特許 6374675 電子デバイス及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6374675

(24)【登録日】2018年7月27日

(45)【発行日】2018年8月15日

(54)【発明の名称】電子デバイス及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/02 20060101AFI20180806BHJP

   H03H 9/25 20060101ALI20180806BHJP

   H03H 3/08 20060101ALI20180806BHJP

【ＦＩ】

   H01L23/02 J

   H01L23/02 C

   H03H9/25 A

   H03H3/08

【請求項の数】6

【全頁数】18

(21)【出願番号】特願2014-43315(P2014-43315)

(22)【出願日】2014年3月5日

(65)【公開番号】特開2015-170668(P2015-170668A)

(43)【公開日】2015年9月28日

【審査請求日】2017年1月25日

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】000204284

【氏名又は名称】太陽誘電株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100087480

【弁理士】

【氏名又は名称】片山 修平

(72)【発明者】

【氏名】小田 康之

(72)【発明者】

【氏名】森 康剛

【審査官】 安田 雅彦

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００６−２０３１４９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１３／１４０４４９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１１−００９５４２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−２２４２２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−１９６７９９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００２−３１９８４１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２３／０２−１０

Ｈ０３Ｈ ９／００−７６

Ｈ０３Ｈ ３／０８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

実装基板と、
前記実装基板上に実装されたデバイスチップと、
前記デバイスチップ上に少なくとも位置するめっき膜からなる金属リッドと、前記デバイスチップを囲み且つ前記金属リッドに接して前記実装基板上に設けられた半田と、を含み、前記デバイスチップを封止する封止部と、を備え、
前記封止部に含まれる前記金属リッドは、前記デバイスチップ上から前記半田上に平坦形状で延在し、側面が前記半田の側面よりも前記デバイスチップ側に位置することを特徴とする電子デバイス。

【請求項2】

前記金属リッドは、コバールよりも硬度が高い材料であることを特徴とする請求項１記載の電子デバイス。

【請求項3】

前記封止部に含まれる前記半田は、前記デバイスチップの側面に接していることを特徴とする請求項１または２記載の電子デバイス。

【請求項4】

前記デバイスチップは、弾性波デバイスチップであることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の電子デバイス。

【請求項5】

母型の主面に金属リッドと半田とをめっき法で形成した後、前記金属リッドと前記半田とを一体で前記母型から剥がして、前記金属リッドと前記半田とが積層され、前記半田上に互いに間隔を開けて複数の前記金属リッドが設けられた積層体を形成する工程と、
実装基板上に複数のデバイスチップを実装する工程と、
前記実装基板上に実装された前記複数のデバイスチップ上に前記半田が前記複数のデバイスチップ側に位置するように前記積層体を配置した後、前記半田が溶融した状態で前記金属リッドを前記複数のデバイスチップ側に押圧して、前記金属リッドと前記半田とを含む封止部で前記複数のデバイスチップを封止する工程と、
前記複数のデバイスチップを封止した後、前記複数のデバイスチップ間で前記封止部と前記実装基板とをダイシングによって切断して、前記複数のデバイスチップを個片化する工程と、を備え、
前記複数のデバイスチップを封止する工程は、前記複数のデバイスチップ上に前記金属リッドが位置し、前記複数のデバイスチップ間に前記金属リッドのない部分が位置するように前記積層体を配置した後、前記半田が溶融した状態で前記金属リッドを前記複数のデバイスチップ側に押圧して、前記複数のデバイスチップを前記封止部で封止し、
前記複数のデバイスチップを個片化する工程は、前記複数のデバイスチップ間であって、前記金属リッドのない部分で前記封止部と前記実装基板とを切断して、前記複数のデバイスチップを個片化することを特徴とする電子デバイスの製造方法。

【請求項6】

母型の主面に金属リッドと半田とをめっき法で形成した後、前記金属リッドと前記半田とを一体で前記母型から剥がして、前記金属リッドと前記半田とが積層され、前記半田上に凸部と凹部とを有する前記金属リッドが設けられた積層体を形成する工程と、
実装基板上に複数のデバイスチップを実装する工程と、
前記実装基板上に実装された前記複数のデバイスチップ上に前記半田が前記複数のデバイスチップ側に位置するように前記積層体を配置した後、前記半田が溶融した状態で前記金属リッドを前記複数のデバイスチップ側に押圧して、前記金属リッドと前記半田とを含む封止部で前記複数のデバイスチップを封止する工程と、
前記複数のデバイスチップを封止した後、前記複数のデバイスチップ間で前記封止部と前記実装基板とをダイシングによって切断して、前記複数のデバイスチップを個片化する工程と、を備え、
前記複数のデバイスチップを封止する工程は、前記複数のデバイスチップ上に前記金属リッドの前記凸部が位置し、前記複数のデバイスチップ間に前記金属リッドの前記凹部が位置するように前記積層体を配置した後、前記半田が溶融した状態で前記金属リッドを前記複数のデバイスチップ側に押圧して、前記複数のデバイスチップを前記封止部で封止し、
前記複数のデバイスチップを個片化する工程は、前記複数のデバイスチップ間であって、前記金属リッドの前記凹部で前記封止部と前記実装基板とを切断して、前記複数のデバイスチップを個片化することを特徴とする電子デバイスの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電子デバイス及びその製造方法に関し、例えばデバイスチップが半田と金属リッドとを含む封止部で封止された電子デバイス及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、電子デバイスの小型化、低背化が要求されている。このような要求に対して、実装基板上にデバイスチップを実装し、デバイスチップを半田と金属リッドとを含む封止部で封止した電子デバイスが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００９−２７２３５２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

デバイスチップが半田と金属リッドとを含む封止部で封止された電子デバイスは、例えば特許文献１のように、デバイスチップ上に金属リッドが配置される。したがって、電子デバイスの低背化のためには、金属リッドを薄くすることが望ましい。しかしながら、従来、金属リッドには圧延材を使用しているため、薄くすることに限界があった。

