特許 6374885 ウェハーをプラテンにクランプしプラテンからデクランプする方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6374885

(24)【登録日】2018年7月27日

(45)【発行日】2018年8月15日

(54)【発明の名称】ウェハーをプラテンにクランプしプラテンからデクランプする方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20180806BHJP

   H02N 13/00 20060101ALI20180806BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/68 R

   H02N13/00 D

【請求項の数】7

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2015-560210(P2015-560210)

(86)(22)【出願日】2014年2月19日

(65)【公表番号】特表2016-515301(P2016-515301A)

(43)【公表日】2016年5月26日

(86)【国際出願番号】US2014017080

(87)【国際公開番号】WO2014133840

(87)【国際公開日】20140904

【審査請求日】2017年1月27日

(31)【優先権主張番号】61/770,642

(32)【優先日】2013年2月28日

(33)【優先権主張国】US

(31)【優先権主張番号】13/872,417

(32)【優先日】2013年4月29日

(33)【優先権主張国】US

(73)【特許権者】

【識別番号】500239188

【氏名又は名称】ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100147485

【弁理士】

【氏名又は名称】杉村 憲司

(74)【代理人】

【識別番号】100147692

【弁理士】

【氏名又は名称】下地 健一

(74)【代理人】

【識別番号】100161148

【弁理士】

【氏名又は名称】福尾 誠

(72)【発明者】

【氏名】イルウン クー

(72)【発明者】

【氏名】スン−ファン ヒュン

【審査官】 小山 満

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００４−０４７５１１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−０４８９８６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−１９８８３８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２０１０／０２５４０６３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２００７／００３５９０８（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２０１１／０２２８４３９（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 国際公開第２０１１／１１５２９９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１０−１３５８３４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

Ｈ０２Ｎ １３／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ウェハーをプラテンにクランプしプラテンからデクランプする方法であって、
前記プラテンが、前記ウェハーを当該プラテン上にクランプするための電極を具え、前記電極に初期電圧のバイアスをかける間に、前記ウェハーを前記プラテン上に配置するステップと；
前記初期電圧より大きい第１電圧を前記プラテンの前記電極に印加して、前記ウェハーを前記プラテンに静電クランプするステップと；
前記第１電圧より小さく、かつ前記初期電圧より大きい第２電圧を、前記電極に印加するステップと；
前記第２電圧の印加後に、第３電圧を印加するステップであって、前記第３電圧は、前記第２電圧より小さく、かつ前記初期電圧より大きいステップと；
前記第３電圧の印加後に、第４電圧を印加するステップであって、前記第４電圧は、前記第３電圧より大きく、かつ前記第１電圧より小さいステップと；
前記第４電圧の印加後に、第５電圧を印加するステップであって、前記第５電圧は、前記第４電圧より小さく、かつ前記初期電圧より大きく、前記第５電圧の印加後に、前記ウェハーを除去するステップと
を含むことを特徴とする方法。

【請求項2】

前記初期電圧より大きい電圧の印加中に、前記ウェハーを除去することを特徴とする請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記初期電圧が０ボルトであることを特徴とする請求項１に記載の方法。

【請求項4】

前記第１電圧を前記プラテンの前記電極に印加する間に、前記ウェハーにイオンを注入することを特徴とする請求項１に記載の方法。

【請求項5】

ウェハーをプラテンにクランプしプラテンからデクランプする方法であって、
前記プラテンが、前記ウェハーを当該プラテン上にクランプするための電極を具え、前記電極に０ボルトのバイアスをかける間に、前記ウェハーを前記プラテン上に配置するステップと；
１００V〜１０００Vの第１電圧を前記プラテンの前記電極に印加して、前記ウェハーを前記プラテンに静電クランプするステップと；
前記第１電圧より小さく、かつ５V〜６００Vの第２電圧を、前記電極に印加するステップと；
前記第２電圧の印加後に、前記第２電圧より小さく、かつ５V〜６００Vの第３電圧を、前記電極に印加するステップと；
前記第３電圧の印加後に、前記第３電圧より大きく、かつ前記第１電圧より小さく、かつ５V〜６００Vの第４電圧を、前記電極に印加するステップと；
前記第４電圧の印加後に、前記第４電圧より小さく、かつ５V〜６００Vの第５電圧を、前記電極に印加し、前記第５電圧の印加後に前記ウェハーを除去するステップと
を含むことを特徴とする方法。

