】
図20及び
図21を参照すると、本発明の一実施形態による液晶表示装置の表示板組立体300は、互いに対向する下部表示板100と上部表示板200、及びこれら2つの表示板100、200の間に挿入されている液晶層3を含む。
【0119】
先ず、下部表示板100について説明すると、絶縁基板110の上にそれぞれゲート電極124を含む複数のゲート線121が形成されている。ゲート線121の上にはゲート絶縁膜140が形成されており、ゲート絶縁膜140の上にはケイ素または酸化物半導体などからなる複数の半導体154が形成されている。半導体154の上には、オーミックコンタクト部材163、165が位置してもよい。オーミックコンタクト部材163、165及びゲート絶縁膜140の上にはソース電極173を含む複数のデータ線171と複数のドレイン電極175が位置する。ドレイン電極175は、縦部と、横部176と、及び拡張部177とを含む。ドレイン電極175の縦部はゲート電極124上でソース電極173と対向し、横部176は縦部と垂直に交差して、ゲート線121と平行に横に延在している。拡張部177は横部176の一端部に位置し、他の層との接触のために広い面積を有する。
【0120】
ゲート電極124、ソース電極173、及びドレイン電極175は、半導体154と共に薄膜トランジスタ(thin film transistor、TFT)Qを形成する。
【0121】
データ線171、ドレイン電極175、及び露出した半導体154部分の上には保護膜180が位置する。保護膜180にはドレイン電極175の拡張部177を露出する複数のコンタクトホール185が形成されている。
【0122】
保護膜180の上には、ITO(indium tin oxide)またはIZO(indium zinc oxide)などの透明な導電物質や、アルミニウム、銀、クロム、またはその合金などの反射性金属からなる複数の画素電極(pixel electrode)191が位置する。画素電極191の全体的な形状は四角形であり、十字形状の十字幹部195、複数の微細枝部(図示せず)、及び下端の突出部197を含む。画素電極191は、十字幹部195によって4つの副領域に分れ、副領域から微細枝部が延在する方向は互いに異なる。各副領域の微細枝部は、ゲート線121とほぼ45°または135°の角をなしてもよい。
【0123】
画素電極191は、下端の突出部197でコンタクトホール185を通じてドレイン電極175と接続されており、ドレイン電極175からデータ電圧が印加される。
【0124】
次に、上部表示板200の絶縁基板210の上に遮光部材220が位置する。遮光部材220は、互いに隣接する画素の画素電極191の間の光漏れを防止し、開口領域を定義する開口部225を含む。絶縁基板210及び遮光部材220の上には複数のカラーフィルタ230が位置する。各カラーフィルタ230は、赤色、緑色、及び青色の三原色などの原色の中の1つを表示することができる。カラーフィルタ230及び遮光部材220の上には蓋膜(overcoat)250が形成されており、蓋膜250の上にはITO、IZOなどの透明な導電体などからなる対向電極270が全面に形成されている。
【0125】
2つの表示板100、200の内側面には配向膜11、21が塗布されている。2つの配向膜11、21は垂直配向膜であってもよい。
【0126】
表示板100、200の外側面には偏光子(polarizer)(図示せず)が備えられてもよい。
【0127】
下部表示板100と上部表示板200の間に挿入されている液晶層3は、負の誘電率異方性を有する液晶分子31を含み、液晶分子31は、電界がない状態で、その長軸が2つの表示板100、200の表面に対して垂直になるように配向されていてもよい。液晶分子31は、その長軸が画素電極191の微細枝部の長さ方向にほぼ平行するようにプレチルト(pretilt)をなしてもよい。そのために、液晶層3はメソゲン(mesogen)などの硬化した配向補助剤をさらに含んでもよい。
【0128】
データ電圧が印加された画素電極191は、共通電圧が印加された対向電極270と共に液晶層3に電界を生成する。これにより、液晶層3の液晶分子31は、電界に応答してその長軸が電界の方向に垂直になるように方向を変えようとする。液晶分子31が傾いた程度によって液晶層3に入射する光の偏光の変化の程度が変わり、このような偏光の変化は、偏光子によって透過率の変化として現れ、これを通じて液晶表示装置は映像を表示する。
【0129】
液晶分子31が傾く方向は、画素電極191の微細枝部によるフリンジフィールドによって決定され、結果的に液晶分子31は微細枝部の長さ方向に平行な方向に傾く。1つの画素電極191は、微細枝部の長さ方向が互いに異なる4つの副領域を含むので、液晶分子31が傾く方向はほぼ4方向になり、液晶分子31の配向方向が異なる4つのドメインD1−D4が液晶層3に形成される。
図20に示した矢印は、液晶分子31が傾く方向を概略的に表示している。このような4つのドメインD1−D4に上述した種々の実施形態による光学パターンを形成することによって、視野角特性が向上し、接触情報を得ることができる液晶表示装置が提供される。
【0130】
図22は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の1つの画素に対する配置図である。
【0131】
図22に示した実施形態は、
図20及び
図21に示した実施形態と実質的に同様であるが、1つの画素電極191が十字幹部の代わりに縦幹部だけを含み、1つの画素電極191は2つの副領域だけを含んでもよい。したがって、画素電極191と対応する液晶層3は2つのドメインD1、D2に区切られる。
【0132】
図23は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の1つの画素に対する配置図であり、
図24は、
図23の液晶表示装置のXXIV−XXIV線に沿った断面図であり、
図25は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の1つの画素の等価回路図である。
【0133】
先ず、
図25を参照すると、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、ゲート線121、降圧ゲート線123、及びデータ線171を含む信号線と、これに接続された画素PXとを含む。各画素PXは、第1副画素PXa及び第2副画素PXbを含む。第1副画素PXaは、第1スイッチング素子Qa、第1液晶キャパシタClca、及び第1ストレージキャパシタCstaを含み、第2副画素PXbは、第2スイッチング素子Qb、第3スイッチング素子Qc、第2液晶キャパシタClcb、第2ストレージキャパシタCstb、及び降圧キャパシタCstdを含む。第1スイッチング素子Qa及び第2スイッチング素子Qbは、それぞれゲート線121及びデータ線171に接続されており、第3スイッチング素子Qcは、降圧ゲート線123に接続されている。第1スイッチング素子Qa及び第2スイッチング素子Qbは薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子はゲート線121と接続されており、入力端子はデータ線171と接続されており、出力端子は、第1液晶キャパシタClca及び第2液晶キャパシタClcbと、第1ストレージキャパシタCsta 及び第2ストレージキャパシタCstbにそれぞれ接続されている。第3スイッチング素子Qcも薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、制御端子は降圧ゲート線123と接続されており、入力端子は第2液晶キャパシタClcbと接続されており、出力端子は降圧キャパシタCstdと接続されている。降圧キャパシタCstdは、第3スイッチング素子Qcの出力端子と共通電圧に接続されている。