【0005】

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、低背化が可能な電子デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明は、実装基板と、前記実装基板上に実装されたデバイスチップと、前記デバイスチップ上に少なくとも位置するめっき膜からなる金属リッドと、前記デバイスチップを囲み且つ前記金属リッドに接して前記実装基板上に設けられた半田と、を含み、前記デバイスチップを封止する封止部と、を備え、前記封止部に含まれる前記金属リッドは、前記デバイスチップ上から前記半田上に平坦形状で延在し、側面が前記半田の側面よりも前記デバイスチップ側に位置することを特徴とする電子デバイスである。

【0009】

上記構成において、前記金属リッドは、コバールよりも硬度が高い材料である構成とすることができる。

【0010】

上記構成において、前記封止部に含まれる前記半田は、前記デバイスチップの側面に接している構成とすることができる。

【0011】

上記構成において、前記デバイスチップは、弾性波デバイスチップである構成とすることができる。

【0014】

本発明は、母型の主面に金属リッドと半田とをめっき法で形成した後、前記金属リッドと前記半田とを一体で前記母型から剥がして、前記金属リッドと前記半田とが積層され、前記半田上に互いに間隔を開けて複数の前記金属リッドが設けられた積層体を形成する工程と、実装基板上に複数のデバイスチップを実装する工程と、前記実装基板上に実装された前記複数のデバイスチップ上に前記半田が前記複数のデバイスチップ側に位置するように前記積層体を配置した後、前記半田が溶融した状態で前記金属リッドを前記複数のデバイスチップ側に押圧して、前記金属リッドと前記半田とを含む封止部で前記複数のデバイスチップを封止する工程と、前記複数のデバイスチップを封止した後、前記複数のデバイスチップ間で前記封止部と前記実装基板とをダイシングによって切断して、前記複数のデバイスチップを個片化する工程と、を備え、前記複数のデバイスチップを封止する工程は、前記複数のデバイスチップ上に前記金属リッドが位置し、前記複数のデバイスチップ間に前記金属リッドのない部分が位置するように前記積層体を配置した後、前記半田が溶融した状態で前記金属リッドを前記複数のデバイスチップ側に押圧して、前記複数のデバイスチップを前記封止部で封止し、前記複数のデバイスチップを個片化する工程は、前記複数のデバイスチップ間であって、前記金属リッドのない部分で前記封止部と前記実装基板とを切断して、前記複数のデバイスチップを個片化することを特徴とする電子デバイスの製造方法である。

【0015】

本発明は、母型の主面に金属リッドと半田とをめっき法で形成した後、前記金属リッドと前記半田とを一体で前記母型から剥がして、前記金属リッドと前記半田とが積層され、前記半田上に凸部と凹部とを有する前記金属リッドが設けられた積層体を形成する工程と、実装基板上に複数のデバイスチップを実装する工程と、前記実装基板上に実装された前記複数のデバイスチップ上に前記半田が前記複数のデバイスチップ側に位置するように前記積層体を配置した後、前記半田が溶融した状態で前記金属リッドを前記複数のデバイスチップ側に押圧して、前記金属リッドと前記半田とを含む封止部で前記複数のデバイスチップを封止する工程と、前記複数のデバイスチップを封止した後、前記複数のデバイスチップ間で前記封止部と前記実装基板とをダイシングによって切断して、前記複数のデバイスチップを個片化する工程と、を備え、前記複数のデバイスチップを封止する工程は、前記複数のデバイスチップ上に前記金属リッドの前記凸部が位置し、前記複数のデバイスチップ間に前記金属リッドの前記凹部が位置するように前記積層体を配置した後、前記半田が溶融した状態で前記金属リッドを前記複数のデバイスチップ側に押圧して、前記複数のデバイスチップを前記封止部で封止し、前記複数のデバイスチップを個片化する工程は、前記複数のデバイスチップ間であって、前記金属リッドの前記凹部で前記封止部と前記実装基板とを切断して、前記複数のデバイスチップを個片化することを特徴とする電子デバイスの製造方法である。

【発明の効果】

【0016】

本発明によれば、電子デバイスを低背化することができる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】図１は、実施例１に係る電子デバイスを示す断面図である。

【図2】図２（ａ）から図２（ｃ）は、実施例１に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その1）である。

【図3】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、実施例１に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。

【図4】図４（ａ）から図４（ｄ）は、実施例１に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その３）である。

【図5】図５（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その４）である。

【図6】図６は、バリを説明するための断面図である。

【図7】図７は、実施例２に係る電子デバイスを示す断面図である。

【図8】図８（ａ）から図８（ｆ）は、実施例２に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。

【図9】図９（ａ）から図９（ｃ）は、実施例２に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。

【図10】図１０は、積層体を示す上面図である。

【図11】図１１は、実施例３に係る電子デバイスを示す断面図である。

【図12】図１２（ａ）から図１２（ｄ）は、実施例３に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。

【図13】図１３（ａ）から図１３（ｄ）は、実施例３に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。

【図14】図１４は、実施例４に係る電子デバイスを示す断面図である。

【図15】図１５（ａ）から図１５（ｄ）は、実施例４に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。

【図16】図１６（ａ）から図１６（ｄ）は、実施例４に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。

【実施例1】

【0019】

図１は、実施例１に係る電子デバイスを示す断面図である。図１のように、実施例１の電子デバイス１００は、セラミック等の絶縁体からなる実装基板１０の平坦上面に、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）チップ１２がバンプ１４によってフリップチップ実装されている。ＳＡＷチップ１２は、圧電基板１６と、圧電基板１６の実装基板１０と向かい合う側の面に設けられたＩＤＴ（Interdigital Transducer）１８と、を含む。圧電基板１６は、例えばタンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウム等の圧電材料からなる。ＩＤＴ１８は、例えば銅（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）等の金属からなる。バンプ１４は、例えば金（Ａｕ）又は半田等の金属からなる。

