(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記第1および第2の出力ノードが第1および第2の信号伝送ラインにそれぞれ結合されるように構成され、前記第1および第2の信号伝送ラインの各々は第1の入力インピーダンスを有し、前記第1および第2の能動素子の双方の出力抵抗は前記第1の入力インピーダンスに略等しい、請求項1に記載の回路。
前記出力回路は、前記第1の能動素子が導通しない場合に前記第1の出力ノード上に前記第1の出力信号を駆動するとともに、前記第2の能動素子が導通しない場合に前記第2の出力ノード上に前記第2の出力信号を駆動するものであり、前記第1および第2の出力信号が差動出力信号を形成する、請求項1に記載の回路。
前記増幅回路はドライバ部および負荷部を含み、前記ドライバ部は、前記差動入力信号に基づいて第1および第2の電流を生成し、前記第1および第2の中間信号が、前記第1および第2の電流を用いて前記負荷部により生成された電圧信号である、請求項1に記載の回路。
前記差動入力信号は第1の信号および第2の信号を含み、前記第1の信号は前記第1の入力ノードで受信され、前記第1の中間信号は前記第1の信号に基づいて生成され、前記第2の信号は前記第2の入力ノードで受信され、前記第2の中間信号は前記第2の信号に基づいて生成される、請求項1に記載の回路。
前記第1の信号の修正信号を前記第1の中間信号に対して選択的に適用するとともに、前記第2の信号の修正信号を前記第2の中間信号に対して選択的に適用するように構成されたタップ回路をさらに備える請求項8に記載の回路。
前記第1の増幅トランジスタおよび前記第1の抵抗は、前記第1の入力ノード上で受信された差動入力信号に基づいて前記第1の中間ノード上に前記第1の中間信号を生成するように構成されており、前記差動入力信号は第1の電圧振幅を有し、前記第1の電圧振幅は前記第1の中間信号の第2の電圧振幅よりも小さい、請求項11に記載の回路。
前記第1の能動素子のゲートは前記第1の中間ノードに結合されており、前記第1の能動素子のソースは前記第1の出力ノードに結合されており、前記第2の能動素子のゲートは前記第2の中間ノードに結合されており、前記第2の能動素子のソースは前記第2の出力ノードに結合されている、請求項11に記載の回路。
前記第1および第2の出力ノードは第1および第2の伝送ラインにそれぞれ結合されるように構成されており、前記第1および第2の伝送ラインの各々は第1の入力インピーダンスを有し、前記第1および第2の能動素子の双方の出力抵抗は前記第1の入力インピーダンスに略等しい、請求項11に記載の回路。
前記第1の出力トランジスタのドレインは前記第1の出力ノードに結合されており、前記第2の出力トランジスタのドレインは前記第2の出力ノードに結合されている、請求項11に記載の回路。
【発明を実施するための形態】
【0012】
本明細書において説明されるいくつかの実施形態は駆動回路を含み得る。駆動回路は、増幅回路および出力回路を含み得る。増幅回路は、より小さな電圧振幅信号を増幅回路と出力回路との間の中間ノードにおいてより大きな電圧振幅信号に変換するように構成され得る。出力回路は、その中間ノード上のより大きな電圧振幅を使用して出力信号を生成し得る。いくつかの実施形態では、より大きな電圧振幅は、出力回路内の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を導通させるのに十分な振幅であればよい。いくつかの実施形態では、出力回路は、出力回路に結合された信号伝送ラインの入力インピーダンスにほぼ整合する出力インピーダンスを供給する能動素子をさらに含み得る。ドライバ回路の電力消費を低減するため、能動素子は、MOSFETトランジスタが導通するときには導通しなくてもよい。
【0013】
図1は、本明細書に記載の少なくともいくつかの実施形態に従って構成された例示的なドライバ回路102を含む回路100を示す。ドライバ回路102は、この構成に限定されないが、第1および第2の入力ノード104,105と、第1および第2の出力ノード108,109と、増幅回路110と、出力回路130と、第1および第2の能動素子150,152とを含み得る。
図1に示されるように、第1および第2の出力ノード108,109は、第1および第2の信号伝送ライン180,182によって負荷190に結合されるように構成され得る。
【0014】
第1および第2の信号伝送ライン180,182は、第1および第2の出力ノード108,109と負荷190とを結合するためのPCBトレースまたは他のタイプの電気リード、および/または電気コネクタ、および/またはそれらの組み合わせとすることができる。いくつかの実施形態において、第1および第2の信号伝送ライン180,182はそれぞれ入力インピーダンスを有し得る。いくつかの実施形態では、入力インピーダンスは同じであってもよいし異なっていてもよい。いくつかの実施形態では、第1および第2の信号伝送ライン180,182の入力インピーダンスは、25Ω、50Ω、75Ω、100Ω、または他のインピーダンス値とすることができる。
