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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6356610
(24)【登録日】2018年6月22日
(45)【発行日】2018年7月11日
(54)【発明の名称】半導体装置の製造方法および半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 23/50 20060101AFI20180702BHJP
H01L 23/28 20060101ALI20180702BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20180702BHJP
【ＦＩ】
H01L23/50 J
H01L23/50 R
H01L23/28 A
H01L23/50 N
H01L23/12 L
H01L23/50 D
H01L23/50 V
【請求項の数】19
【全頁数】45
(21)【出願番号】特願2014-551476(P2014-551476)
(86)(22)【出願日】2014年3月27日
(86)【国際出願番号】JP2014058815
(87)【国際公開番号】WO2015145651
(87)【国際公開日】20151001
【審査請求日】2016年10月18日
(73)【特許権者】
【識別番号】302062931
【氏名又は名称】ルネサスエレクトロニクス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100080001
【弁理士】
【氏名又は名称】筒井 大和
(74)【代理人】
【識別番号】100113642
【弁理士】
【氏名又は名称】菅田 篤志
(74)【代理人】
【識別番号】100117008
【弁理士】
【氏名又は名称】筒井 章子
(74)【代理人】
【識別番号】100147430
【弁理士】
【氏名又は名称】坂次 哲也
(72)【発明者】
【氏名】牧野 耕丈
【審査官】
多賀 和宏
(56)【参考文献】
【文献】
特開２０１４−００７２８７（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００６−１７９７６０（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２０１１−０９１１９４（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００３−０３７２３６（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２０１４−０１１４５７（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００８−１１２９６１（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）
Ｈ０１Ｌ ２３／５０
Ｈ０１Ｌ ２３／１２
Ｈ０１Ｌ ２３／２８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
（ａ）第１半導体チップが上面に搭載された第１チップ搭載部、および前記第１チップ搭載部の近傍に配置された第１リードを含む複数のリードを有する第１デバイス領域と、第２半導体チップが上面に搭載された第２チップ搭載部、および前記第２チップ搭載部の近傍に配置され、前記第１リードと連結された第２リードを含む複数のリードを有し、前記第１デバイス領域の隣に配置された第２デバイス領域と、前記第１デバイス領域と前記第２デバイス領域を一括して封止する封止体と、を備え、第１方向に延在する前記第１および第２リードのそれぞれの第１リード下面に連通するように前記第１方向に延在し、前記第１方向と直交する第２方向における幅が前記第１および第２リードのそれぞれの前記第１リード下面の幅よりも狭い溝部が形成されたリードフレームを準備する工程と、
（ｂ）前記第１リード下面側から前記第１および第２リードの連結部の一部を前記第２方向に進行する第１ブレードを用いて切削することにより、前記第１および第２リードの前記連結部に切り込み部を形成する工程と、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記溝部内に形成された金属屑を除去する工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記切り込み部を含めた前記第１および第２リードの前記封止体から露出した部分にめっき法により第１金属膜を形成する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第１リード下面側から前記第１および第２リードの前記連結部の残部を前記第２方向に進行し、前記第１ブレードの幅よりもその幅が狭い第２ブレードを用いて切削することにより、前記第１デバイス領域と前記第２デバイス領域とを分離する工程と、を有し、
前記（ｄ）工程では、前記第１リードの厚さ方向において、前記切り込み部の深さは、前記溝部の深さより大きく、
前記（ｅ）工程は、前記第１および第２リードのそれぞれの前記第１リード下面に連なり、前記切り込み部を構成する第１リード側面に前記第２ブレードが接触しないように前記残部を切削する、半導体装置の製造方法。
（ｂ）前記第１リード下面側から前記第１および第２リードの連結部の一部を前記第２方向に進行する第１ブレードを用いて切削することにより、前記第１および第２リードの前記連結部に切り込み部を形成する工程と、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記溝部内に形成された金属屑を除去する工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記切り込み部を含めた前記第１および第２リードの前記封止体から露出した部分にめっき法により第１金属膜を形成する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第１リード下面側から前記第１および第２リードの前記連結部の残部を前記第２方向に進行し、前記第１ブレードの幅よりもその幅が狭い第２ブレードを用いて切削することにより、前記第１デバイス領域と前記第２デバイス領域とを分離する工程と、を有し、
前記（ｄ）工程では、前記第１リードの厚さ方向において、前記切り込み部の深さは、前記溝部の深さより大きく、
前記（ｅ）工程は、前記第１および第２リードのそれぞれの前記第１リード下面に連なり、前記切り込み部を構成する第１リード側面に前記第２ブレードが接触しないように前記残部を切削する、半導体装置の製造方法。
【請求項2】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程は、前記第１リード下面側から大気圧よりも高い圧力の液体を前記金属屑に対して噴射することにより前記金属屑を除去する、半導体装置の製造方法。
前記（ｃ）工程は、前記第１リード下面側から大気圧よりも高い圧力の液体を前記金属屑に対して噴射することにより前記金属屑を除去する、半導体装置の製造方法。
【請求項3】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程は、前記第１リード下面と平行な面内において、複数のノズルのそれぞれの先端が螺旋を描くように前記複数のノズルを回転させながら、前記液体を前記複数のノズルのそれぞれから噴射する、半導体装置の製造方法。
前記（ｃ）工程は、前記第１リード下面と平行な面内において、複数のノズルのそれぞれの先端が螺旋を描くように前記複数のノズルを回転させながら、前記液体を前記複数のノズルのそれぞれから噴射する、半導体装置の製造方法。
【請求項4】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１および第２リードは、前記第２方向に延在するリード連結部を介して互いに連結され、
前記第１ブレードの幅は、前記リード連結部の前記第１方向における幅よりも広い、半導体装置の製造方法。
前記第１および第２リードは、前記第２方向に延在するリード連結部を介して互いに連結され、
前記第１ブレードの幅は、前記リード連結部の前記第１方向における幅よりも広い、半導体装置の製造方法。
【請求項5】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程の後、前記第１および第２リードはそれぞれ前記第１リード側面よりも外側に位置する第２リード側面を有し、
前記第１リード側面上には前記第１金属膜が形成され、前記第２リード側面上には前記第１金属膜が形成されない、半導体装置の製造方法。
前記（ｅ）工程の後、前記第１および第２リードはそれぞれ前記第１リード側面よりも外側に位置する第２リード側面を有し、
前記第１リード側面上には前記第１金属膜が形成され、前記第２リード側面上には前記第１金属膜が形成されない、半導体装置の製造方法。
【請求項6】
請求項５に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１リード側面は、第１辺と、前記第２方向において前記第１辺に対向する第２辺と、を有し、
前記（ｂ）工程では、
前記第１辺には、前記第２方向に沿って延びる第１金属バリが形成され、
前記第２辺には、前記第１金属バリは形成されない、半導体装置の製造方法。
前記第１リード側面は、第１辺と、前記第２方向において前記第１辺に対向する第２辺と、を有し、
前記（ｂ）工程では、
前記第１辺には、前記第２方向に沿って延びる第１金属バリが形成され、
前記第２辺には、前記第１金属バリは形成されない、半導体装置の製造方法。
【請求項7】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２リード側面は、第３辺と、前記第２方向において前記第３辺に対向する第４辺とを有し、
前記（ｅ）工程では
前記第３辺には、前記第２方向に沿って延びる第２金属バリが形成され、
前記第４辺には、前記第２金属バリは形成されず、
前記第１リード下面上、前記第１リード側面上、および前記第１金属バリには前記（ｄ）工程でめっき処理が施され、前記第２リード側面上、および前記第２金属バリにはめっき処理が施されない、半導体装置の製造方法。
前記第２リード側面は、第３辺と、前記第２方向において前記第３辺に対向する第４辺とを有し、
前記（ｅ）工程では
前記第３辺には、前記第２方向に沿って延びる第２金属バリが形成され、
前記第４辺には、前記第２金属バリは形成されず、
前記第１リード下面上、前記第１リード側面上、および前記第１金属バリには前記（ｄ）工程でめっき処理が施され、前記第２リード側面上、および前記第２金属バリにはめっき処理が施されない、半導体装置の製造方法。
【請求項8】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程は、電解めっき法により前記第１金属膜を形成し、
前記第１金属膜は錫を主要な成分とする金属で構成されている、半導体装置の製造方法。
前記（ｄ）工程は、電解めっき法により前記第１金属膜を形成し、
前記第１金属膜は錫を主要な成分とする金属で構成されている、半導体装置の製造方法。
【請求項9】
半導体チップと、
前記半導体チップが搭載された上面と、前記上面とは反対側の面である下面と、を有するチップ搭載部と、
それぞれが前記チップ搭載部の近傍に配置され、前記半導体チップと電気的に接続された複数のリードと、
第１封止体上面、前記第１封止体上面とは反対側の面である第１封止体下面、およびその厚さ方向において前記第１封止体上面と前記第１封止体下面との間に位置する複数の側面を有し、前記半導体チップと、前記複数のリードのそれぞれの一部と、を封止する封止体と、を備え、
前記複数のリードのそれぞれは、
第１リード上面と、
前記第１リード上面とは反対側の面である第１リード下面と、
その厚さ方向において、前記第１リード上面と前記第１リード下面との間に位置する第２リード下面と、
その厚さ方向において、前記第１リード下面と前記第２リード下面との間に位置し、かつ前記第１リード下面と前記第２リード下面とに連なる第１リード側面と、
その厚さ方向において、前記第２リード下面と前記第１リード上面との間に位置し、かつ前記第２リード下面と前記第１リード上面とに連なり、前記第１リード側面より外側に位置する第２リード側面と、を有し、
前記第１リード上面は、前記封止体により覆われ、
前記第１リード下面は、前記封止体の前記第１封止体下面より露出し、
前記第１リード側面は、前記封止体の前記複数の側面の内、前記第１封止体下面に連なる第１封止体側面から露出し、かつ前記第１封止体側面と同一の平面になっており、
前記第２リード側面は、前記封止体の前記複数の側面の内、前記第１封止体上面に連なり、前記第１封止体側面より外側に位置する第２封止体側面から露出し、かつ前記第２封止体側面と同一の平面になっており、
前記第１リード下面側から見た時に、前記第１リード下面には前記複数のリードのそれぞれが延在する第１方向と直交する第２方向における幅が前記複数のリードのそれぞれの幅よりも狭い凹部が形成され、
前記第１リード下面側から見た時に、前記凹部の第１端部は前記第１リード側面に到達し、前記凹部の前記第１端部とは反対側に位置する第２端部は前記第１リード下面内で終端し、
前記第１リード下面を基準面とした時に、前記基準面から前記凹部の最も深い部分までの距離は、前記基準面から前記第２リード下面までの距離よりも短く、
前記凹部は、前記第２リード下面と前記第２リード側面とには形成されていない、半導体装置。
前記半導体チップが搭載された上面と、前記上面とは反対側の面である下面と、を有するチップ搭載部と、
それぞれが前記チップ搭載部の近傍に配置され、前記半導体チップと電気的に接続された複数のリードと、
第１封止体上面、前記第１封止体上面とは反対側の面である第１封止体下面、およびその厚さ方向において前記第１封止体上面と前記第１封止体下面との間に位置する複数の側面を有し、前記半導体チップと、前記複数のリードのそれぞれの一部と、を封止する封止体と、を備え、
前記複数のリードのそれぞれは、
第１リード上面と、
前記第１リード上面とは反対側の面である第１リード下面と、
その厚さ方向において、前記第１リード上面と前記第１リード下面との間に位置する第２リード下面と、
その厚さ方向において、前記第１リード下面と前記第２リード下面との間に位置し、かつ前記第１リード下面と前記第２リード下面とに連なる第１リード側面と、
その厚さ方向において、前記第２リード下面と前記第１リード上面との間に位置し、かつ前記第２リード下面と前記第１リード上面とに連なり、前記第１リード側面より外側に位置する第２リード側面と、を有し、
前記第１リード上面は、前記封止体により覆われ、
前記第１リード下面は、前記封止体の前記第１封止体下面より露出し、
前記第１リード側面は、前記封止体の前記複数の側面の内、前記第１封止体下面に連なる第１封止体側面から露出し、かつ前記第１封止体側面と同一の平面になっており、
前記第２リード側面は、前記封止体の前記複数の側面の内、前記第１封止体上面に連なり、前記第１封止体側面より外側に位置する第２封止体側面から露出し、かつ前記第２封止体側面と同一の平面になっており、
前記第１リード下面側から見た時に、前記第１リード下面には前記複数のリードのそれぞれが延在する第１方向と直交する第２方向における幅が前記複数のリードのそれぞれの幅よりも狭い凹部が形成され、