【0020】

実装基板１０の上面とＳＡＷチップ１２との間に空隙２０が形成されている。ＩＤＴ１８は、振動が抑制されないように空隙２０に露出している。また、バンプ１４も空隙２０に露出している。ＳＡＷチップ１２の高さＨ１は、例えば１５０μｍ程度である。空隙２０の高さＨ２は、例えば１５μｍ程度である。

【0021】

実装基板１０は、内部に内部配線２２が設けられた多層配線基板である。内部配線２２によって、実装基板１０の上面に形成された接続端子２４と下面に形成された外部端子２６とが電気的に接続されている。バンプ１４は接続端子２４に接合されているため、ＳＡＷチップ１２は、外部端子２６に電気的に接続されている。内部配線２２、接続端子２４、及び外部端子２６は、例えば金（Ａｕ）等の金属からなる。

【0022】

実装基板１０の上面であって、ＳＡＷチップ１２の外側に、金属パターン２８が設けられている。金属パターン２８は、ＳＡＷチップ１２を囲んで設けられている。金属パターン２８の上面に接合すると共にＳＡＷチップ１２の側面に接合し、ＳＡＷチップ１２を囲んで設けられた半田３０と、ＳＡＷチップ１２上から半田３０上に延在して設けられた平坦形状をしためっきからなる金属リッド３２と、を含む封止部３４によって、ＳＡＷチップ１２は封止されている。半田３０は、ＳＡＷチップ１２の側面の少なくとも上端に接合している。半田３０と金属リッド３２とは互いに接していて、半田３０の側面と金属リッド３２の側面とは同一面を形成している。金属リッド３２は例えばＳＡＷチップ１２の上面に接していて、金属リッド３２とＳＡＷチップ１２との間には空隙は形成されていない。なお、図１では、金属パターン２８は、外部端子２６に電気的に接続されていないが、グランドに接続される外部端子２６に内部配線２２を介して電気的に接続されていてもよい。これにより、封止部３４をグランド電位とすることができ、電気特性の向上を図ることができる。封止部３４を覆って、例えばニッケル（Ｎｉ）めっき膜等の金属膜３６が設けられている。

【0023】

金属リッド３２は、例えばニッケル（Ｎｉ）−鉄（Ｆｅ）合金めっきからなる。半田３０は、例えば錫−銀半田（ＳｎＡｇ半田）である。金属パターン２８は、半田に対して濡れ性の良好な金属からなる場合が好ましく、例えば金（Ａｕ）からなる場合が好ましい。ＳＡＷチップ１２の側面と半田３０の側面との間隔Ｌは、例えば１３０μｍ程度である。金属リッド３２の厚さＴは、例えば１μｍ〜１５μｍ程度であるが、製造工程におけるダイシングでの捲れを抑制する点から、１０μｍ〜１５μｍ程度である場合が好ましい。

【0024】

次に、実施例１に係る電子デバイスの製造方法について説明する。図２（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図である。図２（ａ）のように、第１の洗浄層４２内の例えば塩酸水溶液、硫酸水溶液、硝酸水溶液等からなる洗浄液４０に、例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）等の金属板からなる母型４４を浸して、母型４４を洗浄する。母型４４の洗浄は、例えば母型４４の中心を軸に回転させて行う。これにより、母型４４に付着していた脂分等を取り除く。母型４４は、例えば円板形状をしていて、直径は２０ｃｍ〜６０ｃｍ程度であり、厚さは１ｍｍ程度である。

【0025】

図２（ｂ）のように、母型４４の洗浄が終了した後、母型４４を第１のめっき槽４６内に移す。第１のめっき槽４６内は、金属リッド３２の形成に使用する第１のめっき液４８で満たされている。金属リッド３２がＮｉ−Ｆｅ合金めっきからなる場合、第１のめっき液４８は、例えば硫酸ニッケルと塩化ニッケルと硫酸第一鉄とを含む混合液である。例えばＮｉ、Ｆｅ、又はＮｉ−Ｆｅからなる陽極５０と陰極としての母型４４との間に電圧を印加して、母型４４の平坦主面に、例えばＮｉ−Ｆｅ合金めっきからなる金属リッド３２を形成する。

【0026】

図２（ｃ）のように、金属リッド３２の形成が終了した後、母型４４を第２のめっき槽５２内に移す。第２のめっき槽５２内は、半田３０の形成に使用する第２のめっき液５４で満たされている。半田３０がＳｎＡｇ半田からなる場合、第２のめっき液５４は、例えばＳｎＡｇめっき液である。例えばＳｎからなる陽極５６と陰極としての母型４４との間に電圧を印加して、金属リッド３２の平坦主面に、例えばＳｎＡｇ半田からなる半田３０を形成する。

【0027】

図３（ａ）のように、半田３０の形成が終了した後、母型４４を第２の洗浄槽６０内に移す。第２の洗浄槽６０内は、純水６２で満たされている。母型４４とその主面に形成された金属リッド３２及び半田３０とを、純水６２で洗浄し、その後、乾燥させる。

【0028】

図３（ｂ）のように、母型４４から金属リッド３２と半田３０とを一体で剥がして、半田３０と金属リッド３２とが積層された積層体５８を得る。この場合において、母型４４がステンレス鋼からなり、金属リッド３２がＮｉ−Ｆｅ合金めっきからなる場合は、母型４４と金属リッド３２との密着性があまりよくないため、金属リッド３２を母型４４から容易に剥がすことができる。このように、母型４４には、金属リッド３２に対して密着性のあまり良くない金属材料を用いることが望ましい。また、金属リッド３２は、半田３０よりも高い融点を有する。その後、積層体５８を、例えば型で抜いて或いはダイシングによる切断によって、所望の大きさにする。

【0029】

図２（ａ）から図３（ｂ）で説明したように、積層体５８は、母型４４の主面に金属リッド３２と半田３０とを電解めっき法で形成し、母型４４から金属リッド３２と半田３０と一体で剥がすことで得られる。即ち、積層体５８は、電鋳によって形成される。