【請求項6】

前記第１電圧が５００Vであり、前記第２電圧が２５０Vであり、前記第３電圧が１５Vであり、前記第４電圧が２５０Vであり、前記第５電圧が１５Vであることを特徴とする請求項５に記載の方法。

【請求項7】

前記第１電圧が５００Vであり、前記第２電圧が３５０Vであり、前記第３電圧が１５Vであり、前記第４電圧が３５０Vであり、前記第５電圧が１５Vであることを特徴とする請求項５に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、米国特許仮出願第６１／７７０６４２号、２０１３年２月２８日出願に基づいて優先権を主張し、その開示全体を参照する形で本明細書に含める。

【0002】

本発明は、静電クランプに関するものであり、特に、ターゲット（目標物）を静電クランプ上にクランプしデクランプ（クランプ外し）する方法に関するものである。

【背景技術】

【0003】

イオン注入プロセスは、電気及び光デバイスを製造するに当たり用いられる。このプロセスは、ドーパントまたは不純物をターゲット内に導入して、ターゲットの機械的、電気的、及び／または光学的性質を変化させるプロセスである。集積回路（ＩＣ：integrated circuit）デバイス製造では、ターゲットは、シリコンまたは他の半導体ウェハー、あるいは当該ウェハー上の１つ以上の特徴物または膜とすることができる。一般に、ドーパントまたは不純物は、ターゲットの性質とは異なる１つ以上の性質を有することができる。ドーパントまたは不純物は、一旦、ターゲットのある領域内に注入されると、この領域の性質を変化させる。

【0004】

イオン注入プロセス中に、ターゲットまたはウェハー１０２はプラテン１１２上に支持することができる。図１に例示するように、プラテン１１２は、電源１１６に電気接続された１つ以上の電極１１４を具えることができる。一部の具体例では、複数の同心電極１１４を設け、これらの電極の１つを内側電極１１４ａ、他の電極を外側電極１１４ｂとすることができる。他の具体例では、複数の電極を、プラテン１１２の互いに逆の側に設ける。ウェハー１０２をプラテン１１２上に静電クランプするために、バイアス電圧を電極１１４に印加することができる。一部の具体例では、互いに逆の電圧を異なる電極に印加することができる。例えば、電極１１４の１つに正電圧を印加するのに対し、他の電極１１４には負電圧を印加することができる。このクランプ電圧の大きさは、同じにすることも異ならせることもできる。

【0005】

図２を参照し、図２は、電源１１６からプラテン１１２内の１つ以上の電極１１４に供給されるクランプ電圧のタイミングを示す。ウェハー１０２をプラテン上に装荷した後に、クランプ電圧（Ｖ₁）を時刻Ｔ₁に電極１１４に印加し、ウェハー１０２はプラテン１１２上に静電クランプされる。図示していないが、２つ以上の電極を設ける場合、これらの電極の一方に＋Ｖ₁を印加し、他方の電極には−Ｖ₁を印加することは、当業者が認識する所である。イオン注入プロセス中に、電極１１４に印加する電圧を維持して、ウェハー１０２をプラテン１１２上にクランプしたままにすることができる。イオン注入を完了した後には（即ち、時刻Ｔ₂）、もうクランプ電圧Ｖ₁を電極１１４に印加せずに、ウェハー１０２をプラテン１１２から除去する。一部の具体例では、ウェハー１０２の除去プロセスが、ウェハー１０２をリフトピン（図示せず）でプラテンから持ち上げて引き離し、ウェハー１０２をプラテンから除去することを含むことができる。現在技術では既知であるように、電極１１４に印加する電圧は、ウェハー１０２を処理するためにウェハー１０２に直接印加する電圧とは異なる。例えば、あるプロセスでは、ウェハー１０２に負電圧を印加して、正荷電（正に帯電した）イオンを誘引する。ウェハー１０２をクランプするために、プラテン１１２内の電極１１４に電圧を印加して、ウェハー１０２をプラテン１１２上に静電クランプする。これも現在技術では既知であるように、誘電体層を電極１１４とウェハー１０２との間に配置して、ウェハー１０２を電極１１４から電気絶縁する。

