発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

特許文献１および２の方法では、蓋部と、圧電体上の電極との間に、電極を取り囲むようにリブパターンを設けて、電子部品が製造される。この電子部品は、図６Ａに示すように、複数のバンプ２３０を介して配線基板２２０に実装される。リブ２１３内には、導体２１５が貫通しており、この導体２１５とバンプ２３０とにより、電子部品２００の電極２１２と配線基板２２０とが導通される。 配線基板２２０に実装された電子部品２００は、図６Ｂに示すように、樹脂封止材２４０で封止される。封止には、通常、寸法精度の高いトランスファー成型法が用いられる。トランスファー成型では、液状化または軟化した熱硬化性樹脂を含むモールド材が金型に圧入される。 ここで、バンプ２３０の高さは、通常、５０〜６０μｍであり、液状化または軟化したモールド材は、バンプ２３０の間を通り抜けて、電子部品２００の蓋部２１４と配線基板２２０との間にも充填される。このとき、モールド材は、蓋部２１４を押し上げ、蓋部２１４は強い圧力を受ける。蓋部２１４が圧力を受けると、図６Ｂに示すように、電極２１２と蓋部２１４との間の空間２１６が狭くなる。この状態でモールド材が硬化して、樹脂封止材２４０が形成されると、ＳＡＷチップの作用が妨げられる。なかでも、テレビなどに用いられるＳＡＷチップは、一辺が１０ｍｍ以上であるため、液状化または軟化したモールド材による圧力の影響をより受けやすい。圧力が大きいと、蓋部２１４が破損することも懸念される。蓋部２１４が破損すると、空間２１６内に液状化または軟化したモールド材が侵入し、空間２１６を十分に確保することが難しくなる。 また、携帯電話やデジタルカメラをはじめとする各種電子機器の小型化により、ＳＡＷチップ自体の薄型化も求められている。そのため、蓋部２１４の厚みはもとより、空間２１６の高さも小さくする必要がある。この場合、蓋部２１４の変形がＳＡＷチップの性能に与える影響は、さらに大きくなる。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の実装構造体によれば、第一回路部材に実装されたＳＡＷチップなどの第二回路部材を、トランスファー成型法により封止する場合にも、第二回路部材の蓋部の変形が小さく、蓋部と第二回路部材の機能領域との間に十分な空間を確保することができる。