(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【背景技術】
【0002】
近年、電子機器における高機能化及び軽薄短小化の要求からICチップやLSI等の電子部品では高密度集積化が急速に進んでおり、これに伴い電子部品を搭載するパッケージ基板には、従来にも増して高密度配線化及び多端子化が求められている。最近では、このようなパッケージ基板として、コア層を有さないコアレス配線基板が提案されている(特許文献1等)。コアレス配線基板は、樹脂材料(高分子材料)からなる誘電体層と金属パターンからなる導体層とが交互に積層された高密度配線化が可能なビルドアップ層を主体とし、コア層を省略することで全体の配線長を短くして高周波用途に対応するものである。
【0003】
コア層を有さないコアレス配線基板を安定的に製造する方法として、金属箔を表裏面に備えた補強基板を使用してコアレス配線基板を形成する方式が提案されている(特許文献2等)。
【0004】
この製造方法では、補強基板の表面に剥離可能な金属箔が配置されてなる金属箔付き補強基板の上に、金属箔を覆い囲む形で樹脂シートを形成して配線基板の主面とし、さらに金属パターンと樹脂シートを交互に積層して、配線基板となるべき配線積層部を形成した後、配線積層部と補強基板を金属箔部分から剥離する。補強基板から剥離した配線積層部に付着している金属箔をエッチング等により除去することで、コアレス配線基板となる。
【0005】
前記補強基板上の金属箔は、金属メッキを介して2層の銅層を密着させた金属箔密着層を構成しており、2層の銅層が補強基板側と配線積層部側にそれぞれ付着した状態で剥離する形態となっている。なお、更に2枚の銅箔の間に極薄い膜厚で接着剤層が形成される場合もある。
【0006】
従来技術を、図を用いて更に詳しく説明する。
<コアレス配線基板>
コアレス配線基板1を説明する。コアレス配線基板1は、ビルドアップ法により形成され、
図1に示すように誘電体層2bと金属パターンからなる導体層2aとが交互に積層された配線積層部2を主体に構成されている。
【0007】
金属パターンからなる導体層2aは、Cuメッキからなる配線やパッド等の金属パターンにより構成されている。また、パッドの表面には、Ni−Auメッキが施されている。層が異なる金属パターンからなる導体層2a同士は、ビアによって層間接続がなされており、これによって、パッド間の導通経路(信号用、電源用、グランド用)が形成されている。
【0008】
誘電体層2bは、主にエポキシ樹脂等の高分子材料からなり、誘電率や絶縁耐圧を調整するシリカ粉末等の無機フィラーを適宜含んでいる。このうち、金属パターンからなる導体層2aに挟まれた誘電体層2bは、ビルドアップ樹脂絶縁層もしくはビア層と呼ばれ、金属パターンからなる導体層2a間を絶縁するとともに、層間接続のためのビアが貫通形成されている。他方、最表面にあたる誘電体層2bは、ソルダーレジスト層と呼ばれ、パッドを露出させるための開口部が形成されている。また、ビルドアップ樹脂絶縁層は、配線積層部2の内部に生じる応力を緩和するために、例えばソルダーレジスト層の高分子材料よりもヤング率の低い高分子材料を用いることができる。
【0009】
最上面誘電体層がなす主面は、ICチップやLSI等の電子部品の搭載面とされ、パッドには、電子部品をフリップチップ接続するための半田バンプ(Sn/Pb等)が形成されている。他方、最下面誘電体層がなす裏面は、外部基板への接続面とされ、パッドは、ボールグリッドアレイ(BGA)等によって外部基板と接続するための裏面ランドとして利用される。
【0010】