【0030】

図４（ａ）のように、予め準備しておいた、内部配線２２、接続端子２４、外部端子２６、及び金属パターン２８が形成された実装基板１０の平坦上面に、複数のＳＡＷチップ１２をバンプ１４によってフリップチップ実装する。実装基板１０の上面とＳＡＷチップ１２との間には空隙２０が形成される。

【0031】

図４（ｂ）のように、複数のＳＡＷチップ１２上に、図２（ａ）から図３（ｂ）で形成した積層体５８を、半田３０がＳＡＷチップ１２側となるように配置する。図４（ｃ）のように、積層体５８を加熱して半田３０が溶融した状態とし、この状態で金属リッド３２をＳＡＷチップ１２側に押圧する。これにより、複数のＳＡＷチップ１２間の間隙に半田３０が充填される。半田３０は、実装基板１０上に形成された金属パターン２８上を濡れ広がった後に固化して、ＳＡＷチップ１２の側面と金属パターン２８の上面とに接合する。また、複数のＳＡＷチップ１２上から半田３０上にかけて金属リッド３２が配置される。金属リッド３２は、例えばＳＡＷチップ１２の上面に接しているが、金属リッド３２とＳＡＷチップ１２との間に半田３０が残存していてもよい。これにより、複数のＳＡＷチップ１２は、半田３０と金属リッド３２とを含む封止部３４によって、空隙２０を保ったまま封止される。複数のＳＡＷチップ１２を封止部３４で封止した後、複数のＳＡＷチップ１２それぞれを識別するための番号や記号等を封止部３４の上面に捺印してもよい。

【0032】

図４（ｄ）のように、実装基板１０の下面に設けられた外部端子２６を保護するために、実装基板１０の下面にレジスト膜６４を形成する。レジスト膜６４の下面に、後述するダイシングのためのダイシングテープ６６を貼り付ける。

【0033】

図５（ａ）のように、複数のＳＡＷチップ１２間で、封止部３４、実装基板１０、及びレジスト膜６４を、ダイシングブレード６８を用いたダイシングによって切断し、複数のＳＡＷチップ１２を個片化して、複数のデバイス７０とする。複数のＳＡＷチップ１２を確実に個片化するために、ダイシングテープ６６の一部まで切断することが好ましい。

【0034】

図５（ｂ）のように、ダイシングテープ６６を除去した後、複数のデバイス７０それぞれをバレル（不図示）に入れた後、バレルをめっき槽７２に投入してバレルめっきを施す。これにより、封止部３４を覆う金属膜３６が形成される。図５（ｃ）のように、レジスト膜６４を除去することで、実施例１の電子デバイス１００を形成することができる。

【0035】

実施例１によれば、図１のように、ＳＡＷチップ１２を封止する封止部３４は、ＳＡＷチップ１２上に少なくとも位置するめっきからなる金属リッド３２と、ＳＡＷチップ１２を囲み且つ金属リッド３２に接して実装基板１０上に設けられた半田３０と、を含む。金属リッド３２がめっきからなるため、例えば金属リッドが圧延材からなる場合に比べて、金属リッド３２の厚さを薄くすることができる。例えば、金属リッドが圧延材からなる場合では、金属リッドの厚さを２０μｍ程度よりも薄くすることは難しかったが、めっきからなる金属リッド３２では、１μｍ以上の任意の厚さにすることができる。このように、金属リッド３２の厚さを薄くできるため、電子デバイス１００を低背化することができる。また、金属リッド３２がめっきからなる場合は、めっき条件によって、金属リッド３２の物性（例えば線熱膨張係数）を容易に制御することができる。

【0036】

実施例１の電子デバイス１００は、図２（ａ）から図５（ｃ）で説明したように、以下の製造工程を含んで形成することができる。母型４４の主面に金属リッド３２と半田３０とをめっき法で形成した後、金属リッド３２と半田３０とを一体で母型４４から剥がして、金属リッド３２と半田３０とが積層された積層体５８を形成する（図２（ａ）から図３（ｂ））。実装基板１０上にＳＡＷチップ１２を実装する（図４（ａ））。実装基板１０上に実装されたＳＡＷチップ１２上に半田３０がＳＡＷチップ１２側に位置するように積層体５８を配置した後、半田３０が溶融した状態で金属リッド３２をＳＡＷチップ１２側に押圧して、金属リッド３２と半田３０とを含む封止部３４でＳＡＷチップ１２を封止する（図４（ｂ）及び図４（ｃ））。この製造方法によれば、ＳＡＷチップ１２上に位置する金属リッド３２がめっきからなるため、電子デバイス１００を低背化することができる。また、金属リッド３２と半田３０とをめっき法で形成するため、めっきを連続して行うことが可能となり、製造工程を簡便にすることができる。

【0037】

実施例１の電子デバイス１００は、製造効率の観点から、多面取りプロセスによって製造することが好ましい。即ち、図４（ａ）のように、実装基板１０上に複数のＳＡＷチップ１２を実装する。図４（ｂ）及び図４（ｃ）のように、複数のＳＡＷチップ１２上に積層体５８を配置した後、半田３０が溶融した状態で金属リッド３２を複数のＳＡＷチップ１２側に押圧して、複数のＳＡＷチップ１２を封止部３４で封止する。そして、図５（ａ）のように、複数のＳＡＷチップ１２間で封止部３４と実装基板１０とをダイシングによって切断して、複数のＳＡＷチップ１２を個片化することが好ましい。しかしながら、この場合、封止部３４をダイシングによって切断することで、金属リッド３２の上面にバリが発生する。

