特許 6358405 封止用フィルム、電子部品搭載基板の封止方法および封止用フィルム被覆電子部品搭載基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6358405

(24)【登録日】2018年6月29日

(45)【発行日】2018年7月18日

(54)【発明の名称】封止用フィルム、電子部品搭載基板の封止方法および封止用フィルム被覆電子部品搭載基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/28 20060101AFI20180709BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20180709BHJP

   H05K 9/00 20060101ALI20180709BHJP

   H01L 23/28 20060101ALI20180709BHJP

【ＦＩ】

   H05K3/28 G

   H05K1/02 P

   H05K9/00 Q

   H01L23/28 F

【請求項の数】27

【全頁数】122

(21)【出願番号】特願2017-553448(P2017-553448)

(86)(22)【出願日】2017年7月4日

(86)【国際出願番号】JP2017024556

(87)【国際公開番号】WO2018008657

(87)【国際公開日】20180111

【審査請求日】2018年2月13日

(31)【優先権主張番号】特願2016-135800(P2016-135800)

(32)【優先日】2016年7月8日

(33)【優先権主張国】JP

(31)【優先権主張番号】特願2016-190448(P2016-190448)

(32)【優先日】2016年9月28日

(33)【優先権主張国】JP

(31)【優先権主張番号】特願2016-210406(P2016-210406)

(32)【優先日】2016年10月27日

(33)【優先権主張国】JP

(31)【優先権主張番号】特願2016-233645(P2016-233645)

(32)【優先日】2016年11月30日

(33)【優先権主張国】JP

(31)【優先権主張番号】特願2016-248423(P2016-248423)

(32)【優先日】2016年12月21日

(33)【優先権主張国】JP

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000002141

【氏名又は名称】住友ベークライト株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100091292

【弁理士】

【氏名又は名称】増田 達哉

(74)【代理人】

【識別番号】100091627

【弁理士】

【氏名又は名称】朝比 一夫

(72)【発明者】

【氏名】橋本 明徳

(72)【発明者】

【氏名】渡邊 雅彦

(72)【発明者】

【氏名】白石 史広

【審査官】 小林 大介

(56)【参考文献】

【文献】 国際公開第２０１４／０２７６７２（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 国際公開第２０１０／０６１５６３（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１４−０７８６９８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−０８０４８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２０１０／０１０８３７０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２００６−１３５０２０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 英国特許出願公開第０２２５４１９３（ＧＢ，Ａ）

【文献】 米国特許第０５５５７０６４（ＵＳ，Ａ）

【文献】 国際公開第２００８／０２６２４７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１３−１４７５８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−２７３５７１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｋ １／０２

Ｈ０５Ｋ ３／２８

Ｈ０５Ｋ ９／００

Ｈ０１Ｌ ２３／２８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、該基板の一方の面側に搭載された電子部品とを備える電子部品搭載基板を封止するのに用いられる封止用フィルムであって、
絶縁層と、該絶縁層の一方の面側に積層された電磁波シールド層とを有し、
前記絶縁層は、ポリオレフィン系樹脂を主材料として含有し、前記電磁波シールド層は、アイオノマー樹脂を主材料として含有し、当該封止用フィルムは、ＪＩＳ Ｋ ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であることを特徴とする封止用フィルム。

【請求項2】

前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに有し、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備えている請求項１に記載の封止用フィルム。

【請求項3】

前記突出部は、前記電極に対応して形成され、前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記電極に接触する請求項２に記載の封止用フィルム。

【請求項4】

前記電極は、前記基板の縁部、もしくは電子部品の周囲に設けられている請求項２または３に記載の封止用フィルム。

【請求項5】

前記電極は、グランド電極である請求項２ないし４のいずれか１項に記載の封止用フィルム。

【請求項6】

当該封止用フィルムは、前記電磁波シールド層の前記絶縁層と反対側に積層された被覆層をさらに備え、
前記絶縁層を前記基板の一方の面側にして、前記電子部品搭載基板を封止するように構成されている請求項１に記載の封止用フィルム。

【請求項7】

前記被覆層は、前記電磁波シールド層の端部を越えて突出する第１突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第１突出部は、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側を被覆するよう構成されている請求項６に記載の封止用フィルム。

【請求項8】

前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する第２突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第２突出部は、前記基板の一方の面側で前記電極に接触するよう構成されている請求項６または７に記載の封止用フィルム。

【請求項9】

前記電子部品搭載基板は、前記基板の他方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する第２突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第２突出部は、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側で前記電極に接触するよう構成されている請求項６または７に記載の封止用フィルム。

【請求項10】

前記絶縁層は、前記電磁波シールド層の端部を越えて突出し、前記第１突出部に接触して積層された第３突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第１突出部と前記第３突出部とは、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側を前記第３突出部が接触して被覆するよう構成されている請求項７に記載の封止用フィルム。

【請求項11】

前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記被覆層の端部を越えて突出する第４突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第４突出部は、前記基板の一方の面側に折り込まれることにより、前記基板の一方の面側で前記電極に接触するよう構成されている請求項６に記載の封止用フィルム。

【請求項12】

前記絶縁層は、前記電磁波シールド層の端部を越えて突出する突出部を備えている請求項１に記載の封止用フィルム。

【請求項13】

前記電磁波シールド層は、前記電子部品に対応する位置に選択的に形成されている請求項１２に記載の封止用フィルム。

【請求項14】

前記突出部は、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側を被覆するよう構成されている請求項１２または１３に記載の封止用フィルム。

【請求項15】

前記電子部品搭載基板は、開放端面を有し、前記電子部品に電気的に接続された接続部材をさらに有し、
当該封止用フィルムは、前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記接続部材に対応する位置に逃げ部を有する請求項１に記載の封止用フィルム。

【請求項16】

前記電子部品搭載基板は、前記基板の他方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記突出部は、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより前記電極に接触するよう構成されている請求項１に記載の封止用フィルム。

【請求項17】

前記電極は、前記基板の縁部に設けられている請求項１６に記載の封止用フィルム。

【請求項18】

前記電極は、グランド電極である請求項１６または１７に記載の封止用フィルム。

【請求項19】

当該封止用フィルムは、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率が１００ｐｐｍ／Ｋ以下である請求項１ないし１８のいずれか１項に記載の封止用フィルム。

【請求項20】

当該封止用フィルムは、その平均厚さが１０μｍ以上７００μｍ以下である請求項１ないし１９のいずれか１項に記載の封止用フィルム。

【請求項21】

前記基板は、プリント配線基板である請求項１ないし２０のいずれか１項に記載の封止用フィルム。

【請求項22】

請求項２ないし５のいずれか１項に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品と前記電極を封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品と前記電極を覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記突出部が前記電極に接触した状態で、前記基板と前記電子部品と前記電極とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。

【請求項23】

請求項６ないし１１のいずれか１項に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。

【請求項24】

請求項１２ないし１４のいずれか１項に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記絶縁層を介して前記電磁波シールド層により前記電子部品を被覆した状態で、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。

【請求項25】

請求項１５に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆い、かつ、前記接続部材に前記逃げ部が対応するように前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記接続部材が封止されることなく、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。

【請求項26】

請求項１６ないし１８のいずれか１項に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品と前記電極とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置しつつ、前記突出部を、前記基板の他方の面側に折り込むことにより前記電極に接触させる工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記突出部が前記電極に接触した状態で、前記基板と前記電子部品と前記電極とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。

【請求項27】

請求項１ないし２１のいずれか１項に記載の封止用フィルムと、該封止用フィルムにより被覆された前記基板および前記電子部品を備える前記電子部品搭載基板とを有することを特徴とする封止用フィルム被覆電子部品搭載基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、封止用フィルム、電子部品搭載基板の封止方法および封止用フィルム被覆電子部品搭載基板に関するものである。

【背景技術】

【0002】

従来、携帯電話、スマートフォン、電卓、電子新聞、タブレット端末、テレビ電話、パーソナルコンピュータのような電子機器には、例えば、半導体素子、コンデンサー、コイルのような電子部品が搭載された電子部品搭載基板が実装されるが、この電子部品搭載基板は、湿気や埃等の外部因子との接触を防止することを目的に、樹脂により封止がなされることがある。

【0003】

このような樹脂による封止は、例えば、電子部品搭載基板を金属キャビティ内に配置した後に、流動性の高いウレタン樹脂のような熱硬化性樹脂を注入して封止するポッティング法の他、熱可塑性樹脂を溶融状態で電子部品搭載基板に塗布した後に、固化させることで塗布した領域をコーティング（封止）するコーティング法が知られている。

【0004】

しかしながら、ポッティング法では、熱硬化性樹脂の硬化に時間を要し、さらには、通常、封止に金属キャビティを要するため、得られる電子機器の重量化を招くと言う問題があった。また、コーティング法では、溶融状態とする熱可塑性樹脂の粘度管理が必要であり、また、熱可塑性樹脂の塗布領域に対する塗り分けに時間と手間を有するという問題があった。

【0005】

かかる問題点を解決することを目的に、ホットメルト性を有するバリアフィルムを電子部品搭載基板に貼付することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

【0006】

ところが、この場合、電子部品搭載基板が電子部品を備えることに起因して形成される凹凸に対する追従性が十分に得られず、その結果、湿気や埃等の外部因子に対するバリア性を十分に向上させるには至っていない。

【0007】

また、湿気や埃等の外部因子に対するバリア性を付与する他に、前記電子部品に対する電磁波によるノイズの影響を軽減するための電磁波シールド性を、バリアフィルム（封止用フィルム）に付与することが求められることがあった。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0008】

【特許文献1】特開２００９−９９４１７公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

本発明の目的は、電子部品搭載基板が備える電子部品の搭載に起因して生じる凹凸に対する優れた追従性、および、電子部品への電磁波によるノイズの影響を軽減するための電磁波シールド性を付与して封止することができる封止用フィルム、かかる封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法、ならびに、かかる封止用フィルムを備える封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0010】

このような目的は、下記（１）〜（２７）に記載の本発明により達成される。
（１） 基板と、該基板の一方の面側に搭載された電子部品とを備える電子部品搭載基板を封止するのに用いられる封止用フィルムであって、
絶縁層と、該絶縁層の一方の面側に積層された電磁波シールド層とを有し、
前記絶縁層は、ポリオレフィン系樹脂を主材料として含有し、前記電磁波シールド層は、アイオノマー樹脂を主材料として含有し、当該封止用フィルムは、ＪＩＳ Ｋ ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であることを特徴とする封止用フィルム。

【0011】

（２） 前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに有し、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備えている上記（１）に記載の封止用フィルム。

【0012】

（３） 前記突出部は、前記電極に対応して形成され、前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記電極に接触する上記（２）に記載の封止用フィルム。

【0013】

（４） 前記電極は、前記基板の縁部、もしくは電子部品の周囲に設けられている上記（２）または（３）に記載の封止用フィルム。

【0014】

（５） 前記電極は、グランド電極である上記（２）ないし（４）のいずれかに記載の封止用フィルム。

【0015】

（６） 当該封止用フィルムは、前記電磁波シールド層の前記絶縁層と反対側に積層された被覆層をさらに備え、
前記絶縁層を前記基板の一方の面側にして、前記電子部品搭載基板を封止するように構成されている上記（１）に記載の封止用フィルム。

【0016】

（７） 前記被覆層は、前記電磁波シールド層の端部を越えて突出する第１突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第１突出部は、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側を被覆するよう構成されている上記（６）に記載の封止用フィルム。

【0017】

（８） 前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する第２突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第２突出部は、前記基板の一方の面側で前記電極に接触するよう構成されている上記（６）または（７）に記載の封止用フィルム。

【0018】

（９） 前記電子部品搭載基板は、前記基板の他方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する第２突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第２突出部は、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側で前記電極に接触するよう構成されている上記（６）または（７）に記載の封止用フィルム。

【0019】

（１０） 前記絶縁層は、前記電磁波シールド層の端部を越えて突出し、前記第１突出部に接触して積層された第３突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第１突出部と前記第３突出部とは、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側を前記第３突出部が接触して被覆するよう構成されている上記（７）に記載の封止用フィルム。

【0020】

（１１） 前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記被覆層の端部を越えて突出する第４突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第４突出部は、前記基板の一方の面側に折り込まれることにより、前記基板の一方の面側で前記電極に接触するよう構成されている上記（６）に記載の封止用フィルム。

【0021】

（１２） 前記絶縁層は、前記電磁波シールド層の端部を越えて突出する突出部を備えている上記（１）に記載の封止用フィルム。

【0022】

（１３） 前記電磁波シールド層は、前記電子部品に対応する位置に選択的に形成されている上記（１２）に記載の封止用フィルム。

【0023】

（１４） 前記突出部は、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側を被覆するよう構成されている上記（１２）または（１３）に記載の封止用フィルム。

【0024】

（１５） 前記電子部品搭載基板は、開放端面を有し、前記電子部品に電気的に接続された接続部材をさらに有し、
当該封止用フィルムは、前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記接続部材に対応する位置に逃げ部を有する上記（１）に記載の封止用フィルム。

【0026】

（１６） 前記電子部品搭載基板は、前記基板の他方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記突出部は、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより前記電極に接触するよう構成されている上記（１）に記載の封止用フィルム。

【0027】

（１７） 前記電極は、前記基板の縁部に設けられている上記（１６）に記載の封止用フィルム。

【0028】

（１８） 前記電極は、グランド電極である上記（１６）または（１７）に記載の封止用フィルム。

【0029】

（１９） 当該封止用フィルムは、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率が１００ｐｐｍ／Ｋ以下である上記（１）ないし（１８）のいずれかに記載の封止用フィルム。

【0031】

（２０） 当該封止用フィルムは、その平均厚さが１０μｍ以上７００μｍ以下である上記（１）ないし（１９）のいずれかに記載の封止用フィルム。

【0032】

（２１） 前記基板は、プリント配線基板である上記（１）ないし（２０）のいずれかに記載の封止用フィルム。

【0033】

（２２） 上記（２）ないし（５）のいずれかに記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品と前記電極を封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品と前記電極を覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記突出部が前記電極に接触した状態で、前記基板と前記電子部品と前記電極とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。

【0034】

（２３） 上記（６）ないし（１１）のいずれかに記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。

【0035】

（２４） 上記（１２）ないし（１４）のいずれかに記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記絶縁層を介して前記電磁波シールド層により前記電子部品を被覆した状態で、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。

【0036】

（２５） 上記（１５）に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆い、かつ、前記接続部材に前記逃げ部が対応するように前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記接続部材が封止されることなく、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。

【0037】

（２６） 上記（１６）ないし（１８）のいずれかに記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品と前記電極とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置しつつ、前記突出部を、前記基板の他方の面側に折り込むことにより前記電極に接触させる工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記突出部が前記電極に接触した状態で、前記基板と前記電子部品と前記電極とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。

【0038】

（２７） 上記（１）ないし（２１）のいずれかに記載の封止用フィルムと、該封止用フィルムにより被覆された前記基板および前記電子部品を備える前記電子部品搭載基板とを有することを特徴とする封止用フィルム被覆電子部品搭載基板。

【発明の効果】

【0039】

本発明によれば、封止用フィルムが樹脂材料を主材料として構成され、ＪＩＳ Ｋ ６２５１に準拠して求められる軟化点における封止用フィルムの伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。かかる封止用フィルムを、まず、基板と電子部品とを覆うように電子部品搭載基板上に配置する。その後、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに減圧する。その後、封止用フィルムを冷却させるとともに加圧する。以上の工程を経ることにより、封止用フィルムが、基板に電子部品を搭載することで形成される凹凸に対して、優れた追従性をもって封止した状態で、基板と電子部品とを被覆することができる。そのため、この封止用フィルムを被覆することで得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板において、電子部品（特に、電子部品）が湿気や埃等の外部因子と接触するのを的確に抑制または防止することができる。
また、封止用フィルムにより、基板と電子部品とを被覆する際に、電子部品は、絶縁層を介して電磁波シールド層で封止されるため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板は、電子部品への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとなる。

【図面の簡単な説明】

【0040】

【図1】図１は、本発明の封止用フィルムの第１実施形態を示す縦断面図である。

【図2】図２（ａ）〜（ｃ）は、図１に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。

【図3】図３は、本発明の封止用フィルムの第２実施形態を示す縦断面図である。

【図4】図４（ａ）〜（ｃ）は、図３に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。

【図5】図５は、本発明の封止用フィルムの第３実施形態を示す縦断面図である。

【図6】図６（ａ）〜（ｃ）は、図５に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。

【図7】図７は、本発明の封止用フィルムの第４実施形態を示す縦断面図である。

【図8】図８（ａ）〜（ｃ）は、図７に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。

【図9】図９は、本発明の封止用フィルムの第５実施形態を示す縦断面図である。

【図10】図１０（ａ）〜（ｃ）は、図９に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。

【図11】図１１は、本発明の封止用フィルムの第６実施形態を示す縦断面図である。

【図12】図１２（ａ）〜（ｃ）は、図１１に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。

【図13】図１３は、本発明の封止用フィルムの第７実施形態を示す縦断面図である。

【図14】図１４（ａ）〜（ｃ）は、図１３に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。

【図15】図１５は、本発明の封止用フィルムの第８実施形態を示す縦断面図である。

【図16】図１６（ａ）〜（ｃ）は、図１５に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。

【図17】図１７は、本発明の封止用フィルムの第９実施形態を示す縦断面図である。

【図18】図１８（ａ）〜（ｃ）は、図１７に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。

【図19】図１９は、本発明の封止用フィルムの第１０実施形態を示す縦断面図である。

【図20】図２０（ａ）〜（ｃ）は、図１９に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。

【図21】図２１は、本発明の封止用フィルムの第１１実施形態を示す縦断面図である。

【図22】図２２（ａ）〜（ｃ）は、図２１に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。

【図23】図２３（ａ）および（ｂ）は、封止用フィルムの第１参考形態を示す図である。

【図24】図２４（ａ）〜（ｃ）は、図２３に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。

【図25】図２５（ａ）および（ｂ）は、本発明の封止用フィルムの第１２実施形態を示す図である。

【図26】図２６（ａ）〜（ｃ）は、図２５に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。

【図27】図２７（ａ）および（ｂ）は、本発明の封止用フィルムの第１３実施形態を示す図である。

【図28】図２８（ａ）〜（ｃ）は、図２７に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。

【図29】図２９（ａ）および（ｂ）は、本発明の封止用フィルムの第１４実施形態を示す図である。

【図30】図３０（ａ）〜（ｃ）は、図２９に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。

【図31】図３１（ａ）および（ｂ）は、本発明の封止用フィルムの第１５実施形態を示す図である。

【図32】図３２（ａ）〜（ｃ）は、図３１に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。

【図33】図３３（ａ）および（ｂ）は、本発明の封止用フィルムの第１６実施形態を示す図である。

【図34】図３４（ａ）〜（ｃ）は、図３３に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。

【図35】図３５（ａ）および（ｂ）は、本発明の封止用フィルムの第１７実施形態を示す図である。

【図36】図３６（ａ）〜（ｃ）は、図３５に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。

【図37】図３７（ａ）および（ｂ）は、本発明の封止用フィルムの第１８実施形態を示す図である。

【図38】図３８（ａ）〜（ｃ）は、図３７に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。

【図39】図３９（ａ）および（ｂ）は、本発明の封止用フィルムの第１９実施形態を示す図である。

【図40】図４０（ａ）〜（ｃ）は、図３９に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。

【図41】図４１（ａ）および（ｂ）は、本発明の封止用フィルムの第２０実施形態を示す図である。

【図42】図４２（ａ）〜（ｃ）は、図４１に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。

【図43】図４３は、本発明の封止用フィルムの第２１実施形態を示す縦断面図である。

【図44】図４４（ａ）〜（ｃ）は、図４３に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0041】

以下、本発明の封止用フィルム、電子部品搭載基板の封止方法および封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて、詳細に説明する。

【0042】

本発明の封止用フィルムは、基板と、該基板の一方の面側に搭載された電子部品とを備える電子部品搭載基板を封止するのに用いられる封止用フィルムであって、絶縁層と、該絶縁層の一方の面側に積層された電磁波シールド層とを有し、、絶縁層および電磁波シールド層は、ともに、樹脂材料を含有し、この封止用フィルムは、ＪＩＳ Ｋ ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であることを特徴とする。

【0043】

また、本発明の電子部品搭載基板の封止方法は、上記の封止用フィルムを用いて、電子部品搭載基板が備える基板と電子部品とを被覆する電子部品搭載基板の封止方法であり、基板と電子部品とを覆うように、絶縁層を電子部品搭載基板側にして封止用フィルムを電子部品搭載基板上に配置する工程（配置工程）と、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程（加熱・減圧工程）と、封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、基板と電子部品とを封止用フィルムで封止する工程（冷却・加圧工程）とを有することを特徴とする。

【0044】

このような封止用フィルムを、基板上に電子部品が搭載されることにより形成された凹凸の被覆に適用すると、前記冷却・加圧工程において、軟化された状態の封止用フィルムが、加圧された状態で冷却されることから、凹凸に対して優れた追従性をもって封止した状態で、基板と電子部品とを被覆することができる。そのため、この封止用フィルムを被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板において、電子部品が湿気や埃等の外部因子と接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を備える電子機器の信頼性の向上を図ることができる。

【0045】

また、封止用フィルムにより、基板と電子部品とを被覆する際に、電子部品は、絶縁層を介して電磁波シールド層で封止される。そのため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板は、電子部品への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとなる。

【0046】

なお、電子部品が搭載された基板の一方の面側に、電子部品に電気的に接続される電極が設けられている場合には、封止用フィルムが、基板上に電子部品および電極が搭載されることにより形成される凹凸に対する優れた追従性をもって、基板、電子部品および電極を封止（被覆）することができる。この場合にも、上述した効果が得られる。

【0047】

＜第１実施形態＞
［封止用フィルム］
まず、本発明の封止用フィルム１００の第１実施形態について説明する。

【0048】

図１は、本発明の封止用フィルムの第１実施形態を示す縦断面図、図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

【0049】

封止用フィルム１００は、絶縁層１２と、この絶縁層１２の一方の面側（上面側）に積層された電磁波シールド層１３とを備え、絶縁層１２および電磁波シールド層１３が、ともに、樹脂材料を含有し、ＪＩＳ Ｋ ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。

【0050】

このような絶縁層１２と電磁波シールド層１３とを備える積層体で構成される封止用フィルム１００は、前記伸び率が前記範囲内を満足し得るものであれば、これら絶縁層１２と電磁波シールド層１３とに含まれる樹脂材料は、如何なるもので構成されていてもよい。かかる樹脂材料は、例えば、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、エチレン共重合体、延伸ポリプロピレン、未延伸ポリプロピレンのようなポリオレフィン系樹脂、アイオノマー樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートのようなポリエステル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ナイロン−６、ナイロン−６，６、ナイロン−６，１０、ヘキサメチレンジアミンとテレフタル酸とからなるナイロン−６Ｔ、ヘキサメチレンジアミンとイソフタル酸とからなるナイロン−６Ｉ、ノナンジアミンとテレフタル酸とからなるナイロン−９Ｔ、メチルペンタジアミンとテレフタル酸とからなるナイロン−Ｍ５Ｔ、カプロラクタムとラウリルラクタムとからなるナイロン−６，１２、ヘキサメチレンジアミンとアジピン酸とカプロラクタムとからなるナイロン−６、ナイロン−６，６のようなポリアミド系樹脂、アクリル樹脂、スチレン系樹脂、ポリ塩化ビニルおよびポリビニルアルコール等の熱可塑性樹脂が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、絶縁層１２および電磁波シールド層１３のそれぞれに含まれる樹脂材料は、同一であってもよいし、異なっても良い。

