(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下、本発明の実施の形態を、本発明に係る電力変換回路をパワーコンディショナのインバータ回路として用いた場合を例として、図面を参照して具体的に説明する。
【0020】
図1は、第1実施形態に係るインバータ回路の回路構成を示す図である。
【0021】
図1に示すインバータ回路は、パワーコンディショナに備えられており、太陽電池などの直流電源から入力される直流電圧を交流電圧に変換して出力するものである。当該インバータ回路は、三相のPWM制御型インバータであり、各相の出力相電圧が3レベルの電位となる3レベルインバータ回路である。インバータ回路は、図示しない制御回路から入力されるPWM信号に基づいて、各スイッチング素子のオンとオフとを切り替えることで、直流電源から入力される直流電圧を交流電圧に変換する。
【0022】
図1(a)に示すように、インバータ回路は、12個のスイッチング素子S1〜S12、12個の還流ダイオード、3個のスナバ回路C1〜C3、および、2個の分圧用コンデンサCp,Cnを備えている。本実施形態では、スイッチング素子S1〜S12としてIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor : 絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ)を使用している。なお、スイッチング素子S1〜S12はIGBTに限定されず、バイポーラトランジスタ、MOSFET、逆阻止サイリスタなどであってもよい。また、還流ダイオード、分圧用コンデンサの種類も限定されない。
【0023】
分圧用コンデンサCp,Cnは、静電容量が同一のコンデンサであり、図示しない直流電源から入力される直流電圧を分圧するものである。分圧用コンデンサCpと分圧用コンデンサCnとは点Oで直列接続されて、直流電源の正極に接続する点Pと負極に接続する点Nとの間に並列接続されている。点Oの電位は、点Nの電位と点Pの電位の中間の電位になる。
【0024】
スイッチング素子S1とS4とは、スイッチング素子S1のエミッタ端子とスイッチング素子S4のコレクタ端子とが接続されて、直列接続されている。スイッチング素子S1のコレクタ端子は点Pに接続され、スイッチング素子S4のエミッタ端子は点Nに接続されて、ブリッジ構造を形成している。同様に、スイッチング素子S2とS5とが直列接続されてブリッジ構造を形成し、スイッチング素子S3とS6とが直列接続されてブリッジ構造を形成している。各スイッチング素子S1〜S6のゲート端子には、それぞれ、制御回路から出力されるPWM信号が入力される。
【0025】
スイッチング素子S1とS4で形成されているブリッジ構造をU相アームとし、スイッチング素子S2とS5で形成されているブリッジ構造をV相アームとし、スイッチング素子S3とS6で形成されているブリッジ構造をW相アームとする。U相アームのスイッチング素子S1とS4との接続点UにはU相の出力ラインが接続され、V相アームのスイッチング素子S2とS5との接続点VにはV相の出力ラインが接続され、W相アームのスイッチング素子S3とS6との接続点WにはW相の出力ラインが接続されている。
【0026】
接続点Uは、スイッチング素子S7およびS8からなる中間側スイッチを介して、点Oに接続されている。スイッチング素子S7とS8とは、それぞれのコレクタ端子が接続されて、直列接続されている。スイッチング素子S7のエミッタ端子は点Oに接続され、スイッチング素子S8のエミッタ端子は点Uに接続されている。同様に、接続点Vは、スイッチング素子S9およびS10からなる中間側スイッチを介して、点Oに接続されている。スイッチング素子S9とS10とは、それぞれのコレクタ端子が接続され、スイッチング素子S9のエミッタ端子は点Oに接続され、スイッチング素子S10のエミッタ端子は点Vに接続されている。また、接続点Wは、スイッチング素子S11およびS12からなる中間側スイッチを介して、点Oに接続されている。スイッチング素子S11とS12とは、それぞれのコレクタ端子が接続され、スイッチング素子S11のエミッタ端子は点Oに接続され、スイッチング素子S12のエミッタ端子は点Wに接続されている。スイッチング素子S7およびS8は、同じタイミングでオンオフ動作を行い、オン状態のときに点Oと点Uとの接続を導通させ、オフ状態のときに接続を導通させないようにする。同様に、スイッチング素子S9およびS10も、同じタイミングでオンオフ動作を行い、オン状態のときに点Oと点Vとの接続を導通させ、オフ状態のときに接続を導通させないようにする。また、スイッチング素子S11およびS12も、同じタイミングでオンオフ動作を行い、オン状態のときに点Oと点Wとの接続を導通させ、オフ状態のときに接続を導通させないようにする。スイッチング素子S7およびS8のゲート端子、スイッチング素子S9およびS10のゲート端子、スイッチング素子S11およびS12のゲート端子には、それぞれ、制御回路から出力されるPWM信号が入力される。