【0006】

ウェハー１０２内に指向させて注入されるイオン１０は、正荷電イオン１０とすることができる。注入される荷電イオンに起因するウェハー１０２内の残留電荷が、ウェハー１０２の一部分に生じて、プラテン１１２の表面に張り付くことができる。こうしたウェハー１０２を取り外すことは困難なことがある。また、誘電体膜の層がウェハー１０２の下面上にコーティングされている場合、荷電イオンと電子との中和が遅れ、このため、クランプ電圧が除去されていても、ウェハー１０２がプラテン１１２の表面に付着したままにされることがある。過度の力を用いてウェハー１０２をプラテン１１２の表面から分離しようとすると、ウェハーの破損が生じることがある。誘電体膜の層（図示せず）がウェハー１０２の下面上にコーティングされている場合、ウェハーの破損がより頻繁になり得る。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

このため、新たなクランプ及びデクランプ方法が必要になる。

【課題を解決するための手段】

【0008】

ウェハーをプラテンにクランプしプラテンからデクランプする新たな方法を開示する。このプラテンは１つ以上の電極を具え、これらの電極に電気バイアスをかけて、ウェハーをプラテンに静電クランプする。電極に第１電圧のバイアスをかけ、この電圧でウェハーを処理することができる。その後に、１つ以上の電圧を後続して電極に印加する。一部の好適例では、後続する各電圧が、前に印加した電圧よりも小さい。他の好適例では、後続する電圧のうち１つ以上を、前に印加した電圧よりも大きくすることができる。こうした電圧の連続により、ウェハーが除去プロセス中にプラテンに付着または粘着する可能性を低減することができる。

【0009】

１つの好適例では、ウェハーをプラテンにクランプしプラテンからデクランプする方法が：プラテンがウェハーを当該プラテン上にクランプするための電極を具え、これらの電極に初期電圧のバイアスをかける間にウェハーをプラテン上に配置するステップと；初期電圧より大きい第１電圧をプラテンの電極に印加して、ウェハーをプラテンに静電クランプするステップと；第１電圧より小さく、かつ初期電圧より大きい第２電圧を、上記電極に印加するステップと；第２電圧を上記電極に印加した後に、ウェハーをプラテンから除去するステップとを含む。

【0010】

他の好適例では、ウェハーをプラテンにクランプしプラテンからデクランプする方法が：プラテンがウェハーを当該プラテン上にクランプするための電極を具え、これらの電極に初期電圧のバイアスをかける間にウェハーをプラテン上に配置するステップと；初期電圧より大きい第１電圧をプラテンの電極に印加して、ウェハーをプラテンに静電クランプするステップと；第１電圧より低く、かつ初期電圧より大きい第２電圧を、上記電極に印加するステップと；第２電圧より高く、かつ第１電圧より低い第３電圧を、上記電極に印加するステップと；第３電圧を上記電極に印加した後に、ウェハーを除去するステップとを含む。

【0011】

他の好適例では、ウェハーをプラテンにクランプしプラテンからデクランプする方法が：プラテンがウェハーをクランプするための電極を具え、これらの電極に０Vのバイアスをかける間にウェハーをプラテン上に配置するステップと；１００V〜１０００Vの第１電圧を上記電極に印加して、ウェハーをプラテンに静電クランプするステップと；第１電圧より小さく、かつ５V〜６００Vの第２電圧を上記電極に印加するステップと；第２電圧の印加後に、第２電圧より小さく、かつ５V〜６００Vの第３電圧を上記電極に印加するステップと；第３電圧を上記電極に印加した後に、ウェハーをプラテンから除去するステップとを含む。

【0012】

本発明をより良く理解するために、添付した図面を参照し、これらの図面は参照する形で本明細書に含める。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】従来技術による、ウェハーをプラテンにクランプしプラテンからデクランプするための例示的システムを示す図である。

【図2】従来技術による図１のシステムで用いることができるタイミング図である。

【図3】一実施形態による、図１のシステムに適用することができるタイミング図である。

【図4】第２実施形態による、図１のシステムに適用することができるタイミング図である。

【図5】第３実施形態による、図１のシステムに適用することができるタイミング図である。

【図6】第４実施形態による、図１のシステムに適用することができるタイミング図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下、本発明を、添付した図面に示す特定実施形態を参照しながら、より詳細に説明する。以下では、特定実施形態を参照しながら本発明を説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことは明らかである。

