特許 6362938 表示装置および表示装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6362938

(24)【登録日】2018年7月6日

(45)【発行日】2018年7月25日

(54)【発明の名称】表示装置および表示装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20180712BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20180712BHJP

   H05B 33/26 20060101ALI20180712BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20180712BHJP

   H05B 33/10 20060101ALI20180712BHJP

【ＦＩ】

   G09F9/30 338

   G09F9/30 330

   G09F9/30 365

   G09F9/30 336

   G09F9/00 338

   H05B33/26 Z

   H05B33/12 B

   H05B33/10

【請求項の数】13

【全頁数】21

(21)【出願番号】特願2014-136504(P2014-136504)

(22)【出願日】2014年7月2日

(65)【公開番号】特開2015-121764(P2015-121764A)

(43)【公開日】2015年7月2日

【審査請求日】2017年6月26日

(31)【優先権主張番号】特願2013-241711(P2013-241711)

(32)【優先日】2013年11月22日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】512187343

【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社

【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．

(74)【代理人】

【識別番号】110000408

【氏名又は名称】特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ

(72)【発明者】

【氏名】柏原 充宏

(72)【発明者】

【氏名】松浦 利幸

【審査官】 小野 健二

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１０−１０８６９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−２０７２１７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−０９３３９７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−２９２６７８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平１０−２８９７８４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２０１０／００７２４８２（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０９Ｆ ９／００−９／４６

Ｈ０１Ｌ ２７／３２

Ｈ０５Ｂ ３３／００−３３／２８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の画素を有する表示装置であって、
前記画素に対応して設けられた画素電極と、
第１端部を有する第１補助配線と第２端部を有する第２補助配線とを含む複数の補助配線であって、複数の前記画素電極の間の少なくとも一部において、前記補助配線と前記画素電極との距離よりも短い距離で、前記第１端部と前記第２端部とが対向している補助配線と、
前記画素電極の一部を露出する第１開口部、および前記第１端部、前記第２端部およびこれらの端部間を露出する第２開口部を有し、前記画素電極および前記補助配線上に配置された絶縁層と、
前記第１開口部により露出された前記画素電極上および前記絶縁層上に配置された有機発光層と、
第１導電層と前記補助配線に接続された第２導電層とを含む導電層であって、前記画素電極上の前記有機発光層上に配置された電極、および前記第２開口部における前記補助配線と当該電極とを電気的に接続する接続部のそれぞれが、前記第１導電層および前記第２導電層の少なくとも一方を含み、前記接続部の少なくとも一部では、前記第１導電層上に前記第２導電層が積層されている導電層と、
を備えることを特徴とする表示装置。

【請求項2】

前記第１導電層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタノイド金属、アルミニウム、インジウム、スズ、ニッケル、銅および亜鉛の少なくとも１種の金属元素を含む単層または複数層の導電層であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記第１導電層が単層であり、
前記第１導電層の膜厚は、５．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。

【請求項4】

前記第１導電層が、前記第２導電層から最も離れた第１層と前記第２導電層側の第２層とを含む複数層であり、
前記第１層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタノイド金属およびアルミニウムの少なくとも１種の金属元素を含み、
前記第１導電層の膜厚は、４ｎｍ以上８ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。

【請求項5】

前記第１層は、前記有機発光層上に形成され、仕事関数が４．３ｅＶ以下であることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。

【請求項6】

前記端部間が１マイクロメートル乃至１００マイクロメートルであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

【請求項7】

前記第２開口部で電気的に接続された前記補助配線と前記導電層との接続部分が複数であり、
前記複数の接続部分には、接続抵抗が２００ｋΩ以下である接続部分が含まれることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の表示装置。

【請求項8】

前記第１導電層は前記有機発光層上に配置された電極を含み、
前記第１導電層と前記第２導電層とは前記有機発光層上以外の部分で積層されていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の表示装置。

【請求項9】

前記第２導電層は前記有機発光層上に配置された電極を含み、
前記第１導電層と前記第２導電層とは前記有機発光層上以外の部分で積層されていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の表示装置。

【請求項10】

前記有機発光層を発光させるための電力が供給される電力供給配線を備え、
前記電力供給配線は、前記導電層が接続される一方、前記補助配線には前記導電層を介して間接的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の表示装置。

【請求項11】

複数の画素に対応した画素電極を有する表示装置の製造方法であって、
第１端部を有する第１補助配線と第２端部を有する第２補助配線とを含む複数の補助配線であって、複数の前記画素電極の間の少なくとも一部において、前記第１端部と前記第２端部とが対向している補助配線を形成し、
前記画素電極の一部を露出する第１開口部と、前記第１端部、前記第２端部およびこれらの端部間を露出する第２開口部とを有する絶縁層を、前記画素電極および前記補助配線上に形成し、
前記第１開口部により露出された前記画素電極上、前記第２開口部により露出された前記補助配線、および前記絶縁層上に有機発光層を形成し、
前記画素電極上の前記有機発光層上および少なくとも前記第２開口部により露出された前記補助配線上の前記有機発光層上に第１導電層を形成し、
前記第１補助配線と前記第２補助配線との間に電圧を印加して前記端部間に放電または前記端部間に前記第１導電層を介して放電を起こして、前記第２開口部に露出された前記補助配線の少なくとも一部が露出するように前記有機発光層を除去し、
前記第２開口部において露出させた前記補助配線と前記第１導電層とを電気的に接続する接続部を含む第２導電層を形成すること、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。

【請求項12】

複数の画素に対応した画素電極を有する表示装置の製造方法であって、
第１端部を有する第１補助配線と第２端部を有する第２補助配線とを含む複数の補助配線であって、複数の前記画素電極の間の少なくとも一部において、前記第１端部と前記第２端部とが対向している補助配線を形成し、
前記画素電極の一部を露出する第１開口部と、前記第１端部、前記第２端部およびこれらの端部間を露出する第２開口部とを有する絶縁層を、前記画素電極および前記補助配線上に形成し、
前記第１開口部により露出された前記画素電極上、前記第２開口部により露出された前記補助配線、および前記絶縁層上に有機発光層を形成し、
少なくとも前記第２開口部により露出された前記補助配線上の前記有機発光層上に第１導電層を形成し、
前記第１補助配線と前記第２補助配線との間に電圧を印加して前記端部間に放電または前記端部間に前記第１導電層を介して放電を起こして、前記第２開口部に露出された前記補助配線の少なくとも一部が露出するように前記有機発光層を除去し、
前記画素電極上の前記有機発光層上に配置された電極、および前記第２開口部において露出させた前記補助配線と当該電極とを電気的に接続する接続部を含む第２導電層を形成すること、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。

【請求項13】

前記第１補助配線と前記第２補助配線との間に印加される前記電圧は、交流電源から印加されることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、表示装置の画質を改善する技術に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、有機ＥＬ（Organic Electroluminescence）など、供給される電流に応じた強度で発光する素子を用いた表示装置が開発されている。このような表示装置として、トップエミッション型アクティブマトリックス有機ＥＬディスプレイがある。この表示装置によれば、発光素子の発光方向が、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）とは逆の方向になる。そこで、発光素子の発光方向側（ＴＦＴとは逆側）の電極（以下、上部電極という）に、光透過性を有する程度に薄膜化した金属を用いたり、透明導電性酸化物を用いたりする必要がある。しかし、これらは、低抵抗化することが困難であり、電圧降下に伴う画面内の輝度分布が発生する。

