(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
対象物上において第1の方向を向く1つの線状パターン要素、または、前記第1の方向に垂直な第2の方向に配列された前記第1の方向を向く複数の線状パターン要素であるパターン要素群を示す画像において、前記パターン要素群に含まれる少なくとも1つのエッジの前記第2の方向における位置を検出するエッジ位置検出装置であって、
前記対象物上の前記パターン要素群を示す画像において、前記第2の方向に平行であって前記パターン要素群に交差する交差方向における輝度プロファイルを取得するプロファイル取得部と、
前記交差方向において交互に配置されるm個の凹部と(m−1)個の凸部とを有する前記輝度プロファイルに対して、前記m個の凹部に対応するm個の釣鐘型関数と前記(m−1)個の凸部に対応する(m−1)個の釣鐘型関数とを合成した前記交差方向において左右対称なモデル関数を、前記パターン要素群の設計データに基づく拘束条件を満たしつつフィッティングし、前記モデル関数の前記m個の釣鐘型関数および前記(m−1)個の釣鐘型関数に含まれる複数の係数を決定する演算部と、
前記モデル関数に基づいて前記少なくとも1つのエッジの位置を求めるエッジ位置取得部と、
を備えることを特徴とするエッジ位置検出装置。
対象物上において第1の方向を向く1つの線状パターン要素、または、前記第1の方向に垂直な第2の方向に配列された前記第1の方向を向く複数の線状パターン要素であるパターン要素群を示す画像において、前記パターン要素群に含まれる少なくとも1つのエッジの前記第2の方向における位置を検出するエッジ位置検出方法であって、
a)前記対象物上の前記パターン要素群を示す画像において、前記第2の方向に平行であって前記パターン要素群に交差する交差方向における輝度プロファイルを取得する工程と、
b)前記交差方向において交互に配置されるm個の凹部と(m−1)個の凸部とを有する前記輝度プロファイルに対して、前記m個の凹部に対応するm個の釣鐘型関数と前記(m−1)個の凸部に対応する(m−1)個の釣鐘型関数とを合成した前記交差方向において左右対称なモデル関数を、前記パターン要素群の設計データに基づく拘束条件を満たしつつフィッティングし、前記モデル関数の前記m個の釣鐘型関数および前記(m−1)個の釣鐘型関数に含まれる複数の係数を決定する工程と、
c)前記モデル関数に基づいて前記少なくとも1つのエッジの位置を求める工程と、
を備えることを特徴とするエッジ位置検出方法。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
ところで、上述のようなエッジ位置の検出に使用される画像が、比較的低い解像度のカメラにより取得された場合、輝度プロファイルにおいてエッジを示す傾斜部の勾配が小さくなり、エッジ位置を高精度に検出することが難しい。また、近接して配置されたパターン要素間の背景領域とパターン要素とのコントラストが著しく低下し、エッジ位置を検出することができないおそれもある。
【0006】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、比較的低い解像度にて取得された画像において、エッジ位置を高精度に検出することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0007】
請求項1に記載の発明は、対象物上において第1の方向を向く1つの線状パターン要素、または、前記第1の方向に垂直な第2の方向に配列された前記第1の方向を向く複数の線状パターン要素であるパターン要素群を示す画像において、前記パターン要素群に含まれる少なくとも1つのエッジの前記第2の方向における位置を検出するエッジ位置検出装置であって、前記対象物上の前記パターン要素群を示す画像において、前記第2の方向に平行であって前記パターン要素群に交差する交差方向における輝度プロファイルを取得するプロファイル取得部と、前記交差方向において交互に配置されるm個の凹部と(m−1)個の凸部とを有する前記輝度プロファイルに対して、前記m個の凹部に対応するm個の釣鐘型関数と前記(m−1)個の凸部に対応する(m−1)個の釣鐘型関数とを合成した前記交差方向において左右対称なモデル関数を、前記パターン要素群の設計データに基づく拘束条件を満たしつつフィッティングし、前記モデル関数の前記m個の釣鐘型関数および前記(m−1)個の釣鐘型関数に含まれる複数の係数を決定する演算部と、前記モデル関数に基づいて前記少なくとも1つのエッジの位置を求めるエッジ位置取得部とを備える。
