特許 6367415 液晶表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6367415

(24)【登録日】2018年7月13日

(45)【発行日】2018年8月1日

(54)【発明の名称】液晶表示装置

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1339 20060101AFI20180723BHJP

【ＦＩ】

   G02F1/1339 505

【請求項の数】6

【全頁数】13

(21)【出願番号】特願2017-81842(P2017-81842)

(22)【出願日】2017年4月18日

(62)【分割の表示】特願2012-220114(P2012-220114)の分割

【原出願日】2012年10月2日

(65)【公開番号】特開2017-122946(P2017-122946A)

(43)【公開日】2017年7月13日

【審査請求日】2017年4月18日

(73)【特許権者】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110000350

【氏名又は名称】ポレール特許業務法人

(72)【発明者】

【氏名】池田 大輔

【審査官】 廣田 かおり

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１０−１３９９５３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２００７／１１０９９５（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２００３／０１１２３８７（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０２Ｆ １／１３３９

Ｇ０２Ｆ １／１３４５

Ｇ０２Ｆ １／１３６８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

表示領域と、前記表示領域の外側の周辺領域とを有し、有機膜が形成されたＴＦＴ基板と、
対向基板と、
前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に設けられたシールと、
前記周辺領域に前記シールと重なるように形成された周辺回路と、
を有する液晶表示装置であって、
前記有機膜は、前記ＴＦＴ基板の前記表示領域と前記周辺領域とに形成され、前記シールが設けられた領域では、前記シールと前記ＴＦＴ基板との間にも形成されており、
前記ＴＦＴ基板と前記シールとの間において、前記有機膜には、前記表示領域を囲んで溝状の有機膜除去部が設けられており、
前記有機膜は、前記溝状の有機膜除去部を挟んで、表示領域側の有機膜と周辺領域側の有機膜とを有し、
前記ＴＦＴ基板にはコーナー部を挟んで２つの辺部が形成され、
前記ＴＦＴ基板のコーナー部における前記有機膜除去部の幅は、前記ＴＦＴ基板の辺部における有機膜除去部の幅よりも大きく、
前記ＴＦＴ基板のコーナー部近傍の前記辺部では、前記周辺回路の端部と前記シールとが重なっており、
前記周辺回路の端部から前記コーナー部に向けて前記有機膜除去部の幅が広がっており、
前記コーナー部の前記周辺領域側の有機膜は、一方の前記辺部から他方の前記辺部まで連続して形成されていることを特徴とする液晶表示装置。

【請求項2】

前記有機膜除去部と前記周辺回路とは重なっていることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。

【請求項3】

前記シールが設けられた領域においては、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間隔は、前記対向基板に形成されたスペーサと、前記有機膜とによって規定されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。

【請求項4】

前記コーナー部における前記有機膜除去部の幅は、前記辺部における前記有機膜除去部の幅の３倍以上であることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の液晶表示装置。

【請求項5】

前記有機膜と液晶層との間には、無機絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の液晶表示装置。

【請求項6】

前記有機膜除去部は、前記シールに沿って複数列形成され、前記複数列のうち、前記表示領域に近い側の有機膜除去部は、前記コーナー部における除去部の幅が前記辺部における除去部の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の液晶表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は表示装置に係り、狭額縁でありながら、シールの信頼性を確保した液晶表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、ＴＦＴ基板の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。

【0003】

液晶表示装置はフラットで軽量であることから、色々な分野で用途が広がっている。携帯電話やＤＳＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｔｉｌｌ Ｃａｍｅｒａ）等には、小型の液晶表示装置が広く使用されている。小型の液晶表示装置では、所定の表示領域を確保しつつ、外形を小さくしたいという要求が強い。そうすと、表示領域の端部と外形端部との距離、いわゆる額縁が小さくなる。この場合、液晶を封止するための封止部の面積が小さくなり、シール部の信頼性の確保が問題となる。

【0004】

一方、液晶表示パネルを１個づつ製造したのでは、効率が悪いので、マザー基板に多数の液晶表示パネルを形成し、マザー基板から個々の液晶表示パネルをスクライビング等によって分離する製造方法が採られている。また、液晶の封入方法として、従来は、封入孔から液晶を注入する方法が採られていたが、この方法は、液晶の注入に時間がかかる。そこで、ＴＦＴ基板あるいは対向基板にシール材を形成し、シール材の内側に液晶の量を正確に制御して、液晶表示パネルの内部に液晶を封入する、いわゆる滴下方式（ＯＤＦ（Ｏｎｅ Ｄｒｏｐ Ｆｉｌｌ）が採用されている。