【0015】

図３を参照し、図３は、本発明の一実施形態による、ウェハーをクランプしデクランプする好適な方法を示す。この図では、上記方法を、電源１１６からプラテン１１２内の１つ以上の電極１１４に供給されるクランプ電圧のタイミングに関して説明する。簡単明瞭にするために、本実施形態の方法は、図１に示す構成要素に関して説明する。このため、本実施形態の方法は図１に関して理解すべきである。

【0016】

本実施形態では、ウェハー１０２をプラテン１１２上に装荷する。その後の時刻Ｔ₁に、プラテン１１２内の電極１１４に第１電圧Ｖ₁を印加して、ウェハー１０２をプラテン１１２上に静電クランプすることができる。第１電圧Ｖ₁を印加する前に、電極１１４にＶ₀を印加することができる。本発明では、Ｖ₀は０の電圧、あるいはＶ₁より小さい他の電圧とすることができる。本発明では、第１電圧Ｖ₁をクランプ電圧とすることができ、この電圧は約１００V〜約１kVの範囲内にすることができる。一実施形態では、第１電圧を約１５０Vにすることができる。他の実施形態では、第１電圧を約２５０Vにすることができる。他の実施形態では、第１電圧を約５００Vにすることができる。さらに他の実施形態では、第１電圧を約７５０Vにすることができる。プラテンが内側及び外側電極１１４ａ及び１１４ｂを具えている場合、電極１１４ａ及び１１４ｂの一方には正の第１電圧Ｖ₁を印加し、電極１１４ａ及び１１４ｂの他方には負の第１電圧Ｖ₁を印加することができる。図に示すように、第１電圧Ｖ₁は、第２電圧Ｖ₂を電極１１４に印加する時刻Ｔ₂まで維持することができる。Ｔ₁とＴ₂の間に、イオン注入プロセスを実行する。

【0017】

図３に示すように、電極１１４に印加する第２電圧Ｖ₂は第１電圧Ｖ₁より小さくすることができる。例えば、第２電圧Ｖ₂は、約５Vから約１００Vまでの範囲にすることができる。一実施形態では、第２電圧Ｖ₂を約５Vにすることができる。他の実施形態では、第２電圧Ｖ₂を約１５Vにすることができる。他の実施形態では、第２電圧Ｖ₂を約２５Vにすることができる。さらに他の実施形態では、第２電圧Ｖ₂を約３５Vにすることができる。

【0018】

時刻Ｔ₂の後に、ウェハー１０２をプラテン１１２からデチャック（チャック外し）／除去するプロセスを実行することができる。例えば、時刻Ｔ₂に、あるいは時刻Ｔ₂またはそれ以後に、ウェハー１０２をプラテン１１２からデチャックし、ウェハー１０２をプラテン１１２から除去することができる。例えば、ウェハー１０２をプラテン１１２からデチャック／除去するプロセスは、電極１１４に第２電圧Ｖ₂を印加する時刻Ｔ₂以後に実行することができ、第２電圧Ｖ₂は、第１電圧Ｖ₁よりは小さいが、時刻Ｔ₁より前に電極に印加するＶ₀より大きい。一実施形態では、上記プロセスを、電極１１４にＶ₀を印加する時刻Ｔ_fまたはそれ以後に実行することができる。

【0019】

図４を参照し、図４に、本発明の他の実施形態による、ウェハーをクランプしデクランプする他の好適な方法を示す。この図では、上記方法を、電源１１６からプラテン１１２内の１つ以上の電極１１４に供給するクランプ電圧のタイミングに関して説明する。簡単明瞭にするために、本実施形態の方法は、図１に示す構成要素に関して説明する。このため、本実施形態の方法は図１に関して理解すべきである。