【0015】
第1および第2の入力ノード104,105は、増幅回路110に結合され得る。増幅回路110は、第1および第2の中間ノード160,162において、出力回路130と第1および第2の能動素子150,152とに結合され得る。具体的に、第1の能動素子150は第1の中間ノード160に結合され得る。第2の能動素子152は第2の中間ノード162に結合され得る。出力回路130と第1および第2の能動素子150,152は、第1および第2の出力ノード108,109に結合され得る。具体的に、第1の能動素子150は第1の出力ノード108に結合され得る。第2の能動素子152は第2の出力ノード109に結合され得る。
【0016】
ドライバ回路102の第1および第2の入力ノード104,105は、差動入力信号を受信するように構成され得る。差動入力信号は、高速または低速の信号であってもよい。例えば、いくつかの実施形態では、差動入力信号は、200メガビット/秒(Mb/s)の信号、500Mb/sの信号、1ギガビット/秒(Gb/s)の信号、10Gb/sの信号、20Gb/sの信号、または40Gb/sの信号などとすることができる。
【0017】
差動入力信号は、第1の入力信号と第2の入力信号とを含み得る。例えば、第1の入力信号は、差動入力信号の正の信号とすることができ、第2の入力信号は、差動入力信号の負の信号とすることができる。第1の入力ノード104は、第1の入力信号を受信するように構成され得る。第2の入力ノード105は、第2の入力信号を受信するように構成され得る。
【0018】
差動入力信号は、ある電圧振幅を有し得る。これらおよび他の実施形態では、差動入力信号の電圧振幅は、差動入力信号からデータを復調することが可能な、その差動入力信号の第1信号と第2信号との最小電圧差とすることができる。いくつかの実施形態では、第1の電圧振幅は、バイポーラ接合トランジスタ(BJT)を導通させるまたは導通させないようにするために十分な振幅であればよい。例えば、差動入力信号の電圧振幅は100mV〜400mVとすることができる。また、代替的または追加的に、差動入力信号の電圧振幅は150mV〜250mVであってもよい。いくつかの実施形態では、差動入力信号の電圧振幅は約200mVであってもよい。これらのおよび他の実施形態では、差動入力信号の電圧振幅が約200mVであることは、差動入力信号の電圧振幅が200mVの±10パーセントであることを示し得る。
【0019】
本明細書において使用される用語について、トランジスタに関する「導通」という用語は、トランジスタが線形または飽和動作領域などの非カットオフ動作領域にあり、ソースとドレインの間に電流が流れることを示す。したがって、トランジスタが導通していると記載されている場合やトランジスタが導通すると記載されている場合には、トランジスタは非カットオフ動作領域にある。一方、トランジスタが導通していないと記載されている場合やトランジスタが導通しないと記載されている場合には、トランジスタはそのドレインとソースに高インピーダンスが与えられるカットオフ動作領域にある。
【0020】
第1および第2の出力ノード108,109は、出力回路130から第1および第2の出力信号を受信して、第1および第2の出力信号を負荷190に送信するように構成され得る。負荷190は、抵抗型の負荷を含み得る。例えば、いくつかの実施形態では、負荷190は、50Ωの抵抗器で実施される電流モード論理終端を含み得る。
【0021】
増幅回路110は、第1および第2の入力ノード104,105から差動入力信号を受信するように構成され得る。増幅回路110は、差動入力信号に基づいて第1および第2の中間信号を生成することができる。増幅回路110は、第1の中間信号を第1の中間ノード160に出力し、第2の中間信号を第2の中間ノード162に出力し得る。
【0022】
第1および第2の中間信号はそれぞれ、差動入力信号の電圧振幅よりも大きな電圧振幅を有し得る。いくつかの実施形態では、第1および第2の中間信号の電圧振幅は、少なくとも450mVとすることができる。いくつかの実施形態では、第1および第2の中間信号の電圧振幅は、MOSFETトランジスタを導通させるのに十分な振幅であればよい。
【0023】
増幅回路110は、増幅回路110に含まれた抵抗を用いて第1および第2の中間信号を生成するように構成され得る。この抵抗は、第1および第2信号伝送ライン180,182の入力インピーダンスよりも大きな抵抗値を有し得る。いくつかの実施形態では、この抵抗値は、第1および第2の信号伝送ライン180,182の入力インピーダンスの2倍、3倍、4倍、5倍、または他の有理数倍とすることができる。第1および第2の信号伝送ライン180,182の入力インピーダンスよりも大きな抵抗値を用いることによって、駆動回路102の消費電力を低減することができる。