【0003】

この輝度分布は、高電流が必要な高輝度にするほど、また、大画面化するほど顕著になってくる。そのため、補助配線を用いて上部電極と接続することにより、電圧降下を減らす試みがなされている（例えば、特許文献１〜４）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００１−１９５００８号公報

【特許文献2】特開２００１−２３００８６号公報

【特許文献3】特開２００５−０１１８１０号公報

【特許文献4】特開２００５−０９３３９８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

有機ＥＬ層を成膜する場合には、共通に成膜できる層が多いほど製造が容易になる。その場合には、特許文献３、４に開示された方法のように、補助配線上に成膜された有機膜を除去する工程を追加したり、有機膜を成膜するときに補助配線上に付着しないようにしたりする必要がある。したがって、工程が煩雑になるため、量産時の歩留まりを低下させる要因となり得る。

【0006】

例えば、特許文献３に開示された方法においては、大画面のディスプレイに対して、必要な部分にだけレーザ照射をするための遮蔽マスクをアライメントして配置したり、真空中で高精細なアライメントを行いつつ多数回のレーザのスポット照射を行ったりする必要がある。

【0007】

本発明の目的の一つは、補助配線と上部電極との接続をするための工程を簡略化することにある。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の一実施形態によると、複数の画素を有する表示装置であって、前記画素に対応して設けられた画素電極と、第１端部を有する第１補助配線と第２端部を有する第２補助配線とを含む複数の補助配線であって、複数の前記画素電極の間の少なくとも一部において、前記補助配線と前記画素電極との距離よりも短い距離で、前記第１端部と前記第２端部とが対向している補助配線と、前記画素電極の一部を露出する第１開口部、および前記第１端部、前記第２端部およびこれらの端部間を露出する第２開口部を有し、前記画素電極および前記補助配線上に配置された絶縁層と、前記第１開口部により露出された前記画素電極上および前記絶縁層上に配置された有機発光層と、第１導電層と前記補助配線に接続された第２導電層とを含む導電層であって、前記画素電極上の前記有機発光層上に配置された電極、および前記第２開口部における前記補助配線と当該電極とを電気的に接続する接続部のそれぞれが、前記第１導電層および前記第２導電層の少なくとも一方を含み、前記接続部の少なくとも一部では、前記第１導電層上に前記第２導電層が積層されている導電層と、を備えることを特徴とする表示装置が提供される。

【0009】

この表示装置によれば、補助配線と上部電極との接続をするための工程を簡略化することができる。

【0010】

また、別の好ましい態様において、前記端部間の距離が１マイクロメートル乃至１００マイクロメートルであってもよい。

【0011】

この表示装置によれば、端部間近傍の有機発光層の除去を効率的に行うことができる。

【0012】

また、別の好ましい態様において、前記第２開口部で電気的に接続された前記補助配線と前記導電層との接続部分が複数であり、前記複数の接続部分には、接続抵抗が２００ｋΩ以下である接続部分が含まれていてもよい。

【0013】

この表示装置によれば、画面内の輝度分布を良好にすることができる。

【0014】

また、別の好ましい態様において、前記第１導電層は前記有機発光層上に配置された電極を含み、前記第１導電層と前記第２導電層とは前記有機発光層上以外の部分で積層されていてもよい。

【0015】

この表示装置によれば、有機発光層からの導電層を通過する光を効率的に用いることができる。

【0016】

また、別の好ましい態様において、前前記第２導電層は前記有機発光層上に配置された電極を含み、前記第１導電層と前記第２導電層とは前記有機発光層上以外の部分で積層されていてもよい。

【0017】

この表示装置によれば、有機発光層からの導電層を通過する光を効率的に用いることができる。

【0018】

また、別の好ましい態様において、前記有機発光層を発光させるための電力が供給される電源接続電極を備え、前記電源接続電極は、前記導電層が接続される一方、前記補助配線には前記導電層を介して間接的に接続されていてもよい。

【0019】

この表示装置によれば、補助配線と電源接続電極とのレイアウトの自由度を向上させることができる。

【0020】

本発明の一実施形態によると、複数の画素に対応した画素電極を有する表示装置の製造方法であって、第１端部を有する第１補助配線と第２端部を有する第２補助配線とを含む複数の補助配線であって、複数の前記画素電極の間の少なくとも一部において、前記第１端部と前記第２端部とが対向している補助配線を形成し、前記画素電極の一部を露出する第１開口部と、前記第１端部、前記第２端部およびこれらの端部間を露出する第２開口部とを有する絶縁層を、前記画素電極および前記補助配線上に形成し、前記第１開口部により露出された前記画素電極上、前記第２開口部により露出された前記補助配線、および前記絶縁層上に有機発光層を形成し、前記画素電極上の前記有機発光層上および少なくとも前記第２開口部により露出された前記補助配線上の前記有機発光層上に第１導電層を形成し、前記第１補助配線と前記第２補助配線との間に電圧を印加して前記端部間に放電または前記端部間に前記第１導電層を介して放電を起こして、前記第２開口部に露出された前記補助配線の少なくとも一部が露出するように前記有機発光層を除去し、前記第２開口部において露出させた前記補助配線と前記第１導電層とを電気的に接続する接続部を含む第２導電層を形成すること、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法が提供される。

【0021】

この表示装置の製造方法によれば、補助配線と上部電極との接続をするための工程を簡略化することができる。

【0022】

本発明の一実施形態によると、複数の画素に対応した画素電極を有する表示装置の製造方法であって、第１端部を有する第１補助配線と第２端部を有する第２補助配線とを含む複数の補助配線であって、複数の前記画素電極の間の少なくとも一部において、前記第１端部と前記第２端部とが対向している補助配線を形成し、前記画素電極の一部を露出する第１開口部と、前記第１端部、前記第２端部およびこれらの端部間を露出する第２開口部とを有する絶縁層を、前記画素電極および前記補助配線上に形成し、前記第１開口部により露出された前記画素電極上、前記第２開口部により露出された前記補助配線、および前記絶縁層上に有機発光層を形成し、少なくとも前記第２開口部により露出された前記補助配線上の前記有機発光層上に第１導電層を形成し、前記第１補助配線と前記第２補助配線との間に電圧を印加して前記端部間に放電または前記端部間に前記第１導電層を介して放電を起こして、前記第２開口部に露出された前記補助配線の少なくとも一部が露出するように前記有機発光層を除去し、前記画素電極上の前記有機発光層上に配置された電極、および前記第２開口部において露出させた前記補助配線と当該電極とを電気的に接続する接続部を含む第２導電層を形成すること、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法が提供される。

【0023】

この表示装置の製造方法によれば、補助配線と上部電極との接続をするための工程を簡略化することができる。

【0024】

また、別の好ましい態様において、前記第１補助配線と前記第２補助配線との間に印加される前記電圧は、交流電源から印加されてもよい

【0025】

この表示装置の製造方法によれば、端部間近傍の有機発光層の除去を効率的に行うことができる。

【0026】

また、別の好ましい態様において、前記第１導電層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタノイド金属、アルミニウム、インジウム、スズ、ニッケル、銅および亜鉛の少なくとも１種の金属元素を含む単層または複数層の導電層であってもよい。