【0051】

さらに、絶縁層１２と電磁波シールド層１３とに含まれる樹脂材料は、上述した熱可塑性樹脂材料の他に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂のような熱硬化性樹脂やアクリル樹脂やウレタン樹脂のようなＵＶ硬化性樹脂が含まれていてもよい。

【0052】

このような樹脂材料を含有する絶縁層１２および電磁波シールド層１３のうち、絶縁層１２は、前記樹脂材料を主材料として含有する層で構成され、電磁波シールド層１３は、前記樹脂材料と、導電性を備える導電性粒子とを含有する層で構成される。絶縁層１２および電磁波シールド層１３をかかる構成とすることで、絶縁層１２が、絶縁性を有し、電磁波シールド層１３が、導電性および電磁波シールド性の双方を有する。

【0053】

上記のような樹脂材料を含有する絶縁層１２と電磁波シールド層１３とを備える封止用フィルム１００は、ポリオレフィン系樹脂を前記樹脂材料として含有する層を、絶縁層１２および電磁波シールド層１３のうちの少なくとも１層として備えることが好ましい。これにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を容易に１５０％以上３５００％以下に設定することができる。

【0054】

そこで、以下では、前記樹脂材料を主材料として含有する絶縁層１２と、前記樹脂材料と導電性粒子とを含有する電磁波シールド層１３とを備え、絶縁層１２に含まれる樹脂材料がポリオレフィン系樹脂である封止用フィルム１００を、一例として説明する。

【0055】

図１、２に示すように、本実施形態において、封止用フィルム１００は、電磁波シールド層１３と、絶縁層１２とを備え、これらが、被覆すべき電子部品搭載基板４５の反対側（上面側）から、この順で積層されている積層体で構成されている。そして、電磁波シールド層１３は、絶縁層１２よりも大きく形成され、その端部が絶縁層１２の端部（縁部）から露出している。換言すれば、電磁波シールド層１３は、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１５を備えている。

【0056】

なお、封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、基板５と、基板５の上面（一方の面）の中央部に搭載（載置）された電子部品４と、この電子部品４に電気的に接続され、基板５の上面の端部に形成された電極３とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４および電極３の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成され、この凹凸６が、封止用フィルム１００を用いて被覆される。なお、基板５としては、例えば、プリント配線基板が挙げられ、基板５上に搭載する電子部品４としては、例えば、半導体素子、コンデンサー、コイル、コネクターおよび抵抗等が挙げられ、電極３としては、例えば、外部から電気を供給するための電源と接続するための電極、他の電子部品と電気的に接続するための電極、および、電子部品４を接地するためのグランド電極等が挙げられる。

【0057】

絶縁層１２は、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定して、凹凸６への優れた密着性および優れた形状追従性を持たせることを目的に、本実施形態では、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有する層である。

【0058】

また、絶縁層１２は、樹脂材料としてエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有することで、絶縁性を備える層である。この絶縁層１２は、電子部品搭載基板４５を封止用フィルム１００で被覆する際に、電子部品４と導電性を有する電磁波シールド層１３との間に介在することで、電子部品４同士、さらには電子部品４と電極３との間で短絡が生じるのを防止するための層として機能する。

【0059】

このエチレン−酢酸ビニル共重合体としては、共重合されるＶＡ含有量が５重量％以上３０重量％以下であることが好ましく、１０重量％以上２０重量％以下であることがより好ましい。前記下限値未満であると、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を前記範囲内に設定することが困難となるおそれがある。これに対して、前記上限値を超えると、絶縁層１２を構成する樹脂の結晶部が減少し、非結晶部が増加する傾向を示すことに起因して、絶縁層１２に残存する酸化防止剤等の添加剤が溶出するおそれがある。そのため、電子部品搭載基板４５側に移行し、その結果、電子部品４の特性に不都合が生じるおそれがある。

【0060】

また、絶縁層１２の平均厚さは、５μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上１２０μｍ以下であることがより好ましい。絶縁層１２の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定することができる。また、電磁波シールド層１３の電子部品４に対する絶縁性をより確実に確保することができる。

【0061】

なお、絶縁層１２に含まれる樹脂材料としては、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体の他、後述する電磁波シールド層１３に含まれるアイオノマー樹脂であってもよいし、エチレン−酢酸ビニル共重合体以外のポリオレフィン系樹脂であってもよい。

【0062】

電磁波シールド層１３は、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定して、凹凸６への密着性および形状追従性に優れたものとすること、さらには、封止用フィルム１００を強靱性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、樹脂材料としてアイオノマー樹脂を含有する。また、樹脂材料（アイオノマー）は、下記の導電性材料を層中に保持するバインダーとしても機能する。

【0063】

また、電磁波シールド層１３は、樹脂材料としてアイオノマー樹脂の他に、さらに、導電性を有する導電性粒子を含有することで、導電性および電磁波シールド性を備える層である。そして、この電磁波シールド層１３は、絶縁層１２よりも大きく形成され、その中央部において絶縁層１２が積層されるが、端部において、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１５を備えている。

【0064】

このような電磁波シールド層１３により、電子部品搭載基板４５を封止用フィルム１００で被覆する際に、その中央部では、絶縁層１２を介して、電子部品４が被覆される。そのため、電子部品搭載基板４５を封止用フィルム１００で被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとすることができる。さらに、電磁波シールド層１３の端部では、絶縁層１２が介在することなく、導電性を有する突出部１５が電極３を直接被覆することで、電極３が突出部１５（電磁波シールド層１３）に電気的に接続される。そのため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１５を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。

【0065】

ここで、本明細書中において、樹脂材料としてのアイオノマー樹脂とは、エチレンおよび（メタ）アクリル酸を重合体の構成成分とする２元共重合体や、エチレン、（メタ）アクリル酸および（メタ）アクリル酸エステルを重合体の構成成分とする３元共重合体を、金属イオンで架橋した樹脂のことを言い、これらのうちの１種または２種を組み合わせて用いることができる。

【0066】

また、金属イオンとしては、例えば、カリウムイオン（Ｋ^＋）、ナトリウムイオン（Ｎａ^＋）、リチウムイオン（Ｌｉ^＋）、マグネシウムイオン（Ｍｇ^＋＋）、亜鉛イオン（Ｚｎ^＋＋）等が挙げられる。これらの中でも、ナトリウムイオン（Ｎａ^＋）または亜鉛イオン（Ｚｎ^＋＋）であることが好ましい。これにより、アイオノマー樹脂における架橋構造が安定化されるため、前述した電磁波シールド層１３としての機能をより顕著に発揮させることができる。

【0067】

さらに、エチレンおよび（メタ）アクリル酸を重合体の構成成分とする２元共重合体、もしくは、エチレン、（メタ）アクリル酸および（メタ）アクリル酸エステルを重合体の構成成分とする３元共重合体のカルボキシル基における陽イオン（金属イオン）による中和度は、好ましくは４０ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下である。

【0068】

また、導電性粒子は、電磁波シールド層１３に導電性および電磁波シールド性の双方を付与し得るものであれば、特に限定されず、例えば、金、銀、銅、鉄、ニッケルおよびアルミニウム、またはこれらを含む合金のような金属、および、ＡＦｅ_２Ｏ_４（式中、Ａは、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕまたはＺｎである）で表されるフェライト、ＩＴＯ、ＡＴＯ、ＦＴＯのような金属酸化物等を含むものが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、導電性粒子は、このような金属および／または金属酸化物を含むものの他、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレンのような導電性高分子、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、カーボンブラックのような炭素系材料を含有するものであってもよい。

【0069】

導電性粒子の平均粒径は、１．０μｍ以上１０．０μｍ以下であるのが好ましく、３．０μｍ以上８．０μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、導電性粒子を電磁波シールド層１３中に均一に分散させることができる。そのため、電磁波シールド層１３は、その特性を均質に発揮することができる。

【0070】

また、電磁波シールド層１３中における導電性粒子の含有量は、１０重量％以上９５重量％以下であることが好ましく、５０重量％以上９０重量％以下であることがより好ましい。導電性粒子の含有量をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド層１３に導電性および電磁波シールド性の双方を確実に付与しつつ、軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定された封止用フィルム１００を得ることができる。

【0071】

また、電磁波シールド層１３の平均厚さは、１μｍ以上４００μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上２００μｍ以下であることがより好ましい。電磁波シールド層１３の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００を強靱性に優れ、かつ、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定することができる。さらに、電磁波シールド層１３に、導電性および電磁波シールド性の双方を確実に付与することができる。

【0072】

なお、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料としては、アイオノマー樹脂の他、絶縁層１２に含まれるエチレン−酢酸ビニル共重合体や、それ以外のポリオレフィン系樹脂であってもよい。

【0073】

また、封止用フィルム１００では、絶縁層１２と電磁波シールド層１３との間には、接着性を付与したり、あるいは接着性を高めるために必要に応じて接着層を設けるようにすることもできる。また、絶縁層１２と電子部品搭載基板４５との間の接着性を高めるために、必要に応じて絶縁層１２の内側に接着層を設けることもできる。

【0074】

接着層に含まれる接着性樹脂としては、例えば、ＥＶＡ、エチレン−無水マレイン酸共重合体、ＥＡＡ、ＥＥＡ、エチレン−メタクリレート−グリシジルアクリレート三元共重合体、あるいは、各種ポリオレフィンに、アクリル酸、メタクリル酸などの一塩基性不飽和脂肪酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸などの二塩基性不飽和脂肪酸またはこれらの無水物をグラフトさせたもの、例えば、マレイン酸グラフト化ＥＶＡ、マレイン酸グラフト化エチレン−α−オレフィン共重合体、スチレン系エラストマー、アクリル樹脂等、公知の粘着性樹脂や接着性樹脂を適宜、使用することができる。

【0075】

さらに、電磁波シールド層１３と絶縁層１２とが積層された封止用フィルム１００を製造する製造方法については、特に限定されず、例えば、公知の共押出法、ドライラミネート法、押出ラミ法、塗工積層等を用いて、成膜および積層を行うことにより得ることができる。

【0076】

ここで、封止用フィルム１００を、上記のような構成の電磁波シールド層１３と絶縁層１２とを備える多層体とすることにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を比較的容易に１５０％以上３５００％以下に設定することができるが、この伸び率は、１５０％以上３５００％以下であればよいが、１５０％以上２０００％以下であることが好ましく、１０００％以上２０００％以下であることがより好ましい。これにより、封止用フィルム１００を用いて、電子部品搭載基板４５が備える凹凸６の被覆に適用した際に、凹凸６の形状に対して優れた追従性をもって封止した状態で被覆することができ、かつ、封止用フィルム１００の途中で破断されるのを的確に抑制または防止することができる。

【0077】

また、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を前記範囲内とすることにより、基板５に設けられた凹凸６における段差が１０ｍｍ以上のように大きい段差であったとしても、封止用フィルム１００を凹凸６の形状に対応して追従させることができる。

【0078】

なお、破断伸び（軟化点における伸び率）の測定は、オートグラフ装置（例えば、島津製作所製、ＡＵＴＯＧＲＡＰＨ ＡＧＳ−Ｘ等）を用いて、ＪＩＳ Ｋ ６２５１に記載の方法に準拠して測定することができる。

【0079】

また、封止用フィルム１００の軟化点は、動的粘弾性測定装置（例えば、セイコーインスツル社製、ＥＸＳＴＡＲ６０００等）を用いて、チャック間距離２０ｍｍ、昇温速度５℃／分および角周波数１０Ｈｚの条件で測定し得る。

【0080】

さらに、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましく、５ｐｐｍ／Ｋ以上５０ｐｐｍ／Ｋ以下であることがより好ましい。封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率がこのような範囲の値であると、封止用フィルム１００の加熱時において、封止用フィルム１００は、優れた伸縮性を有するため、封止用フィルム１００の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。さらに、封止用フィルム１００と、基板５、電子部品４と、さらには電極３との間で、優れた密着性を維持することができるため、電子部品搭載基板４５の駆動を繰り返すことで生じる発熱に起因する封止用フィルム１００の電子部品搭載基板４５からの剥離をより的確に抑制または防止することができる。なお、封止用フィルム１００の線膨張率は、例えば、動的粘弾性測定装置（例えば、セイコーインスツル社製、ＥＸＳＴＡＲ６０００等）を用いて算出し得る。

【0081】

封止用フィルム１００の全体としての平均厚さは、１０μｍ以上７００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上４００μｍ以下であることがより好ましい。封止用フィルム１００の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００の途中において、封止用フィルム１００が破断するのを的確に抑制または防止し得るとともに、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定することができる。

【0082】

［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第１実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。

【0083】

本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４と電極３とを覆うように封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する工程（配置工程）と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する工程（加熱・減圧工程）と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、基板５と電子部品４と電極３を封止用フィルム１００で被覆する工程（冷却・加圧工程）とを有する。

【0084】

以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図２（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える電磁波シールド層１３および絶縁層１２のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４と電極３とを覆うように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。

【0085】

（加熱・減圧工程）
次に、図２（ｂ）に示すように、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。

【0086】

このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち電磁波シールド層１３および絶縁層１２が軟化し、その結果、基板５上に電子部品４および電極３を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となる。

【0087】

また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の上側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。

【0088】

これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４および電極３の形状に若干追従した状態となる。

【0089】

本工程により、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。

【0090】

なお、封止用フィルム１００の加熱と、雰囲気の減圧とは、加熱の後に減圧してもよく、減圧の後に加熱してもよいが、加熱と減圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、軟化した封止用フィルム１００を、凹凸６の形状に確実に若干追従した状態とすることができる。

【0091】

（冷却・加圧工程）
次に、図２（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。

【0092】

このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなり、その結果、凹凸６の形状（電子部品４および電極３の形状）に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆される。なお、前記加熱減圧工程において、凹凸６の形状に対応して封止用フィルム１００が十分追従していれば、加圧工程を省略することができる。

【0093】

この際、本発明では、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。そのため、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを優れた密着性をもって被覆することができる。

【0094】

そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、優れた密着性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。

【0095】

これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。

【0096】

また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２と電磁波シールド層１３との積層体で構成されるが、電磁波シールド層１３は、絶縁層１２よりも大きく形成され、その中央部において絶縁層１２が積層されるが、端部において、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１５を備えている。

【0097】

そのため、本工程において、電磁波シールド層１３の中央部では、絶縁層１２を介して、電子部品４が被覆される。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０では、電子部品４への電磁波によるノイズの影響を的確に抑制または防止することができる。

【0098】

さらに、電磁波シールド層１３の端部では、絶縁層１２が介在することなく、導電性を有する突出部１５が電極３を直接被覆することで、電極３が突出部１５（電磁波シールド層１３）に電気的に接続される。そのため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１５を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。

【0099】

なお、封止用フィルム１００の冷却と、雰囲気の加圧とは、加圧の後に冷却してもよいが、冷却と加圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、凹凸６の形状に対応して、封止用フィルム１００をより優れた密着性をもって被覆させることができる。

【0100】

上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
＜第２実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第２実施形態について説明する。

【0101】

図３は、本発明の封止用フィルムの第２実施形態を示す縦断面図、図４（ａ）〜（ｃ）は、図３に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図３、図４（ａ）〜（ｃ）中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

【0102】

以下、第２実施形態について説明するが、前記第１実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。

【0103】

第２実施形態では、封止用フィルム１００が、図３、図４に示すように、電磁波シールド層１３の絶縁層１２と反対側に積層された被覆層１４をさらに備えており、それ以外は、前記第１実施形態と同様である。すなわち、本実施形態の封止用フィルム１００では、絶縁層１２と、電磁波シールド層１３と、被覆層１４とが、被覆すべき電子部品搭載基板４５側から、この順で、積層されている。また、本実施形態の封止用フィルム１００は、図４に示すように、絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が、それぞれ、略同じ大きさを有している。

【0104】

ここで、封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、本実施形態では、図４に示すように、基板５と、基板５の上面（一方の面）側の中央部に搭載（載置）された電子部品４とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成される。なお、基板５としては、例えば、プリント配線基板が挙げられ、基板５上に搭載する電子部品４としては、例えば、半導体素子、コンデンサー、コイル、コネクターおよび抵抗等が挙げられる。

【0105】

このように電子部品４が上面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、被覆層１４を上側にして、封止用フィルム１００を用いて被覆すると、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。そのため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０は、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとなる。

【0106】

また、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３により封止されていることから、電磁波シールド層１３は、この電子部品４に対する絶縁性が確保されたものとなる。さらに、電磁波シールド層１３は、電子部品４の反対側の面において、被覆層１４により被覆されている。そのため、電磁波シールド層１３は、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０の外側に位置する他の電子部品に対しても、絶縁性が確保されたものとなる。

【0107】

また、このような封止用フィルム１００の被覆層１４は、前述した絶縁層１２および電磁波シールド層１３と同様に、樹脂材料を含有している。また、前述した第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００のＪＩＳ Ｋ ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であるが、１５０％以上２０００％以下であることが好ましく、１０００％以上２０００％以下であることがより好ましい。

【0108】

封止用フィルム１００の軟化点がかかる範囲内であることにより、封止用フィルム１００を用いて、電子部品搭載基板４５が備える凹凸６の被覆に適用した際に、凹凸６の形状に対して優れた追従性をもって封止した状態で被覆することができる。そのため、この封止用フィルム１００を被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。

【0109】

また、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を前記範囲内とすることにより、基板５に設けられた凹凸６における段差が具体的な大きさとして、１０ｍｍ以上のように大きいものであったとしても、封止用フィルム１００を凹凸６の形状に対応して追従させることができる。

【0110】

前記軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている封止用フィルム１００が備える被覆層１４は、前述した絶縁層１２および電磁波シールド層１３と同様に、樹脂材料を含有している。かかる樹脂材料としては、前述した絶縁層１２および電磁波シールド層１３と同様の樹脂材料を用いることができる。なお、絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４に、それぞれ含まれる樹脂材料は、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定し得るものであれば、同一であってもよいし、異なっても良い。

【0111】

また、封止用フィルム１００の前記軟化点における伸び率を前記範囲内とするために、上述のような樹脂材料を含有する絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち、絶縁層１２および被覆層１４は、前記樹脂材料を主材料として含有する層で構成され、電磁波シールド層１３は、前記樹脂材料と、前記導電性を備える導電性粒子とを含有する層で構成される。絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４をかかる構成とすることで、絶縁層１２および被覆層１４が、絶縁性を有し、電磁波シールド層１３が、導電性および電磁波シールド性の双方を有する。

【0112】

上記のような構成をなす、何れも樹脂材料を含有する絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４を備える封止用フィルム１００は、前述した樹脂材料のうちポリオレフィン系樹脂を前記樹脂材料として含有する層を、絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうちの少なくとも１層として備えることが好ましい。これにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率をより確実に１５０％以上３５００％以下に設定することができる。

【0113】

そこで、以下では、絶縁層１２および被覆層１４に含まれる樹脂材料がともにポリオレフィン系樹脂である封止用フィルム１００を、一例として説明する。

【0114】

被覆層１４は、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定して、凹凸６への密着性および形状追従性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有する層である。

【0115】

また、被覆層１４は、樹脂材料としてエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有することで、絶縁性を備える層であり、電子部品搭載基板４５を封止用フィルム１００で被覆する際に、導電性を有する電磁波シールド層１３の電子部品４と反対の面側を被覆することで、電子部品搭載基板４５の外側に位置する他の電子部品に対する絶縁性を確保するための層として機能する。

【0116】

このエチレン−酢酸ビニル共重合体としては、共重合されるＶＡ含有量は、前述した絶縁層１２で示した共重合されるＶＡ含有量と同様の範囲内に設定される

【0117】

また、被覆層１４の平均厚さは、５μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上１２０μｍ以下であることがより好ましい。被覆層１４の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下の範囲内により確実に設定することができる。また、封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０の外側に位置する電子部品に対する電磁波シールド層１３の絶縁性をより確実に確保することができる。

【0118】

なお、被覆層１４に含まれる樹脂材料としては、絶縁層１２と同様に、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体の他、前述した電磁波シールド層１３に含まれるアイオノマー樹脂であってもよいし、エチレン−酢酸ビニル共重合体以外のポリオレフィン系樹脂であってもよい。

【0119】

また、封止用フィルム１００では、絶縁層１２と電磁波シールド層１３との間、および、電磁波シールド層１３と被覆層１４との間には、接着性を付与したり、あるいは接着性を高めるために必要に応じて接着層を設けるようにすることもできる。また、絶縁層１２と電子部品搭載基板４５との間の接着性を高めるために、必要に応じて絶縁層１２の内側、すなわち絶縁層１２と基板５との間に、前述した第１実施形態と同様の接着層を設けることもできる。

【0120】

さらに、絶縁層１２と電磁波シールド層１３と被覆層１４とが積層された封止用フィルム１００を製造する製造方法については、特に限定されず、例えば、公知の共押出法、ドライラミネート法、押出ラミ法、塗工積層等を用いて、成膜および積層を行うことにより得ることができる。

【0121】

ここで、封止用フィルム１００を、上記のような構成の絶縁層１２と電磁波シールド層１３と被覆層１４とを備える多層体とすることにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を比較的容易に１５０％以上３５００％以下に設定することができる。

【0122】

さらに、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、封止用フィルム１００の加熱時において、封止用フィルム１００は、優れた伸縮性を有するものとなるため、封止用フィルム１００の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。さらに、封止用フィルム１００と、基板５さらには電子部品４との間で、優れた密着性を維持することができるため、電子部品搭載基板４５の駆動を繰り返すことで生じる発熱に起因する封止用フィルム１００の電子部品搭載基板４５からの剥離をより的確に抑制または防止することができる。

【0123】

封止用フィルム１００の全体としての平均厚さは、１０μｍ以上７００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上４００μｍ以下であることがより好ましい。封止用フィルム１００の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００の途中において、封止用フィルム１００が破断するのを的確に抑制または防止し得るとともに、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定することができる。

【0124】

［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第２実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。

【0125】

本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆うように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。

【0126】

以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図４（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆うように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する（図４（ｂ））。

【0127】

（加熱・減圧工程）
次に、図４（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。

【0128】

このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となる。

【0129】

また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。

【0130】

これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となる。

【0131】

本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。

【0132】

なお、封止用フィルム１００の加熱と、雰囲気の減圧とは、加熱の後に減圧してもよく、減圧の後に加熱してもよいが、加熱と減圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、軟化した封止用フィルム１００を、凹凸６の形状に確実に若干追従した状態とすることができる。

【0133】

（冷却・加圧工程）
次に、図４（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。

【0134】

このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。

【0135】

その結果、基板５の上側では凹凸６の形状（電子部品４の形状）に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆される。

【0136】

なお、前記加熱減圧工程において、凹凸６の形状に対応して封止用フィルム１００が十分追従していれば、加圧工程を省略することができる。

【0137】

この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。そのため、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができる。そのため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを優れた密着性をもって被覆することができる。

【0138】

そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを優れた密着性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。

【0139】

これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において絶縁層１２が接触した状態で基板５と電子部品４とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。

【0140】

また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２と電磁波シールド層１３と被覆層１４との積層体で構成される。

【0141】

そのため、本工程において、絶縁層１２を介して、電子部品４が電磁波シールド層１３により被覆される。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとすることができる。

【0142】

さらに、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３により封止されることから、電磁波シールド層１３は、この電子部品４に対する絶縁性を確保した状態で、電子部品４を被覆することができる。また、電磁波シールド層１３は、電子部品４の反対側の面において、被覆層１４により被覆されていることから、電磁波シールド層１３は、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０の外側に位置する他の電子部品に対しても、絶縁性が確保された状態で電子部品搭載基板４５を被覆することができる。