以上の如く構成されるコアレス配線基板は、中央の半田バンプを取り囲む形で金属製の補強枠(スティフナー)が主面に接着される。スティフナ−の内側は電子部品の搭載部となり、電子部品が半田バンプにフリップチップ接続されて、電子部品と主面の隙間(半田バンプの周り)にガラスフィラー入りエポキシ樹脂等からなるアンダーフィル材が充填形成されることで電子装置が構成される。
【0011】
次に、従来のコアレス配線基板の製造方法について説明する。
<コアレス配線基板の製造方法>
コアレス配線基板の製造方法を簡略に説明すると、補強基板3上に配線積層部2を周知のビルドアップ法によって形成し、その後、配線積層部2を補強基板3から剥離することで製造するものである。また、補強基板3の両面に同時に配線積層部2を形成できるので量産が容易である。以下、各工程について詳細に説明する。
【0012】
(工程1:下地シート形成工程)
下地シート形成工程では、製造時の補強のための補強基板3上に下地樹脂シート3aを形成する(
図2(a)参照)。補強基板3は、特には限定されないが、例えばビスマレイミド−トリアジン樹脂板などの耐熱性樹脂板やガラス繊維強化エポキシ樹脂などの繊維強化樹脂板等を用いることができる。また、下地樹脂シート3aは、後述する他層の樹脂シートと同様に、主にエポキシ樹脂等の高分子材料からなり、真空ラミネートなどによって補強基板3の主面に形成される。なお、本工程において下地樹脂シート3aは、通常は補強基板3の表裏両面に同時に形成される。
【0013】
(工程2:密着金属箔配置工程)
密着金属箔配置工程では、配線積層部側Cu層4aおよび補強基板側Cu層4bを下地樹脂シート3a上に主面に包含される、一回り小さい形で配置する(
図2(b)参照)。配線積層部側Cu層4aおよび補強基板側Cu層4bは、2枚のCu層が例えばCrの薄いメッキ層を介して密着したものであり、Cuメッキ層とCrメッキ層の密着力が弱いため、剥離可能なものである。また、配線積層部側Cu層4aおよび補強基板側Cu層4bは、Cu粗化処理によって表面が粗化されている。Cu粗化処理は、例えば無機酸と銅酸化剤を含む、一般に入手可能な粗化剤等を用いた処理浴を用いて行うことができる。
なお、Cu粗化処理が施された配線積層部側Cu層4aおよび補強基板側Cu層4bの表面粗度によりコアレス配線基板1のソルダーレジスト層の表面粗度が決定される。
【0014】
また、配線積層部側Cu層4aおよび補強基板側Cu層4bは、下地樹脂シート3aが半硬化の状態で配置することが好ましい。すなわち、表面粗化された配線積層部側Cu層4aおよび補強基板側Cu層4bが、真空ラミネートなどにより半硬化状態の下地樹脂シート3aと密着することでアンカー効果を得ることができ、以後の工程で配線積層部側Cu層4aおよび補強基板側Cu層4bが下地樹脂シート3aから剥がれることなく配線積層部2を良好に得ることができる。
【0015】
(工程3:第1シート形成工程)
第1シート形成工程では、配線積層部側Cu層4aおよび補強基板側Cu層4bを覆い囲む形で樹脂シートを形成して、樹脂シートと下地樹脂シート3aの間に配線積層部側Cu層4aおよび補強基板側Cu層4bを封止する(
図2(c)参照)。ここで、樹脂シートは、コアレス配線基板1の主面をなす誘電体層2bとなるべき部分を配線積層部側Cu層4aおよび補強基板側Cu層4b上に含むものである。また、この樹脂シートは、真空ラミネートにより形成される。このように、配線積層部側Cu層4aおよび補強基板側Cu層4bが樹脂シートと下地樹脂シート3aの間に封止され、且つ、樹脂シートが表面粗化された配線積層部側Cu層4aおよび補強基板側Cu層4bに密着することにより、以後の工程で配線積層部側Cu層4aおよび補強基板側Cu層4bが樹脂シート及び下地樹脂シート3aから剥がれることなく配線積層部2を良好に得ることができる。