【0027】

また、別の好ましい態様において、前記第１導電層が単層であり、前記第１導電層の膜厚は、５．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であってもよい。

【0028】

また、別の好ましい態様において、前記第１導電層が、前記第２導電層から最も離れた第１層と前記第２導電層側の第２層とを含む複数層であり、前記第１層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタノイド金属およびアルミニウムの少なくとも１種の金属元素を含み、前記第１導電層の膜厚は、４ｎｍ以上８ｎｍ以下であってもよい。

【0029】

また、別の好ましい態様において、前記第１層は、前記有機発光層上に形成され、仕事関数が４．３ｅＶ以下であってもよい。

【発明の効果】

【0030】

本発明によれば、補助配線と上部電極との接続をするための工程を簡略化することができる。

【図面の簡単な説明】

【0031】

【図1】本発明の第１実施形態における表示装置の構成を示す概略図である。

【図2】本発明の第１実施形態における補助配線のレイアウトを説明する図である。

【図3】本発明の第１実施形態における第２開口部近傍のレイアウトを説明する図である。

【図4】図２に示すＩＶ−ＩＶ’方向にみた断面の模式図である。

【図5】本発明の第１実施形態における表示装置１の製造方法において、画素電極と補助配線が形成された基板の断面を示す模式図である。

【図6】本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法において、絶縁膜が形成された基板の断面を示す模式図である。

【図7】本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法において、有機ＥＬ層および第１導電層が形成された基板の断面を示す模式図である。

【図8】本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法において、端部間の有機ＥＬ層および第１導電層が除去された基板の断面を示す模式図である。

【図9】本発明の第２実施形態における表示装置の補助配線への分割した電圧印加を説明する図である。

【図10】本発明の第３実施形態における表示装置の製造方法において、有機ＥＬ層および第１導電層が形成された基板の断面を示す模式図である。

【図11】本発明の第３実施形態における表示装置の製造方法において、端部間の有機ＥＬ層および第１導電層が除去された基板の断面を示す模式図である。

【図12】本発明の第３実施形態における表示装置の製造方法において、第２導電層が形成された基板の断面を示す模式図である。

【図13】本発明の第４実施形態における補助配線端部の形状の第１の例を説明する図である。

【図14】本発明の第４実施形態における補助配線端部の形状の第２の例を説明する図である。

【図15】接触抵抗測定のための補助配線のレイアウトを説明する図である。

【図16】絶縁破壊最大径を説明する図である。

【発明を実施するための形態】

【0032】

以下、本発明の実施形態における表示装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本発明の実施形態の一例であって、本発明はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではなく、種々の変形を行ない実施することが可能である。また、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号（数字の後にＡ、Ｂ等を付しただけの符号）を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。また、基板上に形成される、とは、基板に接触して形成される場合だけでなく、基板との間に他の構成を挟んで形成される場合を含む。

【0033】

＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態における表示装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。

【0034】

図１は、本発明の第１実施形態における表示装置の構成を示す概略図である。表示装置１は、トップエミッション型有機ＥＬディスプレイである。表示装置１は、スマートフォン、携帯電話、パーソナルコンピュータ、テレビなど、画像を表示する電子機器に用いられる。基板１０は、表示装置１を駆動するための素子等が形成されている。表示領域１００、表示領域１００の周囲に設けられた駆動回路７１、７２、７３、７４、および電圧印加部７０が、基板１０に備えられている。

【0035】

表示領域１００には、ＴＦＴにより有機ＥＬ層の発光が制御される複数の画素、複数の画素を制御するための制御線が形成されている。また、表示領域１００には、有機ＥＬ層の上部電極と接続される２系統の補助配線が形成されている。補助配線の詳細の説明は後述する。駆動回路７１、７２、７３、７４は、制御線を介して表示領域１００の各画素に設けられた画素回路を制御するためのドライバである。また、表示領域１００の外側には有機ＥＬ層を発光させるための電力を供給する電源と上部電極とを接続するための電源接続電極が設けられている。電圧印加部７０は、２系統の補助配線に交流電圧を印加するための電源が接続される。なお、この例では交流電圧として説明するが、２系統の補助配線に直流電圧を印加するための電源が接続されてもよい。

【0036】

図２は、本発明の第１実施形態における補助配線のレイアウトを説明する図である。図２は、表示領域１００における補助配線のレイアウトがわかりやすくなるように、一部の構成を省略して表した図である。

【0037】

画素電極１１０Ｂ、１１０Ｇ、１１０Ｒ（以下、それぞれを区別しない場合には画素電極１１０という）は、それぞれ発光色が青、緑、赤の画素に対応する。各画素電極１１０は、ＴＦＴを用いて形成された画素回路に接続されている。以下に説明する設計値の例示は、画素ピッチＰＰが６３６μｍである場合を例としているが、この例に限られない。

【0038】

補助配線２１０、２２０（以下、それぞれを区別しない場合には補助配線２００という）は、それぞれ分離して形成された２系統の補助配線である。補助配線２００は、隣接する画素電極１１０間に設けられている。なお、補助配線２００は、少なくとも一部の画素電極１１０間に設けられていればよい。補助配線２００の線幅Ｌ１、Ｌ２は、この例では、６６μｍ、２２μｍである。

【0039】

画素電極１１０と補助配線２００とは、同一層の導電膜で形成されている。導電膜は、この例では、下層に銀合金（例えば、ＡｇＰｄＣｕ等）、上層に透明導電性酸化物（例えばＩＴＯ等）の積層で形成されている。なお、補助配線２００は、画素電極１１０とは異なる層の導電膜で形成されていてもよい。

【0040】

絶縁層３００は、画素電極１１０の一部および補助配線２００の一部を露出しつつ、画素電極１１０および補助配線２００を覆うように形成されている。絶縁層３００は、ポリイミド等の有機樹脂で形成されている。

【0041】

絶縁層３００には、画素電極１１０の一部を露出する第１開口部３１０、および補助配線２００の一部を露出する第２開口部３２０が設けられている。第１開口部３１０は、画素電極１１０と有機ＥＬ層とを接続し、有機ＥＬ層へ電流を流すための領域を形成する。第２開口部３２０は、有機ＥＬ層の上部電極と補助配線２００とを接続するために設けられた領域であり、画素電極１１０間に設けられている。

【0042】

図３は、本発明の第１実施形態における第２開口部近傍のレイアウトを説明する図である。補助配線２１０の端部２１０Ｔと補助配線２２０の端部２２０Ｔとが対向する部分に、第２開口部３２０が設けられている。この例では、第２開口部３２０の開口寸法Ａ１、Ａ２は、１５μｍ（１０〜２０μｍ）、３５μｍ（３０〜４０μｍ）である。

【0043】

端部２１０Ｔと端部２２０Ｔとの間ＢＷ（以下、端部間ＢＷという場合がある）の距離Ｗａは、例えば、１μｍ〜２０μｍであり、画素電極１１０と補助配線２００とが最も近い部分の距離Ｗｐ（図２参照）よりも短くなっている。なお、図示していないが、端部間ＢＷの距離は、画素回路のＴＦＴ等、補助配線２００以外の他の導電性を有する部材と補助配線２００との距離のいずれよりも短くなっていることが望ましい。