【0008】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のエッジ位置検出装置であって、前記m個の釣鐘型関数および前記(m−1)個の釣鐘型関数がそれぞれ、ガウス関数である。
【0009】
請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載のエッジ位置検出装置であって、前記エッジ位置取得部が、前記モデル関数の前記複数の係数を補正することにより、前記m個の凹部に対応する各凹部の極値と前記(m−1)個の凸部に対応する各凸部の極値との差が、前記輝度プロファイルよりも拡大された補正モデル関数を取得し、前記補正モデル関数に基づいて前記少なくとも1つのエッジの位置を求める。
【0010】
請求項4に記載の発明は、請求項1ないし3のいずれかに記載のエッジ位置検出装置であって、前記パターン要素群を構成する線状パターン要素の数が2である。
【0011】
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載のエッジ位置検出装置であって、前記パターン要素群が、微細測長用パターンに含まれる。
【0012】
請求項6に記載の発明は、対象物上において第1の方向を向く1つの線状パターン要素、または、前記第1の方向に垂直な第2の方向に配列された前記第1の方向を向く複数の線状パターン要素であるパターン要素群を示す画像において、前記パターン要素群に含まれる少なくとも1つのエッジの前記第2の方向における位置を検出するエッジ位置検出方法であって、a)前記対象物上の前記パターン要素群を示す画像において、前記第2の方向に平行であって前記パターン要素群に交差する交差方向における輝度プロファイルを取得する工程と、b)前記交差方向において交互に配置されるm個の凹部と(m−1)個の凸部とを有する前記輝度プロファイルに対して、前記m個の凹部に対応するm個の釣鐘型関数と前記(m−1)個の凸部に対応する(m−1)個の釣鐘型関数とを合成した前記交差方向において左右対称なモデル関数を、前記パターン要素群の設計データに基づく拘束条件を満たしつつフィッティングし、前記モデル関数の前記m個の釣鐘型関数および前記(m−1)個の釣鐘型関数に含まれる複数の係数を決定する工程と、c)前記モデル関数に基づいて前記少なくとも1つのエッジの位置を求める工程とを備える。
【0013】
請求項7に記載の発明は、請求項6に記載のエッジ位置検出方法であって、前記m個の釣鐘型関数および前記(m−1)個の釣鐘型関数がそれぞれ、ガウス関数である。
【0014】
請求項8に記載の発明は、請求項6または7に記載のエッジ位置検出方法であって、前記c)工程が、c1)前記モデル関数の前記複数の係数を補正することにより、前記m個の凹部に対応する各凹部の極値と前記(m−1)個の凸部に対応する各凸部の極値との差が、前記輝度プロファイルよりも拡大された補正モデル関数を取得する工程と、c2)前記補正モデル関数に基づいて前記少なくとも1つのエッジの位置を求める工程とを備える。
【0015】
請求項9に記載の発明は、請求項6ないし8のいずれかに記載のエッジ位置検出方法であって、前記パターン要素群を構成する線状パターン要素の数が2である。
【0016】
請求項10に記載の発明は、請求項9に記載のエッジ位置検出方法であって、前記パターン要素群が、微細測長用パターンに含まれる。
【発明の効果】
【0017】
本発明では、比較的低い解像度にて取得された画像において、エッジ位置を高精度に検出することができる。
【発明を実施するための形態】
【0019】