【0024】
第1および第2の能動素子150,152は、MOSFETトランジスタを含み得る。第1および第2の能動素子150,152の各々は、ゲート端子、ソース端子、およびドレイン端子を含む。
図1に示されるように、ソース端子は矢印付きの端子であり、ゲート端子は横に延びる線に平行な端子であり、ドレイン端子は残りの端子である。第1および第2の能動素子150,152のゲートは、第1および第2の中間ノード160,162にそれぞれ結合され得る。第1および第2の能動素子150,152のドレインは電圧源(VCC)に結合され得る。第1および第2の能動素子150,152のソースは、出力回路130に結合されるとともに第1および第2の出力ノード108,109にそれぞれ結合され得る。
【0025】
第1および第2の能動素子150,152の各々は、第1および第2信号伝送ライン180,182の入力インピーダンスにほぼ等しい出力抵抗を含み得る。具体的に、第1の能動素子150の出力抵抗は、第1の信号伝送ライン180の入力インピーダンスにほぼ等しく、第2の能動素子152の出力抵抗は、第2の信号伝送ライン182の入力インピーダンスにほぼ等しい。第1および第2の能動素子150,152の出力抵抗が第1および第2の信号伝送ライン180,182の入力インピーダンスとほぼ等しいことは、第1および第2の能動素子150,152の出力抵抗が第1および第2の信号伝送ライン180,182の入力インピーダンスの±10%であることを示し得る。
【0026】
出力回路130は、第1および第2の中間ノードに基づいて、第1および第2の出力ノード108,109上に出力信号を駆動するように構成され得る。例えば、出力回路130は、第2の中間ノード162が論理ハイの電圧レベルにあり、第1の中間ノード160が論理ローのレベルにあるときには、第1の出力ノード108上の第1の出力信号を論理ハイに駆動し得る。第1の中間ノード160が論理ローのレベルにあるとき、第1の能動素子150は導通しない。その結果、出力回路130によって第1の出力ノード108に供給された電流の大部分または全てが、第1の信号伝送ライン180に供給され得る。
【0027】
別の例として、出力回路130は、第1の中間ノード160が論理ハイの電圧レベルにあり、第2の中間ノード162が論理ローのレベルにあるときには、第2の出力ノード109上の第2の出力信号を論理ハイに駆動し得る。第2の中間ノード162が論理ローのレベルにあるとき、第2の能動素子152は導通しない。その結果、出力回路130によって第2の出力ノード109に供給された電流の大部分または全てが、第2の信号伝送ライン182に供給され得る。
【0028】
出力回路130により供給される電流の大部分または全てを第1および第2の信号伝送ライン180,182に供給することにより、ドライバ回路により供給される電流を負荷とそのドライバ回路内の他の回路素子との間で分割するドライバ回路と比べて、ドライバ回路102の電力消費を低減することができる。
【0029】
例えば、既知のドライバ回路は、増幅回路110やドライバ回路102の第1および第2の能動素子150,152に相当する回路要素を含まない。代わりに、これらの既知のドライバ回路は、負荷に結合された出力ノードと電圧源との間に結合された抵抗器または他の受動回路要素と、その出力ノードに結合された駆動回路とを含み得る。負荷に対して信号を駆動するときにその駆動回路によって供給される電流は、抵抗器および/または他の受動回路素子と負荷との間で分割され得る。その結果、駆動回路は、負荷が必要な電流を受け取ることができるように、その負荷によって使用される電流の2倍を供給するように構成され得る。ドライバ回路に2倍の電流を供給すると、これらのドライバ回路の消費電力が増加する。これに対し、ドライバ回路102は、出力回路130によって出力される電流の大部分またはほぼ全てが第1および第2の信号伝送ライン180,182に供給されるように構成されているため、上述した既知のドライバ回路と比べてドライバ回路102の消費電力が低減される。いくつかの実施形態では、同様の電源電圧を用いた上述した既知のドライバ回路と比較して、ドライバ回路102の電力消費を1/2程度低減することができる。
【0030】
さらに、いくつかの実施形態では、増幅回路110および出力回路130は、2V未満の電圧源(VCC)とグランドとの間に結合され得る。VCCの電圧が低減されることにより、ドライバ回路102の電力消費をさらに低減することができる。
【0031】