【0134】
このような画素PXの動作について説明すると、先ず、ゲート線121にゲートオン電圧Vonが印加されて、ターンオンされた第1薄膜トランジスタQa及び第2薄膜トランジスタQbを通じて第1液晶キャパシタClca及び第2液晶キャパシタClcbがデータ電圧Vdと共通電圧Vcomの差によって充電される。次に、ゲート線121にゲートオフ電圧Voffが印加されると同時に、降圧ゲート線123にゲートオン電圧Vonが印加されると、第2スイッチング素子Qbの出力端子と接続された第2液晶キャパシタClcbの充電電圧が下降する。したがって、第2液晶キャパシタClcbの充電電圧が第1液晶キャパシタClcaの充電電圧より常に低くなるので、液晶表示装置の側面視認性を向上させることができる。
【0135】
図23及び
図24は、このような画素PXの構造の例を示す。
【0136】
図23及び
図24を参照すると、本実施形態による液晶表示装置は、上述した
図20及び
図21に示した実施形態と実質的に同様なので、差異点を中心に説明し、これは以降も同様である。
【0137】
下部表示板100の絶縁基板110の上に複数のゲート線121、複数の降圧ゲート線123、及び共通電圧Vcomを伝達する複数の共通電圧線125が位置する。ゲート線121は、上下に突出した第1ゲート電極124a及び第2ゲート電極124bを含み、降圧ゲート線123は、上に突出した第3ゲート電極124cを含んでもよい。共通電圧線125は、拡張部126、ゲート線121にほぼ垂直に上に延在した一対の縦部128、及び一対の縦部128を接続する横部127を含んでもよい。
【0138】
ゲート線121及び降圧ゲート線123の上にはゲート絶縁膜140、及び線状半導体151が位置する。線状半導体151は、主に縦方向に延在してもよく、第1ゲート電極124a及び第2ゲート電極124bに向かって延在して、互いに接続されている第1半導体154a及び第2半導体154b、そして第2半導体154bと接続された第3半導体154cを含んでもよい。線状半導体151、第1半導体154a、第2半導体154b、及び第3半導体154cの上にはオーミックコンタクト部材161、163a、165aが位置してもよい。
【0139】
オーミックコンタクト部材161、165aの上には、複数のデータ線171、複数の第1ドレイン電極175a、複数の第2ドレイン電極175b、及び複数の第3ドレイン電極175cが位置する。各データ線171は、第1ソース電極173a及び第2ソース電極173bを含む。第2ドレイン電極175bの広い一端部は延長されて、第3ソース電極173cを形成してもよい。第3ドレイン電極175cの広い端部177cは、拡張部126と重なって降圧キャパシタCstdを形成し、棒状端部は第3ソース電極173cによって一部が取り囲まれている。
【0140】
第1/第2/第3ゲート電極(124a/124b/124c)、第1/第2/第3ソース電極(173a/173b/173c)、及び第1/第2/第3ドレイン電極(175a/175b/175c)は、第1/第2/第3半導体(154a/154b/154c)と共に1つの第1/第2/第3薄膜トランジスタ(Qa/Qb/Qc)を形成する。
【0141】
データ線171及び露出した半導体(154a、154b、154c)部分の上には、下部保護膜180p、カラーフィルタ230、及び遮光部材220が位置する。遮光部材220は、第1薄膜トランジスタQa及び第2薄膜トランジスタQbの上に位置する開口部227、第1ドレイン電極175aの広い端部の上に位置する開口部226a、第2ドレイン電極175bの広い端部の上に位置する開口部226b、及び第3薄膜トランジスタQcの上に位置する開口部228を含んでもよい。これとは異なって、カラーフィルタ230及び遮光部材220のうちの少なくとも1つは上部表示板200に位置してもよい。
【0142】
カラーフィルタ230及び遮光部材220の上には上部保護膜180qが形成されてもよい。下部保護膜180p及び上部保護膜180qには第1ドレイン電極175a及び第2ドレイン電極175bをそれぞれ露出する複数のコンタクトホール185a、185bが形成されている。
【0143】
上部保護膜180qの上には、第1副画素電極191a及び第2副画素電極191bを含む画素電極が形成されている。第1副画素PXaに属する第1副画素電極191aの全体的な形状は四角形で、十字幹部195a、そして十字幹部195aから外側に斜めに延在する複数の微細枝部199aを含む。隣接した微細枝部199aの間には微細スリット91aが位置する。第2副画素PXbに属する第2副画素電極191bの全体的な形状も四角形で、十字幹部195b、そして十字幹部195bから外側に斜めに延在する複数の微細枝部199bを含む。隣接した微細枝部199bの間には微細スリット91bが位置する。
【0144】
第1副画素電極191a及び第2副画素電極191bそれぞれは、それぞれの十字幹部195a、195bによって4つの副領域に分れる。したがって、液晶分子31が傾く方向は、各副画素PXa、PXbでほぼ4方向になり、液晶分子31の配向方向が異なる4つのドメインD1−D4が各副画素PXa、PXbの液晶層3に形成される。このような各副画素PXa、PXb、特に低輝度の第2副画素PXbの4つのドメインD1−D4に、上述した種々の実施形態による光学パターンを形成することによって、視野角特性が向上し、正確な接触情報を得ることができる液晶表示装置が提供される。
【0145】
図26は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の1つの画素に対する配置図であり、
図27は、
図26の表示装置のXXVII−XXVII線に沿った断面図である。
【0146】
先ず、下部表示板100の絶縁基板110の上にゲート電極124を含むゲート線121と共通電極線131が位置する。共通電極線131には線状の対向電極139が接続されている。線状の対向電極139の端部は接続部134に互いに接続されてもよい。線状の対向電極139は少なくとも一回曲がっていてもよい。ゲート線121と共通電極線131の上にゲート絶縁膜140、半導体151、154、157、及びオーミックコンタクト部材161、163、165、167が位置してもよい。
【0147】
オーミックコンタクト部材161、163、165、167の上には、複数のソース電極173を有するデータ線171、ドレイン電極175、及びドレイン電極175と接続されている線状の画素電極179が位置する。線状の画素電極179は、線状の対向電極139と平行に延在し、その両端はそれぞれ第1接続部179a及び第2接続部179bによって互いに接続されていてもよい。データ線171及び線状の画素電極179は、線状の対向電極139と同様に少なくとも一回曲がっていてもよい。