【0038】

図６は、バリを説明するための断面図である。図６のように、封止部３４をダイシングによって切断することで、金属リッド３２の上面内の周辺部分（ダイシングの切断面）にバリ７４が発生する。バリ７４は、電子デバイスの低背化の妨げとなるため、小さいほうが好ましい。従来では、金属リッドを圧延によって形成していたため、金属リッドには比較的柔らかい（硬度が小さい）金属、例えばコバールが用いられていた。金属材料の硬度と伸びとは一般的に反比例の関係にあるため、従来の金属リッドでは大きなバリが発生していた。一方、実施例１では、金属リッド３２がめっきからなるため、比較的硬い（硬度が大きい）金属、例えばＮｉ−Ｆｅ合金を用いることができる。このため、金属リッド３２の上面に発生するバリを小さくすることができる。例えば、厚さ２０μｍ程度のコバールからなる金属リッドを用いた場合では２０μｍ〜３０μｍ程度の高さのバリが発生していたのに対し、厚さ１０μｍ〜１５μｍ程度のＮｉ−Ｆｅ合金めっきからなる金属リッド３２を用いた実施例１では、バリの高さを５μｍ程度に抑えることができた。このように、実施例１では、金属リッド３２をめっき法で形成するため、金属リッド３２を硬度の高い材料（例えば、コバールよりも硬度が高い材料）で形成することができ、その結果、金属リッド３２の上面に発生するバリ７４が小さくなり、電子デバイス１００を低背化することができる。

【実施例2】

【0039】

図７は、実施例２に係る電子デバイスを示す断面図である。図７のように、実施例２の電子デバイス２００では、ＳＡＷチップ１２は、半田３０ａとめっきからなる金属リッド３２ａとを含む封止部３４ａによって封止されている。半田３０ａは、金属パターン２８の上面とＳＡＷチップ１２の側面とに接合し、ＳＡＷチップ１２を囲んで設けられている。金属リッド３２ａは、ＳＡＷチップ１２上から半田３０ａ上に平坦形状で延在し、側面７６が半田３０ａの側面７８よりもＳＡＷチップ１２側に位置して設けられている。金属リッド３２ａは、めっきからなるために様々な形状にすることが容易にできる。したがって、金属リッド３２ａの側面７６が半田３０ａの側面７８よりもＳＡＷチップ１２側に位置する構造を容易に形成することができる。半田３０ａと金属リッド３２ａとは互いに接しており、金属リッド３２ａの上面と半田３０ａのうち金属リッド３２ａよりも外側に位置する部分の上面とは、例えば同一面を形成している。ＳＡＷチップ１２の側面と半田３０ａの側面７８との間隔Ｌ１は、例えば１３０μｍ程度である。金属リッド３２ａの側面７６と半田３０ａの側面７８との間隔Ｌ２は、例えば５０μｍ程度である。その他の構成は、実施例１の図１と同じであるため説明を省略する。

【0040】

次に、実施例２に係る電子デバイスの製造方法について説明する。図８（ａ）から図９（ｃ）は、実施例２に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図である。図８（ａ）のように、母型４４を準備し、実施例１の図２（ａ）で説明した洗浄方法によって、母型４４を洗浄する。

【0041】

図８（ｂ）のように、母型４４の平坦主面に、縦・横に延在した格子状のレジストパターン８０を形成する。レジストパターン８０の厚さは、例えば１５μｍ以上であり、金属リッド３２ａの厚さ以上であることが好ましい。図８（ｃ）のように、母型４４のレジストパターン８０が形成された主面に、実施例１の図２（ｂ）で説明しためっき方法によって、複数の金属リッド３２ａを形成する。複数の金属リッド３２ａは、格子状のレジストパターン８０間に、互いに間隔を空けて形成される。

【0042】

図８（ｄ）のように、レジストパターン８０を除去する。図８（ｅ）のように、母型４４の金属リッド３２ａが形成された主面に、実施例１の図２（ｃ）で説明しためっき方法によって、半田３０ａを形成する。半田３０ａは、レジストパターン８０が除去された領域、即ち複数の金属リッド３２ａ間の領域に埋め込まれ、金属リッド３２ａを覆って形成される。

【0043】

半田３０ａを形成した後、実施例１の図３（ａ）で説明した洗浄方法によって、母型４４等を洗浄する。その後、図８（ｆ）のように、母型４４から金属リッド３２ａと半田３０ａとを一体で剥がして積層体５８ａを得る。これにより、半田３０ａ上に互いに間隔を空けて複数の金属リッド３２ａが設けられた構造の積層体５８ａが得られる。複数の金属リッド３２ａは半田３０ａの上面に形成された凹凸の凹部に埋め込まれていて、複数の金属リッド３２ａの上面と半田３０ａの凸部の上面とは同一面を形成している。この後、積層体５８ａを所望の大きさにカットする。図１０は、積層体５８ａを示す上面図である。図１０のように、積層体５８ａは、半田３０ａ上に互いに間隔を空けてアレイ状に配置された複数の金属リッド３２ａが設けられた構造をしている。金属リッド３２ａの幅Ｗは、例えば１．５ｍｍ程度であり、複数の金属リッド３２ａ間の間隔Ｌは、例えば２５０μｍ程度である。

【0044】

図９（ａ）のように、実装基板１０の平坦上面に複数のＳＡＷチップ１２を実装した後、複数のＳＡＷチップ１２上に、図８（ａ）から図８（ｆ）で形成した積層体５８ａを配置する。この際、金属リッド３２ａが複数のＳＡＷチップ１２上に位置し、複数のＳＡＷチップ１２間に金属リッド３２ａのない部分８２が位置するように、積層体５８ａを配置する。図９（ｂ）のように、積層体５８ａを加熱して半田３０ａが溶融した状態とし、この状態で金属リッド３２ａを複数のＳＡＷチップ１２側に押圧して、複数のＳＡＷチップ１２を半田３０ａと金属リッド３２ａとを含む封止部３４ａで封止する。