本開示の範囲から逸脱することなく、回路100に対する変更、追加、または省略を行うことができる。例えば、ドライバ回路102は、1つまたは複数の追加の能動素子または受動素子を含み得る。また、代替的または追加的に、増幅回路110および出力回路130は、種々の回路要素を含み得る。例えば、出力回路130は、第1および第2の出力ノード108,109上の信号を駆動するために、種々のタイプのうちの任意の1つまたは複数のトランジスタを含み得る。
【0032】
図2は、本明細書に記載された少なくともいくつかの実施形態に従って構成された別の例示的な駆動回路202を含む別の回路200を示す。ドライバ回路202は、この構成に限定されないが、第1および第2の入力ノード204,205と、第1および第2の出力ノード208,209と、増幅回路210と、出力回路230と、第1および第2の能動素子250,252とを含み得る。
図2に示されるように、第1および第2の出力ノード208,209は、第1および第2の信号伝送ライン280,282によって負荷290に結合されるように構成され得る。
【0033】
第1および第2の入力ノード204,205、第1および第2の出力ノード208,209、出力回路230、ならびに第1および第2の能動素子250,252は、
図1における第1および第2の入力ノード104,105、第1および第2の出力ノード108,109、出力回路130、ならびに第1および第2の能動素子150,152に類似したものとすることができる。したがって、
図2に関して、第1および第2の入力ノード204,205、第1および第2の出力ノード208,209、出力回路230、ならびに第1および第2の能動素子250,252についての更なる詳細は省略する。
【0034】
増幅回路210は、ドライバ部212と負荷部214を含み得る。ドライバ部212は、第1および第2の入力ノード204,205と負荷部214に結合され得る。負荷部214は、第1および第2の中間ノード260,262に結合され得る。
【0035】
ドライバ部212は、差動入力信号を受信するように構成され得る。ドライバ部212は、差動入力信号に基づいて第1および第2の電流を負荷部214に供給するように構成され得る。ドライバ部212は、差動入力信号の第1の電圧振幅に基づいて第1および第2の電流を供給するように動作し得る。いくつかの実施形態では、第1の電圧振幅は、バイポーラ接合トランジスタ(BJT)を導通させるまたは導通させないようにするために十分な振幅であればよい。例えば、差動入力信号の電圧振幅は、100mV〜400mVとすることができる。これらおよび他の実施形態では、ドライバ部212は、負荷部214に電流を供給するために差動入力信号に基づいて導通するBJTトランジスタを含み得る。
【0036】
負荷部214は、ドライバ部212によって供給される電流に基づいて第1および第2の中間電圧信号を生成するように構成され得る。第1および第2の中間電圧信号は、第1および第2の中間ノード260,262にそれぞれ供給され得る。第1および第2の中間電圧信号は、差動入力信号の第1の電圧振幅よりも大きな電圧振幅を有し得る。いくつかの実施形態では、この電圧振幅は400mV〜600mVとすることができる。
【0037】
負荷部214は、第1および第2のインピーダンスを有し得る。いくつかの実施形態では、第1および第2のインピーダンスは、抵抗器などの抵抗であってもよい。第1および第2のインピーダンスの値は、第1および第2信号伝送ライン280,282の入力インピーダンスよりも大きな値を有し得る。いくつかの実施形態では、第1および第2のインピーダンスは、第1および第2の信号伝送ライン280,282の入力インピーダンスの2倍、3倍、4倍、5倍、または他の有理数倍とすることができる。
【0038】
第1および第2の中間電圧信号は、第1および第2の中間ノード260,262にそれぞれ供給される。出力回路230は、第1および第2の中間電圧信号に基づいて第1および第2の出力信号を生成し得る。
【0039】
ドライバ回路202は、ポストタップ回路220およびプレタップ回路222をさらに含み得る。ポストタップ回路220およびプレタップ回路222の各々は、第1および第2の中間ノード260,262に結合され得る。
【0040】
ポストタップ回路220は、第1および第2の中間ノード260,262に供給されるポストカーソル差動信号を生成するように構成され得る。ポストカーソル差動信号は、差動入力信号の修正信号とすることができる。具体的に、ポストカーソル差動信号は、差動入力信号の遅れ信号とすることができる。ポストカーソル差動信号は、差動入力信号の立ち上がり/立ち下がりエッジの強調をさらに含み得る。この強調により、出力信号が第1および第2の信号伝送ライン280,282に沿って伝送されるときに、それら出力信号の信号損失を補償することができる。
【0041】