前記第１リード下面側から見た時に、前記凹部の第１端部は前記第１リード側面に到達し、前記凹部の前記第１端部とは反対側に位置する第２端部は前記第１リード下面内で終端し、
前記第１リード下面を基準面とした時に、前記基準面から前記凹部の最も深い部分までの距離は、前記基準面から前記第２リード下面までの距離よりも短く、
前記凹部は、前記第２リード下面と前記第２リード側面とには形成されていない、半導体装置。
【請求項10】
請求項９に記載の半導体装置において、
前記複数のリードのそれぞれは、前記第２方向に沿って並んで配置され、
前記複数のリードのそれぞれの前記第１リード側面は、第１辺と、前記第２方向において前記第１辺に対向する第２辺と、を有し、
前記第１辺には、前記第２方向に沿って延びる第１金属バリが形成され、
前記第２辺には、前記第１金属バリは形成されていない、半導体装置。
前記複数のリードのそれぞれは、前記第２方向に沿って並んで配置され、
前記複数のリードのそれぞれの前記第１リード側面は、第１辺と、前記第２方向において前記第１辺に対向する第２辺と、を有し、
前記第１辺には、前記第２方向に沿って延びる第１金属バリが形成され、
前記第２辺には、前記第１金属バリは形成されていない、半導体装置。
【請求項11】
請求項１０に記載の半導体装置において、
前記複数のリードのそれぞれの前記第２リード側面は、第３辺と、前記第２方向において前記第３辺に対向する第４辺とを有し、
前記第３辺には、前記第２方向に沿って延びる第２金属バリが形成され、
前記第４辺には、前記第２金属バリは形成されておらず、
前記第１リード下面上、前記第１リード側面上、前記第２リード下面上、および前記第１金属バリには第１金属膜が形成され、前記第２リード側面上、および前記第２金属バリにはメッキ層が形成されていない、半導体装置。
前記複数のリードのそれぞれの前記第２リード側面は、第３辺と、前記第２方向において前記第３辺に対向する第４辺とを有し、
前記第３辺には、前記第２方向に沿って延びる第２金属バリが形成され、
前記第４辺には、前記第２金属バリは形成されておらず、
前記第１リード下面上、前記第１リード側面上、前記第２リード下面上、および前記第１金属バリには第１金属膜が形成され、前記第２リード側面上、および前記第２金属バリにはメッキ層が形成されていない、半導体装置。
【請求項12】
請求項１１に記載の半導体装置において、
前記複数のリードのそれぞれは銅を主要な成分とする金属で構成され、前記第１金属膜は錫を主要な成分とする金属で構成されている、半導体装置。
前記複数のリードのそれぞれは銅を主要な成分とする金属で構成され、前記第１金属膜は錫を主要な成分とする金属で構成されている、半導体装置。
【請求項13】
請求項９に記載の半導体装置において、
前記第１リード下面側から見た時に、前記第１方向における前記第２リード下面の長さは、前記第１方向における前記第１リード下面の長さより短い、半導体装置。
前記第１リード下面側から見た時に、前記第１方向における前記第２リード下面の長さは、前記第１方向における前記第１リード下面の長さより短い、半導体装置。
【請求項14】
請求項１３に記載の半導体装置において、
前記第１リード下面側から見た時に、前記第１方向における前記凹部の長さは、前記第１方向における前記第１リード下面の前記凹部が形成されていない部分の長さより長い、半導体装置。
前記第１リード下面側から見た時に、前記第１方向における前記凹部の長さは、前記第１方向における前記第１リード下面の前記凹部が形成されていない部分の長さより長い、半導体装置。
【請求項15】
請求項１３に記載の半導体装置において、
前記複数のリードのそれぞれの厚さ方向における前記第１リード側面の最も厚い部分の厚さは、前記第２リード側面の厚さよりも厚い、半導体装置。
前記複数のリードのそれぞれの厚さ方向における前記第１リード側面の最も厚い部分の厚さは、前記第２リード側面の厚さよりも厚い、半導体装置。
【請求項16】
請求項９に記載の半導体装置において、
前記複数のリードのそれぞれは、前記第２方向に沿って並んで配置され、
前記複数のリードのそれぞれの前記第１リード側面は、第１辺と、前記第２方向において前記第１辺に対向する第２辺と、を有し、
前記第１辺には、前記第２方向に沿って延びる第１金属バリが形成され、
前記第２辺には、前記第１金属バリは形成されず、
前記第２リード下面は、第５辺と、前記第２方向において前記第５辺に対向する第６辺とを有し、
前記第５辺には前記第２方向に沿って延びる前記第１金属バリが形成され、
前記第６辺には前記第１金属バリは形成されておらず、
前記第１リード側面の前記第１辺に形成された第１金属バリと前記第２リード下面の前記第５辺に形成された第１金属バリの延在方向は同じである、半導体装置。
前記複数のリードのそれぞれは、前記第２方向に沿って並んで配置され、
前記複数のリードのそれぞれの前記第１リード側面は、第１辺と、前記第２方向において前記第１辺に対向する第２辺と、を有し、
前記第１辺には、前記第２方向に沿って延びる第１金属バリが形成され、
前記第２辺には、前記第１金属バリは形成されず、
前記第２リード下面は、第５辺と、前記第２方向において前記第５辺に対向する第６辺とを有し、
前記第５辺には前記第２方向に沿って延びる前記第１金属バリが形成され、
前記第６辺には前記第１金属バリは形成されておらず、
前記第１リード側面の前記第１辺に形成された第１金属バリと前記第２リード下面の前記第５辺に形成された第１金属バリの延在方向は同じである、半導体装置。
【請求項17】
請求項９に記載の半導体装置において、
前記封止体の前記第１封止体下面の平面積は、前記第１封止体上面の平面積よりも小さい、半導体装置。
前記封止体の前記第１封止体下面の平面積は、前記第１封止体上面の平面積よりも小さい、半導体装置。
【請求項18】
請求項９に記載の半導体装置において、
前記封止体は、前記第１封止体側面と前記第２封止体側面とに連なる第２封止体下面を有し、
前記複数のリードのそれぞれの前記第２リード下面は、前記封止体の前記第２封止体下面から露出し、かつ前記第２封止体下面と同一の平面になっている半導体装置。
前記封止体は、前記第１封止体側面と前記第２封止体側面とに連なる第２封止体下面を有し、
前記複数のリードのそれぞれの前記第２リード下面は、前記封止体の前記第２封止体下面から露出し、かつ前記第２封止体下面と同一の平面になっている半導体装置。
【請求項19】
請求項１８に記載の半導体装置において、
前記封止体の前記第１封止体下面の平面積と、前記第２封止体下面の平面積と、前記複数のリードのそれぞれの前記第２リード下面の平面積の合計は、前記第１封止体上面の平面積と同一である、半導体装置。
前記封止体の前記第１封止体下面の平面積と、前記第２封止体下面の平面積と、前記複数のリードのそれぞれの前記第２リード下面の平面積の合計は、前記第１封止体上面の平面積と同一である、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、例えば、外部端子である複数のリードのそれぞれが、パッケージの実装面側において封止体から露出するタイプの半導体装置およびその製造方法に関する。【背景技術】
【0002】
米国特許第６６０８３６６号明細書（特許文献１）には、複数のリードのそれぞれがパッケージの実装面側において露出するタイプの半導体装置が記載されている。また、特許文献１に記載される複数のリードのそれぞれは、実装面の周縁部に形成されたリセス（recess）を有する。【0003】
また、特開２０００−２９４７１９号公報（特許文献２）には、複数のリードの端子接続面に凹部が形成され、凹部に半田が埋め込まれた半導体装置が記載されている。【0004】
また、特開２００５−１９２４０号公報（特許文献３）には、樹脂封止体の裏面側に形成されたリードの周縁部側に凹部が形成され、凹部の内壁面にメッキ層が形成された半導体装置が記載されている。
【0005】
また、特開２００８−１１２９６１号公報（特許文献４）には、ダイシングソーを用いて、ダイシングラインに沿ってリードフレームのフレーム部に溝を形成した後、溝にめっき層を形成し、その後、溝よりも幅の狭いダイシングソーによりフレーム部および封止樹脂を貫通して除去する半導体装置の製造方法が記載されている。【0006】
また、特開２００５−９３５５９号公報（特許文献５）には、リードの外周部分に長穴であるビアホールを形成し、リードフレームを樹脂封止した後でビアホールを半断する切断線で切り分ける、半導体パッケージの製造方法が記載されている。また、特許文献５には、半導体パッケージの下端面の外周部に、フィレット促進用の隅部を形成することが記載されている。【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】米国特許第６６０８３６６号明細書
【特許文献2】特開２０００−２９４７１９号公報
【特許文献3】特開２００５−１９２４０号公報
【特許文献4】特開２００８−１１２９６１号公報
【特許文献5】特開２００５−９３５５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
外部端子である複数のリードのそれぞれが、パッケージの実装面側において封止体から露出するタイプの半導体装置として、例えばＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）と呼ばれる半導体装置がある。ＱＦＮは、例えばＱＦＰ（Quad Flat Package）のような複数のリードが封止体の側面から突出する半導体装置と比較して、半導体装置の実装面積を低減できる点で有利である。【0009】
しかし、ＱＦＮを実装基板に搭載する場合、実装後の各リードの接続状態を視認し難いという課題がある。この課題に対する対策として、複数のリードのそれぞれの下面の周縁部に凹部を形成する方法がある。この場合、接合材である半田が、凹部からリードの側面の外側に延びてフィレット形状が形成され易くなるので、各リードの接続状態の視認性が向上する。【0010】
また、ＱＦＮの製造効率を向上させる技術として、複数のデバイス領域を一括して覆うように封止体を形成し、その後、ダイシングブレードと呼ばれる回転刃によって切削加工を施すことにより、複数のデバイス領域を分割する、製造技術がある。この方法は、一括封止（Block Molding）方式、あるいは、ＭＡＰ（Mold Array Process）方式と呼ばれ、一枚のリードフレームから取得可能な製品数を増加させることで、製造効率を向上させることができる。【0011】
ところが、本願発明者が、複数のリードのそれぞれの周縁部に凹部が形成されたＱＦＮを一括封止方式で製造する方法を検討した所、切削加工時に発生する金属屑が凹部内に詰まり易いことが判った。【0012】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。【課題を解決するための手段】
【0013】
一実施の形態による半導体装置の製造方法では、隣り合うデバイス領域の間で連結された第１リードと第２リードのそれぞれの下面を連通するように溝部が形成されたリードフレームを準備する。次に、第１ブレードを用いて上記第１および第２リードの連結部の一部を切削した後、上記溝部内に形成された金属屑を除去する。次に、上記金属屑を除去した後、上記第１および第２リードの露出面にめっき法により金属膜を形成した後、第２ブレードを用いて第１および第２リードの連結部の残部を切断する。この時、上記第２ブレードが上記溝部に接触しないように切断するものである。【発明の効果】
【0014】
上記一実施の形態によれば、半導体装置の信頼性を向上させることができる。【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】一実施形態である半導体装置の上面図である。
【図24】封止工程において、成形金型内にリードフレームを配置した状態を示す断面図である。
【図32】電解めっき法によるめっき工程の概要を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
（本願における記載形式・基本的用語・用法の説明）本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しの説明を省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【0017】
同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を含むものを排除するものではない。例えば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。例えば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、シリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。また、金めっき、Ｃｕ層、ニッケル・めっき等といっても、そうでない旨、特に明示した場合を除き、純粋なものだけでなく、それぞれ金、Ｃｕ、ニッケル等を主要な成分とする部材を含むものとする。【0018】
さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。【0019】
また、実施の形態の各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。【0020】
また、本願では、上面、あるいは下面という用語を用いる場合があるが、半導体パッケージの実装態様には、種々の態様が存在するので、半導体パッケージを実装した後、例えば上面が下面よりも下方に配置される場合もある。本願では、半導体チップの素子形成面側の平面を表面、表面の反対側の面を裏面として記載する。また、配線基板のチップ搭載面側の平面を上面あるいは表面、上面の反対側に位置する面を下面として記載する。【0021】
また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するため、あるいは領域の境界を明示するために、ハッチングやドットパターンを付すことがある。【0022】
以下の実施の形態では、外部端子である複数のリードが、封止体の下面（実装面）において封止体から露出する半導体装置の例として、ＱＦＮタイプの半導体装置に適用した実施態様を取り上げて説明する。【0023】
＜半導体装置＞まず、本実施の形態の半導体装置１の構成の概要について、図１〜図６を用いて説明する。図１は本実施の形態の半導体装置の上面図、図２Ａは、図１に示す半導体装置の下面図である。また、図２Ｂは、図２Ａに示す複数のリードのうちの一部を拡大して示す拡大平面図である。また、図３は、図２Ａに示すリードの周辺の拡大斜視図である。また、図４は、図１に示す封止体を取り除いた状態で半導体装置の内部構造を示す平面図である。また、図５は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。また、図６は図４のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【0024】