【0005】

滴下方式では、シール材は閉ループとして形成される。シール材はディスペンサ等によって塗布されるが、この場合、シール材の塗布の始点と終点において、シール材が重なる部分が生ずる。シール材が重なる部分は、シール材の厚さが大きくなり、ＴＦＴ基板と対向基板のギャップ不良が生じたり、シール材が表示領域にはみ出したりする恐れが生ずる。

【0006】

このようなシール材の重なり部の問題を対策するために、「特許文献１」では、シール材の塗布の始点と終点に対応する部分において、対向基板に形成されたオーバーコート膜に切り欠きを設けることによって、この部分に余分なシール材を吸収させる構成が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】特開２０１０−１４５８９７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

「特許文献１」の方法は、1つの液晶表示パネル内で、塗布したシール材が閉ループを形成し、シール材の重なり部が液晶表示パネルの辺部に存在する場合の構成が記載されている。「特許文献１」の構成は、シール材の重なり部分に対応する部分にのみ、対向基板のオーバーコート膜に対して切り欠きが形成されている。

【0009】

「特許文献１」では、対向基板のコーナー部にシール材の重なり部分が形成された場合の効果については、不明である。特に、本願の図５に示すように、複数のＴＦＴ基板が形成されたマザーＴＦＴ基板において、シール材を複数のＴＦＴ基板に塗布する場合に、シール材の交差部が液晶表示パネルにおいて2箇所生ずるが、このような構成に対して「特許文献１」に記載の構成が適用可能か否か不明である。また、「特許文献１」の構成においては、オーバーコート膜の周辺を一部切り欠く必要がある。オーバーコート膜は一般には、コーティングし、硬化するだけで形成することが出来るが、「特許文献１」の構成では、オーバーコート膜に対してフォトリソグラフィを行って切り欠きを形成する必要があり、コスト上昇の要因となる。

【0010】

図５は、本発明が適用されるマザーＴＦＴ基板内におけるＴＦＴ基板１００に対するシール材１０の塗布形状の例である。図５において、点線は、液晶表示パネルが完成した時点における対向基板が配置する部分の境界部である。点線より下側は、ＴＦＴ基板が１枚となる部分であり、端子部１５０となっている。シール材１０は、ＴＦＴ基板と対向基板が重なる部分の周辺部に形成される。

【0011】

図５のシール材の形状は、マザーＴＦＴ基板内の複数のＴＦＴ基板に対して、連続してディスペンサ等によってシール材１０を塗布することが可能な形状となっている。例えば、右方向からＴＦＴ基板の切断線５０に沿ってU字型にシール材を塗布し、次に、左方向から逆U字型にシール材１０を塗布する。図５におけるＣ部において、２本のシール材１０が重なって形成されている。このような塗布方法によって、多数のＴＦＴ基板が形成されたマザーＴＦＴ基板、あるいは、多数の対向基板が形成されたマザー対向基板に対して効率的にシール材を塗布することが出来る。

【0012】

この場合、対向基板とＴＦＴ基板の重なり部において、シール材１０の幅が大きくなる。なお、図５において、長辺部では、切断線５０の両側に２本のシール材１０が形成されているが、シール材１０を塗布後、ＴＦＴ基板と対向基板を貼り合わせて所定の間隔になるように、シール材１０をつぶすとシール材１０は広がって、切断線５０の上にもシール材１０が形成されるようになる。

【0013】

シール材１０が塗布された内側に表示領域３０が形成されている。表示領域３０の端部から、ＴＦＴ基板の切断線５０までの距離、いわゆる額縁の幅は、例えば、長辺において、D1=０．８ｍｍ、端子側の短辺において、D3=２．３ｍｍ、端子側と逆側の短辺において、D2=１．０ｍｍである。従来は、コーナー部における、シール材１０の重なり部において、シール材１０が表示領域３０にはみ出す不良が生じていた。

【0014】

図６は、マザーＴＦＴ基板における個々のＴＦＴ基板のコーナー部の切断線５０付近の平面図である。表示領域３０の外側にまで、有機パッシベーション膜１０９が形成されている。表示領域３０の外側で、有機パッシベーション膜１０９の下に走査線駆動回路等の周辺回路部４０が形成されている。図６において、ハッチングで示した部分は、有機パッシベーション膜の除去部２０である。