【0143】

なお、封止用フィルム１００の冷却と、雰囲気の加圧とは、加圧の後に冷却してもよいが、冷却と加圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、凹凸６の形状に対応して、封止用フィルム１００をより優れた密着性をもって被覆させることができる。

【0144】

上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。

【0145】

＜第３実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第３実施形態について説明する。

【0146】

図５は、本発明の封止用フィルムの第３実施形態を示す縦断面図、図６（ａ）〜（ｃ）は、図５に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図５、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

【0147】

以下、第３実施形態について説明するが、前記第１および第２実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。

【0148】

第３実施形態では、封止用フィルム１００が備える被覆層１４の構成が異なり、それ以外は、前記第２実施形態と同様である。

【0149】

第３実施形態の封止用フィルム１００において、被覆層１４は、図５、図６に示すように、電磁波シールド層１３よりも大きく形成され、その端部が電磁波シールド層１３の端部（縁部）から露出している。換言すれば、被覆層１４が、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出することで形成された突出部１５（第１突出部）を備えている。

【0150】

このような封止用フィルム１００を用いて、電子部品４が上面（一方の面）側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし被覆層１４を上側にして被覆すると、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。

【0151】

さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、被覆層１４が備える突出部１５は、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板５の下面の端部５１を、この突出部１５により被覆することができる。したがって、本実施形態の封止用フィルム１００により、基板５の上面側ばかりでなく、基板５の下面における端部５１まで被覆層１４により被覆することができ、より優れた気密性をもって、電子部品搭載基板４５を被覆することができる。そのため、封止用フィルム１００により被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。

【0152】

また、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の前記軟化点における伸び率は、１５０％以上３５００％以下である。これにより、基板５の上面側から下面側へ突出部１５を折りこませることで、端部５１を被覆する際に、突出部１５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0153】

さらに、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、基板５の上面側から下面側への突出部１５の折り込みを、突出部１５を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。

【0154】

また、封止用フィルム１００における、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する被覆層１４の突出部１５の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１５の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部１５を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面における端部５１にまで到達させることができるため、突出部１５による端部５１の被覆を確実に実現させることができる。

【0155】

［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第３実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。

【0156】

本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆うように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、突出部１５を、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことにより基板５の下面における端部５１に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、突出部１５が基板５の下面における端部５１に接触した状態で、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。

【0157】

以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図６（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆うように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。

【0158】

そして、この際、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する被覆層１４の突出部１５を、基板５の下面側に折り込み、これにより、突出部１５を端部５１に接触させる（図６（ｂ））。

【0159】

（加熱・減圧工程）
次に、図６（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。

【0160】

このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板５の下面側では、端部５１を、被覆し得る状態となる。

【0161】

また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。

【0162】

これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となり、基板５の下側では、端部５１を若干被覆した状態となる。

【0163】

本工程により、封止用フィルム１００を、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に追従し得る状態とし、さらに、突出部１５が基板５の下面側に折り込まれて、端部５１を被覆し得る状態とすることができる。

【0164】

（冷却・加圧工程）
次に、図６（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。

【0165】

このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。

【0166】

その結果、基板５の上側では凹凸６の形状（電子部品４の形状）に対して優れた密着度（気密度）で追従し、さらに、端部５１に対して優れた密着度で被覆した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆される。

【0167】

この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができる。そのため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板５の上面側から下面側へ突出部１５を折りこませることで端部５１に接触させる際に、突出部１５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0168】

そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。

【0169】

これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において、絶縁層１２が接触した状態で基板５と電子部品４とが被覆され、基板５の下側において、折り込まれた被覆層１４の突出部１５が端部５１を被覆した状態で封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。

【0170】

上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。

【0171】

＜第４実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第４実施形態について説明する。

【0172】

図７は、本発明の封止用フィルムの第４実施形態を示す縦断面図、図８（ａ）〜（ｃ）は、図７に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図７、図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

【0173】

以下、第４実施形態について説明するが、前記第１〜第３実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。

【0174】

第４実施形態では、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２および被覆層１４の構成が異なり、それ以外は、前記第２実施形態と同様である。

【0175】

第４実施形態の封止用フィルム１００において、絶縁層１２および被覆層１４は、図７、図８に示すように、それぞれ、電磁波シールド層１３よりも大きく形成され、それらの端部が電磁波シールド層１３の端部（縁部）から露出している。換言すれば、絶縁層１２および被覆層１４が、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出することで形成された突出部１５（第１突出部）および突出部１６（第３突出部）を備えている。そして、これら突出部１５と突出部１６とは、電磁波シールド層１３の端部を越えた位置で積層することで設けられた積層突出部６５を形成する。

【0176】

このような封止用フィルム１００を用いて、電子部品４が上面（一方の面）側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、被覆層１４を上側にして、被覆すると、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。

【0177】

さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、突出部１５と突出部１６とを積層することで形成された積層突出部６５は、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板５の下面の端部５１を、この積層突出部６５が備える突出部１５により被覆することができる。したがって、本実施形態の封止用フィルム１００により、基板５の上面側ばかりでなく、基板５の下面における端部５１まで積層突出部６５により被覆することができ、より優れた気密性をもって、電子部品搭載基板４５を被覆することができる。そのため、封止用フィルム１００により被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。

【0178】

また、積層突出部６５は、これら突出部１５と突出部１６とが、電磁波シールド層１３の端部を越えた位置で積層することで形成され、電磁波シールド層１３の端部をも絶縁層１２および被覆層１４により被覆されることで、電子部品４および電子部品搭載基板４５の外側に位置する電子部品に対する電磁波シールド層１３の絶縁性をより確実に確保することができる。

【0179】

さらに、前記第１実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、１５０％以上３５００％以下である。これにより、基板５の上面側から下面側へ積層突出部６５を折りこませることで、端部５１を被覆する際に、積層突出部６５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0180】

また、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、基板５の上面側から下面側への積層突出部６５の折り込みを、積層突出部６５を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。

【0181】

さらに、封止用フィルム１００における、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する積層突出部６５の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。積層突出部６５の長さをかかる範囲内に設定することにより、積層突出部６５を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面における端部５１にまで到達させることができるため、積層突出部６５による端部５１の被覆を確実に実現させることができる。

【0182】

［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第４実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。

【0183】

本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆うように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、積層突出部６５を、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことにより基板５の下面における端部５１に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、積層突出部６５が基板５の下面における端部５１に接触した状態で、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。

【0184】

以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図８（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆うように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。

【0185】

そして、この際、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する積層突出部６５を、基板５の下面側に折り込み、これにより、積層突出部６５を端部５１に接触させる（図８（ｂ））。

【0186】

（加熱・減圧工程）
次に、図８（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。

【0187】

このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板５の下面側では、端部５１を、被覆し得る状態となる。

【0188】

また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。

【0189】

これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となり、基板５の下側では、端部５１を若干被覆した状態となる。

【0190】

本工程により、封止用フィルム１００を、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に追従し得る状態とし、さらに、積層突出部６５が基板５の下面側に折り込まれて、端部５１を被覆し得る状態とすることができる。

【0191】

（冷却・加圧工程）
次に、図８（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。

【0192】

このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。

【0193】

その結果、基板５の上側では凹凸６の形状（電子部品４の形状）に対して優れた密着度（気密度）で追従し、さらに、端部５１に対して優れた密着度で被覆した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆される。

【0194】

この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができる。そのため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板５の上面側から下面側へ積層突出部６５を折りこませることで端部５１に接触させる際に、積層突出部６５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0195】

そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。

【0196】

これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において、絶縁層１２が接触した状態で基板５と電子部品４とが被覆され、基板５の下側において、折り込まれた積層突出部６５が端部５１を被覆した状態で封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。

【0197】

上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。

【0198】

＜第５実施形態＞
次に、本発明の封止用フィルム１００の第５実施形態について説明する。

【0199】

図９は、本発明の封止用フィルムの第５実施形態を示す縦断面図、図１０（ａ）〜（ｃ）は、図９に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図９、図１０中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

【0200】

以下、第５実施形態について説明するが、前記第１〜第４実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。

【0201】

第５実施形態では、封止用フィルム１００が備える電磁波シールド層１３および被覆層１４の構成が異なり、さらに、この封止用フィルム１００を用いて被覆する電子部品搭載基板４５の構成が異なること以外は、前記第２実施形態と同様である。

【0202】

第５実施形態の封止用フィルム１００において、電磁波シールド層１３および被覆層１４は、図９、図１０に示すように、絶縁層１２よりも大きく形成されている。これにより、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２側に位置する電磁波シールド層１３の端部が絶縁層１２の端部（縁部）から露出している。換言すれば、電磁波シールド層１３が、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７（第２突出部）を備えている。

【0203】

また、第５実施形態の封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、図１０に示すように、基板５と、基板５の上面（一方の面）側の中央部に搭載（載置）された電子部品４と、この電子部品４に電気的に接続され、基板５の上面（一方の面）側の端部５２に形成された電極３とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４および電極３の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成される。なお、電極３としては、例えば、外部から電気を供給するための電源と接続するための電極、電子部品搭載基板４５の外側に位置する、他の電子部品と電気的に接続するための電極、および、電子部品４を接地するためのグランド電極等が挙げられる。

【0204】

このように電子部品４および電極３が上面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、被覆層１４を上側にして、封止用フィルム１００を用いて被覆すると、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。

【0205】

さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、電磁波シールド層１３は、電磁波シールド層１３が備える突出部１７において、絶縁層１２から露出している。そのため、基板５の上面の端部５２に形成された電極３に、この突出部１７を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部１７は、電磁波シールド層１３で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０おいて、この電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することができる。なお、本実施形態では、電磁波シールド層１３の上面のほぼ全面には被覆層１４が形成されていることから、電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保する場合には、被覆層１４の一部を除去して電磁波シールド層１３が露出する露出部を形成し、この露出部において、電磁波シールド層１３と外部とを電気的に接続することで、この接続が実現される。

【0206】

また、封止用フィルム１００における、絶縁層１２の端部を越えて突出する電磁波シールド層１３の突出部１７の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１７の長さをかかる範囲内に設定することで、この突出部１７により、基板５の上側に位置する電極３を被覆して、突出部１７と電極３との電気的な接続を実現することができる。

【0207】

［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第５実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。

【0208】

本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆うように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、突出部１７を、基板５の上面（一方の面）側の電極３に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、突出部１７が電極３に接触した状態で、基板５と電子部品４と電極３とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。

【0209】

以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図１０（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４と電極３とを覆うように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。

【0210】

この際、封止用フィルム１００の中央部に位置する絶縁層１２により電子部品４を被覆させ、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１７により電極３を被覆させる（図１０（ｂ））。

【0211】

（加熱・減圧工程）
次に、図１０（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。

【0212】

このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４および電極３を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となる。

【0213】

また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。

【0214】

これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４および電極３の形状に若干追従した状態となる。

【0215】

本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。

【0216】

（冷却・加圧工程）
次に、図１０（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。

【0217】

このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。

【0218】

その結果、基板５の上側では凹凸６の形状（電子部品４および電極３の形状）に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆される。

【0219】

この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４と電極３とを優れた密着性をもって被覆することができる。

【0220】

そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とを優れた密着性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。

【0221】

これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において、絶縁層１２が接触した状態で基板５と電子部品４とが被覆され、さらに、電磁波シールド層１３が接触した状態で電極３が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。

【0222】

また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４の積層体で構成されるが、電磁波シールド層１３は、その端部において、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７を備えている。そして、本実施形態では、この突出部１７が、絶縁層１２を介することなく、電極３を直接被覆する。これにより、導電性を有する突出部１７（電磁波シールド層１３）に電極３が電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１７を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。

【0223】

上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。

【0224】

＜第６実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第６実施形態について説明する。

【0225】

図１１は、本発明の封止用フィルムの第６実施形態を示す縦断面図、図１２（ａ）〜（ｃ）は、図１１に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１１、図１２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

【0226】

以下、第６実施形態について説明するが、前記第１〜第５実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。

【0227】

第６実施形態では、封止用フィルム１００が備える電磁波シールド層１３および被覆層１４の構成が異なり、さらに、この封止用フィルム１００を用いて被覆する電子部品搭載基板４５の構成が異なること以外は、前記第２実施形態と同様である。

【0228】

第６実施形態の封止用フィルム１００において、図１１、図１２に示すように、電磁波シールド層１３は、絶縁層１２よりも大きく形成され、その端部が絶縁層１２の端部（縁部）から露出している。換言すれば、電磁波シールド層１３が、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７（第２突出部）を備えている。さらに、被覆層１４は、電磁波シールド層１３よりも大きく形成され、その端部が電磁波シールド層１３の端部（縁部）から露出している。換言すれば、被覆層１４が、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出することで形成された突出部１５（第１突出部）を備えている。

【0229】

また、第６実施形態の封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、図１２に示すように、基板５と、基板５の上面（一方の面）側の中央部に搭載（載置）された電子部品４と、この電子部品４に電気的に接続され、基板５の上面（一方の面）側の端部に形成された電極３とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４および電極３の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成される。

【0230】

このように電子部品４および電極３が上面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、被覆層１４を上側にして、封止用フィルム１００を用いて被覆すると、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。

【0231】

また、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、電磁波シールド層１３は、電磁波シールド層１３が備える突出部１７において、絶縁層１２から露出している。そのため、基板５の上面の端部５２に形成された電極３に、この突出部１７を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部１７は、電磁波シールド層１３で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０おいて、この電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することができる。なお、本実施形態では、電磁波シールド層１３の上面のほぼ全面には被覆層１４が形成されていることから、電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保する場合には、被覆層１４の一部を除去して電磁波シールド層１３が露出する露出部を形成し、この露出部において、電磁波シールド層１３と外部とを電気的に接続することで、この接続が実現される。

【0232】

さらに、本実施形態では、被覆層１４が備える突出部１５は、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板５の下面の端部５１を、この突出部１５により被覆することができる。したがって、本実施形態の封止用フィルム１００により、基板５の上面側ばかりでなく、基板５の下面における端部５１まで被覆層１４により被覆することができ、より優れた気密性をもって、電子部品搭載基板４５を被覆することができる。そのため、封止用フィルム１００により被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。

【0233】

また、前記第１実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、１５０％以上３５００％以下である。これにより、基板５の上面側から下面側へ突出部１５を折りこませることで、端部５１を被覆する際に、突出部１５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0234】

さらに、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、基板５の上面側から下面側への突出部１５の折り込みを、突出部１５を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。

【0235】

また、封止用フィルム１００における、絶縁層１２の端部を越えて突出する電磁波シールド層１３の突出部１７の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１７の長さをかかる範囲内に設定することで、この突出部１７により、基板５の上側に位置する電極３を被覆して、突出部１７と電極３との電気的な接続を実現することができる。

【0236】

また、封止用フィルム１００における、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する被覆層１４の突出部１５の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１５の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部１５を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面における端部５１にまで到達させることができるため、突出部１５による端部５１の被覆を確実に実現させることができる。

【0237】

［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第６実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。

【0238】

本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆うように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、突出部１７を、基板５の上面（一方の面）側の電極３に接触させるとともに、突出部１５を、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことにより基板５の下面における端部５１に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、突出部１７が電極３に接触し、かつ、突出部１５が基板５の下面における端部５１に接触した状態で、基板５と電子部品４と電極３とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。

【0239】

以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図１２（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４と電極３とを覆うように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。

【0240】

この際、封止用フィルム１００の中央部に位置する絶縁層１２により電子部品４を被覆させ、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１７により電極３を被覆させる。さらに、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する被覆層１４の突出部１５を、基板５の下面側に折り込み、これにより、突出部１５を端部５１に接触させる（図１２（ｂ））。

【0241】

（加熱・減圧工程）
次に、図１２（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。

【0242】

このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４および電極３を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となる。さらに、基板５の下面側では、端部５１を、被覆し得る状態となる。

【0243】

また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。

【0244】

これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４および電極３の形状に若干追従した状態となり、基板５の下側では、端部５１を若干被覆した状態となる。

【0245】

本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とし、さらに、突出部１５が基板５の下面側に折り込まれて、端部５１を被覆し得る状態とすることができる。

【0246】

（冷却・加圧工程）
次に、図１２（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。

【0247】

このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。

【0248】

その結果、基板５の上側では凹凸６の形状（電子部品４および電極３の形状）に優れた密着度（気密度）で追従し、さらに、端部５１に対して優れた密着度で被覆した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆される。

【0249】

この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができる。そのため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４と電極３とを、さらには基板５の下側における端部５１を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板５の上面側から下面側へ突出部１５を折りこませることで端部５１に接触させる際に、突出部１５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0250】

そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とを優れた密着性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。

【0251】

これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において、絶縁層１２が接触した状態で基板５と電子部品４とが被覆され、また、電磁波シールド層１３が接触した状態で電極３が被覆され、さらに、基板５の下側において、折り込まれた被覆層１４の突出部１５が端部５１を被覆した状態で封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。

【0252】

また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４の積層体で構成されるが、電磁波シールド層１３は、その端部において、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７を備えている。そして、本実施形態では、この突出部１７が、絶縁層１２を介することなく、電極３を直接被覆する。これにより、導電性を有する突出部１７（電磁波シールド層１３）に電極３が電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１７を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。

【0253】

上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。

【0254】

＜第７実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第７実施形態について説明する。

【0255】

図１３は、本発明の封止用フィルムの第７実施形態を示す縦断面図、図１４（ａ）〜（ｃ）は、図１３に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１３、図１４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

【0256】

以下、第７実施形態について説明するが、前記第１〜第６実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。

【0257】

第７実施形態では、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２および電磁波シールド層１３の構成が異なり、さらに、この封止用フィルム１００を用いて被覆する電子部品搭載基板４５の構成が異なること以外は、前記第２実施形態と同様である。

【0258】

第７実施形態の封止用フィルム１００において、絶縁層１２および電磁波シールド層１３は、図１３、図１４に示すように、被覆層１４よりも大きく形成されている。これにより、絶縁層１２および電磁波シールド層１３のうち被覆層１４側に位置する電磁波シールド層１３の端部が被覆層１４の端部（縁部）から露出している。換言すれば、電磁波シールド層１３が、被覆層１４の端部を越えて突出することで形成された突出部１８（第４突出部）を備えている。

【0259】

また、第７実施形態の封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、図１４に示すように、基板５と、基板５の上面（一方の面）側の中央部に搭載（載置）された電子部品４と、この電子部品４に電気的に接続され、基板５の上面（一方の面）側の端部５２に形成された電極３とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４および電極３の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成される。

【0260】

このように電子部品４および電極３が上面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、被覆層１４を上側にして、封止用フィルム１００を用いて被覆すると、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。

【0261】

さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、電磁波シールド層１３は、電磁波シールド層１３が備える突出部１８において、被覆層１４から露出し、さらに、この突出部１８は、突出部１８と電極３とが対向し得るように、基板５の上面（一方の面）側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板５の上面の端部５２に形成された電極３に、この突出部１８を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部１８は、電磁波シールド層１３で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０おいて、この電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することができる。なお、本実施形態では、電磁波シールド層１３の上面の突出部１８を除くほぼ全面には被覆層１４が形成されていることから、電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保する場合には、被覆層１４の一部を除去して電磁波シールド層１３が露出する露出部を形成し、この露出部において、電磁波シールド層１３と外部とを電気的に接続することで、この接続が実現される。

【0262】

また、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の前記軟化点における伸び率は、１５０％以上３５００％以下である。これにより、基板５の上面の電極３と突出部１８とを対向させるために突出部１８を折りこませる際に、突出部１８が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0263】

さらに、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、基板５の上面の電極３と突出部１８とを対向させるための突出部１８の折り込みを、突出部１８を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。

【0264】

また、封止用フィルム１００における、被覆層１４の端部を越えて突出する電磁波シールド層１３の突出部１８の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１８の長さをかかる範囲内に設定することで、この突出部１８により、基板５の上側に位置する電極３を被覆して、突出部１８と電極３との電気的な接続を実現することができる。

【0265】

［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第７実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。

【0266】

本発明の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆うように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、突出部１８を折り込むことにより、基板５の上面（一方の面）の電極３に対向させた後に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、突出部１８が電極３に接触した状態で、基板５と電子部品４と電極３とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。

【0267】

以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図１４（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４と電極３とを覆うように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。

【0268】

この際、封止用フィルム１００の絶縁層１２により電子部品４を被覆させ、被覆層１４の端部を越えて突出する突出部１８を折り込むことで、この突出部１８により電極３を被覆させる（図１４（ｂ））。

【0269】

（加熱・減圧工程）
次に、図１４（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。

【0270】

このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４および電極３を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となる。

【0271】

また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。

【0272】

これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、電極３と突出部１８とが接触したまま、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４および電極３の形状に若干追従した状態となる。

【0273】

本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。

【0274】

（冷却・加圧工程）
次に、図１４（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。

【0275】

このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。

【0276】

その結果、基板５の上側では凹凸６の形状（電子部品４および電極３の形状）に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆される。

【0277】

この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができる。そのため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４と電極３とを優れた密着性をもって被覆することができる。また、突出部１８を折りこませることで電極３に対向させた後、接触させる際に、突出部１８が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0278】

そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とを優れた密着性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。

【0279】

これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において、絶縁層１２が接触した状態で基板５と電子部品４とが被覆され、さらに、電磁波シールド層１３が接触した状態で電極３が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。

【0280】

また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４の積層体で構成されるが、電磁波シールド層１３は、その端部において、被覆層１４の端部を越えて突出することで形成された突出部１８を備えている。そして、本実施形態では、この突出部１８が、被覆層１４を介することなく、電極３を直接被覆する。これにより、導電性を有する突出部１８（電磁波シールド層１３）に電極３が電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１８を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。

【0281】

上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。

【0282】

＜第８実施形態＞
次に、本発明の封止用フィルム１００の第８実施形態について説明する。

【0283】

図１５は、本発明の封止用フィルムの第８実施形態を示す縦断面図、図１６（ａ）〜（ｃ）は、図１５に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１５、図１６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

【0284】

以下、第８実施形態について説明するが、前記第１〜第７実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。

【0285】

第８実施形態では、封止用フィルム１００が備える電磁波シールド層１３および被覆層１４の構成が異なり、さらに、この封止用フィルム１００を用いて被覆する電子部品搭載基板４５の構成が異なること以外は、前記第１実施形態と同様である。

【0286】

第８実施形態の封止用フィルム１００において、電磁波シールド層１３および被覆層１４は、図１５、図１６に示すように、絶縁層１２よりも大きく形成されている。これにより、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２側に位置する電磁波シールド層１３の端部が絶縁層１２の端部（縁部）から露出している。換言すれば、電磁波シールド層１３、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７（第２突出部）を備えている。

【0287】

また、第８実施形態の封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、図１６に示すように、基板５と、基板５の上面（一方の面）側の中央部に搭載（載置）された電子部品４と、この電子部品４に電気的に接続され、基板５の下面（他方の面）側の端部５１に形成された電極３とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成される。

【0288】

このように電子部品４および電極３が上面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、被覆層１４を上側にして、封止用フィルム１００を用いて被覆すると、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。

【0289】

さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、電磁波シールド層１３が備える突出部１７は、基板５の下面側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板５の下面の端部５１に形成された電極３に、この突出部１７を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部１７は、電磁波シールド層１３で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することができる。なお、本実施形態では、電磁波シールド層１３の上面のほぼ全面には被覆層１４が形成されていることから、電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保する場合には、被覆層１４の一部を除去して電磁波シールド層１３が露出する露出部を形成し、この露出部において、電磁波シールド層１３と外部とを電気的に接続することで、この接続が実現される。

【0290】

また、前記第１実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、１５０％以上３５００％以下である。これにより、基板５の上面側から下面側へ突出部１７を折りこませることで、端部５１に設けられた電極３を被覆する際に、突出部１７が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0291】