図1は、本発明の一の実施の形態に係るパターン測定装置1の概略構成を示す図である。パターン測定装置1は、対象物である半導体基板、ガラス基板またはプリント配線基板等(以下、単に「基板9」という)上に形成されたパターンにおいて、線状のパターン要素の幅(すなわち、線幅)を測定する自動測長機である。
【0020】
パターン測定装置1は、ステージ21と、ステージ駆動部22と、撮像部3とを備える。ステージ21は、基板9を保持する。ステージ駆動部22は、撮像部3に対してステージ21を相対的に移動する。ステージ駆動部22はボールねじ、ガイドレール、モータ等により構成される。撮像部3は、ステージ21の上方(すなわち、(+z)側)に配置され、基板9上の検査対象領域を撮像して画像データを取得する。撮像部3は、照明部31と、光学系32と、撮像デバイス33とを備える。照明部31は、照明光を出射する。光学系32は、基板9に照明光を導くとともに基板9からの光が入射する。撮像デバイス33は、光学系32により結像された基板9の像を電気信号に変換する。
【0021】
パターン測定装置1には、さらに、各種演算処理を行うCPUや各種情報を記憶するメモリ等により構成されたコンピュータ5が設けられる。コンピュータ5がステージ駆動部22および撮像部3を制御することにより、基板9上の検査対象領域が撮像される。以下、撮像部3により取得された基板9の検査対象領域の画像を「検査画像」という。
【0022】
図2は、検査画像81を示す図である。検査画像81では、基板9上においてy方向を向く複数の線状パターン要素82であるパターン要素群83が示される。複数の線状パターン要素82は、y方向に垂直なx方向に配列される。ここで、y方向およびx方向をそれぞれ「第1の方向」および「第2の方向」と呼ぶと、パターン要素群83は、第1の方向に垂直な第2の方向に配列された第1の方向を向く複数の線状パターン要素82である。
図2に示す例では、パターン要素群83は、互いに略平行な2つの線状パターン要素82である。換言すれば、パターン要素群83を構成する線状パターン要素82の数は2である。パターン要素群83は、基板9上に形成されるパターンの検査に利用される微細測長用パターンに含まれる。2つの線状パターン要素82の設計上の形状(例えば、線状パターン要素82の線幅や基板9上の高さ)は、互いに等しい。
【0023】
パターン測定装置1の後述するエッジ位置検出装置50では、パターン要素群83に含まれる少なくとも1つのエッジ84のx方向(すなわち、第2の方向)における位置が検出される。以下の説明では、
図2に例示する2つの線状パターン要素82の各2つのエッジ84、すなわち、互いに略平行な4つのエッジ84のx方向における位置が、エッジ位置検出装置50により検出される。
【0024】
図3は、コンピュータ5が所定のプログラムを実行することにより実現される機能構成を示すブロック図である。
図3では、コンピュータ5以外の構成も併せて示す。
図3のエッジ位置検出装置50のプロファイル取得部51、演算部52およびエッジ位置取得部53と、線幅算出部54とが、コンピュータ5により実現される機能である。なお、エッジ位置検出装置50および線幅算出部54の機能は専用の電気的回路により実現されてもよく、部分的に専用の電気的回路が用いられてもよい。
【0025】
図4は、パターン測定装置1が線状パターン要素82(
図2参照)の線幅を測定する処理の流れを示す図である。
図1に示すパターン測定装置1では、基板9上の検査対象領域に含まれるパターン要素群83を示す検査画像81(
図2参照)が、撮像部3により取得される(ステップS11)。検査画像81のデータは、撮像部3から
図3に示すプロファイル取得部51へと出力される。
【0026】
プロファイル取得部51では、
図5の検査画像81中にて符号D1を付す白い矩形にて囲む領域が注目領域として特定される。注目領域の特定は、作業者がコンピュータ5の入力部を介して特定してもよい。注目領域D1の外縁を示す矩形の各辺はx方向またはy方向に平行である。プロファイル取得部51では、注目領域D1内にてx方向に並ぶ複数の画素を画素列として、y方向に並ぶ複数の画素列のそれぞれにおいて、画素の輝度(画素値)のx方向における分布が求められる。