本実施の形態の半導体装置１は、ダイパッド（チップ搭載部、タブ）ＤＰ（図２Ａ、図４および図５参照）と、ダイパッドＤＰ上にダイボンド材ＤＢ（図４および図５参照）を介して搭載された半導体チップＣＨＰ（図４および図５参照）と、を備えている。また、半導体装置１は、半導体チップＣＨＰ（ダイパッドＤＰ）の周囲に配置された複数のリード（端子、外部端子）ＬＤと、半導体チップＣＨＰの複数のパッド（電極、ボンディングパッド）ＰＤ（図４および図５参照）および複数のリードＬＤをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤ（導電性部材）ＢＷ（図４および図５参照）と、を有している。また、ダイパッドＤＰには、複数の吊りリードＴＬが連結（接続）されている。また、半導体装置１は半導体チップＣＨＰ、複数のワイヤＢＷ、および複数のリードＬＤの一部を封止する封止体（樹脂体）ＭＲを備えている。【0025】
＜外観構造＞まず、半導体装置１の外観構造について説明する。図１に示す封止体（樹脂体）ＭＲの平面形状は四角形からなる。封止体ＭＲは上面（封止体上面）ＭＲｔと、この上面ＭＲｔとは反対側の下面（裏面、実装面、封止体下面）ＭＲｂ（図２Ａ参照）と、この上面ＭＲｔと下面ＭＲｂとの間に位置する側面（封止体側面）ＭＲｓとを有している。図５に示す例では、側面ＭＲｓは上面ＭＲｔおよび下面ＭＲｂと直交する。
【0026】
また、図２Ａに示すように、半導体装置１の下面（実装面）、言い換えれば、封止体ＭＲの下面ＭＲｂの周縁部には、段差部ＧＰが形成されている。段差部ＧＰは、封止体ＭＲの下面ＭＲｂの周縁部に、全周に亘って連続的に形成されている。段差部ＧＰの構成は、以下のように表現することもできる。すなわち、封止体ＭＲは、側面ＭＲｓに連なり、かつ、下面ＭＲｂと上面ＭＲｔ（図１参照）の間（詳しくは間の高さ）に位置する下面（段差面、中間面）ＭＲｇを備えている。また、側面ＭＲｓの内側には、下面ＭＲｂと下面ＭＲｇに連なる側面ＭＲｓｇ（図３参照）を備えている。詳細は後述するが、段差部ＧＰは、半導体装置１の製造工程において、回転刃を用いて切削加工を施すことで形成された切削溝の一部である。このため、図２Ａに示す封止体ＭＲの下面ＭＲｂの平面積は図１に示す上面ＭＲｔの平面積よりも小さい。【0027】
また、詳細は後述するが、本実施の形態の半導体装置１は、複数のデバイス領域を一括して覆うような封止体ＭＲを形成した後、回転刃を用いて個片化する一括封止方式の半導体パッケージである。このような半導体パッケージを、ＭＡＰ（Multi Array Package）型の半導体装置と呼ぶ。ＭＡＰ型の半導体装置の場合、封止体ＭＲの複数の側面ＭＲｓのそれぞれは、切削加工面となり、上面ＭＲｔと直交する。また、図２Ａに示す下面ＭＲｂの平面積と、下面ＭＲｇの平面積と、リードＬＤの下面ＬＤｇの平面積の合計は、図１に示す封止体ＭＲの上面ＭＲｔの平面積と同一になる。なお、上記した「平面積が同一」とは、平面積が同程度であるという意味であり、加工精度等の影響により僅かな差が生じる場合を除外するものではない。【0028】
また、図２Ａに示すように、半導体装置１では、封止体ＭＲの各辺（側面ＭＲｓ）に沿って、それぞれ複数のリードＬＤが配置されている。複数のリードＬＤは、それぞれ金属材料からなり、本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）を主成分とする金属から成る。【0029】
複数のリードＬＤのそれぞれは、封止体ＭＲに覆われる上面（リード上面）ＬＤｔ（図５参照）と、上面ＬＤｔの反対側の面であり、封止体ＭＲの下面ＭＲｂにおいて封止体ＭＲから露出する下面（リード下面）ＬＤｂと、を有する。【0030】
また、図２Ｂに示す下面ＬＤｂ側から見た平面視において、複数のリードＬＤのそれぞれは、複数のリードＬＤが配列される配列方向と同じ方向である幅方向ＤＷと、幅方向ＤＷに対して直交する延在方向ＤＬとを有する。なお、図２Ａに示すように、封止体ＭＲの各辺（側面ＭＲｓ）に沿って、それぞれ複数のリードＬＤが配置されている場合には、リードＬＤが配列される辺に対応して、延在方向ＤＬと幅方向ＤＷが異なる。また、図２Ｂに示す例では、リードＬＤの延在方向ＤＬにおける下面ＬＤｂの長さは、リードＬＤの幅方向ＤＷにおける下面ＬＤｂの長さよりも長い。例えば、延在方向ＤＬにおける下面ＬＤｂの長さは０．３５ｍｍである。これに対し、幅方向ＤＷにおける下面ＬＤｂの長さは、０．２５ｍｍである。【0031】
また、図３に示すように複数のリードＬＤには、段差部ＧＰの一部を構成する、下面（段差面、中間面、リード下面）ＬＤｇが形成されている。図３に示す例では、複数のリードＬＤのそれぞれは、最も周縁部側の側面（リード側面）ＬＤｓに連なり、かつ、厚さ方向において、下面ＬＤｂと上面ＬＤｔ（図５参照）の間に位置する下面ＬＤｇを備えている。また、図３に示す例では、下面ＬＤｇは、下面ＬＤｂと同一の方向（Ｚ方向）を向くように形成されている。また、図３に示す例では、側面ＬＤｓは、下面ＬＤｂが向いた方向と直交する方向（図３ではＹ方向）を向くように形成されている。また、図３に示すようにリードＬＤの側面ＬＤｓは金属膜ＳＤに覆われず、下地の金属が露出している。【0032】
また、複数のリードＬＤのそれぞれは、側面ＬＤｓの内側に、下面ＬＤｂと下面ＬＤｇに連なる側面（リード側面）ＬＤｓｇを有する。言い換えれば、リードＬＤの下面ＬＤｂ側から見た時、側面ＬＤｓは、側面ＬＤｓｇよりも外側に位置する。図３に示す例では、側面ＬＤｓｇは、側面ＬＤｓと同一の方向（図３ではＹ方向）、言い換えれば、下面ＬＤｂが向いた方向と直交する方向（図３ではＹ方向）を向くように形成されている。【0033】
また、上記したように段差部ＧＰは、回転刃を用いて切削加工を施すことにより形成された切削溝の一部である。したがって、リードＬＤの下面ＬＤｇは、封止体ＭＲの下面ＭＲｇから露出し、かつ、下面ＭＲｇと同一の平面になっている。また、リードＬＤの側面ＬＤｓｇは、封止体ＭＲの下面ＭＲｇから露出し、かつ、下面ＭＲｇと同一の平面になっている。また、詳細は後述するが、リードＬＤの側面ＬＤｓおよび封止体ＭＲの側面ＭＲｓは、半導体装置１の製造工程において、回転刃を用いて切削加工を施すことで半導体装置１を個片化する際に一括して形成される面である。したがって、リードＬＤの側面ＬＤｓと封止体ＭＲの側面ＭＲｓは、同一な平面になっている。【0034】
なお、上記した「同一な平面」とは、二つの面の間に段差がなく、平坦な状態であることを意味する。ただし、回転刃による切削加工時の力の加わり方によっては、二つの面の間に意図しない段差が発生する場合もある。したがって、上記した「同一な平面」とは、二つの面の間に意図的に形成された段差がなく、平坦な状態であることを意味する。また、図３に示す複数のリードＬＤの封止体ＭＲからの露出面において、側面ＬＤｓ以外の各面には、金属膜ＳＤが形成されている。したがって、厳密に言えば、リードＬＤの露出面と封止体の面の間には、金属膜ＳＤの膜厚に対応した僅かな段差が存在する。上記した「同一な平面」には、二つの面の間に、金属膜ＳＤの膜厚に対応した段差が形成されている場合も含まれる。【0035】
また、図２Ｂおよび図３に示すように、複数のリードＬＤのそれぞれは、下面ＬＤｂ側に形成された凹部（リセス、ディンプル、窪み部）ＬＤｄを有する。リードＬＤの下面ＬＤｂ側から見た時に、凹部ＬＤｄの幅（図２Ｂに示すリードＬＤの幅方向ＤＷにおける開口長さ）は、複数のリードＬＤの幅よりも狭い。凹部ＬＤｄは、リードＬＤの幅方向ＤＷ（図２Ｂ参照）において中央部分に形成されている。言い換えれば、下面ＬＤｂ側から見た時、下面ＬＤｂはリードＬＤの延在方向ＤＬ（図２Ｂ参照）に沿って延び、かつ互いに対向する辺ＦｂＳ１と辺ＦｂＳ２を有し、凹部ＬＤｄは、辺ＦｂＳ１と辺ＦｂＳ２の間に形成されている。このため、リードＬＤの幅方向ＤＷ（図２Ｂ参照）において、凹部ＬＤｄの両隣には、凹部ＬＤｄの内側面を持つ壁部ＬＤｗが形成されている。【0036】
また、図３に示すように、凹部ＬＤｄは、リードＬＤの延在方向ＤＬ（図２Ｂ参照）において中央部よりも周縁部側、すなわち、側面ＬＤｓ側に形成されている。また、側面ＬＤｓｇのうち、凹部ＬＤｄと重なる部分は開口している。言い換えれば、リードＬＤの下面ＬＤｂ側から見た時、凹部ＬＤｄの一方の端部（封止体ＭＲの周縁部側の端部）は、段差部ＧＰを構成する側面ＬＤｓｇに到達している。また、凹部ＬＤｄの他方の端部（封止体ＭＲの周縁部から遠い側の端部）は、リードＬＤの下面ＬＤｂ内で終端している。【0037】
詳細は後述するが、リードＬＤの実装面の周縁部に、側面ＬＤｓｇの一部が開口するような凹部ＬＤｄを形成することにより、半導体装置を実装基板に実装した後、開口部内が半田で満たされているか否かが容易に判断できるようになるので、実装後の検査効率を向上することができる。また、リードＬＤの実装面の周縁部に、凹部ＬＤｄを形成することにより、リードＬＤの半田付けされる実装面の表面積が増加するので、リードＬＤと実装基板側の端子との接続強度を向上させることができる。また、凹部ＬＤｄの周縁部とは反対側の端部がリードＬＤの下面ＬＤｂ内で終端していることにより、製造工程中に、凹部ＬＤｄ内に封止体ＭＲの原料である樹脂が流れ込むことを抑制することができる。【0038】
また、図２Ｂに示す例では、リードＬＤの延在方向ＤＬにおける凹部ＬＤｄの長さは、リードＬＤの幅方向ＤＷにおける凹部ＬＤｄの長さよりも長い。例えば、延在方向ＤＬにおける凹部ＬＤｄの長さは０．２０ｍｍである。これに対し、幅方向ＤＷにおける凹部ＬＤｄの長さは、０．１５ｍｍである。【0039】
また、上記したように複数のリードＬＤのそれぞれが有する複数の面のうちの一部は、封止体ＭＲから露出する露出面になっている。これらの露出面のうち、下面ＬＤｂ、凹部ＬＤｄの内面、段差部ＧＰの側面ＬＤｓｇ、および段差部ＧＰの下面ＬＤｇには、金属膜（めっき層、半田材、半田膜、めっき半田膜）ＳＤが形成される。一方、リードＬＤの封止体ＭＲからの露出面のうち、側面ＬＤｓには金属膜ＳＤが形成されていない。このような構造は、半導体装置１の製造方法に起因して形成される構造である。すなわち、金属膜ＳＤを形成する工程と、各露出面を形成する工程の工程順序によって、金属膜ＳＤが形成されるかどうかが規定される。【0040】
金属膜ＳＤは、例えばめっき法により形成されためっき膜、詳しくは、電解めっき法により形成された電解めっき膜である。また、例えば金属膜ＳＤは、例えば半田材から成り、リードＬＤを後述する実装基板側の端子と接合する際に接合材として機能する。詳しくは、金属膜ＳＤは、鉛（Ｐｂ）を実質的に含まない、所謂、鉛フリー半田からなり、例えば錫（Ｓｎ）のみ、錫−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）、または錫−銅−銀（Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ）など、錫を主要な成分とする金属材料である。ここで、鉛フリー半田とは、鉛（Ｐｂ）の含有量が０．１ｗｔ％以下のものを意味し、この含有量は、ＲｏＨＳ（Restriction of Hazardous Substances）指令の基準として定められている。以下、本実施の形態において、半田材、あるいは半田成分について説明する場合には、特にそうでない旨明示した場合を除き、鉛フリー半田を指す。【0041】
上記したリードＬＤの封止体ＭＲからの露出面のうち、側面ＬＤｓ以外の各面（下面ＬＤｂ、凹部ＬＤｄの内面、段差部ＧＰの側面ＬＤｓｇ、および段差部ＧＰの下面ＬＤｇ）は、めっき膜である金属膜ＳＤが形成される前に形成された面である。このため、下面ＬＤｂ、凹部ＬＤｄの内面、段差部ＧＰの側面ＬＤｓｇ、および段差部ＧＰの下面ＬＤｇには、金属膜ＳＤが形成される。一方、側面ＬＤｓは、めっき膜である金属膜ＳＤが形成された後に回転刃を用いた切削加工により形成された面である。このため、側面ＬＤｓには、めっき膜が形成されない。このように、めっき膜を形成した後で金属部材の一部を切断する方式で製造する場合、めっき膜の製造方法として、電解めっき法を採用することができる。【0042】
また、図３に示すように、複数のリードＬＤのそれぞれには、封止体ＭＲの側面ＭＲｓｇに沿って金属バリＭｂｒ１が、下面ＭＲｇに沿って金属バリＭｂｒ２が、側面ＭＲｓに沿って金属バリＭｂｒ３が、それぞれ形成されている。金属バリＭｂｒ１は、リードＬＤの側面ＬＤｓｇの外縁を構成する複数の辺のうち、一つの辺から延びるように形成されている。【0043】
詳しくは、複数のリードＬＤの配列方向（図３の例ではＸ方向）に沿って、リードＬＤの側面ＬＤｓｇは、互いに対向する辺ＦＳ１と辺ＦＳ２を有する。また、側面ＬＤｓｇの辺ＦＳ１には、Ｘ方向に沿って延びる金属バリＭｂｒ１が形成され、辺ＦＳ２には金属バリＭｂｒ１は形成されていない。この金属バリＭｂｒ１は、段差部ＧＰを形成する際に、回転刃を用いて切削加工を施した時に発生するものである。金属を回転刃により切削する場合、回転刃の進行方向に切削された金属の一部が引きずられて金属バリＭｂｒ１が形成される。図３に示す例では、側面ＬＤｓｇの辺ＦＳ２から辺ＦＳ１の方向に向かって回転刃が回転したことが判る。この金属バリＭｂｒ１は、主に辺ＦＳ１側の壁部ＬＤｗを構成する金属が引きずられて形成される。【0044】
一方、辺ＦＳ２から辺ＦＳ１に向かって回転刃が回転すると、辺ＦＳ２側の壁部ＬＤｗの金属が引きずられて金属屑となり、凹部ＬＤｄ内に溜まる。詳細は後述するが、本実施の形態では、凹部ＬＤｄ内にたまった金属屑を除去した後で金属膜ＳＤを形成する。したがって、完成した半導体装置１のリードＬＤの側面ＬＤｓｇの辺ＦＳ２側や凹部ＬＤｄ内に、金属バリＭｂｒ１が形成されていない、図３に示すような半導体装置１が得られる。【0045】
また、複数のリードＬＤの配列方向（図３の例ではＸ方向）に沿って、リードＬＤの下面ＬＤｇは、互いに対向する辺ＦＳ３と辺ＦＳ４を有する。また、下面ＬＤｇの辺ＦＳ３には、Ｘ方向に沿って延びる金属バリＭｂｒ２が形成され、辺ＦＳ４には金属バリＭｂｒ２は形成されていない。この金属バリＭｂｒ２は、上記した金属バリＭｂｒ１と同様に、段差部ＧＰを形成する際に、回転刃にリードＬＤの金属が引きずられて発生するものである。したがって、金属バリＭｂｒ２の延在方向と金属バリＭｂｒ１の延在方向は同じである。
【0046】
また、複数のリードＬＤの配列方向（図３の例ではＸ方向）に沿って、リードＬＤの側面ＬＤｓは、互いに対向する辺ＦＳ５と辺ＦＳ６を有する。また、側面ＬＤｓの辺ＦＳ５には、Ｘ方向に沿って延びる金属バリＭｂｒ３が形成され、辺ＦＳ６には金属バリＭｂｒ３は形成されていない。この金属バリＭｂｒ３は、上記金属バリＭｂｒ１や金属バリＭｂｒ２とは異なり、段差部ＧＰを形成した後、段差部形成用（切り込み部形成用）よりも切削加工幅が狭い回転刃を用いて更に切削加工を施すことで発生する。言い換えれば、金属バリＭｂｒ３は、複数のデバイス領域を分割する個片化工程において用いる個片化用の回転刃の進行方向に切削された金属の一部が引きずられて形成される。したがって、図３に示す例では、金属バリＭｂｒ３の延在方向は金属バリＭｂｒ１、Ｍｂｒ２の延在方向と同じであるが、変形例としては、金属バリＭｂｒ３の延在方向は金属バリＭｂｒ１、Ｍｂｒ２の延在方向の反対方向である場合もある。【0047】
また、詳細は後述するが、本実施の形態では、段差部ＧＰを形成し、段差部を覆うように金属膜ＳＤを形成した後で、側面ＬＤｓを露出させる個片化工程を行う。このため、金属バリＭｂｒ１、Ｍｂｒ２にはめっきが形成され、金属バリＭｂｒ３にはめっきが形成されていない。【0048】