【0148】
2つの表示板100、200の内側面に塗布されている配向膜11、21には、配向補助剤13、23が結合されていてもよい。配向膜11、21は水平配向膜であってもよい。液晶表示装置の製造過程で配向膜11、21はラビングされて、液晶分子31はラビングされた方向にほぼ平行に配向されてもよい。ラビング方向は、
図26に示したように、ゲート線121にほぼ垂直な方向であってもよい。一方、配向補助剤13、23は、光重合性モノマーまたはオリゴマーを光重合して形成されてもよく、配向補助剤13、23によって液晶分子31はラビング方向に対して0より大きい角度のプレチルトを有してもよい。
【0149】
液晶分子31は、正の誘電率異方性を有してもよい。線状の対向電極139と線状の画素電極179に電圧を印加して液晶層3に電界を生成すれば、液晶分子31は電界にほぼ平行に再配列される。したがって、1つの画素電極191に対応する液晶層3は2つのドメインD1、D2に分れる。
図26の矢印は、各ドメインD1、D2で液晶分子31が傾く方向を表示する。
【0150】
図28は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の1つの画素に対する配置図であり、
図29は、
図28の表示装置のXXIX−XXIX線に沿った断面図である。
【0151】
図28及び
図29を参照すると、本実施形態による液晶表示装置は、上述した
図26及び
図27に示した実施形態と実質的に同様なので、差異点を中心に説明する。
【0152】
先ず、下部表示板100の絶縁基板110の上に複数のゲート電極124を含むゲート線121及び共通電極線131が形成されている。ゲート線121及び共通電極線131の上にはゲート絶縁膜140が位置し、その上に複数の半導体154、複数のオーミックコンタクト部材163、165、複数のデータ線171、及び複数のドレイン電極175が順次に形成されている。データ線171、ドレイン電極175、及び露出した半導体154の上には保護膜180が形成されている。保護膜180にはドレイン電極175の拡張部177を露出する複数のコンタクトホール185aが形成されており、保護膜180及びゲート絶縁膜140には共通電極線131を露出する複数のコンタクトホール185bが形成されている。
【0153】
保護膜180の上には複数の画素電極191及び複数の共通電極199が同一層に形成されている。画素電極191は、縦に長く延在した縦部192a、縦部192aから左側の上に斜めに延在した上部枝部193a、縦部192aから左側の下に斜めに延在した下部枝部194a、及び下端の突出部197aを含んでもよい。共通電極199も縦に長く延在した縦部192b、縦部192bから右側の下に斜めに延在した上部枝部193b、縦部192bから右側の上に斜めに延在した下部枝部194b、及び縦部192b中央から右側に突出した突出部197bを含んでもよい。画素電極191の枝部193a、194aと共通電極199の枝部193b、194bとは、互いに対向して交差して配置されている。上部枝部193a、193bは、全て右側下方に傾いて第1副領域を形成し、下部枝部194a、194bは、全て右側の上方向に傾いて第2副領域を形成する。
【0154】
2つの表示板100、200の内側面に塗布された配向膜11、21は水平配向膜であってもよく、ゲート線121にほぼ平行な横方向にラビングされていてもよい。画素電極191及び共通電極199の間に電圧差を印加して液晶層3に電界を生成すると、画素電極191の第1及び第2副領域上の液晶層3は、液晶分子31の配列方向が互いに異なる2つのドメインD1、D2に分れる。負の誘電率異方性を有する液晶分子31の場合、
図28に矢印に示したように、画素電極191の枝部にほぼ平行な方向に配列されてもよい。
【0155】
図30は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の1つの画素に対する配置図であり、
図31は、
図30の表示装置のXXXI−XXXI線に沿った断面図であり、
図32は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の1つの画素に含まれる複数のドメインにおいて、液晶分子が傾く方向を示した平面図である。
【0156】
先ず、下部表示板100について説明すると、絶縁基板110の上に第1ゲート電極124a及び第2ゲート電極124bを含むゲート線121が位置し、その上にゲート絶縁膜140が位置し、その上に第1半導体154a及び第2半導体154bを含む線状半導体151b、そしてオーミックコンタクト部材161b、163a、165aが位置する。その上には、第1データ線171a及び第2データ線171bと、第1ドレイン電極175a及び第2ドレイン電極175bが位置する。第1データ線171aは、第1ゲート電極124aに向かって延在した第1ソース電極173aを含み、第2データ線171bは、第2ゲート電極124bに向かって延在した第2ソース電極173bを含む。第1データ線171a及び第2データ線171bと、第1ドレイン電極175a 及び第2ドレイン電極175bの上には、コンタクトホール185a、185bを含む保護膜180が位置する。
【0157】
保護膜180の上には画素電極191が位置する。画素電極191は、間隙(gap)91を間に置いて分離されている一対の第1副画素電極191a及び第2副画素電極191bを含む。第1副画素電極191aと第2副画素電極191bの間の間隙91は四角形の帯状であってもよい。第1副画素電極191aと第2副画素電極191bは、互いに異なるスイッチング素子を通じて互いに異なる電圧の印加を受けてもよい。
【0158】
次に、上部表示板200の絶縁基板210の上に、複数の遮光部材220、カラーフィルタ230R、230G、及び第1副画素電極191aと第2副画素電極191bの間の間隙91と重なる遮蔽部材221が位置してもよい。遮光部材220と遮蔽部材221上に蓋膜250が位置し、その上に対向電極270が位置してもよい。
【0159】
2つの表示板100、200の内側面に塗布されている配向膜11、21は垂直配向膜であり、配向膜11、21の表面は、領域によって他の方向に傾いた末端部を有してもよい。第1副画素電極191aと対向電極270の間に位置する液晶層3と、第2副画素電極191bと対向電極270の間に位置する液晶層3は、それぞれ
図30に示した矢印のように、4つの異なる方向に配列された液晶分子31を含む4つのドメインD1−D4に分れる。このような複数のドメインD1−D4は、配向膜11、21に対する光配向方法によって形成されてもよい。光配向方法によって垂直配向膜11、21に光を斜めに照射して、配向膜11、21の表面にある、例えばメソゲンのような光反応性鎖(Photoreactive chains)が光照射された方向によって傾くように設定してもよい。このように形成されたドメインD1−D4、特に第2副画素電極191bに位置するドメインD1−D4には、
図30に示したように光学パターンP1−P4がそれぞれ形成されていてもよい。本実施形態で、光学パターンP1−P4は遮光部材220と同一層に位置してもよく、遮光部材220と接続されてもよい。