【0020】

本実施形態では、ウェハー１０２をプラテン１１２上に装荷する。その後の時刻Ｔ₁に、プラテン１１２内の電極１１４に第１電圧Ｖ₁を印加して、ウェハー１０２をプラテン１１２上に静電クランプすることができる。第１電圧Ｖ₁を印加する前に、電極１１４にＶ₀を印加する。本発明では、Ｖ₀は０の電圧、あるいはＶ₁より小さい他の電圧とすることができる。本発明では、第１電圧Ｖ₁をクランプ電圧とすることができ、この電圧は約１００V〜約１kVの範囲内にすることができる。一実施形態では、第１電圧を約１５０Vにすることができる。他の実施形態では、第１電圧を約２５０Vにすることができる。他の実施形態では、第１電圧を約５００Vにすることができる。さらに他の実施形態では、第１電圧を約７５０Vにすることができる。プラテンが内側及び外側電極１１４ａ及び１１４ｂを具えている場合、電極１１４ａ及び１１４ｂの一方に正の第１電圧Ｖ₁を印加し、電極１１４ａ及び１１４ｂの他方に負の第１電圧Ｖ₁を印加することができる。図に示すように、第１電圧Ｖ₁は、第２電圧Ｖ₂を電極１１４に印加する時刻Ｔ₂まで維持することができる。時刻Ｔ₁とＴ₂の間に、イオン注入プロセスを実行する。

【0021】

図４に示すように、電極に印加する第２電圧Ｖ₂は、第１電圧Ｖ₁よりは小さいがＶ₀より大きくすることができる。本実施形態では、第２電圧Ｖ₂を、約７５Vから約８００Vまでの範囲内の任意電圧とすることができる。一例では、第２電圧を約１００Vにすることができる。他の例では、第２電圧を約１５０Vにすることができる。他の例では、第２電圧を約３００Vにすることができる。他の例では、第２電圧を約４００Vにすることができる。他の例では、第２電圧を約５００Vにすることができる。さらに他の例では、第２電圧を約６００Vにすることができる。

【0022】

第２電圧Ｖ₂は、プラテン１１２内の電極１１４に第３電圧Ｖ₃を印加する時刻Ｔ₃まで、電極１１４に印加することができる。本実施形態では、電極１１４に印加する第３電圧Ｖ₃を、第２電圧Ｖ₂よりは小さいがＶ₀より大きくすることができる。本実施形態では、第３電圧Ｖ₃を、約５０Vから約６００Vまでの範囲内の任意電圧にすることができる。一例では、第３電圧Ｖ₃を約８０Vにすることができる。他の例では、第３電圧Ｖ₃を約１５０Vにすることができる。他の例では、第３電圧Ｖ₃を約３００Vにすることができる。他の例では、第３電圧Ｖ₃を約４５０Vにすることができる。他の例では、第３電圧Ｖ₃を約５００Vにすることができる。さらに他の例では、第３電圧Ｖ₃を約５５０Vにすることができる。

【0023】

第３電圧Ｖ₃は、プラテン１１２内の電極１１４に第４電圧Ｖ₄を印加する時刻Ｔ₄まで、電極１１４に印加することができる。本実施形態では、電極１１４に印加する第４電圧Ｖ₄を、第３電圧Ｖ₃よりは小さいがＶ₀より大きくすることができる。本実施形態では、第４電圧Ｖ₄を、約２５Vから約５００Vまでの範囲内の任意電圧とすることができる。一例では、第４電圧Ｖ₄を約２５Vにすることができる。他の例では、第４電圧Ｖ₄を約７５Vにすることができる。他の例では、第４電圧Ｖ₄を約１００Vにすることができる。他の例では、第４電圧Ｖ₄を約２００Vにすることができる。他の例では、第４電圧Ｖ₄を約３００Vにすることができる。さらに他の例では、第４電圧Ｖ₄を約４００Vにすることができる。

【0024】

第４電圧Ｖ₄は、プラテン１１２内の電極１１４に第５電圧Ｖ₅を印加する時刻Ｔ₅まで、電極１１４に印加することができる。本実施形態では、電極に印加する第５電圧Ｖ₅を、第４電圧Ｖ₄よりは小さいがＶ₀より大きくすることができる。本実施形態では、第５電圧Ｖ₅を、約５Vから約５０Vまでの範囲内の任意電圧とすることができる。一例では、第５電圧Ｖ₅を約１０Vにすることができる。他の例では、第５電圧Ｖ₅を約１５Vにすることができる。他の例では、第５電圧Ｖ₅を約３０Vにすることができる。他の例では、第５電圧Ｖ₅を約３０Vにすることができる。他の例では、第５電圧Ｖ₅を約５０Vにすることができる。他の例では、第５電圧Ｖ₅を約７５Vにすることができる。さらに他の例では、第５電圧Ｖ₅を約１００Vにすることができる。第５電圧Ｖ₅は、Ｖ₀を電極１１４に印加する時刻Ｔ_fまで印加することができる。