【0045】

図９（ｃ）のように、実装基板１０の下面に外部端子２６を保護するためのレジスト膜６４を形成する。レジスト膜６４の下面にダイシングテープ６６を貼り付ける。その後、複数のＳＡＷチップ１２間であって、金属リッド３２ａのない部分８２で、封止部３４ａ、実装基板１０、及びレジスト膜６４を、ダイシングブレード６８を用いたダイシングによって切断して、複数のＳＡＷチップ１２を個片化する。その後、実施例１の図５（ｂ）及び図５（ｃ）で説明した工程を行うことで、実施例２の電子デバイス２００を形成することができる。

【0046】

実施例２によれば、図７のように、封止部３４ａに含まれる金属リッド３２ａは、ＳＡＷチップ１２上から半田３０ａ上に平坦形状で延在し、側面７６が半田３０ａの側面７８よりもＳＡＷチップ１２側に位置している。実施例１では、図６で説明したように、金属リッド３２の上面内の周辺部分（ダイシングの切断面）にバリ７４が発生する。しかしながら、実施例２では、金属リッド３２ａの側面７６が半田３０ａの側面７８よりもＳＡＷチップ１２側に位置しているため、ダイシングの切断領域に金属リッド３２ａが存在しない。このため、ダイシングによる切断でのバリの発生を抑制でき、電子デバイス２００を低背化することができる。

【0047】

実施例２の電子デバイス２００は、図８（ａ）から図９（ｃ）で説明したように、以下の製造工程を含んで形成することができる。半田３０ａ上に互いに間隔を空けて複数の金属リッド３２ａが設けられた積層体５８ａを形成する（図８（ｆ）及び図１０）。複数のＳＡＷチップ１２上に金属リッド３２ａが位置し、複数のＳＡＷチップ１２間に金属リッド３２ａのない部分８２が位置するように積層体５８ａを配置した後、半田３０ａが溶融した状態で金属リッド３２ａをＳＡＷチップ１２側に押圧して、複数のＳＡＷチップ１２を半田３０ａと金属リッド３２ａとを含む封止部３４ａで封止する（図９（ａ）及び図９（ｂ））。複数のＳＡＷチップ１２間であって、金属リッド３２ａのない部分８２で封止部３４ａと実装基板１０とをダイシングによって切断して、複数のＳＡＷチップ１２を個片化する（図９（ｃ））。この製造方法によれば、個片化の際のダイシングを、金属リッド３２ａのない部分８２で行うため、バリの発生を抑制することができ、電子デバイス２００を低背化することができる。

【実施例3】

【0048】

図１１は、実施例３に係る電子デバイスを示す断面図である。図１１のように、実施例３の電子デバイス３００では、ＳＡＷチップ１２は、半田３０ｂとめっきからなる金属リッド３２ｂとを含む封止部３４ｂによって封止されている。半田３０ｂは、金属パターン２８の上面とＳＡＷチップ１２の側面とに接合し、ＳＡＷチップ１２を囲んで設けられている。金属リッド３２ｂは、ＳＡＷチップ１２上から半田３０ｂ上に延在して設けられ、周辺部分８４がＳＡＷチップ１２上に位置する部分８６（以下、チップ上部分８６と称す）に対して凹んだ形状をしている。金属リッド３２ｂの周辺部分８４には、バリ７４が発生している。金属リッド３２ｂのチップ上部分８６に対する周辺部分８４の凹み量Ｈは、例えば５μｍ〜１０μｍ程度である。半田３０ｂと金属リッド３２ｂとは互いに接しており、金属リッド３２ｂの側面と半田３０ｂの側面とは同一面を形成している。その他の構成は、実施例１の図１と同じであるため説明を省略する。

【0049】

次に、実施例３に係る電子デバイスの製造方法について説明する。図１２（ａ）から図１３（ｄ）は、実施例３に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図である。図１２（ａ）のように、主面に凹凸を有する母型４４ａを準備し、実施例１の図２（ａ）で説明した洗浄方法によって、母型４４ａを洗浄する。母型４４ａの凹凸は、例えば１５μｍ程度の段差を有している。

【0050】

図１２（ｂ）のように、母型４４ａの凹凸が形成されている主面に、実施例１の図２（ｂ）で説明しためっき方法によって、金属リッド３２ｂを形成する。金属リッド３２ｂは、例えば膜厚が１０μｍ〜１５μｍ程度であり、母型４４ａの凹凸の段差とほとんど変わらない厚さのため、母型４４ａの凹凸が反映されて凹凸形状となる。

【0051】

図１２（ｃ）のように、金属リッド３２ｂの主面に、実施例１の図２（ｃ）で説明しためっき方法によって、半田３０ｂを形成する。半田３０ｂは、例えば膜厚が１１０μｍ程度であり、母型４４ａの凹凸の段差と比べて十分に厚いため、金属リッド３２ｂの凹凸は吸収されて平坦形状となる。

【0052】

半田３０ｂを形成した後、実施例１の図３（ａ）で説明した洗浄方法によって、母型４４ａ等を洗浄する。その後、図１２（ｄ）のように、母型４４ａから金属リッド３２ｂと半田３０ｂとを一体で剥がして積層体５８ｂを得る。これにより、下面が平坦で、上面が凹凸形状をした半田３０ｂ上に凸部８８と凹部９０とを有する金属リッド３２ｂが設けられた構造の積層体５８ｂが得られる。この後、積層体５８ｂを所望の大きさにカットする。

【0053】

図１３（ａ）のように、実装基板１０の平坦上面に複数のＳＡＷチップ１２を実装した後、複数のＳＡＷチップ１２上に、図１２（ａ）から図１２（ｄ）で形成した積層体５８ｂを配置する。この際、金属リッド３２ｂの凸部８８が複数のＳＡＷチップ１２上に位置し、金属リッド３２ｂの凹部９０が複数のＳＡＷチップ１２間に位置するように、積層体５８ｂを配置する。図１３（ｂ）のように、積層体５８ｂを加熱して半田３０ｂが溶融した状態とし、この状態で金属リッド３２ｂを複数のＳＡＷチップ１２側に押圧して、複数のＳＡＷチップ１２を半田３０ｂと金属リッド３２ｂとを含む封止部３４ｂで封止する。

