【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明によって提供されるサーマルプリントヘッドは、基材と、前記基材に支持され、かつ主走査方向に配列された複数の発熱部と、前記複数の発熱部を覆う保護層と、を備えたサーマルプリントヘッドであって、前記保護層は、前記複数の発熱部に接する部位が絶縁性材料からなり、かつ厚さ方向において前記複数の発熱部とは反対側に位置する外表面の少なくとも一部が導電性材料からなり、前記保護層のうち前記導電性材料からなる部位がグランド接続されていることを特徴としている。
【0007】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記基材に支持され、かつグランド接続されるべきグランド接続部を有する配線層を備えている。
【0008】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記配線層の前記グランド接続部と前記保護層の前記外表面とを接続する導電部材を備える。
【0009】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記導電部材は、Agを含む。
【0010】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記保護層は、前記複数の発熱部に接する絶縁性材料からなる絶縁層と、この絶縁層上に形成された導電性材料からなる導電層と、を有する。
【0011】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記導電層が、前記複数の発熱部を覆っている。
【0012】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記導電層が、前記保護層の全面にわたって形成されている。
【0013】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記絶縁層および前記導電層のそれぞれは、前記導電部材に覆われており、かつ平面視において一致する端縁を有する。
【0014】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記導電層は、前記絶縁層よりも厚い。
【0015】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記絶縁層は、SiO
2からなる。
【0016】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記導電層は、C/SiC、SiNまたはSiALONからなる。
【0017】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記配線層は、前記基材側に位置する下層と、この下層上に形成された上層とを有する。
【0018】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記導電部材は、前記グランド接続部の前記下層のうち前記上層から延出した延出部に接している。
【0019】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記導電部材を覆う保護部材を備える。
【0020】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記保護部材は、前記保護層の少なくとも一部を覆っている。
【0021】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記保護部材は、前記配線層の少なくとも一部を覆っている。
【0022】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記保護部材は、前記配線層の前記下層の前記延出部のすべてを覆っている。
【0023】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記保護部材は、前記配線層の前記上層の少なくとも一部を覆っている。
【0024】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記保護層は、前記複数の発熱部に接する絶縁性材料からなる絶縁層と、この絶縁層上に形成された導電性材料からなる導電層と、を有するとともに、前記グランド接続部の少なくとも一部を覆っており、前記導電層が前記グランド接続部に接している。
【0025】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記導電層が、前記複数の発熱部を覆っている。
【0026】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記導電層が、前記保護層の全面にわたって形成されている。
【0027】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記絶縁層は、前記グランド接続部の少なくとも一部を覆っており、かつ前記導電層を前記グランド接続部に接しさせる開口を有する。
【0028】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記絶縁層および前記導電層のそれぞれは、平面視において互いに一致しない端縁を有する。
【0029】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記導電層は、前記絶縁層よりも厚い。
【0030】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記絶縁層は、SiO
2からなる。
【0031】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記導電層は、C/SiC、SiNまたはSiALONからなる。
【0032】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記配線層は、前記基材側に位置する下層と、この下層上に形成された上層とを有している。
【0033】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記導電層は、前記グランド接続部の前記下層のうち前記上層から延出した延出部に接している。
【0034】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記導電部材を覆う保護部材を備える。
【0035】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記保護部材は、前記保護層の少なくとも一部を覆っている。
【0036】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記保護部材は、前記配線層の少なくとも一部を覆っている。
【0037】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記保護部材は、前記配線層の前記下層の前記延出部のすべてを覆っている。
【0038】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記保護部材は、前記配線層の前記上層の少なくとも一部を覆っている。
【0039】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記配線層の前記下層は、前記複数の発熱部を構成する部分を有する抵抗体層である。
【0040】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記抵抗体層は、TaSiO
2またはTaNからなる。
【0041】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記上層は、前記抵抗体層よりも電気抵抗が小さい材質からなる電極層である。
【0042】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記電極層は、Alからなる。
【0043】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記電極層は、各々が前記複数の発熱部へと延びる複数の個別電極を有する。
【0044】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記電極層は、副走査方向において前記複数の発熱部を挟んで個別電極と対向配置された複数の櫛歯部を具備する共通電極を有する。
【0045】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記基材に対して副走査方向に隣接して配置された副基板と、前記副基板に搭載され、かつ前記複数の発熱部での発熱を制御するドライバICと、を備える。
【0046】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記ドライバICを封止する封止部材を備えている。
【0047】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記副基板は、グランドラインを有しており、前記グランド接続部と前記グランドラインとは、ワイヤを介して接続されている。
【0048】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記封止部材は、前記ワイヤを封止している。
【0049】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記基材に支持されており、かつ前記複数の発熱部での発熱を制御するドライバICを備える。
【0050】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記ドライバICは、前記配線層にフリップチップ実装されている。
【0051】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記配線層に接続されたフレキシブル配線基板を備える。
【0052】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記基材に対して前記複数の発熱部とは反対側に接合された放熱部材を備える。
【0053】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記基材は、セラミックスからなる。