【0025】

時刻Ｔ₂後に、ウェハー１０２をプラテン１１２からデチャック／除去するプロセスを実行することができる。例えば、時刻Ｔ₂またはそれ以後に、ウェハー１０２をプラテン１１２からデチャックして、ウェハー１０２をプラテン１１２から除去することができる。特に、ウェハー１０２をプラテン１１２からデチャック／除去するプロセスは、時刻Ｔ₂、Ｔ₃、Ｔ₄、Ｔ₅またはＴ_fに実行することができる。

【0026】

図５を参照し、図５に、本発明の他の実施形態による、ウェハーをクランプしデクランプする他の好適な方法を示す。この図では、上記方法を、電源１１６からプラテン１１２内の１つ以上の電極１１４に供給されるクランプ電圧のタイミングに関して説明する。簡単明瞭にするために、本実施形態の方法は、図１の構成要素に関して説明する。このため、本実施形態の方法は図１に関して理解すべきである。

【0027】

本実施形態では、ウェハー１０２をプラテン１１２上に装荷することができる。その後の時刻Ｔ₁に、プラテン１１２内の電極１１４に第１電圧Ｖ₁を印加して、ウェハー１０２をプラテン１１２上に静電クランプすることができる。第１電圧Ｖ₁を印加する前に、電極１１４にＶ₀を印加することができる。本発明では、Ｖ₀は０の電圧、あるいはＶ₁より小さい他の電圧とすることができる。本発明では、第１電圧Ｖ₁をクランプ電圧とすることができ、この電圧は約１００V〜約１kVの範囲内にすることができる。一実施形態では、第１電圧を約１５０Vとすることができる。他の実施形態では、第１電圧を約２５０Vにすることができる。他の実施形態では、第１電圧を約５００Vにすることができる。さらに他の実施形態では、第１電圧を約７５０Vにすることができる。プラテンが内側及び外側電極１１４ａ及び１１４ｂを具えている場合、電極１１４ａ及び１１４ｂの一方に正の第１電圧Ｖ₁を印加し、電極１１４ａ及び１１４ｂの他方に負の第１電圧Ｖ₁を印加することができる。図に示すように、第１電圧Ｖ₁は、第２電圧Ｖ₂を電極１１４に印加する時刻Ｔ₂まで維持することができる。時刻Ｔ₁とＴ₂の間に、イオン注入プロセスを実行する。

【0028】

時刻Ｔ₂に、第２電圧Ｖ₂を電極１１４に印加する。本実施形態では、第２電圧Ｖ₂を、第１電圧Ｖ₁よりは小さいがＶ₀より大きくすることができる。本実施形態では、第２電圧Ｖ₂を、約５Vから約６００Vまでの範囲内の任意電圧とすることができる。一例では、第２電圧を約１５Vにすることができる。他の例では、第２電圧を約５０Vにすることができる。他の例では、第２電圧を約７５Vにすることができる。他の例では、第２電圧を約１００Vにすることができる。他の例では、第２電圧を約１５０Vにすることができる。さらに他の例では、第２電圧を約３００Vにすることができる。

【0029】

第２電圧Ｖ₂は、プラテン１１２内の電極１１４に第３電圧Ｖ₃を印加する時刻Ｔ₃まで、電極１１４に印加することができる。本実施形態では、電極に印加する第３電圧Ｖ₃を、第２電圧Ｖ₂よりは大きいが第１電圧Ｖ₁より小さくすることができる。本実施形態では、第３電圧Ｖ₃を、約５０Vから約４００Vまでの範囲内の任意電圧にすることができる。一例では、第３電圧Ｖ₃を約７５Vにすることができる。他の例では、第３電圧Ｖ₃を約１５０Vにすることができる。他の例では、第３電圧Ｖ₃を約２５０Vにすることができる。他の例では、第３電圧Ｖ₃を約３５０Vにすることができる。他の例では、第３電圧Ｖ₃を約４００Vにすることができる。さらに他の例では、第３電圧Ｖ₃を約４５０Vにすることができる。