【0044】

図２に戻って説明を続ける。表示領域１００の外側において、有機ＥＬ層を発光させるための電力を供給する電源と上部電極とを接続するための電源接続電極２５０が設けられている。電源接続電極２５０は、絶縁層３００に覆われ、その一部が第３開口部３５０によって露出されている。

【0045】

図４は、図２に示すＩＶ−ＩＶ’方向にみた断面の模式図である。基板１０００は、ガラス基板にＴＦＴ等で形成された画素回路を含む基板を示し、表面はポリイミド等の絶縁膜で平坦化されている。画素電極１１０Ｂは、スルーホールを介してこの画素回路に接続されている。画素電極１１０、補助配線２１０、２２０、および電源接続電極２５０は、同一の導電膜で形成されている。絶縁層３００は、画素電極１１０の一部を露出する第１開口部３１０、補助配線２００の一部を露出する第２開口部３２０、および電源接続電極２５０の一部を露出する第３開口部３５０が形成されている。上述した図２においては、画素電極１１０、補助配線２１０、２２０、電源接続電極２５０、および絶縁層３００が示されている。

【0046】

有機ＥＬ層４００は、表示領域１００の絶縁層３００上に形成されている。有機ＥＬ層４００は、端部間ＢＷ近傍において後述するように除去されている。なお、図示のとおり端部間ＢＷには、有機ＥＬ層４００の残渣物４５０が存在する場合がある。第１導電層５１０は、有機ＥＬ層４００上に形成された導電層である。また、第２導電層５２０は、開口部３２０およびその周囲に形成された導電層である。第１導電層５１０および第２導電層５２０は、画素電極１１０上の有機ＥＬ層４００上（有機ＥＬ層４００が発光する部分）以外の部分で積層して電気的に接続されている。以下、第１導電層５１０および第２導電層５２０を含む導電層を上部電極５００という場合がある。

【0047】

なお、端部間ＢＷ近傍において、有機ＥＬ層４００が除去されているため、第２導電層５２０は、補助配線２１０の端部２１０Ｔと補助配線２２０の端部２２０Ｔとに接触して電気的に接続されている。すなわち、上部電極５００は、画素電極１１０上の有機ＥＬ層４００（有機ＥＬ層４００が発光する部分）上に形成された電極と、この電極と端部２１０Ｔおよび端部２２０Ｔとを接続するための接続部を有している。

【0048】

また、この例では、電源接続電極２５０上にも上部電極５００が形成されている。この例では、電源接続電極２５０上には、第１導電層５１０および第２導電層５２０の積層が形成されているが、第１導電層５１０または第２導電層５２０のいずれか一方であってもよい。

【0049】

そのため、電源接続電極２５０から画素電極１１０上の上部電極５００に有機ＥＬ層４００を発光させるための電力が供給される。この例では画素電極１１０は有機ＥＬ層４００のアノードとして用いられている。この際、補助配線２００が上部電極５００を介して間接的に電源接続電極２５０に接続されることになり、電源接続電極２５０から画素電極１１０上の上部電極５００までの電気抵抗を小さくすることができる。補助配線２００が上部電極５００を介して間接的に電源接続電極２５０に接続されることにより、補助配線と電源接続電極とのレイアウトの自由度を向上させることができる。このとき、電源接続電極２５０と電圧印加部７０とが上部電極５００を介して間接的に接続されていてもよい。

【0050】

なお、補助配線２００と電源接続電極２５０とが直接的に接続していてもよく、その場合には、上部電極５００は、電源接続電極２５０と上記の通り直接的に接続していてもよいし、補助配線２００を介して間接的に接続していてもよい。

【0051】

続いて、図４に示すような表示装置１の製造方法について、図５〜図８を用いて説明する。

【0052】

図５は、本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法において、画素電極と補助配線が形成された基板の断面を示す模式図である。基板１０００上に導電層が成膜され、フォトリソグラフィによるパターニングにより、画素電極１１０、補助配線２１０、２２０および電源接続電極２５０が形成される。

【0053】

図６は、本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法において、絶縁膜が形成された基板の断面を示す模式図である。図５に示す工程の後に絶縁膜３００が成膜され、フォトリソグラフィによるパターニングにより、第１開口部３１０、第２開口部３２０および第３開口部３５０が形成される。絶縁膜３００は、感光性ポリイミド等を用い、露光、現像によりパターンが形成されてもよい。

【0054】

図７は、本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法において、有機ＥＬ層および第１導電層が形成された基板の断面を示す模式図である。図６に示す工程の後に、酸素プラズマ処理を施し、マスク等を用いて表示領域１００に有機ＥＬ層４００を成膜する。有機ＥＬ層４００は、複数の有機層の積層構造であり、例えば、下層から上層に向けて「ｍ−ＭＴＤＡＴＡ」、「ＮＰＢ」、「Ｂｌｕｅ ＥＭＬ」、「Ａｌｑ」という積層構造になっている。なお、「Ｂｌｕｅ ＥＭＬ」については、少なくとも画素電極１１０Ｂ上に存在すればよいため、その他の領域においては存在しないように形成される場合もある。すなわち、図７等の記載において、有機ＥＬ層４００は、成膜される領域のいずれでも同様の厚さで記載しているが、領域によっては厚さ、積層構造が異なる場合がある。

【0055】

その後、第１導電層５１０が成膜される。第１導電層５１０は、この例では、ＭｇＡｇであり、画素電極１１０上の有機ＥＬ層４００（有機ＥＬ層４００が発光する部分）上に形成された電極を含むため、有機ＥＬ層４００のカソードとして用いられている。なお、第１導電層５１０と有機ＥＬ層４００との間にＬｉＦ等の電子注入層が設けられていてもよい。

【0056】

第１導電層５１０は、ＭｇＡｇに限られず、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタノイド金属、アルミニウム、インジウム、スズ、ニッケル、銅および亜鉛の少なくとも１種の金属元素を含む単層または複数層の導電層であってもよい。第１導電層５１０が複数層である場合には、最も有機ＥＬ層４００の側の第１層（第２導電層５２０から最も離れた層）がアルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタノイド金属およびアルミニウムの少なくとも１種の金属元素を含むことが望ましい。そして、第１導電層５１０の第１層は、仕事関数は、４．３ｅＶ以下であることが望ましい。

【0057】

第１導電層５１０の膜厚は、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下であればよい。特に、第１導電層５１０が単層である場合には、５．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが望ましく、５．５ｎｍ以上８ｎｍ以下であることがさらに望ましい。また、第１導電層５１０が複数層である場合には、２ｎｍ以上８ｎｍ以下であることが望ましく、４ｎｍ以上８ｎｍ以下であることがさらに望ましい。

【0058】

第１導電層５１０の膜厚が薄すぎると、導電層としての機能が失われて絶縁破壊（放電）させるための電圧が大きくなり、その結果、表示領域１００の一部において大きな絶縁破壊が発生し、配線およびＴＦＴ回路等への悪影響を及ぼす場合がある。第１導電層５１０を複数層で形成すると、第１導電層５１０全体としての膜厚が薄くても導電層としての機能が失われにくい。一方、第１導電層５１０の膜厚が厚すぎると、絶縁破壊時に生じる第１導電膜の剥離の影響が大きく拡がってしまい、画素間の距離が短い高精細な表示装置では表示不良の原因となる場合がある。