さらに、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、基板５の上面側から下面側への突出部１７の折り込みを、突出部１７を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。

【0292】

また、封止用フィルム１００における、絶縁層１２の端部を越えて突出する電磁波シールド層１３の突出部１７の長さは、特に限定されず、０．５ｃｍ以上８．０ｃｍ以下であることが好ましく、１．０ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１７の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部１７を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面における端部５１に形成された電極３にまで到達させることができるため、突出部１７による電極３の電気的な接続を確実に実現させることができる。

【0293】

［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、本実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。

【0294】

本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆うように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、突出部１７を、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことにより電極３に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、突出部１７が電極３に接触した状態で、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。

【0295】

以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図１６（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆うように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。

【0296】

そして、この際、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１７を、基板５の下面側に折り込み、これにより、突出部１７を電極３に接触させる（図１６（ｂ））。

【0297】

（加熱・減圧工程）
次に、図１６（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。

【0298】

このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板５の下面側では、基板５の下面の端部５１に設けられた電極３の形状に対して、追従し得る状態となる。

【0299】

また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。

【0300】

これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となり、基板５の下側では、電極３の形状に若干追従した状態となる。

【0301】

本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状、および、下面側に形成された電極３の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。

【0302】

（冷却・加圧工程）
次に、図１６（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。

【0303】

このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。

【0304】

その結果、基板５の上側では凹凸６の形状（電子部品４の形状）、さらに、基板５の下側では電極３の形状に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆される。

【0305】

この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６および電極３に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを、さらには基板５の下側においては電極３を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板５の上面側から下面側へ突出部１７を折りこませることで電極３に接触させる際に、突出部１７が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0306】

そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、さらには電極３を優れた密着性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。

【0307】

これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において絶縁層１２が接触した状態で基板５と電子部品４とが被覆され、基板５の下側において電磁波シールド層１３が接触した状態で基板５が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。

【0308】

また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４の積層体で構成されるが、電磁波シールド層１３は、絶縁層１２よりも大きく形成され、その中央部において絶縁層１２が積層されるが、端部において、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７を備えている。そして、この突出部１７が、基板５の下側に折り込まれることで電極３を直接被覆する。これにより、電極３が突出部１７（電磁波シールド層１３）に電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１７を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。

【0309】

上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。

【0310】

＜第９実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第９実施形態について説明する。

【0311】

図１７は、本発明の封止用フィルムの第９実施形態を示す縦断面図、図１８（ａ）〜（ｃ）は、図１７に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１７、図１８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

【0312】

以下、第９実施形態について説明するが、前記第１〜第８実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。

【0313】

第９実施形態では、図１７、図１８に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２が、電磁波シールド層１３よりも大きく形成されている以外は、前記第１実施形態と同様である。
封止用フィルム１００は、図１７、図１８に示すように、絶縁層１２と、この絶縁層１２の一方の面側（上面側）に積層された電磁波シールド層１３とを備える積層体で構成されている。そして、絶縁層１２は、電磁波シールド層１３よりも大きく形成され、その端部が電磁波シールド層１３の端部（縁部）から露出している。換言すれば、絶縁層が、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出することで形成された突出部１６を備えている。

【0314】

ここで、封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、本実施形態では、図１８に示すように、基板５と、基板５の上面（一方の面）側の中央部に搭載（載置）された電子部品４とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成される。なお、基板５としては、例えば、プリント配線基板が挙げられ、基板５上に搭載する電子部品４としては、例えば、半導体素子、コンデンサー、コイル、コネクターおよび抵抗等が挙げられる。

【0315】

このように電子部品４が上面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、電磁波シールド層１３を上側にして、封止用フィルム１００を用いて被覆すると、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。そのため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０は、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとなる。

【0316】

また、電子部品４は、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する突出部１６を備える絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３により封止され、電子部品４と電磁波シールド層１３との間で短絡が生じるのを的確に防止し得ることから、電磁波シールド層１３は、この電子部品４に対する絶縁性が確保される。

【0317】

さらに、この封止用フィルム１００は、ＪＩＳ Ｋ ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。

【0318】

封止用フィルム１００の軟化点がかかる範囲内であることにより、封止用フィルム１００による電子部品搭載基板４５の被覆の際に、電子部品搭載基板４５が備える、凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６に対して、優れた追従性をもって封止した状態で、被覆することができる。そのため、この封止用フィルム１００を被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。

【0319】

また、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を前記範囲内とすることにより、基板５に設けられた凹凸６における段差が具体的な大きさとして、１０ｍｍ以上のように大きいものであったとしても、封止用フィルム１００を凹凸６の形状に対応して追従させることができる。

【0320】

ここで、本実施形態の封止用フィルム１００を、上記のような構成の電磁波シールド層１３と絶縁層１２とを備える多層体とすることにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を比較的容易に１５０％以上３５００％以下に設定することができる。かかる伸び率は、１５０％以上３５００％以下であればよいが、１０００％以上３５００％以下であることが好ましく、１０００％以上２０００％以下であることがより好ましい。これにより、封止用フィルム１００を用いて、電子部品搭載基板４５が備える凹凸６の被覆に適用した際に、凹凸６の形状に対して優れた追従性をもって封止した状態で被覆することができ、かつ、封止用フィルム１００の途中で破断されるのを的確に抑制または防止することができる。

【0321】

さらに、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましく、５ｐｐｍ／Ｋ以上５０ｐｐｍ／Ｋ以下であることがより好ましい。封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率がこのような範囲の値であると、封止用フィルム１００の加熱時において、封止用フィルム１００は、優れた伸縮性を有するものとなるため、封止用フィルム１００の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。さらに、封止用フィルム１００と、基板５、電子部品４との間で、優れた密着性を維持することができるため、電子部品搭載基板４５の駆動を繰り返すことで生じる発熱に起因する封止用フィルム１００の電子部品搭載基板４５からの剥離をより的確に抑制または防止することができる。

【0322】

また、封止用フィルム１００における、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する絶縁層１２の突出部１６の長さは、特に限定されず、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることが好ましく、０．２ｃｍ以上１．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１６の長さをかかる範囲内に設定することにより、電子部品４と電磁波シールド層１３とが不本意に接触して、これら同士の間で短絡が生じるのをより的確に防止することができる。

【0323】

封止用フィルム１００の全体としての平均厚さは、１０μｍ以上７００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上４００μｍ以下であることがより好ましい。封止用フィルム１００の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００の途中において、封止用フィルム１００が破断するのを的確に抑制または防止し得るとともに、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定することができる。

【0324】

［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した本発明の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法（本発明の電子部品搭載基板の封止方法）について説明する。

【0325】

本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆うように封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３により電子部品４を被覆した状態で、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。

【0326】

以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図１８（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える電磁波シールド層１３および絶縁層１２のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆うように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。

【0327】

（加熱・減圧工程）
次に、図１８（ｂ）に示すように、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。

【0328】

このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち電磁波シールド層１３および絶縁層１２が軟化し、その結果、基板５上に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となる。

【0329】

また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の上側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。

【0330】

これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となる。

【0331】

本工程により、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。

【0332】

なお、封止用フィルム１００の加熱と、雰囲気の減圧とは、加熱の後に減圧してもよく、減圧の後に加熱してもよいが、加熱と減圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、軟化した封止用フィルム１００を、凹凸６の形状に確実に若干追従した状態とすることができる。

【0333】

（冷却・加圧工程）
次に、図１８（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。

【0334】

このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなり、その結果、凹凸６の形状（電子部品４の形状）に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆される。なお、前記加熱減圧工程において、凹凸６の形状に対応して封止用フィルム１００が十分追従していれば、加圧工程を省略することができる。

【0335】

この際、本発明では、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。そのため、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを優れた密着性をもって被覆することができる。

【0336】

そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、優れた密着性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。

【0337】

これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。

【0338】

また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２と電磁波シールド層１３との積層体で構成されるが、絶縁層１２は、電磁波シールド層１３よりも大きく形成され、その中央部において電磁波シールド層１３が積層されるが、端部において、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出することで形成された突出部１６を備えている。

【0339】

そのため、本工程において、電磁波シールド層１３は、絶縁層１２の中央部を介して電子部品４を被覆し、絶縁層１２の端部である突出部１６には存在しない状態で被覆する。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を、電子部品４に対する絶縁性が確実に確保された状態で、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとすることができる。

【0340】

なお、封止用フィルム１００の冷却と、雰囲気の加圧とは、加圧の後に冷却してもよいが、冷却と加圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、凹凸６の形状に対応して、封止用フィルム１００をより優れた密着性をもって被覆させることができる。

【0341】

上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。

【0342】

＜第１０実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第１０実施形態について説明する。

【0343】

図１９は、本発明の封止用フィルムの第１０実施形態を示す縦断面図、図２０（ａ）〜（ｃ）は、図１９に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１９、図２０中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

【0344】

以下、第１０実施形態について説明するが、前記第１〜第９実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。

【0345】

第１０実施形態では、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２の構成が異なり、それ以外は、前記第９実施形態と同様である。

【0346】

第１０実施形態の封止用フィルム１００において、電磁波シールド層１３よりも大きく形成される絶縁層１２は、図１９、図２０に示すように、前記第９実施形態の絶縁層１２と比較して、より大きく（面方向に沿って長く）形成されている。これにより、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出することで形成された突出部１６（第１突出部）は、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことが可能となる。そのため、基板５の下面の端部５１を、この突出部１６により被覆することができる。したがって、本実施形態の封止用フィルム１００により、基板５の上面側ばかりでなく、基板５の下面における端部５１まで絶縁層１２により被覆することができ、より優れた気密性をもって、電子部品搭載基板４５を被覆することができる。そのため、封止用フィルム１００により被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。

【0347】

また、封止用フィルム１００の前記軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっていることにより、基板５の上面側から下面側へ突出部１６を折り込ませることで、端部５１を被覆する際に、突出部１６が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0348】

さらに、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、基板５の上面側から下面側への突出部１６の折り込みを、突出部１６を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。

【0349】

また、封止用フィルム１００における、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する絶縁層１２の突出部１６の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１６の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部１６を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面における端部５１にまで到達させることができるため、突出部１６による端部５１の被覆を確実に実現させることができる。

【0350】

｛電子部品搭載基板の封止方法｝
次に、上述した第１０実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。

【0351】

本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆うように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、突出部１６を、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことにより基板５の下面における端部５１に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３により電子部品４を被覆し、かつ、突出部１６が基板５の下面における端部５１に接触した状態で、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。

【0352】

以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図２０（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２および電磁波シールド層１３のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆うように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。

【0353】

そして、この際、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する絶縁層１２の突出部１６を、基板５の下面側に折り込み、これにより、突出部１６を端部５１に接触させる（図２０（ｂ））。

【0354】

（加熱・減圧工程）
次に、図２０（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。

【0355】

このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２および電磁波シールド層１３が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板５の下面側では、端部５１を、被覆し得る状態となる。

【0356】

また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。

【0357】

これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となり、基板５の下側では、端部５１を若干被覆した状態となる。

【0358】

本工程により、封止用フィルム１００を、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に追従し得る状態とし、さらに、突出部１６が基板５の下面側に折り込まれて、端部５１を被覆し得る状態とすることができる。

【0359】

（冷却・加圧工程）
次に、図２０（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。

【0360】

このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。

【0361】

その結果、基板５の上側では凹凸６の形状（電子部品４の形状）に対して優れた密着度（気密度）で追従し、さらに、端部５１に対して優れた密着度で被覆した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆される。

【0362】

この際、本実施形態では、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板５の上面側から下面側へ突出部１６を折り込ませることで端部５１に接触させる際に、突出部１６が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0363】

そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。

【0364】

これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において、絶縁層１２が接触した状態で基板５と電子部品４とが被覆され、基板５の下側において、折り込まれた絶縁層１２の突出部１６が端部５１を被覆した状態で封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。

【0365】

上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。

【0366】

＜第１１実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第１１実施形態について説明する。

【0367】

図２１は、本発明の封止用フィルムの第１１実施形態を示す縦断面図、図２２（ａ）〜（ｃ）は、図２１に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２１、図２２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

【0368】

以下、第１１実施形態について説明するが、前記第１〜第１０実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。

【0369】

第１１実施形態では、封止用フィルム１００が、電磁波シールド層１３の絶縁層１２との反対側（上面側）に積層された被覆層１４を備えており、それ以外は、前記第１０実施形態と同様である。

【0370】

第１１実施形態の封止用フィルム１００において、被覆層１４は、図２１、図２２に示すように、絶縁層１２と同様に、電磁波シールド層１３よりも大きく形成され、その端部が電磁波シールド層１３の端部（縁部）から露出している。換言すれば、被覆層１４が、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出することで形成された突出部１５（第２突出部）を備えている。そして、これら突出部１５と突出部１６とは、電磁波シールド層１３の端部を越えた位置で積層することで設けられた積層突出部６５を形成する。

【0371】

このような封止用フィルム１００を用いて、電子部品４が上面（一方の面）側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、被覆層１４を上側にして、被覆すると、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。この封止の際に、本実施形態では、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する突出部１５および突出部１６が積層された積層突出部６５により、電磁波シールド層１３が被覆されているため、電子部品４と電磁波シールド層１３との間で短絡が生じるのをより的確に防止し得ることから、電磁波シールド層１３は、この電子部品４に対する絶縁性がより確実に確保されたものとなる。また、電磁波シールド層１３の上面を被覆する被覆層１４を備えるため、電子部品搭載基板４５の外側に位置する他の電子部品に対する絶縁性を確保することができる。

【0372】

さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、突出部１５と突出部１６とが積層することで形成された積層突出部６５は、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板５の下面の端部５１を、この積層突出部６５が備える突出部１６により被覆することができる。したがって、本実施形態の封止用フィルム１００により、基板５の上面側ばかりでなく、基板５の下面における端部５１まで積層突出部６５により被覆することができ、より優れた気密性をもって、電子部品搭載基板４５を被覆することができる。そのため、封止用フィルム１００により被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。

【0373】

なお、この被覆層１４は、樹脂材料を主材料として構成され、前述した第２実施形態の被覆層１２と同様の材料を用いることができる。

【0374】

さらに、本実施形態では、前記軟化点における伸び率が、１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、基板５の上面側から下面側へ積層突出部６５を折り込ませることで、端部５１を被覆する際に、積層突出部６５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0375】

また、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、基板５の上面側から下面側への積層突出部６５の折り込みを、積層突出部６５を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。

【0376】

さらに、封止用フィルム１００における、積層突出部６５の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。積層突出部６５の長さをかかる範囲内に設定することにより、積層突出部６５を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面における端部５１にまで到達させることができるため、突出部１６による端部５１の被覆を確実に実現させることができる。

【0377】

［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第１１実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。

【0378】

本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆うように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、積層突出部６５を、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことにより基板５の下面における端部５１に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３により電子部品４を被覆し、かつ、積層突出部６５が基板５の下面における端部５１に接触した状態で、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。

【0379】

以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図２２（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２および電磁波シールド層１３のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆うように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。

【0380】

そして、この際、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する積層突出部６５を、基板５の下面側に折り込み、これにより、積層突出部６５を端部５１に接触させる（図２２（ｂ））。

【0381】

（加熱・減圧工程）
次に、図２２（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。

【0382】

このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板５の下面側では、端部５１を、被覆し得る状態となる。

【0383】

また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。

【0384】

これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となり、基板５の下側では、端部５１を若干被覆した状態となる。

【0385】

本工程により、封止用フィルム１００を、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に追従し得る状態とし、さらに、積層突出部６５が基板５の下面側に折り込まれて、端部５１を被覆し得る状態とすることができる。

【0386】

（冷却・加圧工程）
次に、図２２（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。

【0387】

このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。

【0388】

その結果、基板５の上側では凹凸６の形状（電子部品４の形状）に対して優れた密着度（気密度）で追従し、さらに、端部５１に対して優れた密着度で被覆した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆される。

【0389】

この際、本実施形態では、電磁波シールド層１３の上面を被覆する被覆層１４を備えるため、電子部品搭載基板４５の外側に位置する他の電子部品に対する絶縁性を確保することができる。また、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する突出部１５および突出部１６が積層された積層突出部６５により、電磁波シールド層１３が被覆されているため、電子部品４と電磁波シールド層１３との間で短絡が生じるのをより的確に防止し得ることから、電磁波シールド層１３は、この電子部品４に対する絶縁性がより確実に確保されたものとなる。

【0390】

また、本発明では、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板５の上面側から下面側へ積層突出部６５を折り込ませることで端部５１に接触させる際に、積層突出部６５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0391】

そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。

【0392】

これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において、絶縁層１２が接触した状態で基板５と電子部品４とが被覆され、基板５の下側において、折り込まれた積層突出部６５が端部５１を被覆した状態で封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。

【0393】

上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。

【0394】

＜第１参考形態＞
［封止用フィルム］
次に、封止用フィルム１００の第１参考形態について説明する。

【0395】

図２３は、封止用フィルムの第１参考形態を示す図（（ａ）縦断面図、（ｂ）平面図）、図２４（ａ）〜（ｃ）は、図２３に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２３、図２４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

【0396】

以下、第１参考形態について説明するが、本発明の前記第１〜第１１実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。

【0397】

本実施形態の封止用フィルム１００は、図２３、図２４に示すように、最内層１２と、この最内層１２の一方の面側（上面側）に積層された中間層１９と、中間層１９の一方の面側に積層された最外層１４とを備える積層体で構成されている。すなわち、最内層１２と、中間層１９と、最外層１４とは、被覆すべき電子部品搭載基板４５側から、この順で、積層されている。

【0398】

ここで、封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、本実施形態では、図２４に示すように、基板５と、基板５の上面（一方の面）側の中央部に搭載（載置）された電子部品４と、電子部品４に電気的に接続され、基板５の上面（一方の面）側の端部に搭載された、開放端面を有する接続部材７とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成される。なお、基板５としては、例えば、プリント配線基板が挙げられ、基板５上に搭載する電子部品４としては、例えば、半導体素子、コンデンサー、コイルおよび抵抗等が挙げられる。また、接続部材７としては、電子部品４と他の電子部品とのデータの受け渡しや、電子部品４への電源からの電気の供給等に用いられる接続端子を開放端面として備えるコネクター等が挙げられる。

【0399】

このように電子部品４および接続部材７が上面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、最内層１２を下側とし、最外層１４を上側にして、封止用フィルム１００を用いて被覆することにより、電子部品４は、この封止用フィルム１００、すなわち、最内層１２を電子部品４側とした最内層１２と中間層１９と最外層１４とがこの順で積層された積層体により封止される。これにより、この封止用フィルム１００を被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのを的確に抑制または防止することができる。一方、本参考形態の封止用フィルム１００は、電子部品搭載基板４５を封止する際に、接続部材７に対応する位置に逃げ部２７を有しているため、接続部材７が封止用フィルム１００により封止されることなく、露出させることができる。したがって、封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、電子部品搭載基板４５と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現しつつ、電子部品４の封止用フィルム１００による封止を行うことができる。

【0400】

なお、図２４に示すように、電子部品搭載基板４５において、接続部材７は、基板５の上面における端部に形成され、これに対応して、逃げ部２７は、平面視において、封止用フィルム１００の端部がＵ字状に切り取りまたは欠損した切り欠きまたは欠損部で構成される。例えば、電子部品搭載基板４５において、接続部材７が基板５の上面における中央部に形成される場合には、これに対応して、逃げ部２７は、平面視において、封止用フィルム１００の中央部が四角形状に開口した開口部（孔部）で構成される。

【0401】

また、このような封止用フィルム１００は、最内層１２、中間層１９および最外層１４が、何れも、樹脂材料を含有し、ＪＩＳ Ｋ ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であるのが好ましく、１０００％以上３５００％以下であるのがより好ましく、１０００％以上２０００％以下であるのがさらに好ましい。

【0402】

封止用フィルム１００の軟化点における伸び率がかかる範囲内であることにより、封止用フィルム１００による電子部品搭載基板４５の被覆の際に、電子部品搭載基板４５が備える、凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６に対して、優れた追従性をもって封止した状態で、電子部品４を被覆することができる。そのため、この封止用フィルム１００を被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。

【0403】

また、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を前記範囲内とすることにより、基板５に設けられた凹凸６における段差が具体的な大きさとして、１０ｍｍ以上のように大きいものであったとしても、封止用フィルム１００を凹凸６の形状に対応して追従させることができる。

【0404】

このように、凹凸６に対する追従性等の観点から、前記軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であるのが好ましいため、以下では、かかる伸び率を満足し得る封止用フィルム１００が備える最内層１２、中間層１９および最外層１４の層構成について説明する。

【0405】

前記軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている封止用フィルム１００が備える最内層１２、中間層１９および最外層１４は、それぞれが樹脂材料を含有し、この樹脂材料の種類を適宜選択することで、前記軟化点における伸び率を前記範囲内に設定することができる。かかる樹脂材料としては、前述した絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４と同様の樹脂材料を用いることができる。

【0406】

また、最内層１２、中間層１９および最外層１４に含まれる樹脂材料は、上述した熱可塑性樹脂材料の他に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂のような熱硬化性樹脂やアクリル樹脂やウレタン樹脂のようなＵＶ硬化性樹脂が含まれていてもよい。

【0407】

また、封止用フィルム１００の前記軟化点における伸び率を前記範囲内とするために、上述のような樹脂材料を含有する最内層１２、中間層１９および最外層１４の各層は、前記樹脂材料（熱可塑性樹脂材料）を主材料として含有する層で構成され、これにより、絶縁性を有する絶縁層として機能する。

【0408】

上記のような構成をなす、何れも樹脂材料を含有する最内層１２、中間層１９および最外層１４を備える封止用フィルム１００は、前述した樹脂材料のうちポリオレフィン系樹脂を前記樹脂材料として含有する層を、最内層１２、中間層１９および最外層１４のうちの少なくとも１層として備えることが好ましい。これにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率をより確実に１５０％以上３５００％以下に設定することができる。

【0409】

そこで、以下では、前記樹脂材料を主材料として含有する最内層１２と、中間層１９と、最外層１４とを備え、最内層１２および最外層１４に含まれる樹脂材料がともにポリオレフィン系樹脂である封止用フィルム１００を、一例として説明する。

【0410】

最内層１２は、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定して、凹凸６への密着性および形状追従性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有する層である。なお、最内層１２は、前述した各実施形態の絶縁層１２と同様の構成を有している。

【0411】

また、この最内層１２は、樹脂材料としてエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有することで、絶縁性を備える層であり、電子部品搭載基板４５を封止用フィルム１００で被覆する際に、電子部品４同士との間で短絡が生じるのを防止するための層として機能する。

【0412】

このエチレン−酢酸ビニル共重合体としては、共重合されるＶＡ含有量が５重量％以上３０重量％以下であることが好ましく、１０重量％以上２０重量％以下であることがより好ましい。前記下限値未満であると、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を前記範囲内に設定することが困難となるおそれがある。これに対して、前記上限値を超えると、最内層１２を構成する樹脂の結晶部が減少し、非結晶部が増加する傾向を示すことに起因して、最内層１２に残存する酸化防止剤等の添加剤が溶出するおそれがある。そのため、電子部品搭載基板４５側に移行し、その結果、電子部品４の特性に不都合が生じるおそれがある。

【0413】

また、最内層１２の平均厚さは、５μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上１２０μｍ以下であることがより好ましい。最内層１２の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下の範囲内により確実に設定することができる。また、中間層１９の電子部品４に対する絶縁性をより確実に確保することができる。