【0160】
図32を参照すると、本実施形態は、
図30及び
図31に示した実施形態と実質的に同様であるが、1つの画素PXが2つの副画素に分かれずに、1つの画素PXが1つの画素電極191を含んでもよい。1つの画素PXは、4つのドメインD1−D4を含んでもよく、各ドメインD1−D4は、配向膜11、21に対する光配向方法によって設定されてもよい。
【0161】
図33は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の1つの画素に対する配置図であり、
図34及び
図35は、それぞれ
図33の表示装置のXXXIV−XXXIV線及びXXXV−XXXV線に沿った断面図である。
【0162】
先ず、下部表示板100の絶縁基板110の上に、ゲート電極124を含むゲート線121、及び拡張部126を含む共通電圧線125が位置する。ゲート線121及び共通電圧線125の上に、ゲート絶縁膜140、露出した半導体154を含む半導体151、オーミックコンタクト部材161、163、165、データ線171、及びドレイン電極175が位置する。データ線171の上には面状の画素電極191が位置し、その上に第1保護膜180a及び第2保護膜180bが位置してもよい。第2保護膜180bは、データ線171を覆い、データ線171に沿って位置する相対的に厚い部分180c’を含んでもよい。第1保護膜180a、第2保護膜180b、及びゲート絶縁膜140には、共通電圧線125の拡張部126を露出するコンタクトホール182が形成されている。
【0163】
第2保護膜180bの上にはITOまたはIZOなどの透明な導電物質からなる複数の共通電極線131が位置する。各共通電極線131は、データ線171及び第2保護膜180bの上部を覆う縦部135、2つの縦部135の間に位置して、互いに離隔した複数の枝電極133、そして複数の枝電極133の端部を接続する下部横部132a及び上部横部132bを含んでもよい。複数の枝電極133は互いに実質的に平行で、ゲート線121の延長方向に対して斜角をなしてもよく、その斜角は45°以上であってもよい。共通電極線131は、コンタクトホール182を通じて共通電圧線125から共通電圧の印加を受けてもよい。
【0164】
2つの表示板100、200の内側面に塗布された配向膜11、21は、水平配向膜であってもよく、
図33で縦方向にラビングされていてもよい。
【0165】
データ電圧が印加された画素電極191は、共通電極線131と共に液晶層3に電界を生成すると、液晶分子31はその誘電率異方性によって共通電極線131の枝電極133の長さ方向に垂直または水平方向に配列されてもよい。1つの画素PXは、
図33に示したように、互いに異なる方向に延在する枝電極133を含むので、液晶分子31は2つのドメインD1、D2で互いに異なる方向に配列されてもよい。
【0166】
図36は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の1つの画素に対する配置図である。
【0167】
図36に示した実施形態は、
図33〜
図35に示した実施形態と実質的に同様であるが、データ線171、画素電極191、及び共通電極線131の構造が異なってもよい。データ線171は周期的に曲がっており、ゲート線121の延長方向と斜角をなしてもよい。第1保護膜180aは、ドレイン電極175の一部を露出するコンタクトホール181を含み、画素電極191は、コンタクトホール181を通じてドレイン電極175と電気的に接続される。画素電極191の上には第2保護膜180bが形成されており、その上に共通電極線131が位置する。ゲート絶縁膜140、第1保護膜180a、及び第2保護膜180bには、共通電圧線125の拡張部126を露出する複数のコンタクトホール182が形成されている。共通電極線131は、コンタクトホール182を通じて共通電圧線125と電気的に接続されて、共通電圧の印加を受ける。共通電極線131は、データ線171を幅方向に覆うように、データ線171と重なって曲がっている縦部135、2つの縦部135の間に位置し、縦部135に大体平行に延在して互いに離隔した複数の枝電極133、そして複数の枝電極133の端部を接続する下部横部132a及び上部横部132bを含んでもよい。
【0168】
本実施形態においても、共通電極線131の枝電極133の長さ方向が互いに異なる2つの副領域に対応する液晶層3は、液晶分子31が互いに異なる方向に配列される2つのドメインD1、D2に分れる。2つのドメインD1、D2に、上述した種々の実施形態のような光学パターンを形成することによって、視野角特性を向上し、正確な接触情報を得ることができる液晶表示装置を提供することができる。
【0169】
次に、上述した
図1及び
図2と共に
図37を参照して、本発明の一実施形態による接触情報を得ることができる表示装置について説明する。
【0170】
図37は、本発明の一実施形態による表示装置が含む複数の画素の配置図である。
【0171】
図37を参照すると、本発明の一実施形態による表示装置の1つのドットDot1、Dot2は、フルカラー(full color)を表現するための原色を表現する3つの基本画素を含む。例えば、3つの基本画素は、赤色を表示する赤色画素R、緑色を表示する緑色画素G、青色を表示する青色画素Bを含んでもよい。この場合、赤色画素R、緑色画素G、及び青色画素Bは、フルカラーを表現することができる。その他に、3つの基本画素は、赤色、緑色、及び青色の三原色の代わりに、他の色の三原色画素、例えば、黄色(イエロー)画素、青緑色(シアン)画素、赤紫色(マゼンタ)画素などを含んでもよい。
【0172】
1つのドットDot1、Dot2は3つの基本画素以外に、色再現性を向上し、輝度を補強するための少なくとも1つの補助画素を含んでもよい。
図37は、1つのドットDot1、Dot2が輝度を補強するための白色画素Wを含む例を示す。しかし、補助画素は白色画素Wに限定されず、色再現性の向上のための黄色Y、原色の混合色など多様な色の画素を含んでもよい。
【0173】
1つのドットDot1、Dot2において、3つの基本画素と少なくとも1つの補助画素との配置は多様に決められる。
【0174】
図37を参照すると、各ドットDot1、Dot2において、3つの基本画素と1つの補助画素とは、正四角の行列状に配置されてもよい。赤色画素R、緑色画素G、及び青色画素Bの基本画素と、白色画素Wの補助画素とを例に挙げれば、赤色画素Rと白色画素Wが対角線方向に互いに隣接して配置され、緑色画素Gと青色画素Bが対角線方向に互いに隣接して配置されてもよい。また、赤色画素Rと青色画素Bが列方向に隣接し、緑色画素Gと白色画素Wが列方向に隣接してもよい。また、赤色画素Rと緑色画素Gが行方向に隣接し、青色画素Bと白色画素Wが行方向に隣接してもよい。
【0175】
また、隣接したドットDot1、Dot2における画素配置は互いに異なってもよい。
図37を参照すると、1つの色の画素に対して隣接した2つのドットDot1、Dot2における行が異なってもよい。例えば、1つのドットDot1において、赤色画素Rと緑色画素Gが青色画素Bと白色画素Wの上側に位置する場合、隣接したドットDot2において、赤色画素Rと緑色画素Gが青色画素Bと白色画素Wの下側に位置してもよい。