【0027】
各スイッチング素子S1〜S12は、PWM信号に基づいて、オン状態とオフ状態とを切り替えられる。例えば、スイッチング素子S1がオン状態でスイッチング素子S4およびスイッチング素子S7,8がオフ状態の場合、U相の出力ラインの電位は点Pの電位(すなわち、直流電源の正極側の電位)となる。スイッチング素子S4がオン状態でスイッチング素子S1およびスイッチング素子S7,8がオフ状態の場合、U相の出力ラインの電位は点Nの電位(すなわち、直流電源の負極側の電位)となる。また、スイッチング素子S7,8がオン状態でスイッチング素子S1およびスイッチング素子S4がオフ状態の場合、U相の出力ラインの電位は点Oの電位(すなわち、直流電源の正極側と負極側の中間の電位)となる。これにより、各出力ラインから出力される出力相電圧は、直流電源の正極側の電位、負極側の電位、中間の電位の3レベルの電位となる。
【0028】
還流ダイオードは、各スイッチング素子S1〜S12のコレクタ端子とエミッタ端子との間に、それぞれ逆並列に接続されている。すなわち、還流ダイオードのアノード端子はそれぞれスイッチング素子S1〜S12のエミッタ端子に接続され、還流ダイオードのカソード端子はそれぞれスイッチング素子S1〜S12のコレクタ端子に接続されている。還流ダイオードは、スイッチング素子S1〜S12の切り替えによって発生する逆起電力による逆方向の高い電圧がスイッチング素子S1〜S12に印加されないようにするためのものである。
【0029】
スナバ回路C1は、U相アームの両端に並列接続されている。同様に、スナバ回路C2はV相アームの両端に、スナバ回路C3はW相アームの両端に、それぞれ並列接続されている。スナバ回路C1〜C3は、それぞれ6つのコンデンサを3直列2並列に接続したものである。
図1(b)はスナバ回路C1を示しており、3つのコンデンサC11〜C13を直列接続したものと、3つのコンデンサC14〜C16を直列接続したものとを並列接続していることを示している。スナバ回路C2およびC3も同様である。スナバ回路C1〜C3は、スイッチング時に発生するサージ電圧を吸収するためのものである。
【0030】
本実施形態に係るパワーコンディショナにおいては、U相回路、V相回路およびW相回路の三つの回路で、インバータ回路を構成している。U相回路Aは、スイッチング素子S1およびS4からなるU相アーム、スイッチング素子S7およびS8からなる中間側スイッチ、各スイッチング素子S1,S4,S7,S8に接続された還流ダイオード、および、スナバ回路C1を備えている。V相回路は、スイッチング素子S2およびS5からなるV相アーム、スイッチング素子S9およびS10からなる中間側スイッチ、各スイッチング素子S2,S5,S9,S10に接続された還流ダイオード、および、スナバ回路C2を備えている。W相回路は、スイッチング素子S3およびS6からなるW相アーム、スイッチング素子S11およびS12からなる中間側スイッチ、各スイッチング素子S3,S6,S11,S12に接続された還流ダイオード、および、スナバ回路C3を備えている。
【0031】
図2および
図3は、第1実施形態に係るインバータ回路の構造を説明するための図であり、インバータ回路のU相回路Aの構造を示している。
図2は、U相回路Aの平面図である。図の左下に、方向を定義する座標軸を示している。Z軸は、U相回路Aの上方(
図2において紙面の表方向)を正の方向としている。
図3は、
図2に示すU相回路AをX軸の正の方向からみた側面図である。
【0032】
図2および
図3に示すように、U相回路Aは、コンデンサC11〜C16、接続導体11〜13、断熱板2、IGBTモジュール31〜33、ヒートシンク5、および、固定部材6を備えている。なお、
図2においては、固定部材6を、より下方にある部材が見えるように透過して、破線で示している。
図3においても同様に、固定部材6を透過して、破線で示している。
【0033】
コンデンサC11〜C16は、スナバ回路C1を構成するコンデンサである(