なお、図３では、金属バリＭｂｒ１、Ｍｂｒ３の形成位置などを判り易く示すため、大きな金属バリＭｂｒ１、Ｍｂｒ２、Ｍｂｒ３を描いている。しかし、半導体装置１の製造工程で、洗浄を行うことにより、金属バリＭｂｒ１、Ｍｂｒ２、Ｍｂｒ３の大部分は除去できる。したがって、図３に示すように大きい金属バリＭｂｒ１、Ｍｂｒ２、Ｍｂｒ３が残留している場合よりも、バリＭｂｒ１、Ｍｂｒ２、Ｍｂｒ３の一部が残留している場合の方が多い。【0049】
また、半導体装置１の実装信頼性を向上させる観点からは、リードＬＤの露出面の大部分が金属膜ＳＤで覆われていることが好ましい。例えば、本実施の形態では、金属膜ＳＤに覆われない側面ＬＤｓの面積を小さくすることで、図３に示す側面ＬＤｓｇの最も厚い部分（凹部ＬＤｄが形成されていない部分）の厚さは、側面ＬＤｓの厚さよりも厚い。図３に示す例では、側面ＬＤｓｇの最も厚い部分の厚さは、リードＬＤの全体の厚さ（図５に示す上面ＬＤｔから下面ＬＤｂまでの距離）に対して、３／４以上になるように形成されている。例えば、リードＬＤの全体の厚さが０．２ｍｍである場合、側面ＬＤｓｇの最も厚い部分の厚さは、０．１５ｍｍ程度であり、側面ＬＤｓの厚さは、０．０５ｍｍ程度である。【0050】
また、詳細は後述するが、本実施の形態では、図３に示す段差部ＧＰを設けることにより、側面ＬＤｓを露出させる個片化工程において回転刃が凹部ＬＤｄと接触しないようにすることで、凹部ＬＤｄ内に金属屑が生じることを防止する。このため、段差部ＧＰの深さは、凹部ＬＤｄの深さよりも深くすることが好ましい。本実施の形態では、リードＬＤの下面ＬＤｂを基準面とした時に、基準面から凹部ＬＤｄの最も深い部分（底面）までの距離は、基準面から下面ＬＤｇまでの距離よりも短い。このため、側面ＬＤｓを露出させる個片化工程において回転刃が凹部ＬＤｄと接触することを防止できる。【0051】
上記した段差部ＧＰと凹部ＬＤｄの関係を以下のように表現することができる。すなわち、図３に示すように、凹部ＬＤｄは、下面ＬＤｇおよび側面ＬＤｓには形成されていない。側面ＬＤｓを露出させる個片化工程において回転刃が凹部ＬＤｄと接触することを防止することができれば、図３に示すように、凹部ＬＤｄは、下面ＬＤｇおよび側面ＬＤｓには形成されない。【0052】
また、図２Ｂに示すように、下面ＬＤｂ側から見た時、リードＬＤの延在方向ＤＬにおける下面ＬＤｇの長さは、リードＬＤの延在方向ＤＬにおける下面ＬＤｂの長さよりも短い。側面ＬＤｓを露出させる個片化工程において回転刃が凹部ＬＤｄと接触することを防止する観点からは、Ｙ方向における下面ＬＤｇの長さは、回転刃による加工精度を考慮した長さがあれば、短くても良い。一方、リードＬＤの実装面の露出面積を大きくして、実装強度を向上させる観点からは、凹部ＬＤｄの長さを長くすることが好ましい。したがって、図２Ｂに示すように、リードＬＤの延在方向ＤＬにおける下面ＬＤｇの長さは、リードＬＤの延在方向ＤＬにおける下面ＬＤｂの長さよりも短くなっていれば、実装強度を向上させ、かつ、回転刃が凹部ＬＤｄと接触することを防止できる。【0053】
また、図２Ｂに示すように、下面ＬＤｂ側から見た時、リードＬＤの延在方向ＤＬにおける凹部ＬＤｄの長さは、リードＬＤの延在方向ＤＬにおける下面ＬＤｂの凹部ＬＤｄが形成されていない部分の長さよりも長い。上記したように、凹部ＬＤｄの周縁部から遠い側の端部は、リードＬＤの下面ＬＤｂ内で終端している。これにより、製造工程中に、凹部ＬＤｄ内に封止体ＭＲの原料である樹脂が流れ込むことを抑制できる。詳細は後述するが、封止体ＭＲを形成する工程において、凹部ＬＤｄの周囲が下面ＬＤｂに囲まれていれば、封止体ＭＲの原料である樹脂が流れ込むことを抑制できる。したがって、図２Ｂに示すように、リードＬＤの延在方向ＤＬにおける凹部ＬＤｄの長さが、リードＬＤの延在方向ＤＬにおける下面ＬＤｂの凹部ＬＤｄが形成されていない部分の長さよりも長い場合、実装強度を向上させ、かつ、封止体ＭＲの原料である樹脂が流れ込むことを抑制できる。【0054】
次に、図２Ａに示すように、ダイパッド（チップ搭載部、タブ）ＤＰの下面ＤＰｂは、封止体ＭＲの下面ＭＲｂにおいて、封止体ＭＲから露出している。つまり、半導体装置１は、ダイパッド露出型（タブ露出型）の半導体装置である。また、ダイパッドＤＰは、封止体ＭＲよりも熱伝導率が高い金属材料からなり、本実施の形態では、例えば例えば銅（Ｃｕ）を主成分とする金属から成る。このように、ダイパッド露出型の半導体装置は、熱伝導率が封止体ＭＲよりも高い、例えば、銅（Ｃｕ）などの金属部材（ダイパッドＤＰ）を露出させることで、ダイパッドＤＰが露出しない半導体装置と比較して、パッケージの放熱性を向上させることができる。また、図２Ａに示す例では、ダイパッドＤＰの下面ＤＰｂには、実装時に接合材として機能する金属膜ＳＤが形成され、上記基材の下面を覆っている。金属膜ＳＤは上記したように例えばめっき法（詳しくは電解めっき法）により形成されためっき膜（半田膜、電解めっき膜）である。【0055】
また、図２Ａに示すように、半導体装置１は、封止体ＭＲの角部ＭＲｋ（側面ＭＲｓの交点）の近傍において、吊りリードＴＬの一部が封止体ＭＲから露出している。詳しくは、図４に示すように、吊りリードＴＬの一方の端部は、ダイパッドＤＰに接続される。一方、吊りリードＴＬの他方の端部は、図４に示すように角部ＭＲｋの近傍で二方向に分岐して、図２Ａに示すように封止体ＭＲの周縁部において、封止体ＭＲから露出している。【0056】
吊りリードＴＬは、ダイパッドＤＰと一体に形成されるので、吊りリードＴＬはダイパッドＤＰと同じ金属材料から成る。本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）を主成分とする金属から成る。また、図２Ａに示すように本実施の形態では、封止体ＭＲの下面ＭＲｂ側の周縁部を囲むように、段差部ＧＰが形成されている。したがって、吊りリードＴＬの露出部ＴＬ２（図６参照）の下面（吊りリード下面）ＴＬｂ２の一部が段差部ＧＰにおいて、封止体ＭＲから露出している。また、図２Ａに示すように、吊りリードＴＬの露出部の下面ＴＬｂ２には、金属膜ＳＤが形成される。【0057】
＜内部構造＞次に半導体装置１の内部構造について説明する。図４に示すように、ダイパッドＤＰの上面（チップ搭載面）ＤＰｔは、平面形状が四角形（四辺形）から成る。本実施の形態では、例えば正方形である。また、図４に示す例では、半導体チップＣＨＰの外形サイズ（裏面ＣＰｂの平面サイズ）よりも、ダイパッドＤＰの外形サイズ（平面サイズ）の方が大きい。このように半導体チップＣＨＰを、その外形サイズよりも大きい面積を有するダイパッドＤＰに搭載し、ダイパッドＤＰの下面ＤＰｂを封止体ＭＲから露出させることで、放熱性を向上させることができる。
【0058】
また、図４に示すようにダイパッドＤＰ上には、半導体チップＣＨＰが搭載されている。半導体チップＣＨＰはダイパッドＤＰの中央に搭載されている。図５に示すように半導体チップＣＨＰは、裏面ＣＰｂがダイパッドＤＰの上面ＤＰｔと対向した状態で、ダイボンド材（接着材）ＤＢを介してダイパッドＤＰ上に搭載されている。つまり、複数のパッドＰＤが形成された表面（主面）ＣＰｔの反対面（裏面ＣＰｂ）をチップ搭載面（上面ＤＰｔ）と対向させる、所謂、フェイスアップ実装方式により搭載されている。このダイボンド材ＤＢは、半導体チップＣＨＰをダイボンディングする際の接着材である。ダイボンド材ＤＢとしては、例えば樹脂接着材、樹脂接着材に、銀（Ａｇ）などから成る金属粒子を含有させた導電性接着材、あるいは半田材などを用いることができる。ダイボンド材ＤＢとして半田材を用いる場合には、融点を上昇させる目的で、鉛を含む半田材を用いる場合がある。【0059】
図４に示すように、ダイパッドＤＰ上に搭載される半導体チップＣＨＰの平面形状は四角形から成る。また、図５に示すように、半導体チップＣＨＰは、表面（主面、上面）ＣＰｔと、表面ＣＰｔとは反対側の裏面（主面、下面）ＣＰｂと、この表面ＣＰｔと裏面ＣＰｂとの間に位置する側面ＣＰｓとを有している。そして、図４および図５に示すように、半導体チップＣＨＰの表面ＣＰｔには、複数のパッド（ボンディングパッド）ＰＤが形成されており、本実施の形態では、複数のパッドＰＤが表面ＣＰｔの各辺に沿って形成されている。また、図示は省略するが、半導体チップＣＨＰの主面（詳しくは、半導体チップＣＨＰの基材（半導体基板）の上面に設けられた半導体素子形成領域）には、複数の半導体素子（回路素子）が形成されている。また、複数のパッドＰＤは、半導体チップＣＨＰの内部（詳しくは、表面ＣＰｔと図示しない半導体素子形成領域の間）に配置される配線層に形成された配線（図示は省略）を介して、この半導体素子と電気的に接続されている。【0060】
半導体チップＣＨＰ（詳しくは、半導体チップＣＨＰの基材）は、例えばシリコン（Ｓｉ）から成る。また、表面ＣＰｔには、半導体チップＣＨＰの基材および配線を覆う絶縁膜が形成されており、複数のパッドＰＤのそれぞれの表面は、この絶縁膜に形成された開口部において、絶縁膜から露出している。また、このパッドＰＤは金属からなり、本実施の形態では、例えばアルミニウム（Ａｌ）、あるいはアルミニウム（Ａｌ）を主体とする合金層から成る。【0061】
また、図４に示すように、半導体チップＣＨＰの周囲（詳しくは、ダイパッドＤＰの周囲）には、例えば、ダイパッドＤＰと同じ銅（Ｃｕ）から成る複数のリードＬＤが配置されている。そして、半導体チップＣＨＰの表面ＣＰｔに形成された複数のパッド（ボンディングパッド）ＰＤは、複数のリードＬＤと、複数のワイヤ（導電性部材）ＢＷを介してそれぞれ電気的に接続されている。ワイヤＢＷは、例えば、金（Ａｕ）あるいは銅（Ｃｕ）から成り、ワイヤＢＷの一方の端部がパッドＰＤに接合され、他方の端部がリードＬＤの上面ＬＤｔのボンディング領域に接合されている。また、図４および図５に示すように、リードＬＤの上面ＬＤｔのボンディング領域（ワイヤＢＷが接続された部分）には、金属膜（めっき、めっき膜）ＢＭが形成されている。金属膜ＢＭは例えば、銀（Ａｇ）を主要な成分とする金属から成る。本実施の形態に対する変形例としては、図５に示す金属膜ＢＭを形成せず、リードＬＤの上面ＬＤｔのボンディング領域に直接ワイヤＢＷを接合することもできる。本実施の形態のように、リードＬＤ（インナリード部）のボンディング領域（ワイヤボンディング領域）の表面に、銀（Ａｇ）から成る金属膜ＢＭを形成すれば、ワイヤＢＷとリードＬＤの接続部分における接続強度を向上させることができる。【0062】
また、図５に示すように、リードＬＤは封止体ＭＲに封止される上面（ワイヤボンディング面、リード上面）ＬＤｔと上面ＬＤｔの反対側に位置し、封止体ＭＲの下面ＭＲｂにおいて封止体ＭＲから露出する下面（実装面、リード下面）ＬＤｂを有する。また、リードＬＤは、外周側に側面ＬＤｓを有する。また、上記したようにリードＬＤは、側面ＬＤｓに連なり、かつ、下面ＬＤｂと上面ＬＤｔの間に位置する下面（段差面、中間面）ＬＤｇを備えている。また、側面ＬＤｓの内側には、下面ＬＤｂと下面ＬＤｇに連なる側面ＬＤｓｇを備えている。【0063】
また、図４に示すように、ダイパッドＤＰには、複数の吊りリードＴＬが接続（連結）されている。複数の吊りリードＴＬは、それぞれ一方の端部が、平面視において四角形を成すダイパッドＤＰの角部（角）に接続されている。また複数の吊りリードＴＬはそれぞれ他方の端部が封止体ＭＲの角部ＭＲｋに向かって延び、角部ＭＲｋの近傍で二方向に分岐している。【0064】
また、図６に示すように、吊りリードＴＬの一部（封止部ＴＬ１）には、下面側からハーフエッチング処理が施され、下面側が封止体ＭＲにより封止されている。言い換えれば、吊りリードＴＬの上面ＴＬｔから下面ＴＬｂ１までの厚さは、図５に示すリードＬＤの上面ＬＤｔから下面ＬＤｂまでの厚さよりも薄い。このため、図２Ａに示すように、封止体ＭＲの下面ＭＲｂ側から見た時に、封止体ＭＲの下面ＭＲｂには吊りリードＴＬは露出していない。つまり、吊りリードＴＬの一部（封止部ＴＬ１）を封止体ＭＲにより封止することで、吊りリードＴＬを封止体ＭＲに固定することができるので、吊りリードＴＬが封止体ＭＲから抜け落ちることを防止することができる。【0065】
ただし、図２Ａに示すように封止体ＭＲの下面ＭＲｂの周囲には、全周に亘って段差部ＧＰが形成されている。このため、吊りリードＴＬの一部（図６に示す露出部ＴＬ２）も段差部ＧＰの一部を構成する。吊りリードＴＬの露出部ＴＬ２は、段差部ＧＰを形成する際に、吊りリードＴＬの下面側が切削加工され、吊りリードＴＬの下面ＴＬｂ２が封止体ＭＲから露出する。また、吊りリードＴＬの下面ＴＬｂ２には、金属膜ＳＤが形成される。【0066】
また、上記したように、吊りリードＴＬは下面側からハーフエッチング処理により形成されるので、図６に示す吊りリードＴＬの上面ＴＬｔの高さは、封止部ＴＬ１と露出部ＴＬ２で同じ高さになっている。また、吊りリードＴＬの上面ＴＬｔの高さは、ダイパッドＤＰの上面ＤＰｔの高さと同一になっている。また、図６に示す吊りリードＴＬの上面ＴＬｔの高さは、図５に示すリードＬＤの上面ＬＤｔの高さと同じになっている。【0067】
＜半導体装置の実装方法＞次に、図１〜図５を用いて説明した半導体装置を実装基板に実装する方法の例について説明する。図７は図５に示す半導体装置を実装する実装基板の実装面に接合材を塗布した状態を示す拡大断面図である。また、図８は、図７に示す実装基板の実装面側を示す拡大平面図である。また、図９は、図７に示す実装基板上に図５に示す半導体装置を配置した状態を示す拡大断面図、図１０は、図９に示す接合材を加熱してリードとランドを接合した状態を示す拡大断面図である。
【0069】
本実施の形態で説明する半導体装置の実装方法では、まず、図７および図８に示す実装基板ＭＢを準備する（基板準備工程）。実装基板（マザーボード、配線基板）ＭＢは、電子部品搭載面である上面（搭載面）ＭＢｔを有し、図１〜図５を用いて説明した半導体装置１は、上面ＭＢｔ上に搭載される。上面ＭＢｔには、実装基板側の端子である複数のランド（端子）ＬＮＤが配置される。図８に示す例では、実装基板ＭＢは、複数のランド（リード接続用端子）ＬＮＤａおよびランド（ダイパッド接続用端子）ＬＮＤｂを備える。上面ＭＢｔは、絶縁膜（ソルダレジスト膜）ＳＲｍに覆われるが、絶縁膜ＳＲｍは、複数のランドＬＮＤと重なる位置に開口部が形成され、この開口部において、複数のランドＬＮＤは絶縁膜ＳＲｍから露出している。【0070】
次に、図７に示すように、実装基板ＭＢの上面ＭＢｔに設けられた複数のランドＬＮＤ上に、それぞれ接合材ＳＰを配置（塗布）する（接合材配置工程）。図７に示す例では、接合材ＳＰは、クリーム半田（あるいは、ペースト半田）と呼ばれる半田材である。クリーム半田には、導電性の接合材となる半田成分と、接合部の表面を活性化させるフラックス成分とが含まれ、常温でペースト状である。また、接合材の塗布方法は、例えばスクリーン印刷により、塗布することができる。本工程により、複数のランドＬＮＤ上にそれぞれ接合材ＳＰが配置される。図２Ａに示す例では、半導体装置１は、複数のリードＬＤおよびダイパッドＤＰのそれぞれが封止体ＭＲの下面ＭＲｂにおいて露出しており、これらをそれぞれ実装基板ＭＢのランドＬＮＤに接続する。このため、本工程では、図８に示す複数のランドＬＮＤａ、およびランドＬＮＤｂ上に、それぞれ図７に示す接合材ＳＰを塗布する。【0071】
次に、図９に示すように、半導体装置１を実装基板ＭＢの上面ＭＢｔ上に配置する（パッケージマウント工程）。本工程では、半導体装置１の端子の位置と実装基板ＭＢ上のランドＬＮＤの位置が重なるように位置合わせをして、実装基板ＭＢの実装面である上面ＭＢｔ上に半導体装置１を配置する。詳しくは、本工程では、半導体装置１のダイパッドＤＰが実装基板ＭＢのランドＬＮＤｂ上に、複数のリードＬＤが複数のランドＬＮＤａ上にそれぞれ配置される。【0072】
