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特許6367208２つのステップで得られる遷移金属窒化物層を用いて少なくとも１つのナノワイヤを成長させる方法
発明の名称 ２つのステップで得られる遷移金属窒化物層を用いて少なくとも１つのナノワイヤを成長させる方法
出願人 コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ エナジーズ アルタナティブス （識別番号 510094104）
特許公開件数ランキング 30184 位（2件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 24450 位（2件）（共同出願を含む）
出願人 アレディア （識別番号 515151273）
特許公開件数ランキング 11648 位（1件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 4016 位（3件）（共同出願を含む）
公報番号 特許-6367208
公報発行日 2018年8月1
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6367208
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