【0054】

図１３（ｃ）のように、実装基板１０の下面にレジスト膜６４を形成する。レジスト膜６４の下面にダイシングテープ６６を貼り付ける。その後、複数のＳＡＷチップ１２間であって、金属リッド３２ｂの凹部９０で、封止部３４ｂ、実装基板１０、及びレジスト膜６４を、ダイシングブレード６８を用いたダイシングによって切断して、複数のＳＡＷチップ１２を個片化する。金属リッド３２ｂをダイシングによって切断しているため、図１３（ｄ）のように、複数のデバイスそれぞれの金属リッド３２ｂの周辺部分８４にバリ７４が発生する。その後、実施例１の図５（ｂ）及び図５（ｃ）で説明した工程を行うことで、実施例３の電子デバイス３００を形成することができる。

【0055】

実施例３によれば、図１１のように、封止部３４ｂに含まれる金属リッド３２ｂは、チップ上部分８６に対して周辺部分８４が凹んだ形状をしている。実施例１の図６で説明したように、バリ７４はダイシングの切断面で発生する。したがって、実施例３では、図１１のように、バリ７４は、金属リッド３２ｂの周辺部分８４で発生する。金属リッド３２ｂの周辺部分８４はチップ上部分８６に対して凹んでいることから、周辺部分８４にバリ７４が発生した場合でも、電子デバイス３００を低背化することができる。

【0056】

金属リッド３２ｂの周辺部分８４に発生したバリ７４がチップ上部分８６よりも突出することを抑えるために、金属リッド３２ｂのチップ上部分８６に対する周辺部分８４の凹み量Ｈは、バリ７４の高さよりも大きいことが好ましい。

【0057】

実施例３の電子デバイス３００は、図１２（ａ）から図１３（ｄ）で説明したように、以下の製造工程を含んで形成することができる。半田３０ｂ上に凸部８８と凹部９０とを有する金属リッド３２ｂが設けられた積層体５８ｂを形成する（図１２（ｄ））。複数のＳＡＷチップ１２上に金属リッド３２ｂの凸部８８が位置し、複数のＳＡＷチップ１２間に金属リッド３２ｂの凹部９０が位置するように積層体５８ｂを配置した後、半田３０ｂが溶融した状態で金属リッド３２ｂをＳＡＷチップ１２側に押圧して、複数のＳＡＷチップ１２を半田３０ｂと金属リッド３２ｂとを含む封止部３４ｂで封止する（図１３（ａ）及び図１３（ｂ））。複数のＳＡＷチップ１２間であって、金属リッド３２ｂの凹部９０で封止部３４ｂと実装基板１０とをダイシングによって切断して、複数のＳＡＷチップ１２を個片化する（図１３（ｃ））。この製造方法によれば、個片化の際のダイシングを、金属リッド３２ｂの凹部９０で行うため、バリ７４が発生した場合でも、電子デバイス３００を低背化することができる。

【0058】

実施例３では、図１２（ｄ）のように、積層体５８ｂは、下面が平坦で、上面が凹凸形状をした半田３０ｂ上に、金属リッド３２ｂが半田３０ｂの凹凸に沿って設けられている場合を例に示したが、この場合に限られない。例えば、下面と上面とが共に平坦形状をした半田上に、凹凸形状をした金属リッドが設けられた積層体の場合でもよい。しかしながら、電子デバイスの低背化の点から、図１２（ｄ）のような積層体５８ｂの方が好ましい。

【実施例4】

【0059】

図１４は、実施例４に係る電子デバイスを示す断面図である。図１４のように、実施例４の電子デバイス４００では、ＳＡＷチップ１２は、半田３０ｃとめっきからなる金属リッド３２ｃとを含む封止部３４ｃによって封止されている。半田３０ｃは、金属パターン２８の上面に接合してＳＡＷチップ１２を囲み、且つＳＡＷチップ１２から離れて設けられている。半田３０ｃの上面の実装基板１０からの高さは、例えば圧電基板１６のＩＤＴ１８が形成された面の実装基板１０からの高さと同程度になっている。金属リッド３２ｃは、ＳＡＷチップ１２上からＳＡＷチップ１２の側方にかけて実装基板１０側に屈折して延在し、周辺部分９２が半田３０ｃに接合している。金属リッド３２ｃの周辺部分９２には、バリ７４が発生している。金属リッド３２ｃの周辺部分９２における側面と半田３０ｃの側面とは同一面を形成している。その他の構成は、実施例１の図１と同じであるため説明を省略する。

【0060】

次に、実施例４に係る電子デバイスの製造方法について説明する。図１５（ａ）から図１６（ｄ）は、実施例４に係る電子デバイスの製造方法を示す断面図である。図１５（ａ）のように、主面に凹凸を有する母型４４ｂを準備し、実施例１の図２（ａ）で説明した洗浄方法によって、母型４４ｂを洗浄する。母型４４ｂの凹凸は、例えばＳＡＷチップ１２の高さと同程度（例えば１５０μｍ程度）の段差を有している。

【0061】

図１５（ｂ）のように、母型４４ｂの凹凸が形成されている主面に、実施例１の図２（ｂ）で説明しためっき方法によって、金属リッド３２ｃを形成する。金属リッド３２ｃは、例えば膜厚が１０μｍ〜１５μｍ程度であり、母型４４ｂの凹凸の段差に対して薄いため、母型４４ｂの凹凸に沿って形成される。

【0062】

図１５（ｃ）のように、金属リッド３２ｃの主面に、実施例１の図２（ｃ）で説明しためっき方法によって、半田３０ｃを形成する。半田３０ｃは、例えば膜厚が１０μｍ程度であり、母型４４ｂの凹凸の段差に対して薄いため、金属リッド３２ｃの凹凸に沿って形成される。