【0027】
続いて、注目領域D1内のx方向の各画素の位置(以下、「画素位置」という。)において、y方向に並ぶ複数の画素における輝度の平均値(単純平均値)が算出される。プロファイル取得部51では、
図6に示すように、注目領域D1内における輝度の平均値のx方向の分布が輝度プロファイル71として取得される(ステップS12)。換言すれば、プロファイル取得部51により、上記第2の方向に平行であってパターン要素群83に交差する交差方向における輝度プロファイル71が取得される。以下の説明では、y方向に並ぶ複数の画素における輝度の平均値も同様に「輝度」と呼ぶ。
図6では、パターン要素群83の周囲の背景領域における輝度を約1.0として輝度プロファイル71を描いている。後述する他の図面においても同様である。
【0028】
図6に例示する輝度プロファイル71は、
図5中の2つの線状パターン要素82の4つのエッジ84に対応する4つの凹部851〜854を有する。輝度プロファイル71は、また、各線状パターン要素82の2つのエッジ84間の領域に対応する2つの凸部861,863と、2つの線状パターン要素82の間の領域(すなわち、背景領域)に対応する1つの凸部862とを有する。すなわち、輝度プロファイル71は、x方向(上述の交差方向)において交互に配置される4つの凹部851〜854と、凹部851〜854よりも1つ少ない3つの凸部861〜863とを有する。
【0029】
次に、演算部52(
図3参照)において、
図6に示す輝度プロファイル71に対するモデル関数のフィッティングが行われる。
図7は、フィッティング後の当該モデル関数72を、輝度プロファイル71と共に示す図である。
図7では、モデル関数72を実線にて示し、輝度プロファイル71を一点鎖線にて示す(
図11および
図14においても同様)。モデル関数72は、
図8に示すように、上記4つの凹部851〜854に対応する4つの釣鐘型関数731〜734と、上記3つの凸部861〜863に対応する3つの釣鐘型関数741〜743とを合成した関数である。
図8では、釣鐘型関数731〜734,741〜743を実線にて示し、輝度プロファイル71を一点鎖線にて示す。
図8に例示する釣鐘型関数731〜734,741〜743はそれぞれ、数1に示すガウス関数である。ただし、
図8では、釣鐘型関数731〜734,741〜743について、数1のG
n(x)から係数a
nを減算した値を示す。モデル関数72は、数2にて示される。
【0032】
数1および数2中の添え字nが「1」の関数は、
図5中の(−x)側の線状パターン要素82の(−x)側のエッジ84に対応する。nが「2」の関数は、
図5中の(−x)側の線状パターン要素82における2つのエッジ84の間の領域に対応する。nが「3」の関数は、
図5中の(−x)側の線状パターン要素82の(+x)側のエッジ84に対応する。nが「4」の関数は、
図5中の2つの線状パターン要素82の間の領域、すなわち、(−x)側の線状パターン要素82の(+x)側のエッジ84と(+x)側の線状パターン要素82の(−x)側のエッジ84との間の領域に対応する。nが「5」の関数は、
図5中の(+x)側の線状パターン要素82の(−x)側のエッジ84に対応する。nが「6」の関数は、
図5中の(+x)側の線状パターン要素82における2つのエッジ84の間の領域に対応する。nが「7」の関数は、
図5中の(+x)側の線状パターン要素82の(+x)側のエッジ84に対応する。
【0033】
モデル関数72の上記フィッティングは、パターン要素群83の設計データに基づく拘束条件を満たしつつ行われる。上述のように、パターン要素群83の2つの線状パターン要素82は同形状であるため、数3に示す拘束条件を満たすようにモデル関数72のフィッティングが行われる。モデル関数72は、x方向(すなわち、上述の交差方向)において左右対称である。
【0035】
演算部52では、数3に示す拘束条件を満たしつつ、
図7に示すように、最適化法等によりモデル関数72の輝度プロファイル71に対するフィッティングが行われ、モデル関数72の4つの釣鐘型関数731〜734および3つの釣鐘型関数741〜743に含まれる複数の係数a