【0015】

有機パッシベーション膜除去部２０は、表示領域３０の周辺に３個の溝として形成されている。また、個々のＴＦＴ基板の切断線５０を挟んで所定の幅で有機パッシベーション膜除去部２０が形成されている。図６において、点線で示す部分はシール材１０が形成される部分である。図６に示すように、２本のシール材１０は、ＴＦＴ基板のコーナー部において、重なっている。

【0016】

図７は、図６のＢ−Ｂ断面図である。図７は簡略化された断面図であるが、詳細断面図は図１において詳細に説明する。図７において、ＴＦＴ基板１００の上に有機パッシベーション膜１０９が形成されている。有機パッシベーション膜１０９の下側の層は省略されている。有機パッシベーション１０９には、有機パッシベーション膜除去部２０が形成され、この部分は溝部となっている。ＴＦＴ基板の端部は、有機パッシベーション膜除去部２０となっている。有機パッシベーション膜２０を覆って、ＳｉＮ等で形成される無機絶縁膜１１１が形成されている。

【0017】

ＴＦＴ基板１００と対向基板２００はシール材１０によって接着し、シール材１０の内側には液晶３００が封入されている。図７は、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００を重ねて所定のギャップを形成することによって、シール材１０はつぶされた状態となっている。シール材１０がつぶれたときに、シール材１０の幅が規定以上に大きくなると、シール材１０が表示領域にはみ出す不良が生ずる。

【0018】

ＴＦＴ基板１００および対向基板２００において、液晶３００と接する面には、図示しない配向膜が形成される。配向膜がシール材１０と無機絶縁膜１１１との間に存在すると、シール材１０の接着力が低下する。そこで、図７において、溝状に有機パッシベーション膜除去部２０を形成し、この部分において、配向膜が外側に流れ出すことを防止するための堰が形成されている。図７におけるＡ部は、この堰が3個形成されていることを示している。

【0019】

図７において、Ｂ部には、配向膜も有機パッシベーション膜１０９も形成されていないので、シール材１０とＴＦＴ基板１００との接着力は大きく、この部分でシールの信頼性を確保することが出来る。図６および図７に示すように、溝状の有機パッシベーション膜除去部２０の幅は辺部とコーナー部とで同じ幅である。図６、７における有機パッシベーション膜除去部２０の主目的は配向膜に対する堰だからである。

【0020】

図８は、液晶表示パネルのコーナー部において、図５のＣのように、シール材１０が重なった部分において、シール材１０の幅が広がり、シール材１０が表示領域３０にまで、はみ出している状態を示す平面図である。図８において、シール材１０の一部が表示領域３０にはみ出したシール材１０はみだし部３１が存在している。このような液晶表示パネルは不良となる。

【0021】

本発明の課題は、狭額縁の液晶表示パネルにおいて、シールの信頼性を確保しつつ、シール材が表示領域にはみ出すことを防止することである。

【課題を解決するための手段】

【0022】

本発明は上記問題を克服するものであり、具体的な手段は次のとおりである。すなわち、表示領域を有し、有機パッシベーション膜が形成されたＴＦＴ基板と、シール部におけるシール材を介して対向基板が配置され、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記ＴＦＴ基板の前記表示領域の外側にまで、前記有機パッシベーション膜が形成され、前記有機パッシベーション膜は、前記シール部においては、前記表示領域を囲んで溝状の有機パッシベーション膜除去部を有し、コーナー部における前記溝状の有機パッシベーション膜除去部の幅は、辺部における溝状の有機パッシベーション膜除去部の幅よりも大きく、前記ＴＦＴ基板の前記シール部には、周辺回路部が形成され、前記シール部においては、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間隔は、前記対向基板に形成された柱状スペーサと、前記ＴＦＴ基板に形成された有機パッシベーション膜の台座によって規定されていることを特徴とする液晶表示装置である。

【発明の効果】

【0023】

本発明によれば、マザーＴＦＴ基板において、個々のＴＦＴ基板に対してシール材を形成する場合、配向膜の堰の機能を合わせ持つ、溝状の有機パッシベーション膜除去部の幅をコーナー部において、辺の部分よりも広げるので、この部分において、シール材が重なって形成されても、シール材が表示領域にはみ出すことは無い。