図1(b)参照)。
図4は、コンデンサC11〜C16の外観を示している。同図(a)は平面図であり、同図(b)は正面図であり、同図(c)は側面図である。コンデンサC11〜C16は、本体71、端子72a,72bおよび固定部73を備えている。端子72a,72bおよび固定部73には穴が設けられており、ねじ等で固定することができる。なお、コンデンサC11〜C16の形状はこれに限定されない。
【0034】
接続導体11〜13は、コンデンサC11〜C16の各端子72a,72bを接続するためのものであり、本実施形態では銅板を用いている。接続導体11〜13は、銅板に限定されず、ある程度強度のある導体であればよい。
【0035】
接続導体12は、平面視略L字形状であり、両端付近にコンデンサC11〜C16の各端子72a,72bと接続するためのネジ穴が設けられている。1つの接続導体12は、コンデンサC11の端子72bとコンデンサC12の端子72aとを接続している。また、他の接続導体12は、コンデンサC12の端子72bとコンデンサC13の端子72aとを接続している。つまり、2つの接続導体12によって、コンデンサC11,C12,C13は直列接続されている。コンデンサC11,C12,C13を2つの接続導体12で接続した第1のコンデンサ群は、
図2に示すように、平面視略U字形状になっている。
【0036】
接続導体13は、平面視略矩形形状であり、両端付近にネジ穴が設けられている。1つの接続導体13は、コンデンサC14の端子72aとコンデンサC15の端子72bとを接続している。また、他の接続導体13は、コンデンサC15の端子72aとコンデンサC16の端子72bとを接続している。つまり、2つの接続導体13によって、コンデンサC14,C15,C16は直列接続されている。コンデンサC14,C15,C16を2つの接続導体13で接続した第2のコンデンサ群も、
図2に示すように、平面視略U字形状になっている。
【0037】
接続導体11は、両端付近にネジ穴が設けられた、X軸方向に長い略矩形形状の第1の部分(
図2参照)と、後述するIGBTモジュール31の電極31a,31bに固定するためのネジ穴が略中央に設けられた略矩形形状の第2の部分(
図2参照)と、第1の部分と第2の部分とが略平行となるように、第1の部分の長辺の中央と第2の部分とを接続する第3の部分(
図3参照)とを備えており、平面視略T字形状で(
図2参照)側面視略S字形状である(
図3参照)。1つの接続導体11の第1の部分は、コンデンサC11の端子72aとコンデンサC14の端子72bとを接続している。当該接続導体11の第2の部分は、IGBTモジュール31の電極31bに固定されている。また、他の接続導体11の第1の部分は、コンデンサC16の端子72aとコンデンサC13の端子72bとを接続している。当該接続導体11の第2の部分は、IGBTモジュール31の電極31aに固定されている。2つの接続導体11によって、第1のコンデンサ群と第2のコンデンサ群とは並列接続されている。第1のコンデンサ群と第2のコンデンサ群とを2つの接続導体11で接続したものが、スナバ回路C1(
図1参照)である。
図2に示すように、スナバ回路C1も平面視略U字形状になっている。なお、接続導体11〜13の形状は、上述したものに限定されない。
【0038】
IGBTモジュール31〜33は、IGBTおよびIGBTに逆並列接続された還流ダイオードを備えるモジュールである。IGBTモジュール31は、2つのIGBTを備えており、
図1に示すスイッチング素子S1、S4および還流ダイオードに相当する。IGBTモジュール32は、1つのIGBTを備えており、
図1に示すスイッチング素子S8および還流ダイオードに相当する。IGBTモジュール33は、1つのIGBTを備えており、
図1に示すスイッチング素子S7および還流ダイオードに相当する。
【0039】
IGBTモジュール31〜33の各電極は、1つの面(
図2、3におけるZ軸の正方向側の面)に設けられている。以下では、当該面を「電極形成面」と記載する。なお、
図2においては、本発明の説明に必要な電極のみを記載し、それ以外の電極の記載を省略している。IGBTモジュール31には、電極31aおよび電極31bが設けられている。電極31aは、
図1のスイッチング素子S1に相当するIGBTのコレクタ端子に接続している正極側の電極である。電極31bは、
図1のスイッチング素子S4に相当するIGBTのエミッタ端子に接続している負極側の電極である。電極31aおよび31bには、接続導体11の第2の部分がネジによって固定されている。