プレタップ回路222は、第1および第2の中間ノード260,262に供給されるプレカーソル差動信号を生成するように構成され得る。プレカーソル差動信号は、差動入力信号の修正信号とすることができる。具体的に、プレカーソル差動信号は、差動入力信号の進み信号とすることができる。プレカーソル差動信号は、差動入力信号の立ち上がり/立ち下がりエッジの強調をさらに含み得る。この強調により、出力信号が第1および第2の信号伝送ライン280,282に沿って伝送されるときに、それら出力信号の信号損失を補償することができる。
【0042】
ポストタップ回路220およびプレタップ回路222を第1および第2の中間ノード260,262に結合することにより、ポストタップ回路220およびプレタップ回路222によって消費される電力を、上述した既知の他のドライバ回路に比べて低減することができる。特に、プレカーソル差動信号およびポストカーソル差動信号に基づいて出力回路230によって出力される電流の大部分または全てが第1および第2の信号伝送ライン280,282に供給されるので消費電力を低減することができる。
【0043】
本開示の範囲から逸脱することなく、回路200に対する変更、追加、または省略を行うことができる。例えば、ドライバ回路202は、1つまたは複数の追加の能動素子または受動素子を含み得る。また、代替的または追加的に、増幅回路210および出力回路230は、種々の回路要素を含み得る。例えば、出力回路230は、第1および第2の出力ノード208,209上の信号を駆動するために、種々のタイプのうちの任意の1つまたは複数のトランジスタを含み得る。
【0044】
図3は、本明細書に記載された少なくともいくつかの実施形態に従って構成された別の例示的な駆動回路300を示す。ドライバ回路300は、第1および第2の入力ノード302,304と、第1および第2の出力ノード308,309と、増幅回路310と、出力回路330と、第1および第2の能動素子350,352と、プレタップ回路320と、ポストタップ回路322とを含む。
【0045】
増幅回路310は、第1および第2のトランジスタ312,314と、第1および第2の抵抗313,315と、第1の電流源316とを含み得る。出力回路330は、第3および第4のトランジスタ331,332と、第3および第4の抵抗334,336と、第2〜第4の電流源333,335,337と、第1および第2の容量338,339とを含み得る。駆動回路300は、第1〜第4のインダクタ318,319,354,356をさらに含み得る。
【0046】
第1および第2の能動素子350,352および第1〜第4のトランジスタ312,314,331,332の各々は、ゲート端子、ソース端子、およびドレイン端子を含む。
図3に示されるように、ソース端子は矢印付きの端子であり、ゲート端子は横に延びる線に平行な端子であり、ドレイン端子は残りの端子である。
【0047】
第1の入力ノード302は、第1のトランジスタ312のゲートに結合され得る。第1のトランジスタ312のドレインは、第1の中間ノード360に結合され得る。第1のトランジスタ312のソースは、第1の電流源316に結合され得る。また、第1の電流源316はグランドに結合され得る。
【0048】
第2の入力ノード304は、第2のトランジスタ314のゲートに結合され得る。第2のトランジスタ314のドレインは、第2の中間ノード362に結合され得る。第2のトランジスタ314のソースは、第1の電流源316に結合され得る。
【0049】
第1の抵抗313は、第1の中間ノード360とVCCとの間に結合され得る。第1のインダクタ318は、VCCと第1の抵抗313との間に結合され得る。第2の抵抗315は、第2の中間ノード362とVCCとの間に結合され得る。第2のインダクタ319は、VCCと第2の抵抗315との間に結合され得る。
【0050】
プレタップ回路320は、第1および第2の中間ノード360,362の双方に結合され得る。ポストタップ回路322は、第1および第2の中間ノード360,362の双方に結合され得る。
【0051】
第1の能動素子350のゲートは第1の中間ノード360に結合され得る。第1の能動素子350のドレインはVCCに結合され得る。第1の能動素子350のソースは第3のインダクタ354に結合され得る。第2の能動素子352のゲートは第2の中間ノード362に結合され得る。第2の能動素子352のドレインはVCCに結合され得る。第2の能動素子352のソースは、第4のインダクタ356に結合され得る。第3および第4のインダクタ354,356は、第1および第2の出力ノード308,309に結合され得る。
【0052】
第3の抵抗334は、第1の中間ノード360、第3の電流源335、および第4のトランジスタ332のゲートに結合され得る。第1の容量338は、第1の中間ノード360、第3の電流源335、および第4のトランジスタ332のゲートに結合され得る。したがって、第1の容量338は、第3の抵抗334と並列に結合され得る。第1の容量338は、出力回路330の帯域幅を増加させることができる。具体的に、第1の容量338は、第3の抵抗334によって形成されるドライバ回路300の伝達関数の極(pole)を相殺するかまたは部分的に相殺することができる伝達関数の零点(zero)を生成し得る。