【0176】
各画素R、G、B、Wは、光が透過して映像を表示できる開口部を含む。画素R、G、B、Wの開口部は、光を遮断する遮光部材(light blocking member)によって定義される。つまり、画素R、G、B、Wの開口部は、表示板組立体300で映像を表示する表示領域のうち、遮光部材によって覆われない領域と定義される。
【0177】
本発明の一実施形態によれば、複数の画素PXのうち特定色を表示する画素PXの少なくとも一部は、電子ペン50のような光学装置によって認識可能な光学パターンPNを含み、それ以外の画素PXはこのような光学パターンPNを含まない。
【0178】
例えば、
図37に示した実施形態の場合、複数の補助画素Wのうちの少なくとも一部は、電子ペン50のような光学装置によって認識可能な光学パターンPNを含み、それ以外の基本画素R、G、Bは、このような光学パターンPNを含まなくてもよい。表示板組立体300における位置によっては、補助画素Wのうちの一部は光学パターンPNを有しなくてもよい。
【0179】
光学パターンPNは、電子ペン50などの光学装置の光源52から出射する光を反射して、光学装置によって認識される。これとは異なって、光学パターンPNは、光源52から出射した光の一部は吸収し、一部は反射させてもよく、光全体を吸収して光学装置によって認識されてもよい。
【0180】
光学パターンPNは、主に補助画素Wの開口部内に位置してもよいが、これに限定されず、遮光部材が位置する領域に位置してもよい。
【0181】
光学パターンPNの位置、サイズ、及び形状のうちの少なくとも1つは、画素PXの位置によって互いに同一であってもよく、互いに異なってもよい。例えば、光学パターンPNは、各補助画素Wの周縁辺から突出した棒状であってもよく、
図37に示したように島状であってもよい。また、光学パターンPNは、長方形などの多角形、円形、楕円形など多様な形態を有してもよく、そのサイズも多様に決められる。
【0182】
光学パターンPNは、遮光部材と同一物質で、遮光部材と同一層に位置してもよい。しかし、これに限定されず、光学パターンPNは非晶質シリコンまたは多結晶シリコンなどの半導体物質または金属などで形成されるか、またはこれらの積層構造に形成されてもよい。例えば、光学パターンPNは、ゲート線GL、データ線DLのような信号線と同一物質で、同一層に位置することもでき、薄膜トランジスタの半導体層と同一物質で、同一層に位置してもよい。その他に、光学パターンPNは、電子ペン50などの光学装置がセンシングできる波長帯の光に対する反射率または吸収率が良好な材料からなる単一膜で形成されるか、または電子ペン50などの光学装置がセンシングできる波長帯の光に対する反射率または吸収率を良好にするように、少なくとも二種類以上の材料からなる多重膜に形成されてもよい。
【0183】
電子ペン50などの光学装置は、光学パターンPNを認識して光学パターンPNのイメージを感知することができる。光学パターンPNは、光学装置から認識可能な特定波長帯の光を反射または吸収するか、または一部は吸収し、一部は反射してもよく、電子ペン50などの光学装置は、光学パターンPNから反射するか、または吸収した光を認識して光学パターンPNのイメージを感知することができる。
【0184】
特に、電子ペン50がイメージを感知しようとする隣接した2以上の所定個数のドットDot1、Dot2(これをフォトグラフィング単位という)の光学パターンPNの組み合わせの認識を通じて、表示板組立体300で接触したドットDot1、Dot2の位置またはその座標を判断できる。そのために、表示板組立体300のドットDot1、Dot2に含まれる光学パターンPNに対する情報をルックアップテーブルLUTなどのメモリに予め保存して置いて、接触情報を判断するときに使用することができる。正確な接触位置の判断のために、表示板組立体300または表示板組立体300の一定の領域の色々な位置で得られるフォトグラフィング単位の光学パターンPNの組み合わせの形状は、互いに異なってもよい。
【0185】
このように光学パターンPNを特定色の画素PX、例えば、基本画素R、G、Bでない補助画素Wだけに位置させることにより、光学パターンPNによって基本画素R、G、Bの開口部の面積に差が生じて発生しうる色座標の変形や色の不均一などの表示品質の低下を防止することができる。また、原色を表現する基本画素R、G、Bに光学パターンPNを位置させる場合に現れ得る基本画素R、G、Bの開口率及び透過率の変化によるモアレ現象のような表示不良を防止することができる。
【0186】
次に、上述した図面と共に
図38〜
図40をそれぞれ参照して、本発明の一実施形態による接触情報を得ることができる表示装置について説明する。
【0187】
図38〜
図40は、それぞれ本発明の一実施形態による表示装置が含む複数の画素の配置図である。
【0188】
本発明の一実施形態による表示装置は、上述した
図37に示した実施形態と実質的に同様であるが、画素の配置、形状、種類などが異なることもある。上述した実施形態との差異点を中心に説明する。
【0189】
先ず、
図38を参照すると、本発明の一実施形態による表示装置の1つのドットDotは、フルカラーを表現するための原色を表現する3つの基本画素を含み、3つの基本画素の例として赤色画素R、緑色画素G、及び青色画素Bを示す。3つの基本画素は、赤色、緑色、及び青色の三原色の代わりに他の色の三原色画素、例えば、黄色画素、青緑色画素、赤紫色画素などを含んでもよい。また、1つのドットDotは、3つの基本画素以外に、少なくとも1つの補助画素を含み、補助画素の例として白色画素Wを示す。しかし、補助画素は白色画素Wに限定されず、色再現性の向上のための黄色Y、原色の混合色など多様な色の画素を含んでもよい。
【0190】
1つのドットDotにおいて3つの基本画素と1つの補助画素は一列に配置されてもよい。例えば、赤色画素R、緑色画素G、及び青色画素Bの基本画素と、白色画素Wが行方向に順に配置されてもよい。また、赤色画素R、緑色画素G、青色画素B、及び白色画素Wのサイズ及び形状のうちの少なくとも1つが互いに同一であってもよい。
【0191】
1つのドットDotにおいての画素配置は、各ドットが互いに同一であってもよいが、これに限定されず、ドットDotの画素配置の順序が互いに異なってもよい。
【0192】
本実施形態においても、例えば、複数の補助画素Wのうちの少なくとも一部のような、特定色の画素PXは、電子ペン50の光源52から出射する光を反射するか、または吸収することで、外部から認識可能な光学パターンPNを含み、それ以外の基本画素R、G、Bはこのような光学パターンPNを含まなくてもよい。表示板組立体300における位置によっては、補助画素Wのうちの一部は光学パターンPNを有しなくてもよい。互いに異なる補助画素Wに位置する光学パターンPNの位置、サイズ、及び形状のうちの少なくとも1つは、互いに同一であってもよく、互いに異なってもよい。
【0193】
次に、
図39を参照すると、本実施形態による表示装置は、上述した