次に、実装基板ＭＢ上に半導体装置１が配置された状態で加熱処理を施し、図１０に示すように、複数のリードＬＤと複数のランドＬＮＤａのそれぞれを、接合材ＪＭを介して接合する（リフロー工程）。図１０に示す接合材ＪＭは、図９に示す接合材ＳＰに含まれる半田成分と、金属膜ＳＤの半田成分が一体化して形成された導電性部材（半田材）である。また、接合材ＪＭの一方の面はリードＬＤの下面ＬＤｂに接合され、接合材ＪＭの他方の面は、ランドＬＮＤａの露出面に接合される。つまり、本工程では、複数のリードＬＤと複数のランドＬＮＤａのそれぞれが、接合材ＪＭを介して電気的に接続される。【0073】
また、ダイパッド接続用端子であるランドＬＮＤｂ上では、接合材ＪＭの一方の面はダイパッドＤＰの下面ＤＰｂに接合され、接合材ＪＭの他方の面は、ランドＬＮＤｂの露出面に接合される。つまり、本工程では、ダイパッドＤＰから実装基板ＭＢに接続される放熱経路が形成される。また、ダイパッドＤＰを例えば基準電位供給用などの端子として用いる場合には、本工程で、ダイパッドＤＰとランドＬＮＤｂが、接合材ＪＭを介して電気的に接続される。【0074】
本工程では、図９に示す接合材ＳＰが加熱されると、接合材ＳＰに含まれるフラックス成分が流れ出て、金属膜ＳＤやランドＬＮＤの露出面を活性化させる。これにより、接合材ＳＰに含まれる半田成分と金属膜ＳＤ、ランドＬＮＤが濡れ易い状態になる。さらに加熱すると、半田成分の融点に到達し、半田成分が溶融する。【0075】
この時、金属膜ＳＤおよびランドＬＮＤは半田と濡れ易い状態（半田濡れ性が高い状態）になっているので、半田成分はランドＬＮＤの露出面および金属膜ＳＤの形成面に濡れ広がる。これにより、図１０に示すように、接合材ＪＭはランドＬＮＤの露出面全体に濡れ広がる。また、接合材ＪＭはダイパッドＤＰの露出面である下面ＤＰｂ全体に濡れ広がる。また、接合材ＪＭは、リードＬＤの露出面のうち、下面ＬＤｂおよび段差部ＧＰに濡れ広がる。【0077】
ここで、半導体装置１の実装強度について説明する。半導体装置１は、実装基板ＭＢに実装された後、使用環境において温度サイクル負荷が印加される。温度サイクル負荷とは、実装基板ＭＢ上に半導体装置１が実装された実装構造体の環境温度が繰り返し変化することにより生じる負荷である。温度サイクル負荷としては、例えば、実装構造体を構成する各部材の線膨張係数の違いに起因して発生する応力がある。この応力は、半導体装置１の実装面の周縁部に集中し易い。このため、温度サイクル寿命（温度サイクル負荷により接続部が損傷するまでの温度サイクル回数）を延ばすためには、実装面の周縁部に配置されるリードＬＤとランドＬＮＤの接続部の強度を向上させることが好ましい。【0078】
本実施の形態の半導体装置１は、リードＬＤの実装面の周縁部側に側面ＬＤｓに連なる段差部ＧＰを設けている。これにより、温度サイクルにより発生する応力が最も集中しやすい側面ＬＤｓの直下において、接合材ＪＭの厚さを厚くすることができる。したがって、リードＬＤとランドＬＮＤａの接合部のうち、特に応力が集中し易い部分の強度を向上させて半導体装置１の接続信頼性を向上させることができる。【0079】
また、本実施の形態のリードＬＤは、図３を用いて説明したように、段差部ＧＰの側面ＬＤｓｇの一部が開口するように形成された凹部ＬＤｄを有する。言い換えれば、リードＬＤは、互いに交差する複数の面が接合材ＪＭ（図１０参照）と接合される。図３に示す例では、下面ＬＤｇ、下面ＬＤｇに連なる側面ＬＤｓｇ、凹部ＬＤｄを構成する湾曲面、およびリードＬＤの下面ＬＤｂが図１０に示す接合材ＪＭに接合される。このため、接合材ＪＭとリードＬＤの接合強度を向上させることができる。【0080】
また、単に段差部ＧＰのみを形成する場合と比較すると、本実施の形態によれば、接合材ＪＭ（図１０参照）とリードＬＤの接触面積を増大させることができる。したがって、接合材ＪＭとリードＬＤの接触面積が増加したことに伴う効果として、リードＬＤと接合材ＪＭの接合強度を向上させることができる。【0081】
特に、半導体装置１を小型化する場合、各リードＬＤの寸法が小さくなるので、実装面である下面ＬＤｂの面積が小さくなる。本実施の形態によれば、リードＬＤの下面ＬＤｂの面積が小型化により、小さくなった場合でも、凹部ＬＤｄおよび段差部ＧＰを設けることで、実装強度の低下を抑制できる。言い換えれば、リードＬＤの実装強度を向上させることにより、リードＬＤの下面ＬＤｂの面積は小さくすることができるので、半導体装置１を小型化することができる。【0082】
本実施の形態の半導体装置の実装方法では、次に、実装基板ＭＢ上に搭載された半導体装置１と実装基板ＭＢの接続部、すなわち、接合材ＪＭによる接合状態を検査する（検査工程）。本工程では、例えば半導体装置１の上面側（図１０に示す封止体ＭＲの上面ＭＲｔ側）から目視により接続状態の外観を検査することもできるが、検査を効率的に行う観点から画像処理を利用して検査することが好ましい。【0084】
検査装置１０は、被検査対象部分に光を照射する光照射部１１、被検査対象部で反射される光を検出して撮像する撮像部１２、および撮像部１２と電気的に接続される制御部１３を備えている。制御部１３には、例えば、撮像部１２で得られたデータに処理（画像処理）を施す画像処理部、および画像処理後のデータを評価し、良否判定を行う判定部などが含まれる。上記したように、本工程では、特に、接合材ＪＭによる接合状態を検査するので、光照射部１１は、半導体装置１の上面側（封止体ＭＲの上面ＭＲｔ側）に配置され、接合材ＪＭに向かって光が照射される。また、撮像部１２も、半導体装置１の上面側（封止体ＭＲの上面ＭＲｔ側）に配置され、接合材ＪＭで反射された光を検知し、撮像する。【0085】
ここで、リードＬＤに段差部ＧＰや凹部ＬＤｄが形成されていない場合、接合材ＪＭの量の調整が難しい。このため、リードＬＤとランドＬＮＤａの接合強度を向上させる観点から接合材ＪＭの量を増やすと、リードＬＤの外側において、接合材ＪＭの一部が上方に盛り上がった形状になり易い。しかし、この場合、以下の問題が生じる。【0086】
すなわち、上記したように、検査工程では、リードＬＤの外側の接合材ＪＭを撮影し、得られた画像データを利用して良否判定を行う。ところが、リードＬＤの外側で、接合材ＪＭが上方に盛り上がっている場合、盛り上がった部分の形状によって、光の反射方向が不安定になる。このため、撮像部１２に到達する反射光の量が減少し、誤判定の原因となる。【0087】
一方、本実施の形態の半導体装置１の場合、図１０に示すように、リードＬＤの実装面側に段差部ＧＰおよび凹部ＬＤｄが設けられている。このため、段差部ＧＰとランドＬＮＤａの間、および凹部ＬＤｄとランドＬＮＤａの間に接合材ＪＭを埋め込むスペースが生じる。また、凹部ＬＤｄおよび段差部ＧＰにより形成されたスペースに接合材ＪＭを埋め込むことにより、接合材ＪＭの一部が上方に盛り上がった形状にはなり難く、例えば図１０および図１１に示すように露出面が平坦または、若干窪んだ、フィレット形状になり易い。【0088】
図１１に示すように、接合材ＪＭの露出面が、平坦または、若干窪んだ、フィレット形状となっている場合、接合材ＪＭに照射された光の反射方向が安定する。このため、撮像部１２に到達する反射光の量が増加し、正確な判定処理を行うことが可能となる。【0089】
このように、本実施の形態によれば、接合材ＪＭによる接合部の接合強度を向上させることにより、半導体装置１の温度サイクル寿命を延ばすことができる。つまり、半導体装置１の信頼性を向上させることができる。また、図１１に示すように、本実施の形態によれば、接合材ＪＭの露出面が、平坦または、若干窪んだ、フィレット形状になるので、実装時の不具合を容易に検出することができる、この結果、半導体装置１の実装信頼性を向上させることができる。【0090】
＜半導体装置の製造方法＞次に、図１〜図１１に示す半導体装置１の製造方法について、説明する。本実施の形態における半導体装置１は、図１２に示す組立てフローに沿って製造される。図１２は、図１に示す半導体装置の組み立てフローを示す説明図である。
【0091】
１．リードフレーム準備工程；まず、図１２に示すリードフレーム準備工程として、図１３に示すようなリードフレームＬＦを準備する。図１３は、図１２のリードフレーム準備工程で準備するリードフレームの全体構造を示す平面図、図１４は、図１３に示す複数のデバイス領域のうち、２つのデバイス領域周辺の拡大平面図である。また、図１５は、図１４に示すリードフレームの実装面側の平面を示す拡大平面図、図１６は、図１５のＡ部の拡大平面図である。また、図１７は、図１６のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【0092】
本工程で準備するリードフレームＬＦは、外枠ＬＦｆの内側に複数のデバイス領域（製品形成領域）ＬＦｄを備えている。図１３に示す例では、リードフレームＬＦは、行方向に１６個、列方向に４個のデバイス領域ＬＦｄが、マトリクス状に配置され、合計６４個のデバイス領域ＬＦｄを備えている。リードフレームＬＦは、金属から成り、本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）、または銅（Ｃｕ）からなる基材の表面に例えばニッケル（Ｎｉ）からなる金属膜（図示は省略）が形成された積層金属膜から成る。【0093】
また、各デバイス領域ＬＦｄの間には、各デバイス領域ＬＦｄの周囲をそれぞれ囲むダイシング領域ＬＦｃが配置されている。このダイシング領域ＬＦｃは、後述する個片化工程（図１２参照）において、切断される領域である。また、図１４に示すようにダイシング領域ＬＦｃは、複数のリードＬＤの周囲を囲むように形成される。また、ダイシング領域ＬＦｃには、デバイス領域ＬＦｄの周囲を囲むようにタイバー（リード連結部）ＬＦｔｂが配置される。タイバーＬＦｔｂは複数のリードＬＤ、および図１３に示す外枠（枠体）ＬＦｆと一体に形成されている。【0094】
図１４に示すように、各デバイス領域ＬＦｄの中央部には、平面視において四角形を成すダイパッドＤＰが形成されている。ダイパッドＤＰは複数の吊りリードＴＬ、およびタイバーＬＦｔｂを介して図１３に示す外枠ＬＦｆに支持される。詳しくは、ダイパッドＤＰの４つの角部には、それぞれ吊りリードＴＬが接続される。吊りリードＴＬは、デバイス領域ＬＦｄの角部に向かって延び、角部周辺で二股に分岐してタイバーＬＦｔｂに接続される。各デバイス領域ＬＦｄの複数の吊りリードＴＬのそれぞれは、ダイシング領域ＬＦｃにおいてタイバーＬＦｔｂに連結されている。また、最外周に設けられたデバイス領域ＬＦｄでは、外枠ＬＦｆが、図１４に示すタイバーＬＦｔｂの機能を兼ねる。【0095】
また、ダイパッドＤＰの周囲には、複数の吊りリードＴＬの間に、それぞれ複数のリードＬＤが形成されている。また、複数のリードＬＤは、ダイパッドＤＰに対して、複数のリードＬＤよりも外側のダイシング領域ＬＦｃに配置されるタイバーＬＦｔｂにそれぞれ接続されている。【0096】
言い換えれば、リードフレームＬＦは、タイバーＬＦｔｂ、平面視においてタイバーＬＦｔｂの内側に配置されたダイパッドＤＰ、ダイパッドＤＰとタイバーＬＦｔｂを連結する複数の吊りリードＴＬ、およびダイパッドＤＰとタイバーＬＦｔｂの間に配置される複数のリードＬＤ、を備える。【0097】
さらに言い換えれば、図１４に示すようにリードフレームＬＦは、互いに隣り合うデバイス領域ＬＦｄを有し、各デバイス領域ＬＦｄには、それぞれ複数のリードＬＤが設けられている。また、一方のデバイス領域ＬＦｄと他方のデバイス領域ＬＦｄの間には、タイバーＬＦｔｂが設けられ、タイバーＬＦｔｂには、複数のリードＬＤがそれぞれ繋がる。【0098】
また、リードフレームＬＦの裏面側では一部の領域において、板厚が薄くなるように、予め加工が施されている。詳しくは、図１５にハッチングを付して示すように、リードフレームＬＦは、他の領域よりも板厚が薄い、薄肉部（ハーフエッチング部）ＬＦｈｆを有する。図１５に示す例では、リードフレームＬＦの下面側から厚さ方向に途中までエッチング処理を施す、所謂、ハーフエッチング処理により、薄肉部ＬＦｈｆを形成している。吊りリードＴＬおよびタイバーＬＦｔｂのうち、吊りリードＴＬに連結される部分の厚さが、リードＬＤの他部の厚さよりも薄くなっている。例えば、図１５に示すダイパッドＤＰの厚さは０．２ｍｍ程度であるが、吊りリードＴＬおよびタイバーＬＦｔｂの薄肉部ＬＦｈｆの厚さは０．１ｍｍ程度である。このように吊りリードＴＬの少なくとも一部を他の部分（例えばダイパッドＤＰ）よりも薄く形成することで、図１２に示す封止工程において、吊りリードＴＬの下面側を封止することができる。このため、ダイパッドＤＰを封止体ＭＲ（図１参照）から露出させた場合でもダイパッドＤＰが封止体ＭＲから脱落することを抑制できる。【0099】
また、図１５に示すように、各デバイス領域ＬＦｄに形成された複数のリードＬＤには、溝部（ディンプル、凹部、窪み部）ＬＤｔｒが形成されている。詳しくは、図１６および図１７に示すように、溝部ＬＤｔｒは、隣り合う二つのデバイス領域ＬＦｄを跨ぐように延びる。図１６および図１７に示す例では、溝部ＬＤｔｒは、リードＬＤ１、ＬＤ２の延在方向と同じ、Ｘ方向に沿って延びるように形成されている。本実施の形態では、図１２に示す切り込み部形成工程において、溝部ＬＤｔｒを長手方向（延在方向）に分断することで、溝部ＬＤｔｒの両隣に、図３を用いて説明した凹部ＬＤｄが形成される。【0100】
図１６に示すように、リードフレームＬＦは、ダイシング領域ＬＦｃを介して互いに隣り合うデバイス領域ＬＦｄ１とデバイス領域ＬＦｄ２とを有する。また、デバイス領域ＬＦｄ１はリードＬＤ１を、デバイス領域ＬＦｄ２はリードＬＤ２を、それぞれ有する。リードＬＤ１とリードＬＤ２は、連結されている。図１６に示す例では、リードＬＤ１とリードＬＤ２は、タイバーＬＦｔｂを介して対向する位置に配置され、リード連結部であるタイバーＬＦｔｂを介して連結されている。また、図１６に示す例では、リードＬＤ１とリードＬＤ２は、平面視において、Ｘ方向に沿って直線状に配置される。溝部ＬＤｔｒは、リードＬＤ１およびリードＬＤ２の下面ＬＤｂ側において、リードＬＤ１とリードＬＤ２を連通するように形成される。図１６に示す例では、溝部ＬＤｔｒは、リードＬＤ１およびリードＬＤ２の下面ＬＤｂ側において、タイバーＬＦｔｂを跨いでＸ方向に延びるように形成される。【0101】
リードＬＤの下面ＬＤｂ側から見た時に、溝部ＬＤｔｒの幅（図１６に示す例では、複数のリードＬＤのそれぞれが延在するＸ方向に直交するＹ方向の開口長さ）は、複数のリードＬＤ１およびリードＬＤ２の幅よりも狭い。溝部ＬＤｔｒは、リードＬＤの幅方向において中央部分に形成されている。【0102】
言い換えれば、下面ＬＤｂ側から見た時、下面ＬＤｂは、延在方向に沿って延び、かつ互いに対向する辺ＦｂＳ１と辺ＦｂＳ２を有し、溝部ＬＤｔｒは、辺ＦｂＳ１と辺ＦｂＳ２の間に形成されている。このため、リードＬＤの幅方向において、溝部ＬＤｔｒの両隣には、溝部ＬＤｔｒの内側面を持つ壁部ＬＤｗが形成されている。【0103】
また、溝部ＬＤｔｒは、連結されたリードＬＤ１およびリードＬＤ２の長手方向（延在方向）（図１６および図１７ではＸ方向）において中央部分に形成されている。言い換えれば、溝部ＬＤｔｒの長手方向（延在方向）の両端部は、リードＬＤ１、ＬＤ２の下面ＬＤｂ内で終端している。【0104】