【0053】
第4の抵抗336は、第2の中間ノード362、第4の電流源337、および第3のトランジスタ331のゲートに結合され得る。第2の容量339は、第2の中間ノード362、第4の電流源337、および第3のトランジスタ331のゲートに結合され得る。したがって、第2の容量338は、第4の抵抗336と並列に結合され得る。第2の容量339は、出力回路330の帯域幅を増加させることができる。具体的に、第2の容量339は、第4の抵抗336によって形成されるドライバ回路300の伝達関数の極を相殺するかまたは部分的に相殺することができる伝達関数の零点を生成し得る。
【0054】
第3のトランジスタ331のドレインは第1の出力ノード308に結合され得る。第3のトランジスタ331のソースは第2の電流源333に結合され得る。第4のトランジスタ332のドレインは第2の出力ノード309に結合され得る。第4のトランジスタ332のソースは第2の電流源333に結合され得る。
【0055】
次に、ドライバ回路300の例示的な動作を説明する。差動入力信号が第1および第2の入力ノード302,304に供給されると仮定する。第1の入力ノード302は、論理ハイである差動入力信号の第1の信号を受け取り、第2の入力ノード304は、論理ローである差動入力信号の第2の信号を受け取る。差動入力信号は、250mVの電圧振幅を有し得る。
【0056】
第1の信号は、第1のトランジスタ312のゲートによって受信され得る。第1のトランジスタ312は、BJTトランジスタとすることができる。第1の信号の電圧は、第1のトランジスタ312を導通させるのに十分である。第1のトランジスタ312が導通すると、第1のトランジスタ312および第1の抵抗313に電流が流れる。第1の抵抗313の両端間の電圧降下により第1の中間ノード360に第1の電圧が発生する。第1の中間ノード360における第1の電圧は、第1の能動素子350が導通しないようなレベルとすることができる。したがって、第1の能動素子350での電圧降下はなく、第1の出力ノード308の電圧はVCCに向かって上昇する。
【0057】
さらに、第3の電流源335によって、第3の抵抗334に電流が流れる。上記第1の電圧よりも低い第2の電圧が、第4のトランジスタ332が導通しないようなレベルで第4のトランジスタ332のゲートに発生する。したがって、第2の電流源333は、第2の出力ノード309に電流を供給せず流さない。
【0058】
第2の信号は、第2のトランジスタ314のゲートによって受信され得る。第2のトランジスタ314は、BJTトランジスタとすることができる。第2の信号の電圧は、第2のトランジスタ314を導通させるには十分でない。したがって、第2の抵抗315には電流が流れず、VCCに等しいかまたはそれにほぼ等しい第3の電圧が第2の中間ノード362に生じる。第2の中間ノード362における第3の電圧は、第2の能動素子352を導通させるのに十分である。したがって、第2の出力ノード309の電圧がグランドに向かって低下するように第2の能動素子352での電圧降下が生じる。
【0059】
さらに、第4の電流源337によって、第4の抵抗336に電流が流れる。上記第3の電圧よりも低い第4の電圧が、第3のトランジスタ331が導通するようなレベルで第3のトランジスタ331のゲートに発生する。したがって、第2の電流源333は、第1の出力ノード308に電流をもたらす、すなわち、電流を供給して流す。
【0060】
第1の能動素子350が導通していないため、第2の電流源333により第3のトランジスタ331を介して供給される電流は、第1の出力ノード308に全てまたはほぼ全て供給され得る。他の既知の回路では、第1の能動素子350の代わりに抵抗を使用することができる。その結果、第2の電流源333によって供給される電流の半分が抵抗によって使用され、残りの半分が第1の出力ノード308に供給されることとなる。
図3に示されるように、第3のトランジスタ331が導通するときに第1の能動素子350が導通しないため、第2の電流源333によって供給される電流の全てまたはほぼ全てを、第1の出力ノード308に供給することができる。
【0061】
第1の信号が論理ローに変化し、第2の信号が論理ハイに変化すると、ドライバ回路300は、第1の能動素子350が導通し第3のトランジスタ331が導通しないことで第1の出力ノード308がグランドに低下するように、上記に類似した方法で順応する。さらには、第2の電流源333により供給される電流が第2の出力ノード309に全てまたはほぼ全て供給されて、第2の出力ノード309がVCCに上昇するように、第2の能動素子352が導通せず第4のトランジスタ332が導通する。