n,b
n,c
n,d
n(ただし、n=1〜7)が決定される(ステップS13)。
【0036】
続いて、エッジ位置取得部53(
図3参照)により、モデル関数72に基づいて2つの線状パターン要素82の4つのエッジ84の位置が求められる(ステップS14)。エッジ84の位置は、例えば、モデル関数72の係数C
1,C
3,C
5,C
7に基づいて決定される。4つのエッジ84のx方向における位置は、例えば、係数C
1,C
3,C
5,C
7に等しい値とされる。この場合、4つのエッジ84のx方向における位置は、モデル関数72において輝度プロファイル71の凹部851〜854に対応する凹部871〜874の輝度が最小となる中心位置である。その後、線幅算出部54(
図3参照)により、4つのエッジ84のx方向における位置に基づいて、2つの線状パターン要素82のx方向の線幅が求められる(ステップS15)。
【0037】
以上に説明したように、パターン測定装置1のエッジ位置検出装置50では、基板9上のパターン要素群83を示す検査画像81において、上述の交差方向(x方向)における輝度プロファイル71がプロファイル取得部51により取得される。続いて、当該交差方向において交互に配置される4つの凹部851〜854と3つの凸部861〜863とを有する輝度プロファイル71に対して、4つの凹部851〜854に対応する4つの釣鐘型関数731〜734と、3つの凸部861〜863に対応する3つの釣鐘型関数741〜743とを合成した左右対称なモデル関数72が、パターン要素群83の設計データに基づく拘束条件を満たしつつ、演算部52によりフィッティングされる。そして、モデル関数72の4つの釣鐘型関数731〜734および3つの釣鐘型関数741〜743に含まれる複数の係数a
n,b
n,c
n,d
n(ただし、n=1〜7)が決定される。その後、エッジ位置取得部53により、上記モデル関数72に基づいて、2つの線状パターン要素82の4つのエッジ84の位置が求められる。
【0038】
このように、エッジ位置検出装置50では、輝度プロファイル71に対して上記モデル関数72をフィッティングすることにより、輝度プロファイル71においてエッジ84を示す傾斜部の勾配が小さい場合や、近接して配置された線状パターン要素82間の背景領域と線状パターン要素82とのコントラストが低い場合等であっても、エッジ84の位置を高精度に求めることができる。すなわち、エッジ位置検出装置50では、比較的低い解像度にて取得された検査画像81においても、エッジ位置を高精度に検出することができる。その結果、パターン測定装置1では、各線状パターン要素82の線幅を高精度に測定することができる。
【0039】
上述のように、エッジ位置検出装置50では、4つの釣鐘型関数731〜734および3つの釣鐘型関数741〜743がそれぞれ、ガウス関数である。これにより、輝度プロファイル71に対してモデル関数72を高精度にフィッティングすることができる。その結果、エッジ位置取得部53によるエッジ位置の検出精度を向上することができる。また、各線状パターン要素82の線幅の測定精度を向上することもできる。
【0040】
エッジ位置検出装置50は、上述のように、近接して配置された線状パターン要素82間の背景領域と線状パターン要素82とのコントラストが低い場合であっても、エッジ位置を高精度に検出することができる。したがって、エッジ位置検出装置50は、パターン要素群83を構成する線状パターン要素82の数が2、または、3以上の場合のエッジ位置の検出に特に適している。さらには、エッジ位置検出装置50は、線状パターン要素82が微細かつ近接している場合、例えば、線状パターン要素82の数が2であるパターン要素群83が、微細測長用パターンに含まれる場合に特に適している。
【0041】
図9は、他の検査画像81aを示す図である。
図9に示す検査画像81aでは、
図2に示す検査画像81と同様に、互いに略平行な2つの線状パターン要素82により構成されるパターン要素群83が示される。検査画像81aは、
図2に示す検査画像81を取得したカメラよりも低い解像度のカメラにて取得された画像である。したがって、検査画像81aでは、