【0024】

また、有機パッシベーション膜除去部の下層に周辺駆動回路が形成されている場合、有機パッシベーション膜除去部以外の部分の有機パッシベーション膜を台座として対向基板側に形成された柱状スペーサを用いてシール部分におけるＴＦＴ基板と対向基板の間隔を制御するので、周辺駆動回路を損傷することが無い。

【0025】

さらに、本発明では、コーナー部におけるシール材のはみ出しを防止するために、新たなフォトリソグラフィ工程を必要としないので、本発明を適用してもコスト上昇の要因とはならない。

【図面の簡単な説明】

【0026】

【図1】本発明が適用されるコモン電極トップ構造の液晶表示装置の断面図である。

【図2】画素電極とコモン電極の関係を示す平面図である。

【図3】本発明におけるＴＦＴ基板のコーナー部の平面図である。

【図4】図３のＡ−Ａ断面図である。

【図5】本発明が適用される液晶表示装置におけるシール材の塗布形状である。

【図6】従来例におけるＴＦＴ基板のコーナー部の平面図である。

【図7】図６のＢ−Ｂ断面図である。

【図8】シール材が表示領域にはみ出した状態を示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0027】

以下に実施例を用いて本発明を詳細に説明する。

【実施例1】

【0028】

図１は本発明が適用されるコモン電極トップ構造のＩＰＳの画素領域の断面図である。図１におけるＴＦＴは、いわゆるトップゲートタイプのＴＦＴであり、使用される半導体としては、ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｉ−Ｓｉ）が使用されている。コモン電極トップ構造の他に画素電極トップ構造のＩＰＳも存在するが、本発明は、同様に適用することが出来る。

【0029】

一方、ａ−Ｓｉ半導体を使用した場合は、いわゆるボトムゲート方式のＴＦＴが多く用いられる。以後の説明では、トップゲート方式のＴＦＴを用いた場合を例にして説明するが、ボトムゲート方式のＴＦＴを用いた場合についても、本発明を適用することが出来る。ボトムゲート方式のＴＦＴを用いた場合においても、コモン電極トップ方式あるいは画素電極トップ方式のいずれについても本発明を適用することが出来る。

【0030】

図１において、ガラス基板１００の上にＳｉＮからなる第１下地膜１０１およびＳｉＯ_２からなる第２下地膜１０２がＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される。第１下地膜１０１および第２下地膜１０２の役割はガラス基板１００からの不純物が半導体層１０３を汚染することを防止することである。

【0031】

第２下地膜１０２の上には半導体層１０３が形成される。この半導体層１０３は第２下地膜１０２に上にＣＶＤによってａ−Ｓｉ膜を形成し、これをレーザアニールすることによってｐｏｌｙ−Ｓｉ膜に変換したものである。このｐｏｌｙ−Ｓｉ膜をフォトリソグラフィによってパターニングする。

【0032】

半導体膜１０３の上にはゲート絶縁膜１０４が形成される。このゲート絶縁膜１０４はＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）によるＳｉＯ_２膜である。この膜もＣＶＤによって形成される。その上にゲート電極１０５が形成される。ゲート電極１０５は走査信号線と同層で、同時に形成される。ゲート電極１０５は例えば、ＭｏＷ膜によって形成される。ゲート配線１０５の抵抗を小さくする必要があるときはＡｌ合金が使用される。

【0033】

ゲート電極１０５はフォトリソグラフィによってパターニングされるが、このパターニングの際に、イオンインプランテーションによって、リンあるいはボロン等の不純物をｐｏｌｙ−Ｓｉ層にドープしてｐｏｌｙ−Ｓｉ層にソースＳあるいはドレインＤを形成する。また、ゲート電極１０５のパターニングの際のフォトレジストを利用して、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層のチャネル層と、ソースＳあるいはドレインＤとの間にＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）層を形成する。

【0034】

その後、ゲート電極１０５あるいはゲート配線を覆って第１層間絶縁膜１０６をＳｉＯ_２によって形成する。第１層間絶縁膜１０６はゲート配線１０５とソース電極１０７を絶縁するためである。第１層間絶縁膜１０６およびゲート絶縁膜１０４には、半導体層１０３のソース部Ｓをソース電極１０７と接続するためのスルーホール１２０が形成される。第１層間絶縁膜１０６とゲート絶縁膜１０４にスルーホール１２０を形成するためのフォトリソグラフィは同時に行われる。