【0414】

なお、最内層１２に含まれる樹脂材料としては、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体の他、後述する中間層１９に含まれるアイオノマー樹脂であってもよいし、エチレン−酢酸ビニル共重合体以外のポリオレフィン系樹脂であってもよい。

【0415】

中間層１９は、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定して、凹凸６への密着性および形状追従性に優れたものとすること、さらには、封止用フィルム１００を強靱性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、樹脂材料としてアイオノマー樹脂を含有する。

【0416】

このような中間層１９により、電子部品搭載基板４５を封止用フィルム１００で被覆する際に、最内層１２を介して、基板５の上側に配置された電子部品４が被覆される。

【0417】

ここで、本明細書中において、樹脂材料としてのアイオノマー樹脂とは、エチレンおよび（メタ）アクリル酸を重合体の構成成分とする２元共重合体や、エチレン、（メタ）アクリル酸および（メタ）アクリル酸エステルを重合体の構成成分とする３元共重合体を、金属イオンで架橋した樹脂のことを言い、これらのうちの１種または２種を組み合わせて用いることができる。

【0418】

また、金属イオンとしては、例えば、カリウムイオン（Ｋ^＋）、ナトリウムイオン（Ｎａ^＋）、リチウムイオン（Ｌｉ^＋）、マグネシウムイオン（Ｍｇ^＋＋）、亜鉛イオン（Ｚｎ^＋＋）等が挙げられる。これらの中でも、ナトリウムイオン（Ｎａ^＋）または亜鉛イオン（Ｚｎ^＋＋）であることが好ましい。これにより、アイオノマー樹脂における架橋構造が安定化されるため、前述した中間層１９としての機能をより顕著に発揮させることができる。

【0419】

さらに、エチレンおよび（メタ）アクリル酸を重合体の構成成分とする２元共重合体、もしくは、エチレン、（メタ）アクリル酸および（メタ）アクリル酸エステルを重合体の構成成分とする３元共重合体のカルボキシル基における陽イオン（金属イオン）による中和度は、好ましくは４０ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下である。

【0420】

また、中間層１９の平均厚さは、１μｍ以上４００μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上２００μｍ以下であることがより好ましい。中間層１９の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００を強靱性に優れ、かつ、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定されているものとし得る。

【0421】

なお、中間層１９に含まれる樹脂材料としては、アイオノマー樹脂の他、最内層１２および最外層１４に含まれるエチレン−酢酸ビニル共重合体や、それ以外のポリオレフィン系樹脂であってもよい。

【0422】

最外層１４は、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定して、凹凸６への密着性および形状追従性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有する層である。なお、最外層１４は、前述した各実施形態の被覆層１４と同様の構成を有している。

【0423】

また、最外層１４は、樹脂材料としてエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有することで、絶縁性を備える層であり、電子部品搭載基板４５を封止用フィルム１００で被覆する際に、電子部品搭載基板４５の外側に位置する他の電子部品に対する絶縁性を確保するための層として機能する。

【0424】

このエチレン−酢酸ビニル共重合体としては、共重合されるＶＡ含有量は、前述した最内層１２で示した共重合されるＶＡ含有量と同様の範囲内に設定される。

【0425】

また、最外層１４の平均厚さは、５μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上１２０μｍ以下であることがより好ましい。最外層１４の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下の範囲内により確実に設定することができる。また、封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０の外側に位置する電子部品に対する中間層１９の絶縁性をより確実に確保することができる。

【0426】

なお、最外層１４に含まれる樹脂材料としては、最内層１２と同様に、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体の他、前述した中間層１９に含まれるアイオノマー樹脂であってもよいし、エチレン−酢酸ビニル共重合体以外のポリオレフィン系樹脂であってもよい。

【0427】

また、封止用フィルム１００では、最内層１２と中間層１９との間、および、中間層１９と最外層１４との間には、接着性を付与したり、あるいは接着性を高めるために必要に応じて接着層を設けるようにすることもできる。また、最内層１２と電子部品搭載基板４５との間の接着性を高めるために、必要に応じて最内層１２の内側、すなわち最内層１２と基板５との間に接着層を設けることもできる。

【0428】

接着層に含まれる接着性樹脂としては、例えば、ＥＶＡ、エチレン−無水マレイン酸共重合体、ＥＡＡ、ＥＥＡ、エチレン−メタクリレート−グリシジルアクリレート三元共重合体、あるいは、各種ポリオレフィンに、アクリル酸、メタクリル酸などの一塩基性不飽和脂肪酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸などの二塩基性不飽和脂肪酸またはこれらの無水物をグラフトさせたもの、例えば、マレイン酸グラフト化ＥＶＡ、マレイン酸グラフト化エチレン−α−オレフィン共重合体、スチレン系エラストマー、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等、公知の粘着性樹脂や接着性樹脂を適宜、使用することができる。

【0429】

さらに、最内層１２と中間層１９と最外層１４とが積層された逃げ部２７を備える封止用フィルム１００を製造する製造方法については、特に限定されず、例えば、公知の共押出法、ドライラミネート法、押出ラミ法、塗工積層等を用いて、成膜および積層を行った後に、接続部材７に対応する位置を切り抜くことで逃げ部２７を形成することで得ることができる。

【0430】

ここで、封止用フィルム１００を、上記のような構成の最内層１２と中間層１９と最外層１４とを備える多層体とすることにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を比較的容易に１５０％以上３５００％以下に設定することができる。

【0431】

なお、このように軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定し得るのであれば、封止用フィルム１００は、最外層１４が省略された２層構成のものであってもよいし、最外層１４および中間層１９が省略された１層構成のものであってもよい。すなわち、封止用フィルム１００は、ポリオレフィン系樹脂のような熱可塑性樹脂を主材料とする層を１層以上有しているものであればよい。

【0432】

また、破断伸び（軟化点における伸び率）の測定は、オートグラフ装置（例えば、島津製作所製、ＡＵＴＯＧＲＡＰＨ ＡＧＳ−Ｘ等）を用いて、ＪＩＳ Ｋ ６２５１に記載の方法に準拠して測定することができる。

【0433】

また、封止用フィルム１００の軟化点は、動的粘弾性測定装置（例えば、セイコーインスツル社製、ＥＸＳＴＡＲ６０００等）を用いて、チャック間距離２０ｍｍ、昇温速度５℃／分および角周波数１０Ｈｚの条件で測定し得る。

【0434】

さらに、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましく、５ｐｐｍ／Ｋ以上５０ｐｐｍ／Ｋ以下であることがより好ましい。封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率がこのような範囲の値であると、封止用フィルム１００の加熱時において、封止用フィルム１００は、優れた伸縮性を有するものとなるため、封止用フィルム１００の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。さらに、封止用フィルム１００と、基板５さらには電子部品４との間で、優れた密着性を維持することができるため、電子部品搭載基板４５の駆動を繰り返すことで生じる発熱に起因する封止用フィルム１００の電子部品搭載基板４５からの剥離をより的確に抑制または防止することができる。なお、封止用フィルム１００の線膨張率は、例えば、動的粘弾性測定装置（例えば、セイコーインスツル社製、ＥＸＳＴＡＲ６０００等）を用いて算出し得る。

【0435】

封止用フィルム１００の全体としての平均厚さは、１０μｍ以上７００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上４００μｍ以下であることがより好ましい。封止用フィルム１００の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００の途中において、封止用フィルム１００が破断するのを的確に抑制または防止し得るとともに、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定することができる。

【0436】

［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第１参考形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。

【0437】

本参考形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、最内層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、接続部材７が封止されることなく、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。

【0438】

以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図２４（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える最内層１２、中間層１９および最外層１４のうち最内層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する（図２４（ｂ））。

【0439】

（加熱・減圧工程）
次に、図２４（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。

【0440】

このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち最内層１２、中間層１９および最外層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となる。

【0441】

また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。

【0442】

これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となる。

【0443】

本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。

【0444】

なお、封止用フィルム１００の加熱と、雰囲気の減圧とは、加熱の後に減圧してもよく、減圧の後に加熱してもよいが、加熱と減圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、軟化した封止用フィルム１００を、凹凸６の形状に確実に若干追従した状態とすることができる。

【0445】

（冷却・加圧工程）
次に、図２４（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。

【0446】

このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。

【0447】

その結果、基板５の上側では、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、凹凸６の形状（電子部品４の形状）に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆される。
なお、前記加熱減圧工程において、凹凸６の形状に対応して封止用フィルム１００が十分追従していれば、加圧工程を省略することができる。

【0448】

この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっているのが好ましい。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができる。そのため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを優れた密着性をもって被覆することができる。

【0449】

そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを優れた密着性（気密性）をもって被覆し、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。

【0450】

これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において最内層１２が接触して基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。

【0451】

また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、接続部材７が逃げ部２７から露出しているため、電子部品搭載基板４５と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。

【0452】

なお、封止用フィルム１００の冷却と、雰囲気の加圧とは、加圧の後に冷却してもよいが、冷却と加圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、凹凸６の形状に対応して、封止用フィルム１００をより優れた密着性をもって被覆させることができる。

【0453】

上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。

【0454】

＜第１２実施形態＞
次に、本発明の封止用フィルム１００の第１２実施形態について説明する。

【0455】

図２５は、本発明の封止用フィルムの第１２実施形態を示す図（（ａ）縦断面図、（ｂ）平面図）、図２６（ａ）〜（ｃ）は、図２５に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２５、図２６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

【0456】

以下、第１２実施形態について説明するが、前記第１〜第１１実施形態および第１参考形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。

【0457】

第１２実施形態では、封止用フィルム１００が、中間層１９に代えて、電磁波シールド性を有する電磁波シールド層１３を備える積層体で構成され、それ以外は、前記第１参考形態と同様である。

【0458】

封止用フィルム１００は、本実施形態では、図２５、図２６に示すように、絶縁層（最内層）１２と、この絶縁層１２の一方の面側（上面側）に積層された電磁波シールド層１３と、電磁波シールド層１３の一方の面側に積層された被覆層（最外層）１４とを備える積層体で構成されている。すなわち、絶縁層１２と、電磁波シールド層１３と、被覆層１４とは、被覆すべき電子部品搭載基板４５側から、この順で、積層されている。

【0459】

このように電子部品４が上面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、被覆層１４を上側にして、封止用フィルム１００を用いて被覆すると、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。そのため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０は、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとなる。

【0460】

また、電子部品４は、絶縁性を有する絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３により封止されていることから、電磁波シールド層１３は、この電子部品４に対する絶縁性が確保されたものとなる。さらに、電磁波シールド層１３は、電子部品４と反対側の面において、絶縁性を有する被覆層１４により被覆されている。そのため、電磁波シールド層１３は、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０の外側に位置する他の電子部品に対しても、絶縁性が確保されたものとなる。

【0461】

また、このような封止用フィルム１００は、絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が、何れも、樹脂材料を含有し、前記第１実施形態と同様に、ＪＩＳ Ｋ ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であるが、１０００％以上３５００％以下であるのが好ましい。

【0462】

そのため、本実施形態においても、以下では、かかる伸び率を満足する封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４の層構成について説明する。

【0463】

前記軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４は、それぞれが前記第１実施形態で説明したのと同様の樹脂材料を含有する。

【0464】

また、封止用フィルム１００の前記軟化点における伸び率を前記範囲内とするために、樹脂材料を含有する絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち、絶縁層１２および被覆層１４は、前記樹脂材料（熱可塑性樹脂）を主材料として含有する層で構成され、電磁波シールド層１３は、前記樹脂材料（熱可塑性樹脂）と、導電性を備える導電性粒子とを含有する層で構成される。絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４をかかる構成のものとすることで、絶縁層１２および被覆層１４は、それぞれ、絶縁性を有する絶縁層および被覆層として機能し、電磁波シールド層１３は、電磁波シールド性さらには導電性を有する電磁波シールド層として機能する。

【0465】

上記のような構成をなす、何れも樹脂材料を含有する絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４を備える封止用フィルム１００は、前記第１実施形態と同様に、前述した樹脂材料のうちポリオレフィン系樹脂を前記樹脂材料として含有する層を、絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうちの少なくとも１層として備えることが好ましい。これにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率をより確実に１５０％以上３５００％以下に設定することができる。

【0466】

そこで、以下では、前記樹脂材料を主材料として含有する絶縁層１２および被覆層１４と、前記樹脂材料と導電性粒子とを含有する電磁波シールド層１３とを備え、絶縁層１２および被覆層１４に含まれる樹脂材料がともにポリオレフィン系樹脂である封止用フィルム１００を、一例として説明する。

【0467】

絶縁層１２は、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定して、凹凸６への密着性および形状追従性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有する層である。

【0468】

また、この絶縁層１２は、樹脂材料としてエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有することで、絶縁性を備える層であり、電子部品搭載基板４５を封止用フィルム１００で被覆する際に、電子部品４と導電性を有する電磁波シールド層１３との間に介在することで、電子部品４同士、さらには電子部品４と電極３との間で短絡が生じるのを防止するための絶縁層として機能する。

【0469】

このエチレン−酢酸ビニル共重合体としては、前記第１実施形態と同様に、共重合されるＶＡ含有量が５重量％以上３０重量％以下であることが好ましく、１０重量％以上２０重量％以下であることがより好ましい。

【0470】

また、絶縁層１２の平均厚さは、前記第１実施形態と同様に、５μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上１２０μｍ以下であることがより好ましい。これにより、電磁波シールド層１３の電子部品４に対する絶縁性をより確実に確保することができる。

【0471】

電磁波シールド層１３は、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定して、凹凸６への密着性および形状追従性に優れたものとすること、さらには、封止用フィルム１００を強靱性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、樹脂材料としてアイオノマー樹脂を含有する。また、樹脂材料（アイオノマー）は、下記の導電性材料を層中に保持するバインダーとしても機能する。

【0472】

また、電磁波シールド層１３は、樹脂材料としてアイオノマー樹脂の他に、さらに、導電性を有する導電性粒子を含有することで、電磁波シールド性さらには導電性を備える層である。

【0473】

このような電磁波シールド層１３により、電子部品搭載基板４５を封止用フィルム１００で被覆する際に、絶縁層１２を介して、基板５の上側に配置された電子部品４が被覆される。そのため、電子部品搭載基板４５を封止用フィルム１００で被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとすることができる。

【0474】

樹脂材料としてのアイオノマー樹脂としては、前記第１実施形態で説明したのと同様のものを用いることができる。

【0475】

また、導電性粒子としても、前記第１実施形態で説明したのと同様のものを用いることができる。

【0476】

また、電磁波シールド層１３中における導電性粒子の含有量は、１０重量％以上９５重量％以下であることが好ましく、５０重量％以上９０重量％以下であることがより好ましい。導電性粒子の含有量をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド層１３に電磁波シールド性さらには導電性を確実に付与しつつ、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定することができる。

【0477】

また、電磁波シールド層１３の平均厚さは、１μｍ以上４００μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上２００μｍ以下であることがより好ましい。電磁波シールド層１３の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００を強靱性に優れ、かつ、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定することができる。さらに、電磁波シールド層１３に、電磁波シールド性さらには導電性を確実に付与することができる。

【0478】

なお、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料としては、アイオノマー樹脂の他、絶縁層１２および被覆層１４に含まれるエチレン−酢酸ビニル共重合体や、それ以外のポリオレフィン系樹脂であってもよい。

【0479】

被覆層１４は、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定して、凹凸６への密着性および形状追従性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有する層である。

【0480】

また、被覆層１４は、樹脂材料としてエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有することで、絶縁性を備える層であり、電子部品搭載基板４５を封止用フィルム１００で被覆する際に、導電性を有する電磁波シールド層１３の電子部品４と反対の面側を被覆することで、電子部品搭載基板４５の外側に位置する他の電子部品に対する絶縁性を確保するための被覆層として機能する。

【0481】

このエチレン−酢酸ビニル共重合体としては、共重合されるＶＡ含有量は、前記第１実施形態の絶縁層１２で示した共重合されるＶＡ含有量と同様の範囲内に設定される。

【0482】

また、被覆層１４の平均厚さは、５μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上１２０μｍ以下であることがより好ましい。これにより、封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０の外側に位置する電子部品に対する電磁波シールド層１３の絶縁性をより確実に確保することができる。

【0483】

なお、被覆層１４に含まれる樹脂材料としては、絶縁層１２と同様に、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体の他、前述した電磁波シールド層１３に含まれるアイオノマー樹脂であってもよいし、エチレン−酢酸ビニル共重合体以外のポリオレフィン系樹脂であってもよい。

【0484】

また、封止用フィルム１００では、絶縁層１２と電磁波シールド層１３との間、および、電磁波シールド層１３と被覆層１４との間には、接着性を付与したり、あるいは接着性を高めるために必要に応じて接着層を設けるようにすることもできる。また、絶縁層１２と電子部品搭載基板４５との間の接着性を高めるために、必要に応じて絶縁層１２の内側、すなわち絶縁層１２と基板５との間に接着層を設けることもできる。

【0485】

さらに、接着層に含まれる接着性樹脂としては、前記第１実施形態で説明したのと同様の樹脂を用いることができる。

【0486】

［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第１２実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。

【0487】

本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。

【0488】

以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図２６（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する（図２６（ｂ））。

【0489】

（加熱・減圧工程）
次に、図２６（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。

【0490】

このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となる。

【0491】

また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。

【0492】

これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となる。

【0493】

本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。

【0494】

なお、封止用フィルム１００の加熱と、雰囲気の減圧とは、加熱の後に減圧してもよく、減圧の後に加熱してもよいが、加熱と減圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、軟化した封止用フィルム１００を、凹凸６の形状に確実に若干追従した状態とすることができる。

【0495】

（冷却・加圧工程）
次に、図２６（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。

【0496】

このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。

【0497】

その結果、基板５の上側では、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、凹凸６の形状（電子部品４の形状）に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆される。
なお、前記加熱減圧工程において、凹凸６の形状に対応して封止用フィルム１００が十分追従していれば、加圧工程を省略することができる。

【0498】

この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっているのが好ましい。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを優れた密着性をもって被覆することができる。

【0499】

そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを優れた密着性（気密性）をもって被覆し、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。

【0500】

これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において絶縁層１２が接触して基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。

【0501】

また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、接続部材７が逃げ部２７から露出しているため、電子部品搭載基板４５と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。

【0502】

さらに、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２と電磁波シールド層１３と被覆層１４との積層体で構成される。

【0503】

そのため、本工程において、絶縁層１２を介して、電子部品４が電磁波シールド層１３により被覆される。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとすることができる。

【0504】

また、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３により封止されることから、電磁波シールド層１３は、この電子部品４に対する絶縁性を確保した状態で、電子部品４を被覆することができる。また、電磁波シールド層１３は、電子部品４と反対側の面において、被覆層１４により被覆されていることから、電磁波シールド層１３は、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０の外側に位置する他の電子部品に対しても、絶縁性が確保された状態で電子部品搭載基板４５を被覆することができる。

【0505】

なお、封止用フィルム１００の冷却と、雰囲気の加圧とは、加圧の後に冷却してもよいが、冷却と加圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、凹凸６の形状に対応して、封止用フィルム１００をより優れた密着性をもって被覆させることができる。

【0506】

上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。

【0507】

＜第１３実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第１３実施形態について説明する。

【0508】

図２７は、本発明の封止用フィルムの第１３実施形態を示す図（（ａ）縦断面図、（ｂ）平面図）、図２８は、図２７に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２７、図２８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

【0509】

以下、第１３実施形態について説明するが、前記第１２実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。

【0510】

第１３実施形態では、封止用フィルム１００が備える被覆層１４の構成が異なり、それ以外は、前記第１２実施形態と同様である。

【0511】

第１３実施形態の封止用フィルム１００において、被覆層１４は、図２７、図２８に示すように、電磁波シールド層１３よりも大きく形成され、その端部が電磁波シールド層１３の端部（縁部）から露出すること、換言すれば、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出することで形成された突出部１５（第１突出部）を備えている。

【0512】

このような封止用フィルム１００を用いて、電子部品４および接続部材７が上面（一方の面）側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし被覆層１４を上側にして被覆すると、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。

【0513】

さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、被覆層１４が備える突出部１５は、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板５の下面の端部５１を、この突出部１５により被覆することができる。したがって、本実施形態の封止用フィルム１００により、基板５の上面側ばかりでなく、基板５の下面における端部５１まで被覆層１４により被覆することができ、より優れた気密性をもって、電子部品搭載基板４５を被覆することができる。そのため、封止用フィルム１００により被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。

【0514】

また、前記第１実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、１５０％以上３５００％以下である。これにより、基板５の上面側から下面側へ突出部１５を折りこませることで、端部５１を被覆する際に、突出部１５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0515】

さらに、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、基板５の上面側から下面側への突出部１５の折り込みを、突出部１５を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。

【0516】

また、封止用フィルム１００における、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する被覆層１４の突出部１５の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１５の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部１５を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面における端部５１にまで到達させることができるため、突出部１５による端部５１の被覆を確実に実現させることができる。

【0517】

［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第１３実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。

【0518】

本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、突出部１５を、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことにより基板５の下面における端部５１に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、突出部１５が基板５の下面における端部５１に接触した状態で、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。

【0519】

以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図２８（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。

【0520】

そして、この際、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する被覆層１４の突出部１５を、基板５の下面側に折り込み、これにより、突出部１５を端部５１に接触させる（図２８（ｂ））。

【0521】

（加熱・減圧工程）
次に、図２８（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。

【0522】

このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００、すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板５の下面側では、端部５１を、被覆し得る状態となる。

【0523】

また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。

【0524】

これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上面側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となり、基板５の下面側では、端部５１を若干被覆した状態となる。

【0525】

本工程により、封止用フィルム１００を、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に追従し得る状態とし、さらに、突出部１５が基板５の下面側に折り込まれて、端部５１を被覆し得る状態とすることができる。

【0526】

（冷却・加圧工程）
次に、図６（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。

【0527】

このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。

【0528】

その結果、基板５の上側では、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、凹凸６の形状（電子部品４の形状）に対して優れた密着度（気密度）で追従し、さらに、端部５１に対して優れた密着度で被覆した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆される。

【0529】

この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板５の上面側から下面側へ突出部１５を折り込ませることで端部５１に接触させる際に、突出部１５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0530】

そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性（気密性）をもって被覆し、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。

【0531】

これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において、絶縁層１２が接触して基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出し、さらに、基板５の下面側において、折り込まれた被覆層１４の突出部１５により端部５１が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。

【0532】

また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、接続部材７が逃げ部２７から露出しているため、電子部品搭載基板４５と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。

【0533】

上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。

【0534】

＜第１４実施形態＞
次に、本発明の封止用フィルム１００の第１４実施形態について説明する。

【0535】

図２９は、本発明の封止用フィルムの第４実施形態を示す図（（ａ）縦断面図、（ｂ）平面図）、図３０（ａ）〜（ｃ）は、図２９に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２９、図３０中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

【0536】

以下、第１４実施形態について説明するが、前記第１２実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。

【0537】

第１４実施形態では、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２および被覆層１４の構成が異なり、それ以外は、前記第１２実施形態と同様である。

【0538】

第１４実施形態の封止用フィルム１００において、絶縁層１２および被覆層１４は、図２９、図３０に示すように、それぞれ、電磁波シールド層１３よりも大きく形成され、それらの端部が電磁波シールド層１３の端部（縁部）から露出すること、換言すれば、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出することで形成された突出部１５（第１突出部）および突出部１６（第３突出部）を備えている。そして、これら突出部１５と突出部１６とは、電磁波シールド層１３の端部を越えた位置で積層することで設けられた積層突出部６５を形成する。

【0539】

このような封止用フィルム１００を用いて、電子部品４および接続部材７が上面（一方の面）側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし被覆層１４を上側にして被覆すると、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。