【0040】
IGBTモジュール31〜33の電極形成面の裏面(
図3におけるZ軸の負方向側の面であり、以下では「放熱面」とする)には、ヒートシンク5が固定されている(
図3参照)。ヒートシンク5は、IGBTモジュール31〜33が出す熱を放出するものである。
【0041】
断熱板2は、IGBTモジュール31〜33から放出される熱を遮断するためのものであり、本実施形態ではフェノール樹脂の板を用いている。なお、断熱板2の材質はこれに限られない。例えば、その他の合成樹脂やガラス、ガラエポ、紙フェノールなど、熱伝導性が低いものであればよい。断熱板2は、コンデンサC11〜C16および接続導体11〜13からなるスナバ回路C1の平面視の大きさと同程度の大きさの、略矩形形状の板である。断熱板2は、各接続導体11〜13の裏面(
図3におけるZ軸の負方向側の面)、すなわち、スナバ回路C1の裏面に固定されている。なお、断熱板2は、IGBTモジュール31〜33から放出される熱を遮断できれば、上述した形状に限定されない。また、断熱板2は、各接続導体11〜13の裏面に直接固定するのであれば、絶縁体にする必要がある。
【0042】
固定部材6は、スナバ回路C1をヒートシンク5に固定するものであり、本実施形態では鉄製のものを用いている。固定部材6の材質はこれに限られず、ある程度の強度があればよい。固定部材6は、両端付近にネジ穴が設けられた、Y軸方向に長い略矩形形状の第1の部分(
図2参照)と、第1の部分の長辺からX軸の正の方向に延びる略矩形形状の第2の部分と、第2の部分の端部からZ軸の負の方向に延び、先端付近にヒートシンク5に固定するためのネジ穴が設けられた略矩形形状の第3の部分(
図3参照)とを備えており、平面視略T字形状で(
図2参照)、側面視略T字形状である(
図3参照)。なお、固定部材6の形状はこれに限定されない。固定部材6の第1の部分は、コンデンサC12およびC15の固定部73にネジで固定されている。固定部材6の第3の部分は、ヒートシンク5にネジで固定されている。なお、固定部材6の固定場所はこれに限定されない。スナバ回路C1が固定部材6でヒートシンク5に固定されているので、スナバ回路C1とIGBTモジュール31とを接続する接続導体11、電極31aおよび電極31bにかかる負担を軽減することができる。また、接続導体11と固定部材6とで固定することで、断熱板2とIGBTモジュール31〜33とを所定の間隔をあけて、略平行に保つことができる。なお、接続導体11の強度が強い場合は、固定部材6を設けないようにしてもよい。
【0043】
次に、インバータ回路の製造方法について説明する。
図5および
図6は、インバータ回路の製造方法を説明するための図であり、U相回路Aを組み立てる工程を示している。
【0044】
まず、
図5(a)に示すように、コンデンサC11〜C16および接続導体11〜13をネジで固定することで、スナバ回路C1を組み立てる。左の図は
図2と同様の平面図であり、右の図は
図3と同様の側面図である。以下の
図5(b)、(c)も同様である。
【0045】
次に、
図5(b)に示すように、スナバ回路C1の裏面に断熱板2を固定する。断熱板2は、接続導体11〜13の裏面に接着剤で固定してもよいし、コンデンサC11〜C16と接続導体11〜13とを固定するネジで固定してもよい。
【0046】
次に、
図5(c)に示すように、固定部材6の第1の部分を、コンデンサC12およびC15の固定部73にネジで固定する。
【0047】
次に、
図6(a)に示すように、各接続導体11の第2の部分の穴を通して、ネジをIGBTモジュール31の電極31a(および31b)に固定することにより、スナバ回路C1をIGBTモジュール31に固定する。IGBTモジュール31〜33は、あらかじめヒートシンク5に固定している。そして、
図6(b)に示すように、固定部材6の第3の部分をヒートシンク5に固定することで、インバータ回路のU相回路Aが完成する。
図6の各図は、
図3と同様の側面図である。
【0048】
V相回路およびW相回路も、U相回路Aと同様にして組み立てられる。U相回路A、V相回路およびW相回路は、パワーコンディショナの筐体に、Y軸の正方向が上になるように固定される。そして、パワーコンディショナの筐体の上方に、排出用のファンが設けられる。これにより、Y軸の正方向への空気の流れを生じさせることができる(
図3の破線矢印参照)。
【0049】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
【0050】