【0030】

第３電圧Ｖ₃は、プラテン１１２内の電極１１４に第４電圧Ｖ₄を印加する時刻Ｔ₄まで、電極１１４に印加することができる。本実施形態では、電極に印加する第４電圧Ｖ₄を、第３電圧Ｖ₃よりは小さいがＶ₀より大きくすることができる。本実施形態では、第４電圧Ｖ₄を第２電圧Ｖ₂に等しくすることができる。しかし、本発明は、第４電圧Ｖ₄が第２電圧Ｖ₂より大きいことも小さいことも排除しない。本実施形態では、第４電圧Ｖ₄を、約２５Vから約６００Vまでの範囲内の任意電圧とすることができる。一例では、第４電圧Ｖ₄を約１５Vにすることができる。他の例では、第４電圧Ｖ₄を約５０Vにすることができる。他の例では、第４電圧Ｖ₄を約７５Vにすることができる。他の例では、第４電圧Ｖ₄を約１００Vにすることができる。他の例では、第４電圧Ｖ₄を約１５０Vにすることができる。さらに他の例では、第４電圧Ｖ₄を約３００Vにすることができる。

【0031】

本実施形態では、第４電圧Ｖ₄を、プラテン１１２内の電極１１４にＶ₀を印加する時刻Ｔ_fまで、電極１１４に印加することができる。

【0032】

時刻Ｔ₂後に、ウェハー１０２をプラテン１１２からデチャック／除去するプロセスを実行することができる。ウェハー１０２をデチャック／除去するプロセスは、時刻Ｔ₂後の任意時刻に実行することができるが、このプロセスは、時刻Ｔ₄後に、あるいは第２電圧Ｖ₂より高い第３電圧Ｖ₃を印加した後の任意時刻に実行することが好ましい。

【0033】

図６を参照し、図６に、本発明の他の実施形態による、ウェハーをクランプしデクランプする他の好適な方法を示す。この図では、上記方法を、電源１１６からプラテン１１２内の１つ以上の電極１１４に供給されるクランプ電圧のタイミングに関して説明する。簡単明瞭にするために、本実施形態の方法は、図１の構成要素に関して説明する。このため、本実施形態の方法は図１に関して理解すべきである。

【0034】

本実施形態では、ウェハー１０２をプラテン１１２上に装荷することができる。その後の時刻Ｔ₁に、プラテン１１２内の電極１１４に第１電圧Ｖ₁を印加して、ウェハー１０２をプラテン１１２上に静電クランプすることができる。第１電圧Ｖ₁を印加する前に、電極１１４にＶ₀を印加することができる。本発明では、Ｖ₀は０の電圧、あるいはＶ₁より小さい他の電圧とすることができる。本発明では、第１電圧Ｖ₁をクランプ電圧とすることができ、この電圧は約１００V〜約１kVの範囲内にすることができる。一実施形態では、第１電圧を約１５０Vとすることができる。他の実施形態では、第１電圧を約２５０Vにすることができる。他の実施形態では、第１電圧を約５００Vにすることができる。さらに他の実施形態では、第１電圧を約７５０Vにすることができる。プラテンが内側及び外側電極１１４ａ及び１１４ｂを具えている場合、電極１１４ａ及び１１４ｂの一方に正の第１電圧Ｖ₁を印加し、電極１１４ａ及び１１４ｂの他方に負の第１電圧Ｖ₁を印加することができる。図に示すように、第１電圧Ｖ₁は、第２電圧Ｖ₂を電極１１４に印加する時刻Ｔ₂まで維持することができる。時刻Ｔ₁とＴ₂の間に、イオン注入プロセスを実行する。

【0035】

時刻Ｔ₂に、第２電圧Ｖ₂を電極１１４に印加する。本実施形態における第２電圧Ｖ₂は、第１電圧Ｖ₁よりは小さいがＶ₀より大きくすることができる。本実施形態では、第２電圧Ｖ₂を、約５Vから約６００Vまでの範囲内の任意電圧とすることができる。一例では、第２電圧を約１５Vにすることができる。他の例では、第２電圧を約５０Vにすることができる。他の例では、第２電圧を約１５０Vにすることができる。他の例では、第２電圧を約２５０Vにすることができる。他の例では、第２電圧を約３５０Vにすることができる。さらに他の例では、第２電圧を約４５０Vにすることができる。