【0035】

第１層間絶縁膜１０６の上にソース電極１０７が形成される。ソース電極１０７は、スルーホール１３０を介して画素電極１１２と接続する。図１においては、ソース電極１０７は広く形成され、ＴＦＴを覆う形となっている。一方、ＴＦＴのドレインＤは、図示しない部分においてドレイン電極と接続している。

【0036】

ソース電極１０７、ドレイン電極および映像信号線は、同層で、同時に形成される。ソース電極１０７、ドレイン電極および映像信号線（以後ソース電極１０７で代表させる）は、抵抗を小さくするために、例えば、ＡｌＳｉ合金が使用される。ＡｌＳｉ合金はヒロックを発生したり、Ａｌが他の層に拡散したりするので、例えば、図示しないＭｏＷによるバリア層、およびキャップ層によってＡｌＳｉをサンドイッチする構造がとられている。

【0037】

ソース電極１０７を覆って無機パッシベーション膜（絶縁膜）１０８を被覆し、ＴＦＴ全体を保護する。無機パッシベーション膜１０８は第１下地膜１０１と同様にＣＶＤによって形成される。無機パッシベーション膜１０８を覆って有機パッシベーション膜１０９が形成される。有機パッシベーション膜１０９は感光性のアクリル樹脂で形成される。有機パッシベーション膜１０９は、アクリル樹脂の他、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等でも形成することが出来る。有機パッシベーション膜１０９は平坦化膜としての役割を持っているので、厚く形成される。有機パッシベーション膜１０９の膜厚は１〜４μｍであるが、多くの場合は２μｍ程度である。

【0038】

画素電極１１０とソース電極１０７との導通を取るために、無機パッシベーション膜１０８および有機パッシベーション膜１０９にスルーホール１３０が形成される。有機パッシベーション膜１０９は感光性の樹脂を使用している。感光性の樹脂を塗付後、この樹脂を露光すると、光が当たった部分のみが特定の現像液に溶解する。すなわち、感光性樹脂を用いることによって、フォトレジストの形成を省略することが出来る。有機パッシベーション膜１０９にスルーホール１３０を形成したあと、２３０℃程度で有機パッシベーション膜を焼成することによって有機パッシベーション膜１０９が完成する。

【0039】

本発明では、有機パッシベーション膜は、液晶表示パネルのシール部にまで延在しており、シール部において、有機パッシベーション膜除去部を溝状に形成すすることによって、配向膜が外側に流動することを防止する堰の役割を持たせている。また、本発明では、有機パッシベーション膜除去部の溝の幅をコーナー部において、辺部よりも大きくすることによって、シール材を重ねて塗布するときに、シール材が表示領域にはみ出すことを防止している。

【0040】

有機パッシベーション膜１０９をレジストとしてエッチングすることにより無機パッシベーション膜１０８にスルーホールを形成する。こうして、ソース電極１０７と画素電極１１０を導通するためのスルーホール１３０が形成される。パターニングされた有機パッシベーション膜１０９をレジストとして無機パッシベーション膜１０８をエッチングするので、新たなマスクを使用する必要はなく、フォトリソグラフィ工程は１工程で済む。有機パッシベーション膜１０９は厚いので、スルーホール１３０の上側と下側では、孔の大きさが異なる。

【0041】

図１において、このようにして形成された有機パッシベーション膜１０９の上面は平坦となっている。有機パッシベーション膜１０９の上にアモルファスＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）をスパッタリングによって被着し、フォトレジストによって、パターニングした後、蓚酸でエッチングし、画素電極１１２のパターニングを行う。画素電極１１２はスルーホール１３０をも覆って形成される。画素電極１１２は透明電極であるＩＴＯによって形成され、厚さは例えば、５０〜７０nmである。

【0042】

その後、画素電極１１２を覆って、第２層間絶縁膜１１１をＣＶＤによって成膜する。このときのＣＶＤの温度条件は、２００℃程度であり、これは低温ＣＶＤと呼ばれる。低温ＣＶＤを用いるのは、すでに形成されている有機パッシベーション膜１０９の変質を防止するためである。

【0043】

フォトリソグラフィ工程によって、第２層間絶縁膜１１１のパターニングを行うが、このパターニングは端子部分のパターニングであり、スルーホール領域におけるパターニングは不要である。