【0016】
(工程4:積層シート体形成工程)
積層シート体形成工程では、誘電体層2b上に金属パターン2a及び誘電体層2bを、ビルト゛アップ法により、必要な数だけ交互に積層して配線積層部2を得る(
図3参照)。このような金属パターンと樹脂シートの積層は、周知のビルドアップ法により補強基板の両面にビルドアップ法により形成することができる。なお、この配線積層部2は、コアレス配線基板1となる配線パターン部のブロックが複数個配列したものとして構成されるのが通常である。
【0017】
(工程5:周囲部切除工程)
周囲部切除工程では、配線積層部2とその周囲部との境界に沿って補強基板3ごと切断して周囲部を除去する(
図4(a)、(b)参照)。境界は配線積層部側Cu層4aおよび補強基板側Cu層4bの外縁に沿って(若しくはそれよりも内側に)設定することができる。その境界に沿った切断により周囲部が除去されると、樹脂シートに封止されていた配線積層部側Cu層4aおよび補強基板側Cu層4bの外縁(外縁側が切除された場合は新たな外縁)が現れる。すなわち、周囲部の除去により周囲部にあった樹脂シートと下地樹脂シート3aの密着部分が失われるので、配線積層部2と補強基板3(及び下地樹脂シート3a)とは、積層方向において配線積層部側Cu層4aおよび補強基板側Cu層4bのみを介して連接した状態となる(
図4(b)参照)。
【0018】
(工程6:剥離工程)
図5に示す剥離工程では、配線積層部2と補強基板3とを密着していた配線積層部側Cu層4aおよび補強基板側Cu層4bのそれぞれのCu層の界面に手作業で微小な隙間となる剥離のキッカケを生じさせ、そこに薄い刃物、例えばカミソリの刃を少しずつ、正確に挿入することで隙間を拡大し、更に補強基板3の辺に沿った方向にも隙間を拡大して行くことにより剥離する。
【0019】
(工程7:金属箔除去工程)
金属箔除去工程では、配線積層部2に付着している配線積層部側Cu層4aを除去して誘電体層2bを露呈させる(
図6(a)参照)。配線積層部側Cu層4aの除去は、例えば過酸化水素水−硫酸系のエッチング液を用いた化学エッチングにより行うことができる。ここで、配線積層部側Cu層4aと誘電体層2bと密着する面は上述のように粗化処理が施されているので、配線積層部側Cu層4aの除去により現れる誘電体層2bの主面も粗化された面となる。このとき、誘電体層2bの主面の粗度が低いと製造後のコアレス配線基板1の主面におけるアンダーフィル材の流れ性が不良となってボイド等を発生させるおそれがある。また、アンダーフィル材と誘電体層2bとの密着性も悪くなる。他方、誘電体層2bの主面の粗度が高すぎてもNi/Auメッキ時にメッキダレ不良が発生したり、アンダーフィル材の流れ性が過度となり充填性が悪くなったりするおそれがある。
【0020】
(工程8:レーザ開口工程)
レーザ開口工程では、レーザによって誘電体層2bに開口を穿設する。開口は、誘電体層2b下に形成されたパッドに当たる位置に穿設され、その底部にはパッドが露出する(
図6(b)参照)。このようなレーザによる開口を穿設には、CO
2レーザ、UVレーザやYAGレーザ等が用いられる。
【0021】
(工程9:デスミア工程)
デスミア工程では、開口底部のパッド表面の樹脂残渣(スミア)を除去する。デスミア工程では、プリント配線板の製造工程で使用される湿式のデスミア処理を行うことができるが、酸素プラズマなどの乾式のデスミア処理を行うことも可能である。
【0022】
(工程10:後工程)