図38に示した実施形態による表示装置と実質的に同様であるが、補助画素Wの面積が各基本画素R、G、Bの面積と異なってもよい。さらに具体的に、補助画素Wの面積が各基本画素R、G、Bの面積より大きくてもよく、小さくてもよい。補助画素Wの面積が各基本画素R、G、Bの面積より大きい場合、光学パターンPNの存在による開口部の減少が補助画素Wの拡張された面積によって相殺されるので、輝度減少を減らすことができる。
【0194】
次に、
図40を参照すると、本実施形態による表示装置の1つのドットDotは、フルカラーを表現するための原色を表現する3つの基本画素を含み、3つの基本画素の例として赤色画素R、緑色画素G、及び青色画素Bを示す。3つの基本画素は赤色、緑色、及び青色の三原色の代わりに、他の色の三原色画素、例えば、黄色画素、青緑色画素、赤紫色画素などを含んでもよい。
【0195】
1つのドットDotにおいて、3つの基本画素は一列に配置されてもよい。例えば、赤色画素R、緑色画素G、及び青色画素Bの基本画素は行方向に順に配置されてもよい。
【0196】
1つのドットDotにおける画素配置は、各ドットが互いに同一であってもよいが、これに限定されず、ドットDotの画素配置の順序が互いに異なってもよい。
【0197】
本実施形態によれば、赤色画素R、緑色画素G、及び青色画素Bのうちのいずれか1つの画素の面積が、それ以外の画素の面積と互いに異なってもよい。さらに具体的に、3つの基本画素のうちのいずれか一1つの画素の面積が、それ以外の画素の面積より大きくてもよい。例えば、
図40に示したように、緑色画素Gの面積がそれ以外の基本画素、つまり、赤色画素R及び青色画素Bの面積より大きくてもよい。
【0198】
この場合、面積が他の画素より大きい基本画素が、電子ペン50の光源52から出射する光を反射するか、または吸収することで、外部から認識可能な光学パターンPNを含み、それ以外の基本画素は光学パターンPNを含まない。表示板組立体300における位置によっては、面積が相対的に大きい基本画素のうちの一部は光学パターンPNを有しなくてもよい。光学パターンPNの位置、サイズ、及び形状のうちの少なくとも1つは、位置する基本画素の位置によって互いに同一であってもよく、互いに異なってもよい。
【0199】
このように面積が相対的に大きい基本画素に光学パターンPNを位置させれば、光学パターンPNによる開口率の減少及び透過率の減少は、拡張された面積で相殺される。したがって、光学パターンPNを含む基本画素と光学パターンPNを含まない基本画素との間に、開口率または透過率に実質的には差がないので、色座標に変形が生じ、色の不均一が発生するなどの表示品質の低下を防止することができる。
【0200】
本発明の実施形態によれば、表示板組立体300が含む複数の画素PXのうち、特定色を表示する画素PXの少なくとも一部だけに光学パターンPNを位置させることにより、色座標の変形や色の不均一などの表示品質の低下を防止することができ、モアレ現象のような表示不良を防止することができる。光学パターンPNが位置する特定色の画素PXは、上述した種々の実施形態の通りに補助画素であってもよく、面積の異なる画素PXと、他の特定基本画素であってもよい。
【0201】
次に、上述した図面と共に
図41〜
図44を参照して、本発明の一実施形態による表示装置の具体的な構造について説明する。
【0202】
図41は、本発明の一実施形態による表示装置の1つの画素に対する配置図であり、
図42〜
図44は、それぞれ
図41の表示装置のXLII−XLII線に沿った断面図の例である。
【0203】
本実施形態による表示装置は液晶表示装置であって、互いに対向する下部表示板100と上部表示板200、及びその間に位置する液晶層3を含む。
【0204】
先ず、下部表示板100について説明すると、ガラス、プラスチックなどからなる絶縁基板110の上にゲート線121が位置する。
【0205】
ゲート線121はゲート信号を伝達し、ほぼ行方向に延在して、複数のゲート電極124を含んでもよい。また、ゲート線121は、他の層または外部駆動回路との接続のための面積が広い端部129を含む。しかし、ゲート電極の端部129は省略されてもよい。
【0206】
ゲート線121は、アルミニウムやアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀や銀合金など銀系金属、銅、銅マンガンのような銅合金など銅系金属、モリブデンやモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム、タンタル、及びチタニウムなどで形成してもよい。または、ゲート線121は、ITO、IZO、AZOなどの透明性導電物質で形成してもよい。ゲート線121は、2つ以上の導電膜(図示せず)を含む多重膜構造を有してもよい。
【0207】
ゲート線121の上にはゲート絶縁膜140が位置する。ゲート絶縁膜140は、窒化ケイ素、酸化ケイ素、SiON、有機絶縁物質などを含んでもよい。
【0208】
ゲート絶縁膜140の上には非晶質または多結晶シリコン、または酸化物半導体などを含む半導体154が位置する。
【0209】
半導体154の上にはデータ線171とドレイン電極175が位置する。
【0210】
データ線171はデータ電圧を伝達し、ほぼ列方向に延在してゲート線121と交差してもよい。データ線171は、他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部179を含み、ゲート電極124の上に延在したソース電極173を含んでもよい。
【0211】
ドレイン電極175はデータ線171と分離しており、ソース電極173によって取り囲まれた棒状の端部と、他端部の拡張部177を含んでもよい。
【0212】
データ線171及びドレイン電極175、177は、アルミニウムやアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀や銀合金など銀系金属、銅や銅マンガンのような銅合金など銅系金属、モリブデンやモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム、タンタル、及びチタニウムなどで形成されてもよい。例えば、モリブデン合金としてMo−Nb、Mo−Tiがある。または、データ線171及びドレイン電極175、177は、ITO、IZO、AZOなどの透明性導電物質で形成されてもよい。データ線171及びドレイン電極175、177は、2つ以上の導電膜(図示せず)を含む多重膜構造を有してもよい。
【0213】
ゲート電極124、ソース電極173、及びドレイン電極175は、半導体154と共に薄膜トランジスタを形成し、薄膜トランジスタのチャネルは、ソース電極173とドレイン電極175の間の半導体154に位置する。
【0214】
データ線171とドレイン電極175の上には無機または有機絶縁物質からなる保護膜180が位置する。保護膜180は多重膜で形成されてもよい。保護膜180は、ドレイン電極175を露出するコンタクトホール185、及びデータ線の端部179を露出するコンタクトホール182を含んでもよい。また、保護膜180及びゲート絶縁膜140は、ゲート線121の端部129を露出するコンタクトホール181を含んでもよい。
【0215】