このため、図１７に示すようにリードＬＤの長手方向（延在方向）において、溝部ＬＤｔｒの両隣には、リードＬＤの上面ＬＤｔおよび下面ＬＤｂを持つ、厚肉部分（溝部ＬＤｔｒよりも厚さが大きい部分）が形成されている。図１２に示すワイヤボンディング工程では、リードＬＤの厚肉部分にワイヤＢＷ（図５参照）を接続する。【0105】
また、平面視における溝部ＬＤｔｒの位置は、以下のように表現することができる。すなわち、図１６に示すように、平面視において、溝部ＬＤｔｒの周囲は、リードＬＤの下面ＬＤｂに連続的に囲まれている。言い換えれば、溝部ＬＤｔｒは、リードＬＤの側面と重ならない位置に形成されている。【0106】
図１６に示す溝部ＬＤｔｒは、リードフレームＬＦの下面側から厚さ方向に途中までエッチング処理を施す、所謂、ハーフエッチング処理により形成することができる。つまり、リードフレームＬＦを製造する際に、図１５に示す薄肉部ＬＦｈｆと、溝部ＬＤｔｒは、ハーフエッチング処理により、一括して形成することができる。【0107】
２．半導体チップ搭載工程；次に、図１２に示す半導体チップ搭載工程として、図１８および図１９に示すように半導体チップＣＨＰを、ダイパッドＤＰ上にダイボンド材ＤＢを介して搭載する。図１８は、図１４に示すダイパッド上に、ボンディング材を介して半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図、図１９は、図１８のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【0108】
図１９に示す例では、半導体チップＣＨＰの裏面ＣＰｂ（複数のパッドＰＤが形成された表面ＣＰｔの反対側の面）をダイパッドＤＰの上面ＤＰｔと対向させた状態で搭載する、所謂フェイスアップ実装方式で搭載する。また、図１８に示すように、半導体チップＣＨＰはダイパッドＤＰの中央部に、表面ＣＰｔの各辺が、ダイパッドＤＰの各辺に沿って配置されるように搭載する。【0109】
本工程では、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂であるダイボンド材ＤＢを介して半導体チップＣＨＰを搭載するが、ダイボンド材ＤＢは、硬化（熱硬化）させる前には流動性を有するペースト材である。このようにペースト材をダイボンド材ＤＢとして用いる場合には、まず、ダイパッドＤＰ上に、ダイボンド材ＤＢを塗布し、その後、半導体チップＣＨＰの裏面ＣＰｂをダイパッドＤＰの上面ＤＰｔに接着する。そして、接着後に、ダイボンド材ＤＢを硬化させる（例えば硬化温度まで加熱する）と、図１９に示すように、半導体チップＣＨＰはダイボンド材ＤＢを介してダイパッドＤＰ上に固定される。【0110】
また、本工程では、複数のデバイス領域ＬＦｄのそれぞれに設けられたダイパッドＤＰ上にダイボンド材ＤＢを介して半導体チップＣＨＰを搭載する。図１８に示す例では、デバイス領域ＬＦｄ１に設けられたダイパッドＤＰ上に半導体チップＣＨＰを搭載し、デバイス領域ＬＦｄ１の隣のデバイス領域ＬＦｄ２に設けられたダイパッドＤＰ上に別の半導体チップＣＨＰを搭載する。【0111】
なお、本実施の形態では、ダイボンド材ＤＢに、熱硬化性樹脂からなるペースト材を用いる実施態様について説明したが、種々の変形例を適用することができる。例えば、樹脂ではなく、半田などの導電性材料を介して半導体チップＣＨＰを搭載することができる。【0112】
３．ワイヤボンディング工程；次に、図１２に示すワイヤボンディング工程として、図２０および図２１に示すように、半導体チップＣＨＰの複数のパッドＰＤと複数のリードＬＤとを、複数のワイヤ（導電性部材）ＢＷを介して、それぞれ電気的に接続する。図２０は、図１８に示す半導体チップと複数のリードを、ワイヤを介して電気的に接続した状態を示す拡大平面図、図２１は、図２０のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【0113】
本工程では、例えば、各デバイス領域ＬＦｄのダイパッドＤＰ上に半導体チップＣＨＰが搭載されたリードフレームＬＦを、図２１に示すようにヒートステージ（リードフレーム加熱台）ＨＳ上に固定する。そして、半導体チップＣＨＰのパッドＰＤとリードＬＤとを、ワイヤＢＷを介して電気的に接続する。ワイヤＢＷをパッドＰＤおよびリードＬＤに接続するワイヤボンディングは、例えば図２１に示すワイヤボンディングツールであるキャピラリＣＰを用いて行う。【0114】
詳しくは、まず、キャピラリＣＰから突出するワイヤＢＷの先端を溶融させてボール部を形成する。次に、ボール部を第１ボンド側（例えばパッドＰＤ）に押し付けて、圧着する。この時、ワイヤＢＷにキャピラリＣＰを介して、ワイヤＢＷのボール部に超音波を印加すれば、圧着時における被圧着部分の温度を低減することができる。【0115】
次に、キャピラリＣＰからワイヤＢＷを繰り出しながら、キャピラリＣＰを移動させて、ワイヤループ形状を形成する。そして、キャピラリＣＰを第２ボンド側（例えば、リードＬＤのボンディング領域に形成された金属膜ＢＭ上）に移動させて、ワイヤＢＷとリードＬＤを接続する。リードＬＤの一部（インナリード部の先端に配置されたボンディング領域）には、例えば、銀（Ａｇ）、あるいは金（Ａｕ）から成る金属膜ＢＭが形成されている。ワイヤＢＷの一部は、この金属膜ＢＭを介してリードＬＤと電気的に接続される。また、ワイヤＢＷは金属からなり、本実施の形態では、例えば金（Ａｕ）からなる。【0116】
また、リードＬＤのボンディング領域は、下面ＬＤｂの反対側に位置する。つまり、リードＬＤのうち、板厚の厚い部分にワイヤＢＷを接合する。これにより、ワイヤＢＷをリードＬＤに接合する際に十分な荷重を付与することができるので、接合強度を向上させることができる。【0117】
また、本工程では、複数のデバイス領域ＬＦｄにそれぞれ設けられた複数のリードＬＤにワイヤＢＷを接合する。これにより各デバイス領域ＬＦｄにおいて、半導体チップＣＨＰと複数のリードＬＤが複数のワイヤＢＷを介して電気的に接続される。【0118】
４．封止工程；次に、図１２に示す封止工程として、図２２および図２３に示すように、封止体（封止体）ＭＲを形成し、半導体チップＣＨＰ（図２３参照）、複数のワイヤＢＷ（図２３参照）、および複数のリードＬＤ（図２３参照）のそれぞれ一部を封止する。図２２は、図２０に示すリードフレームのデバイス領域に、封止体を形成した状態を示す平面図、図２３は図２２のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。また、図２４は封止工程において、成形金型内にリードフレームを配置した状態を示す断面図である。なお、図２３では、図２４に示す成形金型ＭＤの一部を図示している。
【0119】
本工程では、図２３に示すように、各デバイス領域ＬＦｄに設けられた複数のリードＬＤの下面ＬＤｂがそれぞれ露出するように、封止体ＭＲを形成する。また、本実施の形態では、図２３に示すように、各デバイス領域ＬＦｄに設けられたダイパッドＤＰの下面ＤＰｂがそれぞれ露出するように、封止体ＭＲを形成する。本工程では、例えば、図２４に示す成形金型ＭＤでリードフレームＬＦを挟んだ状態で、成形金型ＭＤ内に軟化した樹脂を圧入した後、硬化させる、所謂トランスファモールド方式により図２２に示す封止体ＭＲを形成する。【0120】
成形金型ＭＤは、リードフレームＬＦの上側に配置する上型（第１金型）ＭＤ１と、リードフレームＬＦの下側に配置する下型（第２金型）ＭＤ２と、を備える。上型ＭＤ１は、リードフレームＬＦを押さえるクランプ面（金型面、押し付け面、面）ＭＤｃ１と、クランプ面ＭＤｃ１の内側に形成されたキャビティ（凹部）ＣＢＴを備える。また、下型ＭＤ２は、クランプ面ＭＤｃ１と対向するように配置されてリードフレームＬＦを押さえるクランプ面（金型面、押し付け面、面）ＭＤｃ２を備える。なお、下型ＭＤ２のクランプ面ＭＤｃ２の内側にはキャビティは形成されていない。【0121】
封止工程では、キャビティＣＢＴに封止用の樹脂を圧入し、半導体チップＣＨＰ（図２３参照）、複数のワイヤＢＷ（図２３参照）、および複数のリードＬＤ（図２３参照）のそれぞれ一部を封止する。そして、キャビティＣＢＴに供給した樹脂を熱硬化させることで、図２２に示す封止体ＭＲを形成する。【0122】
本実施の形態では、複数のデバイス領域ＬＦｄを一括して封止するように封止体ＭＲを形成する。言い換えれば、図２４に示すように、封止工程では、リードフレームＬＦの複数のデバイス領域ＬＦｄが一つのキャビティＣＢＴ内に収まるように、リードフレームＬＦを成形金型ＭＤ内に配置する。【0123】
また、図２３および図２４に示す例では、リードフレームＬＦと下型ＭＤ２の間には、樹脂フィルム（フィルム材）ＬＭＦが配置される。リードフレームＬＦは、下面側に樹脂フィルムＬＭＦが貼り付けられた状態で、成形金型ＭＤ内に配置される。【0124】
トランスファモールド方式の場合、成形金型の対向するクランプ面ＭＤｃ１、ＭＤｃ２（図２４参照）でリードフレームＬＦを挟むことによりリードフレームＬＦを固定する。しかし、一括封止方式の場合、デバイス領域ＬＦｄ毎にキャビティＣＢＴを設ける個片モールド方式と比較して、クランプ面ＭＤｃ１、ＭＤｃ２の面積が小さい。このため、図２３に示すように、リードＬＤの下面ＬＤｂと樹脂フィルムＬＭＦを密着させるためには、樹脂フィルムＬＭＦを予めリードフレームの下面側に貼り付けておくことが好ましい。【0125】
これにより、図２３に示すように、リードＬＤの下面ＬＤｂおよびダイパッドＤＰの下面ＤＰｂを、樹脂フィルムＬＭＦと密着させることができる。そして樹脂フィルムＬＭＦを密着させることにより、リードＬＤの下面ＬＤｂおよびダイパッドＤＰの下面ＤＰｂに封止用の樹脂が回り込むことを抑制できる。つまり、リードＬＤの下面ＬＤｂおよびダイパッドＤＰの下面ＤＰｂを露出させることができる。【0126】
また、本実施の形態では、リードＬＤの下面ＬＤｂ側には、溝部ＬＤｔｒが形成されている。また、図１６を用いて説明したように、平面視において、溝部ＬＤｔｒの周囲は、リードＬＤの下面ＬＤｂに連続的に囲まれている。このため、リードＬＤの下面ＬＤｂの下面ＤＰｂを樹脂フィルムＬＭＦと密着させれば、溝部ＬＤｔｒへの樹脂の侵入を防止することができる。【0127】
なお、図１５に示す吊りリードＴＬなどの薄肉部ＬＦｈｆは、溝部ＬＤｔｒ（図１６参照）とは異なり、本工程において樹脂が回り込む構造になっている。このため、図２４に示すキャビティＣＢＴ内に樹脂を供給すると、樹脂の一部が吊りリードＴＬ（図１５参照）と樹脂フィルムＬＭＦの間に回り込み、吊りリードＴＬは樹脂によって封止される。【0128】
５．切り込み部形成工程（第１カット工程）；次に、図１２に示す切り込み部形成工程として、図２５に示すリードＬＤの下面ＬＤｂ側から回転刃であるブレードＢＤ１（図２７参照）を用いて切削加工を施し、図２６および図２７に示すように切り込み部（切削溝、段差部）ＳＴを形成する。図２５は、図２２に示すリードフレームの実装面側において、リードおよび吊りリードの周辺を拡大して示す拡大平面図である。また、図２６は、図２５に示すリードフレームに切削加工を施し、切り込み部を形成した状態を示す拡大平面図である。また、図２７は図２６のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。また、図２８は図２６のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図である。なお、ブレードＢＤ１の回転方向と進行方向を見やすくするため、図２６ではブレードＢＤ１の進行方向に矢印を付して模式的に示し、図２７および図２８ではブレードＢＤ１の回転方向に矢印を付して模式的に示す。
【0129】
本工程では、リードＬＤの下面ＬＤｂ側からリードＬＤ１とリードＬＤ２の連結部（タイバーＬＦｔｂおよびリードＬＤ１、ＬＤ２のタイバーＬＦｔｂに接続される部分）の下面ＬＤｂ側の一部を切削する。本工程で使用するブレード（回転刃）ＢＤ１は、環状（リング状）または円盤状の切削加工治具であって、円の周縁に配置される切削加工部に複数の砥粒が固着されている。そして複数の砥粒が固着されたブレードＢＤ１の切削加工部を被加工物に押し当てることで、被加工部を切削除去することができる。【0130】
ブレードＢＤ１を用いた切削加工処理の場合、ブレードＢＤ１を回転させながら、回転軸に対して直交する方向にブレードＢＤ１を進行させる。例えば図２６および図２７に示す例では、図２６および図２７にそれぞれ矢印を付して模式的に示すように、ブレードＢＤ１を回転軸ＡＸを中心に回転させながら、回転軸ＡＸと直交するＹ方向（図２６参照）に沿ってブレードＢＤ１を進行させる。【0131】
また、図２６に示す例では、平面視において、リードＬＤ１、ＬＤ２の下面ＬＤｂのうち、辺ＦｂＳ２から辺ＦｂＳ１に向かって、Ｙ方向に沿ってブレードＢＤ１を進行させる。また、ブレードＢＤ１は、リードＬＤ１とリードＬＤ２を連結する連結部、図２６の場合にはタイバーＬＦｔｂと重なる位置を進行する。これによりブレードＢＤ１の進行方向に沿って切削溝である切り込み部ＳＴを形成することができる。すなわち、リードＬＤ１とリードＬＤ２の連結部であるタイバーＬＦｔｂの延在方向に沿って溝状の切り込み部ＳＴが形成される。【0132】
また、図２６に示すように、本工程において、図３を用いて説明したリードＬＤが有する複数の面のうち、側面ＬＤｓｇ、および下面ＬＤｇが形成される。ブレードＢＤ１の幅（回転軸に沿った方向の長さ）、言い換えれば本工程における切削加工幅は、後述する個片化工程（図１２参照）における切削加工幅よりも大きい。図２６に示す例では、切り込み部の幅（Ｘ方向の長さ）は、ダイシング領域ＬＦｃの幅よりも大きく、例えば０．４ｍｍである。したがって、ブレードＢＤ１の幅は、少なくともタイバーＬＤｔｂの幅（図２６に示す例では例えば０．２０ｍｍ）よりも広い。なお、ダイシング領域ＬＦｃの幅は、例えば０．３５ｍｍである。このため、切り込み部の内側面である側面ＬＤｓｇは、平面視において、デバイス領域ＬＦｄ１およびデバイス領域ＬＦｄ２の内側に形成される。この結果、図３を用いて説明したように、側面ＬＤｓｇ、および下面ＬＤｇの一部は、半導体装置１の段差部ＧＰとして残る。【0133】
また、図２６に示すように、本工程では、ブレードＢＤ１の進行方向に切削された金属の一部が引きずられて金属バリＭｂｒ２が形成される。図２６では、金属バリＭｂｒ２を示しているが、図３に示す金属バリＭｂｒ１も本工程で形成される。ただし、本工程は、図１２に示すようにめっき工程の前に実施するので、本工程が終了した段階では、金属バリＭｂｒ１（図３参照）、および金属バリＭｂｒ２にはめっき膜である金属膜ＳＤは形成されていない。【0134】
連結されたリードＬＤ１およびリードＬＤ２を下面ＬＤｂ側から見た時、ブレードＢＤ１の進行方向と交差する辺に金属バリＭｂｒ１、Ｍｂｒ２は形成される。ただし、ブレードＢＤ１の進行方向において、上流側の辺には金属バリＭｂｒ１、Ｍｂｒ２は形成されず、下流側の辺に金属バリＭｂｒ１、Ｍｂｒ２が形成される。このため、図３を用いて説明したように、本工程では、側面ＬＤｓｇの辺ＦＳ１には、Ｘ方向に沿って延びる金属バリＭｂｒ１が形成され、辺ＦＳ２には金属バリＭｂｒ１は形成されない。また、下面ＬＤｇの辺ＦＳ３には、Ｘ方向に沿って延びる金属バリＭｂｒ２が形成され、辺ＦＳ４には金属バリＭｂｒ２は形成されない。【0135】