デスミア工程(工程9)後に、パッドの表面にNi/Auメッキが施される。そして、配線積層部2は、コアレス配線基板1となるブロック毎に切り分けられ、パッドには半田バンプ(Sn/Pb等)が形成される。その後、スティフナ−STが主面に接着され、電気的検査,外観検査等の所定の検査を経てコアレス配線基板1が完成する。
【0023】
以上のように、Cu層の剥離界面である境界で剥離する剥離工程は、有効な装置化がされておらず、作業員の手作業による工程とされている場合が多く、量産化対応が遅れている。
特に剥離のキッカケとなる微小な隙間をつくる際、基板角端部のCu層の剥離界面を剥離させる部分に、薄い刃物状のもの、例えばカッターナイフで正確に剥離界面(境界)に差し入れて開く作業になるため、作業時間が長くなる上に、作業者の怪我の原因にもなりやすい。
また、剥離工程を手作業で行うと、剥離時に積層配線部を反らせてCu層の剥離のキッカケを作るが、その時に内部の配線となるべき金属パターンが破断する不良発生の原因となるなどのため、装置化が望まれている。
【発明を実施するための形態】
【0031】
以下、本発明の実施の形態を、図面を用いて説明する。
本発明では、従来は手作業で実施していた剥離工程を、
図7および
図8に示した治具5を用いて実施する。配線積層部2と補強基板3とを密着した2枚の配線積層部側Cu層4aおよび補強基板側Cu層4bの界面に、治具5に装着した刃物を挿入することにより剥離する。更には、その治具を用いて剥離工程を装置化する。その他の工程は、従来のコアレス基板の製造方法と変わらない。
以下に図面を用いて、本発明のコアレス配線基板の製造方法における剥離工程について説明する。
【0032】
<本発明の剥離工程>
図7、
図8は剥離工程で使用する治具5の概略断面図、
図9は補強基板3の表裏面に、ビルドアップ法を用いて形成された配線積層部2と補強基板3の間にある配線積層基板側Cu層4aと補強基板側Cu層4bのそれぞれの剥離面となる境界に、それぞれ基板表面用刃物11aおよび基板裏面用刃物11bを挿入した状態を示す概略断面図、
図10はコアレス配線基板に基板表面用刃物11aおよび基板裏面用刃物11bを挿入したあと、圧縮空気を治具5の圧縮空気吐出口12から吐出し剥離範囲7を拡げた状態を示す概略断面図である。
【0033】
補強基板3の表裏面に配線積層部2が形成されたコアレス配線基板1に対して、補強基板3と配線積層部2とを密着している配線積層部側Cu層4aおよび補強基板側Cu層4bの境界に、基板表面用刃物11aおよび基板裏面用刃物11bを挿入することにより、補強基板3と配線積層部2を容易に剥離することが出来る。
具体的には補強基板3と配線積層部2とを密着している配線積層部側Cu層4aおよび補強基板側Cu層4bのそれぞれの剥離面となる境界に、基板表面用刃物11aおよび基板裏面用刃物11bを挿入し剥離のキッカケを作り、基板表面用刃物11aおよび基板裏面用刃物11bを挿入することにより形成された微小な隙間6に圧縮空気を吹き込むことで、微小な隙間6を押し拡げることにより剥離範囲7を広げ、基板表面用刃物11aおよび基板裏面用刃物11bを補強基板3の辺に沿ってスライドさせて広げることで、補強基板3の1つの辺の全体に剥離を進行させることができる。この作業を繰返すことで剥離を行うことができる。
この作業を行うため、基板表面用刃物11aおよび基板裏面用刃物11bと圧縮空気吐出口12を備え付けた治具5(
図8参照)を使用すると効率よく作業を進めることが出来る。
【0034】
基板の側面から基板表面用刃物11aおよび基板裏面用刃物11bを挿入するので、基板表面が傷つくことはない。しかし、基板表面用刃物11aおよび基板裏面用刃物11bの挿入位置を間違えると、配線積層部2の裏に傷が付いたり、補強基板3の側面を刃物で突き刺してしまう等の恐れがあるため、
図7および