図2に示す検査画像81に比べて、2つの線状パターン要素82間の背景領域と線状パターン要素82とのコントラストが低い。
【0042】
図10は、
図9に示す検査画像81aから、プロファイル取得部51(
図3参照)により取得された輝度プロファイル71aを示す図である。上述のように、検査画像81aでは、2つの線状パターン要素82間の背景領域と線状パターン要素82とのコントラストが低いため、仮に所定の輝度(閾値)にて検査画像81aを二値化してエッジ位置を求めようとすると、当該閾値を僅かに変更するだけで、算出されるエッジ位置が大きく変化してしまう。
【0043】
これに対し、上述のエッジ位置検出装置50では、
図11に示すように、輝度プロファイル71aに対して上記モデル関数72をフィッティングし、当該モデル関数72に基づいてエッジ位置を求めることにより、比較的低い解像度にて取得された検査画像81においても、エッジ位置を高精度に検出することができる。その結果、パターン測定装置1では、各線状パターン要素82の線幅を高精度に測定することができる。
【0044】
エッジ位置検出装置50では、ステップS14においてモデル関数72に基づいてエッジ84の位置を求める際に、モデル関数72が補正されてもよい。例えば、ステップS14は、
図12に示すように、モデル関数72の補正に係るステップS141,S142を備える。
【0045】
この場合、
図4に示すステップS11〜S13の終了後、
図11に示すモデル関数72の複数の係数a
n,b
n,c
n,d
n(ただし、n=1〜7)が、エッジ位置取得部53(
図3参照)により補正される。これにより、
図13に示すように、4つの凹部851〜854に対応する各凹部871a〜874aの極値(最小値)と3つの凸部861〜863に対応する各凸部881a〜883aの極値(最大値)との差が、モデル関数72および輝度プロファイル71aよりも拡大された補正モデル関数75が取得される(ステップS141)。
図13では、補正モデル関数75を実線にて示し、モデル関数72および輝度プロファイル71をそれぞれ破線および一点鎖線にて示す。
【0046】
そして、エッジ位置取得部53により、補正モデル関数75に基づいて2つの線状パターン要素82の4つのエッジ84の位置が求められる(ステップS142)。ステップS142では、例えば、モデル関数72の各凹部871〜874(
図11参照)の最小値と、パターン要素群83の周囲の背景領域における輝度(
図13では、1.0)との差の約10%だけ、各凹部871〜874の最小値よりも大きい輝度4.0を閾値として、当該閾値と補正モデル関数75の各凹部871a〜874aとの交点が求められる。そして、各凹部871a〜874aの最小値よりも背景領域に近い側の交点856が、エッジ84(
図9参照)のx方向における位置として求められる。
【0047】
このように、エッジ位置取得部53では、4つの凹部871a〜874aの極値と3つの凸部881a〜883aの極値との差が拡大された補正モデル関数75がモデル関数72に基づいて取得され、当該補正モデル関数75に基づいてエッジ84のx方向における位置が求められる。これにより、凹部871a〜874aが極値(最小値)となる位置以外の位置をエッジ84の位置とする場合であっても、補正モデル関数75の凹部871a〜874aの傾きが大きいため、エッジ位置をさらに高精度に検出することができる。その結果、パターン測定装置1では、ステップS15において、各線状パターン要素82の線幅を高精度に求めることができる。
【0048】
上述の検査画像81,81aにて示されるパターン要素群83は、基板9上においてy方向を向く1つの線状パターン要素82であってもよい。この場合、プロファイル取得部51により取得される輝度プロファイル71bは、
図14に示すように、線状パターン要素82の2つのエッジに対応する2つの凹部851,852と、線状パターン要素82の2つのエッジ間の領域に対応する1つの凸部861とを有する。
【0049】