また、本工程では、連結されたリードＬＤ１とリードＬＤ２を連通するように形成された溝部ＬＤｔｒ（図２５参照）の延在方向の両端部の間を分断するように、切り込み部ＳＴを形成する。これにより、リードＬＤ１とリードＬＤ２を跨いで形成された溝部ＬＤｔｒが分割され、図２６に示すように、リードＬＤ１とリードＬＤ２がそれぞれ有する凹部ＬＤｄが形成される。【0136】
ここで、本工程では、ブレードＢＤ１による切削加工処理に起因して、図２６および図２７に示すような金属屑ＳＣＭが発生する。回転するブレードＢＤ１を用いて金属部材の切削加工を行う場合、ブレードＢＤ１により切削された切削屑の多くは、回転するブレードＢＤ１に掻き出され、外部に排出されるが、切削屑の一部が切削後の金属部材と切り離されずに残留する。図２６に示す金属バリＭｂｒ２や金属屑ＳＣＭは、切削後のリードＬＤと切り離されずに残留した切削屑である。【0137】
このため、金属バリＭｂｒ２は、ブレードＢＤ１の進行方向の下流側にある辺から延びるように形成される。また、図２５に示すように、ブレードＢＤ１（図２６参照）の進行方向において、溝部ＬＤｔｒの両隣には壁部ＬＤｗが形成されている。このうち、ブレードＢＤ１の進行方向の下流側に配置される壁部ＬＤｗ１で発生する切削屑の一部は、図３を用いて説明した金属バリＭｂｒ１として残留する。また、溝部ＬＤｔｒの両隣の壁部ＬＤｗのうち、ブレードＢＤ１の進行方向の上流側に配置される壁部ＬＤｗ２で発生する切削屑の一部は、図２６に示す金属屑ＳＣＭとして凹部ＬＤｄ内に残留することが判った。【0138】
凹部ＬＤｄの内部に残留する金属屑ＳＣＭを除去しないまま図１２に示すめっき工程を行うと、凹部ＬＤｄを覆うように金属膜ＳＤ（図５参照）を形成することが難しくなる。また、仮に、めっき工程の後で、ブレードＢＤ１により図２５に示す溝部ＬＤｔｒを分断するような切削加工を行った場合、凹部ＬＤｄの内部に、基材である銅成分および半田成分を含む金属屑ＳＣＭが溜まる。この金属屑ＳＣＭを除去すると、凹部ＬＤｄを覆うように形成された金属膜ＳＤ（図５参照）の一部が剥離して基材である銅が露出する懸念がある。【0139】
また、金属屑ＳＣＭは、一部がリードＬＤの壁部ＬＤｗ２に接続されているため、凹部ＬＤｄから除去するためには、例えば加圧水を吹き付けるなどの工程が必要になる。したがって、図１２に示す金属屑除去工程は、各デバイス領域ＬＦｄを分離して個片化した後で実施することは難しい。【0140】
そこで本実施の形態では、図１２に示すように、切り込み部形成工程、および金属屑除去工程を行った後、めっき工程および個片化工程を行う。詳細は後述するが、本工程において、切削加工溝である切り込み部ＳＴを形成し、個片化工程において、切り込み部ＳＴの溝幅よりも幅が狭いブレードを用いて切断する。これにより、個片化工程では、ブレードが凹部ＬＤｄに接触することを防止できる。したがって、個片化工程の前に、金属屑ＳＣＭを取り除き、金属屑ＳＣＭが除去された凹部ＬＤｄにめっき膜を形成すれば、凹部ＬＤｄを覆うように金属膜ＳＤを安定的に形成することができる。【0141】
また、本工程で形成する切り込み部ＳＴの溝深さ（リードＬＤの厚さ方向における切り込み部ＳＴの長さ）、言い換えれば、リードＬＤの側面ＬＤｓｇの厚さ方向の長さは、以下が好ましい。すなわち、後述する個片化工程において、ブレードと凹部ＬＤｄの接触を防止する観点からは、切り込み部ＳＴの溝深さは、凹部ＬＤｄ（溝部ＬＤｔｒ）の最も深い位置（底面）と同じ深さ以上にする必要がある。また、図８〜図１０を用いて説明したように、実装時の半田濡れ性、あるいはフィレット形状を考慮すると、切り込み部ＳＴの溝深さは、リードＬＤの最も厚い部分の厚さに対して２／３以上であることが好ましい。【0142】
また、本工程では、リードＬＤ１とリードＬＤ２の連結部のうちの一部、詳しくは下面側（実装面側）の一部を切削する。つまり、連結部の他の一部は、本工程の完了後も残留する。本実施の形態のように一括封止方式の場合、複数のデバイス領域ＬＦｄを跨ぐように封止体ＭＲが形成される。したがって、本工程において、封止体ＭＲの一部が残っていれば、リードＬＤの連結部を切断しても、個片化はされない。【0143】
しかし、以下の理由から、本工程では、リードＬＤの連結部の一部が残るように切り込み部ＳＴを形成することが好ましい。すなわち、リードＬＤの連結部は、リードＬＤと同じ金属材料により形成されているので、図１２に示すめっき工程において、連結部の一部がリードＬＤに接続されていれば、連結部を介して、リードＬＤに電位を供給することができる。このため、リードＬＤに電解めっき法により金属膜ＳＤ（図５参照）を形成することができる。電解めっき法の場合、金属膜形成時の電流を制御することで金属膜ＳＤの膜質を容易に制御できる点で好ましい。【0144】
また、本工程において、リードＬＤの連結部を切断した場合、封止体ＭＲによって、複数のデバイス領域ＬＦｄが繋がった状態になる。しかし、封止体ＭＲの剛性のみでは、リードフレームＬＦのハンドリングが困難になる場合が考えられる。したがって、リードフレームＬＦのハンドリング特性を向上させる観点から、本工程では、リードＬＤの連結部の一部が残るように切り込み部ＳＴを形成することが好ましい。【0145】
また、本工程では、格子状に切り込み部ＳＴを形成するので、複数のリードＬＤの他、封止体ＭＲ、および吊りリードＴＬに対しても切削加工が施される。このため、図２６に示すように本工程において、吊りリードＴＬの一部（露出部ＴＬ２）の下面ＴＬｂ２が、封止体ＭＲから露出する。【0146】
詳しくは、吊りリードＴＬは、上述したように下面側からハーフエッチング加工が施されているので、封止工程において、吊りリードＴＬの全体が封止体ＭＲにより封止される。したがって、図２５に示すように、切削加工を行う前には、吊りリードＴＬは露出していない。しかし、本工程でブレードＢＤ１を用いて切削加工を施すことにより、図２６に示すように、吊りリードＴＬのうちの切削加工領域に配置される部分の下面ＴＬｂ２が露出する。【0147】
また、上記したように、本実施の形態では、切り込み部ＳＴの溝深さ（リードＬＤの厚さ方向における切り込み部ＳＴの長さ）は、凹部ＬＤｄ（溝部ＬＤｔｒ）の最も深い位置（底面）と同じ深さ以上になっている。図２５に示す溝部ＬＤｔｒをエッチングにより形成する場合、吊りリードＴＬに対してハーフエッチング処理を行う時に一括して形成する方が製造効率を向上させされる点で好ましい。このため、凹部ＬＤｄの深さは、リードＬＤの最も厚い部分の厚さに対して１／２程度であって、凹部ＬＤｄ（溝部ＬＤｔｒ）の最も深い位置は、ハーフエッチング処理後の吊りリードＴＬの封止部ＴＬ１の下面ＴＬｂ１と同じ高さになっている。したがって、本工程で、切り込み部ＳＴを形成すると、図２８に示すように、切り込み部ＳＴを構成する吊りリードＴＬの側面（吊りリード側面）ＴＬｓｇ、および下面ＴＬｂ２がそれぞれ露出する。【0148】
また、図２６に示すように、本工程が完了すると、吊りリードＴＬの下面ＴＬｂ２には、ブレードＢＤ１を用いた切削加工に起因して発生する金属バリＭｂｒ２が形成される。また、図示は省略するが図２８に示す側面ＴＬｓｇには、図３を用いて説明したような金属バリＭｂｒ１が形成される。金属バリＭｂｒ１および金属バリＭｂｒ２は、ブレードＢＤ１の進行方向に対して、下流側の辺にそれぞれ形成され、上流側の辺には形成されない。【0149】
６．金属屑除去工程；次に、図１２に示す金属屑除去工程として、図２６および図２７に示す金属屑ＳＣＭを除去する。図２９は、図２７に示す金属屑に加圧された洗浄水を噴射した状態を示す拡大断面図である。また、図３０は、図２９に示すノズルの平面視における移動方向を模式的に示す拡大平面図である。
【0150】
本工程では、図２７に示す金属屑ＳＣＭを確実に除去することができれば、以下に説明する方法以外に種々の変形例があるが、本実施の形態では、多数の凹部ＬＤｄのそれぞれに形成された金属屑ＳＣＭを効率的に除去する観点から特に好ましい実施態様を取り上げて説明する。【0151】
本実施の形態では、金属屑除去工程において、図２９に示すように、大気圧よりも高い圧力で加圧された洗浄液ＷＦ１を金属屑ＳＣＭに対して噴射することにより、金属屑ＳＣＭを除去する。金属屑ＳＣＭは、切削加工時に生じる切削屑であり、図２６に示すように、一部がリードＬＤの壁部ＬＤｗ２に接続されている。このため、金属屑ＳＣＭを確実に除去するためには、加圧された洗浄液ＷＦ１を金属屑ＳＣＭに衝突させて、金属屑ＳＣＭとリードＬＤの壁部ＬＤｗ２の接続部分を剥離させる方法が有効である。本実施の形態では、洗浄液ＷＦ１は例えば水であり、圧力（水圧）は、５０ＭＰａ±５ＭＰａ程度である。【0152】
また、金属屑ＳＣＭを除去する効率を向上させる観点から、図２９に示すように複数のノズルＮＺ１を用意して、複数のノズルＮＺ１のそれぞれから洗浄液ＷＦ１を噴射させることが好ましい。【0153】
また、図２６に示す金属屑ＳＣＭとリードＬＤの壁部ＬＤｗ２の接続部分を剥離させるためには、単に、金属屑ＳＣＭの上方から洗浄液ＷＦ１を噴射するよりも、リードＬＤ１およびリードＬＤ２の延在方向（図２９に示す例ではＸ方向）に沿って力を加えることが好ましい。したがって、ノズルＮＺ１と凹部ＬＤｄの平面視における相対的な位置を移動させながら、洗浄液ＷＦ１を噴射することが好ましい。例えば、本実施の形態では、図３０にノズルＮＺ１の軌跡を模式的に示すように、複数のノズルＮＺ１のそれぞれの先端が螺旋を描くように回転しながら図２９に示す洗浄液ＷＦ１を噴出する。【0154】
これにより、図２９に示す凹部ＬＤｄの底面に沿って金属屑ＳＣＭを押し出すように洗浄液ＷＦ１が当たる。例えば、凹部ＬＤｄの底面に吹き付けられた洗浄液ＷＦ１は、凹部ＬＤｄの底面に沿って金属屑ＳＣＭに向かって移動して、金属屑ＳＣＭを切り込み部ＳＴの方向に押し出す。このため、本実施の形態によれば、図２６に示す金属屑ＳＣＭとリードＬＤの壁部ＬＤｗ２の接続部分を剥離させ易くなる。【0155】
７．めっき工程；次に、図１２に示すめっき工程として、図３１に示すように、複数のリードＬＤおよびダイパッドＤＰの露出面に金属膜ＳＤを形成する。図３１は、図２６に示すリードおよびダイパッドの露出面に金属膜を形成した状態を示す拡大断面図、図３２は、電解めっき法によるめっき工程の概要を示す説明図である。
【0156】
まず、図３２に示すように、本工程では、図３２に示すように、被めっき加工物であるリードフレームＬＦを、めっき液ＭＰＴｆが入っためっき槽ＭＰＴｔＭＰＴｔ内に配置する。このとき、被加工物をめっき槽ＭＰＴｔ内の陰極ＣＴに接続する。例えば、図３２に示す例ではリードフレームＬＦの外枠ＬＦｆを陰極ＣＴと電気的に接続する。そして、この陰極ＣＴと、同じくめっき槽ＭＰＴｔ内に配置された陽極ＡＮとの間に例えば直流電圧をかけることによって、リードフレームＬＦの外枠ＬＦｆと接続された金属部材の露出面に金属膜ＳＤ（図３１参照）を形成する。つまり、本実施の形態では所謂、電解めっき法により金属膜ＳＤを形成する。【0157】
本実施の形態の金属膜ＳＤは、上記したように、鉛（Ｐｂ）を実質的に含まない、所謂、鉛フリー半田からなり、例えば錫（Ｓｎ）のみ、錫−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）、または錫−銅−銀（Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ）などである。このため、本めっき工程で使用するめっき液ＭＰＴｆは、例えばＳｎ２＋、あるいはＢｉ３＋などの金属塩が含まれる、電解めっき液である。なお、以下の説明では、鉛フリー半田めっきの例としてＳｎ−Ｂｉの合金化金属めっきについて説明するが、ＢｉをＣｕやＡｇなどの金属に置き換えることができる。【0158】
本実施の形態では、上記したように、複数のリードＬＤが連結部であるタイバーＬＦｔｂを介して外枠ＬＦｆと電気的に接続された状態で、めっき工程を行う。また、ダイパッドＤＰは、タイバーＬＦｔｂおよび吊りリードＴＬ（図１５参照）を介して外枠ＬＦｆと電気的に接続されている。したがって、リードフレームＬＦをめっき液ＭＰＴｆに浸した状態で、図３２に示す陽極ＡＮと陰極ＣＴの間に電圧をかけると、両電極間（陽極ＡＮと陰極ＣＴの間）で通電する。上記したように、リードフレームＬＦの外枠ＬＦｆは陰極ＣＴと電気的に接続されているので、めっき液ＭＰＴｆ中のＳｎ２＋、およびＢｉ３＋が所定の割合で図３１に示すリードＬＤおよびダイパッドＤＰの露出面に析出し、金属膜ＳＤが形成される。【0159】
また、図１２に示すように、本実施の形態では、めっき工程を行う前に、切り込み部形成工程を行い、図３１に示すように連結されるリードＬＤの間に、切り込み部ＳＴを形成する。また、切り込み部ＳＴは封止体ＭＲから露出する。このため、本めっき工程において、切り込み部ＳＴの露出面には、金属膜ＳＤが形成される。金属膜ＳＤの膜厚は、製品仕様に応じて変更することができるが、例えば、１０μｍ〜２０μｍ程度の膜を成膜する。【0160】
ところで、めっき法により金属膜を形成する方法として、電解めっき法の他、無電解めっき法がある。ただし、電解めっき法の場合、金属膜形成時の電流を制御することで金属膜ＳＤの膜質を容易に制御できる点で好ましい。また、電解めっき法は、金属膜ＳＤの形成時間が無電解めっき法よりも短くすることができる点で好ましい。【0161】
また、本工程では、めっき処理により金属膜ＳＤを形成する前に、リードＬＤやダイパッドＤＰの封止体ＭＲからの露出面に対して、前処理を施す。この前処理は、露出面に形成された酸化金属膜を除去して、めっき膜である金属膜ＳＤと基材の露出面との密着性を向上させるために行う処理である。前処理には、酸性あるいはアルカリ性の溶液で露出面を洗浄した後、溶液を除去することにより、酸化金属膜を除去する工程が含まれる。また前処理には、洗浄液を露出面に吹き付けて、樹脂バリなどを除去する工程が含まれる場合もある。【0162】
ここで、めっき工程の前処理により、図１２に示す切り込み部形成工程で形成された金属屑ＳＣＭ（図２７参照）が確実に除去できるのであれば、上記した金属屑除去工程を省略することも考えられる。ただし、前処理が完了した後で、金属屑ＳＣＭが取り除かれた場合、金属屑ＳＣＭが剥離した部分に前処理されていない金属面が露出する懸念がある。したがって、本実施の形態のように、めっき工程の前処理とは別に、かつ、めっき工程の前処理の前に金属屑除去工程を行い、金属屑ＳＣＭが確実に除去された状態で、めっき工程の前処理を実施することが好ましい。【0163】
また、上記した切り込み部形成工程において、図２６に示す金属バリＭｂｒ２や図３に示す金属バリＭｂｒ１が形成され、金属屑除去工程の後も残留している場合、本工程では、金属バリＭｂｒ１および金属バリＭｂｒ２のそれぞれの露出表面に、金属膜ＳＤが析出する。つまり、金属バリＭｂｒ１および金属バリＭｂｒ２のそれぞれに対してめっき処理が施され、めっき膜である、金属膜ＳＤが形成される。【0164】
８．個片化工程（第２カット工程）；次に、図１２に示す個片化工程として、図３３に示すように、リードＬＤの下面ＬＤｂ側から、リードＬＤ１、ＬＤ２の連結部の残部、および封止体ＭＲを、ブレードを用いて切削することにより、デバイス領域ＬＦｄ１とデバイス領域ＬＦｄ２とを分離する。
【0165】
図３３は、図２９に示すリードフレームをデバイス領域毎に個片化した状態を示す拡大断面図である。また、図３４は、図１２に示す個片化工程においてリードおよび吊りリードが切断された状態を拡大して示す拡大平面図である。なお、ブレードＢＤ２の回転方向と進行方向を見やすくするため、図３４ではブレードＢＤ２の進行方向に矢印を付して模式的に示し、図３４ではブレードＢＤ１の回転方向に矢印を付して模式的に示す。【0166】