本実施形態によると、スナバ回路C1において、コンデンサC11〜C16および接続導体11〜13が平面視略U字形状になるように接続されており、スナバ回路C1の接続端子となる2つの接続導体11の第2の部分が、ともにY軸の正方向側に位置することになる(
図2参照)。したがって、IGBTモジュール31の電極形成面に設けられている電極31aおよび電極31bに、直接、スナバ回路C1の接続端子を接続することができる。これにより、スナバ回路C1とIGBTモジュール31とを接続する接続導体を短縮化することができ、寄生インダクタンスを低減することができる。
【0051】
また、本実施形態によると、スナバ回路C1とIGBTモジュール31〜33との間に断熱板2が配置されている。したがって、IGBTモジュール31〜33から放出される熱を断熱板2で遮断して(
図3の太線矢印参照)、スナバ回路C1に伝わる放射熱を低減することができる。また、断熱
板2によって、空気の流れを、断熱板2とIGBTモジュール31〜33との間を通る流れと、スナバ回路C1を通る流れとに分けることができる(
図3の破線矢印参照)。したがって、IGBTモジュール31〜33から放出される熱によって暖められた空気が、スナバ回路C1の方に流れることを抑制し、スナバ回路C1に伝わる対流熱を低減することができる。これらにより、スナバ回路C1の温度上昇を抑制することができる。
【0052】
さらに、本実施形態によると、静電容量を大きくするためにスナバ回路C1が備えるコンデンサの数が多くても、平面視略U字形状になるように配置されるので、スナバ回路C1が占めるスペースを小さくすることができる。また、スナバ回路C1をIGBTモジュール31〜33に近接して配置することができるので、配置スペースを小さくすることができる。これらにより、パワーコンディショナを小型化することができる。
【0053】
また、本実施形態によると、接続導体11は、スナバ回路C1とIGBTモジュール31との電気的な接続を行うと同時に、スナバ回路C1とIGBTモジュール31とを所定の位置関係に固定する固定部材も兼ねている。また、断熱板2を固定する固定部材も兼ねている。したがって、構成部品を削減することができ、組み立て作業を容易にすることができる(
図5および
図6参照)。
【0054】
なお、上記第1実施形態においては、スナバ回路C1が6つのコンデンサC11〜C16を3直列2並列で接続したものである場合について説明しているが、これに限られない。例えば、
図7(a)に示すように、スナバ回路C1を、コンデンサC12およびC15を設けずに、コンデンサC11とC13とを接続導体12’で接続し、コンデンサC14とC16とを接続導体13’で接続した、2直列2並列の回路としてもよい。また、
図7(b)に示すように、コンデンサC11とC12との間にコンデンサC11’を設け、コンデンサC12とC13との間にコンデンサC13’を設け、コンデンサC14とC15との間にコンデンサC14’を設け、コンデンサC15とC16との間にコンデンサC16’を設けて、5直列2並列の回路としてもよい。また、さらに直列数を増やすようにしてもよいし、並列数を増やすようにしてもよい。
【0055】
上記第1実施形態においては、インバータ回路が三相の3レベルインバータ回路である場合について説明したが、これに限られない。インバータ回路は、4レベル以上のマルチレベルインバータ回路であってもよいし、2レベルインバータ回路であってもよい。また、単相インバータ回路であってもよい。単相インバータ回路の場合は、
図2および
図3に示すU相回路Aと同様の回路を2つ備えればよい。
【0056】
上記第1実施形態においては、インバータ回路をパワーコンディショナに用いた場合について説明したが、これに限られない。第1実施形態に係るインバータ回路は、例えば、溶接電源装置などの電源装置や、電磁誘導加熱機などにも用いることができる。
【0057】
上記第1実施形態においては、インバータ回路について説明したが、これに限られない。本発明は、コンバータ回路、DC/DCコンバータ回路などの、スイッチング素子とスナバ回路を備える電力変換回路にも適用することができる。
【0058】
本発明に係る電力変換回路、その製造方法およびパワーコンディショナは、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る電力変換回路、その製造方法およびパワーコンディショナの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。