【0062】
さらに、いくつかの実施形態では、第1および第2の能動素子350,352ならびに第3および第4のトランジスタ331,332は、スイッチとして動作するために少なくとも500mVの電圧振幅をそれらのゲートに必要とするMOSFETトランジスタとすることができる。第1および第2の中間ノードで生成される電圧振幅は、第1および第2の能動素子350,352ならびに第3および第4のトランジスタ331,332を、本明細書で説明するスイッチとして動作させるのに十分な振幅であればよい。例えば、第1の電圧と第3の電圧との電圧差や第2の電圧と第4の電圧との電圧差は500mVよりも大きいものとすればよい。
【0063】
第3および第4のインダクタ354,356は、第1および第2の出力ノード308,309における容量を低減するために含まれ得る。第1および第2の出力ノード308,309における容量を低減することにより、ドライバ回路300によって駆動される差動入力信号の速度を上昇させることができる。いくつかの実施形態では、第3および第4のインダクタ354,356は、ドライバ回路300に含まれていなくてもよい。
【0064】
第1および第2のインダクタ318,319は、ドライバ回路300によって駆動される差動入力信号の速度を上昇させるべくインダクティブピーキングのために含まれ得る。いくつかの実施形態では、第1および第2のインダクタ318,319は、ドライバ回路300に含まれていなくてもよい。
【0065】
第3および第4の抵抗334,336ならびに第3および第4の電流源335,337は、第3および第4のトランジスタ331,332が飽和領域で動作するように、第3および第4のトランジスタ331,332のドレイン電圧に対して第3および第4のトランジスタ331,332のゲート電圧を低減するために設けられ得る。飽和領域では、第3および第4のトランジスタ331,332は、第2の電流源333からの電流を通過させる導通状態から、第2の電流源333からの電流を通過させない非導通状態に容易に変化し得る。いくつかの実施形態では、第3および第4の抵抗334,336や第3および第4の電流源335,337は、駆動回路300に含まれていなくてもよい。
【0066】
このように、ドライバ回路300は、第1の電圧振幅を有する差動入力信号を、その第1の電圧振幅よりも大きくMOSFETトランジスタを動作させるのに十分な第2の電圧振幅を有する第1および第2の中間電圧に変換するように動作することができる。第1および第2の中間電圧は、第3および第4のトランジスタ331,332を導通状態または非導通状態にして第1および第2の出力ノード308,309上に第1および第2の出力信号を駆動するために使用することができる。
【0067】
さらに、駆動回路300で使用されるVCCは、低電圧とすることができる。例えば、VCCは、1.4V、1.6V、1.8Vなどの2V未満とすることができる。ドライバ回路300におけるVCCを低電圧とすることで、BJTトランジスタが第3および第4のトランジスタ331,332として使用された場合に、BJTトランジスタが順方向にバイアスされなくなり得る。しかしながら、MOSFETトランジスタを第3および第4のトランジスタとして低電圧のVCCとともに用いることができる。MOSFETトランジスタは、より高い電圧を使用して導通状態と非導通状態を切り替える。ドライバ回路300は、MOSFETトランジスタのスイッチングに十分でない電圧振幅を有する差動入力信号を受け取りつつも、MOSFETトランジスタが第1および第2の出力信号を駆動することを可能にする。ドライバ回路300は、受動抵抗素子の代わりに第1および第2の能動素子350,352を第1および第2の出力ノード308,309に結合することによって電力消費をさらに低減する。
【0068】
本開示の範囲から逸脱することなく、ドライバ回路300に対する変更、追加、または省略を行うことができる。例えば、駆動回路300は、1つまたは複数の受動または能動回路素子を含み得る。代替的または追加的に、ドライバ回路300は、F
Tダブラ回路を含み得る。代替的または追加的に、ドライバ回路300は、第1および第2の容量338,339を含まなくてもよい。
【0069】
図1〜
図3において、トランジスタは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)およびBJTトランジスタとして示されている。上記の説明では、トランジスタの異なる端子を表すためにゲート、ソース、ドレインという用語を使用している。ゲート、ソース、ドレインという名称の使用は、MOSFETトランジスタ、BJTトランジスタ、または接合ゲート電界効果トランジスタ(JFET)や絶縁ゲートバイポーラトランジスタなどの他のタイプのトランジスタの端子を総称して記述するために使用することができる。さらには、