本工程では、まず、封止体ＭＲが形成されたリードフレームＬＦをテープ（ダイシングテープ）ＤＴを介して図示しないフレーム（リングフレーム）に固定する。この時、リードフレームＬＦの下面側（裏面側、実装面側）から切削加工を施すので、図３３に示すように、封止体ＭＲの上面ＭＲｔをテープＤＴと接着させ、リードフレームＬＦの下面側（裏面側、実装面側）が上方を向くように固定する。【0167】
次に、図３３に示すブレード（回転刃）ＢＤ２を回転させながら、リードフレームＬＦのダイシング領域ＬＦｃに沿って進行させる。ブレードＢＤ２は、切削加工幅以外は、図２７に示すブレードＢＤ１と同様である。すなわち、ブレードＢＤ２は、環状（リング状）または円盤状の側面形状を有する切削加工時具であって、円の周縁に配置される切削加工部に複数の砥粒が固着されている。そして複数の砥粒が固着されたブレードＢＤ２の切削加工部を被加工物に押し当てることで、被加工部を切削除去することができる。【0168】
本工程では、切り込み部形成工程により形成された切削溝である切り込み部ＳＴ内に、回転するブレード（回転刃）ＢＤ２を挿入し、このブレードＢＤ２をリードフレームＬＦのダイシング領域ＬＦｃに沿って進行させる。これにより、図３１に示すタイバーＬＦｔｂと、このタイバーＬＦｔｂの直上に形成された金属膜ＳＤの一部（タイバーＬＦｔｂと重なる部分）は除去（切断）され、互いに隣り合うデバイス領域ＬＦｄを分離する。【0169】
また、図３４に示すように、ブレードＢＤ２の幅、すなわち、本個片化工程での切削加工幅は、タイバーＬＦｔｂの幅よりも太く（大きく）、かつ、図２７に示すブレードＢＤ１の幅よりも狭い（小さい）。言い換えれば、ブレードＢＤ２の幅は、タイバーＬＦｔｂの幅よりも太く（大きく）、かつ、上記切り込み部形成工程で形成された溝（切り込み部ＳＴ）の溝幅よりも狭い（小さい）。具体的な寸法の一例を挙げれば、タイバーＬＦｔｂの幅は例えば０．２０ｍｍ、ブレードＢＤ１の幅は例えば０．４０ｍｍ、ブレードＢＤ２の幅は例えば０．３５ｍｍとする。【0170】
このように、ブレードＢＤ２の幅をブレードＢＤ１の幅よりも狭くすることで、本工程において、リードＬＤの側面ＬＤｓｇにブレードＢＤ２が接触することを防止できる。このため、上記切り込み部形成工程で説明した金属屑ＳＣＭ（図２６参照）は、本工程では発生しない。【0171】
ところで、上記した切削加工幅やタイバーＬＦｔｂの幅の例は一例であって種々の変形例が適用できる。例えば、ブレードＢＤ２の幅をさらに狭くすれば、切削加工位置精度のマージンを大きくすることができるので、切り込み部ＳＴの側面ＬＤｓｇに接触する懸念を低減することができる。例えば、ブレードＢＤ２の加工幅は、封止体ＭＲを厚さ方向に切断するために必要な強度が得られる範囲内で狭くすることが好ましい。上記した一例の場合、ブレードＢＤ２の幅が０．３５ｍｍ以上であれば、封止体ＭＲの厚さによらず、強度を確保することができる。したがって、切削加工装置の汎用性を向上させる点では好ましい。【0172】
また、本工程では、リードＬＤの連結部の残部を切断することにより、リードＬＤの側面ＬＤｓが露出する。側面ＬＤｓは、金属膜ＳＤが形成された下面ＬＤｇに対して直交する方向に連なる面である。また、側面ＬＤｓは、本工程で形成される切削面なので、側面ＬＤｓには、金属膜ＳＤは形成されず、基材である銅が露出している。また、図３を用いて説明したように、側面ＬＤｓの辺ＦＳ５には、Ｘ方向に沿って延びる金属バリＭｂｒ３が形成され、辺ＦＳ６には金属バリＭｂｒ３は形成されていない。言い換えれば、本工程では、図３４に示すブレードＢＤ２の進行方向の下流側の辺には、図３に示す金属バリＭｂｒ３が形成され、進行方向の上流側の辺には金属バリＭｂｒ３が形成されない。【0173】
また、本工程では、吊りリードＴＬのうち、ダイシング領域ＬＦｃに配置される部分を切断することにより、図３４に示す側面ＴＬｓが露出する。側面ＴＬｓは、金属膜ＳＤが形成された下面ＴＬｂ２に対して直交する方向に連なる面である。また、側面ＴＬｓは、本工程で形成される切削面なので、側面ＴＬｓには、金属膜ＳＤは形成されず、基材である銅が露出している。また、図示は省略するが、側面ＴＬｓには、ブレードＢＤ２の進行方向の下流側の辺に金属バリＭｂｒ３（図３参照）が形成され、進行方向の上流側の辺には金属バリＭｂｒ３が形成されない。【0174】
本工程により、切り込み部ＳＴは、下面ＬＤｇの一部が切断され、図３を用いて説明したように、封止体ＭＲの側面ＭＲｓｇ、封止体ＭＲの下面ＭＲｇ、リードＬＤの側面ＬＤｓｇ、およびリードＬＤの下面ＬＤｇを有する段差部ＧＰが形成される。【0175】
本工程の後、外観検査、電気的試験など、必要な検査、試験を行い、合格したものが、図１に示す完成品の半導体装置１となる。そして、半導体装置１は出荷され、あるいは図７〜図１１を用いて説明したように実装基板ＭＢに実装される。【0176】
＜変形例＞以上、本願発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更できる。
【0177】
例えば、上記実施の形態では、化学反応を利用したエッチング処理により、リードＬＤの外形形状や、溝部ＬＤｔｒを形成する実施態様について説明した。化学反応を利用したエッチング処理の場合、被処理部分の端部が丸くなる。このため、リードＬＤの寸法や、エッチング液などの選択によっては、図３に示すようにリードＬＤの端部が丸く形成される。また、凹部ＬＤｄの内面が湾曲面になる。しかし、図３に対する変形例として、図３５に示す半導体装置１Ａのように、リードＬＤの下面ＬＤｂの端部に角を形成することもできる。また、半導体装置１Ａのように、凹部ＬＤｄの内面を、互いに交差する複数の面で構成することができる。図３５は、図３に対する変形例を示す拡大斜視図である。【0178】
図３に示す半導体装置１のように、リードＬＤの下面ＬＤｂの端部が丸く形成されている場合、図３５に示す半導体装置１Ａと比較すると、実装時に隣り合うリードＬＤに接続された半田同士が接触してしまう懸念は小さい。また、凹部ＬＤｄの内面が湾曲面になっている場合、凹部ＬＤｄ内に半田が濡れ広がりやすい。【0179】
一方、図３５に示す半導体装置１Ａのように、リードＬＤの下面ＬＤｂの端部に角が形成されている場合、半導体装置１よりもリードＬＤの下面ＬＤｂの面積を大きくできる。また、凹部ＬＤｄの内面を、互いに交差する複数の面で構成した場合、半田と凹部ＬＤｄの接触面積が大きくなるので、実装強度を向上させることができる。【0180】
また、例えば、上記実施の形態では、吊りリードＴＬにハーフエッチング処理を施すことにより、吊りリードＴＬの一部を封止してダイパッドＤＰが封止体ＭＲから脱落し難くする構成について説明した。このハーフエッチング処理の変形例として、吊りリードＴＬの他、ダイパッドＤＰや、リードＬＤの一部にハーフエッチング処理を施すことができる。図３６は、図１５に対する変形例であるリードフレームの実装面側を示す拡大平面図である。また、図３７は、図３６に示すリードフレームを用いて製造した半導体装置の断面図であって、図５に対する変形例である。【0181】
図３６に示すリードフレームＬＦ１は、ダイパッドＤＰの下面ＤＰｂの周囲、およびリードＬＤのダイパッドＤＰ側の端部に、ハーフエッチング処理が施され、薄肉部ＬＦｈｆが形成されている点で図１５に示すリードフレームＬＦと相違する。上記以外の点では、図１５に示すリードフレームＬＦと同じ構造である。リードフレームＬＦ１のように、ダイパッドＤＰの下面ＤＰｂの周囲を囲むように、薄肉部ＬＦｈｆを形成すると、図３７に示すように、ダイパッドＤＰの周縁部が、封止体ＭＲにより封止される。これにより、ダイパッドＤＰが封止体ＭＲから脱落することをさらに確実に抑制できる。【0182】
また、リードフレームＬＦ１のように、複数のリードＬＤそれぞれのダイパッドＤＰ側の端部に薄肉部ＬＦｈｆを形成すると、図３７に示す半導体装置１Ｂのように、リードＬＤの薄肉部ＬＦｈｆが、封止体ＭＲにより封止される。これにより、リードＬＤが封止体ＭＲから脱落することを抑制できる。【0183】
また例えば、上記した種々の変形例同士を組み合わせることもできる。【0184】
その他、上記実施の形態に記載された内容の一部を以下に記載する。【0185】
〔付記１〕半導体チップと、
前記半導体チップが搭載された上面と、前記上面とは反対側の面である下面と、を有するチップ搭載部と、
それぞれが前記チップ搭載部の近傍に配置され、前記半導体チップと電気的に接続された複数のリードと、
第１封止体上面、前記第１封止体上面とは反対側の面である第１封止体下面、およびその厚さ方向において前記第１封止体上面と前記第１封止体下面との間に位置する複数の側面を有し、前記半導体チップと、前記複数のリードのそれぞれの一部と、を封止する封止体と、を備え、
前記複数のリードのそれぞれは、
第１リード上面と、
前記第１リード上面とは反対側の面である第１リード下面と、
その厚さ方向において、前記第１リード上面と前記第１リード下面との間に位置する第２リード下面と、
その厚さ方向において、前記第１リード下面と前記第２リード下面との間に位置し、かつ前記第１リード下面と前記第２リード下面とに連なる第１リード側面と、
その厚さ方向において、前記第２リード下面と前記第１リード上面との間に位置し、かつ前記第２リード下面と前記第１リード上面とに連なり、前記第１リード側面より外側に位置する第２リード側面と、を有し、
前記第１リード上面は、前記封止体により覆われ、
前記第１リード下面は、前記封止体の前記第１封止体下面より露出し、
前記第１リード側面は、前記封止体の前記複数の側面の内、前記第１封止体下面に連なる第１封止体側面から露出し、かつ前記第１封止体側面と同一の平面になっており、
前記第２リード側面は、前記封止体の前記複数の側面の内、前記第１封止体上面に連なり、前記第１封止体側面より外側に位置する第２封止体側面から露出し、かつ前記第２封止体側面と同一の平面になっており、
前記第１リード下面側から見た時に、前記第１リード下面には前記複数のリードのそれぞれが延在する第１方向と直交する第２方向における幅が前記複数のリードのそれぞれの幅よりも狭い凹部が形成され、
前記第１リード下面側から見た時に、前記凹部の第１端部は前記第１リード側面に到達し、前記凹部の前記第１端部とは反対側に位置する第２端部は前記第１リード下面内で終端し、半導体装置。
【0186】
〔付記２〕付記１に記載の半導体装置において、
前記第１リード下面側から見た時に、前記第１方向における前記第１リード下面の長さは、前記第２方向における前記第２リード下面の幅よりも長く、
前記第１リード下面側から見た時に、前記第１方向における前記凹部の長さは、前記第２方向における前記凹部の幅よりも長い、半導体装置。
【0187】
〔付記３〕付記１に記載の半導体装置において、
前記チップ搭載部の前記下面は、前記封止体の前記第１封止体下面から露出している、半導体装置。
【0188】
〔付記４〕付記１に記載の半導体装置において、
前記封止体は、前記第１封止体側面と前記第２封止体側面とに連なる第２封止体下面を有し、
前記複数のリードのそれぞれの前記第２リード下面は、前記封止体の前記第２封止体下面から露出し、かつ前記第２封止体下面と同一の平面になっており、
第１吊りリード上面と、前記第１吊りリード上面とは反対側の面である第１吊りリード下面と、を有し、前記チップ搭載部に連結された吊りリードをさらに有し、
前記吊りリードの前記第１吊りリード上面から前記第１吊りリード下面までの厚みは、前記複数のリードのそれぞれの前記第１リード上面から前記第１リード下面までの厚みより薄く、
前記封止体の前記第１封止体下面側から見た時に、前記封止体の前記第１封止体下面に前記吊りリードは露出しておらず、前記封止体の前記第２封止体下面に前記吊りリードの前記第１吊りリード下面の一部が露出している、半導体装置。
【0189】
〔付記５〕付記４に記載の半導体装置において、
前記チップ搭載部の厚さ方向において、前記チップ搭載部の前記上面の高さと前記吊りリードの前記第１吊りリード上面の高さは同一となっている、半導体装置。
【0190】
〔付記６〕付記１に記載の半導体装置において、
前記半導体チップの表面には複数の電極パッドが形成され、
前記複数の電極パッドのそれぞれと前記複数のリードのそれぞれの前記第１リード上面とは複数の金属ワイヤを介してそれぞれ電気的に接続されている、半導体装置。
【0191】
〔付記７〕付記６に記載の半導体装置において、
前記複数のリードのそれぞれの前記第１リード上面の前記金属ワイヤが接続された部分には第２金属膜が形成されている、半導体装置。
【0192】
〔付記８〕付記７に記載の半導体装置において、
前記第２金属膜は、銀を主要な成分とする金属で構成されている、半導体装置。
【符号の説明】
【0193】
１、１Ａ、１Ｂ 半導体装置１０ 検査装置（外観検査装置）
１１ 光照射部
１２ 撮像部
１３ 制御部
ＡＮ 陽極
ＡＸ 回転軸
ＢＤ１、ＢＤ２ ブレード（回転刃）
ＢＭ 金属膜（めっき、めっき膜）
ＢＷ ワイヤ（導電性部材）
ＣＢＴ キャビティ（凹部）
ＣＨＰ 半導体チップ
ＣＰ キャピラリ
ＣＰｂ 裏面（主面、下面）
ＣＰｓ 側面
ＣＰｔ 表面（主面、上面）
ＣＴ 陰極
ＤＢ ダイボンド材（接着材）
ＤＬ 延在方向
ＤＰ ダイパッド（チップ搭載部、タブ）
ＤＰｂ 下面（実装面）
ＤＰｔ 上面（チップ搭載面）
ＤＴ テープ（ダイシングテープ）
ＤＷ 幅方向
ＦｂＳ１、ＦｂＳ２、ＦＳ１、ＦＳ２、ＦＳ３、ＦＳ４、ＦＳ５、ＦＳ６ 辺
ＧＰ 段差部
ＨＳ ヒートステージ（リードフレーム加熱台）
ＪＭ 接合材
ＬＤ、ＬＤ１、ＬＤ２ リード（端子、外部端子）
ＬＤｂ 下面（実装面、リード下面）
ＬＤｄ 凹部（リセス、ディンプル、窪み部）
ＬＤｇ 下面（段差面、中間面、リード下面）
ＬＤｓ 側面（リード側面）
ＬＤｓｇ 側面（リード側面、内側面）
ＬＤｔ 上面（ワイヤボンディング面、リード上面）
ＬＤｔｒ 溝部（ディンプル、凹部、窪み部）
ＬＤｗ１、ＬＤｗ２ 壁部
ＬＦ、ＬＦ１ リードフレーム
ＬＦｃ ダイシング領域（ダイシングライン）
ＬＦｄ、ＬＦｄ１、ＬＦｄ２ デバイス領域（製品形成領域）
ＬＦｆ 示す外枠（枠体）
ＬＦｈｆ 薄肉部（ハーフエッチング部）
ＬＦｔｂ タイバー（連結部、リード連結部）
ＬＭＦ 樹脂フィルム（フィルム材）
ＬＮＤ ランド（端子）
ＬＮＤａ ランド（リード接続用端子）
ＬＮＤｂ ランド（ダイパッド接続用端子）
ＭＢ 実装基板（マザーボード、配線基板）
Ｍｂｒ１、Ｍｂｒ２、Ｍｂｒ３ 金属バリ
ＭＢｔ 上面（搭載面、電子機器搭載面）
ＭＤ 成形金型
ＭＤ１ 上型（金型）
ＭＤ２ 下型（金型）
ＭＤｃ１、ＭＤｃ２ クランプ面（金型面、押し付け面、面）
ＭＰＴｆ めっき液
ＭＰＴｔ めっき槽
ＭＲ 封止体（樹脂体）
ＭＲｂ 下面（裏面、実装面、封止体下面）
ＭＲｇ 下面（段差面、中間面）
ＭＲｋ 角部
ＭＲｓ 側面（封止体側面）
ＭＲｓｇ 側面（封止体側面）
ＭＲｔ 上面（封止体上面）
ＮＺ１ ノズル
ＰＤ パッド（電極、ボンディングパッド）
ＳＣＭ 金属屑
ＳＤ 金属膜（めっき層、半田材、半田膜、めっき半田膜）
ＳＰ 接合材
ＳＲｍ 絶縁膜（ソルダレジスト膜）
ＳＴ 切り込み部（切削溝、段差部）
ＴＬ 複数の吊りリード
ＴＬ 吊りリード
ＴＬ１ 封止部
ＴＬ２ 露出部
ＴＬｂ１、ＴＬｂ２ 下面（吊りリード下面）
ＴＬｓ 側面（吊りリード側面）
ＴＬｓｇ 側面（吊りリード側面）
ＴＬｔ 上面（吊りリード上面）
ＷＦ１ 洗浄液