演算部52では、当該輝度プロファイル71bに対して、2つの凹部851,852に対応する2つの釣鐘型関数と1つの凸部861に対応する1つの釣鐘型関数とを合成した左右対称なモデル関数72bをフィッティングする。当該フィッティングは、パターン要素群83(すなわち、1つの線状パターン要素82)の設計データに基づく拘束条件を満たしつつ行われ、モデル関数72bの上記3つの釣鐘型関数に含まれる複数の係数が決定される。そして、エッジ位置取得部53により、モデル関数72bに基づいて上記2つのエッジのx方向における位置が求められる。これにより、比較的低い解像度にて取得された検査画像においても、エッジ位置を高精度に検出することができる。
【0050】
このように、エッジ位置の算出に利用される輝度プロファイルでは、凹部の数、および、凹部よりも1つ少ない凸部の数は、適宜変更されてよい。すなわち、検査画像に示される輝度プロファイルは、m個(ただし、mは2以上の自然数)の凹部と、(m−1)個の凸部とを有し、輝度プロファイルに対してフィッティングされるモデル関数は、m個の凹部に対応するm個の釣鐘型関数と、(m−1)個の凸部に対応する(m−1)個の釣鐘型関数とを合成した関数である。上記凹部は、上述のように線状パターン要素のエッジに対応するため、mは好ましくは偶数である。
【0051】
なお、輝度プロファイルの凹部は、線状パターン要素82のエッジ以外の領域に対応する場合も考えられる。例えば、パターン要素群83が1つの線状パターン要素82により構成され、当該線状パターン要素82の2つのエッジ84およびx方向の中央部が、検査画像81上において暗く表示され、それ以外の部位が明るく表示される場合、輝度プロファイルは、2つのエッジ84および中央部に対応する3つの凹部と、当該3つの凹部の間に位置する2つの凸部とを有する。
【0052】
上述のパターン測定装置1およびエッジ位置検出装置50では、様々な変更が可能である。
【0053】
例えば、プロファイル取得部51では、x方向に並ぶ複数の画素である1つの画素列における輝度の変化が輝度プロファイルとされてもよい。ただし、ノイズ等の影響を抑制するには、x方向の各画素位置において、y方向に並ぶ複数の画素の輝度の平均値や中央値、最頻値等の代表値が求められ、当該画素位置の輝度を当該代表値とする輝度プロファイルが求められることが好ましい。
【0054】
上述のように、パターン要素群83を構成する線状パターン要素82の数は、1であってもよく、2以上であってもよい。また、パターン要素群83は、微細測長用パターン以外の様々なパターンの一部または全体であってよい。
【0055】
上記説明では、モデル関数72,72bは、複数のガウス関数を合成した関数であるが、演算部52により輝度プロファイルに対してフィッティングされるモデル関数は、ガウス関数以外の様々な釣鐘型関数(例えば、ロジスティック関数や、正弦関数または余弦関数の半周期分)を合成した関数であってもよい。
【0056】
ステップS14において補正モデル関数75を取得しない場合、4つのエッジ84の位置は、必ずしも係数C
1,C
3,C
5,C
7に等しい値である必要はなく、モデル関数72に基づいて求められていればよい。例えば、補正モデル関数75が取得されるケース(
図14参照)にて説明したように、所定の閾値とモデル関数72の各凹部871〜874との交点がエッジ位置として求められてもよい。
【0057】
パターン測定装置1では、エッジ位置検出装置50により検出された線状パターン要素82のエッジ位置に基づいて、当該線状パターン要素82の基板9上における位置等が取得されてもよい。また、エッジ位置検出装置50は、パターン測定装置1から独立して利用されてもよい。これらの場合、エッジ位置検出装置50により、パターン要素群83に含まれる少なくとも1つのエッジ84が、上記モデル関数に基づいて、または、上記モデル関数に基づく補正モデル関数に基づいて求められる。
【0058】
パターン測定装置1およびエッジ位置検出装置50における処理の対象物は、線状パターン要素が形成された基板9以外に、線状パターン要素が形成されたフィルム状の基材等であってもよい。
【0059】
上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。