【0059】

図８は、本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法において、端部間の有機ＥＬ層および第１導電層が除去された基板の断面を示す模式図である。図７に示す工程の後、電圧印加部７０を介して、交流電圧を補助配線２１０と補助配線２２０との間に印加する。例えば、周波数１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ、実効印加電圧が１０〜１００Ｖｒｍｓ程度であると端部間ＢＷに放電が発生し、図８に示すように、有機ＥＬ層４００および第１導電層５１０が除去される。このとき、補助配線２１０の端部２１０Ｔおよび補助配線２２０の端部２２０Ｔの少なくとも一部が露出されるが、一部に有機ＥＬ層４００の残渣物４５０（第１導電層５１０の残渣物が含まれていてもよい）が残ってもよい。このとき、有機ＥＬ層４００と第１導電層５１０とが周囲に吹き飛ぶことがあり、その拡がりを以下の説明では、図１６に示す絶縁破壊最大径ＤＢで表す。

【0060】

この例では、放電による有機ＥＬ層４００および第１導電層５１０を除去するときには、表示領域１００に存在する全ての補助配線２００に電圧を印加して、全ての端部間ＢＷで放電させる。ただし、一部の端部間ＢＷにおいて生じた放電によって端部間ＢＷに短絡を生じさせる場合もある。その場合には、その端部間ＢＷと同じ補助配線２１０、２２０によって構成される端部間ＢＷにおいては放電しにくくなる場合がある。したがって、必ずしも全ての端部間ＢＷで放電しない場合もある。なお、放電においては補助配線２１０、２２０と第１導電層５１０との間に発生する場合もある。表示領域１００内の全部の端部間ＢＷに対する、放電が生じた端部間ＢＷの数を、以下の説明では絶縁破壊発生率という。

【0061】

図８に示す工程の後、第２導電層５２０を形成すると、図４に示すような構造となる。第２導電層５２０は、この例では、ＭｇＡｇである。このとき、第２導電層５２０は、画素電極１１０上の有機ＥＬ層４００（有機ＥＬ層４００が発光する部分）上に形成された電極上には、形成されないようにして、上部電極５００として透過率が低下しすぎないようにすることが望ましいが、有機ＥＬ層４００が発光する部分に形成されてもよい。なお、第２導電層５２０は、透明導電性酸化物（例えばＩＴＯ等）であってもよく、この場合には、画素電極１１０上の有機ＥＬ層４００（有機ＥＬ層４００が発光する部分）上に形成された電極上にも形成されていてもよい。なお、表示装置１は、さらに、窒素雰囲気下で透明封止ガラスを用いて、少なくとも表示領域１００の封止を行う。このとき、基板周囲がＵＶ硬化樹脂等で囲まれて、内部が封止される。

【0062】

端部間ＢＷの距離は、有機ＥＬ膜４００を除去して端部２１０Ｔ、２２０Ｔの一部を露出されるためには、１μｍ以上１００μｍ以下であることが望ましく、１μｍ以上２０μｍ以下であることがさらに望ましい。端部間ＢＷの距離が１μｍ未満になると、大画面の表示装置の場合に、パターン形成を精度よく行うことが困難になり、短絡部が形成される等のリスクがある。一方、端部間ＢＷの距離が大きくなりすぎると、放電を起こす条件が厳しくなり、より印加電圧を増加させる必要があるため、ＴＦＴへの放電による熱および電気的ダメージの可能性が高くなってしまう。そのため、画素電極１１０と補助配線２００との間隔をさらに広げる必要があるなど、レイアウト上の制限が加わってしまう。そのため、端部間ＢＷの距離は、２０μｍ以下であることがさらに望ましい。

【0063】

また、補助配線２００と第２導電層５２０との接続部分の電気抵抗が小さいほど、画面輝度の均一性確保、消費電力の低減に有利である。例えば、各画素に対して１箇所の接続部分を形成した場合、画素回路のＴＦＴのしきい電圧等を考慮すると、画面輝度の均一性確保のために、接続部分での電圧降下を２Ｖ以下に抑制することが望ましい。この場合、接続部分の電気抵抗は、有機ＥＬ層の発光のために要する１画素のピーク電流が１００μＡの高輝度ディスプレイにおいて、２００ｋΩ以下であることが望ましい。さらに接続部分での電圧降下を０．５Ｖ以下に抑制する、すなわち電気抵抗は５０ｋΩ以下であることがさらに望ましい。

【0064】

なお、接続部分は、１画素に１箇所でなく、複数画素に１箇所であってもよい。例えば、Ｎ画素に対して１箇所であれば、接続部分での電圧降下を２Ｖ以下に抑制するためには、１箇所当たりの接続部分の電気抵抗は２００ｋΩ×（１／Ｎ）以下であることが望ましく、電圧降下を０．５Ｖ以下に抑制する、すなわち電気抵抗は５０ｋΩ×（１／Ｎ）以下であることが望ましい。

【0065】

このように、本発明の第１実施形態における表示装置１においては、第２導電層５２０を成膜する前に補助配線２００に電圧を印加し、端部間ＢＷに放電を生じさせて有機ＥＬ層４００および第１導電層５１０を除去する。したがって、第２導電層５２０を成膜するときには、端部２１０Ｔおよび端部２２０Ｔの少なくとも一部を露出させていることから、第２導電層５２０（上部電極５００）と補助配線２００とを電気的に接続することができる。

【0066】

このように、放電により電気的に端部間ＢＷ近傍の有機ＥＬ層を除去することができるため、従来のように、精密なマスクのアライメント、選択的なレーザ照射等を行ったりする必要がないため、工程の簡略化が実現できる。この結果、画面の欠陥発生確率が増大することを抑制しつつ、上部電極の電圧降下を抑えて画面内の輝度分布を良好にすることができる。

【0067】

＜第２実施形態＞
第１実施形態においては、端部間ＢＷで放電させるときには、表示領域１００全ての補助配線２００に電圧が印加され、全ての端部間ＢＷにおいて放電を促していた。第２実施形態においては、表示領域１００を複数に分けて放電させる。

【0068】

図９は、本発明の第２実施形態における表示装置の補助配線への分割した電圧印加を説明する図である。表示装置１Ａにおいては、表示領域は表示領域１００Ａ１、１００Ａ２の２領域に分割されている。表示装置１には、表示領域１００Ａ１の補助配線２００に電圧を印加するための電圧印加部７０Ａ１、および表示領域１００Ａ２の補助配線２００に電圧を印加するための電圧印加部７０Ａ２が設けられている。このようにすると、大面積を一度に処理することによる電流の増加を抑制することができ、過大な電流による焼損の不具合の発生を抑制することができる。また、表示領域１００Ａ１における放電で複数の端部間ＢＷの一部に短絡が生じた場合があっても、表示領域１００Ａ２における放電に影響を与えないようにすることができる。

【0069】

＜第３実施形態＞
上述した第１実施形態においては、第１導電層５１０が有機ＥＬ層４００のカソードとして用いられていたが、第３実施形態においては、第２導電層５２０が有機ＥＬ層４００のカソードとして用いられた構成である。