図8に示すように、基板表面用刃物11aおよび基板裏面用刃物11bの位置に固定した高さ調整ねじ8とスプリング9から構成される高さ調整機構により、基板厚さのばらつきに応じて基板上面用の基板表面用刃物11aおよび基板裏面用刃物11bの高さを昇降させ、調整することが可能である。
【0035】
前記高さ調整機構は高さ調整ねじ8とスプリング9から構成されており、ねじを回すことで昇降ユニット10が上下し、基板表面用の刃物11aの高さを微調整することが出来る。基板厚さのばらつきに応じて、刃物11aの高さを調整することで、補強基板3と配
線積層部2とを密着した2枚のCu層4aおよび4bの境界に確実に刃物11を挿入することが出来る(
図9参照)。ここで、高さ調整機構として高さ調整ねじ8とスプリング9から構成された場合を示したが、これに限定するものではなく、基板表面用刃物11aと基板裏面用刃物11bを保持した昇降ユニット10の高さを調整できる機構であれば採用することができる。また、配線積層部側Cu層4aおよび補強基板側Cu層4bのそれぞれの剥離面となる境界を、イメージセンサにより捉え、その情報に基づき昇降ユニット10の高さを制御する機構であっても良い。
【0036】
図10に示すように、基板表面用刃物11aおよび基板裏面用刃物11bの挿入により配線積層部2が浮上り、形成された微小な隙間6に圧縮空気を吹き込む。基板表面用刃物11aおよび基板裏面用刃物11bの脇に圧縮空気の吐出口を配置することで、微小な隙間6に確実に圧縮空気を吹き込むことが出来る。圧縮空気を吹き込むことで剥離範囲7が広がり、容易に配線積層部2を剥離することが出来る。この時の圧縮空気は、異物混入が少なく不活性なガスが望ましく、特にCDA(クリーンドライエア)、窒素、アルゴン等を好適に使用することができる。
【0037】
基板表面用刃物11aおよび基板裏面用刃物11bを、配線積層部側Cu層4aと補強基板側Cu層4bの境界に挿入し、圧縮空気を吹き込んだ状態で、基板の短辺方向に平行に治具5をスライドさせ移動することで、微小な隙間6であるキッカケ加工範囲を、基板の端部に平行な方向に広げることができ、ひいては基板の1つの辺の全域に剥離範囲7を拡大して行くことが可能である。
【0038】
また治具5には、基板表面用刃物11aおよび基板裏面用刃物11bがそれぞれ備え付いているため、一度に上下面の配線積層部2を剥離することができる。またこの治具5は、金属または樹脂等で作製することができ、繰り返し使用することが出来る。また、この治具5と、補強基板3の表裏面に配線積層部2が形成されている形成体を固定する機構と、を同一の定盤などの構造体に設置して、治具5が形成体に対して設定した動作を安定して実施させることが可能な駆動機構を具備している剥離装置とすることが可能である。具体的には、形成体の補強基板3の1つの辺から、その表裏面の補強基板3と配線積層部2の間にある剥離可能なCu層である配線積層部側Cu層4aと補強基板側Cu層4bの剥離面となるそれぞれの境界に、刃物である基板表面用刃物11aおよび基板裏面用刃物11bを挿入して微小な隙間を形成するために、治具5を補強基板3の1つの辺に直交する方向に移動する機構を備えている。また、治具5を補強基板3の前記の辺に沿って平行な方向に移動する機構を備えている。
【0039】
なお、本発明のコアレス基板の製造方法を実施可能とするためには、まず補強基板3の上に下地樹脂シート3aを形成した後、それらよりエリアが小さい配線積層部側Cu層4aと補強基板側Cu層4bが剥離可能に積層された剥離可能なCu層の上に、その剥離可能なCu層の成すよりエリアを全面的にカバーする誘電体層2bを形成し、更にその上にビルドアップ法にて配線積層部を形成する必要がある。