【0540】

さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、突出部１５と突出部１６とを積層することで形成された積層突出部６５は、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板５の下面の端部５１を、この積層突出部６５が備える突出部１５により被覆することができる。したがって、本実施形態の封止用フィルム１００により、基板５の上面側ばかりでなく、基板５の下面における端部５１まで積層突出部６５により被覆することができ、より優れた気密性をもって、電子部品搭載基板４５を被覆することができる。そのため、封止用フィルム１００により被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。

【0541】

また、積層突出部６５は、これら突出部１５と突出部１６とが、電磁波シールド層１３の端部を越えた位置で積層することで形成され、電磁波シールド層１３の端部をも絶縁層１２および被覆層１４により被覆されることで、電子部品４および電子部品搭載基板４５の外側に位置する電子部品に対する電磁波シールド層１３の絶縁性をより確実に確保することができる。

【0542】

さらに、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の前記軟化点における伸び率は、１５０％以上３５００％以下である。これにより、基板５の上面側から下面側へ積層突出部６５を折りこませることで、端部５１を被覆する際に、積層突出部６５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0543】

また、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、基板５の上面側から下面側への突出部１５の折り込みを、突出部１５を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。

【0544】

さらに、封止用フィルム１００における、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する被覆層１４の突出部１５の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１５の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部１５を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面における端部５１にまで到達させることができるため、突出部１５による端部５１の被覆を確実に実現させることができる。

【0545】

［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第１４実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。

【0546】

本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、積層突出部６５を、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことにより基板５の下面における端部５１に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、積層突出部６５が基板５の下面における端部５１に接触した状態で、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。

【0547】

以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図３０（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。

【0548】

そして、この際、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する積層突出部６５を、基板５の下面側に折り込み、これにより、積層突出部６５を端部５１に接触させる（図３０（ｂ））。

【0549】

（加熱・減圧工程）
次に、図３０（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。

【0550】

このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板５の下面側では、端部５１を、被覆し得る状態となる。

【0551】

また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。

【0552】

これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上面側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となり、基板５の下面側では、端部５１を若干被覆した状態となる。

【0553】

本工程により、封止用フィルム１００を、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に追従し得る状態とし、さらに、突出部１５が基板５の下面側に折り込まれて、端部５１を被覆し得る状態とすることができる。

【0554】

（冷却・加圧工程）
次に、図３０（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。

【0555】

このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。

【0556】

その結果、基板５の上側では、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、凹凸６の形状（電子部品４の形状）に対して優れた密着度（気密度）で追従し、さらに、端部５１に対して優れた密着度で被覆した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆される。

【0557】

この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板５の上面側から下面側へ積層突出部６５を折りこませることで端部５１に接触させる際に、積層突出部６５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0558】

そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性（気密性）をもって被覆し、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。

【0559】

これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上面側において、絶縁層１２が接触して基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出し、さらに、基板５の下面側において、折り込まれた積層突出部６５により端部５１が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。

【0560】

また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、接続部材７が逃げ部２７から露出しているため、電子部品搭載基板４５と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。

【0561】

上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。

【0562】

＜第１５実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第１５実施形態について説明する。

【0563】

図３１は、本発明の封止用フィルムの第１５実施形態を示す図（（ａ）縦断面図、（ｂ）平面図）、図３２（ａ）〜（ｃ）は、図３１に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図３１、図３２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

【0564】

以下、第１５実施形態について説明するが、前記第１２実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。

【0565】

第１５実施形態では、封止用フィルム１００において、被覆層１４の形成が省略され、それ以外は、前記第１２実施形態と同様である。

【0566】

第１５実施形態の封止用フィルム１００において、図３１、図３２に示すように、被覆層１４の形成が省略され、絶縁層１２と、この絶縁層１２の一方の面側（上面側）に積層された電磁波シールド層１３とを備える積層体で構成されている。すなわち、絶縁層１２と、電磁波シールド層１３とは、被覆すべき電子部品搭載基板４５側から、この順で、積層されている。

【0567】

このような封止用フィルム１００を用いて、電子部品４および接続部材７が上面（一方の面）側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし電磁波シールド層１３を上側にして被覆すると、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。

【0568】

また、前記第１実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、１５０％以上３５００％以下である。これにより、電子部品搭載基板４５が備える、凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６に対して、優れた追従性をもって封止した状態で、電子部品４を被覆することができる。

【0569】

さらに、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、電子部品搭載基板４５が備える、凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６に対して、優れた追従性をもって封止した状態で、電子部品４を被覆することができる。

【0570】

［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第１５実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法（本発明の電子部品搭載基板の封止方法）について説明する。

【0571】

本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。

【0572】

以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図３４（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２および電磁波シールド層１３のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する（図３４（ｂ））。

【0573】

（加熱・減圧工程）
次に、図３４（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。

【0574】

このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２および電磁波シールド層１３が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となる。

【0575】

また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。

【0576】

これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となる。

【0577】

本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。

【0578】

なお、封止用フィルム１００の加熱と、雰囲気の減圧とは、加熱の後に減圧してもよく、減圧の後に加熱してもよいが、加熱と減圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、軟化した封止用フィルム１００を、凹凸６の形状に確実に若干追従した状態とすることができる。

【0579】

（冷却・加圧工程）
次に、図３４（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。

【0580】

このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。

【0581】

その結果、基板５の上側では、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、凹凸６の形状（電子部品４の形状）に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆される。
なお、前記加熱減圧工程において、凹凸６の形状に対応して封止用フィルム１００が十分追従していれば、加圧工程を省略することができる。

【0582】

この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっているのが好ましい。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを優れた密着性をもって被覆することができる。

【0583】

そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを優れた密着性（気密性）をもって被覆し、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。

【0584】

これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において絶縁層１２が接触して基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。

【0585】

また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、接続部材７が逃げ部２７から露出しているため、電子部品搭載基板４５と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。

【0586】

さらに、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２と電磁波シールド層１３との積層体で構成される。

【0587】

そのため、本工程において、絶縁層１２を介して、電子部品４が電磁波シールド層１３により被覆される。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとすることができる。

【0588】

また、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３により封止されることから、電磁波シールド層１３は、この電子部品４に対する絶縁性を確保した状態で、電子部品４を被覆することができる。

【0589】

なお、封止用フィルム１００の冷却と、雰囲気の加圧とは、加圧の後に冷却してもよいが、冷却と加圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、凹凸６の形状に対応して、封止用フィルム１００をより優れた密着性をもって被覆させることができる。

【0590】

上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。

【0591】

＜第１６実施形態＞
次に、本発明の封止用フィルム１００の第１６実施形態について説明する。

【0592】

図３３は、本発明の封止用フィルムの第１６実施形態を示す図（（ａ）縦断面図、（ｂ）平面図）、図３４（ａ）〜（ｃ）は、図３３に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図３３、図３４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

【0593】

以下、第１６実施形態について説明するが、前記第１２実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。

【0594】

第１６実施形態では、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２の構成が異なり、さらに被覆層１４の形成が省略されていること以外は、前記第１２実施形態と同様である。

【0595】

第１６実施形態の封止用フィルム１００において、絶縁層１２は、図３３、図３４に示すように、電磁波シールド層１３よりも大きく形成され、その端部が電磁波シールド層１３の端部（縁部）から露出すること、換言すれば、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出することで形成された突出部１６（第３突出部）を備えている。

【0596】

このような封止用フィルム１００を用いて、電子部品４および接続部材７が上面（一方の面）側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし電磁波シールド層１３を上側にして被覆すると、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。

【0597】

さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、突出部１６は、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板５の下面の端部５１を、この突出部１６により被覆することができる。したがって、本実施形態の封止用フィルム１００により、基板５の上面側ばかりでなく、基板５の下面における端部５１まで突出部１６により被覆することができ、より優れた気密性をもって、電子部品搭載基板４５を被覆することができる。そのため、封止用フィルム１００により被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。

【0598】

さらに、前記第１実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、１５０％以上３５００％以下である。これにより、基板５の上面側から下面側へ突出部１６を折りこませることで、端部５１を被覆する際に、突出部１６が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0599】

また、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、基板５の上面側から下面側への突出部１６の折り込みを、突出部１６を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。

【0600】

さらに、封止用フィルム１００における、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する突出部１６の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１６の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部１６を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面における端部５１にまで到達させることができるため、突出部１６による端部５１の被覆を確実に実現させることができる。

【0601】

［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第１６実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。

【0602】

本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、突出部１６を、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことにより基板５の下面における端部５１に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、突出部１６が基板５の下面における端部５１に接触した状態で、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。

【0603】

以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図３４（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２および電磁波シールド層１３のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。
そして、この際、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する突出部１６を、基板５の下面側に折り込み、これにより、突出部１６を端部５１に接触させる（図３４（ｂ））。

【0604】

（加熱・減圧工程）
次に、図３４（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。

【0605】

このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２および電磁波シールド層１３が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板５の下面側では、端部５１を、被覆し得る状態となる。

【0606】

また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。

【0607】

これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上面側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となり、基板５の下面側では、端部５１を若干被覆した状態となる。

【0608】

本工程により、封止用フィルム１００を、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に追従し得る状態とし、さらに、突出部１５が基板５の下面側に折り込まれて、端部５１を被覆し得る状態とすることができる。

【0609】

（冷却・加圧工程）
次に、図３６（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。

【0610】

このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。

【0611】

その結果、基板５の上側では、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、凹凸６の形状（電子部品４の形状）に対して優れた密着度（気密度）で追従し、さらに、端部５１に対して優れた密着度で被覆した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆される。

【0612】

この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板５の上面側から下面側へ突出部１６を折りこませることで端部５１に接触させる際に、突出部１６が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0613】

そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性（気密性）をもって被覆し、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。

【0614】

これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上面側において、絶縁層１２が接触して基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出し、さらに、基板５の下面側において、折り込まれた突出部１６により端部５１が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。

【0615】

また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、接続部材７が逃げ部２７から露出しているため、電子部品搭載基板４５と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。

【0616】

上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。

【0617】

＜第１７実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第１７実施形態について説明する。

【0618】

図３５は、本発明の封止用フィルムの第１７実施形態を示す図（（ａ）縦断面図、（ｂ）平面図）、図３６（ａ）〜（ｃ）は、図３５に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図３５、図３６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

【0619】

以下、第１７実施形態について説明するが、前記第１２実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。

【0620】

第１７実施形態では、封止用フィルム１００が備える電磁波シールド層１３および被覆層１４の構成が異なり、さらに、この封止用フィルム１００を用いて被覆する電子部品搭載基板４５の構成が異なること以外は、前記第１２実施形態と同様である。

【0621】

第１７実施形態の封止用フィルム１００において、電磁波シールド層１３および被覆層１４は、図３５、図３６に示すように、絶縁層１２よりも大きく形成されている。これにより、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２側に位置する電磁波シールド層１３の端部が絶縁層１２の端部（縁部）から露出している。換言すれば、電磁波シールド層１３が、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７（第２突出部）を備えている。

【0622】

また、第１７実施形態の封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、図３５に示すように、基板５と、基板５の上面（一方の面）側の中央部に搭載（載置）された電子部品４と、この電子部品４に電気的に接続され、基板５の上面（一方の面）側の端部５２に形成された接続部材７および電極３とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４および電極３の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成される。なお、電極３としては、例えば、外部から電気を供給するための電源と接続するための電極、電子部品搭載基板４５の外側に位置する、他の電子部品と電気的に接続するための電極、および、電子部品４を接地するためのグランド電極等が挙げられる。

【0623】

このように電子部品４、電極３および接続部材７が上面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、被覆層１４を上側にして、封止用フィルム１００を用いて被覆すると、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。

【0624】

さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、電磁波シールド層１３は、このものが備える突出部１７において、絶縁層１２から露出している。そのため、基板５の上面の端部５２に形成された電極３に、この突出部１７を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部１７は、電磁波シールド層１３で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０おいて、この電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することができる。なお、本実施形態では、電磁波シールド層１３の上面のほぼ全面には被覆層１４が形成されていることから、電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保する場合には、被覆層１４の一部を除去して電磁波シールド層１３が露出する露出部を形成し、この露出部において、電磁波シールド層１３と外部とを電気的に接続することで、この接続が実現される。

【0625】

また、封止用フィルム１００における、絶縁層１２の端部を越えて突出する電磁波シールド層１３の突出部１７の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１７の長さをかかる範囲内に設定することで、この突出部１７により、基板５の上面側に位置する電極３を被覆して、突出部１７と電極３との電気的な接続を実現することができる。

【0626】

［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第１７実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。

【0627】

本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、突出部１７を、基板５の上面（一方の面）側の電極３に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、突出部１７が電極３に接触した状態で、基板５と電子部品４と電極３とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。

【0628】

以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図３６（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４と電極３とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。

【0629】

この際、封止用フィルム１００の中央部に位置する絶縁層１２により電子部品４を被覆させ、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１７により電極３を被覆させる（図３６（ｂ））。

【0630】

（加熱・減圧工程）
次に、図３６（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。

【0631】

このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４および電極３を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となる。

【0632】

また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。

【0633】

これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４および電極３の形状に若干追従した状態となる。

【0634】

本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。

【0635】

（冷却・加圧工程）
次に、図３６（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。

【0636】

このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。

【0637】

その結果、基板５の上側では、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、凹凸６の形状（電子部品４および電極３の形状）に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆される。

【0638】

この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４と電極３とを優れた密着性をもって被覆することができる。

【0639】

そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とを優れた密着性（気密性）をもって被覆し、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。

【0640】

これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において、絶縁層１２が接触して基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出し、さらに、電磁波シールド層１３が接触して電極３が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。

【0641】

また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、接続部材７が逃げ部２７から露出しているため、電子部品搭載基板４５と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。

【0642】

また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４の積層体で構成されるが、電磁波シールド層１３は、その端部において、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７を備えている。そして、本実施形態では、この突出部１７が、絶縁層１２を介することなく、電極３を直接被覆する。これにより、導電性を有する突出部１７（電磁波シールド層１３）に電極３が電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１７を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。

【0643】

上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。

【0644】

＜第１８実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第１８実施形態について説明する。

【0645】

図３７は、本発明の封止用フィルムの第１８実施形態を示す図（（ａ）縦断面図、（ｂ）平面図）、図３８（ａ）〜（ｃ）は、図３７に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図３７、図３８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

【0646】

以下、第１８実施形態について説明するが、前記第１２実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。

【0647】

第１８実施形態では、封止用フィルム１００が備える電磁波シールド層１３の構成が異なり、さらに、被覆層１４の形成が省略されているとともに、この封止用フィルム１００を用いて被覆する電子部品搭載基板４５の構成が異なること以外は、前記第１２実施形態と同様である。

【0648】

第１８実施形態の封止用フィルム１００において、電磁波シールド層１３は、図３７、図３８に示すように、絶縁層１２よりも大きく形成されている。これにより、電磁波シールド層１３の端部が絶縁層１２の端部（縁部）から露出すること、換言すれば、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７（第２突出部）を備えている。

【0649】

また、第１８実施形態の封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、図３８に示すように、基板５と、基板５の上面（一方の面）側の中央部に搭載（載置）された電子部品４と、この電子部品４に電気的に接続され、基板５の上面（一方の面）側の端部５２に形成された接続部材７および電極３とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４および電極３の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成される。なお、電極３としては、例えば、外部から電気を供給するための電源と接続するための電極、電子部品搭載基板４５の外側に位置する、他の電子部品と電気的に接続するための電極、および、電子部品４を接地するためのグランド電極等が挙げられる。

【0650】

このように電子部品４、電極３および接続部材７が上面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、電磁波シールド層１３を上側にして、封止用フィルム１００を用いて被覆すると、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。

【0651】

さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、電磁波シールド層１３は、このものが備える突出部１７において、絶縁層１２から露出している。そのため、基板５の上面の端部５２に形成された電極３に、この突出部１７を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部１７は、電磁波シールド層１３で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０おいて、この電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することができる。

【0652】

また、封止用フィルム１００における、絶縁層１２の端部を越えて突出する電磁波シールド層１３の突出部１７の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１７の長さをかかる範囲内に設定することで、この突出部１７により、基板５の上側に位置する電極３を被覆して、突出部１７と電極３との電気的な接続を実現することができる。

【0653】

［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第１８実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。

【0654】

本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、突出部１７を、基板５の上面（一方の面）側の電極３に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、突出部１７が電極３に接触した状態で、基板５と電子部品４と電極３とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。

【0655】

以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図３８（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２および電磁波シールド層１３のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４と電極３とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。

【0656】

この際、封止用フィルム１００の中央部に位置する絶縁層１２により電子部品４を被覆させ、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１７により電極３を被覆させる（図３８（ｂ））。

【0657】

（加熱・減圧工程）
次に、図３８（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。

【0658】

このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２および電磁波シールド層１３が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４および電極３を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となる。

【0659】

また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。

【0660】

これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４および電極３の形状に若干追従した状態となる。

【0661】

本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。

【0662】

（冷却・加圧工程）
次に、図３８（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。

【0663】

このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。

【0664】

その結果、基板５の上側では、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、凹凸６の形状（電子部品４および電極３の形状）に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆される。

【0665】

この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４と電極３とを優れた密着性をもって被覆することができる。

【0666】

そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とを優れた密着性（気密性）をもって被覆し、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。

【0667】

これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において、絶縁層１２が接触して基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出し、さらに、電磁波シールド層１３が接触して電極３が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。

【0668】

また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、接続部材７が逃げ部２７から露出しているため、電子部品搭載基板４５と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。

【0669】

また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２および電磁波シールド層１３の積層体で構成されるが、電磁波シールド層１３は、その端部において、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７を備えている。そして、本実施形態では、この突出部１７が、絶縁層１２を介することなく、電極３を直接被覆する。これにより、導電性を有する突出部１７（電磁波シールド層１３）に電極３が電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１７を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。

【0670】

上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。

【0671】

＜第１９実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第１９実施形態について説明する。

【0672】

図３９は、本発明の封止用フィルムの第１９実施形態を示す図（（ａ）縦断面図、（ｂ）平面図）、図４０（ａ）〜（ｃ）は、図３９に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図３９、図４０中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

【0673】

以下、第１９実施形態について説明するが、前記第１２実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。

【0674】

第１９実施形態では、封止用フィルム１００が備える電磁波シールド層１３および被覆層１４の構成が異なり、さらに、この封止用フィルム１００を用いて被覆する電子部品搭載基板４５の構成が異なること以外は、前記第１２実施形態と同様である。

【0675】

第１９実施形態の封止用フィルム１００において、電磁波シールド層１３および被覆層１４は、図３９、図４０に示すように、絶縁層１２よりも大きく形成されている。これにより、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２側に位置する電磁波シールド層１３の端部が絶縁層１２の端部（縁部）から露出している。換言すれば、電磁波シールド層１３が、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７（第２突出部）を備えている。

【0676】

また、第１９実施形態の封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、図４０に示すように、基板５と、基板５の上面（一方の面）側の中央部に搭載（載置）された電子部品４と、この電子部品４に電気的に接続され、基板５の上面（一方の面）側の端部５２に形成された接続部材７、および、基板５の下面（他方の面）側の端部５１に形成された電極３とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成される。

【0677】

このように電子部品４および接続部材７が上面側に搭載され、電極３が下面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、被覆層１４を上側にして、封止用フィルム１００を用いて被覆すると、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。

【0678】

さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、電磁波シールド層１３が備える突出部１７は、基板５の下面側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板５の下面の端部５１に形成された電極３に、この突出部１７を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部１７は、電磁波シールド層１３で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０おいて、この電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することができる。なお、本実施形態では、電磁波シールド層１３の上面のほぼ全面には被覆層１４が形成されていることから、電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保する場合には、被覆層１４の一部を除去して電磁波シールド層１３が露出する露出部を形成し、この露出部において、電磁波シールド層１３と外部とを電気的に接続することで、この接続が実現される。

【0679】

また、前記第１実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、１５０％以上３５００％以下である。これにより、基板５の上面側から下面側へ突出部１７を折りこませることで、端部５１に設けられた電極３を被覆する際に、突出部１７が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0680】

さらに、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、基板５の上面側から下面側への突出部１７の折り込みを、突出部１７を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。

【0681】

また、封止用フィルム１００における、絶縁層１２の端部を越えて突出する電磁波シールド層１３の突出部１７の長さは、特に限定されず、０．５ｃｍ以上８．０ｃｍ以下であることが好ましく、１．０ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１７の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部１７を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面における端部５１に形成された電極３にまで到達させることができるため、突出部１７による電極３の電気的な接続を確実に実現させることができる。

【0682】

［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、本実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。

【0683】

本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、突出部１７を、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことにより電極３に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、突出部１７が電極３に接触した状態で、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。

【0684】

以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図４０（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。

【0685】

そして、この際、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１７を、基板５の下面側に折り込み、これにより、突出部１７を電極３に接触させる（図４０（ｂ））。

【0686】

（加熱・減圧工程）
次に、図４０（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。

【0687】

このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板５の下面側では、基板５の下面の端部５１に設けられた電極３の形状に対して、追従し得る状態となる。

【0688】

また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。

【0689】

これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上面側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となり、基板５の下面側では、電極３の形状に若干追従した状態となる。

【0690】

本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状、および、下面側に形成された電極３の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。

【0691】

（冷却・加圧工程）
次に、図４０（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。

【0692】

このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。

【0693】

その結果、基板５の上面側では、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、凹凸６の形状（電子部品４の形状）、さらに、基板５の下面側では電極３の形状に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆される。

【0694】

この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６および電極３に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上面側において基板５と電子部品４とを、さらには基板５の下面側においては電極３を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板５の上面側から下面側へ突出部１７を折りこませることで電極３に接触させる際に、突出部１７が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0695】

そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、さらには電極３を優れた密着性（気密性）をもって被覆し、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。

【0696】

これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上面側において絶縁層１２が接触して基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出し、さらに、基板５の下面側において電磁波シールド層１３が接触して電極３が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。

【0697】

また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、接続部材７が逃げ部２７から露出しているため、電子部品搭載基板４５と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。

【0698】

また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４の積層体で構成されるが、電磁波シールド層１３は、絶縁層１２よりも大きく形成され、その中央部において絶縁層１２が積層されるが、端部において、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７を備えている。そして、この突出部１７が、基板５の下面側に折り込まれることで電極３を直接被覆する。これにより、電極３が突出部１７（電磁波シールド層１３）に電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１７を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。

【0699】

上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。

【0700】

＜＜第２０実施形態＞＞
次に、本発明の封止用フィルム１００の第２０実施形態について説明する。

【0701】

図４１は、本発明の封止用フィルムの第２０実施形態を示す図（（ａ）縦断面図、（ｂ）平面図）、図４２（ａ）〜（ｃ）は、図４１に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図４１、図４２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

【0702】

以下、第２０実施形態について説明するが、前記第１２実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。

【0703】

第２０実施形態では、封止用フィルム１００が備える電磁波シールド層１３の構成が異なり、さらに、被覆層１４の形成が省略されているとともに、この封止用フィルム１００を用いて被覆する電子部品搭載基板４５の構成が異なること以外は、前記第１２実施形態と同様である。

【0704】

第２０実施形態の封止用フィルム１００において、電磁波シールド層１３は、図４１、図４２に示すように、絶縁層１２よりも大きく形成されている。これにより、電磁波シールド層１３の端部が絶縁層１２の端部（縁部）から露出すること、換言すれば、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７（第２突出部）を備えている。

【0705】

また、第２０実施形態の封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、図４２に示すように、基板５と、基板５の上面（一方の面）側の中央部に搭載（載置）された電子部品４と、この電子部品４に電気的に接続され、基板５の上面（一方の面）側の端部５２に形成された接続部材７、および、基板５の下面（他方の面）側の端部５１に形成された電極３とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成される。