【0070】

図１０は、本発明の第３実施形態における表示装置の製造方法において、有機ＥＬ層および第１導電層が形成された基板の断面を示す模式図である。この工程は、第１実施形態の図７で説明した工程に対応している。第３実施形態における第１導電層５１０は、例えば、ＭｇＡｇであり、図１０に示すように、第１開口部３１０およびその周囲において、形成されていない。なお、第１導電層５１０の材料、膜厚は、第１実施形態と同様の範囲であればよい。

【0071】

図１１は、本発明の第３実施形態における表示装置の製造方法において、端部間の有機ＥＬ層および第１導電層が除去された基板の断面を示す模式図である。この工程は、第１実施形態の図８で説明した工程に対応している。図１０に示す工程の後、電圧印加部７０を介して、交流電圧を補助配線２１０と補助配線２２０との間に印加する。例えば、周波数１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ、実効印加電圧が１０〜１００Ｖｒｍｓ程度であると端部間ＢＷに放電が発生し、図１１に示すように、有機ＥＬ層４００および第１導電層５１０が除去される。

【0072】

図１２は、本発明の第３実施形態における表示装置の製造方法において、第２導電層が形成された基板の断面を示す模式図である。図１２は、第１実施形態において説明した図４に対応する。図１１に示す工程の後、第２導電層５２０を形成すると、図１２に示すような構造となる。第２導電層５２０は、この例では、ＭｇＡｇであり、画素電極１１０上の有機ＥＬ層４００（有機ＥＬ層４００が発光する部分）上に形成された電極を含むため、有機ＥＬ層４００のカソードとして用いられている。なお、第２導電層５２０と有機ＥＬ層４００との間にＬｉＦ等の電子注入層が設けられていてもよい。

【0073】

なお、各実施形態に共通して、補助配線２１０と補助配線２２０とに電圧を印加して放電を発生させるときに、補助配線２１０の端部２１０Ｔ、補助配線２２０の端部２２０Ｔ、および端部間ＢＷにわたって広がる第１導電層５１０が存在している。このようにすると、第１導電層５１０の効果により、各端部間ＢＷにおいて安定して放電が発生しやすくなる。そして、有機ＥＬ層４００と第１導電層５１０とが放電により除去された部分を、第２導電層５２０が覆う。これにより、第２導電層５２０は補助配線２００と電気的に接続される。

【0074】

＜第４実施形態＞
第１実施形態においては、補助配線２１０の端部２１０Ｔ、および補助配線２２０の端部２２０Ｔの形状は矩形状であったが、異なる形状であってもよい。第４実施形態では、端部２１０Ｔ、２２０Ｔの形状として、２つの例を説明する。

【0075】

図１３は、本発明の第４実施形態における補助配線端部の形状の第１の例を説明する図である。図１３に示す第１の例では、いずれも三角形状の端部２１０ＴＢ、２２０ＴＢである。端部２１０ＴＢと端部２２０ＴＢとの距離は頂点同士の距離である。

【0076】

図１４は、本発明の第３実施形態における補助配線端部の形状の第２の例を説明する図である。図１４に示す第２の例では、一方の端部２１０ＴＢは第１の例と同じであるが、端部２２０ＴＣは、矩形状である。ただし、第１実施形態の場合とは異なり、補助配線２２０の線幅よりも拡がっている。なお、端部２１０ＴＢについても端部２２０ＴＣと同じ形状であってもよいし、端部２１０ＴＢと端部２２０ＴＣとが入れ替わった形状であってもよい。

【0077】

［実施例１］
第１実施形態における構成に類似した構成で補助配線と上部電極との接続部分の電気抵抗（以下接触抵抗という）を測定した。

【0078】

図１５は、接触抵抗測定のための補助配線のレイアウトを説明する図である。この実施例では、２系統の補助配線ＢＬ１、ＢＬ２を想定し、各画素ｐｉｘの２辺に対応して補助配線ＢＬ１、ＢＬ２が対向した端部間ＢＷを設けている。この図では、画素ｐｉｘは、６行６列に配置されているが、以下に説明する実施例では１０行１０列に配置されたものを用いている。画素ｐｉｘの画素ピッチは３１８μｍとした。

【0079】

まず、基板上に低温ポリシリコンを用いたＴＦＴで画素回路を形成し、ポリイミド２μｍを形成した後、画素電極と接続するためのスルーホールを形成した。そして、画素ｐｉｘに対応した画素電極と、補助配線ＢＬ１、ＢＬ２を形成した。画素電極、および電気的に分離された２系統の補助配線ＢＬ１、ＢＬ２は、下層が銀合金（１５０ｎｍ）、上層がＩＴＯ（２０ｎｍ）の積層電極膜で形成されている。続いて、補助配線ＢＬ１、ＢＬ２が対向する端部および端部間ＢＷを開口した絶縁膜を形成した。端部間ＢＷの距離は、どの部分でも同じに形成され、５μｍ、１０μｍ、１５μｍ、２０μｍの４種類の実験サンプルを作成した。なお、補助配線ＢＬ１、ＢＬ２と画素電極との距離（最も近い部分）は２０μｍより大きく形成されている。

【0080】

表面に酸素プラズマ処理を行った後、下層から上層に向けて、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（５０ｎｍ）、ＮＰＢ（７０ｎｍ）、Ｂｌｕｅ ＥＭＬ（３０ｎｍ）、Ａｌｑ（３０ｎｍ）という積層構造の有機ＥＬ層を成膜した。有機ＥＬ層の成膜に続けて、ＬｉＦ（１ｎｍ）を成膜し、続いてＭｇＡｇ（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）（１０ｎｍ）の第１導電層を成膜した。このとき、補助配線ＢＬ１、ＢＬ２の通電用パッド部分には有機ＥＬ層が成膜されないように、各層の蒸着時にマスクをした。

【0081】

そして、窒素雰囲気下において、２系統の補助配線ＢＬ１、ＢＬ２に対して、交流電源ＡＧを用いて通電用パッド部分から交流電圧を印加した。この交流電圧は、周波数１００ｋＨｚ、実効印加電圧１０Ｖ〜３０Ｖｒｍｓの範囲で行った。交流電圧の印加により端部間ＢＷで放電が発生し、１箇所以上の端部間ＢＷ近傍で有機ＥＬ層が除去された。

【0082】

その後、画素ｐｉｘ周囲の補助配線ＢＬ１、ＢＬ２を覆うように第２導電層を成膜し、画素ｐｉｘおよびその周辺を含む領域をガラス基板で封止した。第２導電層は、ＭｇＡｇ（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）（１０ｎｍ）とした。なお、上部電極とカソード電源とは補助配線を介して間接的に接続されている。

【0083】

実施例１は、上述の通り、第１実施形態において、第２導電層５２０が、画素電極１１０上の有機ＥＬ層４００（有機ＥＬ層４００が発光する部分）上にも形成されている場合の構成に対応する。

【0084】

このようにして作成した有機ＥＬディスプレイを駆動したところ、３ｍＡの電流で駆動電圧７．０５Ａ、発光効率４．５ｃｄ／Ａであった。また接続部分の電気抵抗を測定したところ一箇所当たりの平均が１７００Ωであった。