保護膜180の上には画素電極191及び接触補助部材81、82が位置してもよい。画素電極191及び接触補助部材81、82は、ITO、IZOなどを含む透明導電物で形成されてもよい。画素電極191は、コンタクトホール185によってドレイン電極175と電気的に接続して、データ電圧の印加を受けてもよい。接触補助部材81は、ゲート線の端部129の上に位置し、コンタクトホール181によってゲート線の端部129と接続される。接触補助部材82は、データ線の端部179の上に位置して、コンタクトホール182によってデータ線の端部179と接続される。
【0216】
次に、上部表示板200について説明すると、絶縁基板210の上に遮光部材220及びカラーフィルタ230が位置する。遮光部材220は、ブラックマトリックス(black matrix)ともいい、光漏れなどを防止することができる。カラーフィルタ230は、隣接したデータ線171の間に帯状に位置してもよい。カラーフィルタ230は、色を表示する顔料、感光性有機物などを含んでもよい。
【0217】
遮光部材220及びカラーフィルタ230の上には蓋膜250が位置してもよく、その上には対向電極(opposing electrode)270が位置してもよい。対向電極270はITO、IZOなどを含む透明な導電性酸化物を含んでもよい。
【0218】
本発明の他の実施形態によれば、遮光部材220、カラーフィルタ230、及び対向電極270のうちの少なくとも1つは、下部表示板100に位置してもよい。
【0219】
液晶層3は誘電率異方性を有してもよい。液晶層3の液晶分子は、電界がない状態でその長軸が下部表示板100と上部表示板200の表面に対してほぼ水平または垂直になるように配向されてもよい。
【0220】
ドレイン電極175からデータ電圧の印加を受けた画素電極191は、上部表示板200の対向電極270と共に液晶層3に電界を生成することにより、画素電極191と対向電極270の間の液晶層3の液晶分子の方向を決定する。このように決定された液晶分子の方向によって液晶層3を通過する光の輝度が変化する。
【0221】
図41を参照すると、本発明の一実施形態による表示装置の1つの画素PXは、光学パターンPNを含んでもよい。光学パターンPNを含む画素PXは、上述した種々の実施形態のように補助画素であってもよく、補助画素がない場合、面積が相対的に大きい基本画素であってもよい。光学パターンPNは、主に画素PXの開口部内に位置してもよいが、これに限定されず、遮光部材が位置する領域に位置してもよい。
【0222】
図42を参照すると、光学パターンPNは遮光部材220と同一物質を含んでもよい。また、光学パターンPNは遮光部材220と同一層に位置してもよい。
【0223】
図43を参照すると、光学パターンPNは、データ線171及び半導体154と同一物質を含んでもよい。また、光学パターンPNは、データ線171及び半導体154と同一層に位置してもよい。この場合、光学パターンPNは、金属などの導電物質層170と半導体物質層150を含む多重膜構造を有してもよい。
【0224】
また、
図44を参照すると、光学パターンPNは、データ線171と半導体154のうちのいずれか1つと同一物質を含んでもよい。また、光学パターンPNは、データ線171と半導体154のうちのいずれか1つと同一層に位置してもよい。
【0225】
しかし、光学パターンPNが位置する層または光学パターンPNが含む物質はこれに限定されず、上述した通り、電子ペン50などの光学装置がセンシングすることができる波長帯の光に対する反射率または吸収率が良好な多様な材料で、多様な層に、多様な積層構造で位置してもよい。
【0226】
次に、上述した図面と共に
図45を参照して、本発明の一実施形態による表示装置について説明する。上述した実施形態と同一の構成要素に対しては同一の図面符号を付け、同一の説明は省略する。
【0227】
図45は、本発明の一実施形態による表示装置の1つの画素の等価回路図である。
【0228】
本実施形態による表示装置は有機発光表示装置であって、複数の信号線と、これらに接続されて、ほぼ行列状に配列された複数の画素PXとを含む。
【0229】
信号線は、複数のゲート線121、複数のデータ線171、及び駆動電圧を伝達する複数の駆動電圧線(driving voltage line)172などを含む。
【0230】
各画素PXは、スイッチングトランジスタ(switching transistor)Qs、駆動トランジスタ(driving transistor)Qd、ストレージキャパシタ(storage capacitor)Cst、及び有機発光素子(organic light emitting element)LDを含む。
【0231】
スイッチングトランジスタQsは、制御端子(control terminal)、入力端子(input terminal)、及び出力端子(output terminal)を有するが、制御端子はゲート線121に接続されており、入力端子はデータ線171に接続されており、出力端子は駆動トランジスタQdに接続されている。スイッチングトランジスタQsは、ゲート線121から受けた走査信号に応答して、データ線171から受けたデータ信号を駆動トランジスタQdに伝達する。
【0232】
駆動トランジスタQdも制御端子、入力端子及び出力端子を有するが、制御端子はスイッチングトランジスタQsに接続されており、入力端子は駆動電圧線172に接続されており、出力端子は有機発光素子LDに接続されている。駆動トランジスタQdは、制御端子と出力端子の間にかかる電圧によってそのサイズが変化する出力電流Ildを流す。
【0233】
キャパシタCstは、駆動トランジスタQdの制御端子と入力端子の間に接続されている。このキャパシタCstは、駆動トランジスタQdの制御端子に印加されるデータ信号を充電し、スイッチングトランジスタQsがターンオフされた後にもこれを維持する。
【0234】
有機発光素子LDは、例えば、有機発光ダイオード(organic light emitting diode、OLED)であって、駆動トランジスタQdの出力端子に接続されているアノード(anode)と、共通電圧Vssに接続されているカソード(cathode)とを有する。有機発光素子LDは、駆動トランジスタQdの出力電流Ildに応じて強さを異なるようにして発光することによって映像を表示する。
【0235】
有機発光素子LDは、赤色、緑色、青色の三原色など原色のうちのいずれか1つまたは1つ以上の光を固有に出す有機物質を含むか、白色または色再現性の向上のための黄色などの多様な色を出す有機物質を含んでもよい。有機発光表示装置は、これら色の空間的な相互作用によって所望の映像を表示することができる。有機発光素子LDが発する光の色により、各画素PXは上述した実施形態における基本画素または補助画素に区分される。
【0236】
次に、
図45に示した有機発光表示装置の詳細構造について、
図46〜
図50を参照して説明する。
【0237】
図46は、本発明の一実施形態による表示装置の1つの画素に対する配置図であり、
図47は、
図46の表示装置のXLVII−XLVII線に沿った断面図であり、
図48〜
図50は、それぞれ
図46の表示装置のXLVIII−XLVIII線に沿った断面図である。
【0238】
絶縁基板110の上に第1制御電極(control electrode)124aを含む複数のゲート線121、及び維持電極127を含む複数の第2制御電極124bを含む複数のゲート導電体(gate conductor)が形成されている。