【0706】

このように電子部品４および接続部材７が上面側に搭載され、電極３が下面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、電磁波シールド層１３を上側にして、封止用フィルム１００を用いて被覆すると、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。

【0707】

さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、電磁波シールド層１３が備える突出部１７は、基板５の下面側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板５の下面の端部５１に形成された電極３に、この突出部１７を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部１７は、電磁波シールド層１３で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０おいて、この電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することができる。

【0708】

また、前記第１実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、１５０％以上３５００％以下である。これにより、基板５の上面側から下面側へ突出部１７を折りこませることで、端部５１に設けられた電極３を被覆する際に、突出部１７が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0709】

さらに、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、基板５の上面側から下面側への突出部１７の折り込みを、突出部１７を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。

【0710】

また、封止用フィルム１００における、絶縁層１２の端部を越えて突出する電磁波シールド層１３の突出部１７の長さは、特に限定されず、０．５ｃｍ以上８．０ｃｍ以下であることが好ましく、１．０ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１７の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部１７を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面における端部５１に形成された電極３にまで到達させることができるため、突出部１７による電極３の電気的な接続を確実に実現させることができる。

【0711】

［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、本実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。

【0712】

本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、突出部１７を、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことにより電極３に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、突出部１７が電極３に接触した状態で、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。

【0713】

以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図４２（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２および電磁波シールド層１３のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。
そして、この際、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１７を、基板５の下面側に折り込み、これにより、突出部１７を電極３に接触させる（図４２（ｂ））。

【0714】

（加熱・減圧工程）
次に、図４２（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。

【0715】

このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２および電磁波シールド層１３が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板５の下面側では、基板５の下面の端部５１に設けられた電極３の形状に対して、追従し得る状態となる。

【0716】

また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。

【0717】

これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上面側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となり、基板５の下面側では、電極３の形状に若干追従した状態となる。

【0718】

本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状、および、下面側に形成された電極３の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。

【0719】

（冷却・加圧工程）
次に、図４２（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。

【0720】

このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。

【0721】

その結果、基板５の上面側では、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、凹凸６の形状（電子部品４の形状）、さらに、基板５の下面側では電極３の形状に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆される。

【0722】

この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６および電極３に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上面側において基板５と電子部品４とを、さらには基板５の下面側においては電極３を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板５の上面側から下面側へ突出部１７を折りこませることで電極３に接触させる際に、突出部１７が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0723】

そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、さらには電極３を優れた密着性（気密性）をもって被覆し、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。

【0724】

これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上面側において絶縁層１２が接触して基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出し、さらに、基板５の下面側において電磁波シールド層１３が接触して電極３が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。

【0725】

また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、接続部材７が逃げ部２７から露出しているため、電子部品搭載基板４５と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。

【0726】

また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２および電磁波シールド層１３の積層体で構成されるが、電磁波シールド層１３は、絶縁層１２よりも大きく形成され、その中央部において絶縁層１２が積層されるが、端部において、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７を備えている。そして、この突出部１７が、基板５の下側に折り込まれることで電極３を直接被覆する。これにより、電極３が突出部１７（電磁波シールド層１３）に電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１７を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。

【0727】

上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。

【0728】

＜第２１実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第２１実施形態について説明する。

【0729】

図４３は、本発明の封止用フィルムの第２１実施形態を示す縦断面図、図４４（ａ）〜（ｃ）は、図４３に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図４３、図４４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

【0730】

以下、第２１実施形態について説明するが、前記第１〜第２０実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。

【0731】

第２１実施形態では、封止用フィルム１００が備える電磁波シールド層１３および被覆層１４の構成が異なり、さらに、この封止用フィルム１００を用いて被覆する電子部品搭載基板４５の構成が異なること以外は、前記第１実施形態と同様である。

【0732】

封止用フィルム１００は、図４３、図４４に示すように、絶縁層１２と、この絶縁層１２の一方の面側（上面側）に積層された電磁波シールド層１３とを備える積層体で構成されている。すなわち、電磁波シールド層１３は、被覆すべき電子部品搭載基板４５の反対側（上面側）において、絶縁層１２に積層されている。そして、この電磁波シールド層１３は、絶縁層１２よりも大きく形成され、その端部が絶縁層１２の端部（縁部）から露出している。換言すれば、電磁波シールド層１３が、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１５を備えている。

【0733】

ここで、封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、図４４に示すように、基板５と、基板５の上面（一方の面）側の中央部に搭載（載置）された電子部品４と、この電子部品４に電気的に接続され、基板５の下面（他方の面）側の端部に形成された電極３とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４の搭載および基板５の下面への電極３の形成により、基板５の上面および下面に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成される。なお、基板５としては、例えば、プリント配線基板が挙げられ、基板５上に搭載する電子部品４としては、例えば、半導体素子、コンデンサー、コイル、コネクターおよび抵抗等が挙げられ、電極３としては、例えば、外部から電気を供給するための電源と接続するための電極、他の電子部品と電気的に接続するための電極、および、電子部品４を接地するためのグランド電極等が挙げられる。

【0734】

このように電子部品４が上面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、電磁波シールド層１３を上側にして、封止用フィルム１００を用いて封止すると、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。そのため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０は、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとなる。

【0735】

さらに、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、電磁波シールド層１３が備える突出部１５は、基板５の下面側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板５の下面側の端部に形成された電極３に、この突出部１５を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部１５は、電磁波シールド層１３で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０おいて、この電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することができる。

【0736】

また、前記第１実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、１５０％以上３５００％以下であるが、１５０％以上２０００％以下であることがより好ましく、１０００％以上２０００％以下であることがさらに好ましい。

【0737】

この軟化点における伸び率がかかる範囲内であることにより、封止用フィルム１００による電子部品搭載基板４５の被覆の際に、電子部品搭載基板４５が備える、凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６に対して、優れた追従性をもって封止した状態で、被覆することができる。そのため、この封止用フィルム１００を被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。さらに、基板５の上面側から下面側へ突出部１５を折り込ませることで電極３に接触させる際に、突出部１５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0738】

また、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を前記範囲内とすることにより、基板５に設けられた凹凸６における段差が具体的な大きさとして、１０ｍｍ以上のように大きいものであったとしても、封止用フィルム１００を凹凸６の形状に対応して追従させることができる。

【0739】

封止用フィルム１００の全体としての平均厚さは、１０μｍ以上７００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上４００μｍ以下であることがより好ましい。封止用フィルム１００の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００の途中において、封止用フィルム１００が破断するのを的確に抑制または防止し得るとともに、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定することができる。

【0740】

また、封止用フィルム１００における、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１５の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１５の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部１５を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面側に位置する電極３に到達させることができるため、突出部１５と電極３との電気的な接続を実現することができる。

【0741】

［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した本発明の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法（本発明の電子部品搭載基板の封止方法）について説明する。

【0742】

本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆うように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置させつつ、突出部１５を、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことにより電極３に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、突出部１５が電極３に接触した状態で、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。

【0743】

以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図４４（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える電磁波シールド層１３および絶縁層１２のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆うように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。

【0744】

そして、この際、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１５を、基板５の下面側に折り込み、これにより、突出部１５を電極３に接触させる（図４４（ｂ））。

【0745】

（加熱・減圧工程）
次に、図４４（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。

【0746】

このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち電磁波シールド層１３および絶縁層１２が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板５の下面側では、基板５に設けられた電極３の形状に対して、追従し得る状態となる。

【0747】

また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。

【0748】

これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となり、基板５の下側では、基板５上の電極３の形状に若干追従した状態となる。

【0749】

本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状、および、下面側に形成された電極３の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。

【0750】

なお、封止用フィルム１００の加熱と、雰囲気の減圧とは、加熱の後に減圧してもよく、減圧の後に加熱してもよいが、加熱と減圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、軟化した封止用フィルム１００を、凹凸６の形状および電極３の形状に確実に若干追従した状態とすることができる。

【0751】

（冷却・加圧工程）
次に、図４４（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。

【0752】

このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。

【0753】

その結果、基板５の上側では凹凸６の形状（電子部品４の形状）、さらに、基板５の下側では電極３の形状に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆される。

【0754】

なお、前記加熱減圧工程において、凹凸６の形状に対応して封止用フィルム１００が十分追従していれば、加圧工程を省略することができる。

【0755】

この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６および電極３に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができる。そのため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを、さらには基板５の下側においては電極３を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板５の上面側から下面側へ突出部１５を折り込ませることで電極３に接触させる際に、突出部１５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。

【0756】

そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、さらには電極３を優れた密着性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。

【0757】

これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において絶縁層１２が接触した状態で基板５と電子部品４とが被覆され、基板５の下側において電磁波シールド層１３が接触した状態で基板５と電極３が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。

【0758】

また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２と電磁波シールド層１３の積層体で構成されるが、電磁波シールド層１３は、絶縁層１２よりも大きく形成され、その中央部において絶縁層１２が積層されるが、端部において、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１５を備えている。

【0759】

そのため、本工程において、電磁波シールド層１３の中央部では、絶縁層１２を介して、電子部品４が被覆される。したがって、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。

【0760】

さらに、電磁波シールド層１３の端部では、絶縁層１２が介在することなく、導電性を有する突出部１５が、基板５の下側に折り込まれることで電極３を直接被覆する。これにより、電極３が突出部１５（電磁波シールド層１３）に電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１５を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。

【0761】

なお、封止用フィルム１００の冷却と、雰囲気の加圧とは、加圧の後に冷却してもよいが、冷却と加圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、凹凸６および電極３の形状に対応して、封止用フィルム１００をより優れた密着性をもって被覆させることができる。

【0762】

上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。

【0763】

以上、本発明の封止用フィルム、電子部品搭載基板の封止方法および封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。

【0764】

例えば、本発明の封止用フィルムには、同様の機能を発揮し得る、任意の層が追加されていてもよい。また、本発明の封止用フィルムの各実施例を適宜組み合わせてもよい。

【0765】

さらに、本発明の電子部品搭載基板の封止方法には、１または２以上の任意の工程が追加されていてもよい。

【実施例】

【0766】

以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

【0767】

（実施例１Ａ）
＜封止用フィルムの製造＞
封止用フィルムを得るために、形成すべき封止用フィルムの各層を構成する樹脂として、それぞれ、以下に示すものを用意した。

【0768】

まず、絶縁層１２を構成する樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ^３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。

【0769】

また、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ^３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。

【0770】

さらに、電磁波シールド層１３に含まれる導電性粒子として、銀からなる球状粒子（福田金属箔粉工業製、「Ａｇ−ＸＦ３０１」、５０％粒子径４〜７μｍ）を用意した。

【0771】

次に、絶縁層１２を構成する樹脂を用いて押出成形法により絶縁層１２を成膜し、また、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料を４５重量部と導電性粒子を５５重量部との溶剤混合物を用いてコンマコーターにより電磁波シールド層１３を塗工成膜した。次に、上記絶縁膜１２および上記電磁波シールド層１３をラミネーターにより貼り合わせることによって、電磁波シールド層１３／絶縁層１２の順に積層された積層体を形成した。その後、絶縁層１２の縁部を、エッチング法を用いて除去した。これにより、図１に示すような、突出部１５を備える電磁波シールド層１３と絶縁層１２とで構成される積層体からなる実施例１Ａの封止用フィルムを得た。

【0772】

なお、得られた実施例１Ａの封止用フィルムの各層の平均厚さ（μｍ）は、それぞれ、電磁波シールド層１３／絶縁層１２で１００／１００μｍであり、合計厚さは、２００μｍであった。

【0773】

また、実施例１Ａの封止用フィルムの軟化点における伸び率を測定したところ８８０％であった。

【0774】

さらに、実施例１Ａの封止用フィルムにおける、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率を測定したところ、５１ｐｐｍ／Ｋであった。

【0775】

＜封止用フィルム被覆電子部品搭載基板の製造＞
まず、任意の電子部品搭載基板を用意し、その後、スキンパック包装機（ハイパック社製、「ＨＩ−７５０シリーズ」）が備えるチャンバー内において、電子部品搭載基板が有する基板と電子部品とを覆うように得られた実施例１Ａの封止用フィルム１００を、絶縁層２を電子部品搭載基板４５側にして、配置した。

【0776】

次に、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、チャンバー内を減圧した。なお、封止用フィルムを加熱した温度は１２５℃であり、チャンバーの圧力は０．４ｋＰａであり、かかる加熱・減圧の条件を１分間保持した。

【0777】

次に、チャンバー内を常温・常圧に戻すことで、封止用フィルムを冷却するとともに、チャンバー内を加圧した。これにより、基板と電子部品とが封止用フィルムで被覆された実施例１Ａの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0778】

（実施例２Ａ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を１０μｍにしたこと以外は、前記実施例１Ａと同様にして実施例２Ａの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0779】

（実施例３Ａ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を４００μｍにしたこと以外は、前記実施例１Ａと同様にして実施例３Ａの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0780】

（実施例４Ａ）
電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料を２０重量部にし導電性粒子を８０重量部にし、さらに、電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を１０μｍにしたこと以外は、前記実施例１Ａと同様にして実施例４Ａの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0781】

（実施例５Ａ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を４００μｍにしたこと以外は、前記実施例４Ａと同様にして実施例５Ａの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0782】

（実施例６Ａ）
電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、接着樹脂（三井化学製、「アドマーＮＦ５３６」）を用意したこと以外は前記実施例１Ａと同様にして実施例６Ａの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0783】

（実施例７Ａ）
絶縁層１２を構成する樹脂材料として、接着樹脂（三井化学製、「アドマーＮＦ５３６」）を用意したこと以外は前記実施例１Ａと同様にして実施例７Ａの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0784】

（実施例８Ａ）
絶縁層１２を構成する樹脂材料として、ポリオレフィン樹脂（「ノーブレンＦＳ２０１１ＤＧ２」、密度０．９００ｇ／ｃｍ^３、メルトインデックス２．０ｇ／１０ｍｉｎ（２３０℃測定）、融点１６０℃）を用意し、形成する絶縁層１２の平均厚さ（μｍ）を５０μｍとしたこと以外は前記実施例１Ａと同様にして実施例８Ａの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0785】

（比較例１Ａ）
比較例１Ａとして、市販の二軸延伸ＰＥＴフィルム（東洋紡社製、銘柄：Ｅ５１０７）を用意した。

【0786】

＜評価試験＞
各実施例（実施例１Ａ〜８Ａ）および比較例（比較例１Ａ）で作製した封止用フィルムまたは封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、形状追従性、シワの発生の有無、電磁波シールド性および導電性の評価を行った。以下に、これらの評価方法について説明する。

【0787】

＜＜形状追従性＞＞
形状追従性は、以下のようにして評価した。

【0788】

すなわち、各実施例および比較例で作製した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、被覆した凹凸における空隙の有無により、以下の評価基準に基づいて判断した。なお、空隙の有無は、顕微鏡を用いて観察した。

【0789】

各符号は以下のとおりであり、ＡおよびＢを合格とし、Ｃを不合格とした。
Ａ：段差の底部にまで、充填された状態で被覆されている
Ｂ：段差の底部において若干の空隙が形成されているものの、ほぼ全体に亘って充填された状態で被覆されている
Ｃ：段差の底部において明らかな空隙が形成された状態で被覆されている

【0790】

＜＜シワの有無＞＞
シワの有無は、以下のようにして評価した。

【0791】

すなわち、各実施例および比較例で作製した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、被覆した上面におけるシワの有無により、以下の評価基準に基づいて判断した。なお、シワの有無は、マイクロスコープを用いて観察した。

【0792】

各符号は以下のとおりであり、Ａを合格とし、Ｂを不合格とした。
Ａ：封止用フィルムの上面の全体にシワが認められない
Ｂ：封止用フィルムの上面の凸部に対応する位置に明らかなシワが認められる

【0793】

＜＜電磁波シールド性＞＞
電磁波シールド性は、以下のようにして評価した。

【0794】

すなわち、各実施例および比較例で作製した封止用フィルムについて、KEC法（電界）を用いて、周波数０．００１〜１ＧＨｚの範囲内における電磁波シールド効果の値を測定し、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の範囲内における電磁波シールド効果の最小値を求めた。そして、求められた最小値を、以下の評価基準に基づいて判断した。

【0795】

各符号は以下のとおりであり、Ａを合格とし、Ｂを不合格とした。
Ａ：電磁波シールド効果の最小値が２０ｄＢ以上である
Ｂ：電磁波シールド効果の最小値が２０ｄＢ未満である

【0796】

なお、KEC法は、近傍界で発生する電磁波のシールド効果を電界と磁界に分けて評価する方法であり、この方法を用いた測定は、送信アンテナ（送信用の治具）から送信された電磁波を、シート状をなす封止用フィルムを介して、受信アンテナ（受信用の治具）で受信することで実施することができ、かかるKEC法では、受信アンテナにおいて、封止用フィルムを通過（透過）した電磁波が測定されるすなわち、送信された電磁波（信号）が電磁波シールド層により受信アンテナ側でどれだけ減衰したかが測定される。

【0797】

＜＜導電性＞＞
電磁波シールド層における導電性の有無は、以下のようにして評価した。

【0798】

すなわち、各実施例および比較例で作製した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、電磁波シールド層が備える突出部において、電源と接続し、電子部品の駆動の有無により、以下の評価基準に基づいて判断した。

【0799】

各符号は以下のとおりであり、Ａを合格とし、Ｂを不合格とした。
Ａ：電子部品の駆動が認められる
Ｂ：電子部品の駆動が認められない
以上の各実施例および比較例の評価試験の結果を表１に示す。

【0800】

【表1】

【0801】

表１から明らかなように、実施例１Ａ〜８Ａの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であることにより、凹部の底部における空隙、さらには封止用フィルムの上面におけるシワの発生を抑制または防止して、電子部品搭載基板に対して被覆することが可能であった。また、電磁波シールド層が備える突出部を介した、外部電源と電極間の導通を確認することができた。

【0802】

これに対して、比較例１Ａの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が１５０％未満であり、これに起因して、封止用フィルムによる電子部品搭載基板に対する被覆の際に、凹部の底部における空隙および封止用フィルムの上面におけるシワが明らかに発生する結果となった。

【0803】

（実施例１Ｂ）
＜封止用フィルムの製造＞
封止用フィルムを得るために、形成すべき封止用フィルムの各層を構成する樹脂として、それぞれ、以下に示すものを用意した。

【0804】

まず、絶縁層１２および被覆層１４を構成する樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ^３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。

【0805】

また、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ^３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。

【0806】

さらに、電磁波シールド層１３に含まれる導電性粒子として、銀からなる球状粒子（福田金属箔粉工業製、「Ａｇ−ＸＦ３０１」、５０％粒子径４〜７μｍ）を用意した。

【0807】

次に、絶縁層１２を構成する樹脂を用いて押出成形法により絶縁層１２を成膜した。その後、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料４５重量部と導電性粒子５５重量部との溶剤混合物を用いてコンマコーターにより絶縁層１２上に電磁波シールド層１３を塗工成膜した。次に、被覆層１４を構成する樹脂を用いてコンマコーターにより被覆層１４を電磁波シールド層１３上に塗工成膜し、上記絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４をラミネーターにより貼り合わせることによって、被覆層１４／電磁波シールド層１３／絶縁層１２の順に積層された積層体を形成した後、絶縁層１２の縁部を、エッチング法を用いて除去した。これにより、図９に示すような、突出部１７を備える絶縁層１２と電磁波シールド層１３と被覆層１４とで構成される積層体からなる実施例１Ｂの封止用フィルムを得た。

【0808】

なお、得られた実施例１Ｂの封止用フィルムの各層の平均厚さ（μｍ）は、それぞれ、被覆層１４／電磁波シールド層１３／絶縁層１２で５０／１００／５０μｍであり、合計厚さは、２００μｍであり、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１７の長さは、２．０ｃｍであった。

【0809】

また、実施例１Ｂの封止用フィルムの軟化点における伸び率を測定したところ８９０％であった。

【0810】

さらに、実施例１Ｂの封止用フィルムにおける、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率を測定したところ、５３ｐｐｍ／Ｋであった。

【0811】

＜封止用フィルム被覆電子部品搭載基板の製造＞
まず、基板上に電子部品が搭載され、さらに、基板の下面の縁部に電極が形成された任意の電子部品搭載基板を用意し、その後、スキンパック包装機（ハイパック社製、「ＨＩ−７５０シリーズ」）が備えるチャンバー内において、電子部品搭載基板が有する基板と電子部品とを覆うように得られた実施例１Ｂの封止用フィルム１００を、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして配置し、さらに、突出部１７を、基板５の下面側に折り込むことで電極３に接触させた。

【0812】

次に、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、チャンバー内を減圧した。なお、封止用フィルムを加熱した温度は１２５℃であり、チャンバー内の圧力は０．４ｋＰａであり、かかる加熱・減圧の条件を１分間保持した。

【0813】

次に、チャンバー内を常温・常圧に戻すことで、封止用フィルムを冷却するとともに、チャンバー内を加圧した。これにより、基板と電子部品とが封止用フィルムが備える絶縁層で被覆され、封止用フィルムが備える電磁波シールド層で電極が被覆された実施例１Ｂの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0814】

（実施例２Ｂ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を１０μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ｂと同様にして実施例２Ｂの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0815】

（実施例３Ｂ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を４００μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ｂと同様にして実施例３Ｂの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0816】

（実施例４Ｂ）
電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料を２０重量部とし導電性粒子を８０重量部とし、さらに、電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を１０μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ｂと同様にして実施例４Ｂの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0817】

（実施例５Ｂ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を４００μｍとしたこと以外は、前記実施例４Ｂと同様にして実施例５Ｂの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0818】

（実施例６Ｂ）
電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、接着樹脂（三井化学製、「アドマーＮＦ５３６」）を用意したこと以外は前記実施例１Ｂと同様にして実施例６Ｂの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0819】

（実施例７Ｂ）
絶縁層１２および被覆層１４を構成する樹脂材料として、接着樹脂（三井化学製、「アドマーＮＦ５３６」）を用意したこと以外は前記実施例１Ｂと同様にして実施例７Ｂの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0820】

（実施例８Ｂ）
絶縁層１２および被覆層１４を構成する樹脂材料として、ポリオレフィン樹脂（「ノーブレンＦＳ２０１１ＤＧ２」、密度０．９００ｇ／ｃｍ^３、メルトインデックス２．０ｇ／１０ｍｉｎ（２３０℃測定）、融点１６０℃）を用意し、形成する絶縁層１２および被覆層１４の平均厚さ（μｍ）を２５μｍとしたこと以外は前記実施例１Ｂと同様にして実施例８Ｂの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0821】

（参考例１Ｂ）
参考例１Ｂとして、市販の二軸延伸ＰＥＴフィルム（東洋紡社製、銘柄：Ｅ５１０７）を用意した。

【0822】

＜評価試験＞
各実施例（１Ｂ〜８Ｂ）および参考例（参考例１Ｂ）で作製した封止用フィルムまたは封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、前述した実施例１Ａ〜８Ａに対して行った評価方法を用いて、形状追従性、シワの発生の有無、電磁波シールド性および導電性の評価を行った。
各実施例および参考例の評価試験の結果を表２に示す。

【0823】

【表2】

【0824】

表２から明らかなように、実施例１Ｂ〜８Ｂの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であることにより、凹部の底部における空隙、さらには封止用フィルムの上面におけるシワの発生を抑制または防止して、電子部品搭載基板に対して被覆することが可能であった。また、電磁波シールド層が備える突出部を介した、外部電源と電極間の導通を確認することができた。