【0063】

半田３０ｃを形成した後、実施例１の図３（ａ）で説明した洗浄方法によって、母型４４ｂ等を洗浄する。その後、図１５（ｄ）のように、母型４４ｂから金属リッド３２ｃと半田３０ｃとを一体で剥がして積層体５８ｃを得る。これにより、凹凸状に折れ曲がった半田３０ｃ上に凸部９４と凹部９６とを有する金属リッド３２ｃが設けられた構造の積層体５８ｃが得られる。この後、積層体５８ｃを所望の大きさにカットする。

【0064】

図１６（ａ）のように、実装基板１０の平坦上面に複数のＳＡＷチップ１２を実装した後、複数のＳＡＷチップ１２上に、図１５（ａ）から図１５（ｄ）で形成した積層体５８ｃを配置する。この際、金属リッド３２ｃの凸部９４が複数のＳＡＷチップ１２上に位置し、金属リッド３２ｃの凹部９６が複数のＳＡＷチップ１２間に位置するように、積層体５８ｃを配置する。図１６（ｂ）のように、積層体５８ｃを加熱して半田３０ｃが溶融した状態とし、この状態で金属リッド３２ｃを複数のＳＡＷチップ１２側に押圧して、複数のＳＡＷチップ１２を半田３０ｃと金属リッド３２ｃとを含む封止部３４ｃで封止する。半田３０ｃが溶融した状態で金属リッド３２ｃを複数のＳＡＷチップ１２側に押圧することで、半田３０ｃは金属パターン５８上に集まって固化する。

【0065】

図１６（ｃ）のように、実装基板１０の下面にレジスト膜６４を形成する。レジスト膜６４の下面にダイシングテープ６６を貼り付ける。その後、複数のＳＡＷチップ１２間であって、金属リッド３２ｃの凹部９６で、封止部３４ｃ、実装基板１０、及びレジスト膜６４を、ダイシングブレード６８を用いたダイシングによって切断して、複数のＳＡＷチップ１２を個片化する。金属リッド３２ｃをダンシングによって切断しているため、図１６（ｄ）のように、複数のデバイスそれぞれの金属リッド３２ｃの周辺部分９２にバリ７４が発生する。その後、実施例１の図５（ｂ）及び図５（ｃ）で説明した工程を行うことで、実施例４の電子デバイス４００を形成することができる。

【0066】

図１４のように、実施例４は、実施例３と同様、封止部３４ｃに含まれる金属リッド３２ｃが、ＳＡＷチップ１２上に位置する部分９８に対して周辺部分９２が凹んだ形状をしている。よって、ダイシングによるバリ７４が周辺部分９２で発生した場合でも、電子デバイス４００を低背化することができる。

【0067】

図１５（ａ）から図１６（ｄ）のように、実施例４の電子デバイス４００の製造方法は、実施例３と同様に、複数のＳＡＷチップ１２上に金属リッド３２ｃの凸部９４が位置し、複数のＳＡＷチップ１２間に金属リッド３２ｃの凹部９６が位置するように積層体５８ｃを配置して、複数のＳＡＷチップ１２を半田３０ｃと金属リッド３２ｃとを含む封止部３４ｃで封止する（図１６（ａ）及び図１６（ｂ））。その後、複数のＳＡＷチップ１２間であって、金属リッド３２ｃの凹部９６で封止部３４ｃと実装基板１０とをダイシングによって切断して、複数のＳＡＷチップ１２を個片化する（図１６（ｃ））。このように、個片化の際のダイシングを金属リッド３２ｃの凹部９６で行うため、バリ７４が発生した場合でも、電子デバイス４００を低背化することができる。

【0068】

実施例１から実施例４において、金属リッドは、Ｎｉ−Ｆｅ合金めっき以外のめっきからなる場合でもよく、例えばＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ合金めっきやＮｉ系合金めっきからなる場合でもよい。半田は、ＳｎＡｇ半田以外の半田からなる場合でもよく、例えばＡｕＳｎ半田、ＳｎＣｕ半田、純Ｓｎ半田からなる場合でも良い。半田がＡｕＳｎ半田からなる場合は、図２（ｃ）における第２のめっき液５４にＡｕＳｎめっき液を用い、ＳｎＣｕ半田からなる場合はＳｎＣｕめっき液を用い、純Ｓｎ半田からなる場合はＳｎめっき液を用いることができる。また、金属リッド及び半田は、電解めっき法で形成する場合に限らず、無電解めっき法等、その他のめっき法で形成する場合でもよい。

【0069】

半田が例えばＳｎＡｇ半田からなる場合、ＳｎＡｇ半田の融点は２２０℃程度とあまり高くないため、電子デバイスをマザーボード等に実装する際の温度で半田が溶けないように、図１４等のように、封止部を金属膜３６で覆うことが好ましい。一方、半田が例えばＡｕＳｎ半田からなる場合、ＡｕＳｎ半田の融点は２８０℃程度と比較的高いため、金属膜３６を形成しなくてもよい。このように、金属膜３６の形成の有無は、半田の種類によって適宜選択することができる。また、実装基板１０上に実装されたデバイスチップとしてＳＡＷチップ１２の場合を例に示したが、ＦＢＡＲチップ等、その他の弾性波デバイスチップの場合でもよいし、弾性波デバイスチップ以外のデバイスチップの場合でもよい。

【0070】

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

【符号の説明】

【0071】

１０ 実装基板
１２ ＳＡＷチップ
３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ 半田
３２、３２ａ、３２ｂ、３２ｃ 金属リッド
３４、３４ａ、３４ｂ、３４ｃ 封止部
５８、５８ａ、５８ｂ、５８ｃ 積層体
７６ 金属リッドの側面
７８ 半田の側面
８２ 金属リッドのない部分
８４、９２ 金属リッドの周辺部分
８６、９８ 金属リッドのＳＡＷチップ上に位置する部分
８８、９４ 金属リッドが突出した凸部
９０、９６ 金属リッドが凹んだ凹部
１００、２００、３００、４００ 電子デバイス

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】