【0085】

［実施例２］
実施例１において第１導電層をＭｇＡｇ（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）（１５ｎｍ）とし、第２導電層をＩＴＯ（２０ｎｍ）とした。それ以外の条件については実施例１と同様である。すなわち、第１実施形態において、ＩＴＯで形成された第２導電層５２０が、画素電極１１０上の有機ＥＬ層４００（有機ＥＬ層４００が発光する部分）上にも形成されている場合の構成に対応する。

【0086】

このようにして作成した有機ＥＬディスプレイを駆動したところ、３ｍＡの電流で駆動電圧７．０７Ａ、発光効率４．５ｃｄ／Ａであった。また接続部分の電気抵抗を測定したところ一箇所当たりの平均が２３００Ωであった。

【0087】

［実施例３］
実施例１において第１導電層をＭｇＡｇ（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）（１２ｎｍ）とした。このとき、補助配線ＢＬ１、ＢＬ２が対向する端部および端部間ＢＷの近傍において選択的に成膜され、画素電極上の有機ＥＬ層（有機ＥＬ層が発光する部分）上において成膜されないようにした。また、第１導電層の下層にはＬｉＦが成膜されていない。一方、第２導電層は、ＭｇＡｇ（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）（１５ｎｍ）とし、その下層にＬｉＦ（１ｎｍ）を成膜した。それ以外の条件については実施例１と同様である。すなわち、第３実施形態に対応する構成である。

【0088】

このようにして作成した有機ＥＬディスプレイを駆動したところ、３ｍＡの電流で駆動電圧７．０４Ａ、発光効率４．５ｃｄ／Ａであった。また接続部分の電気抵抗を測定したところ一箇所当たりの平均が１３００Ωであった。

【0089】

［実施例４］
実施例１において第１導電層をＭｇＡｇ（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）（１５ｎｍ）とした。一方、第２導電層は、ＭｇＡｇ（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）（１２ｎｍ）とし、補助配線ＢＬ１、ＢＬ２が対向する端部および端部間ＢＷの近傍において選択的に成膜され、画素電極上の有機ＥＬ層（有機ＥＬ層が発光する部分）上において成膜されないようにした。それ以外の条件については実施例１と同様である。すなわち、第１実施形態に対応する構成である。

【0090】

このようにして作成した有機ＥＬディスプレイを駆動したところ、３ｍＡの電流で駆動電圧７．０４Ａ、発光効率４．５ｃｄ／Ａであった。また接続部分の電気抵抗を測定したところ一箇所当たりの平均が１３００Ωであった。

【0091】

［比較例１］
上部電極とカソード電源とは補助配線を介して間接的に接続されるのではなく、上部電極とカソード電源とを直接接続したところ、３ｍＡの電流で駆動電圧７．０Ｖ、発光効率４．５ｃｄ／Ａであった。したがって、上記実施例１のように有機ＥＬ層を除去した部分において上部電極と補助配線とが接続し、上部電極とカソード電源とが補助配線を介して間接的に接続されている場合であっても、有機ＥＬ層の発光には大きな影響を与えていない、すなわち、実施例１における上部電極と補助電極との接触部分の電気抵抗が、有機ＥＬ層の発光に問題ない程度の抵抗として実現できていることが確認された。

【0092】

［比較例２］
実施例１において放電による有機ＥＬ層の除去を行わなかったところ、接続部分の電気抵抗は測定限界（１ＧΩ）以上であった。上部電極とカソード電源とは補助配線を介して間接的に接続されているが、接続部分の抵抗は測定限界以上に高いため、電流が流れず有機ＥＬ層の点灯ができなかった。

【0093】

［実施例５］
第１実施形態における構成に類似した構成で補助配線間に電圧を印加し、絶縁破壊による放電が発生するために必要な電圧、絶縁破壊最大径、絶縁破壊発生率、および発光異常の発生の有無について、第１導電層５１０による影響を調査した。この実施例では、図１５に示すレイアウトにおいて、画素ｐｉｘが１３６行×９０４列に配置され、画素ピッチが１４５μｍであるものを用いた。

【0094】

まず、基板上に低温ポリシリコンを用いたＴＦＴで画素回路を形成し、ポリイミド２μｍを形成した後、画素電極と接続するためのスルーホールを形成した。そして、画素ｐｉｘに対応した画素電極と、補助配線ＢＬ１、ＢＬ２を形成した。画素電極、および電気的に分離された２系統の補助配線ＢＬ１、ＢＬ２は、下層が銀合金（１５０ｎｍ）、上層がＩＴＯ（２０ｎｍ）の積層電極膜で形成されている。続いて、補助配線ＢＬ１、ＢＬ２が対向する端部および端部間ＢＷ（第２開口部という）と画素電極に対応する部分（第１開口部という）を開口した絶縁膜（ポリイミド）を形成した。端部間ＢＷの距離は、どの部分でも同じに形成され、４．０μｍである。

【0095】

第２開口部は、１画素に付き１箇所形成した。なお、補助配線ＢＬ１、ＢＬ２は、表示領域の外側に通電用パッド部分を有するように形成し、後の工程において、補助配線ＢＬ１と補助配線ＢＬ２との間で電圧を印加できるようにした。また、電源接続電極は表示装置の表示領域の外側に形成した。

【0096】

表面に酸素プラズマ処理を行った後、下層から上層に向けて、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（５０ｎｍ）、ＮＰＢ（７０ｎｍ）、発光層（３０ｎｍ）、Ａｌｑ（３０ｎｍ）という積層構造の有機ＥＬ層を成膜した。有機ＥＬ層の成膜に続けて、ＬｉＦ（１ｎｍ）層を成膜した。ここで、発光層は、ＡＤＮ（９，１０−Ｄｉ（２−ｎａｐｈｔｈｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）と、発光層の総重量に対して５質量％のＤＰＡＶＢｉ（４，４’−Ｂｉｓ［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｐｈｅｎｙｌ｝ｖｉｎｙｌ］ｂｉｐｈｅｎｙｌ）とを共蒸着することで形成した。なお、有機ＥＬ層は、マスクを用いて表示装置の表示領域にのみ成膜し、表示領域の外側の通電用パッド部分等には成膜されないようにした。

【0097】

さらに、真空蒸着法にて第１導電層５１０を形成した。ここでは第１層としてＣａ（膜厚Ｘｎｍ）と、第１層上の第２層としてＭｇＡｇ（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）（膜厚Ｙｎｍ）とを第１導電層５１０として形成した。ここで、第１導電層５１０においても通電用パッド部分を有するパターンが形成されるようにマスクを用いて成膜した。この実施例では、Ｃａを成膜しない場合、および２ｎｍ成膜した場合において、ＭｇＡｇの膜厚を異ならせてサンプルを作成した。

【0098】

次に、窒素雰囲気下において２系統の補助配線ＢＬ１、ＢＬ２に対して、交流電源ＡＧを用いて通電用パッド部分から交流電圧を印加した。この交流電圧は、矩形電圧であり、周波数１０ｋＨｚである。この電圧印加により、補助配線ＢＬ１、ＢＬ２の端部間で絶縁破壊による放電が発生し、一部の第２開口部においては有機ＥＬ層および第１導電部５１０が一部溶融し、除去されていることを確認した。表示領域内の別の第２開口部においては明確な有機ＥＬ層の除去ではないが下層の補助配線ＢＬ１、ＢＬ２が電気的エネルギによって溶融した痕跡があり、上部の有機ＥＬ層を含めて混合した領域を形成した。