【0825】

これに対して、参考例１Ｂの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が１５０％未満であり、これに起因して、封止用フィルムによる電子部品搭載基板に対する被覆の際に、凹部の底部における空隙および封止用フィルムの上面におけるシワが明らかに発生する結果となった。

【0826】

（実施例１Ｃ）
＜封止用フィルムの製造＞
封止用フィルムを得るために、形成すべき封止用フィルムの各層を構成する樹脂として、それぞれ、以下に示すものを用意した。

【0827】

まず、絶縁層１２を構成する樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ^３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。

【0828】

また、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ^３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。

【0829】

さらに、電磁波シールド層１３に含まれる導電性粒子として、銀からなる球状粒子（福田金属箔粉工業製、「Ａｇ−ＸＦ３０１」、５０％粒子径４〜７μｍ）を用意した。

【0830】

次に、絶縁層１２を構成する樹脂を用いて押出成形法により絶縁層１２を成膜した。その後、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料４５重量部と導電性粒子５５重量部との溶剤混合物を用いてコンマコーターにより絶縁層１２上に、突出部１６が形成されるように、電磁波シールド層１３を塗工成膜した。その後、上記絶縁層１２および上記電磁波シールド層１３をラミネーターにより貼り合わせた。これにより、図１７に示すような、電磁波シールド層１３／絶縁層１２の順に積層された積層体で構成され、縁部に突出部１６を備える実施例１Ｃの封止用フィルムを得た。

【0831】

なお、得られた実施例１Ｃの封止用フィルムの各層の平均厚さ（μｍ）は、それぞれ、電磁波シールド層１３／絶縁層１２で１００／１００μｍであり、合計厚さは、２００μｍであり、突出部１６の長さは、２．０ｃｍであった。

【0832】

また、実施例１Ｃの封止用フィルムの軟化点における伸び率を測定したところ８８０％であった。

【0833】

さらに、実施例１Ｃの封止用フィルムにおける、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率を測定したところ、５１ｐｐｍ／Ｋであった。

【0834】

＜封止用フィルム被覆電子部品搭載基板の製造＞
まず、基板上に電子部品が搭載された任意の電子部品搭載基板を用意し、その後、スキンパック包装機（ハイパック社製、「ＨＩ−７５０シリーズ」）が備えるチャンバー内において、電子部品搭載基板が有する基板と電子部品とを覆うように得られた実施例１Ｃの封止用フィルム１００を、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして配置し、さらに、突出部１６を、基板５の下面側に折り込むことで端部５１に接触させた。

【0835】

次に、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、チャンバー内を減圧した。なお、封止用フィルムを加熱した温度は１２５℃であり、チャンバー内の圧力は０．４ｋＰａであり、かかる加熱・減圧の条件を１分間保持した。

【0836】

次に、チャンバー内を常温・常圧に戻すことで、封止用フィルムを冷却するとともに、チャンバー内を加圧した。これにより、基板と電子部品とが封止用フィルムが備える絶縁層１２で被覆され、折り込まれた突出部１６で基板の下面側の端部５１が被覆された実施例１Ｃの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0837】

（実施例２Ｃ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を１０μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ｃと同様にして実施例２Ｃの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0838】

（実施例３Ｃ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を４００μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ｃと同様にして実施例３Ｃの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0839】

（実施例４Ｃ）
電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料を２０重量部とし導電性粒子を８０重量部とし、さらに、電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を１０μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ｃと同様にして実施例４Ｃの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0840】

（実施例５Ｃ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を４００μｍとしたこと以外は、前記実施例４Ｃと同様にして実施例５Ｃの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0841】

（実施例６Ｃ）
電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、接着樹脂（三井化学製、「アドマーＮＦ５３６」）を用意したこと以外は前記実施例１Ｃと同様にして実施例６Ｃの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0842】

（実施例７Ｃ）
絶縁層１２を構成する樹脂材料として、接着樹脂（三井化学製、「アドマーＮＦ５３６」）を用意したこと以外は前記実施例１Ｃと同様にして実施例７Ｃの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0843】

（実施例８Ｃ）
絶縁層１２を構成する樹脂材料として、ポリオレフィン樹脂（「ノーブレンＦＳ２０１１ＤＧ２」、密度０．９００ｇ／ｃｍ^３、メルトインデックス２．０ｇ／１０ｍｉｎ（２３０℃測定）、融点１６０℃）を用意し、形成する絶縁層１２の平均厚さ（μｍ）を５０μｍとしたこと以外は前記実施例１Ｃと同様にして実施例８Ｃの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0844】

（実施例９Ｃ）
封止用フィルムを以下のようにして製造したこと以外は、前記実施例１Ｃと同様にして、基板と電子部品とが封止用フィルムが備える絶縁層１２で被覆され、折り込まれた積層突出部６５で基板の下面側の端部５１が被覆された実施例９Ｃの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0845】

＜封止用フィルムの製造＞
封止用フィルムを得るために、形成すべき封止用フィルムの各層を構成する樹脂として、それぞれ、以下に示すものを用意した。

【0846】

まず、絶縁層１２および被覆層１４を構成する樹脂材料として、ポリオレフィン樹脂（「ノーブレンＦＳ２０１１ＤＧ２」、密度０．９００ｇ／ｃｍ^３、メルトインデックス２．０ｇ／１０ｍｉｎ（２３０℃測定）、融点１６０℃）を用意した。

【0847】

また、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ^３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。

【0848】

さらに、電磁波シールド層１３に含まれる導電性粒子として、銀からなる球状粒子（福田金属箔粉工業製、「Ａｇ−ＸＦ３０１」、５０％粒子径４〜７μｍ）を用意した。

【0849】

次に、絶縁層１２を構成する樹脂を用いて押出成形法により絶縁層１２を成膜した。その後、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料を４５重量部と導電性粒子を５５重量部との溶剤混合物を用いてコンマコーターにより絶縁層１２上に、突出部１６が形成されるように、電磁波シールド層１３を塗工成膜した。さらに、被覆層１４を構成する樹脂を用いてコンマコーターにより電磁波シールド層１３上に、突出部１５が形成されるように、被覆層１４を塗工成膜し、上記絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４をラミネーターにより貼り合わせた。これにより、図２１に示すような、被覆層１４／電磁波シールド層１３／絶縁層１２の順に積層された積層体で構成され、縁部に積層突出部６５を備える実施例９Ｃの封止用フィルムを得た。

【0850】

なお、得られた実施例９Ｃの封止用フィルムの各層の平均厚さ（μｍ）は、それぞれ、被覆層１４／電磁波シールド層１３／絶縁層１２で５０／１００／５０μｍであり、合計厚さは、２００μｍであり、積層突出部６５の長さは、２．０ｃｍであった。

【0851】

また、実施例９Ｃの封止用フィルムの軟化点における伸び率を測定したところ３４００％であった。

【0852】

さらに、実施例９Ｃの封止用フィルムにおける、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率を測定したところ、６ｐｐｍ／Ｋであった。

【0853】

（比較例１Ｃ）
比較例１Ｃとして、市販の二軸延伸ＰＥＴフィルム（東洋紡社製、銘柄：Ｅ５１０７）を用意した。

【0854】

＜評価試験＞
各実施例（実施例１Ｃ〜９Ｃ）および比較例（比較例１Ｃ）で作製した封止用フィルムまたは封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、前述した実施例１Ａ〜８Ａに対して行った評価方法を用いて、形状追従性、シワの発生の有無および電磁波シールド性の評価を行った。また、各実施例および比較例で作製した封止用フィルムまたは封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、端部被覆性を以下の評価方法を用いて評価した。

【0855】

＜＜端部被覆性＞＞
端部被覆性（形状追従性）は、以下のようにして評価した。

【0856】

すなわち、各実施例および比較例で作製した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、積層突出部による基板の下面の端部における被覆での剥離の有無により、以下の評価基準に基づいて判断した。なお、剥離の有無は、顕微鏡を用いて観察した。

【0857】

各符号は以下のとおりであり、Ａを合格とし、Ｂを不合格とした。
Ａ：下面の端部において積層突出部の剥離が認められない
Ｂ：下面の端部において積層突出部の剥離が認められる
各実施例および参考例の評価試験の結果を表３に示す。

【0858】

【表3】

【0859】

表３から明らかなように、実施例１Ｃ〜９Ｃの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であることにより、凹部の底部における空隙、さらには封止用フィルムの上面におけるシワの発生を抑制または防止して、電子部品搭載基板に対して被覆することが可能であった。また、積層突出部を折り込むことで、積層突出部による基板の下面における端部の被覆が可能であった。

【0860】

これに対して、比較例１Ｃの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が１５０％未満であり、これに起因して、封止用フィルムによる電子部品搭載基板に対する被覆の際に、凹部の底部における空隙、封止用フィルムの上面におけるシワ、さらには、積層突出部と基板下面の端部との間における剥離が明らかに発生する結果となった。

【0861】

（実施例１Ｄ）
＜封止用フィルムの製造＞
封止用フィルムを得るために、形成すべき封止用フィルムの各層を構成する樹脂として、それぞれ、以下に示すものを用意した。

【0862】

まず、絶縁層（最内層）１２を構成する樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ^３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。

【0863】

また、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ^３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。

【0864】

さらに、電磁波シールド層１３に含まれる導電性粒子として、銀からなる球状粒子（福田金属箔粉工業製、「Ａｇ−ＸＦ３０１」、５０％粒子径４〜７μｍ）を用意した。

【0865】

次に、絶縁層１２を構成する樹脂を用いて押出成形法により絶縁層１２を成膜した。その後、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料を４５重量部と導電性粒子を５５重量部との溶剤混合物を用いてコンマコーターにより絶縁層１２上に電磁波シールド層１３を塗工成膜した。次に、上記絶縁層１２および上記電磁波シールド層１３をラミネーターにより貼り合わせることによって、絶縁層１２／電磁波シールド層１３の順に積層された積層体を形成した後、この積層体の端部を切り取ることで逃げ部２７を形成し、その後、絶縁層１２の縁部を、エッチング法を用いて除去した。これにより、図４１に示すような、突出部１７を備える絶縁層１２と電磁波シールド層１３とで構成され、逃げ部２７を有する積層体からなる実施例１Ｄの封止用フィルムを得た。

【0866】

なお、得られた実施例１Ｄの封止用フィルムの各層の平均厚さ（μｍ）は、それぞれ、電磁波シールド層１３／絶縁層１２で１００／１００μｍであり、合計厚さは、２００μｍであり、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１７の長さは、２．０ｃｍであった。

【0867】

また、実施例１Ｄの封止用フィルムの軟化点における伸び率を測定したところ８８０％であった。

【0868】

さらに、実施例１Ｄの封止用フィルムにおける、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率を測定したところ、５１ｐｐｍ／Ｋであった。

【0869】

＜封止用フィルム被覆電子部品搭載基板の製造＞
まず、基板上の中央部に電子部品が搭載されるとともに、その縁部に接続部材が搭載され、さらに、基板の下面の縁部に電極が形成された任意の電子部品搭載基板を用意し、その後、スキンパック包装機（ハイパック社製、「ＨＩ−７５０シリーズ」）が備えるチャンバー内において、電子部品搭載基板が有する基板と電子部品とを覆い、かつ、接続部材が逃げ部から露出するように形成された実施例１Ｄの封止用フィルム１００を、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして配置し、さらに、突出部１７を、基板５の下面側に折り込むことで電極３に接触させた。

【0870】

次に、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、チャンバー内を減圧した。なお、封止用フィルムを加熱した温度は１２５℃であり、チャンバーの圧力は０．４ｋＰａであり、かかる加熱・減圧の条件を１分間保持した。

【0871】

次に、チャンバー内を常温・常圧に戻すことで、封止用フィルムを冷却するとともに、チャンバー内を加圧した。これにより、接続部材が逃げ部から露出した状態で、基板と電子部品とが封止用フィルムが備える絶縁層で被覆され、さらに、封止用フィルムが備える電磁波シールド層で電極が被覆された実施例１Ｄの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0872】

（実施例２Ｄ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を１０μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ｄと同様にして実施例２Ｄの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0873】

（実施例３Ｄ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を４００μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ｄと同様にして実施例３Ｄの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0874】

（実施例４Ｄ）
電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料を２０重量部とし導電性粒子を８０重量部とし、さらに、電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を１０μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ｄと同様にして実施例４Ｄの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0875】

（実施例５Ｄ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を４００μｍとしたこと以外は、前記実施例４Ｄと同様にして実施例５Ｄの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0876】

（実施例６Ｄ）
電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、接着樹脂（三井化学製、「アドマーＮＦ５３６」）を用意したこと以外は前記実施例１Ｄと同様にして実施例６Ｄの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0877】

（実施例７）
絶縁層１２を構成する樹脂材料として、接着樹脂（三井化学製、「アドマーＮＦ５３６」）を用意したこと以外は前記実施例１Ｄと同様にして実施例７Ｄの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0878】

（実施例８）
絶縁層１２を構成する樹脂材料として、ポリオレフィン樹脂（「ノーブレンＦＳ２０１１ＤＧ２」、密度０．９００ｇ／ｃｍ^３、メルトインデックス２．０ｇ／１０ｍｉｎ（２３０℃測定）、融点１６０℃）を用意し、形成する絶縁層１２の平均厚さ（μｍ）を５０μｍとしたこと以外は前記実施例１Ｄと同様にして実施例８Ｄの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0879】

（実施例９Ｄ）
封止用フィルムを以下のようにして製造したこと以外は、前記実施例１Ｄと同様にして、接続部材が逃げ部から露出した状態で、基板と電子部品とが封止用フィルムが備える絶縁層で被覆され、さらに、封止用フィルムが備える電磁波シールド層で電極が被覆された実施例９Ｄの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0880】

＜封止用フィルムの製造＞
封止用フィルムを得るために、形成すべき封止用フィルムの各層を構成する樹脂として、それぞれ、以下に示すものを用意した。

【0881】

まず、絶縁層１２および被覆層（最外層）１４を構成する樹脂材料として、ポリオレフィン樹脂（「ノーブレンＦＳ２０１１ＤＧ２」、密度０．９００ｇ／ｃｍ^３、メルトインデックス２．０ｇ／１０ｍｉｎ（２３０℃測定）、融点１６０℃）を用意した。

【0882】

また、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ^３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。

【0883】

さらに、電磁波シールド層１３に含まれる導電性粒子として、銀からなる球状粒子（福田金属箔粉工業製、「Ａｇ−ＸＦ３０１」、５０％粒子径４〜７μｍ）を用意した。

【0884】

次に、絶縁層１２を構成する樹脂を用いて押出成形法により絶縁層１２を成膜した。その後、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料を４５重量部と導電性粒子を５５重量部との溶剤混合物を用いてコンマコーターにより絶縁層１２上に電磁波シールド層１３を塗工成膜した。さらに、被覆層１４を構成する樹脂を用いてコンマコーターにより被覆層１４を電磁波シールド層１３上に塗工成膜した。その後、上記絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４をラミネーターにより貼り合わせることによって、被覆層１４／電磁波シールド層１３／絶縁層１２の順に積層された積層体を形成した後、この積層体の端部を切り取ることで逃げ部２７を形成し、その後、絶縁層１２の縁部を、エッチング法を用いて除去した。これにより、図３９に示すような、突出部１７を備える絶縁層１２と電磁波シールド層１３と被覆層１４とで構成され、逃げ部２７を有する積層体からなる実施例９Ｄの封止用フィルムを得た。

【0885】

なお、得られた実施例９Ｄの封止用フィルムの各層の平均厚さ（μｍ）は、それぞれ、絶縁層１２／電磁波シールド層１３／被覆層１４で５０／１００／５０μｍであり、合計厚さは、２００μｍであり、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１７の長さは、２．０ｃｍであった。

【0886】

また、実施例９Ｄの封止用フィルムの軟化点における伸び率を測定したところ３４００％であった。

【0887】

さらに、実施例９Ｄの封止用フィルムにおける、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率を測定したところ、６ｐｐｍ／Ｋであった。

【0888】

（参考例１Ｄ）
参考例１Ｄとして、市販の二軸延伸ＰＥＴフィルム（東洋紡社製、銘柄：Ｅ５１０７）を用意した。

【0889】

＜評価試験＞
各実施例（実施例１Ｄ〜９Ｄ）および参考例（参考例１Ｄ）で作製した封止用フィルムまたは封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、前述した実施例１Ａ〜８Ａに対して行った評価方法を用いて、形状追従性、シワの発生の有無、電磁波シールド性および導電性の評価を行った。
各実施例および参考例の評価試験の結果を表４に示す。

【0890】

【表4】

【0891】

表４から明らかなように、実施例１Ｄ〜９Ｄの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であることにより、凹部の底部における空隙、さらには封止用フィルムの上面におけるシワの発生を抑制または防止して、電子部品搭載基板に対して被覆することが可能であった。また、電磁波シールド層が備える突出部を介した、外部電源と電極間の導通を確認することができた。

【0892】

これに対して、参考例１Ｄの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が１５０％未満であり、これに起因して、封止用フィルムによる電子部品搭載基板に対する被覆の際に、凹部の底部における空隙および封止用フィルムの上面におけるシワが明らかに発生する結果となった。

【0893】

（実施例１Ｅ）
＜封止用フィルムの製造＞
封止用フィルムを得るために、形成すべき封止用フィルムの各層を構成する樹脂として、それぞれ、以下に示すものを用意した。

【0894】

まず、絶縁層１２を構成する樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ^３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。

【0895】

また、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ^３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。

【0896】

さらに、電磁波シールド層１３に含まれる導電性粒子として、銀からなる球状粒子（福田金属箔粉工業製、「Ａｇ−ＸＦ３０１」、５０％粒子径４〜７μｍ）を用意した。

【0897】

次に、絶縁層１２を構成する樹脂を用いて押出成形法により絶縁層１２を成膜した。また、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料を４５重量部と導電性粒子を５５重量部との溶剤混合物を用いてコンマコーターにより電磁波シールド層１３を塗工成膜した。その後、上記絶縁層１２および上記電磁波シールド層１３をラミネーターにより貼り合わせることによって、電磁波シールド層１３／絶縁層１２の順に積層された積層体を形成した。その後、絶縁層１２の縁部を、エッチング法を用いて除去した。これにより、図４３に示すような、突出部１５を備える電磁波シールド層１３と絶縁層１２とで構成される積層体からなる実施例１Ｅの封止用フィルムを得た。

【0898】

なお、得られた実施例１Ｅの封止用フィルムの各層の平均厚さ（μｍ）は、それぞれ、電磁波シールド層１３／絶縁層１２で１００／１００μｍであり、合計厚さは、２００μｍであり、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１５の長さは、２．０ｃｍであった。

【0899】

また、実施例１Ｅの封止用フィルムの軟化点における伸び率を測定したところ８８０％であった。

【0900】

さらに、実施例１Ｅの封止用フィルムにおける、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率を測定したところ、５１ｐｐｍ／Ｋであった。

【0901】

＜封止用フィルム被覆電子部品搭載基板の製造＞
まず、基板上に電子部品が搭載され、さらに、基板の下面の縁部に電極が形成された任意の電子部品搭載基板を用意し、その後、スキンパック包装機（ハイパック社製、「ＨＩ−７５０シリーズ」）が備えるチャンバー内において、電子部品搭載基板が有する基板と電子部品とを覆うように得られた実施例１Ｅの封止用フィルム１００を、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして配置し、さらに、突出部１５を、基板５の下面側に折り込むことで電極３に接触させた。

【0902】

次に、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、チャンバー内を減圧した。なお、封止用フィルムを加熱した温度は１２５℃であり、チャンバー内の圧力は０．４ｋＰａであり、かかる加熱・減圧の条件を１分間保持した。

【0903】

次に、チャンバー内を常温・常圧に戻すことで、封止用フィルムを冷却するとともに、チャンバー内を加圧した。これにより、基板と電子部品とが封止用フィルムが備える絶縁層で被覆され、電極が、封止用フィルムが備える電磁波シールド層で被覆された実施例１Ｅの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0904】

（実施例２Ｅ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を１０μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ｅと同様にして実施例２Ｅの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0905】

（実施例３Ｅ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を４００μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ｅと同様にして実施例３Ｅの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0906】

（実施例４Ｅ）
電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料を２０重量部とし導電性粒子を８０重量部とし、さらに、電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を１０μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ｅと同様にして実施例４Ｅの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0907】

（実施例５Ｅ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を４００μｍとしたこと以外は、前記実施例４Ｅと同様にして実施例５Ｅの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0908】

（実施例６Ｅ）
電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、接着樹脂（三井化学製、「アドマーＮＦ５３６」）を用意したこと以外は前記実施例１Ｅと同様にして実施例６Ｅの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0909】

（実施例７Ｅ）
絶縁層１２を構成する樹脂材料として、接着樹脂（三井化学製、「アドマーＮＦ５３６」）を用意したこと以外は前記実施例１Ｅと同様にして実施例７Ｅの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0910】

（実施例８Ｅ）
絶縁層１２を構成する樹脂材料として、ポリオレフィン樹脂（「ノーブレンＦＳ２０１１ＤＧ２」、密度０．９００ｇ／ｃｍ^３、メルトインデックス２．０ｇ／１０ｍｉｎ（２３０℃測定）、融点１６０℃）を用意し、形成する絶縁層１２の平均厚さ（μｍ）を５０μｍとしたこと以外は前記実施例１Ｅと同様にして実施例８Ｅの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。

【0911】

（参考例１Ｅ）
参考例１Ｅとして、市販の二軸延伸ＰＥＴフィルム（東洋紡社製、銘柄：Ｅ５１０７）を用意した。

【0912】

＜評価試験＞
各実施例（実施例１Ｅ〜８Ｅ）および参考例（参考例１Ｅ）で作製した封止用フィルムまたは封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、前述した実施例１Ａ〜８Ａに対して行った評価方法を用いて、形状追従性、シワの発生の有無、電磁波シールド性および導電性の評価を行った。
各実施例および参考例の評価試験の結果を表５に示す。

【0913】

【表5】

【0914】

表５から明らかなように、実施例１Ｅ〜８Ｅの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であることにより、凹部の底部における空隙、さらには封止用フィルムの上面におけるシワの発生を抑制または防止して、電子部品搭載基板に対して被覆することが可能であった。また、電磁波シールド層が備える突出部を介した、外部電源と電極間の導通を確認することができた。

【0915】

これに対して、参考例の封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が１５０％未満であり、これに起因して、封止用フィルムによる電子部品搭載基板に対する被覆の際に、凹部の底部における空隙および封止用フィルムの上面におけるシワが明らかに発生する結果となった。

【産業上の利用可能性】

【0916】

本発明によれば、封止用フィルムが樹脂材料を主材料として構成され、ＪＩＳ Ｋ ６２５１に準拠して求められる軟化点における封止用フィルムの伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。かかる封止用フィルムを、まず、基板と電子部品とを覆うように電子部品搭載基板上に配置する。その後、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに減圧する。その後、封止用フィルムを冷却させるとともに加圧する。以上の工程を経ることにより、封止用フィルムが、基板に電子部品を搭載することで形成される凹凸に対して、優れた追従性をもって封止した状態で、基板と電子部品とを被覆することができる。そのため、この封止用フィルムを被覆することで得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板において、電子部品（特に、電子部品）が湿気や埃等の外部因子と接触するのを的確に抑制または防止することができる。また、封止用フィルムにより、基板と電子部品とを被覆する際に、電子部品は、絶縁層を介して電磁波シールド層で封止されるため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板は、電子部品への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとなる。したがって、本発明は、産業上の利用可能性を有する。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】

【図31】

【図32】

【図33】

【図34】

【図35】

【図36】

【図37】

【図38】

【図39】

【図40】

【図41】

【図42】

【図43】

【図44】