図1〜
図3に示されているトランジスタの代わりに、pチャネルトランジスタまたはnチャネルトランジスタとpチャネルトランジスタとのいくつかの組み合わせを使用することもできる。
【0070】
図4は、本明細書に記載の少なくともいくつかの実施形態に従って構成されたドライバ回路422を含む光電子モジュール400(以下、「モジュール400」)の斜視図である。モジュール400は、ホスト装置(図示略)に接続して光信号を送受信する際に使用するべく構成され得る。
【0071】
図示されるように、モジュール400は、この構成に限定されないが、底部ハウジング402と、受信ポート404と、送信ポート406とを含み得る。受信ポート404および送信ポート406はともに底部ハウジング402に画定されている。また、モジュール400は、底部ハウジング402内に配置されたPCB408を含み得る。PCB408は、ドライバ回路422とその上に配置された第1の回路420とを含む。また、モジュール400は、底部ハウジング402内に配置された受信機光学サブアセンブリ(ROSA)410と送信機光学サブアセンブリ(TOSA)412とを含み得る。エッジコネクタ414がPCB408の端部に配置され得ることで、モジュール400はホスト装置と電気的にインターフェース可能となる。このようにして、PCB408は、ホスト装置とROSA410およびTOSA412との間の電気通信を容易にする。
【0072】
モジュール400は、これに限定されないが、1Gb/s、10Gb/s、20Gb/s、40Gb/s、100Gb/s、またはそれ以上などの種々のデータレートで光信号を送受信するように構成され得る。さらに、モジュール400は、疎WDM(CWDM)、密WDM(DWDM)、軽WDM(LWDM)などの種々の波長分割多重方式(WDM)のうちの1つを使用して、種々の異なる波長で光信号を送受信するように構成され得る。
【0073】
さらに、モジュール400は、この構成に限定されないが、ファイバチャネルや高速イーサネット(登録商標)を含む種々の通信プロトコルをサポートするように構成され得る。また、
図4の特定のフォームファクタで示されているが、一般的には、モジュール400は、小型フォームファクタプラグ(SFP(Small Form-factor Pluggable))、エンハンスド小型フォームファクタプラグ(SFP+)、10ギガビット小型フォームファクタプラグ(XFP)、Cフォームファクタプラグ(CFP)、クワッド小型フォームファクタプラグ(QSFP)マルチソースアグリーメント(MSA)を含む、種々の異なるフォームファクタのうちのいずれかで構成され得る。
【0074】
ROSA410は、電気インターフェース416に電気的に結合されたフォトダイオードなどの1つまたは複数の光受信器を収容し得る。1つまたは複数の光受信器は、受信ポート404を介して受信された光信号を、電気インターフェース416およびPCB408を介してホスト装置に伝達される対応する電気信号に変換するように構成され得る。いくつかの実施形態では、ROSA410は、ROSA410からの信号をPCB408に駆動するために、
図1〜
図3のドライバ回路102,202,300のうちの1つなどのドライバ回路を含み得る。例えば、このドライバ回路は、ROSA410内部のトランスインピーダンス増幅器からの信号を駆動するために使用され得る。代替的にまたは追加的に、ドライバ回路は、PCB408の一部であってもよく、そのPCB408からの信号をホスト装置に駆動するために使用され得る。
【0075】
TOSA412は、他方の電気インターフェース418に電気的に結合されたレーザーなどの1つまたは複数の光送信機を収容し得る。1つまたは複数の光送信機は、PCB408および電気インターフェース418を介してホスト装置から受信した電気信号を、送信ポート406を介して送信される対応する光信号に変換するように構成され得る。
【0076】
図4に示されたモジュール400は、本開示の実施形態を採用することができる1つのアーキテクチャである。この特定のアーキテクチャは、実施形態を採用することができる数多くのアーキテクチャのうちの1つに過ぎない。本開示の範囲は、特定のアーキテクチャまたは環境に限定されない。
【0077】
本明細書に列挙されたすべての例示および条件付き言語は、本発明者によってもたらされた本発明とその概念を理解する上で読書を助け、技術を促進するための教示目的を意図したものであり、本発明はこれらの具体的に列挙された例示および条件に限定されない。本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明の思想および範囲から逸脱することなく、種々の変形、置換、変更を行うことができる。