【0099】

さらに、真空蒸着法にて第２導電層５２０を形成した。ここでは第２導電層５２０は、ＭｇＡｇ（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）を（１２−Ｙ）ｎｍ形成し、電源接続電極、補助配線ＢＬ１、ＢＬ２および第１導電層５１０を接続した。続いて、窒素雰囲気において、基板の表示領域を透明封止ガラスで覆い、基板と透明封止ガラスとをＵＶ硬化樹脂で接着し封止することで表示装置を製造した。

【0100】

以下の表１は、第１層Ｃａの膜厚と第２層ＭｇＡｇの膜厚との組み合わせにより、絶縁破壊に必要な電圧、絶縁破壊最大径、絶縁破壊発生率、および発光異常の発生の有無についての結果である。

【0101】

【表1】

【0102】

表１の結果によると、第１導電層５１０がＭｇＡｇ単層である場合、５．５ｎｍ〜６．０ｎｍ（条件２、３）の膜厚で、良好な結果が得られた。５ｎｍ（条件１）以下では絶縁破壊のための必要電圧が非常に大きく、破壊が起きた場合の影響が巨大なものとなって発光異常がみられた。また、ＭｇＡｇが１２ｎｍ（条件４）である場合には、絶縁破壊に必要な電圧が低くなるが、絶縁破壊時にＭｇＡｇが剥離する範囲が大きくなって発光異常がみられた。ただし、条件１、４は、最適条件ではないが、第２開口部と画素との距離を大きくとれる画素ピッチであれば、適用可能な条件となり得る。

【0103】

第１導電層５１０がＣａ（２．０ｎｍ）とＭｇＡｇの積層である場合、ＭｇＡｇが２．０ｎｍ（条件５）〜６．０ｎｍ（条件８）の膜厚で良好な結果が得られ、また、面内の分布も良好であった。ＭｇＡｇが８．０ｎｍ（条件９）では、絶縁破壊に必要な電圧が低くなるが、絶縁破壊時にＭｇＡｇが剥離する範囲が大きくなって発光異常がみられた。ただし、条件９は、最適条件ではないが、第２開口部と画素との距離を大きくとれる画素ピッチであれば、適用可能な条件となり得る。

【0104】

なお、絶縁破壊発生率は、１００％である必要は無い。この実施例では、絶縁破壊発生率が３５％以上５０％以下になるように、絶縁破壊に必要な電圧を設定した。

【0105】

上記の通り、この実施例における各条件（画素ピッチ等）の下では、第１導電層５１０が条件２、３、５〜８において画素に欠陥がなく、良好な点灯が可能であった。この際、カソードは、補助配線ＢＬ１、ＢＬ２にのみ接続されており、有機ＥＬ層への電子供給は全て補助配線ＢＬ１、ＢＬ２を経由している。以下の表２は、これらの条件において、１００ｍＡ通電時の特性（駆動電圧、効率）であり、いずれも良好な結果を示している。

【0106】

【表2】

【0107】

［実施例６］
実施例５の条件６において、絶縁破壊発生率が変化するように絶縁破壊電圧を調整し、表示装置を製造した。この際、表示領域の左端部に補助配線ＢＬ１用抵抗測定端子を設け、右端部に補助配線ＢＬ２用抵抗測定端子を設けて、両端子間の抵抗を測定できるようにした。両端子間の抵抗に表示領域の縦横比をかけることで補助配線ＢＬ１、ＢＬ２と第２導電層５２０とを合成した層を想定したシート抵抗を算出した。これによって、補助配線ＢＬ１、ＢＬ２の抵抗低減効果を検証した。この結果を以下の表３に示す。なお、画素電極におけるカソードは、第１導電層５１０と第２導電層５２０との積層になる。この積層は、Ｃａ（２ｎｍ）上にＭｇＡｇ（１２ｎｍ）を積層したものであり、このシート抵抗は、３５（Ω／□）であった。一方、接続部の抵抗を無視した補助配線ＢＬ１、ＢＬ２のシート抵抗は、８．１（Ω／□）であった。

【0108】

【表3】

【0109】

表３に示す結果によれば、絶縁破壊発生率は２％（条件６−１）でも十分シート抵抗の低減効果が見られる。シート抵抗の低減効果が見られるための絶縁破壊発生率は、補助配線ＢＬ１、ＢＬ２の線幅および膜厚の条件、補助配線ＢＬ１、ＢＬ２と第２導電層５２０との接続部分の抵抗に変化するが、１００％にする必要はない。すなわち、１００％の絶縁破壊発生率を得るのに必要な高い電圧を印加する必要はない。印加する電圧を低くすることで、絶縁破壊による画素部分への影響を抑制したり、異常な放電を抑制したりすることができる。

【0110】

［実施例７］
実施例５の条件６において、端部間ＢＷの距離を２．５μｍにした表示装置と、６．０μｍにした表示装置を製造した。その結果を以下の表４に示す。

【0111】

【表4】

【0112】

表４に示す結果によれば、端部間ＢＷの距離が２．５μｍ〜６．０μｍでは、いずれも良好な結果が得られた。

【0113】

なお、上記の実施例５〜７において、第１導電層５１０が、ＭｇＡｇの共蒸着膜単層である場合と、ＣａとＭｇＡｇとの積層膜である場合を示したが、実施形態で説明したとおり、この組み合わせに限られるものではない。積層構造にする場合には、電子注入材料との組み合わせにもよるが、有機ＥＬ層に近い側に形成される層（第１層）としてＣａの代わりに他の金属を用いることができる。第１層としては、特に、仕事関数が４．３ｅＶよりも小さく、有機ＥＬ層への電子注入が容易である材料を用いることが望ましく、さらに、次いで積層される金属膜（上記の各実施例ではＭｇＡｇ）の膜質を良好に保つ、すなわち、単層の場合より薄くしても導電層として機能することができる材料を用いることが望ましい。このような材料としては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタノイド金属およびアルミニウムの少なくとも１種の金属元素を含む。

【0114】

第１層の膜厚も、２ｎｍに限定されず、他の様々な条件に応じて適宜決められればよい。第１層上に積層される第２層であるＭｇＡｇの共蒸着比率も適宜決定されればよく、例えば、ＡｇをＭｇよりも大きくした比率にしてもよい。また、第２層は、ＭｇＡｇ（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）以外の異なる材料を用いることもでき、膜質、導電性、絶縁破壊条件、発光特性等の各条件に応じて、材料、共蒸着比、膜厚が適宜決められればよい。

【符号の説明】

【0115】

１…表示装置、１０…基板、７０…電圧印加部、７１，７２，７３，７４…駆動回路、１００…表示領域、１１０，１１０Ｂ，１１０Ｇ，１００Ｒ…画素電極、２１０，２２０…補助配線、２１０Ｔ，２２０Ｔ…端部、２５０…電源接続電極、３００…絶縁層、３１０…第１開口部、３２０…第２開口部、３５０…第３開口部、４００…有機ＥＬ層、４５０…残渣物、５００…上部電極、５１０…第１導電層、５２０…第２導電層、１０００…基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】