【0036】

第２電圧Ｖ₂は、プラテン１１２内の電極１１４に第３電圧Ｖ₃を印加する時刻Ｔ₃まで、電極１１４に印加することができる。本実施形態では、電極に印加する第３電圧Ｖ₃を、第２電圧Ｖ₂よりは小さいがＶ₀より大きくすることができる。本実施形態では、第３電圧Ｖ₃を、約５Vから約６００Vまでの範囲内の任意電圧にすることができる。一例では、第３電圧Ｖ₃を約１５Vにすることができる。他の例では、第３電圧Ｖ₃を約５０Vにすることができる。他の例では、第３電圧Ｖ₃を約７５Vにすることができる。他の例では、第３電圧Ｖ₃を約１００Vにすることができる。他の例では、第３電圧Ｖ₃を約１５０Vにすることができる。さらに他の例では、第３電圧Ｖ₃を約３００Vにすることができる。

【0037】

第３電圧Ｖ₃は、プラテン１１２内の電極１１４に第４電圧Ｖ₄を印加する時刻Ｔ₄まで、電極１１４に印加することができる。本実施形態では、電極１１４に印加する第４電圧Ｖ₄を、第３電圧Ｖ₃よりは大きいが第１電圧Ｖ₁より小さくすることができる。本実施形態では、第４電圧Ｖ₄を第２電圧Ｖ₂に等しくすることができる。しかし、本発明は、第４電圧が第２電圧Ｖ₂より大きいことも小さいことも排除しない。本実施形態では、第４電圧Ｖ₄を、約５Vから約６００Vまでの範囲内の任意電圧とすることができる。一例では、第４電圧Ｖ₄を約１５Vにすることができる。他の例では、第４電圧Ｖ₄を約５０Vにすることができる。他の例では、第４電圧Ｖ₄を約１５０Vにすることができる。他の例では、第４電圧Ｖ₄を約２５０Vにすることができる。他の例では、第４電圧Ｖ₄を約３５０Vにすることができる。さらに他の例では、第４電圧Ｖ₄を約４５０Vにすることができる。

【0038】

第４電圧Ｖ₄は、プラテン１１２内の電極１１４に第５電圧Ｖ₅を印加する時刻Ｔ₅まで、電極１１４に印加することができる。本実施形態では、電極１１４に印加する第５電圧Ｖ₅を、第４電圧Ｖ₄よりは小さいがＶ₀より大きくすることができる。本実施形態では、第５電圧Ｖ₅を、第３電圧Ｖ₃に等しくすることができる。しかし、本発明は、第５電圧が第３電圧Ｖ₃より大きいことも小さいことも排除しない。

【0039】

時刻Ｔ₂後に、ウェハー１０２をプラテン１１２からデチャック／除去するプロセスを実行することができる。ウェハー１０２をデチャック／除去するプロセスは、時刻Ｔ₂後の任意時刻に実行することができるが、このプロセスは、時刻Ｔ₃またはＴ₅後に、あるいは第３電圧Ｖ₃より高い第４電圧Ｖ₃を印加した後の任意時刻に実行することが好ましい。

【0040】

本明細書では、ウェハー処理プロセス中にウェハーをチャックしデチャックする技術を開示している。本発明は、本明細書に記載された特定実施形態によって、その範囲を限定されない。実際に、本発明の他の種々の実施形態及び変形例は、本明細書に記載するものに加えて、以上の説明及び添付した図面より当業者にとって明らかである。従って、こうした他の実施形態及び変形例は、本発明の範囲内に入ることを意図している。さらに、本明細書では、本発明を、特定目的での特定環境における特定の実現に関連して説明してきたが、その有用性はこうした実現に限定されず、本発明は任意数の目的で任意数の環境において有益に実現することができることは、通常の当業者の認める所である。従って、以下に記載する特許請求の範囲は、本明細書に記載する本発明の範囲及び精神全体を考慮して解釈すべきである。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】