【0239】
ゲート線121は端部129を含み、第1制御電極124aはゲート線121から上に延在している。
【0240】
第2制御電極124bは、ゲート線121と分離されており、縦方向に長く延在した維持電極127を含む。
【0241】
ゲート導電体の上にはゲート絶縁膜140が位置する。
【0242】
ゲート絶縁膜140の上には複数のスイッチング半導体154a及び複数の駆動半導体154bが位置する。スイッチング半導体154aは第1制御電極124aと重なり、駆動半導体154bは第2制御電極124bの上に位置する。
【0243】
スイッチング半導体154a及び駆動半導体154bの上には複数のデータ線171、複数の駆動電圧線172、そして複数の第1出力電極175a及び第2出力電極175b (output electrode)を含む複数のデータ導電体(dataconductorが位置する。
【0244】
データ線171は、第1制御電極124aに向かって延在した複数の第1入力電極(input electrode)173aと、端部179とを含む。
【0245】
駆動電圧線172は、第2制御電極124bに向かって延在した複数の第2入力電極173bを含み、維持電極127と重なった部分を含んでもよい。
【0246】
第1出力電極175a及び第2出力電極175bは、互いに分離されている島状であり、データ線171及び駆動電圧線172とも分離されていてもよい。第1入力電極173aと第1出力電極175aはスイッチング半導体154aの上で対向し、第2入力電極173bと第2出力電極175bも駆動半導体154bの上で対向する。
【0247】
第1制御電極124a、第1入力電極173a、及び第1出力電極175aは、スイッチング半導体154aと共にスイッチングトランジスタQsを形成し、スイッチングトランジスタQsのチャネルは、第1入力電極173aと第1出力電極175aの間のスイッチング半導体154aに形成される。第2制御電極124b、第2入力電極173b及び第2出力電極175bは、駆動半導体154bと共に駆動トランジスタQdを形成し、駆動トランジスタQdのチャネルは、第2入力電極173bと第2出力電極175bの間の駆動半導体154bに形成される。
【0248】
ゲート絶縁膜140、データ導電体及び露出した半導体154a、154b部分の上には保護膜180が位置する。
【0249】
保護膜180は、データ線171の端部179を露出するコンタクトホール182、第1出力電極175aを露出するコンタクトホール185a、及び第2出力電極175bを露出するコンタクトホール185bを含んでもよい。保護膜180とゲート絶縁膜140には、第2制御電極124bを露出するコンタクトホール184とゲート線121の端部129を露出するコンタクトホール181が形成されていてもよい。
【0250】
保護膜180の上には複数の画素電極191、複数の接続部材85及び複数の接触補助部材81、82が位置する。画素電極191は、コンタクトホール185bによって第2出力電極175bと物理的・電気的に接続されている。接続部材85は、コンタクトホール185a及びコンタクトホール184によって第1出力電極175a及び第2制御電極124bを接続させる。接触補助部材81、82は、コンタクトホール181、182によってゲート線121の端部129及びデータ線171の端部179とそれぞれ接続されている。
【0251】
保護膜180の上には隔壁(partition)361が位置する。隔壁361は、画素電極191の周縁周辺を堤(bank)のように取り囲んで開口部(opening)を定義し、有機絶縁物または無機絶縁物で形成されてもよい。隔壁361は、また、黒色顔料を含む感光剤で形成されてもよい。
【0252】
隔壁361が定義する画素電極191の上の開口部内には有機発光部材(organic light emitting member)370が位置する。基本画素の有機発光部材370は、赤色、緑色、青色の三原色などの原色のうちのいずれか1つの光を固有に出す有機物質で形成してもよく、補助画素の有機発光部材370は、白色、黄色など輝度を補強し、色再現性の向上のための補助色を示してもよい。
【0253】
有機発光部材370の上には対向電極270が位置する。対向電極270は共通電圧Vssの印加を受け、カルシウム(Ca)、バリウム(Ba)、マグネシウム(Mg)、アルミニウム、銀などを含む反射性金属、またはITOまたはIZOなどの透明な導電物質で形成されてもよい。
【0254】
本発明の他の実施形態によれば、全ての画素PXの有機発光部材370は、白色を出す白色有機発光部材であってもよい。この場合、各基本画素は赤色、緑色、青色の三原色などの原色のうちのいずれか1つの光を固有に出すカラーフィルタを含んでもよい。また、補助画素を含む場合、補助画素は該当する補助色を表示するカラーフィルタを含んでもよい。
【0255】
図46を参照すると、本発明の一実施形態による表示装置の1つの画素PXは光学パターンPNを含んでもよい。光学パターンPNを含む画素PXは、上述した種々の実施形態の通り補助画素であってもよく、補助画素がない場合、面積が相対的に大きい基本画素であってもよい。光学パターンPNは、主に画素PXの開口部内に位置してもよいが、これに限定されず、遮光部材が位置する領域に位置してもよい。
【0256】
図48を参照すると、光学パターンPNは隔壁361と同一物質を含んでもよい。また、光学パターンPNは隔壁361と同一層に位置してもよい。
【0257】
図49を参照すると、光学パターンPNは、データ線171及び駆動半導体154b、またはスイッチング半導体154aと同一物質を含んでもよい。また、光学パターンPNは、データ線171及び駆動半導体154b、またはスイッチング半導体154aと同一層に位置してもよい。この場合、光学パターンPNは、金属などの導電物質層170と半導体物質層150を含む多重膜構造を有してもよい。
【0258】
また、
図50を参照すると、光学パターンPNは、データ線171と駆動半導体154b、またはスイッチング半導体154aのうちのいずれか1つと同一物質を含んでもよい。また、光学パターンPNは、データ線171と駆動半導体154b、またはスイッチング半導体154aのうちのいずれか1つと同一層に位置してもよい。
【0259】
しかし、光学パターンPNが位置する層または光学パターンPNが含む物質はこれに限定されず、上述した通り電子ペン50などの光学装置がセンシングすることができる波長帯の光に対する反射率または吸収率が良好な多様な材料で、多様な層に、多様な積層構造で位置してもよい。
【0260】
その他、本発明の一実施形態による光学パターンPNは、透過型の多様な表示装置、フレキシブル表示装置など多様な表示装置に同一に適用可能である。
【0261】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、次の特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の種々の変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。