【0044】

第２層間絶縁膜１１１の上にアモルファスＩＴＯをスパッタリングし、フォトリソグラフィ工程によって、櫛歯状のコモン電極１１０を形成する。コモン電極１１０の膜厚は例えば、３０ｎｍ程度である。このように、コモン電極１１０を薄く形成するのは、コモン電極１１０の上に形成される配向膜１１３をラビングする場合に、ラビング影による配向不良を防止するためである。

【0045】

図２は、櫛歯状のコモン電極１１０と平面ベタで形成された画素電極１１２の関係を示す平面図である。図２において、コモン電極１１０は、図示していない第２層間絶縁膜を挟んで画素電極１１２の上に配置されている。櫛歯状のコモン電極１１０の間のスリット１１５を通して、図１に示すように、コモン電極１１０上面から画素電極１１２に電気力線が伸び、この電気力線によって液晶分子を回転させる。

【0046】

図１において、画素電極１１２もコモン電極１１０もスルーホール１３０領域に形成される。したがって、液晶分子３０１の配向を適正に行うことが出来れば、スルーホール１３０の上端部、あるいは、スルーホール１３０の内壁にも、光を透過する領域を形成することが出来る。したがって、画素電極トップの場合に比較して、画素領域を画像形成のために、より効率的に使用することが出来る。

【0047】

図１において、液晶層３００を挟んで対向基板２００が配置されている。対向基板２００の内側には、カラーフィルタ２０１が形成されている。カラーフィルタ２０１は画素毎に、赤、緑、青のカラーフィルタが形成されており、カラー画像が形成される。カラーフィルタ２０１とカラーフィルタ２０１の間にはブラックマトリクス２０２が形成され、画像のコントラストを向上させている。なお、ブラックマトリクス２０２はＴＦＴの遮光膜としての役割も有し、ＴＦＴに光電流が流れることを防止している。

【0048】

カラーフィルタ２０１およびブラックマトリクス２０２を覆ってオーバーコート膜２０３が形成されている。カラーフィルタ２０１およびブラックマトリクス２０２の表面は凹凸となっているために、オーバーコート膜２０３によって表面を平らにしている。オーバーコート膜の上には、液晶の初期配向を決めるための配向膜１１３が形成されている。なお、図２はＩＰＳであるから、コモン電極はＴＦＴ基板１００側に形成されており、対向基板２００側には形成されていない。

【0049】

図１に示すように、ＩＰＳでは、対向基板２００の内側には導電膜が形成されていない。そうすると、対向基板２００の電位が不安定になる。また、外部からの電磁ノイズが液晶層３００に侵入し、画像に対して影響を与える。このような問題を除去するために、対向基板２００の外側に外部導電膜２１０が形成される。外部導電膜２１０は、透明導電膜であるＩＴＯをスパッタリングすることによって形成される。

【0050】

図３は、本発明におけるマザーＴＦＴ基板での個々のＴＦＴ基板のコーナー部の切断線５０付近の平面図である。表示領域３０の外側にまで、有機パッシベーション膜１０９が形成されている。表示領域３０の外側で、有機パッシベーション膜１０９の下に走査線駆動回路等の周辺回路部４０が形成されている。図３において、ハッチングで示した部分は、有機パッシベーション膜の除去部２０である。

【0051】

有機パッシベーション膜除去部２０は、表示領域３０の周辺に２個の溝として形成されている。また、個々のＴＦＴ基板の切断線５０を挟んで所定の幅で有機パッシベーション膜除去部２０が形成されている。図３において、内側の有機パッシベーション膜除去部２０の溝は、コーナー部において、辺部におけるよりも溝の幅が大きくなっている。図３においては、溝状の有機パッシベーション膜除去部２０は、ＴＦＴ基板の一部にしか表示されていないが、実際は、表示領域３０全体を囲んで形成される。

【0052】

図３において、点線で示す部分はシール材１０が形成される部分である。図３に示すように、２本のシール材１０は、ＴＦＴ基板のコーナー部において、重なっている。２本のシール材１０が重なる部分は、シール材１０の幅が大きくなるが、本発明においては、コーナー部の有機パッシベーション膜除去部２０の溝の幅が大きくなっているので、シール材１０の重なり部においても、シール材１０が表示領域３０にはみ出すことを防止することが出来る。なお本発明においても、溝状の有機パッシベーション膜除去部２０は配向膜が外側に流動することを防止するための堰を兼用している。

【0053】

図４は、図３のＡ−Ａに対応する断面図である。図４において、ＴＦＴ基板１００の上に有機パッシベーション膜１０９が形成されている。有機パッシベーション膜１０９の下側には、図１に示すような層が形成されているが、図４においてはこれらの層は省略されている。

【0054】

有機パッシベーション１０９には、有機パッシベーション膜除去部２０が形成され、この部分は溝部となっている。溝状の有機パッシベーション膜除去部２０は2個形成されているが、この部分は、配向膜が外側に流動することを防止する堰の役割を持っている。また、本実施例では、2個の溝のうち、内側の溝の幅をコーナー部において、大きくすることによって、この部分において、シール材１０が重なって形成されても、シール材１０のはみ出しが表示領域３０に達しない構成としている。

【0055】

ＴＦＴ基板１００の端部は、有機パッシベーション膜除去部２０となっている。有機パッシベーション膜１０９を覆って、ＳｉＮ等で形成される無機絶縁膜１１１が形成されている。図４の点線で示すＡ領域は、溝状の有機パッシベーション膜除去部２０が形成されている部分であり、本発明では、配向膜が外側に流動することを防止する堰の役割と、シール材１０が重ねて塗布されている部分において、シール材１０が表示領域３０内にはみ出すことを防止する役割を兼ね備えている。

【0056】

図４の点線で示すＢ領域は、有機パッシベーション膜除去部２０となっており、無機絶縁膜１１１のみが存在しているので、シール材１０とＴＦＴ基板１００との接着材力が強く、シール部の信頼性を向上させる役割を有している。

【0057】

図４において、対向基板２００からは、シール部において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔を規定するための柱状スペーサ６０が形成されている。なお、対向基板２００には柱状スペーサ６０の下側に、ブラックマトリクス、カラーフィルタ、オーバーコート膜等が形成されているが、図４では省略されている。従来は、シール部におけるＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔はグラスファイバあるいはビーズ等によって規定されていた。しかし、本実施例においては、シール部のＴＦＴ基板１００側には周辺回路部４０が形成されている。本発明のように、コーナー部において、溝状の有機パッシベーション膜除去部２０を幅広く形成すると、この部分において、グラスファイバあるいはビーズ等によって、周辺回路部４０が損傷を受ける可能性がある。

【0058】

本発明では、図４に示すように、シール部１０におけるＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔を、グラスファイバ、ビーズ等を使用せず、有機パッシベーション膜１０９を台座とした柱状スペーサ６０によって規定しているので、有機パッシベーション膜１０９の下側に形成されている図示しない周辺回路部４０は損傷を受けることが無い。

【0059】

また、本発明においては、ＴＦＴ基板１００において、配向膜が外側に流動することを防止するための有機パッシベーション膜除去部２０の溝をシール材１０の重なり部において、表示領域３０にはみ出すことを防止するための凹部として兼用するので、本発明の構成を実施するために、追加の工程を加える必要は無い。従来に比して、溝状の有機パッシベーション膜除去部２０を形成するためのマスクを変えるだけでよい。

【0060】

図３および図４では、溝状の有機パッシベーション膜除去部２０は、２個としたが、１個あるいは３個以上であってもよい。重要な点は、塗布されたシール材１０が重なる付近のコーナー部において、溝状の有機パッシベーション膜除去部２０の幅を辺部に比較して広くすることである。コーナー部における有機パッシベーション膜除去部２０の溝の幅は、辺部における有機パッシベーション膜除去部の溝の幅の３倍以上とすることが好ましい。

【符号の説明】

【0061】

10…シール材、 ２0…有機パッシベーション膜除去部、 ３0…表示領域、 ３１…シール材はみ出し部、 ４0…周辺回路部、 ５0…切断線、 ６0…柱状スペーサ、 １００…ＴＦＴ基板、 １０１…第１下地膜、 １０２…第２下地膜、 １０３…半導体層、 １０４…ゲート絶縁膜、 １０５…ゲート電極、 １０６…第１層間絶縁膜、 １０７…ソース電極、 １０８…無機パッシベーション膜、 １０９…有機パッシベーション膜、 １１０…コモン電極、 １１１…第２層間絶縁膜、 １１２…画素電極、 １１３…配向膜、 １１５…スリット、 １３０…スルーホール、 １５０…端子部、 ２００…対向基板、 ２０１…カラーフィルタ、 ２０２…ブラックマトリクス、 ２０３…オーバーコート膜、 ２１０…外部導電膜、 ３００…液晶層、 ３０１…液晶分子、 Ｓ…ソース部、 Ｄ…ドレイン部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】